L’état solide

Eléments de cristallographie

I) Notions élémentaires de cristallographie

1) Introduction

Dans la matière à l’état gazeux, les atomes ou molécules sont à peu près
indépendantes les un aux autres et se heurtent au hasard (désordre parfait). A
l’état liquide, tous les atomes se touchent les uns les autres, mais avec des
forces faibles, ce qui fait qu’ils sont constamment réorganisés au hasard. A
l’état solide, au contraire, les atomes sont très voisins et leurs forces
d’interaction sont grandes. L’arrangement relatif de ces atomes ne se fait pas
de manière quelconque.

On s’intéresse à l’étude de la matière à l’état solide :

- Amorphe (absence d’ordre).

- Vitreux (ordre à courte distance, mais absence d’ordre à longue
distance).
- Cristallin (existence d’ordre).

L’état cristallin peut se présenter lui-même sous plusieurs formes :

- Forme monocristalline : un seul cristal, la cristallogenèse permet la

fabrication des monocristaux.
- Etat polycristallin ou ce qu’on appelle la poudre faite d’une infinité de
petits cristaux.
- La céramique : c’est une poudre compactée dont les grains sont liés
par des joints de grains
Grain

Joint de grains

1
 Le frittage est un traitement thermique (chauffage) qui permet la
consolidation des grains.

2) Réseau cristallin

La propriété essentielle du milieu cristallin est la périodicité qui provient d’un

arrangement stable, régulier et symétrique.

Un effet visible macroscopiquement de cristallographie est la forme constante

de la plupart des minéraux (polyèdre avec des forces naturelles, lames dont les
directions sont bien déterminées).

Les alliages métalliques sont des agrégats polycristallins : grains constitués d’un
assemblage ordonnés d’atomes ; qui répond donc aux critères de périodicité
nécessaire à la diffraction.

L’importance de la périodicité est de trouver un motif de base élémentaire qui

par translation décrit tout le motif étudié.

ᴏ ᴏ ᴏ

ᴏb ᴏ ᴏ

n = ua + vb a et b sont les paramètres du réseau

La distance entre deux points homologues est un multiple de la période.

A3 dimentions : n = ua + vb + wc

Avec u, v, w entiers positifs, négatifs ou nuls.

L’ensemble des points définit un réseau cristallin régulier.

3) Propriétés des réseaux

2
On considère 2 familles de droites // implique que le réseau est
bidimensionnel. L’intersection des droites des deux familles constituent les
nœuds du réseau.

Nœud : Intersection des droites. Ils sont au sommet ou extrémités des vecteurs
de même origine satisfaisant à la relation.

n = u a + vb u, v entiers positifs, négatifs ou nul

Le nœud choisit pour origine est arbitraire. Tous les nœuds du réseau peuvent
être pris pour origine.

Rangées : Toute droite qui passe par au moins deux nœuds. Le vecteur n = ua +
vb qui passe par le nœud origine est le nœud de coordonnées (u, v) est une
rangée notée [u, v].

Le paramètre d’une rangée est la distance qui sépare deux nœuds proches
voisins de cette rangée.

InI = Iua + vbI u, v premiers entre eux

Si non n = ua + vb = m (u’a + v’b)

Toute rangée possède une rangée qui lui est // et passant par n’importe quel
nœud du réseau.

Notion de maille On appelle maille tout parallélogramme dont les sommets

sont des nœuds du réseau, c-a -d construit sur deux vecteurs de même origine.

n1 = u 1 a + v 1 b

n2 = u 2 a + v 2 b n1 n2

Aire de la maille S = n1ʌ n2

ISI = In1I In2I sin (n1, n2) n1

Ө n2

3
 S = n1ʌ n2= (u1a + v1b) (u2a + v2b)

(u1v2 – u2v1) a ʌ b = m (a ʌ b)

Avec m = u1 v1 = u 1 v 2 – u2 v 1 un entier

u2 v2

m est la multiplicité de la maille = nombre de nœud que contient une

maille

Si m = 1 maille simple ou élémentaire

Si m ǂ 1 la maille est multiple

Réseau tridimensionnel :

Nœud : extrémité du vecteur n = ua + vb +w c u, v, w entier positif,

négatif ou nul

Rangée : toute droite passant par deux nœuds, on la note [u, v, w], la
rangée qui passe par le nœud d’origine et par le nœud de coordonnées (u, v,
w).

