DIODE LASER

Le LASER à semi-conducteur

Le LASER est un procédé d’amplification de la lumière, défini en anglais par l’acronyme

LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.

Pr K.BENKIRANE 1
 Laser est une Source photonique
utilisant l'émission stimulée pour
amplifier la lumière
Caractéristiques
• monochromatique.
• Unidirectionnelle : toutes les ondes lumineuses
se déplacent dans la même direction et forment un
faisceau de lumière étroit, très peu divergent.
• Cohérente : toutes les ondes sont en phase•
Peut-être émise en continu ou sur des temps très
courts
Il est possible de comparer la lumière laser à une
armée de petits soldats « marchant au pas cadencé
» Pr K.BENKIRANE 2
Trois processus principaux pour l'action laser:

1- Absorption de photons

2- Emission spontanée

3- Emission stimulée

Pr K.BENKIRANE 3
 Caractéristiques de la diode laser

• Temps de réponse nanoseconde et même

picoseconde (GHz BW)
• Largeur spectrale de l'ordre du nm ou moins
• Puissance de sortie élevée (dizaines de mW)
• Faisceau étroit (bon couplage aux fibres
monomodes)
• Les diodes laser ont trois modes de rayonnement
distincts, à savoir: modes longitudinal, latéral et
transversal..

Pr K.BENKIRANE 4
Pr K.BENKIRANE 5
 Types de laser
Ils sont basés sur le même principe
• Lasers gazeux
• Lasers liquides (chimiques)
• Lasers solides
• Lasers à semiconducteur appelés diodes lasers
(DL)

Pr K.BENKIRANE 6
Historique
•1890 : Construction d’un résonateur optique par
•Alfred Pérot et Charles Fabry;
•1887 : Découverte de l’effet photoélectrique par Heinrich Hertz
•1917 : Prédiction de l’émission stimulée par Albert Einstein
•1928 : Mise en évidence expérimentale de l’émission stimulée
•dans une décharge de néon n’a par R. W. Landenburg et Kopfermann
•1950 : Alfred Kastler (Prix Nobel de physique en 1966)
•et Jean Brossel découvrent le phénomène de pompage optique.
•1954: Une équipe de chercheurs sous la direction de Townes
•MASER (micro-wave amplifier by stimulated emission of radiation.)
•1960 : Theodore Maiman réalise le premier laser à solide
• impulsionnel émettant dans le rouge à 694,3 nm ;
•1961 : Ali Javan élève de Charles Hard Townes, construit
• le premier laser à gaz continu émettant dans le rouge à 632,8 nm ;
•1962 : Le premier laser à semiconducteurs (AsGa)
•émettant dans le proche infrarouge à 850 nm par Robert Hall .
•1964 : Le laser Nd-YAG, acronyme de Néodyme
•(Nd3+) Yttrium Aluminium Garnet (Y3Al5O12) a été fabriqué en par
•J. E. Geusic, H. M. Markos et par et L. G. Van Uiteit ; le proche infrarouge (1
•1064 nm) et dans le vert (532 nm) lorsqu’il est doublé en fréquence. 7
Pr K.BENKIRANE
 Un peu d’Histoire

B
A Source d’energie Synthèse
C
Cavité résonante Milieu Réalisation
amplificateur
Pompage
Emission
Optique
Cavité Stimulée 1954
Fabry 1917 1949 1960 1962
Perot
1898

Einstein A. Kastler Maiman

R.Hall
Schawlow Laser
solide Laser
Townes
semicon
Basov
ducteur
Prokhorov
MASER
C
– Sébastien Pr K.BENKIRANE 8
Pr K.BENKIRANE 9
Eléments du Laser

Pr K.BENKIRANE 10
 Applications des Lasers
• Transfert d'information

• Transfert de puissance

• Télémétrie

Pr K.BENKIRANE 11
 Transfert d'information

• Holographie(restitution d'image)
• Lecture et enregistrement de support optique
numérique (CD, DVD, Laser Disc…)
• Électrophotographie (ou « xérographie »),
procédé des imprimantes laser
• Communications optiques
• Transmission inter-satellitaire
• Désignateur laser de cibles lors d'attaques
aériennes

Pr K.BENKIRANE 12
 Métrologie

• Télédétection
• Collimation d'instrument optique (exemple : télescope
newton)
• Granulométrie et vélocimétrie
• Mesure de distance (télémétrie par interférométrie)
• Vibrométrie
• Étude de l'atmosphère (Lidar)
• Métrologie des fréquences optiques
• Caractérisation des matériaux par ellipsométrie ou
spectroscopie
• Visualisation d'écoulements (tomographie laser)

