THESE en Co-Tutelle

Université Chouaı̈b Doukkali Université de Liège

El Jadida, Maroc Liège, Belgique
Faculté des sciences Faculté des sciences
Département de Physique Département de Physique

En vue d’obtenir le titre de

Docteur en Physique
Option : Microélectronique, Optoélectronique et Photonique

Simulation d’une Cellule Solaire Cristalline par la

Méthode des Différences Finies
&
Fabrication, Caractérisation et Modélisation de Cellules
Solaires à base d’hétérojonctions organiques distribuées
en volume
Safae AAZOU
Titulaire du Master Electronique, Automatique et Traitement de Signal

Soutenue publiquement à l’Université Chouaı̈b Doukkali devant le jury :

 i

To my dear parents,
without whom I would not be where I am today...
ii

if you don’t learn a new thing every day,

then you don’t know a new thing every day ...
Remerciements

Le présent travail a été réalisé au début au sein de l’Equipe d’Optique et Electro-

nique du Solide, puis au laboratoire d’Instrumentation, Mesure et de contrôle du
département de Physique de la Faculté des Sciences d’El Jadida (Maroc), sous
la direction du Professeur El Mahdi ASSAID auquel j’adresse tous mes vifs re-
merciements pour m’avoir octroyé un sujet de recherche d’actualité, pour m’avoir
initié aux méthodes de calcul analytique et numérique, à la programmation en
Maple et Mathematica, et pour avoir assuré un suivi quasi quotidien de la pro-
gression de mon travail de recherche.

Mon travail a été financé au début par une bourse du Ministère de l’Enseignement
Supérieur du Royaume Maroc durant la première année, puis par une bourse du
CNRST marocain durant les trois années qui ont suivi. Que ces institutions na-
tionales soient vivement remerciées pour leur soutien financier sans faille.

Une partie du travail a été réalisée au sein du Laboratoire de Physique du So-

lide, Interfaces et Nanostructures du département de Physique de l’Université de
Liège (Belgique), sous la direction de Monsieur Ngoc Duy NGUYEN (Chargé de
Cours), auquel j’adresse mes remerciements pour m’avoir accueilli au sein de son
laboratoire.

Le déplacement à l’Université de Liège a été rendu possible grâce tout d’abord

à une bourse de mobilité d’un mois de la part de la Faculté des Sciences d’El
Jadida. Le séjour à Liège, les frais de scolarité et les billets de transports ont été
iv

pris en charge par le Fond Erasmus Mundus par le biais d’une bourse Averroès de
dix huit mois. Je tiens ici à remercier ces deux institutions pour la disponibilité
dont ils ont fait preuve et pour leur soutien financier.

La partie expérimentale du travail a été réalisée entièrement à l’Institut des Cel-

lules Solaires Organiques de Linz (LIOS), une entité affiliée à l’Université Jo-
hannes Kepler à Linz (Autriche) dirigée par le Professeur Niyazi Serdar SARI-
CIFTCI auquel j’adresse tous mes remerciements pour m’avoir invité à présenter
les résultats de mes premiers travaux de recherche, et pour m’avoir accueilli dans
son institut durant deux mois.

Mes remerciements vont également pour Monsieur Matthew S. WHITE Profes-

seur à JKU à Linz pour m’avoir initié aux techniques de fabrication des com-
posants organiques, et pour avoir assuré un suivi quotidien de l’évolution de la
partie expérimentale de mon travail tout le long de mon séjour à Linz.

Monsieur Daniel Ayuk Mbi EGBE, Professeur à JKU à Linz et Coordinateur

du Réseau Africain pour l’Energie Solaire (ANSOLE) à d’abord été le premier à
m’avoir proposé de visiter LIOS, il m’a gracieusement donné une bonne quantité
d’un nouveau polymère synthétisé par lui même ayant servi à la fabrication de
cellules solaires et de diodes électroluminescentes, il a ensuite accepté de siéger
dans mon jury de Thèse. Je saisis cette occasion pour le remercier vivement et
pour louer sa gentillesse, sa disponibilité et ces qualités humaines.

Je tiens ici, à exprimer mon respect, ma gratitude et mes remerciements pour

Madame Fatiha Miskane, Professeur au département de Physique de la Faculté
des Sciences d’El Jadida, pour avoir manifesté, depuis le début de mon travail
de Thèse, un grand intérêt pour ce que je fais, pour n’avoir pas eu de cesse de
me supporter et de m’encourager, et en fin pour avoir accepté, avec gentillesse et
disponibilité, de rapporter le présent manuscrit et siéger dans mon jury de Thèse.
 v

J’adresse mes snicères remerciements à Monsieur El Fajri Professeur au département

de Physique de la Faculté des Sciences d’El Jadida, ainsi quà Monsieur ... de l’Uni-
versité ... et Monsieur ... de l’Université, d’avoir accepter de siéger dans mon Jury
de Thèse. qu’ils trouves ici l’expression de ma profonde reconnaissance.
J’exprime ma profonde gratitude et mes vifs remerciement à Monsieur.... Profes-
seur au département de Physique de la Faculté des Sciences d’El Jadida, pour ses
discussions et conseils et l’intérêt qu’il a montré à mon travail depuis le début de
ma Thèse.
Table des matières

Remerciements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iii

Table des matières . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xiii

Résumé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xv

Abstract . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xvii

Liste des abréviations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xix

Liste des constantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .xxiii

INTRODUCTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1 Les énergies renouvelables, pourquoi ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Les énergies fossiles face aux énergies renouvelables . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Bref historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 La problématique énergétique au Royaume du Maroc . . . . . . . . . . . . 8
1.5 Histoire des semi-conducteurs organiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.6 Plan du mémoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES . . . . . . . . . 19

2.1 Solides et structure de bandes d’énergies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.1.1 Structures des solides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.1.2 Types de liaisons dans les solides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.1.3 Formation de bandes d’énergies dans un solide . . . . . . . . . . . . . 23
viii Table des matières

2.1.4 Métal, Isolant et Semi-conducteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2.1.5 Structures de bandes d’énergies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2 Types de Semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.1 Semi-conducteur intrinsèque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2.1 Densité des porteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2.2 Niveau de fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.3 Physique des cellules solaires photovoltaı̈ques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3.1 Jonction p-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3.2 L’effet Photovoltaı̈que . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.3.3 L’effet de la nature de la bande interdite sur l’absorption et
l’emission des photons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.4 Les équations du semi-conducteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.4.1 Les équations de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.4.2 L’équation de Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.4.3 Les équations de continuité de l’électron et du trou . . . . . . . . . 40
2.4.4 Les équations de transport . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.4.5 Les équations du semi-conducteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.5 conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU

SEMI-CONDUCTEUR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.2 Schéma aux différences finies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.2.1 Maillage à une dimension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2.2 Normalisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.3 Discrétisation de l’équation de Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.4 Discrétisation des équations de continuité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.4.1 L’équation de continuité des électrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.4.2 L’équation de continuité des trous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.5.1 La méthode de Newton-Raphson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.5.2 Linéarisation des équations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
 Table des matières ix

3.5.3 Approche des sur-relaxations successives . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

3.5.3.1 L’équation de Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.5.3.2 L’équation de continuité des électrons . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.3.3 L’équation de continuité des trous . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.5.3.4 Système d’équations linéarisées à résoudre . . . . . . . . . . 70
3.5.4 Approche de Newton : calcul de la matrice Jacobienne . . . . . . 71
3.5.4.1 L’équation de Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.5.4.2 L’équation de continuité des électrons . . . . . . . . . . . . . . 72
3.5.4.3 L’équation de continuité des trous . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
3.5.4.4 Système d’équations linéarisées à résoudre . . . . . . . . . . 78
3.6 Conditions aux limites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.7 Illumination polychromatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.7.1 Irradiance spectrale, irradiance et flux des photons . . . . . . . . . 82
3.7.1.1 Corps noir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.7.1.2 Emissivité spectrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.7.1.3 Irradiance spectrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.7.1.4 Irradiance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.7.1.5 Flux spectral de photons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.7.2 Propriétés optiques du matériau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.7.2.1 Transmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.7.2.2 Réflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.7.2.3 Absorption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.7.3 Taux de génération optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.7.4 Densités de courant en court-circuit spectrale et totale . . . . . . 92
3.7.5 EQE & IQE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.8 Résultats et discussions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
3.9 Conclusion et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.10 Publications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES

SOLAIRES ORGANIQUES ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
4.1 Introduction à l’énergie photovoltaı̈que organique . . . . . . . . . . . . . . . . 112
x Table des matières

4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion

photovoltaı̈que . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.2.1 L’atome de Carbone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.2.1.1 Configuration électronique du Carbone . . . . . . . . . . . . . 115
4.2.1.2 Hybridations de l’atome de Carbone . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.2.2 Structure de bandes d’un semi-conducteur organique . . . . . . . 117
4.2.3 Conductivité et dopage dans le cas d’un matériau organique . 119
4.2.3.1 Conductivité d’un matériau organique . . . . . . . . . . . . . . 119
4.2.3.2 Molécules de types donneur et accepteur . . . . . . . . . . . . 120
4.2.3.3 Dopage des semi-conducteurs organiques . . . . . . . . . . . 123
4.2.4 Cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en
volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction
distribuée en volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
4.3.1 Préparation des solutions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
4.3.1.1 Le PEDOT:PSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.3.1.2 Préparation du mélange P3HT:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . . 133
4.3.1.3 Préparation du mélange AnE-PVstat:PCBM . . . . . . . . . . 134
4.3.2 Préparation du substrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.3.2.1 L’Oxyde d’indium dopé à l’étain : ITO . . . . . . . . . . . . . 135
4.3.2.2 Le processus de nettoyage du substrat . . . . . . . . . . . . . . 136
4.3.3 Dépôt de la couche de PEDOT:PSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4.3.4 Dépôt des couches actives P3HT:PCBM et AnE-PVstat:PCBM . . 138
4.3.5 Evaporation du métal de contact . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
4.4 Caractérisation des cellules solaires organiques à hétérojunctions
distribuées en volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.4.1 Spectre solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.4.2 Caractéristiques I(V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.4.3 Caractéristiques IPCE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.4.4 Caractéristiques EQE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.5 Autres composants optoélectroniques : LEDs et diodes à barrière
Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
 Table des matières xi

4.5.1 Diodes électroluminescente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145

4.5.2 Diodes à barrière Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.5.3 Absorption et luminescence des polymères utilisés dans la
fabrication des OLEDs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
4.6 Résultats et discussions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
4.6.1 Caractéristiques courant-tension des composants
optoélectroniques fabriqués . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
4.6.2 EQE des meilleures cellules solaires organiques fabriquées . . . 157
4.7 Conclusion et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
4.8 Publications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162

MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES

PHOTOVOLTAIQUES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
5.2 Les différents modèles électriques de la cellule solaire . . . . . . . . . . . . 165
5.2.1 Modèle à trois diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
5.2.2 Modèle à deux diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
5.2.3 Modèle à une diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
5.3 Les paramètres de la cellule solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
5.3.1 Paramètres caractéristiques externes de la cellule solaire . . . . . 168
5.3.1.1 Le courant de court-circuit : Isc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
5.3.1.2 La tension en circuit-ouvert : Voc . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
5.3.1.3 La puissance maximale : Pmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
5.3.1.4 Le facteur de forme : F F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
5.3.1.5 Le rendement : η . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
5.3.2 Paramètres physiques internes de la cellule solaire . . . . . . . . . . 171
5.3.2.1 La résistance serie : Rs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
5.3.2.2 La résistance parallèle : Rsh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
5.3.2.3 Le courant de saturation : Is . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
5.3.2.4 Le facteur d’idéalité : n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.3.2.5 Le photocourant : Iph . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.4 La résolution analytique du modèle équivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
xii Table des matières

5.4.1 La résolution analytique de l’équation caractéristique de la

cellule solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.4.2 Les expressions analytiques des caractéristiques électriques
de la cellule solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle . . . . . . . . . . . . 178
5.5.1 Méthode de l’intégrale de la caractéristique . . . . . . . . . . . . . . . . 179
5.5.2 Méthode de la conductance dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5.5.3 Méthode de la résistance dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
5.5.4 Méthode utilisant le package FindFit de Mathematica . . . . . . 186
5.5.5 Méthode des cinq points . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
5.5.6 Méthode des moindres carrés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
5.6 Modélisation des cellules solaires organiques à hétérojonctions
distribuées en volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances d’une cellule
solaire organique ou inorganique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
5.7.1 Effet de la résistance série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
5.7.2 Effet de la résistance parallèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.7.3 Effet du courant de saturation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
5.7.4 Effet du facteur d’idéalité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
5.7.5 Effet du photo-courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
5.8 Conclusion et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.9 Publications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210

CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES . . . . . . . . . . . . . . 211

Appendix A : Calcul de la différentielle de la fonction de

Bernoulli d [ψi−1 − ψi ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217

Appendix B : La fonction de LambertW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221

B.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
B.2 Calcul de la dérivée et de l’intégrale de LambertW (x) . . . . . . . . . . . 223
B.2.1 Calcul de la dérivée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
B.2.2 Calcul de l’intégrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
 Table des matières xiii

Liste des Figures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224

Liste des tableaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232

Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
Résumé

Dans cette Thèse nous nous intéressons à l’étude tant sur le plan théorique
qu’expérimental du composant de base de la conversion photovoltaı̈que : la
cellule solaire. Après une introduction générale qui met en valeur les énergies
renouvelables et souligne leurs avantages économiques, écologiques et environ-
nementaux par rapport aux énergies d’origine fossile, nous passons en revue
la structure, les types de liaison et les bandes d’énergie d’un matériau solide,
puis nous particularisons au semi-conducteur. Partant des équations de Maxwell,
nous établissons les équations de base du semi-conducteur, à savoir l’équation de
Poisson et les deux équations de continuité des électrons et des trous. Ensuite,
nous procédons à la discrétisation de l’équation de Poisson selon un schéma aux
différences finies et à la discrétisation des équations de continuité selon le schéma
de Gummel-Scharfetter. Puis, nous résolvons le système d’équations obtenu de
manière itérative selon l’algorithme de Newton-Raphson. L’étude expérimentale
effectuée entièrement au LIOS affilié à JKU de Linz (Autriche) a pour objectif la
fabrication et la caractérisation de cellules solaires organiques photovoltaı̈ques à
base d’hétérojonctions distribuées en volume utilisant deux polymères conjugués
comme matériaux donneurs P3HT et AnE-PVstat et la molécule PCBM comme
matériau accepteur. L’étude comparative des cellules fabriquées montre que
le rendement d’un composant dépend des proportions donneur:accepteur du
mélange dont il est issu.
Pour bien comprendre les mécanismes électroniques et optiques se produisant
à l’intérieur de la cellule solaire et qui sont susceptibles d’affecter ses ca-
ractéristiques et sa performance, et en vue de cerner le rôle des paramètres du
xvi Table des matières

circuit équivalent qui décrivent ces mécanismes, plusieurs circuits électroniques

modélisant le composant photosensible sont présentés et un seul modèle à cinq
paramètres est choisi. Plusieurs méthodes d’extraction sont exposées et trois sont
retenues pour l’extraction des paramètres physiques des cellules solaires orga-
niques fabriquées. L’étude des effets de ces paramètres sur le fonctionnement et
sur le rendement énergétique de la cellule solaire est aussi effectuée. Ainsi, les
intervalles de variation des caractéristiques métriques, du facteur de forme et du
rendement sous l’influence des variations des paramètres physiques peuvent être
identifiés.

Mots clés : Schéma aux différences finies, Schéma de Gummel-Scharfetter, Méthode

des sur-relaxations successives, Matrice Jacobienne, Algorithme de Newton-
Raphson, Maple, Cellules solaires organiques à base d’hétérojonctions distribuées
en volume, P3HT:PCBM, AnEPVstat:PCBM, Spin-coating, IPCE, EQE, IQE, Ma-
thematica, Modèle équivalent, Paramètres physiques, Méthodes d’extraction
Abstract

This thesis is devoted to theoretical and experimental studies of the basic device
of photovoltaic conversion : the solar cell. First, renewable energies are highlighted
in a general introduction and their economic, ecologic and environmental advan-
tages in comparison with fossil energy resources are emphasized, then, a revue
of structure, types of bonds and energy bands of a solid material is presented
and the case of a semiconductor is considered. Starting from Maxwell equations,
the basic semiconductor equations namely Poisson’s equation and the continuity
equations of electrons and holes are established. Next, discretizations of Poisson’s
equation using a finite difference scheme and of the continuity equations by the
Gummel-Scharfetter scheme are performed. The obtained system of equations is
solved iteratively according Newton-Raphson algorithm. The experimental part
of the work, entirely achieved in LIOS affiliated to JKU at Linz (Austria), aims
the fabrication and the characterization of organic bulk heterojunction solar cells
based on two different polymers used as donors P3HT and AnE-PVstat and the
molecule PCBM as acceptor. A comparative study of the fabricated solar cells
indicates that the device efficiency depends on the donor:acceptor ratio. In or-
der to understand electronic and optical mechanisms occurring within a solar
cell and which may affect its characteristics and performance, and to identify
the role of the equivalent circuit parameters describing these mechanisms, many
electronic circuits modelling the solar cell are presented and only the five physical
parameters circuit is chosen. Several physical parameters extraction methods are
exposed in details and only three of them are retained to extract the five physical
parameters of the fabricated solar cells. The effects of each physical parameters
xviii Table des matières

on the solar cell efficiency are investigated. Thus, the variation intervals of the
photovoltaic metrics, fill factor and efficiency under the influence of parameters
variations can be identified.