Maille : parallélépipède construit sur 3 vecteurs du réseau : n1, n2, n3 de

même origine

V = (n1, n2, n3) produit mixte

u1 v1 w1

u2 v2 w2 (a, b, c)

u3 v3 w3

v = m. (a, b, c) m entier

Maille cubique m = 4 multiple

Maille rhomboédrique = maille simple

4
 0 a/2 a/2

V= a/2 0 a/2

a/2a/2 0

V = a3/4

Maille multiple: I, F, C, A, B. o ½ ½ a

OA = ½ a + ½ b + ½ c ½ ½ 0 b

OB = ½ a + ½ b + ½ c =

OC = ½ a + ½ b + ½ c ½ 0 ½ c

Matrice de transformation

Plans réticulaires

On appelle plan cristallographique (réticulaire) un plan qui passe par au

moins trois nœuds du réseau, donc une infinité.

Soit un plan P qui coupe les axes : z P

OX en M (m, o, o) N y

OY en N (o, n, o) x

OZ en P (m, o, p) M

Ce plan sera alors notée (hkl), avec h, k et l les indices de Miller définis
comme les petits entiers proportionnels à : 1/m, 1/n, 1/p
5
 h = k/m, k = k/n, l = k/p

En réalité la notation (hkl) désigne non seulement un plan, mais toute

une famille de plan // et équidistant.

° ° °

° ° ° d320 °

° ° ° ° d100

° ° ° °

m=3 n=2 h = k 1/m = k 1/3 ; k = k ½ ; l = 0

Cette famille est notée (hkl) = (230)

Remarque : La distance interréticulaire est la distance entre deux plans

réticulaires d’une famille. Cette distance diminue lorsque les indices de Miller
augmentent.

Les indices de Miller représentent donc les plans : hx + ky + lz = q (appartient à

Z).

Le plan va couper les axes principaux aux valeurs : x = ka/h, y = k b/k ; z = k c/l

On note dhkl, la distance inter réticulaire = distance entre 2 plans successifs

d’une même famille.

Si un plan est // à un axe, l’indice de Miller correspondant est nul.

(110)

(111)

6
 4) Réseau réciproque

Toutes les notions énoncées précédemment sont associés à l’espace

géométrique direct (espace réel du cristal). Cet espace direct étant
définit par a, b, c et α, β, γ paramètres directs.

On considère un espace réciproque qui n’a aucune réalité physique. Il

est définit par les paramètres : a*, b*, c*etα*, β*, γ*.

Le réseau réciproque a été introduit par Bravais sous le nom du

réseau polaire. Il permet de simplifier les calculs cristallographiques,
donner une représentation géométrique de la théorie de diffraction
des rayonnements par les cristaux.

Ce réseau est défini par les relations suivantes.

a* (b, c) avec a*. a = 1

b* (a, c) avec b*. b = 1

c* (a, b) avec c*. c = 1

c.a.d a*. b = a*. c = 0

b*. a = b*. c = 0

c*. a = c*. b = 0

Notations utilisées :

R. D R. R

Nœud u, v, w h, k, l

Rangée [u, v, w] [h, k, l]

Plan (h, k, l) (u, v w)

Il est intéressant de remarquer qu’à tout plan (h, k, l) du réseau direct,

correspond une rangée [h, k, l] du réseau réciproque normale au plan (h, k, l).

7
 z

n*hjl

c b H N y

aӨ

M x

Le plan PMN (h, k, l), coupe a en a/h ; b en b/k et c en c/l

Le vecteur du réseau réciproque : n* = h a* + k b* + l c*

C’est vecteur directeur de la rangée [h, k, l] du réseau réciproque.

Montrons que n*hkl est perpendiculaire au plan hkl et que In*hklI = 1/dhkl

 MN = ON – OM = b/k – a/h
Si n*hkl est perpendiculaire au vecteur MN, PM…
n*hkl .MN = ha* + kb* + lc*) . (b/k – a/h) = h/k. a*b – h/h.a*a + k/k.b*b –
h/k…….. =-1 + 1 = 0
On obtient donc: n* . MN =0 donc n*hkl est perpendiculaire à MN, de la
mêmefaçon, on montre que n* est perpendiculaire à NP et à PN, ce sui
implique que la rangée [hkl] du RR est perpendiculaire au plan (hkl) du
RD.

