CHAPITRE 2 : FONDEMENTS DE LA THEORIE DES BANDES

I. Eléments mécanique quantique

𝜕 𝜕
P=-iħ𝜕𝑟 (impulsion) E=iħ𝜕𝑡 (énergie)

HФ=EФ Ф=Ф(r, t) v=v(r, t)

ħ𝟐 𝝏
(- 𝟐𝒎 Δ + v) Ф(r, t) = iħ𝝏𝒕 Ф(r, t) « équation de Schrödinger dépendante du temps »

M
 Si v=v(r), Ф(r, t)=ф(r)Φ(t) ( Par séparation des variables)
iħ 𝑑Φ(t) 1 ħ𝟐
=ф(r) (- 𝟐𝒎 Δ ф(r) + v(r) ф(r)) =k>0
Φ(t) 𝑑𝑡

𝑘
𝑑Φ 𝑖
= -ħk dt Φ(t)=A𝑒 −𝑖 ħ 𝑡
Φ

(en posant, 𝜔 =ħ)

ħ𝟐
𝑘

- 𝟐𝒎 Δ ф(r) + v(r) ф(r)= ħ𝝎 ф(r)

ou
Φ(t)=A𝑒 −𝑖𝜔𝑡

D’où
↑énergie
ħ𝟐
- 𝟐𝒎 Δ ф(r) + v(r) ф(r)=𝑬ф(r) « équation de Schrödinger indépendante du temps »
en
Ф(r, t)= Aф(r)𝑒 −𝑖𝜔𝑡 solution de l’équation de Schrödinger

--si ф(r) est réelle |Ф(r, t)|2=|𝐴ф(r)|2 on a une densité de probabilité de présence indépendante du
temps. On a donc une onde stationnaire

--Si ф(r) =f(r)𝒆𝒊𝒌𝒓 , il y aura propagation car Ф(r, t) ~ A f(r) 𝑒 −𝑖(𝜔𝑡−𝑘𝑟) .

ħ𝟐
E est valeur propre de l’hamiltonien - 𝟐𝒎 Δ ф(r) + v(r) grâce à l’équation aux valeurs propres 𝐻𝜙(𝑟) =
Sil

𝐸𝜙(𝑟). L’équation de Schrödinger indépendante du temps est donc l’équation aux valeurs propres des
énergies et ф(r) est fonction propre.
L’équation de Schrödinger possèdera un ensemble de solution ie : un spectre de valeurs propres qui
dépendra chacun d’un nombre quantique 𝑛. Par quantification, on trouve 𝐸𝑛 et 𝜙𝑛 .

RQ : le principe de superposition conduit à Ф(r, t)=∑𝑁

𝑛=1 𝛼𝑛 ф(r) 𝑒
−𝑖𝜔𝑡

dp (r, t) est la probabilité de trouver à la date t le corpuscule dans un élément de volume d𝜏. On établit
un lien de nature statistique entre la particule et l’onde qui lui est associée en corrélant la probabilité de
présence et l’intensité de l’onde
dp (r, t)= c |Ф(r, t)|2 d𝜏= c 𝜙 ∗ 𝜙 𝑑𝜏

C ∫ Ф∗ Ф d𝜏=1
8
 𝑑𝑝
 Etats liés on peut considérer c=1 ∫ Ф∗ Ф d𝜏=1. La densité de probailité est 𝑑𝜏 =|Ф(r, t)|2

On parle d’état lié dans le cas où le corpuscule ne s’éloigne pas à l’infini. Sa présence est limitée dans
région précise.
Dans le cas des états non liés, la fonction d’onde est divergente et on ne pourra pas déterminer la densité
de probabilité. On parlera dans ce cas de particule libre. Les solutions seront du type :
𝜕Ф ħ𝟐 ħ𝐤 𝟐
iħ 𝜕𝑡 =- 𝟐𝒎 ΔФ Ф = A 𝑒 −𝑖(𝜔𝑡−𝑘𝑟) 𝜔 = 𝟐𝒎

Plaçons-nous dans le cas de particules indépendantes traversant l’espace et intéressons-nous au courant

de ces particules. Ce courant obéit à l’équation suivante :

M
𝜕
𝑑𝑖𝑣 𝑗⃗(𝑟⃗, 𝑡) + ρ(𝑟⃗, t) = 0
𝜕𝑡
Démonstration :
𝜕Ф ħ𝟐
(1) iħ 𝜕𝑡 =- 𝟐𝒎 ΔФ +v(r, t) Ф ) ₓ Ф∗

𝜕 ħ𝟐
(2) - iħ𝜕𝑡 Ф∗ =- 𝟐𝒎 ΔФ∗ +v(r, t) Ф∗ ) ₓ Ф

[Ф∗
𝜕Ф
𝜕𝑡
𝜕
+Ф 𝜕𝑡 Ф∗ ]=𝑑𝑡(ФФ∗ )
𝑑
ħ𝟐
(1) ₓ Ф∗ - (2) ₓ Ф=- 𝟐𝒎 [Ф∗ ΔФ − Ф𝚫Ф∗ ] = iħ [Ф∗
ou 𝜕Ф
𝜕𝑡
𝜕
+Ф 𝜕𝑡 Ф∗ ]

div (Ф∗ 𝛻Ф –Ф𝛻Ф∗)= Ф∗ 𝛥 Ф- ФΔФ∗

𝑖ħ 𝜕
div(Ф𝛻Ф∗ -Ф∗ 𝛻Ф) + 𝜕𝑡(ФФ∗ )=0
2𝑚
en
𝑖ħ
𝑗⃗=2𝑚 { Ф𝛻Ф∗ -Ф∗ 𝛻Ф} et ФФ∗ =ρ d’où

𝜕
𝑑𝑖𝑣 𝑗⃗(𝑟⃗, 𝑡) + ρ(𝑟⃗, t) = 0
𝜕𝑡

II. Théorie des électrons libres

Sil

1) Mouvement des électrons dans un cristal

a) Modèle de Drude (1900)
--L’électron est considéré comme une particule classique d’où l’utilisation de la mécanique classique.
L’électron est en interaction avec le milieu.
-- Il y a des collisions avec les différents constituants (théorie classique des chocs).
--Les forces attractives dues aux ions sont négligeables localement mais dans l’ensemble on va considérer
que leur action permet d’empêcher l’électron de quitter le cristal jusqu’à une certaine température T.
Tout ceci implique que l’électron est une particule libre donc 𝑓⃗𝑙𝑜𝑐𝑎𝑙𝑒 =0
⃗⃗.

