Chapitre I : Les théorèmes de base en électronique

1. Lois de Kirchoff

1.1. loi des noeuds, loi des mailles.

 Les lois de Kirchoff expriment la conservation de l'énergie et de la charge dans

un circuit électrique.
 Loi des noeuds : la somme des intensités des courants qui entrent par un noeud
est égale à la somme des intensités des courants qui en sortent.
 Loi des mailles : la somme algébrique des différences de potentiel le long de la
maille est constamment nulle.

1.2. Loi d'Ohm.

La loi d'Ohm est une loi physique permettant de relier l'intensité du courant électrique
traversant un dipôle électrique à la tension à ses bornes.

En continu, la différence de potentiel ou tension U (en volts) aux bornes d'une résistance R
(en ohms) est proportionnelle à l'intensité du courant électrique I (en ampères) qui la traverse,

U = R ×I.

En alternatif, la loi précédente se généralise au cas des courants sinusoïdaux en utilisant les
notations complexes,

U = Z ×I.

1
Cours de microelectronique
 1.3. Diviseur de tension et de courant.

 Le diviseur de tension est un montage qui comme son nom l'indique permet de
diviser une tension.
 Le diviseur de courant est un montage qui comme son nom l'indique permet de
diviser un courant.

1.4. Théorème de superposition.

Dans le cas des circuits électriques composés exclusivement d'éléments linéaires, la

réponse dans une branche est égale à la somme des réponses pour chaque générateur
indépendant pris isolément, en désactivant tous les autres générateurs indépendants.

 Générateurs de tension remplacés par des court-circuits.

 Générateurs de courant remplacés par des circuits ouverts.

2
Cours de microelectronique
 1.5. Théorème de Thevenin.

Conversion d'un réseau complexe en un dipôle simple, un générateur de tension VTh et une
résistance série RTh.

La tension de Thévenin VTh est mesurée, entre les bornes A et B lorsque la charge est
déconnectée.

La résistance de Thévenin RTh est mesurée entre les bornes A et B lorsque la charge est
déconnectée et que les sources sont éteintes : les sources de tension indépendantes sont
remplacées par un court-circuit et les sources de courant indépendantes par un circuit
ouvert.

1.6. Théorème de Norton.

Conversion d'un réseau complexe en un dipôle simple, un générateur de courant IN et

une résistance parallèle RN.
 IN est le courant entre les bornes de la charge lorsque celle-ci est court-
circuitée.

 RN est la résistance mesurée entre les bornes de la charge lorsque toutes les
sources sont rendues inactives, en court-circuitant les sources de tension et en
débranchant les sources de courant.

3
Cours de microelectronique
 1.7. Passage Thevenin Norton et Norton Thevenin

1.8. Théorème de Millmann.

Forme particulière de la loi des noeuds exprimée en terme de potentiel.

Dans un réseau électrique de branches en parallèle, comprenant chacune un générateur

de tension parfait en série avec un élément linéaire, la tension aux bornes des branches
est égale à la somme des forces électromotrices respectivement multipliées par
l'admittance de la branche, le tout divisé par la somme des admittances.

4
Cours de microelectronique
 Chapitre II : La jonction PN

2. Un semi-conducteur, c'est quoi?

2.1. Définition

On distingue trois principales catégories de matériaux.

 Les métaux ont leur bande de conduction remplie.
Leur résistivité est faible, ρ ≈ 10−6Ωcm.
 Les isolants ont leur bande de conduction vide.
Leur résistivité est grande, ρ ≈ 1022Ωcm.
 Les semi-conducteurs ont leur bande de conduction vide mais le gap est faible.
Les électrons de la bande de valence peuvent passer dans la bande de
conduction quand la température augmente ou lorsque l'on applique un champ
électromagnétique.
Leur résistivité est moyenne, ρ ≈ 10−3Ωcm et ρ ≈ 109Ωcm.

5
Cours de microelectronique
 2.2. Le Silicium, un exemple de semi-conducteur

La classication de Mendeleiv permet de classer les matériaux en fonction de leurs

propriétés.

 Le Silicium est un élément de la colonne 4.

 Le Silicium possède 10 électrons de coeurs et 4 électrons de valence.

2.3. La structure du cristal de Silicium.

Le Silicium a une structure de type << diamant >>, forme dérivée de la structure cubique
faces centrées, on parle de liaison covalente.

A la température 0K, chaque atome partage 8 électrons, la densité atomique du Silicium est
de 5×1022cm−3.

Il n'y a pas d'électrons libres. A une température finie, quelques liaisons se cassent, il y a alors
des électrons et des trous libres.

n est la concentration des électrons libres en cm−3.

p est la concentration des trous libres en cm−3.

6
Cours de microelectronique
 2.4. Le semi-conducteur intrinsèque.

Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est pur.

Le nombre d'électrons dans la bande de conduction est égal au nombre de trous dans la
bande de valence.
Génération : on casse des liaisons covalentes pour former des paires électrons-trous.
Recombinaison : on forme des liaisons covalentes en associant électrons et trous.
A l'équilibre thermique, le taux de génération est égal au taux de recombinaison.

2.5. Le Dopage N du Silicium (donneurs)

Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le semi-

conducteur intrinsèque.
Pour doper le silicium en N, on inclut un atome ayant cinq électrons de valence.
ND  ni avec ND concentration des atomes donneurs.
ni2
Donc no ≈ ND et p0  .
ND
On peut écrire l'équation de neutralité de charge :
po −no + ND −NA = 0, avec NA = 0.