Une possibilité intéressante du RR est de permettre d’associer à toute famille

du plan (hkl) du RD, un vecteur n* = h a* + k b* + l c* qui lui est perpendiculaire

OH = dhkl est la distance entre le plan d’origine et le plan (hkl).

Cos (n*, a) = dhkl/ a/himplique que dhkl = a/h Cos (n*, a)

Or Cos (n*, a/h) = n* . a/h n* . a/h

Soitdhkl = IaI/h . 1/ In*I IaI/h = 1/ In*hklI

In*hklI = 1/dhkloubiendhk =1/ In*hklI

Or In*hklI . a/h = (h a* + k b* + l c*) . a/h= h/h . a*a = 1

Soit dhkl = a /h. 1/In*hklI a /h = 1/ n*hkl implique quedhkl = 1/n*hkl

Remarque : on calcule facilement les dhkl :

8
In*hklI2 = 1/d2hkl= I (h a* + k b* + l c*)I2

= h2 Ia*I2 + k2 IbI2 + l IcI2 + 2hkl (a* b*) + 2kl (b*c*) + lh (c*a*)

Dans le cas ou a, b, c est trirectangle a*, b*, c* est trirectangle.

a* b* = b*c* = c* a* = 0

a a* = 1 ; a* = 1/a ; a*2 = 1/a2

1/d2hkl = h2/a2 + k2/b2 + l2/c2

Dans le cas d’un cubique: a = b =c

1/d2hkl = (h2 + k2 + l2)/a2

d = a/√h2 + k2 +l2

II) Diffraction des RX par les solides cristallins

9
 crc

Rayon diffracté

Rayon incident cristal

- Intensité des RX diffractés

- Direction des RX diffractés

1) Relation de Bragg
Elle concerne la direction des RX diffractés

Lorsqu’un faisceau des RX monochromatique tombe sur un réseau cristallin,

toutes les particules du cristal deviennent des centres d’émission secondaire ou
de diffusion des RX. Il faut donc chercher les conditions pour que ces RX émis
donnent lieu à un phénomène de diffraction, c-a-d chercher dans quelle
direction ces émissions secondaires sont en phase.

-a- condition pour qu’il y est diffraction par un plan.

RX RX diffracté

incident A’ B’

Ө Ө’ Ө Ө’

A B

La différence de marche pour qu’ils soient en phase est :

SAB = AB’ – A’B = AB cosӨ’ – AB cosӨ

= AB (cosӨ’ – cosӨ) = nλ

Comme A et B sont quelconques, λ est donnée, la solution est pour n = 0

10
 Cos Ө = cosӨ’ Ө = Ө’

-b-Condition pour qu’une famille de plans diffuse la phase.

I II

Ө A Ө

CӨ D dhkl

La différence de marche entre les ondes I et II est δ.

δ = CB + BD or CB + BD = 2d sinӨ = 2d.sinӨ

Pour que les ondes I et II soient en phase, il faut que δ = nλ

Soit 2d.sinӨ = nλ (n entier)

La valeur de n indique l’ordre de la réflexion. On a la relation

d(nh, nk, nl) = 1/n.dhkl

On aura des RX diffractés que pour des directions pour lesquelles la relation de
Bragg est vérifiée.

2) Intensités des raies

On caractérise le rayonnement diffracté par son amplitude, donc par son

intensité qui est égale au carré de l’amplitude. L’intensité des raies dépendra
de la nature des atomes et de leur disposition dans la maille.

L’expression qui permet de tenir compte de ces deux facteurs est ce qu’on
appelle Facteur de structure.

Soit un cristal dont la maille élémentaire n’est pas simple (m> 1).

11
On a n Aj( maille élémentaire), la contribution de ces Aj atomes se traduira par
un facteur Fhkl (facteur de structure). L’intensité I = KFhkl2

S0 S

S0 S

r*hkl Aj

rj

dhkl H K

On a r*hkl= ha* + kb* + lc* perpendiculaire au plan (hkl)

Aj (xj, yj, zj) et OAj = xja + yjb + zjc

Fhkl = ₢ amplitudes des rayons diffractés par les atomes Aj

Il s’agit de trouver l’amplitude de l’onde diffractée par un atome Aj et faire la

somme sur tous les atomes A.

rj

H S0

OH = rj . S0 = = rj .S0cos (s0, rj)impliquequecosӨ = OH / rj

Soit S0 vecteur incident unitaire

…….S ……………réfléchi unitaire

Calcul de la différence de marche δ

δ = HO + OK = -rj.S0 +rj.S = rj.(S – S0)

