Filière - Efficacité Énergétique et Systèmes Photovoltaïques Pr.
Sofian TALBI
M9.1 : Energie Photovoltaïque, Semestre 3
Série II : Propriétés physiques des semi-conducteur, Année : 2024-2025
Exercice 3 : Transport de charge dans les semi-conducteurs intrinsèque
Un semi-conducteur intrinsèque est soumis à une différence de potentiel V=0,1 V appliquée sur une distance
L=1mm. Les paramètres du matériau sont les suivants :
Données :
• Concentration intrinsèque : 𝐧𝐢 =𝟏, 𝟓 𝟏𝟎𝟏𝟔 𝐦− 𝟑 ,
• Mobilité des électrons : 𝛍𝐧 = 0.14 𝐦𝟐 /𝑽. 𝑺,
• Mobilité des trous : 𝛍𝐩 = 0 .05 𝐦𝟐 /𝑽. 𝑺,
𝐝𝐧(𝐱)
• Gradient de concentration des électrons : = 𝟏𝟎𝟐𝟎 𝐦− 𝟒 ,
𝐝𝐱
𝒅𝒑(𝒙)
• Gradient de concentration des trous : = 𝟏𝟎𝟐𝟎 𝐦− 𝟒 ,
𝒅𝒙
• On considère que les gradients de concentration sont uniformes et constants.
Travail à faire :
1) Calculer le champ électrique E dans le semi-conducteur.
2) Déterminer les densités de courant de dérive dues aux électrons 𝑱𝒏,𝑫𝒓𝒊𝒇𝒕 et aux trous 𝑱𝒑,𝑫𝒓𝒊𝒇𝒕 , ainsi que
le courant total de dérive 𝑱𝑫𝒓𝒊𝒇𝒕 .
3) Calculer les coefficients de diffusion pour les électrons 𝐃𝐧 et pour les trous 𝑫𝒑 à l’aide de la relation
d’Einstein.
4) Déterminer les densités de courant de diffusion dues aux électrons 𝑱𝒅𝒊𝒇𝒇.𝒏 et aux trous 𝑱𝒅𝒊𝒇𝒇.𝒑 ainsi que
le courant total de diffusion 𝑱𝒅𝒊𝒇𝒇 .
5) Calculer la densité de courant totale 𝑱𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍𝒆 en combinant les contributions de la dérive et de la
diffusion.
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