7
Cours de microelectronique
 2.6. Le Dopage P du Silicium (accepteurs).

Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-conducteur

intrinsèque.
Pour doper le Silicium P, on inclut un atome n'ayant que trois électrons de valence.
NA >> ni avec NA concentration des atomes accepteurs.
ni2
Donc po ≈ NA et no ≈ NA et p0  .. On peut écrire l'équation de neutralité de
NA
charge : po − no + ND −NA = 0, avec ND = 0.

2.7. Flot de courant dans un semi-conducteur

Deux mécanismes sont responsables du mouvement des porteurs de charges dans un

semi-conducteur.
 Mécanisme de dérive du courant lié au champ électrique.
 Les trous acquièrent une vitesse de dérive, νpdrift = µpE,
µp = 480cm2/V.s, mobilité des trous ;
 Les électrons acquièrent une vitesse de dérive, νndrift = −µnE,
µn = 1350cm2/V.s, mobilité des électrons ;
 Les courants de trous et d'électrons sont de la forme,
Ip = Aqpνpdrift, In = −Aqnνndrift ;
 La densité de courant est de la forme :
J = Jn + Jp = q (pµp + nµn)×E = σE = E/ρ.

8
Cours de microelectronique
 2.8. Flot de courant dans un semi-conducteur.

Mécanisme de diffusion du courant. La densité de courant pour les trous est de la

forme :

avec Jp la densité de courant exprimée en A/cm2,

Dp = 12cm2/s la constante de diffusion des trous et p(x) la concentration des trous au

point x; La densité de courant pour les électrons est de la forme :

Avec Jn la densité de courant exprimée en A/cm2, Dn = 34cm2/s la constante de

diffusion des électrons et n(x) la concentration des électrons au point x;

La densité de courant globale est de la forme :

On notera la relation d'Einstein telle que

2.9. La jonction PN à l'équilibre.

Les porteurs majoritaires de la zone N (électrons) et de la zone P (trous) s'attirent et se
recombinent.

Raréfaction des porteurs libres par diffusion et création d'une ZCE.

 nn : Concentration des électrons de la zone N (≈ ND).

ni2
 pn : Concentration des trous de la zone N ( ).
ND
ni2
 np : Concentration des électrons de la zone P ( ).
NA

9
Cours de microelectronique
  pp : Concentration des trous de la zone P (≈ NA).
 ni : Concentration intrinsèque du Silicium (ni = 1,45.1010cm−3).

2.10. La jonction PN à l'équilibre

Les atomes fixes ayant perdus leurs porteurs libres créent un champ électrique
s'opposant aux mécanismes de diffusion.
L'équilibre est atteint lorsque les courants de diffusion et les courants de dérive sont
égaux.

10
Cours de microelectronique
 2.11. La charge cumulée de part et d'autre de la jonction

2.12. La jonction PN polarisée en inverse

Tension inverse, correspond à un potentiel négatif à la région P et un potentiel positif à

la région N;
La barrière de potentiel est augmentée et la largeur de la ZCE augmente.
La jonction est isolante;

11
Cours de microelectronique
 2.13. La jonction PN polarisée en direct

Tension directe, correspond à un potentiel positif à la région P et un potentiel négatif à

la région N.
Les courants de diffusion deviennent majoritaires.

12
Cours de microelectronique
 2.14. La capacité équivalente à la région de déplétion

Il existe une variation de la charge en fonction de la polarisation de la jonction.

On introduit un terme capacitif nommé capacité de déplétion ou de jonction.

En fait, les jonctions ont la plupart du temps un prol de dopage gradué, d'ou l'équation.

13
Cours de microelectronique
 2.15. La capacité de diffusion

Elle est présente dans le cas d'une jonction polarisée en direct. Il existe une variation
de la charge liée aux porteurs minoritaires en fonction de la polarisation de la jonction.
On introduit un terme capacitif nommé capacité de diffusion. Prenons le cas de
porteurs minoritaires de type trous dans la région n.

τp correspond au temps de recombinaison moyen d'un trou injecté dans la zone N pour
recombiner avec un électron majoritaire.

14
Cours de microelectronique
 Chapitre III : Transistor Bipolaire
1. Description et symbole :

Le transistor bipolaire est un composant électronique discret constitué de trois

électrodes représentant la succession de trois semi-conducteurs, respectivement de
type P-N-P ou N-P-N.
Il s'agit, dans le premier cas, d'un transistor NPN, et dans le deuxième cas, d'un
transistor PNP.

Figure 3.1: Le transistor NPN et PNP

B : Base, E : Emetteur, C : Collecteur

Par construction, les jonctions base - émetteur et base - collecteur ne sont pas d’une
manière identiques.
Le transistor ne fonctionne pas de manière symétrique :
o Le collecteur et l'émetteur ont des dopages très différents.
o L'émetteur est beaucoup plus dopé que la base.
o La base est plus mince.
o La flèche qui repère l'émetteur indique le sens passant de la jonction
base - émetteur.

2. Effet Transistor :
L'effet transistor apparaît lorsqu'on polarise la jonction base - émetteur en direct et
la jonction base - collecteur en inverse.

2.1. Fonctionnement à courant de base nul :

Alimentons un transistor NPN comme indiqué à la figure 3.2. Le courant IC est le
courant inverse de la jonction base - collecteur, de l'ordre du nA et indépendant de
VCB, nous le noterons ICOB.

15
Cours de microelectronique
 Figure 3.2

2.2. Fonctionnement à courant de base constant :

 Fonctionnement à collecteur ouvert :

Figure 3.3

Alimentons un transistor NPN comme indiqué à la figure 3.3. la jonction base -

émetteur est polarisée en direct, VBE =0,7V (pour le silicium) Le courant de base
est donné par :

Ce courant ne dépend que des éléments extérieurs et est indépendant du transistor.