12
Le déphasageφ est donné par : φj = 2πδ / λ = 2π rj.(S – S0) / λ

r*hkl

S0 -S0 S

On montreque S – S0 = r*hkl = ha* + kb* + lc*

On a sinӨ= S-S0 / 2 car S0 = S = 1

S-S0 = 2 sinӨ = λ / d et 1 / dhkl = r*hklimpliquequeS-S0 / λ = 1/d = r*hkl

Doncφj = 2πrj . r*jhkl = 2π (xj a + yj b + l zj) . (h a* + k b* + l c*)

On obtientφj = 2π (h xj + k yj + l zj)

L’amplitude de l’onde diffractée par l’atome Aj est proportionnelle à fj expo iφj

= fj exp2πi (hxj + kyj + lzj)

fj est le facteur de diffusion, caractéristique de l’atome.

Aj : on peut dire à première approximation que fj est proportionnellement au

nombre d’électrons portés par l’atome Aj.

Fhkl = ₢fjeiφj = ₢fj e 2π (hxj + kyj + lzj)

= ₢fj [cos 2π (hxj + kyj + lzj) + isin2π(hxj + kyj + lzj)]

I = k Fhkl2 = k Fhkl . F*hkl

13
K est une constant qui dépend de l’appareil.

Le facteur de structure Fhkl peut être nul pour deux raisons :

- Extinction fortuite

Exp: KCl19K ; 17 Cl implique K+ 18 è, Cl- 18 è même nombre d’è

Ils ont le même facteur de diffusion du à la nature de l’atome.

- Extinction systématique

Elle est liée à la symétrie du réseau cristallin c-a-d au mode de réseau.

Exp : Cubique centré

m = 2 atomes /maille

(0, 0, 0) et (1/2, ½, ½)

L’atome au centre est le même que celui au sommet

Fhkl = f [exp 2πi (h0 + k0 + l0) + esp2πi (h + k + l/2)]

= f (1 + cosπ (h + k + l) + isinπ (h + k + l)]

2 caspossibles: =0

- h + k + l = 2n implique que Fhkl = 2f ǂ 0

- h + k + l = 2n+1 implique que Fhkl = 2f = 0 extinction systématique

14
 Cas d’un cubique centré

hkl h 2 + k2 + l2 di d1 /di
(110) 2 a/√2 1
(200) 4 a/√4 √2
211 6 a/√6 √3
220 8 a/√8 √4
310 10 a/√10 √5
222 12 a/√12 √6
321 14 a/√16 √7
-
- En regardant la liste des rapports d1/di, on peut affirmer le mode de réseau :I

(010) (020)

La famille du plan (100) ne passe pas par tous les nœuds du réseau, car elle ne décrit pas le
nœud du centre implique que (100) ne va pas diffracter. Au contraire le plan (200) permet
de décrire tous les nœuds du réseau, donc (200) diffracte.

Fhkl est nul pour h + k + l = 2n + 1 condition d’extinction dans le mode I. Toutes les raies dont
h + k + l = 2n + 1 sont éteintes donc pas de diffraction.

Si on dispose d’un spectre de RX indexé (hkl connus), on en déduire le mode de réseau.

 Cas d’un système cubique

- Cubique simple : Mode P

(hkl) h2 + k2 + l2 di=a/√ h2 + k2 l2 d1/di

(100) 1 a 1
(110) 2 a / √2 √2
(111) 3 a / √3 √3
(200) 4 a / √4 √4
(210) 5 a / √5 √5
(211) 6 a / √6 √6
(220) 8 a / √8 √8
(221) =(300) 9 a / √9 √9
(310) 10 a / √10 √10
(311) 11 a / √11 √11
(222) 12 a / √12 √12

15
Cubique simple Mode P

- Cubique à faces centrées CFC. Mode F

Coordonnées réduites : (0,0,0) ; (1/2, ½, 0) ; (1/2, 0, ½) ; (0, ½, ½)

Fhkl = f [exp(0) + exp 2π (h + k /2) + exp2π(h + l /2) + exp 2π(k + l /2)+i sinπ(h+k/2)+I
sinπ(h+l/2)+isinπ(k+l/2)(]

Les indices de Miller étant des entiers, la partie imaginaire est nulle, Fhkl est réel.