Pr K.BENKIRANE 13
 TELEMETRIE LASER

Mesure laser
de la distance
Un tir laser sur la Lune
Terre/Lune
depuis Un rétroréflecteur laser
déposé sur la Lune par
l'observatoire
l'équipage d'Apollo 14.
Mc Donald.
Pr K.BENKIRANE 14
Schéma de mesure de la distance terre-lune

Pr K.BENKIRANE 15
 Transfert de puissance

• Refroidissement d'atomes par laser

• Imprimerie : périphériques d'écriture de
plaques offset (CtP)
• Centrale solaire orbitale
• Transmission d'énergie sans fil

Pr K.BENKIRANE 16
 Procédés laser et matériaux

• Fusion superficielle de matériaux

• Soudure de matériau homogène ou hétérogène
• Découpe
• Perçage par percussion
• Fabrication additive
• Décapage de surface
• Durcissement de surface
• Choc par ablation laser (test d'adhérence à
l'interface de matériaux hétérogènes…)
• Dopage laser des semi-conducteurs
Pr K.BENKIRANE 17
 Applications des Lasers
• Industrie: Découpe de matériaux

Pr K.BENKIRANE 18
 Applications Médicales

• Ophtalmologie
• Tabacologie : laser doux, Traitement contre les
dépendances
• Dermatologie : épilation laser, détatouage laser, ...
• Dentisterie : laser dentaire Erbium, laser dentaire YAP
• Physiothérapie (débridement)
• Trépanation
• traitement de certains types de douleurs avec un laser
basse énergie : l'efficacité semble probante mais le
mécanisme d'action reste inconnu.
• traitement de l'hypertrophie bénigne de la prostate.

Pr K.BENKIRANE 19
 Applications des Lasers
• Médical: Chirurgie

Pr K.BENKIRANE 20
 Applications militaires
Applications policières

• Armes anti-satellite, anti-missile, incapacitantes...

(Boeing YAL-1 ; IDS dit Programme StarWars)
• Pod de désignation laser
• Aide à la visée

• Utilisation pour la détection d'empreintes

latentes dans le domaine de la criminalistique
• Cinémomètre laser portable et autonome qui
permet de détecter la vitesse des véhicules dans
le domaine de la sécurité routière

Pr K.BENKIRANE 21
 “Application” des lasers chimiques
•Lasers très volumineux, souvent “monocoup”
•application exclusivement militaire : destruction de
missiles

Lasers à
gaz
Pr K.BENKIRANE 22
 Application des diodes lasers
• lecteurs de code barres
• Communications par fibre optique,
• Enregistrement vidéo,
• Impression laser haute vitesse.
• Spectroscopie de gaz à haute résolution,
• Surveillance de la pollution atmosphérique.
• Systèmes d’interconnexion optique par fibre ou
en espace libre.
• Lecture optique : La lecture de CD, l’holographie et
le stockage de l’information dans les disques
optiques (CD ou DVD)
• Pointeurs optiques
• Imprimantes et scanner laser
733 millions de diodes laser vendues dans le monde en 2004
Pr K.BENKIRANE 23
Scanners Lasers

Pr K.BENKIRANE 24
Pointeurs lasers

Pr K.BENKIRANE 25
Pr K.BENKIRANE 26
Chiffres de Vente du Laser

Pr K.BENKIRANE 27
 Comparaison
Caractéristique Diode laser LED

Interaction Emission stimulée Emission spontanée

Largeur étroite Large

spectrale 1nm >30nm
Lumière Lumière cohérente Lumière incohérente

Puissance de supérieure inférieure

sortie
Un dispositif de seuil Pas de seuil
Température Forte dépendance à la Faible dépendance à la
température température

Efficacité de plus élevée inférieure

couplage à une
fibre
Rapidité de Plus rapide Moins rapide
modulation
Pr K.BENKIRANE 28
Bande passante >10 GHz <1GHz
 Plan
• Structure
• Fonctionnement
• Seuil laser
• Distribution spatiale
• Distribution spectrale
• Rendement et puissance

Pr K.BENKIRANE 29
 1) Structure
• Jonction PN doublement dégénérée
• Homojonction
• Hétérojonction
• Puits quantiques

Pr K.BENKIRANE 30
Pr K.BENKIRANE 31
Pr K.BENKIRANE 32
Pr K.BENKIRANE 33
Pr K.BENKIRANE 34
Pr K.BENKIRANE 35
Pr K.BENKIRANE 36
 hétérojonction
AlGaAs(N)/GaAs(P)/AlGaAs(P)/GaAs(P)