La caractéristique IB=f(VBE) est celle d'une diode polarisée en direct. Le courant

de collecteur est nul IC = 0 .

 Fonctionnement à collecteur fermé

Considérons le schéma de la figure 3.4

Figure 3.4

16
Cours de microelectronique
La jonction base - émetteur est polarisée en direct. Des trous sont injectés de la base vers
l'émetteur alors que des électrons passent de l'émetteur vers la base. Cette diffusion donne
naissance à un courant IE. Ce courant est essentiellement dû aux électrons injectés de
l'émetteur (plus dopé que la base).

D'autre part, on a : VCB  VCC  VBE  VCC est positive, donc, la jonction base - collecteur est
polarisée en inverse.

Par construction, le collecteur capte un nombre d'électrons (courant IC) beaucoup plus
E
important que la base. Le courant de base, I B  B , est indépendant du transistor. Il est
RB
nécessaire pour maintenir la concentration de trous dans la base.

Conclusion : L'effet transistor consiste à contrôler, à l'aide du courant de base IB, relativement
faible, un courant de collecteur IC, beaucoup plus important.

 Mise en équation :

Considérons le schéma de la figure 3.5. La jonction base-collecteur est polarisée en

inverse.
La jonction base-émetteur est polarisée en direct.

Figure 3.5

Le courant IC résulte :

- du courant de fuite en base commune ICOB qui intervient sur le schéma de la figure 3.2

- du courant α IE provenant des électrons injectés par l'émetteur, 0,9 < α < 0,995 soit,

et

De ces deux équations, on tire :

17
Cours de microelectronique
Que l'on écrit sous la forme :

Avec :

2.3. Caractéristiques du transistor :

Pour caractériser complètement le fonctionnement d'un transistor, il faut déterminer
six grandeurs : IC, IB,VCE ICE, VBE et VBC.

On considère le transistor comme un quadripôle dont une électrode est commune à

l'entrée et la sortie.

Trois montages sont donc à envisager :

 base commune utilisé en haute fréquence,

 collecteur commun utilisé en adaptation d'impédance,
 émetteur commun utilisé en amplification et le plus commun.

Le montage émetteur commun (figure 3.6) :

Les bornes d'entrée du tri pôle sont la base et l'émetteur; les grandeurs d'entrée sont :
IB et VBE. La sortie se fait entre le collecteur et l'émetteur; les grandeurs correspondantes sont
IC et VCE.

18
Cours de microelectronique
 2.3.1. Montage pour le relevé des caractéristiques:
Pour procédé au relevé des caractéristiques, on utilise le montage ci-dessous (figure 3.7). Les
paramètres d'entrée IB et VBE sont maintenus constants et on mesure IC lorsque VCE varie.

Figure 3.7

2.3.2. Réseaux de caractéristiques :

On étudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium
la tension de seuil de la jonction base-émetteur est voisine de 0,7V.

 Réseau de sortie

C'est le réseau I C  f (VCE ) et I B  Cte .

Dans ce réseau on distingue trois zones :

 VCE: faible (inférieure à 0,7V), la jonction base-collecteur est polarisée en

directe. Le courant IC varie linéairement avec VCE.
 VCE : grand, il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant
par avalanche. Selon les transistors la tension de claquage varie de 30V à
250V.
 VCE intermédiaires, le courant collecteur est donné par la relation :
I C  I B  I C 0 E  kVCE
Il y a une légère croissance de IC avec VCE. En pratique on utilise la
relation simplifiée : I C  I B

β est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500.

Le gain varie avec le courant collecteur, la tension VCE, et la température (terme ICEO ).
19
Cours de microelectronique
IB, étant β fois plus faible que Ic. On peut considérer que la puissance dissipée dans le
transistor est :

P  VCE I C

 Réseau de transfert en courant :

C'est le réseau IC = f(IB) 0 à VCE = Cte. La courbe est linéaire et passe par le point IB =0 et
ICEO. C'est la courbe représentative de 1'equation :

I C  I B  I C 0 E

Figure 3.8 : courbe caractéristique de transistor

 Réseau d'entrée :

C'est le réseau IB = f(VBE) à VCE =Cte . Dés que VCE ≥ 0,7 V, toutes les courbes sont
pratiquement confondues. La courbe est identique à la caractéristique d'une diode
(jonction base-émetteur). Pour un transistor au silicium VBE varie très peu et reste voisin
de la tension seuil de la jonction base-émetteur, soit 0,7V.

 Réseau de transfert en tension :

20
Cours de microelectronique
 C'est le réseau VBE = f(VCE) à IB = Cte. On constate que les variations de la tension de
sortie sont sans effet sur la tension d'entrée.

2.3.3. Régimes de fonctionnement du transistor :

Considérons le schéma de la figure 3.9

Figure 3.9

Nous allons chercher à déterminer la valeur du courant IC et de la tension VCE en fonction

des éléments du montage. Nous disposons de deux équations :

- l’une provenant du transistor, donnée par le réseau de caractéristiques IC = f(VCE) à

IB =Cte

- 1'autre résultant de la loi des mailles : E  VCE  RC I C

La droite représentative de cette équation est appelée droite de charge statique. Traçons
cette droite dans le système d'axes IC = f (VCE ).

Figure 3.10.