Fhkl = f [1+ cosπ (h + k) + cosπ (h + l) + cosπ (k + l)

2 cas possible: hkl pairs implique que Fhkl = 4f

hklimpairs implique que Fhkl = 4f

donchkl de même parité

h pair, k impair Fhkl = 0 condition systématique d’extinction pour le mode F

Seules les raies hkl de même parité vont apparaitre.

Diffraction des RX par les cristaux

16
 I) Généralités sur les rayons X
Les RX ont été découverts par l’allemand RONTGEN en 1895 et c’est en 1912 que l’allemand VON
LAUE a réalisé le premier cliché de diffraction (Prix Nobel en 1914). Bragg permettra l’utilisation de
ces RX.

Classification des ondes électromagnétiques.

Rayon γ RX U-V Visible IR onde radar onde radio λ (cm)

10-9 10-7 10-5 10-3.5 10-2 101 106

E (eV)

106 10310110-3 10-5 10-7

Les RX ont un double aspect ondulatoire E = hγ et corpusculaire E = mC2

2) Production des RX

Principe : Ils sont produits par l’impact des électrons sur un solide, les è ont une très grande vitesse.

Un tube à rayon X comprend : une source d’è (appelée cathode et une cible (anticathode). Entre les
deux, on établit une d.d.p pour donner aux è la vitesse voulue au moment de leur rencontre avec
l’anticathode.

è RX

Source d’è * vide métal anticathode

ddp fenetre de Be

RX anticathode

Filament de tungstène vide ddp de 20 à 50 KV eau de refroidissement

- Interprétation

Le chauffage de filament en tungstène permet de libérer des è qui seront accélérés par la haute
tension et attirés par l’anode (anticathode) et viennent la percuter. Ces è vont arracher les è du cœur
du métal, automatiquement les è périphériques vont combler les lacunes. Ce phénomène
s’accompagne de la production des rayons X.

17
Si on trace l’intensité du rayonnement en fonction de λ, on observe : (voir schéma)

Les è accélérés viennent frapper brutalement l’anticathode et leur énergiecinétique est alors
transformée en énergie rayonnée (plus l’énergie calorifique).

Le spectre énergétique du rayonnement émis se décompose de deux groupes :

- Un spectre continu (indépendant de la nature de l’anticathode), inutile à la diffraction.

- Un spectre de raies qui provient du remplissage de lacunes par les è périphériques, donc
le spectre de raies sera caractéristique de chaque métal.

Ce phénomène est utilisé dans le domaine d’analyse qualitative.

a – spectre continu

Les è accélérés sous la tension V possède une énergie E = eV, une partie de cette énergie est
communiquée à l’anticathode (atome) sous forme d’agitation thermique, l’autre partie se transforme
en RX.

eV = Q + hγ avec hγ est l’énergie du rayonnement

= Q + hc / λ

Pour une énergie E = eV donnée, Q peut prendre toutes les valeurs comprises entre 0 et eV.

hγ =hc/ λ = eV – Q hγ = eV implique que λ est minimale

hγ =hc/ λ = eV implique que λm = hc / eV

h = 6.62.10-34js, c = 3.108, e = 1.6.10-19 c

λm= 12400 / V

λmest inversement proportionnelle à V et indépendante de la nature de l’anticathode.

Spectre de raies

n=3 M

L Lα {l = 0, l = 1 l =1

n=2 l=0

Kα Kβ Kα1 Kα2

n=1 K l=0 K

18
Lorsque l’è de la couche L vient combler une lacune de la couche K : on a la raie Kα

Couche L couche K Kα

Couche L couche K Kβ

Couche M couche L Lα

Remarque : on observe les transitions de deux sous-couches L vers K, donnant aussi lieu à l’émission
de deux raies Kα1 et Kα2 dont les longueurs d’onde ne diffèrent que de 0.004 Å.

On confond donc les deux raies Kα1 et Kα2 et prendre la valeur moyenne.

Kα = (2λ Kα1 +λ Kα2) / 3 car Kα1 est environ deux fois plus intense que Kα2

3) Loi de Moseley

La variation de la longueur d’onde λ en fonction de Z est régie par la loi de Moseley

γ = a (Z – b)2implique que hγ = h a (Z – b)2 (a et b sont des constantes)

(Schéma)

Exemples

Anticathode Z Kα2 Kα1 Kβ

Cr 24 2.294 2.290 2.085

Fe 26 1.940 1.936 1.757

Cu 29 1.544 1.540 1.392

Mo 42 0.7137 0.7093 0.6323

W 74 0.2136 0.2036 0.1844

Lors de dépouillement des spectres, on a tendance à éliminer Kβ.