Keywords : Finite difference scheme, Gummel-Scharfetter scheme, Successive

over-relaxation method, Jacobien matrix, Newton-Raphson Algorithm, Maple,
Organic bulk heterojunction solar cell, P3HT:PCBM, AnEPVstat:PCBM, Spin-coating,
IPCE, EQE, IQE, Mathematica, equivalent Model, Physical parameters, Extrac-
tion methods.
Liste des abréviations

e Charge élémentaire de l’électron.

n Concentration des électrons.
p Concentration des trous.
me,h Masse effective de l’électron, du trou.
k Constante de Boltzmann.
T Température.
h Constante de Planck.
EF Energie du niveau de Fermi.
Ec Energie du bas de la bande de conduction.
Ev Energie du haut de la bande de valence.
Nc Densité effective d’états des électrons dans la bande de conduction.
Nv Densité effective d’états des trous dans la bande de valence.
Eg Energie de gap, ou bande interdite.
ni Concentration intrinsèque des porteurs de charge.
EF i Position du niveau de Fermi dans un semi-conducteur intrinsèque.
NA Concentration d’accepteurs.
ND Concentration de donneurs.
EFn,p Quasi niveau de Fermi dans un semi-conducteur dopé n, p
φFi Différence entre l’énergie du niveau de Fermi à l’état extrinsèque
et celui à l’état intrinsèque.
c Célérité de la lumière dans le vide et dans l’air.
xx Liste des abréviations

λ Longueur d’onde.
Eλ Energie qui correspond à la longueur d’onde λ.
λc Longueur d’onde de coupure.
H Champ magnétique.
→
−
J Densité de courant électrique.
→
−
D Flux électrique ou vecteur déplacement électrique.
t Temps
→
−
E Vecteur champ électrique.
→
−
B Vecteur induction magnétique.
ρ Densité volumique de charges.
r Permittivité relative.
0 Permittivité dans le vide.
 Permittivité absolue.
→
−
A Potentiel vecteur.
ψ Potentiel électrostatique.
ρ Densité volumique de charges.
Jn Densité du courant d’electrons.
Jp Densité du courant de trous.
R Taux de génération - recombinaison.
Br Coefficient de recombinaison.
σn,p Conductivité d’un semi-conducteur de type n, p.
µn,p Mobilité des électrons, des trous.
Dn,p Constante de diffusion de l’électrou, du trou.
Ln,p Longueur de diffusion de l’électrou, du trou.
 Liste des abréviations xxi

τn,p Durée de vie de l’électrou, trou.

i Indice du maillage.
hi,i−1 Pas du maillage.
x Abscisse.
u Fonction arbitraire.
N Nombre de nœuds.
2
λ Facteur de Debye.
B(x) Fonction de Bernoulli.
NA− Concentration des accepteurs chargés négativement
ND+ Concentration des donneurs chargés positivement.
ω Constante égale à 0 ou à 1.
Iph Photocourant.
Is Courant de saturation.
n Facteur d’idéalité.
Rsh Résistance parallèle.
Gp Conductance parallèle.
Rs Résistance série.
Isc Courant en court-circuit.
Voc Tension en circuit-ouvert.
Imax Courant au point de puissance maximale.
Vmax Tension au point de puissance maximale.
Pmax Puissance maximale.
F F Facteur de Forme.
η Rendement de conversion.
Liste des constantes

Vitesse de la lumière dans le vide c = 2.998 108 m/s.

Permittivité de vide 0 = 8.854 10−12 F/m.
Perméabiilité de vide µ0 = 4π 10−7 H/m.
Constante de Boltzmann k = 1.381 10−23 J/K.
Constante de Planck h = 6.626 10−34 Js.
Masse de l’électron m0 = 0.911 10−30 Kg.
Masse de du proton Mp = 1.672 10−27 Kg.
Masse de du neutron Mn = 1.675 10−27 Kg.
Charge de l’électron e = 1.602 10−19 C.
Constante de Stephan-Boltzman σ = 5.669 10−8 W m−2 K 4 .
Unité de masse atomique uma = 1.66 10−27 kg.
L’énergie thermique à la température ambiante (T = 300o K) kT = 25.9 mev.
1

INTRODUCTION

1. Les énergies renouvelables, pourquoi ?

2. Les énergies fossiles face aux énergies renouvelables

3. Bref historique

4. La problématique énergétique au Royaume du Maroc

5. Histoire des semi-conducteurs organiques

6. Plan du mémoire
2 1 INTRODUCTION

1.1 Les énergies renouvelables, pourquoi ?

Actuellement, l’humanité est entrain de faire face à deux problèmes cruciaux qui
menacent l’environnement de notre planète terre et aussi notre développement
durable, ces deux problèmes sont tout les deux intimement liés à la problématique
énergétique. En effet, le nombre d’êtres humains ne cesse d’augmenter et leurs
besoins énergétiques croissent de manière exponentielle. Les réserves énergétiques
conventionnelles qui sont pour la plus grande partie d’origine fossile (Pétrole,
Gaz naturel et Charbon) étant limitées se retrouvent souvent en état de sur-
éxploitation et leur production et acheminement vers les pays consommateurs
sont souvent menacés par des tensions géopolitiques (Cas du détroit d’Hormuz).
D’autre part, la consommation excessive des dérivés du pétrole durant le siècle
dernier, a augmenté d’une façon considérable le taux de gaz carbonique dans
l’atmosphère, ce qui a eu pour effet l’augmentation du phénomène de l’effet de
serre (réchauffement climatique) et a conduit à des bouleversements du climat
et aux désastres écologiques qui leurs sont liés (sécheresse sévères et inondations
catastrophiques).
Pour réduire leurs dépendance vis à vis des énergies d’origine fossile dont ils
ne sont pas producteurs ou dont la production locale ne comble pas leurs be-
soins, et pour se conformer aux impératifs de réduction du taux de carbone dans
l’atmosphère imposés par les accords internationaux issus des conférences sur le
climat, un bon nombre de pays industrialisés se sont tournés vers les énergies re-
nouvelables : l’énergie solaire avec ses deux composantes photovoltaı̈que et ther-
mique, l’énergie éolienne, l’énergie hydroélectrique, l’énergie marée motrice, la
biomasse et l’énergie nucléaire. Depuis la catastrophe de Fukushima au Japon,
 1.2 Les énergies fossiles face aux énergies renouvelables 3

il semble que la notion de risque maitrisé dans le domaine du nucléaire a fait

son temps. Par conséquent, l’énergie nucléaire ne fait plus partie du panel des
énergies renouvelables sur lequel les gouvernements peuvent compter.

1.2 Les énergies fossiles face aux énergies renouvelables

Les énergies fossiles désignent l’énergie produite à partir du pétrole, du charbon ou

du gaz naturel. Leurs stocks actuels sont en quantités limitées et par conséquent
ils sont à terme épuisables contrairement aux énergies renouvelables (voir figure
1.1) [1].

Figure 1.1: Les réserves mondiale en ressources naturelles [1].

4 1 INTRODUCTION

Les énergies renouvelables présentent plusieurs avantages : leurs réserves sont

théoriquement inépuisables, elles sont sures et abondantes mis à part l’énergie
éolienne qui est plus disponible sur les côtés ouest des continents, leur utilisa-
tion n’a aucun impact négatif sur l’environnement. Cependant, leurs exploitation
nécessite une certaine maı̂trise technologique qui n’est pas à la portée de tous les
pays et leur utilisation reste limité (voir figure 1.2).

Figure 1.2: Consommation mondiale d’énergie en 2012 [2].

L’augmentation exponentielle du prix du baril de pétrole et la dépendance des

pays consommateurs vis à vis des hydrocarbures produits au Moyen Orient ou
du gaz naturel produit en Russie a poussé les pays développés à recourir à la
biomasse comme une énergie d’appoint susceptible de réduire leur dépendance
à l’égard de l’extérieur. La biomasse participe au traitement et à la destruction
des déchets organiques. Son écobilan est neutre dans le sens où elle émet autant
de gaz carbonique qu’elle en absorbe, elle peut donc constituer une bonne al-
ternative au pétrole. La biomasse est ainsi utilisée pour produire de l’électricité,
de la chaleur ou les deux à la fois via la combustion de déchets et de résidus
 1.2 Les énergies fossiles face aux énergies renouvelables 5

de matières organiques de différentes origines végétale ou animale. La biomasse

comprend trois familles principales :
- Le bois énergie ou biomasse solide,
- Le biogaz et
- Les biocarburants.
Il existe principalement deux filières industrielles de biocarburants : le bioéthanol
qui est le premier carburant d’origine végétale à avoir été utilisé, il est issu de
la betterave, de la canne à sucre, du maı̈s ou du blé. Et le biodiesel qui est issu
des graines oléagineuses (de colza, de soja ou de palme). Ces deux biocarburants
peuvent être utilisés purs ou comme additifs aux carburants classiques.
En dépit de leurs avantages apparents, les biocarburants présentent certains in-
convénients :
– Leur coût de production est très onéreux, jusqu’à trois fois plus que l’essence,
– Ils nćessitent de très grandes surfaces arables et leur culture ne peut s’effectuer
sans une consommation excessive d’eau.
– Ainsi, les biocarburants représentent une menace pour la sécurité alimentaire
dans la mesure où ils contribuent à l’augmentation des prix des matières orga-
niques (colza, soja, palme, maı̈s ...) et à la diminution des stocks mondiaux de
céréales qui n’ont jamais été aussi bas depuis 30 ans.
– Les biocarburants pourraient même contribuer au réchauffement climatique,
Paul J. Crutzen, prix Nobel de chimie, affirme que ”les biocarburants rejettent
en fait plus de gaz à effet de serre qu’ils n’en absorbent si on tient compte des
engrais utilisés dans les méthodes de culture modernes. Ils rejettent aussi de
l’oxyde nitreux, qui est 300 fois plus nocif pour le climat que le dioxyde de
6 1 INTRODUCTION

carbone” [3].

Si les biocarburants se sont imposés comme une partie de l’énergie de demain, il

semble en revanche qu’ils ne feront pas partie de celle d’après demain.

Dans ce mémoire de Thèse, nous nous intéréssons à l’énergie solaire qui est à
l’origine de toutes les autres énergies renouvelables. Nous nous intéréssons plus
particulièrement à la cellule solaire photovoltaı̈que qui est la composante essen-
tielle dans le processus de conversion des photons en courant électrique.
La technologie photovoltaı̈que présente des avantages sur les plans économique,
environnemental et écologique. Le panneau photovoltaı̈que fini ne produit pas de
déchets, ne dégage pas de CO2 lors de son fonctionnement, il est silencieux et
n’entraı̂ne pas de perturbation environnementale, les panneaux photovoltaı̈ques
sont totalement recyclés en fin de vie [4, 5]. Nous parlons alors d’une boucle
doublement verte. Après recyclage, ces panneaux auront une seconde vie et seront
de nouveau utilisés pour produire de l’énergie électrique verte [6]. Ainsi, pour
compenser totalement son coût de fabrication énergétique, il lui faut de 2 à 3
années (selon le lieu de l’installation) de production d’électricité. La garantie de
production du panneau photovoltaı̈que est de 20 à 25 ans, après cette durée de
vie il continue à fonctionner mais son rendement décroı̂t avec le temps [4, 5].

1.3 Bref historique

La découverte de l’effet photoélectrique est attribuée à Alexandre Edmond Bec-

querel en 1839 [7, 8]. Ce dernier a mis en évidence la circulation d’un courant
 1.3 Bref historique 7

électrique entre deux électrodes enrobées par des matériaux photosensibles tels
que AgCl ou AgBr, déposées dans une boı̂te noire remplie par une solution acide et
illuminées par une lumière incidente avec différentes longueurs d’onde. Plus tard,
un développement majeur s’est produit lorsque Willoughby Smith a découvert, en
1873, l’effet photo-conductif dans le Sélénium [9]. En 1876, William Grylls Adams
et Richard Evans Day ont prouvé qu’il est possible de convertir l’énergie solaire en
courant électrique sans faire appel à aucun dispositif mécanique supplémentaire
[10]. En 1883, Charles Fritts a effectué la description de la première cellule solaire
qu’il allait construire en 1894 en déposant une couche fine d’Or sur un substrat
de Sélénium [11, 12].
En 1905, Albert Einstein a publié l’article où il a annoncé l’effet photo-électrique.
Il y a affirmé que la lumière est constituée de grains d’énergie appelés photons,
et que l’énergie portée par un grain ne dépend que de la fréquence de l’onde
qui lui est associée [13]. Bien qu’elle ait été très simple, cette théorie s’est révélé
révolutionnaire puisqu’elle a expliqué pourquoi la matière absorbe des photons
de longueurs d’onde bien déterminées et n’absorbe pas d’autres photons. Cette
théorie a valu à son auteur le prix Nobel de Physique en 1923.
En 1916, Robert Andrews Millikan a apporté la preuve expérimentale de l’ef-
fet photoélectrique et a effectué une mesure précise de la charge élémentaire de
l’électron, ce qui lui a valu le prix Nobel de Physique en 1923 [14].
En 1918, Jan Czochralski a développé un procédé chimique permettant la crois-
sance du Silicium monocristallin [15], ce qui ouvrira la voie des années plus tard,
devant l’utilisation de ce semi-conducteur dans la fabrication des cellules solaires à
base de Silicium. En 1941, Russel S. Ohl des laboratoires Bell a décrit la première
8 1 INTRODUCTION

cellule solaire à base d’une jonction p-n de semi-conducteur [16, 17]. Cette jonction
a été créée naturellement dans des mélanges de Silicium suite à une lente solidi-
fication. L’étude des propriétés de cette cellule solaire, a conduit à une meilleure
compréhension des rôles des impuretés de types donneur et accepteur dans le
contrôle des propriétés du semi-conducteur et par conséquent à la révolution de
la microélectronique qui se produira environ une décennie plus tard [18].

1.4 La problématique énergétique au Royaume du Maroc

Le Maroc est le seul pays arabe qui n’est producteur ni de pétrole ni de gaz
naturel. Il possède certaines réserves de schistes bitumineux dans la région d’Es-
saouira qui ne sont pas exploitées car le coût de production de ces hydrocarbures
est très onéreux. Sa production de charbon des mines de Jerada a cessé au début
du millénaire à cause d’un défaut de compétitivité. Par conséquent, notre pays
importe quasiment tous ces besoins énergétiques de l’étranger (voir figures 1.3 et
1.4), ce qui pèse très lourd sur sa facture des paiements, diminue le taux de cou-
verture des importations par les exportations et aggrave son déficit commercial.
 1.4 La problématique énergétique au Royaume du Maroc 9

Figure 1.3: Consommation de l’énergie et production de l’électricité au Maroc

[19].

Figure 1.4: Emissions de CO2 et consommation de l’énergie au Maroc [19].

Conscients de cette dépendance énergétique, et en vue de rendre notre pays moins

dépendant des hydrocarbures et de charbon importés, les pouvoirs publics maro-
cains ont mis sur pieds une politique de diversification des ressources d’énergie
qui vise surtout à exploiter les potentiels importants de notre pays dans les do-
10 1 INTRODUCTION

maines de l’éolien et du solaire.

En raison de sa situation géographique, situé au nord ouest du continent africain
et possédant un littoral d’environ 3500 km de longueur, le Maroc dispose de gise-
ments éolien et solaire importants. L’exploitation du gisement éolien a commencé
le 29 août 2000 par la mise en service du parc éolien Abdelkhalek Torres situé
à lkoudia lbaida à 40 km à l’est de la ville de Tanger. Ce parc dispose d’une
puissance installée de 50.4 MW et est en mesure de produire 226 GWh/an. La
région de Tanger-Tétouan possède aussi un parc expérimental, dont la mise en
service a eu lieu le 24 octobre 2000, qui dispose d’une puissance installée de 3.5
MW et qui est a même de produire 14.5 GWh/an. Le troisième parc éolien a été
mis en service en avril 2007, il est situé à 15 km au sud de la ville d’Essaouira. Ce
parc dispose d’une puissance installée de 60 MW et est capable de produire 200
GWh/an. Les perspectives de l’éolien au Maroc sont très prometteuses et d’autres
parcs peuvent venir s’installer dans les régions les plus venteuses du pays telles
que Dakhla, Essaouira, Laâyoune, Tanger-Tétouan, Tarfaya, Taza etc...
L’exploitation du gisement solaire a commencé en 2009 par la mise en service de
la centrale thermo-solaire à cycle combiné de Ain Beni Mathar qui dispose d’une
puissance installée de 472 MW dont 20 MW d’origine solaire.
Pour encadrer le développement de l’énergie solaire, le gouvernement marocain
a entrepris certaines réformes qui ont commencé par la proposition et le vote
de lois sur les énergies renouvelables et l’efficacité énergétique, la transformation
du Centre de Développement des Energies Renouvelables (CDER) en Agence
Nationale pour le Développement des Energies Renouvelables et de l’Efficacité
Energétique (ADEREE), la création de la ”Moroccan Agency for Solar Energy”
 1.4 La problématique énergétique au Royaume du Maroc 11

(MASEN), la création de la Société d’Investissement Energétique (SIE) et la

création de l’Institut de Recherche en Energie Solaire et Energies Nouvelles (IRE-
SEN).
Le premier projet postérieur à ces réformes est celui du parc thermo-solaire de
Tamzaghten Izerki situé à 10 km à l’est de la ville de Ouarzazate. Ce parc dispo-
sera à la fin du projet d’une puissance installée de 500 MW et d’un productible
estimé à 1150 GWh/an. Ce projet est le premier d’une série de 5 complexes so-
laires qui totaliseront à terme une puissance de 2 000 MW à l’horizon 2020 (voir
figures 1.5 et 1.6).

Figure 1.5: Carte d’irradiation solaire du Royaume du Maroc avec les cinq com-
plexes solaires prévus [20].
12 1 INTRODUCTION

Figure 1.6: Plan d’équipement 2010-2020 du Royaume du Maroc [20].

Au Maroc, la conversion de l’énergie solaire en électricité par le biais de panneaux

solaires photovoltaı̈ques est encore au stade embryonnaire. Le premier projet que
nous pouvons citer est celui de la centrale de Tit Mellil constituée de 1024 pan-
neaux solaires d’une puissance totale de l’ordre de 50 kW inaugurée en 2007. Cette
centrale débite l’énergie produite sur le réseau national. Le deuxième projet est
celui de la centrale située à l’aéroport Mohammed V dont la puissance installée
est de l’ordre de 150 kW. Nous signalons aussi que le solaire photovoltaı̈que est
fortement utilisé dans l’électrification rurale au Maroc puisque il s’adapte très
bien avec la réalité de l’éclatement des douars en maisons isolées. Cependant, la
puissance totale de toutes ces installations est encore faible et le développement
de ce secteur est freiné par le coût de production qui demeure élevé à cause
du prix des matériaux et de la technologie utilisée dans la fabrication des pan-
neaux solaires. Mais, nous pensons que l’introduction de matériaux nouveaux tels
que les semi-conducteurs organiques contribuera sûrement dans la diminution des
 1.5 Histoire des semi-conducteurs organiques 13

coûts de production, et par conséquent jouera en faveur de la généralisation de

la conversion de l’énergie solaire par la voie photovoltaı̈que.

