MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

L'amplificateur peut alors être représenté par le schéma de la figure suivante:

Transistor unilatéralisé et ses quadripôles d'adaptation en entrée-sortie.

Les termes G1 et G2, ou les quadripôles correspondants, représentent les gains ou les
pertes produits par l'adaptation ou la désadaptation des circuits d'entrée et de sortie.
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

Le quadripôle actif est unilatéralisé lorsque le paramètres S12 est nul. En réalité, S12
n'est pas nul pour un transistor mais il est très faible car le transistor est non passant
de l'accès 2 vers l'accès 1.
𝑏1 𝑆11 0 𝑎1
On a dans ces conditions : = 𝑎2
𝑏2 𝑆21 𝑆22
Si S12 = 0, on dit que le transistor est unilatéralisé GT=GTU.

On a de même : Γ1= S 11 et Γ 2 = S22

Le gain transducique unilatéralisé est donné par l'expression suivante:

1  S 1  C
2 2

GTU  GT   S 21 
2
S12  0
1  S11  S 1  S 22  C
2 2

  
GS  G1 Go GC  G2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

Exprimé en dB, la relation du GTU devient:

GTu (dB)  GS (dB)  G0 (dB)  GC (dB)  10 log10 (G )

Optimisation du gain :

Il est possible d'optimiser ΓS et ΓL de façon à obtenir des gains G1 et G2 maximums, dans


ce cas, GTU sera maximum et :  S  S
*
S 11 C 22

Par suite :
1
G1, MAX  GS , MAX  GS S  S11

1  S11
2

1
G2, MAX  GC , MAX  GC C  S 22

1  S 22
2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

D'où la valeur maximum du gain transducique unilatéralisé appelé MAG

(Maximum Avalaible Gain):

1 1
MAG  GTU , MAX   S 21 
2

1  S11 1  S 22
2 2

On peut remarquer que cette expression est identique à la valeur maximum du

gain en puissance disponible GAmax qui correspond aux mêmes conditions
d'adaptation.

Stabilité :
Puisque |S11| et |S22| sont inférieurs à 1, le transistor unilatéralisé est
inconditionnellement stable.
 Cercles de gain constant :

On peut remarquer que si ΓL = ΓS = 1, alors G1 = G2 = 0. On a ainsi :

On peut alors se demander quel est le lieu sur l'abaque de Smith des
coefficients de réflexion à l'entrée ΓS donnant une valeur de gain G1
constant.

1  S
2
Il est défini par la condition :
G1  GS 
1  S S11
2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

Ce lieu est un cercle dans le plan complexe (figure ci dessous), de centre RG1 et de
centre ΩG1.
G1S11 *
G1  GS 
1  G1 S11
2

[1  G1 (1  S11 )]1/ 2
2

 RG1 
1  G1 S11
2

Cas particuliers :

● Si G1 = 0 (soit ΓS = 1), alors ΩG1 = 0 ==> le centre du cercle est au centre de l'abaque de
Smith et RG1 = 1, correspondant au cercle externe de l'abaque.

● Si G1 = 1 (soit ΓS = 0), ce qui n'implique aucun quadripôle en entrée, on a alors :

S11 *
G1  RG1  G1
1  S11
2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION
Exemple de cercles de gain et bruit constant pour
un transistor unilatéralisé

G2 S 22 *
G 2  GL 
1  G2 S 22
2

[1  G2 (1  S 22 )]1/ 2
2

 RG 2 
1  G2 S 22
2

Remarques :
C'est en entrée que l'optimisation du gain revêt
certainement une importance plus grande, car on
est très souvent amené à trouver le meilleur
compromis entre le gain de l'amplificateur et le
facteur de bruit, c'est à dire à trouver l'impédance
de source qui conduit au meilleur compromis.
Series inductive feedback can
be used to lower noise fi gure
 Les circuits d’adaptation

Circuits à constantes localisées

 Circuits à constantes distribuées
Les circuits à constantes distribuées sont conçus avec des tronçons de lignes. Les
méthodes et outils de calculs nécessaires pour leur conception sont basés sur les
lois régissant les phénomènes de propagation, les paramètres S, l’abaque de
Smith.

Différentes approches peuvent être envisagées : – Adaptation par stubs – Circuits à

constantes distribuées
Adaptation par stubs
 Exemple de circuit :

Exemple de circuit à éléments distribués

 Circuits à éléments distribuées
Cette approche consiste à réaliser les valeurs des inductances et
capacités localisées avec des tronçons de ligne dont on ajuste
l’impédance caractéristique et la longueur.

Pour réaliser une capacité :

Pour réaliser une inductance :
ZC>>ZL ZC << ZL.
 Amélioration de la stabilité

On utilise une résistance en série ou en parallèle à l'entrée

et/ou a la sortie pour stabiliser le transistor.
●Si les cercles de stabilité sont du coté des faibles résistances, on
utilise une résistance en série.
●Si les cercles de stabilité sont du coté des hautes résistances, on
utilise une résistance en parallèle.