19
 Absorption des RX
1) Introduction
Un faisceau de rayon X qui tombe sur la matière, subit un
certain nombre de changements caractéristiques de
différentes formes.
- Interaction inélastique : le photon X voit sa λ modifiée
par transfert de tout ou partie de son énergie à la
matière (effet Compton) ou diffusion incohérente.
Dans l’effet Compton, les photons incidents sont
déviés de leurs trajectoires initiales avec modification
de leur énergie.
- Interaction élastique : les photons sont déviés de leurs
trajectoires initiales sans modification d’énergie. La
conservation de la longueur d’onde dans ce
phénomène de diffusion (appelé diffusion de
Thomson) est à l’origine de l’existence du phénomène
de diffraction (diffusion cohérente).
2) Phénomène d’absorption
Par traversée de la matière, l’intensité des RX diminue, on dit
qu’il ya absorption. Le phénomène obéit à la loi de Beer
Lambert. La traversée d’une épaisseur dx d’une substance
donnée entraine une diminution de l’intensité I tel que :
-dI = μIdx
Avec μ est le coefficient linéaire d’absorption, caractéristique
de la substance dans un état donnée.
20
Par intégration on a: I = I0 e-μx (loi de Beer Lambert)
I0

I0/2
X1/2 x
L’intensité I0 décroit en fonction de la longueur d’onde lors de
la traversée x d’une manière exponentielle.
On définit également x1/2 la longueur qui réduit I0 de moitié.
x1/2est constante. Pour une substance donnée : x1/2 = Log 2/μ
x1/2 peut représenter la capacité d’absorption des RX par un
écran donné.
Ecran air ss 1atm aluminumPlomb
X1/2 4.1 m 0.5mm 4μ
Le coefficient linéaire μ est souvent remplacé par le
coefficient massique d’absorption μm = μ/ρ
Avec ρ masse spécifique ou la masse volumique
μm s’exprime en cm2/g I = I0 e-μmρx
Les tables donnent les valeurs de μm (μ/ρ) pour les différents
éléments (corps simples).
3) Variation de μm avec λ

21
Pour un élément de Z donné, μm croit rapidement en
fonction de λ des RX. Cette augmentation n’est pas continue
et régulière, on observe des discontinuités dont les λ sont
caractéristiques de l’élément absorbant. Les discontinuités
s’expliquent par le mécanisme de l’effet photoélectrique,
c.a.d absorption du photon par l’atome.
μ LI LIILIII
K

λ
λm
Soit un faisceau de RX dont les photons ont une énergie E =
hγ. Si E est suffisante, il pourra chasser un è K de son niveau,
c.a.d provoquer l’ionisation de l’atome. On aura :
E = hγ = Wk + 1/2mv2(énergie cinétique communiquée aux è).
Dans ces conditions, le photon sera absorbé, le phénomène
se produira jusqu’à ce que E = WK = hc/λk = hγK
λk(Å) = hc/WK = hc/eVK = 12400/VK (volts)
Si E = hγ du photon incident est inférieur à WK, il ne pourra
plus y avoir ionisation et la courbe d’absorption présentera
une forte discontinuité par abaissement brutal de μ.

22
Ce phénomène va être utilisé pour filtrer les rayons poly
chromatiques et la longueur d’onde correspondante est
appelée seuil d’absorption noté λK.
Considérons une anticathode de cuivre et traçons la courbe I
= f(λ).
I Kα

Kβ

1.4 1.5 λ (Å)

Le filtre utilisé pour éliminer Kβ sans trop toucher Kα est celui
du Nickel dont λk (Ni) = 1.487 Å λk (Cu) = 1.392 Å
Le filtre choisit est de telle sorte que son seuil d’absorption λk
soit compris entre λk et Kβ.
Exemples.
Pour l’anticathode de:
λkβ = 0.6323 Å
Mo on utilise le filtre en Zirconium λk=0.689 Å
λkα = 0.7095 Å

23
 λkβ = 1.575 Å
Fe on utilise le filtre en Mn λk=1.896 Å
λkα = 1.936 Å

λkβ = 1.392 Å
Mo on utilise le filtre en Ni λk=1.487 Å
λkα = 1.5418 Å

24