1.5 Histoire des semi-conducteurs organiques

Pendant longtemps, la plus part des cellules solaires photovoltaı̈ques étaient pro-
duites à partir de jonctions p-n à base de Silicium et d’autres semi-conducteurs
inorganiques, et étaient essentiellement fabriquées en utilisant des techniques de
croissance physiques. Ces types de cellules solaires présentent les deux avantages
suivants : ils peuvent atteindre des rendements importants et leurs durées de
vie lors d’une utilisation externe sont relativement longues. Malheureusement,
leurs procédés de manufacture sont assez compliqués et leur coût de fabrication
est relativement élevé ce qui a ralenti le développement du secteur de l’énergie
solaire photovoltaı̈que. En 1977, A. G. McDiarmid, A. J. Heeger et H. Shira-
kawa [21, 22] ont découvert la conductivité électrique du polyacetylène dopé au
Chlore et ont ainsi jeté les bases d’une nouvelle discipline qui sera nommée plus
tard l’électronique organique. Après trois décennies de recherches scientifiques
intenses dans le domaine des polymèrs π-conjugués visant le développement de
nouveaux semi-conducteurs organiques, ces trois éminents scientifiques ont été
récompensés du prix Nobel de chimie en 2000. Depuis leurs travaux pionniers,
d’énormes progrès ont été réalisés dans le design, la synthèse des polymèrs π-
conjugués et aussi dans la fabrication, la caractérisation et la modélisation de
composants organiques tels que les diodes électroluminescentes à base de po-
lymèrs (PLEDs) [23], les transistors à effet de champs organiques (OFETs) [24]
et aussi les cellules solaires photovoltaı̈ques organiques (OPVSCs) [25].
14 1 INTRODUCTION

Les polymèrs semi-conducteurs présentent de très nombreux avantages en com-

paraison avec les semi-conducteurs inorganiques. Leur écobilan est positif. En
effet, leur synthèse se fait à froid et ne consomme pas beaucoup d’énergie. En
conséquence, leur processus de fabrication ne contribue pas au dégagement de
gaz à effet de serre. Nous pouvons dire que les coûts environnemental et nerg-
tique de fabrication d’une cellule solaire organique est nettement plus bas que son
homologue inorganique. Contrairement à la filière inorganique, le coût de produc-
tion des semi-conducteurs organiques est beaucoup plus faible. Leurs procédés de
fabrication sont accessibles et les choix multiples offerts lors des modifications chi-
miques des molécules conduisent à chaque fois à de nouvelles propriétés optiques
et électroniques.

1.6 Plan du mémoire

Le présent mémoire de Thèse est dédié à l’étude tant sur le plan théorique
que éxpérimental de la composante essentielle du processus de production de
l’életricité photovoltaı̈que à savoir la cellule solaire.

Ce mémoire de Thèse se décline en cinq chapitres distincts. Après une intro-

duction générale objet du présent chapitre, nous passons en revue au deuxième
chapitre les équations clés qui gouvernent les propriétés électroniques et optiques
d’un semi-conducteur qu’il soit intrinsèque ou extrinsèque. Cette revue commence
par les équations donnant les densités de porteurs de charges ainsi que le ni-
veau de Fermi en fonction des concentrations de dopage. Puis, nous exposons
brièvement ce qui se produit lors de la mise en contact de deux semi-conducteurs
 1.6 Plan du mémoire 15

de conductivités différentes. La revue est close par l’établissement des équations

du semi-conducteur à savoir l’équation de Poisson et les deux équations de conti-
nuité de l’électron et du trou.

Le troisième chapitre est consacré à la simulation d’un composant optoélectronique

photosensible à une dimension. Cette simulation est effectuée moyennant la
résolution des équations du semi-conducteur par la méthode des sur-relaxations
successives puis par la méthode de la matrice Jacobienne. Le protocole que
nous suivons lors de la résolution selon ces deux méthodes est le même. Tout
d’abord, nous effectuons une discrétisation selon un schéma aux différences fi-
nies pour l’équation de Poisson et selon un schéma de Gummel-Scharfetter pour
les deux équations de continuité. Puis, nous procédons à une linéarisation des
trois équations. Ensuite, nous résolvons numériquement, pour chaque méthode,
le système d’équations obtenu d’une manière itérative et déterminons en fonction
de la profondeur dans le composant optoélectronique, le potentiel électrostatique,
le champ électrique, les densités de charges, les niveaux de Fermi et la charge
électrostatique totale.

Au quatrième chapitre, nous présentons une étude expérimentale détaillée de

cellules solaires organiques à hétérojonction distribuée en volume. Cette étude
expérimentale a été entièrement réalisée à l’Institut des Cellules Solaires Orga-
niques de Linz Autriche affilié à l’Université Johannes Kepler. Ce nouveau concept
de cellule solaire organique à hétérojonction distribuée en volume où les molécules
de type donneur et accepteur se mélangent et s’interpénètrent pour donner nais-
16 1 INTRODUCTION

sance à une hétérojonction distribuée, s’est imposé après avoir conduit à des
rendements meilleurs par rapport au concept de la cellule solaire organique bi-
couche. Dans l’étude que nous présentons, nous commençons par la préparation
des solutions organiques contenant les polymères de type p et n. Ensuite, nous
préparons le substrat sur lequel est déposée une fine couche d’un métal organique
puis la couche active. Enfin, nous évaporons un contact métallique pour donner
naissance à un composant fonctionnel. Dans notre étude, nous faisons appel à
deux mélanges pour réaliser la couche active. Le premier mélange est le classique
P3HT:PCBM où le polymère conjugué Poly (3-hexylthiophène-2 ,5-diyle) joue le rôle
de la molécule de type donneur (conductivité p) et le polymère conjugué Phényl-
C61-butyrique acide d’ester méthylique joue le rôle de la molécule de type accep-
teur (conductivité n). Le second mélange est le AnE-PVstat:PCBM où le nouveau
polymère AnE-PVstat joue le rôle de la molécule de type donneur. Dans notre
étude expérimentale, nous effectuons tout d’abord une mesure des spectres d’ab-
sorption des polymères P3HT et de AnE-PVstat. Enfin nous procédons à des me-
sures de caractéristiques courant-tension (I = f (V )), de rendements quantiques
externes (EQE) et de rendement de conversion de photons incidents en courant
(IPCE) pour chaque cellule solaire fabriquée. L’objectif principal de cette étude
expérimentale est la comparaison des deux polymères conjugués utilisés comme
matériaux donneurs dans la fabrication de cellules solaires organiques ainsi que
l’examen de l’effet des proportions du donneur et de l’accepteur sur les perfor-
mances de chaque mélange de polymères conjugués.
 1.6 Plan du mémoire 17

Dans le dernier chapitre, nous modélisons la cellule solaire organique par un cir-
cuit à cinq paramètres physiques : un générateur de photo-courant, une diode
avec un courant de saturation et un facteur d’idéalité, une résistance parallèle
et enfin une résistance série. Ensuite, nous exposons les différentes méthodes
numériques utilisées dans l’extraction de ces paramètres physiques à partir de
la caractéristique courant-tension. Enfin, nous appliquons ces méthodes aux ca-
ractéristiques courant-tension mesurées dans le quatrième chapitre et déterminons
les paramètres physiques de cellules solaires organiques à base d’hétérojonction
distribuée en volume à base des mélanges P3HT:PCBM et AnE-PVstat:PCBM.
2

NOTIONS FONDAMENTALES SUR LA

PHYSIQUE DES DISPOSITIFS

PHOTOVOLTAIQUES

1. Notions fondamentales sur les solides et structure de bandes d’énergies

2. Types de Semi-conducteurs

3. Physique des cellules solaires Photovoltaı̈ques

4. Les équations du semi-conducteur

5. Conclusion
20 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

2.1 Solides et structure de bandes d’énergies

2.1.1 Structures des solides

Les matériaux solides ou liquides peuvent être utilisés dans les dispositifs photo-
voltaı̈ques. Les cellules solaires à homojonction, à hétérojonction, métal-semiconducteur
et certaines cellules solaires à colorant utilisent des structures tout-solide, alors
que les semi-conducteurs-liquides et beaucoup de cellules solaires à colorant uti-
lisent des structures solide-liquides. Ces matériaux peuvent être inorganiques ou
organiques. Les liquides sont généralement des électrolytes. Les solides peuvent
être des métaux, semi-conducteurs, isolants ou des électrolytes solides [28].
Les solides utilisés dans les systèmes photovoltaı̈ques peuvent être amorphes ou
cristallins (polycristallins). Le premier état dans lequel l’arrangement des atomes
est aléatoire est dit amorphe. Le deuxième état dans lequel les atomes sont ar-
rangés régulieurement aux n œuds d’un réseau est l’état cristallisé.
Les matériaux qui se solidifient dans un état amorphe sont généralement ap-
pelés des verres. Cet état ne diffère de l’état liquide que par le taux de visco-
sité. Tout liquide dont la viscosité de cisaillement est supérieure à 1013 poises
(1 P ascal.second = 10 P o) est appelé verre [29].
Le deuxième état, qui nous intéresse plus particulièrement est l’état cristalisé dont
les atomes sont ordonnés suivant un réseau périodique symétrique. le résultat est
un ensemble de noyaux et d’électrons liés entre eux par des forces essentiellement
coulombiennes. Ces forces sont connues mais leurs interactions sont tellement
complexes [29]. Il y a 14 réseaux cristallins (réseaux de Bravais) possibles dans
l’espace tridimensionnel (figure 2.1) [30]. Le système cubique est le système dans
 2.1 Solides et structure de bandes d’énergies 21

lequel cristallisent la grande majorité des semi-conducteurs et en particulier le sili-

cium, le germanium, la plus part des composés III-V et cernains composés II-VI.

Multiplicité m=1 m=2 m=4

Type de réseau Primitif (P) Centré (I) Bases centrées (C) Faces centrées (F)
~c ~c ~c

Cubique
a=b=c ~b ~b ~b

α=β=γ ~a ~a ~a

Rhomboédrique ~c

a=b=c y

α = β = γ 6= 90o ~a ~b

~c

Hexagonal
a = b 6= c
α = β = 90o ~b
y
γ = 120o ~a

~c ~c

Quadratique
a = b 6= c
α = β = γ = 90o ~b ~b
~a ~a

~c ~c ~c ~c

Orthorhombique
a 6= b 6= c
α = β = γ = 90o ~b ~b ~b ~b
~a ~a ~a ~a

z z

Monoclinique ~c ~c

a 6= b 6= c
α = γ = 90o ~b y ~b y
~a ~a
β 6= 90o
x x

~c
Triclinique
a 6= b 6= c y
α 6= β 6= γ 6=90˚ ~a ~b

Figure 2.1: Les 14 réseaux de Bravais [31].

22 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

2.1.2 Types de liaisons dans les solides

Les atomes dans certains solides sont assemblés d’une manière ordonée donnant
naissance à une structure régulière. Pour assurer cette structure, il existe trois
types de liaisons inter-atomiques :
– La liaison ionique : ou liaison électrovalente est un type de liaison chimique
qui peut être formé par une paire d’atomes possédant une grande différence
d’électronégativité, elle correspond au transfert d’un ou de plusieurs électrons
d’un atome métal vers un atome voisin non métal comme pour le cristal de
NaCl.
– La liaison métallique : Les métaux se distinguent par le fait qu’ils peuvent don-
ner facilement une partie de leurs électrons de valence, et la liaison métallique
consiste en un arrangement régulier d’ions positifs baignant dans un gaz
d’électrons qui assurent les liaisons et la conduction.
– La liaison covalente : elle résulte du partage de deux électrons de valence entre
deux atomes non-métaux. Elle sexerce dans une direction bien définie. Son
champs daction est limité aux atomes voisins. Grâce au recouvrement des orbi-
tales atomiques il y a formation des orbitales moléculaires qui sont solutions de
l’équation de Shrödinger relative à cette molécule. Le recouvrement axial des
orbital atomique donne naissance à des liaisons σ fortes et il ne peut exister
qu’une liaison σ entre deux atomes. Les liaisons π résultent du recouvrement
latéral entre deux orbitales atomiques, elles sont moins fortes que les liaisons
σ.
 2.1 Solides et structure de bandes d’énergies 23

2.1.3 Formation de bandes d’énergies dans un solide

Les orbitales des électrons de valence se recouvrent partiellement pour former

une liaison chimique entre deux atomes voisin lorsque la distance entre ces deux
atomes est comparable à l’extension des fonctions d’onde, ce qui entraı̂ne une
scission des niveaux d’énergies correspondants, et ce pour respecter le principe
d’exclusion de Pauli selon lequel les électrons ne peuvent pas se trouver dans le
même état quantique [32]. Dans un solide, de très nombreux atomes liés les uns
aux autres occupent un volume très petit. En conséquence, les niveaux d’énergies
sont tellement proches qu’ils forment ce qui est connu par bandes d’énergies
comme montré sur la figure (2.2).

Figure 2.2: Formation de bandes d’énergies dans un solide à partir des niveaux
d’énergies de valence des atomes individuels [33].
24 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

2.1.4 Métal, Isolant et Semi-conducteur

Les matériaux peuvent être divisés en trois groupes selon leur résistivité. Les
matériaux avec une résistivité inférieure à 10−5 Ωcm sont considérés comme des
métaux. Leur dernière bande de valence est partiellement remplie et la conducti-
vité électrique s’effectue par les électrons libres de la première bande de conduc-
tion. Le niveau d’énergie de fermi de ce type de matériau est situé dans la bande
de conduction. La résistivité peut augmenter légèrement dans les métaux avec
la température. Les isolants sont des matériaux avec une résistivité supérieure
à 108 Ωcm, les électrons sont fortement liés aux atomes du cristal. Mais l’aug-
mentation de la température peut libérer des porteurs de charges (électrons et
trous) dans les isolants. La dernière bande de valence est entièrement pleine et la
première bande de conduction est vide. Les semi-conducteurs sont des matériaux
qui présentent une conductivité électrique intermédiaire entre les métaux et les
isolants et sont isolants au zéro absolu. Les semi-conducteurs, se trouvent dans
la colonne IV du tableau périodique, nous trouvons aussi des semi-conducteurs
composés III-V, II-VI et I-VII. Le taux de remplissage de la dernière bande de
valence est soit très faible soit très important. La conduction électrique dans un
semi-conducteur est assurée par deux types de porteurs : les électrons et les trous.

2.1.5 Structures de bandes d’énergies

L’état de plus basse énergie, appelé état fondamental, se compose de deux

électrons de spins opposés. C’est un état liant responsable de la liaison chimique.
Les bandes de faible énergie correspondent aux électrons participant à la cohésion
de la structure cristalline, ce sont les électrons dits de valence. L’état de plus haute
 2.2 Types de Semi-conducteurs 25

énergie, appelé état excité, présente un caractère anti-liant avec deux électrons
de spins opposés. Les bandes de plus haute énergie correspondent aux électrons
quasi-libres, ils sont susceptibles de se détacher de la structure et par conséquent
peuvent participer à la conduction électrique. La bande formée par les niveaux
occupés s’appelle la bande de valence, tandis que la bande des niveaux inoccupés
s’appelle la bande de conduction.
Nous distinguons les isolants des semi-conducteurs par la différence d’énergie qui
existe entre la dernière bande de valence et la première bande de conduction,
cette différence est appelée gap (voir figure 2.3). Le gap est donc la différence
d’énergie entre le maximum absolu de la dernière bande de valence et le mini-
mum absolu de la première bande de conduction dans l’espace réciproque. Les
semi-conducteurs dont le minimum de la bande de conduction et le maximum de
→
−
la bande de valence sont situés en des points différents de l’espace des k sont
dits à gap indirect. Les semi-conducteurs pour lesquels ces extremas sont situés
→
−
au même point de l’espace des k sont dits à gap direct.

2.2 Types de Semi-conducteurs

2.2.1 Semi-conducteur intrinsèque

Un semi-conducteur dépourvu de toute impureté susceptible de modifier sa propre

densité de porteurs est un semi-conducteur intrinsèque dont la conductivité [29],
liée essentiellement au nombre de porteurs libres, varie avec la température. Pour
un semi-conducteur pur, les électrons et les trous existent en paires n = p = ni ,
n et p sont, respectivement, les densités des électrons et des trous, ni est appelée
densité de porteurs intrinsèque. La statistique quantique montre que les électrons
26 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

Figure 2.3: Schéma de bandes d’un matériau isolant, d’un semi-conducteur et

d’un métal.

et les trous mobiles sont répartis, respectivement, dans la première bande de

conduction et la dernière bande de valence. Les concentrations des électrons (n)
et des trous (p) sont données respectivement par [29] :

3/2
EF − Ec EF − Ec
    
2πme kT
n=2 exp = Nc exp (2.1)
h2 kT kT

3/2
Ev − EF Ev − EF
    
2πmh kT
p=2 exp = Nv exp (2.2)
h2 kT kT

−Eg
 
np = Nc Nv exp = n2i (2.3)
kT

Dans le cas d’un semi-conducteur non dégénéré et à l’équilibre thermodynamique

(n = n0 , p = p0 , p0 n0 = n2i ), nous pouvons écrire :

EF i − EF
 
n0 = ni exp − (2.4)
kT
 2.2 Types de Semi-conducteurs 27

EF i − EF
 
p0 = ni exp (2.5)
kT

Le niveau de Fermi [29] traduit la répartition des électrons dans le système en

fonction de la température, c’est le niveau énergétique le plus élevé qu’un électron
de valence puisse occuper à la température T = 0o K, sa position est obtenue en
écrivant n = p, soit :

Ec − EF i Ev − EF i
   
Nc exp = Nv exp (2.6)
kT kT

ce qui donne :
Ec + Ev 1 Nv
EF i = + kT ln (2.7)
2 2 Nc

Le rapport Nv /Nc est remplacé par le rapport des masses effectives mh /me ,
l’équation (2.7) devient :

Ec + Ev 1 mh
EF i = + kT ln (2.8)
2 2 me

Le rapport des masses effectives est de l’ordre de l’unité dans les semi-conducteurs
à gap indirect et de l’ordre de 10 dans les semi-conducteur à gap direct. Il en
résulte que le niveau de fermi d’un semi-conducteur intrinsèque est toujours très
voisin du milieu du gap à température ambiante.

Ec + Ev
EF i ' (2.9)
2
28 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque

Le semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur dans lequel on a introduit

une impureté. Cette opération appelé dopage du semi-conducteur (SC) s’effec-
tue en introduisant des atomes spécifiques et permet de modifier les propriétés
électriques du semi-conducteur. Nous pouvons distinguer deux types de semi-
conducteurs extrinsèques selon la nature des atomes ajoutés :
i) Le semi-conducteur dont la conductivité est de type n, il est obtenu après in-
troduction d’une impureté pentavalente de type donneur. Dans ce type de SC la
concentration des électrons est largement supérieure à celle des trous [29].
ii) Le semi-conducteur dont la conductivité est de type p, il résulte de l’addition
d’une impurté trivalente de type accepteur. Dans ce type de SC la concentration
en trous est largement supérieure à la concentration en électrons [29].