Généralement, il est suffisant de stabiliser à l'entrèe. Cependant, ceci

augmente le bruit de l'amplificateur. Stabiliser a la sortie aura moins d'impact
sur le bruit.
 Amélioration de la stabilité

Exemple

●Ajouter une résistance en série dont la

valeur est déterminée par le cercle qui
est tangent au cercle de stabilité, ou

●Ajouter une résistance en parallèle,

déterminée par le cercle de conductance
qui est tangent.
 Amélioration de la stabilité

Comment réduire l'effet des résistances sur le gain ?

 Résistances en série : On ajoute un condensateur en parallèle, qui produit une faible

impédance a la fréquence d'interêt.

 Résistances en parallèle : On ajoute un condensateur entre la résistance et GND, ce

qui empêche le DC de s‘échapper par cette résistance. Le condensateur doit avoir une
faible impédance a la fréquence d'intérêt.
Gabriel

Ajouter une inductance a la source du transistor :

●Utiliser une inductance
●Utiliser une ligne de transmission terminée par un court-circuit
 Design d'amplificateurs

Il y a trois types de design :

●Design pour un gain maximum : l'adaptation est faite au conjugue des charges, pour
un transfert maximal de puissance.

● Design pour un gain spécifique: l'adaptation est faite a un gain plus faible que le
maximum, pour améliorer la largeur de bande.

● Design pour faible bruit : l'adaptation est faite pour minimiser le bruit ; on réduit le
bruit au dépend du gain.
 Design pour gain maximum
Adaptation Simultanée Entrée-Sortie

Puisque le gain G0 d'un transistor est fixe, les deux gains GS et GL sont les 2
paramètres à optimiser. Le transfert maximal de puissance se produit lorsque
in=*S et out=*L

Adaptation simultanée
On utilise les équations précédentes pour faire le design.
On peut démontrer que les coefficients de réflexion à l'entrée et à la sortie doivent
être :
B1  B1  4  C1
2
B2  B2  4  C2
2 2 2

MS  ML 
2  C1 2  C2


B1  1  S11  S 22  
2 2 2
C1  S11    S 22

B2  1  S 22  S11  
2 2 2
C 2  S 22    S11
 Design pour gain maximum

Design pour gain maximum : unilatéral

Si le transistor est unilatéral,

Le gain maximum est :

 Design pour un gain spécifique

On trace des cercles de gain constant sur l'abaque de Smith.

Ces cercles permettent d'obtenir le gain voulu et les coefficients de réflexion (à
l'entrée et la sortie) pour obtenir ce gain.
 On ne fait pas l'adaptation a Z0 ; on le fait a d'autres valeurs qui donnent un
gain plus faible.

 On considère le cas unilatéral seulement.

Les gains maximums des réseaux à l'entrée et à la sortie sont :

et

ce sont le gain supplémentaire obtenu si les impédances d'entrée et de sortie

sont bien adaptées.
 Design pour un gain spécifique

Dans certains cas, il est préférable de faire le design d’un amplificateur pour
un G plus faible que le Gmax, pour améliorer la largeur de bande, ou pour
d’autres considérations du système.
Le design est fait à une impédance autre que celle qui donne un transfert
maximum de puissance : on introduit des faibles réflexions dans le circuit.

La méthode de design pour un gain spécifique est grandement simplifiée en utilisant des
cercles de gain constant sur l’abaque de Smith.
 Design pour un gain spécifique

 A l'aide des équations précédentes, on peut tracer des cercles sur l'abaque de
Smith.
On calcule les centres selon :

où cS est le centre du
cercle de gain (entrée) et
rS est le rayon.
La partie variable est gS.

Ces cercles permettent d’obtenir le gain voulu et les coefficients de réflexion à l’entrée et
à la sortie nécessaires pour obtenir ce gain. L’adaptation n’est pas effectuée à Z0 ; elle
est plutôt effectuée à une autre impédance qui donne un gain plus faible.
 Cercles de gain à la sortie

On peut faire la même chose pour les cercles de gain à la sortie. On remplace
S11 par S22.

Les centres de ces cercles sont tous sur une ligne droite qui débute au centre de
l'abaque et qui passe par S*11 ou S*22.

 On peut aussi démontrer que le cercle de 0dB (GS = 1 ou GL = 1) passe toujours

par le centre de l'abaque.

 Lorsque le gain est maximum, le rayon est 0.

 Design pour bruit minimum

Comme le design a gain spécifique, si on veut faire un design avec un bruit minimum, il
faut faire certains compromis.

La procédure de design pour bruit minimum est la même que celle pour un gain
spécifique: on trace des cercles de bruit sur l'abaque de Smith.

 Un amplificateur a faible bruit (LNA) est typiquement le premier composant d'un système
de communication hyperfréquences.
 Facteur de bruit d'un quadripôle actif

Le facteur de bruit est une mesure de dégradation du rapport signal à bruit après le
passage par le quadripôle.