Les valeurs de IC et de VCE sont les coordonnées du point d'intersection de la droite de

charge statique et de la caractéristique IC = f(VCE) correspondant à la valeur de IB imposée
par le réseau d'entré.
21
Cours de microelectronique
 Nous distinguons trois positions remarquables correspondant à trois fonctionnements
particuliers du transistor :

 le point A dans la partie linéaire et horizontale des caractéristiques. Ce point

correspond à un fonctionnement linéaire en amplification.

 Le point S dans la partie montante des caractéristiques. Le transistor est saturé.

VCE ≈ 0 (quelques dixièmes de volt). Toute augmentation de IB est pratiquement
sans effet sur la valeur de IC. Le transistor se comporte, entre collecteur et
émetteur, comme un interrupteur fermé. On note : VCE ≈ VCEsat

 Le point B pratiquement sur 1'axe des VCE. IC est très faible. Le transistor est
bloqué. II se comporte, entre collecteur et émetteur, comme un interrupteur
ouvert.

 Détermination de la condition de saturation :

Idéalisons la caractéristique IC = f(VCE), correspondant à un courant IB comme indiqué à la

figure 3.11. Le courant de base est fixé par le réseau d'entrée.

Pour que le transistor soit saturé (point de fonctionnement en S), il faut que son courant de
collecteur IC soit inférieur à β IB, soit : IC< β IB

Figure 3.12

Calculons les éléments du dispositif de la figure 3.12 afin d'obtenir la saturation du

transistor.

22
Cours de microelectronique
 Nous supposons que la tension d'alimentation est très supérieure à 0,6volt, c'est très
grande par rapport à VBESat et VCESat. A partir des équations :

La condition de saturation s'écrit : soit

2.4. Transistor Bipolaire en Régime petit signal

2.4.1. Modèle petit signal simplifié

Autour du point de polarisation, si les signaux d’amplification sont faibles (pas de distorsion),
on linéarise le fonctionnement avec le montage suivant :

dVBE V dVCE V A  VCE

Avec : rbe  Rin   T rce  Rout  
dI B IC dI C IC
dI C I
Et gm la transconductance : gm   C g m vbe   ib
dVBE VT

23
Cours de microelectronique
Modèle petit signal réel

Schéma tenant compte des éléments parasites, permettant l’étude en fréquence.

A noter, la contre réaction réalisé par les éléments rµ et Cµ qui provoquent un effet Miller.

Effet Miller : l'influence du gain d'un amplificateur inverseur sur ses propres caractéristiques
d'entrée. (dans le cas d'un amplificateur non-inverseur, le même effet conduit à la génération
d'impédances négatives).

Conséquences : Diminutions de l’impédance d’entrée et de la bande passante du montage

2.5.Emetteur commun

Re  R p // rbe R p  R1 // R2

 rce // RC // RU 
AV  
rbe

RS  RC // rce  RC

 Gain d’amplification en tension important Av ~100

 Impédance d’entrée faible Ze ~ kΩ
 Impédance de sortie élevée Zs ~ Rc ~ kΩ

2.6. Collecteur commun

Re  R p // rbe    1rce // RE // RU 

AV  
  1rce // RE // RU   1
rbe    1rce // RE // RU 

24
Cours de microelectroniqueu
 RS  rce // RE //
R
G // R p   rbe
 1

IC VT V A  VCE
gm  rbe   rce 
VT IC IC

 Gain d’amplification en tension proche de l’unité

 Impédance d’entrée élevée Ze ~ b fois l’EC
 Impédance de sortie faible Zs ~ 1/b fois l’EC

2.7. Base commune

1 r
Re   be
gm 

 1
AV   g m  rce // RC // RU 
 rce 

RS  RC // rce  g m rce  1rbe // RE // RG 

et RG : Impédance de sortie du générateur.

 Gain d’amplification en tension équivalent à l’EC

 Impédance d’entrée faible Ze ~ quelque dizaines d’Ω
 Impédance de sortie assez élevée Zs ~ quelque dizaine de kΩ

2.8.Conclusions
Le montage en émetteur commun est utilisé en amplificateur. Par contre, pour améliorer
ses caractéristiques d’entrée et de sortie, on peut lui associer un montage en collecteur
commun en amont et en aval.

Le montage à base commune est peu utilisé. Cependant, il apporte un intérêt dans les
montages à haute fréquence, car l’effet de la capacité Miller est fortement diminué, ce qui
permet une bande passante plus importante.

25
Cours de microelectronique
 Chapitre 4 : Les transistors à effet de champs

4.1. Définition

Il existe plusieurs types de transistors à effet de champs. Les deux types les plus utilisés
sont:

les transistors JFET à canal N et P et les transistors MOSFET à enrichissement et à

appauvrissement à canal N ou P. Soit 6 types de transistors.

Le JFET

C’est un transistor FET à jonction. Le canal de conduction correspond à la région n,

encadrée par deux régions p connectées à l’électrode de grille. Cette grille sert à polariser
la jonction pn en inverse de façon à moduler la largeur du canal.

Le JFET conduit si, VGS ≥Vp . Vp est la tension de pincement (pinch voltage), c’est une
tension inverse négative.

Cette tension est très peu reproductible d’un transistor à l’autre.

2
 V   VDS 
I D  I DSS 1  GS  1  
 Vp 
   V AJ 

Où 0  VGS  V p et V DS  VGS  V p . IDSS est le courant à VGS nul

Le courant de grille IG correspond au courant de fuite de la jonction pn, il n’est donc pas
complètement nul. Cependant il est négligeable comparé au courant de base existant dans
le bipolaire.