Pr K.BENKIRANE 37
 Pr K.BENKIRANE
Confinement factor Γ 38
Pr K.BENKIRANE 39
 Double hétérojonction
AlGaAs(N)/GaAs/AlGaAs(P)

Pr K.BENKIRANE 40
Pr K.BENKIRANE 41
Pr K.BENKIRANE 42
Pr K.BENKIRANE 43
Principe

Pr K.BENKIRANE 44
Pr K.BENKIRANE 45
Pr K.BENKIRANE 46
 Principe de fonctionnement: Effet laser

Dans tout laser, on trouve les mêmes éléments

fondamentaux qui font du laser un oscillateur dans
le domaine optique, à savoir :
• Un milieu actif au sein duquel le rayonnement est
émis et amplifié: Le milieu amplificateur
• Une cavité jouant le rôle du résonateur, limitée
par des faces partiellement réfléchissantes entre
lesquelles est placé le milieu actif, il augmente
l’amplification et effectue une sélection dans les
fréquences émises.
• Un dispositif de pompage qui permet de produire
l’inversion de population dans le milieu actif.
Pr K.BENKIRANE 47
Eléments du Laser

Pr K.BENKIRANE 48
Eléments du laser

Pr K.BENKIRANE 49
 Diode Laser
Dans la diode laser :
• le milieu amplificateur est un matériau semi-
conducteur à gap direct (dans lequel les
recombinaisons électron-trou sont du type radiatif).
• Le pompage est obtenu par injection de courant dans
une jonction P-N dégénérée, polarisée en direct. Un
courant circulant peut former des pairs électrons –
trous, lorsqu’une paire se recombine, émet un photon
qui peut à son tour stimuler l’émission d’autres
photons
• La structure résonante peut être une cavité de Fabry-
Pérot ou autre types.

Pr K.BENKIRANE 50
Trois processus principaux pour l'action laser:

1- Absorption de photons

2- Emission spontanée

3- Emission stimulée

Pr K.BENKIRANE 51
• Dans le cas des diodes laser, le niveau stable E2 se situe
dans la bande de valence et le niveau supérieur excité
E1 dans la bande de conduction. Le mécanisme de
pompage se fait par injection de porteurs.
• Tout Laser repose donc pour son fonctionnement sur 2
processus :

 l’inversion de population par procédé de Pompage

 L’amplification de la lumière

Pr K.BENKIRANE 53
Inversion de population

Pr K.BENKIRANE 54
 Inversion de population
0

N1
hn
N2

• Pompage 3
– N1 augmente et N2 diminue
– Tant que N2>N1 le photon incident induit des transitions de N2 vers N1
– Si N1>N2, le photon incident induit des transitions de N1 vers N2 par
émission stimulée
– N1>N2  inversion de population : l’état d’énergie supérieur plus
peuplé

Pr K.BENKIRANE 55
 Inversion de population et pompage
pour un laser a sc
• Jonction PN doublement dégénéré

∆𝑬𝑭 = 𝑬𝑭𝒏 − 𝑬𝑭𝒑 > 𝑬𝒈

• Polarisation en direct de la jonction

Ceci provoque une injection de porteurs

Pr K.BENKIRANE 56
 Laser à SC

EFn
--------
N1 ----
--
hn
hn
N2
+
+++
EFp
+++++

États discrets
États continus

Ici D EF > Eg
Effet Laser : N1>N2
D EF = EFC -EFV

Pr K.BENKIRANE 57
 Laser à SC : pertes par effet Auger

Dans le SC, le photon incident EFn

--------
peut être absorbé par un électron ----
(ou trous) de la bande de conduction --
qui « saute » sur un niveau énergétique
plus haut: c’est l’effet Auger hn 1

+
+++
EFp
Donc +++++

Effet LASER :

D EF > Eg et effet Auger (2) < Absorption normale (1)

Pr K.BENKIRANE 58
 Jonction PN dégénérée

Jonction PN dégénérée non polarisée Jonction PN dégénérée polarisée en directe

Pr K.BENKIRANE 59
Jonction PN dégénérée en polarisation
directe

Les recombinaisons radiatives vont pouvoir se produire entre les électrons

injectés dans la bande de conduction et les trous créés dans la bande de valence
de cette région. Elles donneront lieu à des photons émis dont l’énergie est
comprise dans l’intervalle :
𝑬 ≤ 𝒉𝝂 ≤ ∆𝑬𝑭
𝒈
Pr K.BENKIRANE 60
 Etapes d’oscillation Laser
1. Spontaneous emission (to generate photons)

2. Stimulated emission (population inversion needed to create optical amplification =

optical gain, gain must be at least equal to the losses in the medium)