--Ici on va beaucoup utiliser la statistique de Maxwell-Boltzmann avec pour énergie mécanique ou totale
𝟑
𝑬𝒎 == 𝟐 𝑲𝑻 (Théorème d’équipartition d’énergie)

9
 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑬𝒑 = ⃗𝟎⃗
𝑬𝒑 =cste car 𝐹⃗ =-𝑔𝑟𝑎𝑑

Aux frontières du Cristal ; il existe une barrière de potentiel de forme quelconque qui a pour seul but
d’empêcher l’électron de sortir du Cristal.
En définitive dans le modèle de Drude, les électrons sont enfermés dans un puits de potentiel constant
donc les dimensions sont celles du Cristal. A ce modèle, on établit la loi d’ohm et de joule.

b) Modèle de Sommerfeld (1928)

Elle est l’application de la nouvelle théorie quantique aux électrons libres
ħ𝟐 ħ𝟐
V=0 E=𝟐𝒎 𝐤 𝟐

M
- 𝟐𝒎 Δ ф(r) =𝑬ф(r)

On peut calculer donc la chaleur spécifique 𝐶𝑣 , la conductivité électrique 𝜅 et la susceptibilité électrique

⃗⃗=k|𝑬
λ. La Polarisation 𝒑 ⃗⃗⃗| = 𝓅 (moment dipolaire par unité de volume) k=𝜺𝝄 λ ; λ=𝜺𝒓 -1
⃗⃗|=𝜺𝝄 λ|𝑬
𝑑𝑉

Dans ce Modèle, l’électron est une particule indiscernable auquel on va appliquer la statistique de Fermi-
Dirac avec le principe d’exclusion de Pauli. Sans plus faire allusion aux collisions, on devra plutôt tenir
compte de la forme de la barrière de potentiel. En dim1 : forme rectangulaire ; En dim3 : forme
ou
parallélépipédique. Avec ce modèle, on établit les caractéristiques électriques des métaux.

c) Modèle du potentiel périodique (voir modèle de Kronig-Penney)

Pour une étude comparative entre ces trois derniers modèles ; se référer à la planche remise en salle de
cours.
2) Modèle unidimensionnel du potentiel constant
en
ħ𝟐 𝜕𝟐
(- 𝟐𝒎 𝜕𝑥 𝟐 + 𝑉0) Ф(x)=E Ф(x)

Les solutions sont de la forme ϕ(x)= Ф1 +Ф2

𝟐𝒎
Ф1 =A𝑒 𝑖𝑘𝑥 x>0, Ф2 =B𝑒 −𝑖𝑘𝑥 x<0 avec 𝐤 𝟐 = (E-𝑉0)
ħ𝟐

Pour distinguer les deux ondes Ф1 𝑒𝑡Ф2 auxquelles correspond la même valeur propre d’énergie, on
choisit comme paramètre la valeur algébrique k ou on pose Ф1 =Ф𝑘 =A𝑒 𝑖𝑘𝑥 ,
Sil

ħ𝟐
Ф2 = Ф−𝑘 =B𝑒 −𝑖𝑘𝑥 E𝑘 = 𝟐 m 𝐤 𝟐 +𝑉0
𝑒

Il y’a dégénérescence des niveaux d’énergie :

𝐸𝑘

𝑣0

k
-k 0 +k

Condition aux limites périodiques Ф𝑘 (𝑥) = Ф𝑘 (𝑥 + 𝐿) ↔ A𝑒 𝑖𝑘𝑥 = A𝑒 𝑖𝑘𝑥 𝑒 𝑖𝑘𝐿

2𝜋
K= 𝐿 𝑛 (n=0,±1, ±2,…)
10
 2𝜋 𝐿 1
Ф𝑘 =A𝑒 𝑖 𝐿 𝑛𝑥 ∫0 ϕ∗ (x) ϕ(x)dx=1 A=
√𝐿

2𝜋
1 ħ𝟐 2𝜋
Ф𝑘 = 𝑒 𝑖 𝐿 𝑛𝑥 et 𝐸𝑛 =𝟐 m ( 𝐿 )𝟐 𝐧𝟐 +𝑉0
√𝐿 𝑒

Niveau fondamental n=1

En dimension 3 :

ħ𝟐
Ф𝑘 (𝑟⃗)= 𝑒 𝑖𝑘𝑟⃗ 𝐸𝑘 =𝟐𝒎 |𝐤 𝟐 |+ 𝑉0

2𝜋
𝐿𝑥 , 𝐿𝑦, 𝐿𝑧 k= 𝜆 𝑘𝑥 , 𝑘𝑦 , 𝑘𝑧

M
𝑑𝑤
Vitesse de groupe 𝑣𝑔 = 𝑑𝑘 (𝐸𝑘 = ħ𝑤)

1 𝑑𝐸𝑘 1 ħ
𝑣𝑔 =ħ =ħ 𝛻𝑘 𝐸𝑘 = m k Ф𝑘 (𝑟⃗) = Ф𝑘 (𝑟⃗ + 𝐿) condition de périodicité
𝑑𝑘 𝑒

2𝜋 2𝜋 2𝜋
Condition de quantification 𝑘𝑥 = 𝑛𝑥 𝑘𝑦 = 𝑛𝑦 𝑘𝑧 = 𝑛𝑧
𝐿𝑥 𝐿𝑦 𝐿𝑧

soit une dégénérescence d’ordre 8 car dégénérescence=𝟐𝒅

ou ħ𝟐
E (𝑛𝑥 , 𝑛𝑦, 𝑛𝑧 )= 𝟐 m ( 𝐿 𝑥𝟐 + 𝐿
𝑒
𝑛 𝟐 𝑛𝑦 𝟐
𝑥 𝑦
𝟐
𝑛 𝟐
+ 𝐿 𝑧𝟐 ) + 𝑉0
𝑧

avec d=dimension

III. Densité des états d’énergie g(E)

La Densité des états permises i.e. le nombre d’état permis par unité de volume dans l’espace des k est
en
𝑉 𝑉
donne par g(k)=(2𝜋)3 (dim3). Pour un espace à d-dimensions ; g(k)=(2𝜋)𝑑