2.2.2.1 Densité des porteurs

Considérons un semi-conducteur extrinsèque dopé avec une densité Nd d’atomes

donneurs et une densité Na d’atomes accepteurs. Etant donné que l’énergie due à
l’agitation thermique kT est du même ordre de grandeur que l’énergie de liaison
de l’électron excédentaire du donneur et celle du trou lié à l’accepteur, nous
pouvons estimer qu’à température ambiante presque toutes les impuretés sont
ionisées. L’équation de la neutralité électrique s’écrit alors :

n + Na = p + Nd (2.10)

– Semi-conducteur de type n [29]

 2.2 Types de Semi-conducteurs 29

Dans ce type de semi-conducteur, la densité des donneurs est supérieure à

celle des accepteurs Nd >> Na , donc n >> p. Les électrons sont appelés
porteurs majoritaires, les trous sont appelés porteurs minoritaires (voir figure
2.4). L’équation de la neutralité électrique associée à la relation np = n2i permet

Figure 2.4: Semi-conducteur dopé n [34].

d’écrire :
n2 − (Nd − Na )n − n2i = 0 (2.11)

Dans la pratique, Na , Nd et |Nd − Na | sont toujours supérieurs à ni , de sorte

que les densités des électrons et des trous s’écrivent respectivement :

n2i
n ' Nd − Na et p = (2.12)
Nd − Na

– Semi-conducteur de type p [29]

La densité des accepteurs est supérieure à celle des donneurs Nd << Na , donc
n << p. Dans ce cas, les trous sont les porteurs majoritaires et les électrons
sont les porteurs minoritaires (voir figure 2.5).
Les densités des électrons et des trous s’écrivent respectivement :
30 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

Figure 2.5: Semi-conducteur dopé p [34].

n2i
p ' Na − Nd et n = (2.13)
Na − Nd

2.2.2.2 Niveau de fermi

Dans un semi-conducteur non dégénéré, le niveau de fermi se rapproche d’autant

plus de la bande de porteurs majoritaires que le dopage est important.
Pour un semi-conducteur de type n, nous avons :

EF n − Ec
 
n = Nd − Na = Nc exp (2.14)
kT

Pour un semi-conducteur de type p, nous pouvons écrire :

Ev − EF p
 
p = Na − Nd = Nv exp (2.15)
kT

Le niveau de fermi dans chaque type de semi-conducteur est alors donné par :

 
Nc
EF n = Ec − kT ln (2.16)
Nd − Na
 2.2 Types de Semi-conducteurs 31

 
Nv
EF p = Ev + kT ln (2.17)
Na − Nd

En particulier pour Nd − Na = Nc , EF n = Ec et pour Na − Nd = Nv , EF p = Ev le

semi-conducteur devient alors dégénéré.
La position du niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque EF i
est souvent utile à déterminer. Pour un semi-conducteur intrinsèque :

EF i − Ec Ev − EF i
   
n = p = ni = Nc exp = Nv exp (2.18)
kT kT

Pour un semi-conducteur dopé :

EF − Ec Ev − EF
   
n = Nc exp et p = Nv exp (2.19)
kT kT

en posant eφF i = EF − EF i , les expressions précédentes permettent d’écrire :

−eφF i
   
eφF i
n = ni exp et p = ni exp (2.20)
kT kT

Pour un semi-conducteur de type n, n = Nd − Na , nous pouvons alors écrire :

Nd − Na
 
eφF i = kT ln (2.21)
ni

Pour un semi-conducteur de type p, p = Na − Nd , ce qui conduit a :

Na − Nd
 
eφF i = −kT ln (2.22)
ni
32 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

2.3 Physique des cellules solaires photovoltaı̈ques

Une cellule solaire est basée sur une jonction p-n, une description qualitative de
la performance de la cellule peut être donnée en terme d’un modèle simple basé
sur l’équation de la diode Shockley à l’obscurité et sous éclairement. Ce modèle
est suffisant pour comprendre les mécanismes de transport dans la cellule, et pour
prédire à peu près les paramètres de performance d’une cellule solaire.

2.3.1 Jonction p-n

La jonction p − n est à la base de la plupart des composants opto-électroniques

à semi-conducteurs. Elle est créée par la mise en contact d’un semi-conducteur
de type p et d’un semi-conducteur de type n. Une jonction est dite abrupte
si la transition de la zone p vers la zone n se fait brusquement. La différence
entre les concentrations des porteurs de charges de même type dans les régions
p et n va engendrer deux gradients de concentrations qui vont être à l’origine
de la diffusion des électrons de la partie n où ils sont majoritaires vers la partie
p où ils sont minoritaires, et des trous de la partie p où ils sont majoritaires
vers la partie n où ils sont minoritaires. Par conséquent, les trous de la région
p laissent derrière eux des atomes accepteurs ionisés, qui constituent autant de
charges négatives fixes. Les électrons de la région n laissent derrière eux des
atomes donneurs ionisés qui sont autant de charges positives fixes. Il apparaı̂t
alors au niveau de la jonction une zone contenant des charges fixes positives et
négatives (voir figure 2.6). Cette zone de charge d’espace est le siège d’un champ
électrique interne E qui s’oppose à la diffusion des porteurs libres. A terme, un
équilibre entre la diffusion et l’entrainement par le champ électrique s’établit. Une
 2.3 Physique des cellules solaires photovoltaı̈ques 33

barrière de potentiel pour les porteurs majoritaires voit alors le jour au niveau
de la jonction. Cette barrière de potentiel ne va pas entraver la circulation des
porteurs minoritaires. Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires
et conduction des minoritaires) s’équilibrent et leur somme est nulle en régime
permanent et en absence d’un champ électrique extérieur (la charge totale sur
l’ensemble de la diode est nulle (neutralité électrique)).

Figure 2.6: Homojonction p-n à l’equilibre I = 0 et V = 0 [34].

Il existe d’autre types de jonctions, les jonctions p-n graduelles, dont le passage
de la région ”p” à la région ”n” s’effectue selon une loi qui dépend de la position
x dans la diode. Il existe aussi des jonctions basées sur deux différents types
de semi-conducteurs de gap différents qui sont appelées hétérojonctions. Enfin,
lorsque nous mettons en contact un métal avec un semi-conducteur, nous obtenons
une jonction à barrière Schottky.

2.3.2 L’effet Photovoltaı̈que

La conversion photovoltaı̈que a été découverte par Antoine Becquerel en 1839

mais il a fallu attendre près d’un siècle pour que les scientifiques approfon-
34 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

dissent et exploitent ce phénomène de la physique. Depuis les années quarante

du Siécle dernier des systèmes photovoltaı̈ques transforment le rayonnement so-
laire en électricité pour fournir les besoins en énergie dans des endroits éloignés
d’un réseau de distribution électrique. Les applications ont commencé avec le
programme spatial pour la transmission radio des satellites. En 1959, le premier
satellite artificiel équipé de photopile est lancé, il s’agit du satellite Vangurad mis
en orbite par la NASA. Ensuite les applications s’étendront à l’équipement de
sites isolés dans tous les pays du monde.
La production d’électricité photovoltaı̈que est encore actuellement coûteuse par
rapport aux autres sources d’énergie conventionnelles. Cependant, l’intérêt à
long terme est lié au développement du savoir faire industriel nécessaire pour
créer une source d’énergie électrique inépuisable et propre pour l’avenir. L’effet
photovoltaı̈que repose principalement sur trois grands principes dont les actions
conjuguées de manière quasi-simultanée engendrent la conversion de l’énergie so-
laire en énergie électrique :
– L’absorption des photons ;
– La conversion de l’énergie absorbée en charges électriques libres ;
– La collecte de ces charges dans un circuit électrique.
Un dispositif photovoltaı̈que doit donc être constitué :
– D’un matériau absorbant dans la gamme intéressante du spectre solaire et
possédant au moins une transition possible entre deux niveaux d’énergie.
– D’une structure de collecte, des résistances les plus faibles possibles.
L’optimisation de ce dispositif passe par une gamme de fréquence absorbante
la plus large possible, couvrant la partie la plus dense du spectre solaire, ainsi
 2.3 Physique des cellules solaires photovoltaı̈ques 35

qu’une différence entre deux niveaux d’énergie la plus petite qui soit. Considérons
un système à deux niveaux d’énergie Ev et Ec . Soit un électron lié possédant
l’énergie Ev qui correspond au top de la bande de valence. Lorsque cet électron
reçoit l’énergie portée par un photon ceci va lui permettre d’atteindre le niveau
Ec correspondant au minimum de la bande de conduction, il devient alors quasi-
libre et peut participer à la circulation d’un courant électrique. Cette énergie
minimale nécessaire pour que l’électron devienne quasi-libre est égale à la hau-
teur de la bande interdite du matériau semi-conducteur : Eg = Ec − Ev .
Cette structure de bande fait du semi-conducteur le meilleur compromis pour
réaliser les cellules solaires. La conversion de l’énergie est le résultat de l’absorp-
tion des photons donnant lieu à la création de paires électron-trou. Un photon,
hc
de longueur d’onde λ possède une énergie Eλ telle que : Eλ = Si cette énergie
λ
est inférieure à l’énergie Eg , elle ne produira pas de paire électron-trou. Donc il
existe une longueur d’onde de coupure λc . Les photons dont la longueur d’onde
λ2 égale à λc créent une paire électron trou. Les photons de grandes longueur
d’onde λ1 > λc traversent le matériau sans effet photovoltaı̈que, tandis que les
photons de plus courtes longueur d’onde λ3 < λc créent une paire électron-trou et
le surplus d’énergie est transformé en chaleur. Un champ électrique permanent au
sein du matériau assure la séparation des paires créées avant la recombinaison.
Ce champ peut être généré par l’application d’une différence de potentiel aux
extrémités de la diode. Enfin, le couplage avec des électrodes collectrices en face
avant et arrière permet la connexion au circuit électrique externe.
36 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

Figure 2.7: Effect photovoltaı̈que, absorption d’un photon et création d’une paire
electron-trou.

2.3.3 L’effet de la nature de la bande interdite sur l’absorption et

l’emission des photons

Dans un semi-conducteur à gap direct, un photon d’énergie hν > Eg , peut exciter

un électron du top de la bande de valence et le faire transiter vers le bas de la
bande de conduction. De même, un électron de la bande de conduction peut
tomber directement sur un site vacant de la bande de valence et émettre un
photon d’énergie Eg [35].
Dans un semi-conducteur à gap indirect, un électron de la bande de conduction ne
peut tomber directement sur un site vacant de la bande de valence car il doit subir
non seulement un changement d’énergie mais aussi un changement d’impulsion.
Non plus, un photon ne peut exciter un électron du top de la bande de valence et
le faire transiter vers le bas de la bande de conduction, car le photon ne possède
que l’énergie nécessaire à la transition et non l’impulsion qu’il faut pour que cette
transition d’électron aie lieu [35].
La transition d’un électron entre la bande de valence et la bande de conduction
d’un semi-conducteur indirect peut se produire en présence d’un défaut dans
 2.4 Les équations du semi-conducteur 37

le semi-conducteur ou sous l’action de phonons, qui peuvent fournir l’impulsion

nécessaire à la transition indirecte [35].
les applications pour lesquelles les semi-conducteurs à gap directs deviennent
importantes sont en optoélectronique. A ce sujet, le GaAs est un matériau typique
pour les lasers à semi-conducteur et les diodes électroluminescentes [35].

2.4 Les équations du semi-conducteur

Les équations du semi-conducteur qui sont au nombre de cinq dans le régime

dépendant du temps, et au nombre de trois dans le régime stationnaire, sont
les équations clés qui gouvernent les propriétés électriques (potentiel, champ et
charge électrostatiques) ainsi que les propriétés de transport des porteurs de
charges mobiles à travers le composant optoélectronique. Ces équations sont donc
incontournables lors de la simulation de n’importe quel dispositif optoélectronique.
Dans cette section, nous allons établir ces équations. Dans le chapitre suivant,
nous utiliserons ces équations en vue de simuler le comportement d’un dispositif
optoélectronique photosensible.

2.4.1 Les équations de Maxwell

Les équations développées par James Clerk Maxwell décrivent le comportement

des champs électrique et magnétique et leur interaction avec la matiére [36, 37,
38, 39].
La première équation (2.23) traduit la création d’un champ électrique dû à la
présence de charges électriques (loi de Gauss).
La deuxième équation (2.24) exprime la génération d’un champ électrique par un
38 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

champ magnétique variable (loi de Faraday de l’induction).

La troisième équation (2.25) reflète la façon dont un courant électrique et la
variation d’un champ électrique produisent un champ magnétique (Loi d’Ampère-
Maxwell).
Enfin, l’équation (2.26), traduit l’absence de monopôle magnétique (Equation de
conservation du flux).

→
−
→
− →
− →
− ∂D
∇×H = J + (2.23)
∂t

→
−
→
− →
− ∂B
∇×E =− (2.24)
∂t

→
− →
−
∇. D = ρ (2.25)

→
− →
−
∇. B = 0 (2.26)

Ces équations sont utilisées pour établir les équations du semi-conducteur à savoir
l’équation de Poisson et les équations de continuité de l’électron et du trou.

2.4.2 L’équation de Poisson

L’équation de Poisson est une équation locale qui lie le potentiel électro-statique à
la distribution de charges volumique présente dans le semi-conducteur. Elle peut
être obtenue à partir des équations de Maxwell [36, 39]. Tout d’abord, nous com-
mençons par l’introduction de la relation liant le vecteur déplacement électrique
au vecteur champ électrique :
 2.4 Les équations du semi-conducteur 39

D = .E = r 0 .E (2.27)

où r désigne la constante diélectrique du matériau semi-conducteur. Ce dernier

est supposé être isotrope, par conséquent le tenseur constante diélectrique se
réduit à une quantité scalaire. La relation (2.27) est applicable pour tout matériau
tant que la permittivité diélectrique est indépendante du temps.
Par la suite, nous allons établir une relation entre le vecteur champ électrique
→
−
E et le potentiel électrostatique ψ. Pour ce faire, nous cherchons une solution à
→
−
l’équation de conservation du flux (2.26) en introduisant un potentiel vecteur A ,
dont sa divergence est nulle, et dont va dériver le vecteur induction magnétique
→
−
B , et en imposant un choix particulier de jauge qui se traduit par l’équation
(2.28).
∇×A=B (2.28)
 
∂A
La quantité E + peut être exprimée en terme d’un champ gradient, qui
∂t
est −∇ψ, Par conséquent, le vecteur champ électrique peut être exprimé comme
suit :
∂A
E=− −∇ψ (2.29)
∂t

En injectant l’équation (2.29) dans l’équation (2.27), nous pouvons écrire :

∂A
D = −r 0 . − r 0 .∇ ψ (2.30)
∂t

En introduisant cette équation dans l’équation (2.25), nous conduisons à :

 
∂A
∇. r 0 . + r 0 .∇ ψ = −ρ (2.31)
∂t
40 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

Pour des composants optoélectroniques à base d’homo-jonctions, la permittivité

diélectrique est indépendante de la position dans le semi-conducteur. Ainsi, le pre-
mier terme de l’équation (2.31) est nul. L’équation de Poisson peut alors s’écrire :

∇ (r 0 .∇ψ) = −ρ (2.32)

La densité volumique de charges ρ n’est autre que le produit de la charge

élémentaire e avec la somme de la densité de trous chargés positivement p, la
densité d’électrons chargés négativement n et la densité d’impuretés dopantes C.

ρ = e (p − n + C) (2.33)

En tenant compte de l’homogénéité de la permitivité et en introduisant l’équation

(2.33) dans l’équation (2.32), nous obtenons la forme finale de l’équation de Pois-
son qui sera utilisée dans la simulation des dispositifs à semi-conducteur.

∇. (∇ψ) = −e (p − n + C) (2.34)

2.4.3 Les équations de continuité de l’électron et du trou

L’établissement des expressions des densités de courants est une tâche ardue et
la physique qui est derrière couvre plusieurs disciplines et nécessite un nombre
important d’hypothéses de travail et de considérations préliminaires. Dans notre
approche numérique, nous adoptons le modèle de dérive-diffusion pour déterminer
les expressions des densités de courants d’électrons et de trous. Le point de départ
du calcul est l’équation de transport de Boltzmann dans le cadre de l’approxima-
tion du temps de relaxation [36].
 2.4 Les équations du semi-conducteur 41

Les hypothèses à admettre en vue de l’utilisation de l’équation de transport

de Boltzmann pour accéder aux relations de dérive-diffusion du courant sont
détaillées dans la référence [36]. Par la suite, nous rappelons les plus importantes
[36, 47] :
- Tous les processus de diffusion sont supposés être élastiques,
- Les variations spatiales du temps de collision et de la structure de bandes sont
négligées,
- Les effets de la dégénérescence sont négligés,
- Les variations spatiales et temporelle de la température des porteurs de charges
sont négligées,
- La température de la maille et des porteurs de charges est spposée être la même,
- Les bandes d’énergies sont supposées paraboliques, non dégénérées et isotropes.

Les équations de continuité peuvent être établies de manière simple à partir de

la première équation de Maxwell [36, 39]. En appliquant l’opérateur divergence
(div) à cette équation, nous obtenons :

∂ρ
∇. (∇ × H) = ∇.J + (2.35)
∂t
→
−
Etant donné que la densité de courant de conduction totale J est égale à la
−
→ →
−
somme de deux densités de courant : Jn due aux électrons et Jp due aux trous :

J = Jn + Jp (2.36)
42 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

En outre, nous supposons que toutes les densités de charges dans le semi-
conducteur, à l’exception des électrons et des trous mobiles, sont invariantes
dans le temps. Nous négligeons l’influence des défauts chargés profonds, des va-
cances, des dislocations ainsi que l’influence des défauts profonds recombinants
qui peuvent faire varier les densités d’électrons et de trous au cours du temps.

∂C
=0 (2.37)
∂t

Nous injectons les équtions (2.33) et (2.36) dans l’équation (2.35), et tenons
compte de l’équation (2.37), ce qui nous permet alors d’écrire :

∂
∇ (Jn + Jp ) + e (p − n) = 0 (2.38)
∂t

Pour aboutir aux deux équations de continuité, nous introduisons la quantité

R, qui traduit le taux net de variation des densités d’électrons et de trous. Une
valeur positive de R signifie que la recombinaison est prépondérante par rapport
à la génération. Une valeur négative de R signifie que la génération des porteurs
domine leurs recombinaison. L’équation (2.38) peut être particularisée pour les
électrons puis pour les trous et ceci en tenant compte du taux net de variation
des densités :
∂n
∇ Jn − e =e R−e G (2.39)
∂t

∂p
∇ Jp + e = −e R + e G (2.40)
∂t

où :
 2.4 Les équations du semi-conducteur 43

R = Br np − n2i

G présente le taux de photo-génération (équation 3.86).