La tension VAJ est un effet comparable à la tension d’Early, elle est due à la modulation de
la longueur du canal de conduction par la tension VDS. (~150V)

26
Cours de microelectronique
  I  2
gm   D   I DSS . I D repos
 VGS VDSconst VP

 V  V  VDS
rds   DS   AJ
 I D VGS const ID

4.2. Le MOSFET

Le canal de conduction est réalisé par l’application d’un potentiel de grille VGS.
Lorsque ce potentiel de grille atteint la tension de seuil VT le transistor se met à conduire.

Cette tension VT, est liée à la tension d’inversion de population dans le canal. Elle dépend des
paramètres technologiques. Elle est très peu reproductible d’un transistor à l’autre.

En règle générale, le substrat (bulk) est relié à la source

L’oxyde (SiO2) étant isolant, le courant de grille est quasiment nul et correspond au courant de
fuite de la capacité MOS. Donc la résistance d’entrée tend vers l’infini.

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor. Abrégé MOS (ou MOST),
appelé aussi parfois IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor).

27
Cours de microelectronique
Historiquement, le principe connu avant le BJT mais la technologie est maîtrisée seulement
plus tard.

CMOS: Complementary MOS, NMOS et PMOS. C’est le «workhorse» de l’électronique

actuelle, qui est dominée par le numérique.

Domaines d’utilisation

Principalement utilisé en digital comme Interrupteur (switch) presque idéal

Composants complémentaires NMOS et PMOS comme technologie standard

–Pas de courant de grille

–Layout très compact

Utilisé aussi beaucoup en analogique pour des Applications standards, micro puissance les
Circuits à capacités commutées et Idéal si on combine avec le bipolaire, mais plus cher…

4.3. Structure, vue 3D du MOS à canal N (NMOS)

L (length): longueur du canal

W (width): largeur du canal

28
Cours de microelectronique
Un composant discret : électronique de puissance, commutation,

Amplification (peu fréquent)

Electronique intégrée : composant " roi " de la micro-électronique

4 pattes, choix W et L

La technologie caractérisée par Lmin de grille

Intel core i7, 8 cœurs : 22 nm, > 4 milliards de transistors

Outil s de conception informatisés : CAO

4.4. Caractéristiques courant – tension du NMOS (pour VSB = 0).

La tension appliquée entre la grille et la source, VGS, permet de contrôler le courant circulant
entre le drain et la source, ID.

29
Cours de microelectronique
La source de courant est commandée par une tension

Les aspects théoriques de l’établissement de la caractéristique ID – VDS en fonction des

différents régimes de polarisation du transistor appartiennent à la physique des semi
conducteur, ils sont traités très succinctement dans ce cours.

Le courant de grille sera considéré nul : IG ≈ 0

a. Caractéristique ID - VDS

Fonctionnement à VG = 0

30
Cours de microelectronique
Le substrat (body) est toujours connecté au potentiel le plus électronégatif (la masse).

On considère le cas ou la source est également à la masse.

Quelque soit le potentiel de VD aucun courant ne peut circuler entre le drain et la source
(jonctions PN tête-bêche).

 ∀VD pour VG = 0 ID est nul

Création du canal

VG > 0 repousse les trous libres de la zone de canal vers le substrat.

VG > 0 attire finalement les e- libres contenus dans le drain et la source (n+) dans la zone du
canal.

Quand ils sont en nombre suffisant (au-delà d’un certain seuil pour VG = VGS > Vtn , Vtn est la
tension de seuil du NMOS) on considère qu’une région N a été créée.

Désormais si une tension est appliquée entre le drain et la source, un courant d’e- va circuler
dans le canal N (d’où le terme canal et le nom du transistor).

31
Cours de microelectronique
Courant traversant le transistor pour VDS petit .

Un courant ID circule entre le drain et la source. Son amplitude dépend de la quantité d’e-
dans le canal et donc de VGS, ID sont proportionnel :

• à VGS – Vtn

• et à VDS

Courant traversant le transistor pour un accroissement de VDS.

L’épaisseur du canal dépend de la différence de potentiel entre la grille et le substrat :

• au niveau de la source : VGS,

• au niveau du drain: VGS – VDS ; du fait du potentiel appliqué entre drain et source, la chute
de tension VDS étant répartie sur toute la longueur du canal.

VGS - VDS

le canal a une forme penchée, sa résistance augmente avec VDS

32
Cours de microelectronique
Pour VGS ≥ Vtn et VDS ≤ VGS – Vtn : Régime triode

33
Cours de microelectronique
Pincement du canal.

Plus précisément la largeur du canal dépend de la tension appliquée sur la grille en excès par
rapport à la tension de seuil Vtn.

L’augmentation de VDS a pour effet de diminuer cette tension en excès au voisinage du drain,
jusqu’au point où pour VDS = VGS – Vtn elle s’annule. Le canal a alors une épaisseur nulle, on
dit qu’il est pincé.

Le transistor est saturé, le courant ID reste constant malgré toute augmentation ultérieure de
VDS.

Pour VGS ≥ VTN et VDS ≥ VGS – Vtn : Régime saturé

34
Cours de microelectronique
Vtn : tension de seuil du NMOS (qqs 100aines mV)

35
Cours de microelectronique
4.5 Modulation de la longueur du canal.

4.6. Transistor MOS à canal P.

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Cours de microelectronique
Caractéristiques ID - VSD et ID - VSG

Reprendre les conditions et équations du NMOS en remplaçant VGS par VSG, VDS par VSD,
Vtn par –Vtp, et k’n par k’p

k’p facteur de gain du PMOS [µA/V2] µp ≅ µn / 2 ∼ 3 !

Vtp tension de seuil du PMOS (Vtp < 0) [V]

Le courant iD est pris sortant par le drain du PMOS (entrant pour le NMOS).