Dans une bande d’énergie on peut comptabiliser le nombre d’état dN(E) dans l’intervalle [E, E+dE] qui
n’est rien que le nombre de points compris entre les sphères de rayons 𝑘1 et 𝑘2

𝑘𝑧
2m𝑒 2m𝑒
Avec 𝑘1 2 = (E-𝑉0) et 𝑘2 2 = (E+dE-𝑉0)
ħ𝟐 ħ𝟐
E+dE
Sil

dN(E)=sVg(k)ddk= sVg(k)v’ = Vg(E)dE 𝒌𝟐

𝒌𝟏
v’=volume entre les 2 sphères est :
4 𝑘𝑧
v’=3 𝜋(𝑘2 3 − 𝑘1 3 )
4 2m𝑒 3⁄2
=3 𝜋( ) [(𝑎 + 𝑑𝑎)3⁄2 − 𝑎3⁄2 ]
ħ𝟐
E
a =(E-𝑉0 ) da=dE
𝑑𝑎 3⁄2
𝑘𝑥
[…]=𝑎3⁄2 (1 + ) − 𝑎3⁄2
𝑎

3 𝑑𝑎 𝑑𝑎
=𝑎3⁄2 (1 + 2 ) − 𝑎 3⁄2 ( ≪ 1)
𝑎 𝑎
3
=2 𝑎1⁄2 da

11
 4 2m𝑒 3⁄2 3
v’ =3 𝜋( ) 2 (𝐸 − 𝑉0 )1⁄2 dE
ħ𝟐

dN(E) =sg(k)v’=g(E)dE
1 2m𝑒 3⁄2
2 (2𝜋)3 2𝜋( ) (𝐸 − 𝑉0 )1⁄2 dE= g(E)dE
ħ𝟐

1 2m𝑒 3⁄2
g(E)= ( ) (𝐸 − 𝑉0 )1⁄2 « dim3 »
2𝜋2 ħ𝟐

Ou bien procéder comme dans votre cours de propriétés de la matière de Licence

g(E)dE =sg(k)𝑑3 k dim3

𝑑3 k

M
g(E)=sg(K) 𝑑𝐸 ( 𝑑3 k =4𝜋𝑘 2 𝑑𝑘)
8𝜋𝑘 2 𝑑𝑘 2m𝑒
𝑘2 = (𝐸 − 𝑉0 ) …..puis tirer g(E) et comparer à l’expression ci-dessus
(2𝜋)3 𝑑𝐸 ħ𝟐

1 2𝑚∗ 𝑐 3⁄2
g (𝐸𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 )~ ( ) (𝐸𝑐 − 𝑉0 )1⁄2
2𝜋 2 ħ𝟐

1 2𝑚∗ 𝑣 3⁄2
g (𝐸𝑏𝑎𝑛𝑑𝑒 𝑑𝑒 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑐𝑒 )~ ( ) (𝑉0 − 𝐸𝑣 )1⁄2 P
2𝜋 2 ħ𝟐

IV. Modèle du potentiel périodique

ou
1. Problème à une dimension
On prend un cristal infini suivant (ox) périodique de période 𝒂 et v(x)=v(x+ 𝒂), 0≤x≤L=l 𝒂
a) Fonction de Bloch
en
|𝜑(𝑥)|2 =|𝜑(𝑥 + 𝑎)|2
𝜑(𝑥 + 𝑎) = γ 𝜑(𝑥)
𝜑(𝑥 + 2𝑎) = γ𝜑(𝑥 + 𝑎)=γ2 𝜑(𝑥)
.
.
Sil

𝜑(𝑥 + 𝑙𝑎)= γ[𝜑(𝑥 + (𝑙 − 1)𝑎)] = γγ𝑙−1 𝜑(𝑥)= γ𝑙 𝜑(𝑥)

𝜑(𝑥 + 𝐿)= 𝜑(𝑥 + 𝑙𝑎)=γ𝑙 𝜑(𝑥)=𝜑(𝑥) ce qui implique

2𝜋
γ𝑙 = 1,| γ|=1, γ = 𝑒 𝑖 𝑙 𝑛 , 𝑛 = 0, ±1, ±2 …
𝑖2𝜋
𝑛
𝜑(𝑥 + 𝑎) = 𝑒 𝑙 𝜑(𝑥) Soit 𝜑𝑘 (x) =𝑈𝑘 (x)𝑒 𝑖𝑘𝑥 « fonction d’onde de Bloch »

Elle satisfait à la relation 𝜑(𝑥 + 𝑎) = 𝑒 𝑖𝑘𝑎 𝜑(𝑥)

2𝜋
Car : 𝑈𝑘 (x)= 𝑈𝑘 (x+a) périodique, k= 𝑛
𝐿

𝜑(𝑥 + 𝑎) = 𝑒 𝑖𝑘(𝑥+𝑎) 𝑈𝑘 (x +a)

=𝑈𝑘 (x) 𝑒 𝑖𝑘𝑎 𝑒 𝑖𝑘𝑥 =𝑒 𝑖𝑘𝑎 𝜑(𝑥)