2.4.4 Les équations de transport

Il y a deux effets principaux qui conduisent à la circulation du courant dans le

semi-conducteur. Le premier effet est la dérive des porteurs de charges sous l’effet
du champ électrique. Le second est la diffusion du courant due au gradient de
concentrations des porteurs [36, 39].
– Dérive des porteurs
Les porteurs de charges dans un semi-conducteur soumis à un champ électrique
sont accélérés et acquièrent une certaine vitesse de dérive. Le sens de la vitesse
dépend de la nature des charges, les trous sont accélérés dans le sens du champ
électrique alors que les électrons sont accélérés dans le sens opposé. Pour les
champs électriques faibles, la composante de dérive du courant électrique peut
être exprimée par la loi d’Ohm de la manière suivante :

Jndrif t = −σn E (2.41)

Jpdrif t = −σp E (2.42)

Ici, σn et σp désignent, respectivement, les conductivités des électrons et des

trous. Elles peuvent être exprimées en fonction des mobilités des électrons et
des trous µn et µp comme suit :
44 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

σn = enµn (2.43)

σp = epµp (2.44)

En raison de la faible masse effective des électrons, leur mobilité est environ
trois fois plus élevée que celle des trous.

– Diffusion des porteurs

Les gradients des concentrations des porteurs de charges conduit à la diffu-
sion des porteurs. En effet, à cause de leur agitation thermique, les porteurs
de charges ont tendance à occuper tout l’espace, il apparait alors un courant
de diffusion qui draine les porteurs des régions où la concentration est élevée
vers les régions où la concentration est faible. Le courant dû au gradient des
concentrations est donné par :

Jndif f = eDn ∇n (2.45)

Jpdif f = −eDp ∇p (2.46)

Ici, Dn et Dp sont, respectivement, les coefficients de diffusion des électrons

et des trous qui s’expriment, à l’équilibre thermodynamique pour les semi-
conducteurs non-dégénérés, en termes de la mobilité en utilisant la relation
d’Einstein :
 2.4 Les équations du semi-conducteur 45

kT
Dn = µn (2.47)
e

kT
Dp = µp (2.48)
e

– Drift-Diffusion
En combinant les expressions des courants de dérive et de diffusion nous obte-
nons :

Jn = enµn E + eDn ∇n (2.49)

Jp = epµp E − eDp ∇p (2.50)

2.4.5 Les équations du semi-conducteur

Les équations de base du semi-conducteur qui se composent de l’équation de

Poisson, des équations de continuité des électrons et des trous et des équations
donnant les courants des électrons et des trous sont resumées ci-dessous. Ces
équations seront utilisées dans le chapitre suivant dans la simulation numérique
d’un composant optoélectronique photosensible à une dimension.

∇. (∇ψ) = −e (p − n + C) (2.51)

∂n
∇.Jn − e = e.R − eG (2.52)
∂t
46 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

∂p
∇.Jp + e = −e.R + eG (2.53)
∂t

Jn = e nµn E + e Dn ∇ n (2.54)

Jp = e p µp E − e Dp ∇ p (2.55)
 2.5 conclusion 47

2.5 conclusion

Les semi-conducteurs sont des isolants au zéro absolu. Les semi-conducteurs in-
organiques élémentaires que nous rencontrons dans la nature se situent dans la
colonne IV du tableau périodique. Il existe aussi des alliages semi-conducteurs bi-
naires obtenus par l’association de deux éléments chimiques (III-V, II-VI, I-VII)
et même des alliages semi-conducteurs ternaires. La caractéristique commune à
tous les semi-conducteurs est que leur conductivité augmente avec la température.
Cette conductivité est assurée par deux types de porteurs de charges : les électrons
et les trous. Dans un semi-conducteur, les niveaux électroniques se déploient se-
lon des bandes permises séparées par des bandes interdites. La différence entre
le maximum absolu de la dernière bande de valence et le minimum absolu de la
première bande de conduction est appelée gap. Nous pouvons distinguer deux
types de semi-conducteurs : intrinsèque et extrinsèque. Dans le premier type il y
a une parité entre les électrons et les trous (n = p = ni ). Dans le deuxième type,
l’introduction d’impuretés dopantes de type donneur conduit à la prévalence des
électrons (conductivité n) et l’addition d’impuretés de type accepteur conduit à
la prévalence des trous (conductivité p).
Tout les dispositifs électroniques ou optoélectroniques fabriqués jusqu’à nos jours
sont obtenus par la juxtaposition de deux ou plusieurs couches de matériaux
(métal, semi-conducteur ou isolant) ayant des conductivités différentes. Chaque
configuration conduit à un composant avec des propriétés et des fonctionnalités
spécifiques. Le plus simple composant est obtenu par la mise en contact entre
deux semi-conducteurs dopés différemment, c’est la jonction p-n. L’exposition
d’une telle jonction à un flux de photons dont les énergies sont supérieures au
48 2 PHYSIQUE DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES

gap conduit à la génération de paires électrons-trous susceptibles d’être récoltées

aux extrémités en vue de produire de l’électricité photovoltaı̈que.
Les propriétés de transport des porteurs de charges mobiles dans le composant
ainsi que les propriétés électriques du composant optoélectronique lui même sont
gouvernées par des équations clés appelées équations du semi-conducteur.
Dans ce chapitre, nous avons passé en revue le calcul analytique qui, à partir
des équations de Maxwell, conduit à la démonstration des équations du semi-
conducteur à savoir l’équation de Poisson et les équations de continuité des
électrons et des trous. Dans le chapitre suivant, nous allons effectuer la résolution
numérique de ces équations.
3

RESOLUTION NUMERIQUE DES

EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

1. Introduction

2. Schéma aux différences finies

3. Discrétisation de l’équation de poisson

4. Discrétisation des équations de continuité

5. Linéarisation du système d’équations algébriques

6. Conditions aux limites

7. Illumination polychromatique

8. Résultats et discussions

9. Conclusion et perspectives

10. Publications
50 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

3.1 Introduction

Les cinq équations de base du semi-conducteur que nous avons étabi dans le
chapitre précédent, et que nous utilisons dans le présent chapitre en vue de
la simulation d’un composant optoélectronique photosensible à une dimension,
forment un système d’équations aux dérivées partielles qui n’admet pas de solu-
tions analytiques exactes. Ainsi, seule une approche numérique est susceptible de
lui trouver des solutions. Il existe deux principales approches qui sont utilisées
dans la résolution des systèmes d’équations aux dérivées partielles :

– La première approche est celle des éléments finis, elle consiste en une discrétisa-
tion du domaine. Pour résoudre un système d’équations aux dérivées partielles,
selon cette approche, dans un domaine donné, ce dernier est subdivisé en un
nombre fini de sous-domaines dans lesquels la solution peut être approchée fa-
cilement avec une précision choisie au préalable. Cette approche est efficace
lorsque la géométrie du domaine est non rectangulaire voire compliquée.

– La seconde approche est celle des différences finies, elle consiste en une discrétisa-
tion des opérateurs à savoir des termes contenus dans les équations aux dérivées
partielles. Cette approche est applicable exclusivement lorsque le domaine de
résolution est rectangulaire.

Dans la présente étude, nous allons procéder à la simulation d’un composant

optoélectronique photosensible unidimensionnel selon un schéma aux différences
finies. Tout d’abord, nous présentons le maillage retenu pour subdiviser l’axe
 3.2 Schéma aux différences finies 51

en plusieurs cellules non uniformes à une dimension. Ensuite, nous procédons

à une normalisation des équations en vue de travailler avec des variables sans
dimension. Puis, nous effectuons la discrétisation de l’équation de Poisson se-
lon un schéma aux différences finies et des équations de continuité selon un
schéma de Gummel-Scharfetter. Par la suite, nous présentons les deux méthodes
de linéarisation utilisées à savoir la méthode des sur-relaxations successives (Suc-
cessive Over-Relaxation) et la méthode de la matrice Jacobienne. Enfin, nous
fixons des conditions aux limites aux frontières du domaine de type Dirichlet,
nous procédons à la résolution du systéme d’équations aux dérivées partielles
d’une manière itérative selon l’algorithme de Newton-Raphson et présentons les
résultats relatifs à une homo-jonction p − n à base de Silicium.

3.2 Schéma aux différences finies

Les équations différentielles doivent être approchées dans chaque sous-domaine

par des équations algébriques qui impliquent uniquement les valeurs des va-
riables dépendantes dans des points discrets du domaine. Une équation aux
dérivées partielles est une équation dont les solutions sont des fonctions incon-
nues vérifiant certaines conditions concernant leurs dérivées partielles. C’est une
équation mathématique contenant en plus de la variable dépendante (u dans
les cas suivants) des variables indépendantes (x, y, ...) ∈ Rn et une ou plusieurs
dérivées partielles qu’on peut écrire sous la forme :

∂u ∂ 2 u ∂ 2 u
 
F x, y, ..., u, , 2 , 2 , ... = 0 (3.1)
∂x ∂x ∂y
52 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Il y a plusieurs méthodes classiques qui proposent la partition du domaine

c’est à dire sa discrétisation. De nombreuses techniques ont été développées
spécifiquement pour les équations du semi-conducteurs. Ces techniques per-
mettent un gain énorme en matiére d’efficacité numérique, qui est essentielle pour
l’ingénierie. Pour la discrétisation à une dimension de l’équation de Poisson, nous
utilisons les diffŕences finies centrées [40, 41, 42, 43, 44]. Ce schéma consiste à ap-
proximer les dérivées partielles d’une équation moyennant des développements de
Taylor qui nous donne directement la définition de la dérivée en un point donné.

3.2.1 Maillage à une dimension

Le maillage (Mesh) est un ensemble de points du domaine de définition sur le-

quel le schéma des différences finies sera appliqué. Les équations seront alors
discrétisées sur un maillage prédéfini à une dimension. Pour une application
définie sur un segment de R, nous ajoutons en général les deux extrémités du
segment qui constituent alors les nœuds où les conditions aux limites seront ap-
pliquées. Soit u(x) une fonction continue et dérivable de classe C1. Le but étant
de trouver les dérivées premiére et seconde de cette fonction numériquement. A
chaque point du maillage i du système correspond une abscisse xi et une valeur
de la fonction u (x) évaluée en ce point : u (x) = ui . Le pas du maillage est la
distance entre deux nœuds qui se suivent, la distance entre les nœuds i + 1 et i
est dénommée hi et la distance entre les nœuds i et i − 1 est hi−1 (voir figure 3.1).
A partir des formules du développement limité au deuxième ordre près, la fonc-
tion u est décrite à l’aide d’un maillage non-uniforme en différents points. Nous
1
introduisons deux nœuds, un à i − au milieu des nœuds i et i − 1, le deuxiéme
2
 3.2 Schéma aux différences finies 53

i-1/2 i+1/2
i-1 i i+1

hi-1 hi
xi-1 xi xi+1

Figure 3.1: Maillage non uniforme à une dimension.

1
nœud à i + au milieu des nœuds i et i + 1 comme le montre la figure (3.1).
2
Pour simplifier la notation, nous écrivons :

ui = u (xi )

 
xi + xi+1
ui+ 1 = u
2 2
 
xi−1 + xi
ui− 1 = u
2 2
1 1
Le développement de Taylor de la fonction u au points i − et i + est donné
2 2
par :

hi−1 ∂u h2 ∂ 2 u h3i−1 ∂ 3 u
ui− 1 = ui − |i + i−1 |i − |i + ... (3.2)
2 2! ∂x 3! ∂x2 4! ∂x3
hi ∂u h2 ∂ 2 u h3i ∂ 3 u
ui+ 1 = ui + |i + i−1 |i + |i + ... (3.3)
2 2! ∂x 3! ∂x2 4! ∂x3

La différence entre ces deux équations donne :

h2 − h2i−1 ∂ 2 u h3i + h3i−1

 
hi + hi−1 ∂u
ui+ 1 − ui− 1 = |i + i |i + o (3.4)
2 2 2! ∂x 3! ∂x2 4!

d’où l’expression de la derivée première de la fonction u :

54 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

ui+ 1 − ui− 1 hi−1 − hi ∂ 2 u h3i + h3i−1

 
∂u
|i = 2
hi−1 +hi
2
+ |i + o (3.5)
∂x 2
4 ∂x2 hi + hi−1

d’où :
∂ ∂
∂ 2u u 1 − ∂x
∂x i+ 2
ui− 1 hi−1 − hi ∂ 3 u
|i = hi−1 +hi
2
+ |i (3.6)
∂x2 2
4 ∂x3

Dans l’étape suivante, nous calculons le développement de Taylor de u|i±1 et u|i

∂u
pour determiner | 1 :
∂x i± 2

hi ∂u h2 ∂ 2 u h3i ∂ 3 u
ui+1 = ui+ 1 + |i+ 1 + i | 1 + | 1 (3.7)
2 2 ∂x 2 3! ∂x2 i+ 2 4! ∂x3 i+ 2
hi ∂u h2 ∂ 2 u h3i ∂ 3 u
ui = ui+ 1 − |i+ 1 + i | 1 − | 1 (3.8)
2 2 ∂x 2 3! ∂x2 i+ 2 4! ∂x3 i+ 2

∂u
La différence entre u|i+1 et u|i donne l’expression de | 1 :
∂x i+ 2

∂u ui+1 − ui
∂ 3u
|i+ 1 = + o h2i | 1 (3.9)
∂x 2 hi ∂x3 i+ 2

∂u
L’expression de | 1 est obtenue en effectuant un calcul similaire :
∂x i− 2

∂u ui − ui−1
∂ 3u
|i− 1 = + o h2i−1 | 1 (3.10)
∂x 2 hi−1 ∂x3 i− 2

En injectant les équations (3.9) et (3.10) dans l’équation (3.6) et en négligeant

le terme en o h3 , nous aboutissons à une expression approchée de la derivée

∂ 2u
seconde |i :
∂x2 ui+1 −ui
∂ 2u hi
− uih−u i−1
i−1
|i ' hi−1 +hi
(3.11)
∂x2 2

Pour un maillage uniforme hi−1 = hi = h, l’équation (3.11) devient :

 3.2 Schéma aux différences finies 55

∂ 2u ui−1 − 2ui + ui+1

2
|i = (3.12)
∂x h2

3.2.2 Normalisation

La normalisation du potentiel électrostatique ψ, des densités d’électrons n et de

trous p consiste en leur transformation en variables sans dimension, dépourvues
de puissances de 10, et dont les plages de variations sont convenables pour le
traitement numérique ce qui permet d’atteindre une précision acceptable.
Ainsi, une normalisation appropriée constitue la première étape dans un trai-
tement structurel du système d’équations différentielles décrivant le composant
optoélectronique. La façon standard de normalisation des variables citées ci-dessus
a été donnée par DeMari et les facteurs de normalisation qu’il a proposé
r sont
kT
résumés dans le tableau (3.1). Tout d’abord, le facteur de Debye λ =
e2 ni
est introduit pour normaliser la variable position x. De ce fait, l’intervalle h qui
constitue la cellule élémentaire du maillage doit être rendu assez petit par rapport
à la longueur de Debye pour que l’hypothèse d’un potentiel variant de manière
linéaire entre deux nœuds successifs ait un sens.

Symbole Signification Paramètres

de normalisation
p
x Longueur L = 0 r kT /ni q 2
ψ Potentiel kT /q
E Champ électrique kT /(qL)
Fn , F p Pseudo potentiels de Fermi des électrons et des trous kT /q
n, p Concentrations des électrons et des trous ni
Jn , Jp Densités du courant des électrons et des trous ni µn,p kT /L
Brn,p Taux net de recombinaison Br ni L2 q/(kT µn,p )

Table 3.1: Paramètres de normalisation des équations du semi-conducteur.

56 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Par soucis de simplicité, les notations seront les mêmes pour les variables phy-
siques ψ, n et p avant et aprés normalisation. Le contexte de chaque étape est
suffisant pour différencier les unes des autres. Les équations de base après nor-
malisation sont données par :

 
∂
2 ∂ψ
λ. + (p − n + C) = 0 (3.13)
∂x ∂x

 
∂ ∂n ∂ψ ∂n
Dn − µn n −R= (3.14)
∂x ∂x ∂x ∂t

 
∂ ∂p ∂ψ ∂p
Dp − µp p +R= (3.15)
∂x ∂x ∂x ∂t

3.3 Discrétisation de l’équation de Poisson

La variation du potentiel électrostatique dans un dispositif semi-conducteur est

déterminée suite à la résolution de l’équation de Poisson. En utilisant l’équation
(3.11), l’expression discrétisée de l’équation de Poisson pour les nœuds d’indices
1 < i < N s’écrit [36, 37, 41, 44, 45] :

ψi+1 −ψi
− ψih−ψ i−1
!
hi
λ2 . + pi − ni − NA− + ND+ = 0
i−1


hi−1 +hi
(3.16)
2

L’équation (3.16), peut être mise sous la forme suivante :

 3.4 Discrétisation des équations de continuité 57

Fψi = λ2 . Aψi−1 ψi−1 + Aiψ ψi + Ai+1

ψ ψi+1

+ pi − ni − NA− + ND+


(3.17)

=0

où les coefficients Ai−1 i i+1

ψ , Aψ and Aψ sont donnés par :

2
Aψi−1 =
hi−1 (hi−1 + hi )
−2
Aiψ = (3.18)
hi hi−1
2
Ai+1
ψ =
hi (hi−1 + hi )

3.4 Discrétisation des équations de continuité

La discrétisation des équations de continuité selon un schéma aux différences

finies suppose que les densités d’électrons n et de trous p varient de manière
linéaire entre deux nœuds voisins du maillage [36, 37, 45, 46, 47]. Or ces dernières
varient de manière exponentielle le long du composant. Par conséquent, l’utili-
sation du schéma aux différences finies conduit à des instabilités numériques qui
se traduisent par une perte de la précision et un défaut de convergence lors du
déroulement des iterations.
Pour contourner toutes ces difficultés, un autre schéma appelé schéma de Gummel-
Scharfetter a été mis au point [48, 49, 50, 51]. Ce dernier consiste à considérer
que le champ électrique E, la mobilité µ et la densité de courant J sont constants
dans l’intervalle entre deux nœuds successifs. Une des conséquences du schéma de
Gummel-Scharfetter est que le potentiel électrostatique est une fonction linéaire
58 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

dans chaque sous-domaine du maillage, ce qui est en accord avec l’hypothèse

adoptée dans la discrétisation de l’équation de Poisson. L’utilisation de ce schéma
permet ainsi d’atteindre la précision voulue et d’éviter les divergences dues à des
situations non physiques telles que des densités de porteurs de charges négatives.