3. An optical resonant cavity (to achieve a build up of photon density and coherent
radiation by selective amplification of one frequency usually at the peak of the
spontaneous output or luminescence )

1 = LED

1 2 = Superluminescent LED

2 3 = Semiconductor Optical Amplifier

Pr K.BENKIRANE 61
 Laser à SC en polarisation directe

• Jonction PN doublement
dégénérée !
• La zone active plus côté
p que côté n

Pr K.BENKIRANE 62
 Amplification
• Emission stimulée

Pr K.BENKIRANE 63
 Gain g(E) du Laser SC
• Le gain, ou coefficient d'amplification, du matériau est défini,
comme le coefficient d'absorption, par la variation relative de
la densité de rayonnement par unité de longueur, soit:
𝑑𝜙(𝐸) 1 𝑑𝜙(𝐸)
= −𝛼 𝐸 𝜙 𝐸 ; 𝛼 𝐸 =−
𝑑𝑥 𝜙(𝐸) 𝑑𝑥
Avec F(E) le flux de photons 𝟏 𝒅𝝓(𝑬)
𝒈(𝑬) =
𝝓(𝑬) 𝒅𝒙

𝝓 𝑬 = 𝝓𝟎 𝑬 . 𝒆𝒈 𝑬 .𝒙
Soit rst(E) le nb de photons émis par émission stimulée par
unité de temps et de volume

𝑑𝜙 𝐸 𝑟𝑠𝑡 (𝐸)
𝑟𝑠𝑡 𝐸 = ; 𝑔(𝐸) =
𝑑𝑥 𝜙(𝐸)
Pr K.BENKIRANE 64
• Etape 1:
Amplification
• le processus d’émission spontanée va prédominer. Les
premiers photons crées dans la zone active sont obtenus par
émissions spontanées.
• Etape 2
• Ensuite les ondes qui se propagent vers les faces miroirs vont
être amplifiées par stimulation d’autres photons.
• Etape 3

• Dès que la lumière induite dépasse la lumière absorbée dans

le milieu amplificateur (absorption par porteurs libres (effet
Auger) et par défauts dans le matériau), l’oscillation laser
commence.
• Si on désigne par 𝛼𝑖 (𝜆) le coefficient d’absorption par
porteurs libres (cm-1), et par g(𝜆) (cm-1) le gain de la cavité par
émission stimulée ; pour que le laser oscille et l’émission laser
apparaisse, il faut que le gain compense les pertes par
absorption, c-a-d que le coefficient
Pr K.BENKIRANE
net de gain 𝐴(𝜆) : 65
𝑨(𝝀) = 𝐠(𝝀) − 𝜶 (𝝀) soit positif.
 Etapes de l'effet Laser à SC
• Gain net du Laser :
𝑨(𝑬) = 𝐠(𝑬) − 𝜶𝒊 (𝑬)
 𝐠 𝑬 > 𝟎 𝒆𝒕 𝑨 𝑬 < 𝟎 , (𝒈 𝑬 < 𝜶𝒊 (𝑬)):
condition nécessaire et pas suffisante car il y a absorption
par les porteurs libres
Emission spontanée uniquement LED
 𝑨 𝑬 > 𝟎 , (𝒈 𝑬 > 𝜶𝒊 𝑬 )
l’amplification commence dans le matériau
Condition d’amplification
Si A(E) > 0, condition , nécessaire et non suffisante pour
l'effet laser, car il y a des pertes par réflexion
Condition nécessaire et suffisante de l’effet Laser est
Pr K.BENKIRANE 66
donnée par la cavité optique
Cavité optique

Pr K.BENKIRANE 67
 Cavité optique
• La cavité est un résonateur optique constitué de deux miroirs plans
parallèles de réflectivité R et transmission T et distants de L et l'indice de
réfraction du milieu entre les deux miroirs est n.
• A l'intérieur de la cavité, les photons font des allers- retours

Pr K.BENKIRANE 68
 Laser : condition d’oscillation

• en 1: 1 ( E)
n

• en 2: 2 ( E )  1e A( E ) L

1 2

• en 3: 3 ( E )  1e A( E ) L R1 4
3

• en 4: 4 ( E )  1e
2 A( E ) L
R1

• en 5: 5 ( E )  1e
2 A( E ) L
R1R2 p

Pr K.BENKIRANE 69
 Laser : conditions d’oscillation
En 5 et en 1, on est au même « endroit ».
2 cas :
• soit
5  1
• soit
n
5  1
Dans le cas où 5  1 , le système
peut diverger en théorie. 1 2
4
1
R1 R2e 2 AL  1  2 AL  ln 3