12
On dit que la fonction d’onde d’un électron dans un réseau périodique est une onde de Bloch. Sa
spécificité réside dans le fait que son amplitude (𝑼𝒌 (x) a la période du réseau)
Théorème de Bloch
Les fonctions propres de l’équation d’onde d’un électron libre dans un potentiel périodique ont la forme
du produit d’une onde plane 𝑒 𝑖𝑘⃗⃗.𝑟⃗ par une fonction 𝑼𝒌 (𝒓
⃗⃗) ayant la périodicité du réseau
⃗⃗
⃗⃗) =𝒆𝒊𝒌.𝒓⃗⃗ 𝑼𝒌 (𝒓
Donc de façon globale 𝝋𝒌 (𝒓 ⃗⃗) , 𝑼𝒌 (𝒓
⃗⃗ + 𝑻) =𝑼𝒌 (𝒓
⃗⃗) ∇T

b) Détermination des valeurs propres d’énergie : modèle de Kronig-Penney

M
Dans ce modèle,
V(x)=η∑ 𝛿(𝑥 − 𝑛𝑎), n=0,±1, ±2
Figure du potentiel de
𝛿(𝑥 − 𝑎)=0 si x≠a, 𝛿(𝑥 − 𝑎)=∞ si x=a KP
+∞
∫ 𝛿(𝑥 − 𝑎)dx = 1
−∞

KP : V(x)=0 ; 0≤ 𝑥 ≤ 𝑎1, V(x)=𝑉𝑜 ; -𝑎2 ≤ 𝑥 < 0

ou 𝑉𝑜 → ∞, 𝑎2 → 0
𝑽𝒐 𝒂𝟐 ≡ η = cste 𝒂 = 𝒂𝟏 + 𝒂𝟐
𝑑 2 𝜑(𝑥) 2𝑚
− 2 (𝑉(𝑥) − 𝐸)𝜑(𝑥) = 0
𝑑𝑥 2 ħ

 cas E> 𝑉𝑜 (𝑒 − libres) solutions complexes ; posons 𝛼 ′ = √2𝑚𝑒 (𝐸 − 𝑉𝑜 ) /ħ

en
 cas E< 𝑉𝑜 (𝑒 − liés) solutions réelles ; on pose α=√2𝑚𝑒 (𝑉𝑜 − 𝐸) /ħ

--Pour 0≤ 𝒙 ≤ 𝒂𝟏 (𝑉(𝑥) = 0) « région du puits »

𝛽 = √2𝑚𝑒 𝐸 /ħ , 𝛽 > 0

𝜑2 (𝑥) = 𝐴𝑒 𝑖𝛽𝑋 + 𝐵𝑒 −𝑖𝛽𝑥

La solution des fonctions d’ondes de Bloch s’écrira : 𝑈𝑘 (𝑥) = 𝐴𝑒 𝑖(𝛽−𝑘)𝑥 + 𝐵𝑒 −𝑖(𝛽+𝑘)𝑥
Sil

--Pour -𝒂𝟐 ≤ 𝒙 ≤ 𝟎 (𝑉(𝑥) = 𝑉𝑜 ) « région de la barrière »

 E<𝑉𝑜 , 𝜑1 (𝑥) = 𝐶𝑒 𝛼𝑥 + 𝐷𝑒 −𝛼𝑥

U(x)= 𝐶𝑒 (𝛼−𝑖𝑘)𝑥 + 𝐷𝑒 −𝑖(𝛼+𝑖𝑘)𝑥

 E>𝑉𝑜 , 𝜑1 (𝑥) = 𝐶𝑒 𝑖𝛼′𝑥 + 𝐷𝑒 −𝑖𝛼′𝑥

Les fonctions d’ondes étant fini sur tout l’espace, on doit exprimer les relations de continuité et de
périodicité

𝑈𝑘 (𝑥 + 𝑎) = 𝑈𝑘 (𝑥)
𝜑3 (𝑎1 ) = 𝜑2 (𝑎1 ) = 𝜑1 (−𝑎2 )𝑒 𝑖𝑘𝑎
-Continuité en x=0 et en x=𝑎1
-périodicité en x=𝑎1 et x=-𝑎2
13
 𝑑𝜑1 (0) 𝑑𝜑2 (0) 𝑑𝜑3 (𝑎1 ) 𝑑𝜑2 (𝑎1 )
𝜑2 (0) = 𝜑1 (0) Et = puis 𝜑3 (𝑎1 ) = 𝜑2 (𝑎1 ) Et =
𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑑𝑥

𝐴+𝐵 =𝐶+𝐷
𝑖𝛽(𝐴 − 𝐵) = 𝛼(𝐶 − 𝐷)
𝐴𝑒 𝑖𝛽𝑎1 + 𝐵𝑒 −𝛽𝑎1 = 𝑒 𝑖𝑘𝑎 (𝐶𝑒 −𝛼𝑎2 + 𝐷𝑒 𝛼𝑎2 )
{𝑖𝛽(𝐴𝑒 𝑖𝛽𝑎1 − 𝐵𝑒 −𝑖𝛽𝑎1 ) = −𝛼𝑒 𝑖𝑘𝑎 (𝐶𝑒 −𝛼𝑎2 + 𝐷𝑒 𝛼𝑎2 )
𝜑2 (𝑎1 ) = 𝑈(𝑎1 )𝑒 𝑖𝑘𝑎1
𝜑1 (−𝑎2 ) = 𝑈(−𝑎2 )𝑒 −𝑖𝑘𝑎2
= 𝑈(𝑎1 )𝑒 −𝑖𝑘𝑎2

M
𝜑1 (−𝑎2 ) = 𝜑2 (𝑎1 )𝑒 −𝑖𝑘(𝑎1 +𝑎2 ) =𝜑2 (𝑎1 )𝑒 −𝑖𝑘𝑎
Pour avoir des solutions, il faut que le déterminant du système soit nul. L’équation aux valeurs propres de
l’énergie donne
𝜶𝟐 −𝜷𝟐
𝐜𝐨𝐬 𝒌𝒂 = 𝐬𝐢𝐧 𝜷𝒂𝟏 𝐬𝐢𝐧𝐡(𝜶𝒂𝟐 ) + 𝐜𝐨𝐬( 𝜷𝒂𝟏 ) 𝐜𝐨𝐬𝐡( 𝜶𝒂𝟐 ) Cas E<𝑽𝟎
𝟐𝜶𝜷

On peut avoir la solution pour E>𝑉0

𝛼 = 𝑖𝛼′ cosh(𝑖𝑥) = cos 𝑥,

𝐜𝐨𝐬 𝒌𝒂 = −
ou
sinh(𝑖𝑥) = 𝑖 sin 𝑥 ; ce qui conduit à :

