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Université de MSB Jijel
Faculté des Sciences et de la technologie Module : ELN fondamentale2
Département d’électronique 2éme Année TCST-LMD…S4
TP N°2 : "Etude de l’amplificateur à transistor à jonction à effet de champ FET "
1-Objectif
Compréhension des caractéristiques des JFET.
2-Théorie
2.1/-Description :
Fig .1
Il y a deux type de transistors JFET: les JFET à canal N et les JFET à canal P. Le
JFET à canal N est dopé avec des donneurs et la conduction est dominée par le flux de
porteurs majoritaires, soit des électrons. De la même manière, le canal P est dopé avec
des accepteurs et la conduction se fait par les trous.
Il y a également un troisième contact, qui est appelé la grille (en anglais : gate). Celui-ci
est constitué d’un matériau de type P (est de type N dans le cas d’un JFET à canal P)
formant ainsi une jonction PN avec le canal.
2.1.1/ Terminologie
JFET : transistor à jonction à effet de champ ;
G : grille (porte), D : drain, S : source ;
Vp, Vgs : tension de coude ou de coupure pour G-S (Grille-Source) ;
Vgs 2
I d = I dss (1 − )
Idss : courant de saturation Drain-Source, Vp
2.1.2/ Principe
Le transistor à effet de champ est un système de commande de tension, il est unipolaire,
le transistor à canal N son courant de canal n est formé par un courant les électrons
(porteurs majoritaires) et le transistor à canal P son courant est formé par les trous
(porteurs majoritaires)
Symboles :
Fig .2
Dr. S . Merabet
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2.1.3/ Caractéristiques
1°/ Idss : courant de saturation entre « Drain et Source », mesuré lorsque la grille
(G) et la source (S) sont en court-circuit (Vgs=0).
2°/ Vgs=Vp : la tension de coude ou tension de pincement, est la valeur de Vds
au-delà de laquelle le courant drain est pratiquement constant. Sa valeur est mesurée par
une faible valeur du courant de drain (~0 ).
La caractéristique typique d’un transistor JFET à canal N est donnée ci-dessous :
Fig.3 : Symbole et caractéristique de sortie typique d’un JFET.
La Fig.3 définit les trois zones de travail d’un JFET :
• La zone ohmique (EN: Ohmic region): Lorsque VDS est très petite, le JFET fonctionne
comme une résistance contrôlée.
• La zone de blocage (EN: Cutoff region): Lorsque la tension VGS est suffisamment
négative, le canal est fermé et le courant ID=0. Le JFET est alors similaire à un circuit ouvert.
• La zone active ou de saturation (EN: active or saturation region): Le JFET agit comme
une source de courant contrôlée par la tension de gate. La tension drain-source VDS a peu ou
pas d’effet dans cette zone.
3-Manipulation :
3.1/-Matériel nécessaire à l’expérience : 1-Pupitre principal
2-Module analogue 4
3-Alimentation
4-Ampèrmètre
5-Voltmètre
6-VR4
3.2/-Le JFET :
Dr. S . Merabet
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3.2.1/Mesure de Idss (Figure 1.1.a)
1/- Fixer le module Analogue 4 sur le pupitre principal et situer le block b.
2/- Positionner les cavaliers suivant la figure 23004 block b1 en se référant au schéma de
la fig 1.1-a.
3/- Connecter G à la masse, connecter l’ampèremètre pour mesurer Idss en ajustant Vdd de
3V à 18V. Remplir le tableau 1.
Vdd(V) 3 4 5 7 9 12 15 18
Idss
Fig. 1.1 a
Figure 23004 block b1
3.2.2/Mesure de Vp (Figure 1.1.b)
1/- Positionner les cavaliers suivant la figure 23004 block b 3 en se référant au schéma de la
fig. 1.1.b.
2/- Connecter l’ampèremètre pour mesurer Idss, et le voltmètre pour mesurer Vgs.
Fig. 1.1.b Figure 23004 block b 3
VR4 (Ω) Ids (mA) Vgs (V)
3/- Ajuster VR4 pour que Ids soit égal à 0, mesurer alors Vgs = Vp et vis-versa.
Dr. S . Merabet