R1 R2 5

1 1
 A ln
2 L R1 R2
1 1 p
 A  ln Si R1=R2
L R
Pr K.BENKIRANE 70
 Laser à SC : Condition d'oscillation du Laser
• Gain net : 𝑨(𝑬) = 𝐠(𝑬) − 𝜶𝒊 (𝑬)

• 𝐠 𝑬 > 𝟎 𝒆𝒕 𝑨 𝑬 < 𝟎 , (𝒈 𝑬 < 𝜶𝒊 (𝑬)): Emission spontanée LED

• Condition d’amplification : 𝑨 𝑬 > 𝟎 , (𝒈 𝑬 > 𝜶𝒊 𝑬 ) LED superradiante

𝟏 𝟏
• Condition d’oscillation : 𝑨 𝑬 > . 𝒍𝒏
𝟐.𝑳 𝑹𝟏 .𝑹𝟐
– Dans ce cas, le gain est supérieur aux pertes de la cavité

• Résumé:

– g(E) > 0 cond. nécessaire => LED

– g(E) > ai(E) cond. suffisante (ampli) => LED superradiante

1 1
– 𝑔 𝐸 > 𝛼𝑖 + 2.𝐿 . ln 𝑅1 .𝑅2
cond. d’oscillation : Laser

Pr K.BENKIRANE 71
 Courbe du gain du Laser

• Pour E>E0 : émission

spontanée : c’est une LED
• Si E<E1 et E>E’1 émission
spontanée car émission
stimulée « mangée » par
aP(E)
• E1<E<E2 et E’2<E<E’1
amplification mais pas
oscillation : superradiante
• E2<E<E’2 : laser

Pr K.BENKIRANE 72
Cavité optique

Pr K.BENKIRANE 73
 Diode Laser: Rôle de la cavité

• La cavité (filtre optique) sélectionne un

certain nombre de modes définis par:
• 2. 𝑛. 𝐿 = 𝑚. 𝜆
• n: indice, L: longueur de la cavité, m: ordre
d’interférence

Pr K.BENKIRANE 74
 Transmission du résonateur Fabry-Perot

Pour deux miroirs identiques la transmission TFP du résonateur

est t1= t2= T r1=r2= R
fonction d'Airy

Pr K.BENKIRANE 75
 Cavité Fabry-Perot

K est le vecteur d’onde

2𝜋
𝑘= 𝑛
𝜆

• Maximum pour
𝟐. 𝒏. 𝑳 = 𝒎. 𝝀

Pr K.BENKIRANE 76
Modes du Laser

Pr K.BENKIRANE 77
Fabry-Perot resonant modes

Pr K.BENKIRANE 78
𝟐. 𝒏. 𝑳 = 𝒎. 𝝀
Pr K.BENKIRANE 79
 Les modes d’une cavité
Modes
propres Condition de
“Rebouclage
2L = n.  en phase” sur
un aller-retour
nn = n. c/2L

Au bout de quelques
AR tout mode non
résonnant a une
intensité nulle
L
Courbe de
Dans l’espace des fréquences : gain du milieu
amplificateur

Les Bases ν
– Sébastien
Pr K.BENKIRANE 80
Distribution spectrale de la diode Laser

 (  0 ) 
g ( )  g (0) exp    : spectral width [4-32]
 2 
2

Pr K.BENKIRANE 81
 L’intervalle entre deux modes successifs

𝒅𝝀 𝒅𝒏 𝒅𝝀 𝝀 𝒅𝒏
𝒅𝒎 = −𝟐. 𝒏. 𝑳. + 𝟐. 𝑳. = −𝟐. 𝒏. 𝑳. 𝟏 − . = −𝟏
𝝀𝟐 𝝀 𝝀𝟐 𝒏 𝒅𝝀
𝒅𝒏
En supposant le milieu non dispersif : =𝟎
𝒅𝝀

dn
avec  1µ 1 pour GaAs
Pr K.BENKIRANE d 82
𝟐. 𝒏. 𝑳 = 𝒎. 𝝀
Pr K.BENKIRANE 83
 Distribution spectrale/Courbe de gain