Exemples de technologies.

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Cours de microelectronique
4.5. Effet de substrat.
Le substrat p est généralement connecté au
potentiel le plus électronégatif (Gnd).

Pour VSB ↑ la profondeur du canal est réduite,

pour compenser la diminution de ID
correspondante : VGS ↑

Modélisation :

 Vt0 tension de seuil pour VSB = 0 [V]

 2∅f potentiel d’inversion de surface (0,6∼0,7 ) [V]
 γ facteur d’effet de substrat (≈ 0,4) [V1/2]

Variation de VSB ⇒ variation de ID

body ≈ 2ème grille

4.6. Effets de la température.

 Vt - 2mV/°C ⇒ ID augmente avec T°
 k’ dk’/dT < 0 ⇒ ID diminue avec T°
effet prépondérant

ID diminue avec T°

4.7. Qualité de la modélisation.

Equations précédentes = modélisation au 1er ordre, c.-à-d. plutôt inexacte

Adapté à un calcul manuel pour un résultat approché à 10-20% près, ensuite recours aux
logiciels de simulation électrique (spice).

Hors cadre de ce cours :

- conduction en inversion faible (subthreshold),

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Cours de microelectronique
- effets liés aux longueurs de canal submicroniques.

4.8. Modèle petit signal en saturation Sans body effect

4.9. Modèle petit signal en saturation Avec body effect

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Cours de microelectronique
4.10. Capacités parasites du MOS

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Cours de microelectronique
4.11. Modèle HF en petit signal
Les modèles du MOSFET utilisés pour l'étude de l'amplificateur en basse fréquence ne
tiennent pas compte des divers effets capacitifs. Aux fréquences élevées ces effets ne sont
plus négligeables et il faut modifier le schéma équivalent en conséquence.

La principale capacité du MOSFET est la capacité grille-canal.

Cg canal = W L Cox

On modélise généralement cette capacité par deux capacités égales connectées entre grille et
source et entre grille et drain.

Lorsque le MOSFET est utilisé dans sa zone de fonctionnement résistif (zone triode) c'est-à-
dire à tension Drain-Source très faible, le canal est uniforme et la capacité grille-canal s'écrit :

On démontre alors que la capacité grille-canal devient égale à :

et on la modélise par une seule capacité entre grille et source.

En réalité, la capacité grille-source est un peu plus élevée car la métallisation de grille
recouvre légèrement la source (voir fig.1). De la même manière, il existe une capacité grille-
drain due à ce recouvrement. La capacité drain-substrat (capacité d'une jonction bloquée) peut
en général être négligée en première approximation.

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Cours de microelectronique
4.11.1. FREQUENCE DE TRANSITION

Pour caractériser le fonctionnement à haute fréquence d'un transistor on utilise souvent la

fréquence de transition fT qui est définie comme la fréquence à laquelle l'amplitude du gain en
courant, sortie en court-circuit, devient égale à 1. En utilisant le modèle haute fréquence on
obtient le schéma suivant:

Io = gmVgs ; Vgs = Ii / j (Cgs + Cgd) ω

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Cours de microelectronique
Io / Ii = gm / jω(Ggs + Cgd)

pour ω = ω T = 2πfT on a Io / Ii =1 fT = gm / 2π (Ggs + Cgd)

On note que la fréquence de transition est proportionnelle à la transconductance et
inversement proportionnelle aux capacités internes du MOSFET.

fT varie selon la technologie de quelques centaines de MHz à quelques GHz.

4.11.2 Théorème De Miller

Considérons le quadripôle de la figure suivante :

Une admittance Y est connectée entre les noeuds d'entrée et de sortie.

Ce quadripôle est équivalent à celui de la fig.b dans lequel l'admittance Y a été remplacée par
deux admittances Y1 et Y2 reliées au point commun.

soit K = V2/V1 le gain en tension de ce quadripôle.

Le courant I1 entrant par le noeud 1 s'écrit :

dans le quadripôle équivalent nous avons I1 = Y1 V1 , en identifiant il vient : Y1 = Y (1 - K)

En opérant de la même manière pour le noeud de sortie, on a :

en identifiant avec I2 = Y2 V2, il vient

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Cours de microelectronique
Le théorème de Miller permet de transformer une admittance connectée entre deux
points d'un circuit en deux admittances connectées en dérivation entre ces points et la
masse.

4.12. EFFET MILLER

Lorsqu'un MOSFET est connecté en source-commune, sa capacité grille-drain Cgd se trouve

connectée entre l'entrée et la sortie de l'étage. Par application du théorème de MILLER, cette
capacité peut-être transformée en deux capacités connectées en parallèle avec l'entrée et la
sortie.

Considérons par exemple un étage amplificateur de gain -100 réalisé avec un MOSFET dont
la capacité grille-drain est de 1pF. Le théorème de Miller permet de remplacer cette capacité
par une capacité C1 connectée entre grille et source:

C1 = Cgd (1 - K) = 1 (1-(-100)) = 101 pF

et une capacité C2 connectée entre drain et source:

C2 = 1,01 pF qui peut-être négligée dans la plupart des cas.

Cet exemple montre l'influence extrême de la capacité "entrée-sortie".

Cet effet de multiplication de la capacité entrée-sortie porte le nom d'effet Miller.

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Cours de microelectronique
Chapitre 5 : La paire différentielle.
5.1. Introduction : notion de signal différentiel.
Paire différentielle : parmi les briques de base les plus importantes de l’électronique.