𝜶′𝟐 + 𝜷𝟐
𝐬𝐢𝐧 𝜷𝒂𝟏 𝐬𝐢𝐧 𝜶′𝒂𝟐 + 𝐜𝐨𝐬 𝜷𝒂𝟏 𝐜𝐨𝐬 𝜶′𝒂𝟐
𝟐𝜶′𝜷
coska ∈ [−1,1], Il existe alors des énergies possibles qu’on va appeler bandes d’énergie permises
o si 𝑽𝟎 → ∞, 𝒂𝟐 → 𝟎, 𝑽𝟎 𝒂𝟐 = 𝜼 = 𝒄𝒔𝒕𝒆
en
sin 𝛽𝑎
Pour (E-𝑉0 ) < 0 cos ka = p + cos 𝛽𝑎
𝛽𝑎

Preuve : 𝒂𝟐 = 𝟎, 𝒂 = 𝒂𝟏 sinh 𝜶𝒂𝟐 ~𝜶𝒂𝟐 cosh 𝜶𝒂𝟐 ~1

2
𝜶 − 𝛽2
cos 𝑘𝑎 = (𝜶 𝒂𝟐 ) sin 𝛽𝑎1 + cos 𝛽𝑎1
2𝜶 𝜷
Sil

𝑉0 𝜂 2𝑚𝑒
𝛼 𝑎2 → √
2√𝐸(𝑉0 − 𝐸) 2ħ 𝐸

𝜂𝛽 √2𝑚𝐸
=2𝐸 , η=𝑉0 𝑎2 β= ħ

𝜂𝛽 𝛽𝑎
coska = sin 𝛽𝑎 + cos 𝛽𝑎
2𝐸 𝛽𝑎
𝜂2𝑎𝑚𝑒 𝐸 sin 𝛽𝑎
= +cos 𝛽𝑎 d’où
2ħ2 𝐸 𝛽𝑎

sin 𝛽𝑎
cos 𝑘𝑎 = 𝑃 +cos 𝛽𝑎 Cette équation contient toute L’information sur la fonction E(k) par
𝜷𝒂
2𝑚𝐸
l’intermédiaire de 𝛽 2 = ħ2

14
 2𝜋
o pour k en (-k) ou en k+ 𝑎 𝑛, coska ne change pas, On pourra alors se limiter aux valeurs
𝜋 2𝜋
comprises de k dans [0, 𝑎] , cqr les fonctions sont paires et périodiques, de période 𝑎
o η=0, On a le modèle de potentiel nul partout (𝑉0 = 0)

√𝟐𝒎𝑬
cos 𝑘𝑎 = cos 𝛽𝑎 ⇔ 𝑘 = 𝛽 =
ħ
ħ2 𝑘 2
𝜑𝑘 (𝑥) = 𝐴𝑒 𝑖𝑘𝑥 + 𝐵𝑒 𝑖𝑘𝑥 , 𝐸𝑘 = Cas d’𝑒 − libre. On retrouve bien le modèle de Sommerfeld.
2𝑚𝑒

o η→ ∞ l’é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛 𝑒𝑠𝑡 𝑒𝑛𝑓𝑒𝑟𝑚é 𝑑𝑎𝑛𝑠 𝑢𝑛 𝑝𝑢𝑖𝑡 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑡𝑖𝑒𝑙 ∞ 𝑑𝑒 𝑙𝑎𝑟𝑔𝑒𝑢𝑟 𝑎

sin 𝛽𝑎
cos 𝑘𝑎 = 𝑃 +cos 𝛽𝑎 sera satisfaite
𝜷𝒂

M
sin 𝛽𝑎 = 0 𝑛𝜋
Pour { ⇒ 𝛽𝑎 = 𝑛𝜋 , 𝑘𝑎 = 𝛽𝑎 k= 𝑎
cos 𝑘𝑎 = cos 𝛽𝑎
𝜋 ħ2 𝑘 2 ħ2 𝑛𝜋
[0, 𝑎] les valeurs propres de l’énergie seront 𝐸𝑛 = = 2𝑚 ( 𝑎 )2 niveau fondamental n=1. On
2𝑚𝑒 𝑒
reconnait bien l’énergie d’un puits de potentiel infini.
2. Généralisation a 3 dimensions

L=la, M=mb, N=nc, (𝑎,

⃗⃗)
V (𝑟⃗)= V (𝑟⃗ + 𝑇
⃗⃗ 𝑐⃗),
ou
En dimension 3, le cristal aura pour longueur L, M, N tel que :

⃗⃗⃗⃗ ⃗𝑏,

𝜑𝑘 (𝑟⃗) = 𝑒 𝑖𝑘⃗⃗.𝑟⃗ 𝑈𝑘 (𝑟⃗), 𝜑𝑘 (𝑟⃗ + 𝑇

⃗⃗) = 𝑒 𝑖𝑘⃗⃗.𝑇⃗⃗ 𝜑𝑘 (𝑟⃗)

⃗⃗)
𝑈𝑘 (𝑟⃗) = 𝑈𝑘 (𝑟⃗ + 𝑇
en
𝜑𝑘 (𝑟⃗) = 𝜑𝑘 (𝑟⃗ + 𝑙𝑎⃗) + 𝜑𝑘 (𝑟⃗ + 𝑚𝑏⃗⃗) + 𝜑𝑘 (𝑟⃗ + 𝑛𝑐⃗)

⃗⃗ 𝑎⃗ = 2𝜋 𝜆 , 𝑘
𝑘 ⃗⃗ 𝑏⃗⃗ = 2𝜋 𝜇 , 𝑘
⃗⃗ 𝑐⃗ = 2𝜋 𝜈 λ , 𝜇, 𝜐 = 0, ±1, ±2 …
𝑙 𝑚 𝑛

Dans le réseau réciproque les paramètres (𝑎⃗ ∗ , 𝑏⃗⃗ ∗ 𝑐⃗∗) seront reliés au ceux du réseau direct (𝑎⃗ , 𝑏⃗⃗ 𝑐⃗ )
par les relations ci-dessous :
Sil