1 1
𝑔𝑠 (𝜆) = 𝛼𝑖 (𝜆) + . ln
2. 𝐿 𝑅1 . 𝑅2

Pr K.BENKIRANE 84
Exemple :
Considérons un laser InGaAsP (n = 3,5) avec une cavité FP de
longueur 400 m, la largeur spectrale de gain est de 1,2 THz, avec
une longueur d'onde centrale de 1,3 m .Combien de modes
longitudinaux peuvent-ils osciller? Calculer l'espacement entre
deux longueurs d'onde?
𝜆2 1,32 . 10−12
Espacement : ∆𝜆 = = = 0,6 𝑛𝑚
2. 𝑛. 𝐿 2.3,5.400. 10−6
𝑐 𝜆 2 𝑐 𝑐 𝜆2
∆𝜆 = − ∆𝜐 = ∆𝜆 = − 2 ∆𝜐 𝑒𝑡 𝐵𝜆 = − 2 𝐵𝜐 = − 𝐵𝜐
𝜐2 2. 𝑛. 𝐿 𝜐 𝜐 𝑐
2
1,3 . 10 −12
=− 8 1,31012 = 67,6 𝑛𝑚
3. 10
𝑐 3. 108 𝐵𝜆 67,6
∆𝜐 = = = 107 𝐺ℎ𝑧 𝑚= = = 11 𝑚𝑜𝑑𝑒𝑠
2. 𝑛. 𝐿 2.3,5.400. 10−6 ∆𝜆 0,6

Pr K.BENKIRANE 85
Pr K.BENKIRANE 86
 Résumé
• Le spectre d’émission de la diode laser est conditionné par le
gain de la cavité, donc par le courant de seuil. La répartition
des modes varie avec le courant de polarisation et présente
un décalage vers les longueurs d’onde les plus élevées quand
le courant augmente. Ainsi, tout laser passe par les étapes
suivantes:
• a- 𝑰 < 𝑰𝑺 : on obtient un spectre continu à forme parabolique
avec une puissance optique émise proportionnelle au taux de
recombinaisons spontanées.
• b- 𝑰 ≈ 𝑰𝑺 : l’Intensité lumineuse croit rapidement faisant
apparaitre une série de modes séparés de quelques Å
• c- 𝑰 > 𝑰𝑺 : La cavité résonne sur plusieurs modes avec
concentration de la lumière sur le mode principal. Les modes
sélectionnés étant définis par 2. 𝑛. 𝐿 = 𝑚. 𝜆
• 𝑰𝑺 représente le courant à partir duquel, il y a effet Laser
Pr K.BENKIRANE 87
• 𝑰𝑺 est appelée courant seuil, on le note encore 𝑰𝒕𝒉 (threshold)
Evolution du spectre d’émission d’une diode laser avec le courant de polarisation.

Pr K.BENKIRANE 88
Types de Lasers:
 Lasers multimodes
 Lasers monomodes

Pr K.BENKIRANE 89
Pr K.BENKIRANE 90
Pr K.BENKIRANE 91
Pr K.BENKIRANE 92
 Distribution spatiale de DL
Distribution du rayonnement de la diode laser dans l'espace

cavité optique

𝜆
𝜽// : dans le plan de la zone active : 𝜃// = 𝑙 ≈ 6 à 100 𝜽⊥ : dans le plan
𝜆
perpendiculaire à la zone active : 𝜃⊥ = 𝑑 ≈ 35 à 600
Pr K.BENKIRANE 93
 Distribution spatiale de DL
Ouverture du faisceau

Émission du photon à l’extérieur : sortent du coté L

Longueur d’onde du rayonnement et largeur de la fente similaires (µm)  réfraction
𝜆
𝜽// : dans le plan de la zone active : 𝜃// = 𝑙 ≈ 6 à 100
𝜆
𝜽⊥ : dans le plan perpendiculaire à la zone active : 𝜃⊥ = 𝑑 ≈ 35 à 600
Pr K.BENKIRANE 94
 Rendements du Laser
Rendement quantique interne : 𝜼𝒊

Rendement différentiel : 𝜼𝒅 , 𝜼𝒅𝒊𝒇

Rendement global : 𝜼

Pr K.BENKIRANE 95
 Rendements de la diode Laser
 Rendement quantique interne :
C’est pareil que pour la LED :
𝑵𝒐𝒎𝒃𝒓𝒆 𝒅𝒆 𝒑𝒉𝒐𝒕𝒐𝒏𝒔 𝑵𝒑𝒉
𝜼𝒊 = =
𝑵𝒐𝒎𝒃𝒓𝒆 𝒅é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏𝒔 𝑵𝒆

On peut lui associer la Puissance optique interne Pint:

C’est la puissance créée par émission stimulée. On
néglige la puissance émise par émission spontanée