3.4.1 L’équation de continuité des électrons

L’équation de continuité des électrons normalisée que nous nous proposons de

discrétiser s’écrit :
∂ψ ∂n
Jn = −µn n + Dn (3.19)
∂x ∂x
Dn
Une fois réalisée, la normalisation revient à considérer que le rapport = 1,
µn
l’équation (3.19) peut alors se réécrire :

Jn ∂ψ ∂n
= −n + (3.20)
µn ∂x ∂x

∂ψ Jn
Selon les approximations adoptées, et le rapport sont constants dans
∂x µn
chaque sous-domaine [36, 37, 46, 47].
En posant :
Jn
= an
µn
∂ψ
− = E = bn
∂x

L’équation (3.20) devient :

∂n
+ b n n = an
∂x

La solution générale de cette équation différentielle est la somme de la solution

homogène et de la solution particulière, à savoir :
 3.4 Discrétisation des équations de continuité 59

an
n (x) = C e−bn x
+
bn

où C est une constante qui dépend des conditions aux limites dans le sous-
domaine. Elle peut être déterminée en faisant appel aux variables d’origine. L’ex-
pression qui donne alors la densité d’électrons n dans le sous-domaine est :

Jn
n (x) = C e−E x
+
E µn

A l’extrémité gauche du sous domaine, n (xi ) = ni , l’expression de C peut alors

se déduire de l’équation précédente :

 
Exi Jn
C=e ni −
Eµn

La densité d’électrons à l’extrémité gauche du sous domaine a pour expression :

 
Jn Jn
n (xi ) = e Exi
ni − e−E xi
+
Eµn E µn

La valeur de la densité d’électrons à l’extrémité droite du sous-domaine n (xi+1 ) =

ni+1 est déterminée à partir de l’expression trouvée de n (xi ) :

 
Jn Jn
ni+1 =e Exi
ni − e−Exi+1 +
Eµn Eµn
Jn
= ni e−Ehi + 1 − e−Ehi


ni+1
Eµn

où hi = xi+1 − xi .
Après quelques manipulations algébriques, la densité du courant des électrons
s’écrit :
60 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

−Ehi
 
µn Ehi
Jn = −Eh
ni+1 − Ehi ni (3.21)
hi e i −1 e −1

En introduisant la fonction de Bernoulli B (x) définie par :

x
B (x) = (3.22)
ex −1

et en remplaçant Ehi par − (ψi+1 − ψi ) dans l’équation (3.21), nous aboutissons

à l’équation discrétisée de la densité de courant des électrons :

µn
Jn = [B (ψi+1 − ψi ) ni+1 − B (ψi − ψi+1 ) ni ] (3.23)
hi

Comme mentionné ci-dessus, la densité de courant et la mobilité des porteurs

de charges sont constantes dans l’intervalle [xi , xi+1 ], ceci nous permet d’écrire
l’expression de la densité de courant au point particulier xi+1/2 qui n’est autre
que le milieu du segment [xi , xi+1 ] :

i+1/2
µn
Jni+1/2 = [B (ψi+1 − ψi ) ni+1 − B (ψi − ψi+1 ) ni ] (3.24)
hi

En régime stationnaire, l’équation de continuité des électrons normalisée s’écrit

sous la forme :
dJn
− Rn = 0 (3.25)
dx

L’application du schéma aux différences finies au premier ordre centré au nœud

i à la densité de courant, conduit à l’expression de la dérivée première spatiale
dJn
au même nœud i :
dx
 3.4 Discrétisation des équations de continuité 61

i+ 1 i− 12
dJn Jn 2 − Jn ∂ 2 Jn
= hi−1 +hi
+ o (h) |i (3.26)
dx 2
∂x2

En tenant compte des expressions de la densité de courant aux nœuds i − 1/2 et

i + 1/2, l’équation de continuité des électrons (3.25) peut alors se réécrire :

i+1/2
2µn
FJin = [B (ψi+1 − ψi ) ni+1 − B (ψi − ψi+1 ) ni ]
hi (hi + hi+1 )
i−1/2
2µn (3.27)
− [B (ψi − ψi−1 ) ni − B (ψi−1 − ψi ) ni−1 ]
hi−1 (hi + hi+1 )
− Br,n (ni pi − 1) = 0

L’équation (3.27), peut être mise sous la forme :

FJin = Ai−1 i
ni + Ai+1


n n i−1 + A n − Br,n p i n ni+1 + Br,n
(3.28)
=0

où :

i−1/2
2µn
Ai−1
n = B (ψi−1 − ψi )
hi−1 (hi−1 + hi )
" #
i+1/2 i−1/2
−2 µ n µ n
Ain = B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) (3.29)
hi + hi−1 hi hi−1
i+1/2
2µn
Ai+1
n = B (ψi+1 − ψi )
hi (hi−1 + hi )

3.4.2 L’équation de continuité des trous

En régime stationnaire, l’équation de continuité normalisée des trous a pour ex-

pression :
62 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

dJp
+ Rp = 0 (3.30)
dx

L’application du schéma aux différences finies au premier ordre centré au nœud

i à la densité de courant relative aux trous, conduit à l’expression de la dérivée
dJp
première spatiale au même nœud i :
dx

i+ 12 i− 12
dJp Jp − Jp ∂ 2 Jp
= hi−1 +hi
+ o (h) |i (3.31)
dx 2
∂x2

De manière similaire à ce qui a été fait pour l’équation de continuité des électrons,
nous tenons compte des expressions de la densité de courant des trous aux nœuds
i − 1/2 et i + 1/2, leur équation de continuité (3.30) a alors pour expression
[36, 37, 46, 47] :

i+1/2
2µp
FJip = [B (ψi+1 − ψi ) pi+1 − B (ψi − ψi+1 ) pi ]
hi (hi + hi+1 )
i−1/2
2µp (3.32)
− [B (ψi − ψi−1 ) pi − B (ψi−1 − ψi ) pi−1 ]
hi−1 (hi + hi+1 )
+ Br,p (ni pi − 1) = 0

qui peut se mettre sous la forme :

FJip = Ai−1 i i+1

p pi−1 + Ap + Br,p ni pi + Ap pi+1 + Br,p
(3.33)
=0

où :
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 63

i−1/2
2µp
Ai−1
p = B (ψi−1 − ψi )
hi−1 (hi−1 + hi )
" #
i+1/2 i−1/2
−2 µp µp
Aip = B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) (3.34)
hi + hi−1 hi hi−1
i+1/2
2µp
Ai+1
p = B (ψi+1 − ψi )
hi (hi−1 + hi )

3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques

3.5.1 La méthode de Newton-Raphson

La méthode de Newton-Raphson est une technique très puissante pour résoudre

numériquement les équations du type f (x) = 0 [52, 53, 54, 55]. Cette méthode
est basée sur une approximation linéaire.
Soit f (x) une fonction ayant un comportement régulier et n fois dérivable, et
soit s une racine de l’équation f (x) = 0. En vue de chercher la dite racine de
cette équation, nous partons d’une valeur x0 qui n’est autre qu’une estimation
initiale de s à partir de laquelle nous essayons d’améliorer le résultat en trouvant
une nouvelle valeur x1 qui soit plus proche de s que x0 . Puis, nous essayons
d’améliorer encore le résultat en cherchant une valeur x2 qui soit encore plus
proche de s est ainsi de suite nous poursuivons la recherche jusqu’à ce que la
précision requise ou bien le nombre d’itérations maximal permis soit atteint.
Soit x0 une bonne valeur initiale de s de telle sorte que s = x0 + ∂x. La vraie
solution est s, la valeur de ∂x = s − x0 nous renseigne combien la valeur initiale
x0 est elle plus proche ou plus loin de la solution exacte recherchée s.
Etant donné que la valeur ∂x est faible, nous pouvons recourir à l’approximation
linéaire ce qui nous permet d’écrire :
64 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

f (s) = 0 = f (x0 + ∂x) ' f (x0 ) + ∂xf 0 (x0 )

Par conséquent :
f (x0 )
∂x ' −
f 0 (x0 )

d’où :
f (x0 )
s = x0 + ∂x = x0 −
f 0 (x0 )

la nouvelle valeur approchée de s sera :

f (x0 )
x1 = x0 −
f 0 (x0 )

En poursuivant les itérations, si xn−1 est la valeur actuelle de s, alors la valeur

suivante xn sera donnée par :

f (xn−1 )
xn = xn−1 −
f 0 (xn−1 )

3.5.2 Linéarisation des équations

Pour procéder à la résolution du système des trois équations algébriques obtenues

suite à la discrétisation de l’équation de Poisson et des deux équations de conti-
nuité, il va falloir recourir à la linéarisation de chaque équation. Cette linéarisation
consiste à remplacer la valeur de chaque variable en un nœud quelconque i par la
valeur de la variable augmentée d’une erreur qu’il va falloir déterminer. Partant
d’un jeu de valeurs initiales pour chaque variable dans chaque nœud du maillage
contenant N nœuds, l’écriture des trois équations algébriques mentionnées ci-
dessus va aboutir à un système de 3N équations à 3N inconnues qui ne sont
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 65

rien d’autre que les erreurs relatives à chaque variable dans chaque nœud. La
résolution de ce système au cours de la première itération donne les erreurs rela-
tives à chaque variable dans chaque nœud et permet ainsi d’actualiser les valeurs
des variables dans tous les nœuds et de se rapprocher des solutions numériques
exactes des variables. L’opération est réitérée au cours de la deuxième itération ce
qui donne des valeurs de variables dans chaque nœud plus proches des premières
et ainsi de suite jusqu’à ce que les critères de convergence soient vérifiés ou bien
le critère d’arrêt soit atteint.
Il existe plusieurs approches permettant de résoudre les équations algébriques is-
sues de la discrétisation. Dans ce qui suit, nous allons présenter les deux approches
que nous avons retenu dans notre étude. La première parmi ces approches est celle
nommée approche des sur-relaxations successives (Successive over-relaxation ap-
proach) [42, 54, 56, 57]. La seconde est celle basée sur le calcul de la matrice
Jacobienne [36, 37, 47, 57, 58].

3.5.3 Approche des sur-relaxations successives

3.5.3.1 L’équation de Poisson

Nous avons déjà vu ci dessus que l’équation de Poisson discrétisée a pour expres-
sion :

Fψi = λ2 . Aψi−1 ψi−1 + Aiψ ψi + Ai+1

ψ ψi+1

+ pi − ni − NA− + ND+


(3.35)

=0
66 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

où Ai−1 i i+1

ψ , Aψ et Aψ sont des coefficients dont les expressions sont données par
l’équation (3.18).
En posant :

V (ψi ) = pi − ni
(3.36)
g (x) = ND+ − NA−

L’équation de Poisson discrétisée (3.35) devient :

λ2 Ai−1 ψi−1 + Aiψ ψi + Ai+1

ψ ψ ψi+1 + V (ψi ) − g (x) = 0 (3.37)

Dans l’équation (3.37), nous effectuons les substitutions suivantes :

ψij = ψij + ω dψij j = −1, 0, 1

(3.38)
dV (ψi )
V (ψi + ω dψi ) = V (ψi ) + ωdψi
dx

Les substitutions effectuées ci-dessus traduisent la variation du potentiel électro-

statique d’une valeur initiale ψi à une valeur corrigée par l’introduction d’une
erreur élémentaire ω dψi . Dans ce cas, la valeur de la fonction arbitraire du po-
tentiel électrostatique corrigé V (ψi + ω dψi ) est substituée par le développement
limité à l’ordre 1 de la fonction V au voisinage de ψi . L’équation (3.37) peut alors
se réécrire :

Fψi = λ2 Ai−1 (ψi−1 + ω dψi−1 ) + Aiψ (ψi + ω dψi )


ψ

dV (ψi )
+Ai+1

ψ (ψi+1 + ω dψi+1 ) + V (ψi ) + ωdψi − g (x) (3.39)
dx
=0
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 67

La dernière équation peut se mettre sous la forme :

   
i−1 dV (ψi ) i+1
Fψi 2
= ωλ Aψ dψi−1 + Aψ + i
dψi + Aψ dψi+1
dx
+ λ2 Ai−1

ψi−1 + Aiψ ψi + Ai+1

ψi+1 + V (ψi ) − g (x) (3.40)
ψ ψ

=0

Si ω = 0, l’équation (3.40) devient :

λ2 Ai−1 ψi−1 + Aiψ ψi + Ai+1

 
ψ ψ ψi+1 + V (ψi ) − g (x) = 0 (3.41)

Si ω = 1, l’équation (3.40) s’écrit alors :

   
dV (ψi )
λ 2
Ai−1
ψ
i
dψi−1 + Aψ + i+1
dψi + Aψ dψi+1 =
dx (3.42)
− λ2 Ai−1 ψi−1 + Aiψ ψi + Ai+1


ψ ψ ψi+1 + V (ψi ) − g (x)

L’équation de Poisson discrétisée, puis linéarisée selon l’approche des sur-re-

laxations successives à résoudre numériquement selon l’algorithme de Newton-
Raphson correspond à la différence entre les équations (3.42) et (3.41).
Nous avons utilisé cette méthode pour résoudre numériquement l’équation de
Poisson dans le cas d’une diode à barrière Schottky [59].

3.5.3.2 L’équation de continuité des électrons

Nous considérons l’équation de continuité discrétisée des électrons :

FJin = Ai−1 i i+1

n ni−1 + An − Br,n pi ni + An ni+1 + Br,n
(3.43)
=0
68 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

où Ani−1 , Ain et Ai+1

n sont des coefficients dont les expressions sont données par
l’équation (3.29).
Dans l’équation, nous effectuons les substitutions suivantes :

nij = nij + ω dnij j = −1, 0, 1 (3.44)

Cette substitution traduit la variation de la densité d’électrons d’une valeur ini-

tiale ni à une valeur corrigée par l’introduction d’une erreur élémentaire ω dni .
L’équation (3.43) peut alors se réécrire :

FJin = Ai−1 i


n (ni−1 + ω dni−1 ) + An − Br,n pi (ni + ω dni )

+ Ai+1

n (n i+1 + ω dn i+1 ) + Br,n (3.45)

=0

Cette équation peut aussi se mettre sous la forme d’un polynôme en ω :

FJin = ω Ai−1 i i+1



n dni−1 + An − Br,n pi dni + An dni+1

+ Ai−1 i i+1


n ni−1 + An − Br,n pi ni + An ni+1 + Br,n
(3.46)

=0

Si ω = 0, l’équation (3.46) s’écrit :

 i−1
An ni−1 + Ain − Br,n pi ni + Ai+1


n ni+1 + Br,n = 0 (3.47)

Pour ω = 1, l’équation (3.46) devient :

 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 69

 i−1
An dni−1 + Ain − Br,n pi dni + Ai+1


n dni+1 =
(3.48)
− Ai−1 i i+1


n ni−1 + An − Br,n pi ni + An ni+1 − Br,n

L’équation de continuité des électrons discrétisée, puis linéarisée selon l’approche

des sur-relaxations successives à résoudre numériquement selon l’algorithme de
Newton-Raphson correspond à la différence entre les équations (3.48) et (3.47).

3.5.3.3 L’équation de continuité des trous

Nous avons déjà vu ci dessus que l’équation de continuité discrétisée des trous a
pour expression :

FJip = Ai−1 i i+1

p pi−1 + Ap + Br,p ni pi + Ap pi+1 − Br,p
(3.49)
=0

où Ai−1 i i+1

p , Ap et Ap sont des coefficients dont les expressions sont données par
l’équation (3.34).
En considérant la variation de la densité de trous d’une valeur initiale pi à une
valeur corrigée par l’introduction d’une erreur élémentaire ω dpi :

pij = pij + ω dpij j = −1, 0, 1 (3.50)

L’équation (3.49) devient :

FJip = Ai−1 i


p (pi−1 + ω dpi−1 ) + Ap + Br,p ni (pi + ω dpi )

+ Ai+1

p (pi+1 + ω dpi+1 ) − Br,p
(3.51)

=0
70 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Qui peut encore s’écrire comme suit :

FJip = ω Ai−1 i i+1



p dpi−1 + Ap + Br,p ni dpi + Ap dpi+1

+ Ai−1 i i+1


p p i−1 + Ap + Br,p ni p i + Ap p i+1 − Br,p (3.52)

=0

Si ω = 0, l’équation (3.52) s’écrit :

 i−1
Ap pi−1 + Aip + Br,p ni pi + Ai+1


p p i+1 − Br,p = 0 (3.53)

Si ω = 1, l’équation (3.52) devient :

Ai−1 i i+1


p dp i−1 + A p + Br,p n i dp i + A p dp i+1 =
(3.54)
− Ai−1 i i+1


p pi−1 + Ap + Br,p ni pi + Ap pi+1 + Br,p

L’équation de continuité des trous discrétisée, puis linéarisée selon l’approche

des sur-relaxations successives à résoudre numériquement selon l’algorithme de
Newton-Raphson correspond à la différence entre les équations (3.54) et (3.53).

3.5.3.4 Système d’équations linéarisées à résoudre

Les trois équations discrétisées dans le domaine d’étude selon un maillage non
uniforme sont donc les suivantes : l’équation de Poisson qui est une équation non
linéaire en ψ, elle a été linéarisée selon la méthode de Newton et les équations de
continuité qui sont des équations aux dérivées partielles elliptiques auto-adjointes
et linéaires en Fn et Fp . Ces trois équations peuvent se mettre sous la forme :
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 71


Fψ (ψ, n, p) = 0






FJp (ψ, n, p) = 0 (3.55)




 FJn (ψ, n, p) = 0


3.5.4 Approche de Newton : calcul de la matrice Jacobienne

Cette méthode est basée sur le calcul des élements de la matrice Jacobienne qui
sont les dérivées des trois fonctions Fψ , FJn et FJp par-rapport aux inconnus ψ, Fn
et Fp .

3.5.4.1 L’équation de Poisson

ρ
F (ψ) = ∆ψ + =0 (3.56)


Le développement en série de Taylor à l’ordre 1 de F (ψ) au voisinage de ψ0

donne :
dF (ψ)
|ψ0 + o ψ 2 = 0


F (ψ) = F (ψ0 ) + (ψ − ψ0 ) (3.57)
dψ

En négligeant l’erreur o ψ 2 et en posant ψ − ψ0 = δψ, nous conduisons à :

 −1
dF (ψ)
δψ = −F (ψ0 ) (3.58)
dψ ψ0

La variation élémentaire du potentiel électrostatique dans l’équation de Poisson

discrétisée conduit à un résidu dont l’expression est la suivante :

λ2 Ai−1
ψ δψi−1 + λ2 Aiψ δψi + λ2 Ai+1
ψ δψi+1 + δpi − δni = −F (ψ0 ) (3.59)
72 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Nous avons déjà vu au chapitre I que les densités d’électrons et de trous ont pour
expressions :

n = ni exp (ψ + Fn ) et p = ni exp (−ψ − Fp )

Les variations élémentaires des densités d’électrons et de trous peuvent alors

s’exprimer en fonction des variations élémentaires des quasi-niveau de fermi δFn
et δFp :

δni = ni δψi + δFni

(3.60)
δFpi


δpi = −pi δψi +

L’équation (3.59) devient :

λ2 Ai−1 δψi−1 + λ2 Aiψ − pi − ni δψi

ψ
(3.61)
+λ 2
Ai+1
ψ δψi+1 − pi δFpi − ni δFni = −F (ψ0 )

3.5.4.2 L’équation de continuité des électrons

L’équation (3.28) peut se mettre sous la forme :

FJin = Xni−1 B (ψi−1 − ψi ) ni−1 + Xni+1 B (ψi+1 − ψi ) ni+1

(3.62)
" #
1+1/2 1−1/2
µ n µ n
+ Xni B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) ni − Rni
hi hi−1

Où :
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 73

1−1/2
2µn
Xni−1 =
hi−1 (hi−1 + hi )
−2
Xni =
hi + hi−1 (3.63)
1+1/2
2µn
Xni+1 =
hi (hi−1 + hi )
Rni = Br,n (ni pi − 1)

La variation élémentaire du potentiel électrostatique dans l’équation discrétisée

(3.62) entraı̂ne une variation élémentaire des densités d’électrons ce qui conduit
à un résidu dont l’expression est la suivante :

−FJ0n = Xni−1 d [B (ψi−1 − ψi )] ni−1 + Xni−1 B (ψi−1 − ψi ) δni−1

" #
1+1/2 1−1/2
µ n µ n
+ Xni d [B (ψi − ψi+1 )] + d [B (ψi − ψi−1 )] ni
hi hi−1
"
1+1/2 1−1/2
# (3.64)
µ n µ n
+ Xni B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) δni
hi hi−1

+ Xni+1 d [B (ψi+1 − ψi )] ni+1 + Xni+1 B (ψi+1 − ψi ) δni+1 − δRni

où δRni = Br,n (pi δni + ni δpi ) .

