Université de MSB Jijel
Faculté des Sciences et de la technologie Module : ELN fondamentale2
Département d’électronique 2éme Année TCST-LMD…S4
TP N°3 : "Etude de l’amplificateur à transistor à effet de champ MOS"
1-Objectif
Compréhension des caractéristiques du MOSFET (EN : Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor).
2-Théorie
2.1/-Description : Le MOSFET est un dispositif dont l’effet de champ est contrôlé par
une tension. De la même manière que le JFET, le MOSFET correspond à une résistance dont la
valeur est contrôlée par la tension de grille.
Fig.1
2.1.2/ Principe
Le transistor à effet de champ est un système de commande de tension, il est unipolaire,
le transistor à canal N son courant de canal n est formé par un courant les électrons (porteurs
majoritaires) et le transistor à canal P son courant est formé par les trous (porteurs majoritaires).
Le transistor MOSFET diffère du JFET car son électrode de grille est électriquement
isolée du canal semiconducteur par un oxyde mince. Cette isolation par rapport au canal lui
donne une résistance d’entrée extrêmement élevée, soit dans les Mega-ohms. On considérera
souvent qu’il n’y a pas de courant qui circule à travers la grille.
Les symboles et la structure de base des deux configurations de MOSFET sont donnés
ci-dessous :
Symboles :
Fig.2
Les quatre symboles des MOSFET ci-dessus montrent une électrode additionnelle
appelée substrat. Celle-ci n’est pas utilisée comme entrée ou sortie, mais pour fixer le potentiel
du substrat. Cette électrode est souvent omise dans le symbole.
Dans les symboles ci-dessus, la ligne qui relie le drain à la source symbolise le canal. Si
la ligne est continue alors il s’agit d’un transistor à « déplétion » (normalement conducteur) et
si la ligne est discontinue il s’agit d’un transistor MOSFET à enrichissement (normalement
bloqué). La direction de la flèche indique s’il s’agit d’un dispositif à canal p ou à canal n.
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2.1.3/ Caractéristiques
Fig. 3 Symbole et caractéristique du MOSFET à canal n à enrichissement.
Fig. 4 Symbole et caractéristique d’un MOSFET à déplétion à canal n.
3-Manipulation : 3.1/-Matériel nécessaire à l’expérience :
1-Pupitre principal
2-Module analogue 4
3-Alimentation
4-Ampèrmètre
5-Voltmètre
6-VR4
3.2/-Le MOSFET : 3.2.1/Mesure de Idss
1/- Fixer le module Analogue 4 sur le pupitre principal et situer le block b.
2/- Positionner les cavaliers suivant la figure 23004 block b4 en se référant au schéma de
la fig 2.1-a.
3/- Connecter G à la masse, connecter l’ampèremètre pour mesurer Idss en ajustant Vdd de
3V à 18V. Remplir la table 2.1.
Vdd(V) 3 4 5 7 9 12 15 18
Idss
Table 2.1
Dr. S. Merabet
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Fig 2.1-a Figure 23004 block b4
3.2.2/Mesure de Vp ( Vgs coupure)
1/- Positionner les connexions suivant la figure 23004 block b 5
2/- Connecter l’ampèremètre pour mesurer Id, et le voltmètre pour mesurer Vgs.
3/- Connecter Vgg à : – 12V, et connecter Vdd à : + 12V : Ajuster VR4 pour que : Id soit
égal à 0A, mesurer alors Vgs.
4/- Ensuite, ajuster VR4 pour que Vgs soit égal à 0V, et ajuster Vdd de 3V à 18V en mesurant
Id, remplir le tableau 2.2.
Vdd(V) 3 4 5 7 9 12 15 18
Idss
Table 2.2
Figure 23004 block b 5
3.3. Travail demandé
Comparer les résultats obtenus du MOSFET avec ceux obtenus du JFET, conclure.
Dr. S. Merabet