𝑷𝒊𝒏𝒕 = 𝜼𝒊 . 𝒉𝝊. (𝑰 − 𝑰𝒕𝒉 )/𝒆

𝑰𝒕𝒉 : Courant direct à partir duquel, il y a effet Laser
Pr K.BENKIRANE 96
Expression de la puissance optique du Laser Popt
𝑃𝑖𝑛𝑡 subit des Pertes: 𝑃𝑖𝑛𝑡 a deux contributions :
• Contribution proportionnelle aux pertes de propagation(absorption) :
terme en 𝜶𝒊 . 𝑷𝒊𝒏𝒕
• Contribution due à l’émission de lumière vers l’extérieur(Reflexion):
terme en 𝜶𝒎 . 𝑷𝒊𝒏𝒕
Seule une partie de cette puissance peut être extraite à travers les miroirs de la cavité, et le
reste est dissipé à l'intérieur du résonateur laser
Ainsi, la puissance optique de sortie 𝑃𝑜𝑝𝑡 s’écrit :
𝜶𝒎
𝑷𝒐𝒑𝒕 = 𝑷𝒊𝒏𝒕 .
𝜶𝒎 + 𝜶𝒊

𝜼𝒊 . 𝒉𝝊. (𝑰 − 𝑰𝒕𝒉 ) 𝜶𝒎
𝑷𝒐𝒑𝒕 =
𝒆 𝜶𝒎 + 𝜶𝒊

𝜼𝒅𝒊𝒇𝒇 .𝒉𝝊.(𝑰−𝑰𝒕𝒉 ) 𝛼𝑚
𝑷𝒐𝒑𝒕 = 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝜂𝑒𝑥𝑡 = 𝜂𝑖
𝒆 𝛼𝑚 +𝛼𝑖

𝟏 𝟏
𝜶𝒊 + 𝜶𝒎 = 𝜶Pr𝒊 K.BENKIRANE
+ . 𝒍𝒏 97
𝟐. 𝑳 𝑹 𝟏 . 𝑹𝟐
Caractéristique P(I) du Laser

Pr K.BENKIRANE 98
 Rendements de la diode Laser

 Rendement différentiel : deux définitions

• Le rendement différentiel de la diode laser représente la pente de la
caractéristique P (I), dans la région de fonctionnement normal laser :
𝒅(𝑷𝒐𝒑𝒕 )
𝜼𝒅 = 𝒆𝒏 𝒎𝑾/𝒎𝑨
𝒅𝑰
• Le rendement quantique différentiel externe est déduit de ce rendement
différentiel.

𝒅(𝑵𝒑𝒉 𝒅(𝑷𝒐𝒑𝒕 𝒉 𝝊 𝛼𝑚 Sans dimension

𝜼𝒅𝒊𝒇𝒇 = = = 𝜂𝑖
𝒅(𝑵𝒆 ) 𝒅(𝑰 𝒆) 𝛼𝑚 + 𝛼𝑖
𝒅(𝑷𝒐𝒑𝒕 𝒆 𝟐 𝒅(𝑷𝒐𝒑𝒕
𝜼𝒅𝒊𝒇𝒇 = 2. . = .
𝒅(𝑰) 𝒉𝝊 𝑬𝒈 (𝒆𝑽 𝒅(𝑰)

Remarque : ici Popt est la puissance émise par les 2 faces!!

Pr K.BENKIRANE 99
 Rendements de la diode Laser

• Rendement global
C’est le rapport entre la puissance optique émise et la puissance
électrique absorbée :

  Popt / Pelec
C’est celui qui intéresse l’utilisateur. Il détermine les mesures à prendre
pour évacuer la chaleur.

𝑷𝒐𝒑𝒕 𝜼𝒊 . 𝒉𝝊. (𝑰 − 𝑰𝒕𝒉 ) 𝜶𝒎

𝜼= =
𝑷𝒆𝒍𝒆 𝒆. 𝑽. 𝑰 𝜶𝒎 + 𝜶𝒊

Pr K.BENKIRANE 100
Exemple

• On considère une diode laser à double

hétérostructure fonctionnant à 70 mA et 700 nm de
longueur d'onde, étant donné que son courant de
seuil est 43 mA, l'efficacité quantique interne est de
0,4.
• Le coefficient de perte réfléchissant est de 67 cm − 1,
et le coefficient de perte totale est de 113 cm – 1,
calculer sa puissance de sortie

Pr K.BENKIRANE 101
Solution

Pr K.BENKIRANE 102
 Durée de vie des photons dans la cavité:

– Absorption
– Émission hors de la cavité
– Coefficient effectif d’absorption
𝟏 𝟏
𝜶= 𝜶𝒊 + . 𝒍𝒏 = gs
𝟐.𝑳 𝑹𝟏 .𝑹𝟐

– En moyenne le photon est absorbé sur 1/a

Pr K.BENKIRANE Perte globale de la cavité 103

 Influence de la température sur la diode Laser

• Température et courant de seuil:

– Courant de seuil augmente
• « aplatissement » des fonctions de Fermi  augmentation de
l’injection pour atteindre les conditions d’inversion
– Augmentation du courant de fuite
• Les porteurs peuvent franchir les couches de confinement
(« cladding layers ») et une part du courant ne sert pas à
l’effet Laser
– Augmentation de l’effet Auger
• Processus non radiatif !