2𝜋(𝑎⃗⃗ ⋀ 𝑏 ⃗⃗) 2𝜋(𝑐⃗ ⋀ 𝑎⃗⃗) 2𝜋(𝑎⃗⃗ ⋀ 𝑏 ⃗⃗)

𝑎⃗∗ = ⃗⃗⃗⃗𝑐⃗)
⃗⃗⃗⃗𝑏,
𝑏⃗⃗ ∗ = (𝑎, ⃗⃗⃗⃗𝑐⃗)
⃗⃗⃗⃗𝑏,
𝑐⃗∗ = ⃗⃗⃗⃗𝑐⃗)
⃗⃗⃗⃗𝑏,
(𝑎, (𝑎,

⃗⃗ =𝜆 𝑎∗ + 𝜇 𝑏 ∗ + 𝜐 𝑐 ∗
𝑘 𝑙 𝑚 𝑛

3. Bandes d’énergies

Il est difficile de représenter la dépendance de E avec k car il faudrait 4 dimensions. On se contente de la

variation de E lorsque k varie suivant une direction donnée, généralement donc c’est une direction de
haute symétrie du RR (Réseau Réciproque) et on se limite à la première zone de Brillouin (PZB) du RR

L’énergie étant une fonction quadratique de k, la forme la plus simple est donnée par

𝐸𝑘 = 𝐸0 + 𝐴′(𝑘⃗⃗ − 𝑘
⃗⃗0 )2 (Sphérique donc à gap direct) qui correspond au cas où les surfaces iso-
2 2
⃗⃗0 . 𝐴′ ≅ 1 𝜕 𝐸 = ℏ
énergétiques sont sphériques au voisinage de E=𝐸0 i.e. autour de 𝑘 2 𝜕𝑘 2 2𝑚∗

15
Par analogie une bande ellipsoïdale sera caractérisée par ⃗⃗⃗⃗⃗𝑥 − 𝑘
𝐸𝑘 = 𝐸0 + 𝐴′(𝑘 ⃗⃗𝑥 )2 + 𝐵′(𝑘
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑦−
0
⃗⃗𝑦 )2+ 𝐶′(𝑘
𝑘 ⃗⃗⃗⃗⃗𝑧 − 𝑘
⃗⃗𝑧 )2 cas de l’ellipse (semi-conducteur à gap indirect)
0 0

Si le système d’axe est choisi parallèle aux directions (car ici, il y a plusieurs minima) des axes de
l’ellipsoïde, cette expression représente le développement de 𝐸𝑘 au voisinage de l’extremum
correspondant à k limité au second ordre.

Lorsqu’on rapproche les atomes pour la formation du cristal il se produit entre eux un couplage. Le puits
de potentiel s’élargit progressivement, les niveaux d’énergie dégénèrent pour former une bande. Chaque
niveau de l’atome isole dégénère en autant de niveaux que la molécule possède d’atomes. Pour une
chaine de N atomes, chaque niveau dégénère en N niveaux très rapprochés qui forment alors une bande
d’énergie (les bandes distinctes seront séparés par les bande interdites)

M
V. Caractéristiques de la structure de bande d’énergie

1. Semi-conducteur uni-vallée et multi-vallée

Les différents types de structure de bande sont représentés sur la figure II.10, suivant les directions de
plus haute symétrie de l'espace réciproque, c'est-à-dire suivant les directions Δ (001) et Λ (111).
ou
La bande interdite est grisée, les bandes supérieures sont les bandes de conduction, celles inférieures
sont les bandes de valence. Au zéro degré absolu la BV est pleine d'électrons, la BC est vide. A la
température ambiante, à laquelle fonctionnent la plupart des composants électroniques, certains
électrons sont thermiquement excités depuis la BV et occupent la BC.

Considérons tout d'abord le sommet de la bande de valence, il est caractérisé par deux propriétés
essentielles. Il est situé au centre de la zone de Brillouin, c'est à- dire en k=0, ce point est appelé point Γ.
Ce maximum est constitué de la convergence de deux bandes qui sont dégénérées au sommet. Ces deux
en
propriétés sont communes à tous les semi-conducteurs à structure cubique. Compte tenu de l'unicité du
point Γ dans la première zone de Brillouin, le maximum de la bande de valence est unique.

Considérons maintenant le minimum de la bande de conduction, les figures II.9 et II.10 montrent que la
situation n'est pas unique. Il faut regarder selon les cas (i.e. selon les S.C qu’on étudie).

 Cas de Si
Sil

L’élément le plus abondant de la terre après l’oxygène est le silicium. Le minimum de la BC est dans la
direction Δ ou dans ses directions équivalentes [001] ; [1̅00]; [010] ; [01̅0]; [100] ; [001̅]

Pour [001] ce minimum est situé, au point (0,0,𝑘0 ) 𝑘0 = 0,85𝑘𝑥 où

′
𝑘𝑥 𝑒𝑠𝑡 𝑙 𝑎𝑏𝑠𝑐𝑖𝑠𝑠𝑒 𝑑𝑢 𝑝𝑜𝑖𝑛𝑡 𝑋 𝑖. 𝑒. 𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑃𝑍𝐵 𝑑𝑎𝑛𝑠 𝑙𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 Δ

Si cristallise dans un système cubique face centré et son réseau réciproque est cubique centré.
2𝜋
2𝜋 𝑘0 = × 0,85
𝑘𝑥 = { 𝑎
𝑎
𝑎 = 5,43𝐴

Le Si est un S.C multivallées à 6 vallées Δ ; il est d’ailleurs le seul multivallées à 6 vallées Δ car présente des
minimas égaux en énergie dans ces 6 directions. Au voisinage des minima, la variation de E(k) n’est pas
isotrope. Elle est plus rapide dans le plan perpendiculaire à l’axe Δ. Les surfaces d’énergies constantes
sont donc des ellipsoïdes de révolution autour de chacun des axes équivalents.
16
 Multivallée Si

Représentation schématique des surfaces d’énergie constante des BC (Cas su Si)