Un signal électrique est généralement mesuré par rapport à la masse (c.-à-d. un potentiel
fixe) :

Intérêt :

 grande immunité au bruit et aux interférences,

 facilité de polarisation,
 meilleur linéarité.

Un signal différentiel est mesuré entre deux nœuds ayant des excursions de tension égales et
opposées par rapport à un potentiel fixe (le mode commun) :

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Cours de microelectronique
5.2. La paire différentielle MOS.

5.2.1. Présentation.
Mn1 et Mn2 sont identiques

Axe de symétrie vertical

Polarisation par une source de

courant idéale (r0= ∞)

et polarisés en régime saturé.

Analogie paire différentielle –balance deux fléaux.

5.2.2. Fonctionnement avec une tension d’entrée en mode commun.

⇒VG1= VG2= VCM

VDIFF= VD2–VD1= 0

La paire différentielle ne réponds pas à un signal d’entrée de mode commun, on parle

de réjection de mode commun(en présence de défauts tq Mn1≠Mn2 ce n’est plus vrai).

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Cours de microelectronique
La plage de variation de VCM est limitée aux deux extrémités par :

 Le fait que les transistors doivent rester en saturation,

 La source de courant qui ne doit pas être "étouffée" par un VCM trop bas.

5.2.3. Fonctionnement grands signaux.

On cherche à exprimer ID1,2 en fonction de la tension différentielle d’entrée :

(a)2 donne :

En substituant iD 2  I 0  iD1 puis en élevant au carré on obtient une équation du 2nd degré dont
la solution est :

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Cours de microelectronique
Soit

Sortie différentielle:

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Cours de microelectronique
 49
Cours de microelectronique
5.2.4. Fonctionnement avec une entrée différentielle petits signaux (λ=0,
χ=0).

Etude AC.

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Cours de microelectronique
Prise en compte de r0 et RSource(modulation de la longueur du canal des MOS).

5.2.5. Gain de mode commun et taux de rejection de mode commun.

Pour une entrée de mode commun petit signal :

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Cours de microelectronique
Effet d’une dissymétrie sur RD:

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Cours de microelectronique
Effet d’une dissymétrie sur gm:

5.3. La paire différentielle à charge active.

⇒conversion signal différentiel vers signal simple.

Polarisation, régime DC:

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 Entrée différentielle p.s., régime AC:

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Cours de microelectronique
 Chapitre 6 : Sources de courants

6.1. Introduction
La source de courant est une cellule de base importante servant principalement:

 à polariser les montages: paire différentielle, suiveur, etc.

 de charge active pour les montages amplificateur

La polarisation au moyen de sources de courant permet:

 de contrôler la consommation
 de diminuer la sensibilité aux variations de température et de l’alimentation
 d’occuper moins de place qu’un circuit à résistances, pour de faibles courants.

Le transistor MOS est une source de courant, lorsqu’il travaille en mode de saturation (mode
normal direct pour un bipolaire).

Mais même en contrôlant précisément la tension de commande Ugs, le courant ne peut être
prédit à mieux que 20 à 50%, suivant les variations de température ( Uth et Kn), de la
technologie ( Uth et Kn), de la géométrie (W/L), etc.

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Cours de microelectronique
6.2. Principe de base
On suppose que l’on a accès à une source de courant de référence IR. Cette source est
éventuellement ajustée par des composants extérieurs à l’IC.

L’idée est de créer un circuit qui produise la tension de commande Ugs en fonction Iref.

Ce circuit pourra en général piloter à la fois les sources NMOS et les sources PMOS. Le
problème est de créer IR est repoussé momentanément à plus tard…

6.3. Miroir MOS à 2 transistors

Les 2 transistors partagent la même tension de commande, ils ont donc le même courant (si
λ=0 et si même géométrie)

I1 est la copie (ou le miroir) de IR.

Il est possible de changer le rapport en modifiant la géométrie des 2 transistors.

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Cours de microelectronique
Si λ ≠ 0 Uds0 (= Ugs) étant différent de Uds1 (= V1), la précision est dégradée.

En pratique, les paramètres des 2 transistors ne sont pas tout à fait égaux:

 écarts de Uth(1 à20 mV)

 écarts de kn*W/L (0.2 à 20%)

En pratique, on choisi des L identiques pour tous les transistors, à cause de la diffusion
latérale (Leff= L – LD). Cette erreur est d’autant plus marquée que L= Lmin.

La résistance de sortie est celle de M1.

6.4. Miroir MOS à n transistors

Il est aisé de produire des copies multiples, basées sur la même tension Ugs de référence.
Les sorties peuvent être sommées pour réaliser des rapports fractionnaires.

L’usage de transistors rigoureusement identiques (règles de matching) donne des résultats

plus précis que de jouer avec des rapports W/L différents.

En pratique, IR peut être simplement une résistance connectée à VP. Dans ce cas, la
précision sur la valeur de IR ne sera pas très grande et la réjection aux variations de la
tension d’alimentation sera faible.

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Cours de microelectronique
 6.5. Miroir cascode
Pour augmenter la résistance de sortie, il suffit d’ajouter le transistor M2 monté en grille
commune.

Pour améliorer la précision de la copie entre M0 et M1, Vb doit être choisi pour garantir
Uds0 = Uds1. C’est le cas si Vb = 2* Ugs.

Cette condition est automatiquement remplie en ajoutant un 4ième transistor M3.

La tension Uout minimum peut être 2 * Uov si Vb est bien choisi.

Le montage à 4 transistors voit sa tension Uout minimum augmentée de Uth par rapport
au montage avec Vb choisi au minimum.

6.6. Miroir cascode basse tension

La tension de polarisation Vb est générée par la tension Ugs de M4.