On essaie d’avoir
J th (T )  J exp(T / T0 )
0
th
T0 le plus grand possible.
Pour GaAs , 120 K

Pr K.BENKIRANE 104
Exemple :
DH Diode laser au GaAlAs ayant un coefficient de température de T0 = 160 K

Pr K.BENKIRANE 105
 Laser à SC

• Différences entre laser conventionnel et SC

– La taille : du mètre au µm
– La Puissance : kW au W
– Cohérence spatiale et temporelle plus petites pour SC
– Rendement : meilleur pour le laser à SC (pas de
pompage)
– Possibilité de modulation : il suffit de moduler le
courant dans la pn !
– Tout le spectre de l’UV à l’IR accessible

106
Caractéristiques électriques

Pr K.BENKIRANE 107
Un laser Fabry – Perot a les paramètres suivants: coefficient de perte interne
50 dB / cm, R1 = R2 = 0,3, et distance entre miroirs = 500 μm. Calculez
l'espacement longitudinal des modes et le gain minimum requis pour
l'oscillation laser. Supposons que l'indice de réfraction n = 3,5.
Solution:
L'espacement de mode longitudinal Δf est donné par Eq

Pr K.BENKIRANE 108
 Exercices

• Exercice 1

• La longueur de la cavité d’une diode laser est L = 380 μm, son

indice de réfraction est 3,6, la longueur d’onde d’émission est
λ = 1,55 μm et de bande spectrale Bλ = 30nm.
• 1. Calculer la séparation entre les modes de la cavité en
fréquence et en longueur d’onde.
• 2. Combien de modes peuvent être excités ?

Pr K.BENKIRANE 109
• Exercice 2
• On considère un laser émettant à 1,3 μm avec un courant de
seuil de 1 mA. Le laser est opéré à 10 mA, il peut donc être
supposé monomode. Le coefficient de pertes optiques
internes de la cavité pour ce mode est de αi = 40 cm−1.
L’indice de réfraction de la cavité est de 3,3.
• Les dimensions de la cavité sont de 5 μm de largeur par 150
μm de longueur, l’épaisseur de la région active est de 0,3 μm.
• a) Quel est le coefficient de pertes dues aux miroirs ?
• b) Quelle est la puissance émise par le laser (par facette) ?
• c) Calculer la concentration moyenne de photons dans la
région active, pour ce mode.
• Quel est le nombre moyen de photons présents
simultanément dans la cavité ?
•

Pr K.BENKIRANE 110
Pr K.BENKIRANE 111
• Exercice 3
• On Considère un laser InGaAsP-InP dont la cavité a une
longueur de 250 μm. Le gain de ce milieu est maximal à
1550 nm et l’indice de réfraction du matériau est ~ 3,3. Au
courant d’opération choisi, la courbe de gain du matériau
dépasse la valeur seuil sur une plage de 20 nm.
• a) Quel est l’indice du mode longitudinal subissant le gain
maximal ?
• b) Quel est l’espacement entre les modes longitudinaux ?
• c) Combien de modes longitudinaux existent à l’intérieur de
la plage spectrale couverte par la courbe de gain (valeurs
supérieures au seuil) ?

Pr K.BENKIRANE 112
• Exercice 4
• Une diode laser commerciale émet une lumière
rouge à 670 nm. Son courant de seuil est
• de 76 mA à 250C. Elle fournit une puissance de 2
mW à 80 mA, alors qu’une tension de
• 2,3 V est présente à ses bornes. Lorsque son
courant passe à 82 mA, la puissance émise
• devient 3 mW. Déterminer les rendements
optique, optique différentiel et électrique de
• ce laser.

Pr K.BENKIRANE 113
• Exercice 5
• On désire comparer la puissance entre deux sources émettant chacune 8 mW
autour de 630 nm :
• une diode électroluminescente et un laser à semi-conducteurs de type Fabry-
Perot.
• On a mesuré les spectres de ces sources avec un analyseur de spectres
optiques possédant une
• résolution de 0,1 nm. Cette dernière valeur correspond aussi à la bande
passante équivalente
• de bruit de l’analyseur. Les résultats en sont présentés aux figures a et b.

Pr K.BENKIRANE 114
Pr K.BENKIRANE 115
Pr K.BENKIRANE 116