--pour des électrons de vecteur d’onde 𝑘 ⃗⃗ || Δ (direction longitudinale : ie les électrons de vecteur k
dirigés suivant l’axe de l’ ellipsoïde) on a une masse effective 𝑚𝑙∗

⃗⃗ ⊥ Δ, (direction transversale à l’ellipsoïde) on a une masse

--pour des électrons de vecteur d’onde 𝑘
∗
effective 𝑚𝑡

M
 Cas de Ge

le minimum de la bande de conduction (voir Fig II.9) est situé dans la direction[ 111] appelée direction
ᴧ , à l’extrémité de la zone de Brillouin au point appelé point L. Structure cubique a 8 directions
± ±±
⏞⏞
équivalentes [1 1⏞
1 ] . Dans la mesure où le minimum est situé en bord de zone de Brillouin, les surfaces
± ±±
ou ⏞⏞
d'énergie constante sont 8 demi-ellipsoïdes de révolution autour de chacun des axes [1 1⏞
1 ]. Les points
extrêmes de la zone de Brillouin étant équivalents, on peut représenter ces 8 demi-ellipsoïdes par 4
ellipsoïdes centrés respectivement aux points [111] [111] [111] [111].

On dit que Ge est un SC multi vallée à 4 vallées L c.à.d. minima égaux à énergie dans les 4 directions.
en

Représentation schématique des surfaces d’énergie

constante des BC (Cas su Ge)
Sil

 Cas du GaP

Le GaP est un composé (III-V) SC à gap indirect. Sa bande de conduction présente 6 minima au point X
c'est-à-dire en bord de zone dans les directions Δ. Les surfaces d'énergie constante sont constituées de 6
demi-ellipsoïdes que l'on peut ramener à trois ellipsoïdes pour les mêmes raisons que le germanium. On
dit que le GaP est un semiconducteur multivallée à 3 vallées X. Les composés III-V AlP, AlAs et AlSb ont
une bande de conduction de ce type

17
 Représentation schématique des surfaces d’énergie
constante des BC (Cas su GaP)

 Cas du GaAs

M
Le minimum de la bande de conduction est situé en k = 0 au point Γ. Il est par conséquent unique. Les
surfaces d'énergie constante au voisinage du minimum sont des sphères centrées au point Γ. On dit que
le GaAs est un semiconducteur univallée.

ou
Représentation schématique des surfaces d’énergie
constante des BC (Cas su GaAs)
en
2. Gap direct - Gap indirect

Considérons le gap des différents semi-conducteurs. Le gap est par définition la largeur de la bande
interdite, c'est-à-dire la différence d'énergie entre le minimum absolu de la bande de conduction et le
maximum absolu de la bande de valence. Les structures de bandes représentées sur la figure (II-10) font
apparaître deux types fondamentaux de semi-conducteur. Pour le GaAs, le min de la BC et max de la BV
sont au centre Γ alors que pour les autres le min de la BC et le max de la BV sont en k et 𝑘 ′
Sil

--Dans les semi-conducteurs à gap direct les extrema de la BC et BV sont situés au même point de l’espace
des k. Lors de l’interaction d’un tel SC (gap direct) avec un rayonnement électromagnétique, On assiste à
une absorption directe. Le photon absorbé provoque la création d’un 𝑒 − et d’un trou et cet électron passe
de la BV à la BC sans changer de vecteur d’onde k. On parle de transition verticale dans l’espace de k

-- Pour les SC à gap indirect les extrema ne sont pas situés au même point de l’espace de k et le processus
d’absorption est indirect, on parle donc de transition oblique dans l’espace des k.

Exemples de SC à gap direct : GaAs, GaSb, InP, ZnS, ZnSc, CdS, CdSe. BC uniforme et direct.

Exemples de SC à Gap indirect : Si, Ge, GaP, AlP, AlAs, AlSb… BC multivallées.

18
 3. Densité dans les bandes permises

1 2𝑚𝑒 3⁄2
g(E)=2𝜋2 ( ) (𝐸 − 𝑉0 )1⁄2
ħ2

a) Cas des électrons « 𝒆− »

Pour les électrons de la bande de conduction, 𝑉0 = 𝑐𝑠𝑡𝑒 = 𝐸𝐶 (min de la BC) et donc (𝐸 − 𝑉0 )1⁄2 ≡
(𝐸 − 𝐸𝑐 )1⁄2

--SC à gap direct : Le min de la BC est uniforme et isotrope et donc la masse effective 𝑚𝑙∗ = 𝑚𝑐∗ est
isotrope

M
3⁄2
1 2𝑚𝑙∗
g(E)= 2
( ) (𝐸 − 𝐸𝑐 )1⁄2
2𝜋 ħ2
4𝜋
=ℎ3 (2𝑚𝑙∗ )3⁄2 (𝐸 − 𝐸𝑐 )1⁄2

--SC à gap indirect : La BC est multivallées et les surfaces d’énergies sont des ellipsoïdes de révolution
autour de ᴧ ou Δ. La masse effective s’écrit dans ce cas :

1⁄2 ou
𝑚𝑐∗ = 𝐴2⁄3 (𝑚𝑙∗ 𝑚𝑡∗ )2⁄3 ou A représenté le nombre de zone dans lesquelles l’ énergie est la même i.e.
le nombre de vallées.