La tension de polarisation Vb peut être commune à plusieurs miroirs (ligne de polarisation

ou «bias line»).

Pour atteindre Uds1 = Uov, on peut montrer que W4/L4 = 1/4 * W/L (autres transistors
identiques).

Si tous les transistors ont la même W, alors L4 = 4* L.

En pratique, il est préférable de conserver une marge pour

Uds1 au dessus de Uov.

Si M1 est légèrement en conduction, l’impédance de

sortie du miroir est moins élevée.

On choisi couramment W4/L4 = 1/5 * W/L.

Si même W, L4 = 5* L.

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Cours de microelectronique
 Remarque:

M0 et M1 ne travaillent pas avec la même tension Uds, d’où une source d’imprécision.

6.7. Miroir cascode basse tension amélioré

L’ajout du transistor M3 permet de faire fonctionner M0 et M1 à la même tension Uds.

En pratique, l’ajustement des W/L de M3 et M4

se fait par simulation.

Ce montage est très utilisé.

M4 est réalisé en pratique par la mise en série de

4 à 5 transistors identiques à M0 et M1.

6.8. Miroir bipolaire à 2 transistors

Les 2 transistors partagent la même tension de

commande, ils ont donc le même courant (si Va = ∞ et
si ils ont la même géométrie)

Le courant de base introduit une erreur supplémentaire

Il est possible de changer le rapport en modifiant la

géométrie des 2 transistors, mais la précision sera
moins bonne que avec de multiples transistors
identiques connectés en parallèles

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Cours de microelectronique
 6.9. Miroir bipolaire multiple

De multiples copies de I0 peuvent être

réalisée, mais l’erreur sur IR due au
courant de base devient toujours plus
grande, car c’est IR qui doit fournir les
courants de base

En pratique, ce montage est limité à

quelques transistors

6.10. Miroir bipolaire multiple avec compensation du courant de

base
Le transistor Qb fourni le courant de base
nécessaire aux transistors du miroir.

Avec une technologie BiCMOS, on pourrait aussi

utiliser un NMOS comme buffer et ainsi obtenir
une compensation parfaite.

Le montage Q0 et Qb est en fait un circuit bouclé

avec réaction négative (negative = feedback).

Il est donc susceptible d’être instable et il est

toujours prudent en pratique de vérifier avec une
simulation transitoire, en ajoutant un petit
incrément de courant à IR.

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Cours de microelectronique
 6.11. Miroir bipolaire avec résistances d’émetteur
Si le matching des résistances est meilleurs que celui des
transistors (ce qui est souvent le cas), on peut utiliser des
résistances de dégénération RE.

RE permet aussi d’augmenter l’impédance de sortie et de

diminuer le bruit.

En pratique, la tension aux bornes des résistances est choisie

entre 250 et 500 mV avec UR1=UR0.

La dimension des transistors doit être choisie de telle sorte que

Ube0 = Ube1.

Ce montage n’est pas utilisé avec des transistors MOS car ce

qui peut eux jouer avec le rapport W/L.

6.12. Miroir de Wilson

C’est un circuit contre-réactionné. Le miroir standard Q0/Q1

copie le courant de sortie qui est comparé au courant d’entrée.

La contre réaction permet d’augmenter la résistance de sortie.

Le circuit effectue une compensation presque parfaite du courant

de base.

Comme il s’agit d’un circuit bouclé, la stabilité n’est pas garantie!

Il est toujours utile de faire une simulation transitoire pour vérifier
le comportement.

Ce montage fonctionne bien seulement si tous les transistors sont

bien identiques. Il est également sensible à une dispersion des
β(+/5% typique).

Ce montage est aussi utilisé avec des MOS.

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Cours de microelectronique
 6.13. Miroir bipolaire cascode

Pour augmenter la résistance de sortie, Q2 est ajouté en

montage base commune.

•Pour améliorer la précision de la copie entre Q0 et Q1, les

tensions Uce0 et Uce1 doivent être égales (compensation de
l’effet Early). Ceci est réalisé par l’ajout du transistor Q3.

•Les transistors n’ont pas nécessairement besoin d’être

identiques, mais appariés par étage Q0/Q1 et Q2/Q3.

Par exemple, pour diminuer la capacité de sortie, Q2/Q3

peuvent être choisis plus petit que Q0/Q1, une grande taille 1
pour Q0/Q1 étant favorable à un bon matching.

6.14. Miroir à grand rapport (Miroir de Widlar)

Ce montage est utilisé pour produire des petits courants

en sortie.

Par exemple si le courant de référence est obtenu par une

résistance à VP, la surface utilisée par la résistance en est
réduite.

La tension Ube1 est réduite par la tension UR, ce qui

permet d’avoir un courant de sortie beaucoup plus petit
(règle pratique: Ube/ Ic= 60 mV/décade)

Il est utilisé aussi pour réaliser des références de tension,

ou il est fait usage du fait que son courant de sortie est
proportionnel à UT, donc à la température absolue T.

La relation entre Iout et IR est transcendante.

En pratique, on détermine le rapport Iout/IR voulu et

l’on calcule ensuite R.

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Cours de microelectronique
 6.14. Source de courant avec ampli op

La disponibilité d’ampli op permet aussi de réaliser des

sources de courant précises.

La précision n’est pas meilleure que celle des résistances.

Pour diminuer l’erreur due au courant de base, le transistor
Q1 peut être remplacé par un montage Darlington.

En technologie MOS, Q1 est un NMOS et il n’y a pas

d’erreur due au courant de grille.

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Cours de microelectronique
 Chapitre 7 : Les amplificateurs

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