Le calcul de la différentielle de la fonction de Bernoulli est exposé en détail dans
l’appendix (A). Ce calcul donne :

B (x)
d [B (x)] = [B (x)]0 .dx = [1 − B (−x)] .dx (3.65)
x

Les différentielles de la fonction de Bernoulli présentes dans l’équation (3.64)

peuvent alors se réécrire :
74 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

d [B (ψi−1 − ψi )] = [B (ψi−1 − ψi )]0 .δ (ψi−1 − ψi )

d [B (ψi − ψi+1 )] = [B (ψi − ψi+1 )]0 .δ (ψi − ψi+1 )

(3.66)
0
d [B (ψi − ψi−1 )] = [B (ψi − ψi−1 )] .δ (ψi − ψi−1 )

d [B (ψi+1 − ψi )] = [B (ψi+1 − ψi )]0 .δ (ψi+1 − ψi )

L’équation (3.64) devient alors :

−FJ0n = Xni−1 [B (ψi−1 − ψi )]0 δ (ψi−1 − ψi ) ni−1

+ Xni−1 B (ψi−1 − ψi ) δni−1

1+1/2
i µn
+ Xn [B (ψi − ψi+1 )]0 .δ (ψi − ψi+1 ) ni
hi
1−1/2
µn
+ Xni [B (ψi − ψi−1 )]0 .δ (ψi − ψi−1 ) ni (3.67)
hi−1
" #
1+1/2 1−1/2
µn µn
+ Xni B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) δni
hi hi−1

+ Xni+1 [B (ψi+1 − ψi )]0 .δ (ψi+1 − ψi ) ni+1

+ Xni+1 B (ψi+1 − ψi ) δni+1 − δRni

En tenant compte de la densité élémentaire d’électrons dont l’expression est

donnée par l’équation (3.60) et aprés quelques arrangements, l’équation (3.67)
peut alors s’écrire sous la forme suivante :

−FJ0n = Cψi−1 δψi−1 + Cψi δψi + Cψi+1 δψi+1

+ Cni−1 δFni−1 + Cni δFni + Cni+1 δFni+1 (3.68)

− δRni

Où :
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 75

Cψi−1 = Xni−1 [B (ψi−1 − ψi )]0 ni−1 + Xni−1 B (ψi−1 − ψi ) ni−1

1−1/2
µn
− Xni [B (ψi − ψi−1 )]0 ni
hi−1
1+1/2
µn
Cψi = −Xni−1 [B (ψi−1 − ψi )]0 ni−1 + Xni [B (ψi − ψi+1 )]0 ni
hi
1−1/2
i µn
+ Xn [B (ψi − ψi−1 )]0 ni − Xni+1 [B (ψi+1 − ψi )]0 ni+1
h
" i−1 #
1+1/2 1−1/2
i µn µn
+ Xn B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) ni
hi hi−1 (3.69)
Cψi+1 = Xni+1 [B (ψi+1 − ψi )]0 ni+1 + Xni+1 B (ψi+1 − ψi ) ni+1
1+1/2
µn
− Xni [B (ψi − ψi+1 )]0 ni
hi
Cni−1 = Xni−1 B (ψi−1 − ψi ) ni−1
" #
1+1/2 1−1/2
µ n µ n
Cni = Xni B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) ni
hi hi−1

Cni+1 = Xni+1 B (ψi+1 − ψi ) ni+1

3.5.4.3 L’équation de continuité des trous

L’équation (3.33) peut se mettre sous la forme :

FJip = Xpi−1 B (ψi−1 − ψi ) pi−1 + Xpi+1 B (ψi+1 − ψi ) pi+1

(3.70)
" #
1+1/2 1−1/2
µ p µ p
+ Xpi B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) pi − Rpi
hi hi−1

Où :
76 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

1−1/2
2µp
Xpi−1 =
hi−1 (hi−1 + hi )
−2
Xpi =
hi + hi−1 (3.71)
1+1/2
2µp
Xpi+1 =
hi (hi−1 + hi )
Rpi = Br,n (ni pi − 1)

La variation élémentaire du potentiel électrostatique dans l’équation discrétisée

(3.70) entraı̂ne une variation élémentaire des densités de trous ce qui conduit à
un résidu dont l’expression est la suivante :

−FJ0p = Xpi−1 d [B (ψi−1 − ψi )] pi−1 + Xpi−1 B (ψi−1 − ψi ) δpi−1

" #
1+1/2 1−1/2
µ p µ p
+ Xpi d [B (ψi − ψi+1 )] + d [B (ψi − ψi−1 )] pi
hi hi−1
" #
1+1/2 1−1/2
µ p µ p (3.72)
+ Xpi B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) δpi
hi hi−1

+ Xpi+1 d [B (ψi+1 − ψi )] pi+1 + Xpi+1 B (ψi+1 − ψi ) δpi+1

− δRpi

où δRpi = Br,n (pi δni + ni δpi ) .

Nous remplaçons les différentielles de la fonction de Bernoulli dans l’équation

(3.72) par leurs expressions données dans (3.66), l’équation (3.72) devient :
 3.5 Linéarisation du système d’équations algébriques 77

−FJip = Xpi−1 [B (ψi−1 − ψi )]0 .δ (ψi−1 − ψi ) pi−1

+ Xpi−1 B (ψi−1 − ψi ) δpi−1

1+1/2
µp
+ Xpi [B (ψi − ψi+1 )]0 .δ (ψi − ψi+1 ) pi
hi
1−1/2
i µp
+ Xp [B (ψi − ψi−1 )]0 .δ (ψi − ψi−1 ) pi (3.73)
h
" i−1 #
1+1/2 1−1/2
i µp µp
+ Xp B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) δpi
hi hi−1

+ Xpi+1 [B (ψi+1 − ψi )]0 .δ (ψi+1 − ψi ) pi+1

+ Xpi+1 B (ψi+1 − ψi ) δpi+1 − δRpi

En tenant compte de la densité élémentaire de trous dont l’expression est donnée

par l’équation (3.60) et aprés quelques arrangements, l’équation (3.73) peut alors
s’écrire sous la forme suivante :

−FJ0p = Cψi−1 δψi−1 + Cψi δψi + Cψi+1 δψi+1

+ Cpi−1 δFpi−1 + Cpi δFpi + Cpi+1 δFpi+1 (3.74)

− δRpi

Où :
78 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Cψi−1 = Xpi−1 [B (ψi−1 − ψi )]0 pi−1 + Xpi−1 B (ψi−1 − ψi ) pi−1

1−1/2
µp
− Xpi [B (ψi − ψi−1 )]0 pi
hi−1
1+1/2
µp
Cψi = −Xpi−1 [B (ψi−1 − ψi )]0 pi−1 + Xpi [B (ψi − ψi+1 )]0 pi
hi
1−1/2
i µp
+ Xp [B (ψi − ψi−1 )]0 pi − Xpi+1 [B (ψi+1 − ψi )]0 pi+1
h
" i−1 #
1+1/2 1−1/2
i µp µp
+ Xp B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) pi
hi hi−1 (3.75)
Cψi+1 = Xpi+1 [B (ψi+1 − ψi )]0 pi+1 + Xpi+1 B (ψi+1 − ψi ) pi+1
1+1/2
µp
− Xpi [B (ψi − ψi+1 )]0 pi
hi
Cpi−1 = Xpi−1 B (ψi−1 − ψi ) pi−1
" #
1+1/2 1−1/2
µ p µ p
Cpi = Xpi B (ψi − ψi+1 ) + B (ψi − ψi−1 ) pi
hi hi−1

Cpi+1 = Xpi+1 B (ψi+1 − ψi ) pi+1

3.5.4.4 Système d’équations linéarisées à résoudre

Les trois équations discrétisées dans notre domaine d’étude selon un maillage non
uniforme sont donc les suivantes : l’équation de Poisson qui est une équation non
linéaire en ψ, Fn et Fp , elle a été linéarisée selon la méthode de Newton et les
équations de continuité qui sont des équations aux dérivées partielles elliptiques
auto-adjointes et linéaires en Fn et Fp . Ces trois équations peuvent se mettre sous
la forme :
 3.6 Conditions aux limites 79


Fψ (ψ, Fn , Fp ) = 0






FJp (ψ, Fn , Fp ) = 0 (3.76)




 FJn (ψ, Fn , Fp ) = 0


La matrice Jacobienne de ce système s’écrit :

 
∂Fψ ∂Fψ ∂Fψ
 ∂ψ ∂n ∂p 
 ∂F ∂FJn ∂FJn 

 Jn
 ∂ψ ∂n ∂p 
(3.77)
 
∂FJp ∂FJp ∂FJp
∂ψ ∂n ∂p

3.6 Conditions aux limites

Les conditions aux limites aux frontières de la structure d’étude requièrent une
attention particulière. Au niveau de chaque contact, trois conditions aux limites
sont requises, elles s’imposent au potentiel électrostatique, à la densité d’électrons
et à la densité de trous. Dans le cas de densités de courants faibles et lorsque la
résistance de contact est négligeable, les potentiels aux bornes (à gauche et à
droite) sont simplement considères égaux aux potentiels appliqués. Cependant,
pour des dispositifs réels où la nature du contact n’est pas bien connue, ces
considérations ne sont plus valables. La tension de polarisation doit tenir compte
de la chute du potentiel dans une résistance externe, qui doit être déduite à partir
de la caractéristique du dispositif. Les niveaux de fermi aux contacts sont sou-
vent supposés correspondre à l’équilibre thermique. [37, 47, 60]. En particulier,
les niveaux Fn et Fp coı̈ncident en x = xL (à gauche) et x = xR (à droite). Ceci
suppose que la distance des contacts par rapport à la jonction est au moins égale
à plusieurs fois la longueur de diffusion des porteurs minoritaires correspondants.
80 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Si l’équilibre thermique est supposé au niveaux des contacts, les niveaux de fermi
sont confondus et leurs positions par rapport aux bords de la bande sont faci-
lement évaluées en exigeant la neutralité de la charge locale. Sans polarisation
externe, le potentiel de diffusion (Vbi ) est donné par le déplacement relatif des
bords des bandes à gauche et à droite. En présence d’une polarisation externe
(V ), les conditions aux limites pour le potentiel électrique sont :
       
ψ(xL ) = χ + Ug − ln NNapv − ln Nnapi
et ψ(x R ) = χ + Ug − ln Nv
Nap
+ ln Ndn
ni
−
Vapp .
Pour la densité d’électrons et à la densité de trous :
pL = exp (−Up ) et pR = exp (−Un + Vapp ).
nL = exp (Up + Vapp ) et nR = exp (Un ).
   
NDn NAp
avec : χ est l’affinité électronique, Un = ln ni
et Up = −ln ni

Toutefois, dans le cas de jonctions courtes, d’autres conditions aux limites s’im-
posent. Si la vitesse de recombinaison de surface est supposée finie aux niveaux
des contacts alors [37, 47, 61] :

→
− →
J n .−
n = −qvn (n − n0 )
→
− →
J p .−
n = −qvp (p − p0 )

où →
−
n est le vecteur normal au contact, vn et vp sont les vitesses de recombinaison
de surface des porteurs de charges libres aux contacts.

Dans notre étude, nous avons travaillé avec des conditions de type Dirichlet qui
imposent au potentiel électrostatique de prendre des valeurs déterminées à droite
et à gauche du composant là où il y a les contacts ohmiques. Cependant, nous
 3.7 Illumination polychromatique 81

signalons qu’il est possible de travailler avec des conditions aux limites de type
Neumann qui imposent au champs électrique de prendre des valeurs déterminées
aux frontières du domaine.

3.7 Illumination polychromatique

Dans cette partie, nous allons étudier l’interaction entre un flux de photons poly-
chromatique et le composant optoélectronique. A cet effet, nous allons introduire
dans les deux équations de continuité de l’électron et du trou un terme qui traduit
la génération optique de porteurs de charges due á l’absorption de photons dont
l’énergie hν est supérieure au gap Eg du semi-conducteur. Dans ces conditions,
les deux équations de continuité (3.25 et 3.30) s’écrivent :

dJn
− Rn + G = 0
dx (3.78)
dJp
+ Rp − G = 0
dx

Où G (équation 3.86) est le taux de photo-génération, il est indépendant du po-

tentiel électrostatique et des concentrations de porteurs de charges, il ne dépend
que de la distance x par rapport à la surface éclairée et des caractéristiques pho-
toniques du faisceau de lumière incidente et des propriétés du semi-conducteur.
La discrétisation suivie de la linéarisation des équations du semi-conducteur dans
ce cas conduisent au système d’équations suivant :
82 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

FJin = ω Ai−1 i i+1



n dni−1 + An − Br,n pi dni + An dni+1

+ Ai−1 i i+1


n ni−1 + An − Br,n pi ni + An ni+1 + Br,n + Gopn
(3.79)

=0

FJip = ω Ai−1 i i+1



p dpi−1 + Ap + Br,p ni dpi + Ap dpi+1

+ Ai−1 i i+1


p pi−1 + Ap + Br,p ni pi + Ap pi+1 − Br,p − Gopp
(3.80)

=0

Le système d’équations ci-dessus est résolu itérativement de manière similaire

à celle suivie lors de la résolution des équations dans le cas d’un composant à
l’obscurité (voir section 3.5.1).

3.7.1 Irradiance spectrale, irradiance et flux des photons

La simulation, l’optimisation et la caractérisation de cellules solaires photo-

voltaı̈ques opérationnelles requièrent la connaissance de la source d’énergie émettant
le rayonnement. Dans la plus part des cas, cette source n’est autre que le soleil.
Le spectre du rayonnement émis par le soleil (voir section 4.4.1) et qui parvient
à la surface de la terre est très compliqué à cause de l’absorption des différentes
couches de l’atmosphère, et surtout des impuretés atomiques et moléculaires qui
s’y trouvent. Cependant, pour simplifier notre calcul numérique, nous considérons
que ce spectre est tout simplement identique à celui d’un corps noir porté à une
température proche de 5900 K [133, 134].
 3.7 Illumination polychromatique 83

3.7.1.1 Corps noir

Le corps noir est le récepteur de rayonnement idéal. Il est aussi appelé récepteur
intégral dans le sens où il absorbe intégralement le rayonnement incident, quelle
que soit sa longueur d’onde et son angle d’incidence, sans réflexion, ni diffusion,
ni transmission [134]. Le facteur d’absorption du corps noir est égal à l’unité.
Toutes les autres caractéristiques qualitatives qui déterminent le comportement
du corps noir découlent de cette définition [62, 133].

3.7.1.2 Emissivité spectrale

L’émissivité spectrale du corps noir est définie comme étant la puissance spectrale
rayonnée par unité de surface et par unité de longueur d’onde (W/m3 ). L’expres-
sion de l’émissivité spectrale est donnée par la loi de Planck [65, 133, 134] :

2 π h c2 1
Eλ = hc

(3.81)
λ5 exp λkT
−1

Dans notre étude, nous avons utilisé le logiciel de calcul symbolique et numérique
Maple pour tracer l’émissivité spectrale du corps noir porté à une température
égale à 5900 K (voir figure 3.2).
L’énergie totale d’un corps noir rayonnée par unité de surface pour toutes les
longueurs d’onde est donnée par la loi de Stéphane-Boltzmann, son unité est
(W/m2 ) [65, 133, 134] :

Z ∞
Eλ dλ = σT 4 = 5.66 10−8 T 4 (3.82)
0
84 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Figure 3.2: Distribution spectrale de l’émissivité du corps noir à 5900o K

3.7.1.3 Irradiance spectrale

Le corps noir n’émet que des radiations sous forme thermique dont l’intensité
ne dépend que de la température du corps noir et de la longueur d’onde de la
radiation émise. Plus la température du corps noir est élevée, plus la longueur
d’onde associée au maximum de la distribution du rayonnement est courte [64].
Sachant que le corps noir rayonne d’une façon isotrope, l’irradiance spectrale
reçue du soleil à une unité de distance astronomique 1AU est donnée par :

Ssun
Iλ = Eλ R ∞ (3.83)
0
Eλ dλ

Où Ss un est la constante solaire, elle dépend de la latitude, de la longitude et

de l’altitude du point considéré sur le globe terrestre. C’est l’irradiance totale
reçue par un mètre carré d’une surface normale aux rayons du soleil à une dis-
 3.7 Illumination polychromatique 85

tance égale à l’unité astronomique (1AU = 1.496 1011 m). La valeur de Ssun est
l’intégrale de l’éclairement énergétique spectral (irradiance spectrale). Dans le cas
d’une utilisation en dehors de l’atmosphère, la masse atmosphérique est égale à
0 (AM0) et la constante solaire vaut 1353 W/m2 . Pour une utilisation terrestre
où le récepteur reçoit des rayons faisant un angle de 48.2 avec le zénith (AM1.5)
(voir section 4.4.1), la constante solaire vaut 930 W/m2 [134].

Figure 3.3: Irradiance spectrale du corps noir à 5900o K qui correspond à la

masse atmosphérique AM 1.5
86 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

3.7.1.4 Irradiance

L’irradiance est définie comme étant l’intégrale de l’irradiance spectrale étendue

sur tout le spectre électromagnétique, son unité est le (W/m2 ) [65, 133, 134].