1 2𝑚𝑐∗ 3⁄2
g(E)=2𝜋2 ( ) (𝐸 − 𝐸𝑐 )1⁄2
ħ2

Dans le cas d’un SC univallée, par exemple, GaAs (A=1 𝑚𝑙∗ = 𝑚𝑡∗ et 𝑚𝑐∗ = 𝑚𝑙∗ ) on retrouve bien la
formule plus haut dans le cas d’un sc à gap direct.
en
b) Cas des trous

Pour les trous de la bande de valence, on aura (𝐸 − 𝑉0 )1⁄2 ≡ (𝐸𝑣 − 𝐸)1⁄2

∗ ∗
Le max de la BV est dégénéré (𝑚ℎℎ 𝑒𝑡 𝑚𝑙ℎ ) et on a deux branches, l’une correspondant aux Trous
∗ ∗
lourds « hh » de masse effective 𝑚ℎℎ et l’autre aux trous légers « lh » de masse effective 𝑚𝑙ℎ .
Sil

La densité d’état dans la BV sera la somme des densités d’état des trous lourds et des trous légers

∗ 3⁄2 ∗ 3⁄2
1 2𝑚ℎℎ 1⁄2
1 2𝑚𝑙ℎ
𝑔𝑣 (𝐸) = 2 ( 2 ) (𝐸𝑣 − 𝐸) + 2( 2 ) (𝐸𝑣 − 𝐸)1⁄2
2𝜋 ħ 2𝜋 ħ
1 2𝑚𝑣∗ 3⁄2
=2𝜋2 ( ) (𝐸𝑣 − 𝐸)1⁄2
ħ2
4𝜋
= (2𝑚𝑣∗ )3⁄2 (𝐸𝑣 − 𝐸)1⁄2
ℎ3

∗ 3⁄2 ∗ 3⁄2 2⁄3

Avec 𝑚𝑣∗ = (𝑚ℎℎ + 𝑚𝑙ℎ )

𝑚𝑙∗ 𝑒𝑡 𝑚𝑡∗ : Masses effectives longitudinale et transversale. Elles sont fonction de la masse de l’électron
(𝑚𝑜 𝑜𝑢 𝑚𝑒 )

19
𝒆𝒙𝒆𝒎𝒑les :

--Dans le silicium, A = 6 vallées

∗ ∗
Trous : 𝑚ℎℎ = 0,53𝑚𝑜 𝑚𝑙ℎ = 0,16𝑚𝑜 𝑚𝑣∗ = 0,59𝑚𝑜

Electron : 𝑚𝑙∗ = 0,916𝑚𝑜 𝑚𝑡∗ = 0,191𝑚𝑜 𝑚𝑐∗ = 1,06𝑚𝑜

--Dans GaAs 𝑚𝑐∗ = 0,066𝑚𝑜 𝑚𝑣∗ = 0,64𝑚𝑜

--Dans Ge 𝑚𝑐∗ = 0,55𝑚𝑜 𝑚𝑣∗ = 0,36𝑚𝑜

VI. Dynamique des porteurs dans le cristal

M
1. Vitesse de l’𝒆− dans un état stationnaire

ħ
Pour une trajectoire très grande, d’après le principe d’incertitude de Heisenberg Δr Δp≥ 2, si Δr→ ∞ ,
Δp →0 alors le type d’onde sera une onde plane sinusoïdale monochromatique et la vitesse donnée par
𝑤 𝐸 𝐸
v= 𝑘 =ħ𝑘= 𝑝.

ou
Pour un milieu fini Δp et Δk sont reliés par Δk=

2. Masse effective
Δp
ħ
; 𝑣𝑔 =
dw
𝑑𝑘
1 𝜕𝐸
= ħ 𝜕𝑘 (car E= ħ𝑤)

⃗⃗
𝑑𝑣
En considérant un électron dans un cristal, la RFD s’écrit : ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑓𝑒𝑥𝑡 =𝑚∗ 𝑑𝑡

𝑑𝑣𝑔 1 𝑑 𝜕𝐸
En dim1 (ox) 𝛾⃗ = 𝑑𝑡 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑥 = ħ (𝜕𝑘 ) ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑥
𝑑𝑡
en
𝜕 𝜕𝐸 𝜕 𝜕𝐸 𝜕𝑘 𝜕2 𝐸 𝑑𝑘 1 𝜕2 𝐸 𝑑𝑘
Or 𝜕𝑘 = ( ) = 𝜕𝑘 2 ainsi 𝛾⃗ = ħ 𝑒𝑥
⃗⃗⃗⃗
𝜕𝑡 𝜕𝑘 𝜕𝑘 𝜕𝑡 𝑑𝑡 𝜕𝑘 2 𝑑𝑡

𝑑𝑝⃗ 𝑑
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑓𝑒𝑥𝑡 = 𝑑𝑡 = 𝑑𝑡 (ħ𝑘)𝑒⃗⃗⃗⃗=𝑚
𝑥
∗
𝛾⃗

𝑑𝑘 1 𝜕2 𝐸 𝜕𝑘
𝑒𝑥 = 𝑚∗ ħ
Sil

ħ 𝑑𝑡 ⃗⃗⃗⃗ 𝑒
⃗⃗⃗⃗ d’où l’on tire aisément :
𝜕𝑘 2 𝜕𝑡 𝑥

1 1 𝜕 2𝐸
=
𝑚∗ ħ2 𝜕𝑘 2

En dimension 3, on écrit de façon générale

1 1 𝜕 2𝐸
( ) = ( )
𝑚𝑛∗ 𝑖𝑗 ħ2 𝜕𝑘𝑖 𝜕𝑘𝑗

Où 𝑚𝑛∗ est le tenseur de masse effective. 𝑖, 𝑗 = 𝑥, 𝑦, 𝑧.

Si la matrice des coefficients est symétrique on peut prendre un système d’axe qui conduit à sa
diagonalisation et qui conduit aussi à une masse effective principale 𝑚𝑥∗ , 𝑚𝑦∗ , 𝑚𝑧∗

20
1 1 𝜕2 𝐸 1 1 𝜕2 𝐸
∗ = ħ2 (𝜕𝑘 2 ) ∗ = ħ2 (𝜕𝑘 2 )
𝑚𝑥 𝑥 𝑚𝑦 𝑦

Pour Une particule libre, 𝑣0 =0, la masse effective est égale à sa masse

1 1 𝜕 2𝐸
= ( )
𝑚∗ ħ2 𝜕𝑘 2
ħ2 𝑘 2 𝜕𝐸 ħ2 𝑘 𝜕2 𝐸 ħ2
𝐸(𝐾) = car 𝑣0 =0 et = puis = en remplaçant cette dernière dans la relation ci-
2𝑚 𝜕𝑘 𝑚 𝜕𝑘 2 𝑚
dessus on trouve bien

M
𝑚∗ = 𝑚

ou
en
Sil

21