 SE 
 
 NE  kTo BG A  N a Te
F F  1
 SS  kTo BG A To
 
 NS 

-Te est la température effective de la source

-T0 est la température standard (290K)
 Design pour bruit minimum

La figure de bruit d'un amplificateur est :

Le facteur de bruit ne dépend que de l’entrée, donc pour réaliser un amplificateur à

faible bruit on doit satisfaire cette dernière condition (S=opt) ce qui permet de
calculer c ou 2

 S12  S 21  S
2  S 22  S 22   c
1  S11  S

Si le coefficient de réflexion 1 ou S=opt est situé dans la zone instable, il est

impossible d’opter pour une configuration avec un minimum de bruit.
 Facteur de bruit d'un quadripôle actif

En 1956, Rothe et Dahlke ont démontré que le facteur de bruit d'un quadripôle actif change
en fonction de l'impédance du générateur. Cette dépendance est caractérisée par les
paramètres suivants:

où Fmin, opt et rn=Rn/Z0 sont des

rn
F  Fmin   YG  Ym
2 paramètres fournis par le
constructeur. Ce sont les paramètres
GG de bruit du transistor.
Yo  YG 1
G  Yo 
Yo  YG Zo
G  m
2

m 
Yo  Ym
F  Fmin  4  Rn  Yo  2

1  m  1  G
2

Yo  Ym

Pour que le facteur de bruit d’un transistor soit minimal , F=Fmin il faut que S=opt.
 Cercles de Facteur de Bruit Constant

Afin de trouver le meilleur compromis entre le facteur de bruit et le gain associé, nous
utilisons la technique des cercles à bruit constant. Cette technique est surtout très utile
dans la conception des amplificateurs large bande.

1  m G  m
En définissant pour F=Fi 2 2

N i  Fi  Fmin   
De cette équation, on obtient: 4  Rn  Yo 1  G
2


G  m
2


2

N i  N i  1  m
2
 Où FiFmin
1 Ni 1  N i 2
Cette dernière équation définie un cercle ayant un centre CF et un rayon rF comme suit:

m
CF 
1 Ni
 Cercles de bruit
Sur l’abaque de Smith, le coefficient de réflexion de la source S en fonction de opt donne
des cercles de bruit constant dont le positon du centre CN et la valeur du rayon RN sont
donnée par les expressions

On calcule les centres selon :

où cF est le centre du cercle de

bruit et rF est le rayon. La partie
variable est F.

Parfois, il est préférable de tracer les cercles à bruit constant et les cercles à gain constant
sur le même abaque, pour pouvoir faire un compromis entre le gain et le bruit.
 En résumé,

1) Le facteur de bruit d'un transistor atteint une valeur minimum Fmin pour une valeur
particulière de coefficient de réflexion au générateur m .

2) L'adaptation d'un transistor au minimum de facteur de bruit ne corresponds pas

nécessairement aux conditions d'adaptation pour le gain maximum.

3) L'application d'une contre-réaction réactive peut améliorer le coefficient de réflexion à

l'entrée en conservant la mesure de bruit minimum Mmin .

4) Les cercles à bruit constant et les cercles de gain disponible permettent de sélectionner
le meilleur compromis entre le gain et le bruit.
Linéarité

Amélioration de la linéarité :

●Ajouter de l'inductance a la source du transistor

●Ajouter une résistance de feedback entre le drain et la grille
• Ajoute du bruit
• Réduit le gain
 Polarisation des transistors

La polarisation des transistors lors de l'utilisation a très haute fréquences est un
peu différente des techniques habituelles.
 Il faut faire attention pour que le signal d'entrée ne se propage pas le long du
circuit de polarisation et demeure plutôt dans le bon chemin.
 Le point d'opération du transistor affecte aussi le bruit, la puissance et le courant.

Le point d'opération affecte le comportement du transistor.

De façon générale :
●I : faible bruit, faible puissance
● II : faible bruit, puissance moyenne
● III : haute puissance
● IV : haut rendement
 Polarisation des transistors

Les circuits de polarisation doivent présenter une faible impédance a DC et

une haute impédance aux fréquences d'opération.

On a aussi besoin de condensateurs de blocage pour éviter que le DC se

propage dans le reste du circuit.
 Polarisation des transistors
Deux méthodes principales :

•Inductance en série avec la source,

• Ligne de transmission 4 terminée par un condensateur.

Option 1 : inductance

Inductance :
impédance nulle a DC, et haute
impédance a f

Cependant, parfois difficile d'utiliser des inductances a hautes fréquences.

Option 2 : ligne /4

Au point a, c'est presque un court-circuit a f.
Au point b, la ligne transforme le C-C a un C-O.

A basses fréquences, la ligne peut être trop longue ; mais plus la fréquence
augmente, plus la ligne devient courte.
Stabilisation d’un transistor

Exemple de stabilisation d’un transistor

Stabilisation avec résistance en série à l’entrée

4 possibiltés de stabilisations