3.7.1.5 Flux spectral de photons

Le flux spectral de photons reçu à la face avant de l’émetteur d’une cellule solaire
est déduit de l’éclairement énergétique spectral (irradiance spectrale) par simple
division par le quanta d’énergie hc/λ porté par chaque photon de longueur d’onde
λ. Compte tenu du fait que l’éclairement énergétique spectral n’est autre que la
puissance par unité de surface et par unité de longueur d’onde. En substituant
l’énergie d’un photon par hc/λ et en arrangeant les unités [134], nous aboutissons,
pour une air mass nulle, à l’expression suivante :

2
 
16 Iλ (W/m ) photon
Φ0 = 10 λ(µm) (3.84)
19.8 cm2 µm s

Dans notre calcul, nous avons travaillé avec une AM1.5 dont l’expression du flux
spectral de photons est donnée par :

2π hc2 1
Fλ = 930 hc


(3.85)
λ5 exp kλT
− 1 σ T4

La figure (3.4), présente le flux spectral de photons avec lequel nous avons effectué
la simulation numérique.
 3.7 Illumination polychromatique 87

Figure 3.4: Le flux spectral de photons arrivant à la face avant de l’émetteur de

la cellule solaire avec une AM 1.5.

3.7.2 Propriétés optiques du matériau

La compréhension de l’interaction rayonnement-matière requièrt la détermination

et la connaissance préalables des propriétés optiques et électroniques du matériau
illuminé. Lors de l’interaction photon-matière, trois mécanismes peuvent interve-
nir : la lumière peut être réfléchie, transmise ou absorbée. Ces trois phénomènes
sont caractérisés, respectivement par, le pouvoir de transmission T ou transmit-
tance (6= du coefficient de transmission t), le pouvoir de réflexion ou réflectance
R (6= du coefficient de réflexion r) et enfin le pouvoir d’absorption A ou ab-
sorbance (6= du coefficient d’absorption α) [66, 73, 134]. Pour la détermination
de ces grandeurs optiques, plusieurs techniques sont utilisées [67, 68, 69]. Dans
notre cas, nous avons utilisé les valeurs du pouvoir de réflexion et du coefficient
d’absorption fournies par les références suivantes [74, 75, 155]
88 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

3.7.2.1 Transmission

Le passage de la lumière à travers un objet transparent est appelé transmission.

Le pouvoir de transmission est défini comme étant le rapport entre l’intensité de
la lumière transmise (ΦT ) par le matériau et de l’intensité de la lumière incidente
sur sa surface (Φ0 ) [70] : T = ΦT /Φ0 .

3.7.2.2 Réflexion

Le pouvoir de réflexion d’un matériau est défini comme étant l’intensité de la

lumière réfléchie au niveau de sa surface (ΦR ) par rapport à l’intensité lumineuse
incidente(Φ0 ) [70] : R = ΦR /Φ0 .
Dans notre étude, nous avons simulé une cellule solaire à base de Silicium dont
l’indice de réfraction nSi et le coefficient d’extinction kSi ont été pris des références
[74, 75, 155]. La réflectance peut alors être déduite en utilisant la relation suivante
[73, 134, 155] :

(nSi − 1)2 + kSi

2
Rλ =
(nSi + 1)2 + kSi
2

La figure (3.5) donne la réflectance R et la transmittance (1 − R) du Silicium en

fonction de la longueur d’onde [74, 75, 155].
 3.7 Illumination polychromatique 89

Figure 3.5: La réflectance et la transmittance du silicium en fonction de la

longueur d’onde.

3.7.2.3 Absorption

L’absorption optique dans les semi-conducteurs traduit l’échange d’énergie entre

les photons incidents et les électrons de la bande de valence qui se déplacent vers
la bande de conduction après leur excitation. Tout semi-conducteur se caractérise
par son coefficient d’absorption qui dépend de la valeur de la bande interdite et
de sa nature (gap direct ou indirect) et aussi de la nature du semi-conducteur
[133, 134].
Le coefficient d’absorption α (λ) est la mesure de la probabilité pour qu’un photon
soit absorbé, il varie avec la longueur d’onde et avec la nature du matériau. Pour
une longueur d’onde donnée, si la valeur de α (λ) est élevée, les photons sont
absorbés sur une courte distance à partir de la surface éclairée, alors que si la
valeur de α (λ) est faible, les photons peuvent parcourir de longues distances à
90 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

l’intérieur du matériau avant d’être absorbés. Dans le cas extrême où la valeur
de α (λ) est nulle, les photons traversent complètement le matériau sans être
absorbés, le matériau est alors dit transparent à cette longueur d’onde particulière
[71, 72, 133, 134, 73].
La figure (3.6) présente le coefficient d’absorption du Silicium en fonction de la
longueur d’onde. Nous avons utilisé les valeurs des références [74, 75, 155], nous
pouvons remarquer que le Silicium est transparent pour des longueurs d’onde
dans l’infrarouge au-delà de 1.1 micron environ (EgSi = 1.12 eV, λSi = 1.1 µm).

Figure 3.6: Coefficient d’absorption du Silicium en cm−1 en fonction de la lon-

gueur d’onde. Silicium qui a une band interdite indirect avec une longueur d’onde
de coupure de λSi = 1.1 µm.
 3.7 Illumination polychromatique 91

3.7.3 Taux de génération optique

Lorsque la lumière entre par la face avant de l’émetteur, le nombre de porteurs

de charges électrons et trous générés à une distance x est donné en fonction du
taux de génération optique par [38, 72] :

G (x, λ) = (1 − Rλ ) α (λ) Φ0 exp (−α (λ) x) (3.86)

Pour avoir le taux de génération à une distance x de la face avant de l’émetteur,

il faut sommer sur toutes les longueurs d’onde du spectre susceptibles d’être
absorbées par le matériau.

Z λc
G (x) = (1 − Rλ ) α (λ) Φ0 exp (−α (λ) x) dλ (3.87)
0

Dans le cas d’une cellule solaire cristalline à base de Silicium, illuminée par une
lumière polychromatique issue d’un corps noir à 5900K simulant le spectre solaire
et pour une air mass AM 1.5, le taux de génération est représenté dans la figure
suivante (3.7).
92 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Figure 3.7: La profil du taux de génération optique utilisé pour simuler une
cellule solaire à base de Silicium illuminée par une lumière polychromatique issue
d’un corps noir à 5900K simulant le spectre solaire et pour une air mass AM 1.5.

3.7.4 Densités de courant en court-circuit spectrale et totale

La densité spectrale de courant en court-circuit est définie par :

Z L
Jsc (λ) = q G (x, λ) dx (3.88)
0

La figure (3.8) présente la variation de la densité spectrale de courant en court-

circuit en fonction de la longueur d’onde pour une cellule solaire de Silicium dont
la longueur L est de 0.07µm.
 3.7 Illumination polychromatique 93

Figure 3.8: Distribution spectrale de la densité du courant en court-circuit de

la cellule solaire de Silicium avec une longueur L qui est de 0.07µm.

Pour avoir la densité de courant totale, il faut sommer la densité spectrale sur
toutes les longueurs d’onde susceptibles de générer des paires électron-trou :

Z λc
Jsc = Jsc (λ) dλ (3.89)
0

3.7.5 EQE & IQE

L’efficacité quantique externe (EQE) est défini comme étant le rapport entre le
nombre de porteurs de charges électroniques générées par la cellule solaire et le
nombre de photons incidents qui arrivent sur la face avant de la cellule solaire.
L’efficacité quantique externe (EQE) a pour expression :
94 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Jsc (λ) /q
EQE = (3.90)
E (λ) /hν

La figure (3.9) donne la variation du rendement quantique externe (EQE) en fonc-

tion de la longueur d’onde pour une cellule solaire de Silicium dont la longueur
L est de 0.07µm :

Figure 3.9: L’efficacité quantique externe en fonction de la longueur d’onde pour

la cellule solaire de Silicium que nous avons simulé avec une longueur L qui est
de 0.07µm.

Le rendement quantique interne (IQE) est le rapport entre le nombre de porteurs

de charges électroniques générées par la cellule solaire et le nombre de photons
incidents qui sont absorbés par le dispositif optoélectronique. L’IQE est toujours
plus grand que l’EQE. L’IQE est déduit à partir des mesures de l’EQE du dispo-
sitif photosensible, de sa réflectance et de sa transmittance.
 3.7 Illumination polychromatique 95

Jsc (λ) /q 1
IQE = (3.91)
E (λ) /hν (1 − Rλ )

La variation du rendement quantique interne (IQE) en fonction de la longueur

d’onde pour une cellule solaire de Silicium dont la longueur L est de 0.07µm est
donné par la figure (3.10).

Figure 3.10: L’efficacité quantique interne en fonction de la longueur d’onde

pour la cellule solaire de Silicium que nous avons simulé avec une longueur L qui
est de 0.07µm.
96 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

3.8 Résultats et discussions

Dans cette section, nous allons exposer les résultats obtenus suite à la résolution
des équations du semi-conducteur à une dimension dans le cas d’un composant
opto-électronique photosensible à base du Silicium [76]. Le profil de dopage à
travers le composant est donné dans la figure (3.11).

Figure 3.11: Profil de dopage à travers la jonction p-n.

Jonction sans polarisation externe Vapp = 0

- Lors de la formation de la jonction p-n, les porteurs majoritaires diffusent
vers la région où ils sont minoritaires (voir figures 3.14 et 3.15).
- Les trous qui sont majoritaires dans la région p, diffusent dans la région n où
ils sont minoritaires. En se recombinant avec un électron libre, le trou laisse du
côté p un atome accepteur ionisé négativement non compensé électriquement.
- Les électrons majoritaires dans la région n, diffusent dans la région p où ils
 3.8 Résultats et discussions 97

sont minoritaires. Là, un électron a de fortes chances de se recombiner avec un

trou libre laissant du côté n un atome donneur ionisé positivement non com-
pensé électriquement.
- Dans l’espace de transition, il existe une zone dépourvue de porteurs majori-
taires contenant des charges fixes non compensées dues aux impuretés ionisées :
c’est la zone de charge d’espace.
- En l’absence de polarisation externe, les charges fixes engendrent un champ
électrique interne qui s’oppose au mouvement des porteurs majoritaires mais
qui accélère les minoritaires. Il apparaı̂t alors une distorsion des bandes d’énergie
(voir figure 3.16).
- La diffusion des porteurs majoritaires correspond à une modification énergétique
qui a pour conséquence l’alignement des niveaux de Fermi et le décalage des
bandes de valence et de conduction (voir figure 3.16). La différence entre le
minimum de la BC du côté p et le minimum de la BC du côté n correspond s̀
la variation de l’énergie potentielle de l’électron de conduction. Cette différence
se traduit par l’apparition d’une barrière de potentiel dont dérive le champ
électrique ( voir figures 3.12 et 3.13 pour Vapp = 0).
- Le dopage constant (une jonction abrupte) entraı̂ne une variation quasi-
linéaire du champ électrique qui est toujours négatif (en polarisations directe
ou inverse), son amplitude est maximale (quelques centaines de [kV /cm]) dans
le plan de la jonction métallurgique (3.13).
- Le courant total qui circule à travers la jonction est la somme de deux cou-
rants : un courant dû aux porteurs majoritaires (Idif f = Indif f + Ipdif f > 0), et
un courant dû aux porteurs minoritaires qui s’approchent de la jonction sans su-
98 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

bir de recombinaison, et qui sont naturellement attirés par le champ électrique

(Idrif t = −Is < 0). Dans le cas d’une jonction à l’équilibre déconnectée de
toute source extérieure de courant ou de tension, le courant total est nul
I(Vapp = 0) = Idif f + Idrif t = 0 et la différence de potentiel développée entre
ses bornes est nulle Vanode − Vcathode = Vbi .

Jonction polarisée en direct Vapp > 0

- Pour des polarisations en direct, la hauteur de la barrière de diffusion dimi-
nue (voir figure 3.12 pour Vapp > 0) et l’intensité du champ électrique interne
décroı̂t en valeur absolue comme le montre la figure (3.13).
- L’application d’une tension positive favorise la diffusion des majoritaires. En
effet, le champ électrique interne diminue et les forces de Coulomb qui s’op-
posent á la diffusion diminuent permettant à un plus grand nombre de porteurs
majoritaires de franchir la région déplétée (voir figures 3.14 et 3.15) et occa-
sionnant la réduction de la largeur de cette dernière. En résumé, le courant de
diffusion augmente alors que celui des minoritaires reste intacte.
- Les bandes d’énergies du côté n, se déplacent d’une valeur égale à eVapp , et
le niveau de fermi se scinde en deux quasi-niveaux de fermi qui ne sont plus
alignés (voir figure 3.17).

Jonction polarisée en inverse Vapp < 0

- En polarisation inverse, quelque soit la tension appliquée entre les bornes de
la jonction, le courant total est constant et vaut −Is , c’est le courant de satu-
ration.
 3.8 Résultats et discussions 99

- La hauteur de la barrière de potentiel augmente (voir figure 3.12 pour

Vapp < 0), la largeur de la zone de déplétion est plus importante que celle
correspondant au cas non polarisé, ce qui produit un champ électrique plus
intense en valeur absolue (voir figure 3.13 pour Vapp < 0). Par conséquent, la
diffusion des majoritaires diminue (voir figures 3.14 et 3.15), et le courant de
diffusion est réduit.
- Les bandes d’énergies du côté n, se déplacent d’une valeur égale à −eVapp , et
le niveau de fermi se scinde en deux quasi-niveaux de fermi qui ne sont plus
alignés (voir figure 3.18).
- Cependant, le courant total peut brusquement et fortement augmenter pour
une forte polarisation en inverse : c’est la tension de claquage de la jonction.
- La force électrique qui s’exerce sur les électrons liés au réseau cristallin s’ac-
croı̂t avec la tension de polarisation inverse, elle peut même provoquer la rup-
ture directe des liaisons covalentes et par conséquent l’ionisation des atomes
du matériau si le champ électrique interne est suffisamment intense. Dans ces
conditions, le claquage par effet tunnel se produit (effet Zener). En effet, pour
une jonction fortement dopée, la zone de déplétion est très étroite et le champ
électrique est très intense et génère des paires électron-trou. Les électrons as-
sociés à ces paires sont émis à travers la zone désertée, de la bande de valence
vers la bande de conduction, sans modification d’énergie d’où le terme d’effet
tunnel.
- Le deuxième processus de claquage est l’effet d’avalanche. Dans ce cas, le
champ électrique de la région de déplétion accélère les porteurs à des vitesses
suffisantes pour provoquer l’ionisation des atomes du matériau par collisions.
100 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Les paires électron-trou libérées sont à leur tour fortement accélèrées et peuvent
provoquer une ionisation secondaire. Si le processus se poursuit, l’avalanche
d’ionisations par collisions conduit à une multiplication importante des por-
teurs et donc à des courants intenses.

Figure 3.12: Profils du potentiel électrostatique à travers la jonction p-n, pour

des tensions appliquées égales à −0.5 V, −0.39 V (polarisation en inverse)
0, 0.39 V et 0.5 V (polarisation en direct).
 3.8 Résultats et discussions 101

Figure 3.13: Profils du champ électrique à travers la jonction p-n, pour des
tensions appliquées égales à −0.5 V, −0.39 V (polarisation en inverse) 0, 0.39V
et 0.5V (polarisation en direct).

Figure 3.14: Densité des électrons, pour des tensions appliquées égales à
−0.5 V, −0.39 V (polarisation en inverse) 0, 0.39 V et 0.5 V (polarisation
en direct).
102 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Figure 3.15: Densité de trous, pour des tensions appliquées égales à

−0.5 V, −0.39 V (polarisation en inverse) 0, 0.39 V et 0.5 V (polarisation
en direct).
 3.8 Résultats et discussions 103

Figure 3.16: Diagramme des bandes d’énergies à travers la jonction p-n, pour
une tensions appliquée égale à 0 V .

Figure 3.17: Diagramme des bandes d’énergies de la jonction p-n pour une
tension appliquée égale à 0.65 V (polarisation en direct).
104 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Figure 3.18: Diagramme des bandes d’énergies de la jonction p-n pour une
tension appliquée égale à −0.65 V (polarisation en inverse).

Pour une cellule solaire cristalline à base de Silicium dont la longueur est de
0.07 microns, illuminée avec une lumière polychromatique issue d’un corps noir à
5900K simulant le spectre solaire et pour une air mass AM1.5, nous avons calculé
la densité de courant totale pour différentes tensions de polarisations, ce qui nous
a permet de tracer la caractéristique densité de courant-tension en échelles linéaire
et semi-logarithmique (3.19) ainsi que la puissance délivrée par la cellule solaire
en fonction du courant et de la tension (3.20).
 3.8 Résultats et discussions 105

Figure 3.19: Caractéristiques J = f (V ) de la cellule solaire cristalline, que nous

avons simulée, à base d’une homojonction de silicium et dont sa longueur L est
de 0.07µm. La figure principale est en échelle linéaire, la figure inserée (inset) est
en échelle semi-logarithmique. La caractéristique à l’obscurité est designée avec
des tirets noirs et la caractéristique sous éclairement avec une ligne rouge

Figure 3.20: La puissance delivrée par la cellule en fonction de la densitée du

courant (P(J) à gauche) et en fonction de la tension (P(V) à droite)
106 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

Les caractéristiques métriques photovoltaı̈ques de la cellule solaire cristalline à

base de silicium objet de notre simulation sont réunies dans le tableau (3.2).
Ses caractéristiques sont la densité de courant en court-circuit Jsc , la tension en
circuit-ouvert Voc , les coordonnés du point de puissance maximale Jmax , Vmax et
Pmax . Elles ont été détérminées à partir des caractéristiques simulées J = f (V )
et P = f (V ). Elles ont ensuite t utilises pour le calcul du facteur de frome
Vmax Jmax
FF = Voc Jsc
.

Jsc (Am−2 ) -29.89

Voc (mV ) 504.6
Jmax (Am−2 ) 27.24
Vmax (mV ) 394.3
Pmax (W m−2 ) 10.74
FF % 71

Table 3.2: Caractéristiques électriques de la cellule solaire cristalline à base de

silicium simulée à l’aide de notre code Maple et dont la longueur L vaut 0.07µm.
 3.9 Conclusion et perspectives 107

3.9 Conclusion et perspectives

Après avoir établi les équations du semi-conducteur au chapitre précédent, nous

avons procédé dans le présent chapitre à la résolution numérique de ces équations
en vue d’effectuer la simulation du comportement d’un dispositif optoélectronique
photosensible à une dimension. Dans la première étape de la résolution, nous
avons effectué la discrétisation de l’équation de Poisson moyennant un schéma
aux différences finies, et la discrétisation des équations de continuité de l’électron
et du trou moyennant le schéma de Gummel-Scharfetter qui permet d’atteindre
une bonne précision et d’éviter les divergences dues à des situations non phy-
siques. Ensuite, nous avons procédé à la linéarisation du système d’équations ob-
tenu selon deux méthodes différentes : la méthode des sur-relaxations successives
et la méthode de la matrice Jacobienne. Après avoir choisi des conditions aux
limites de type Dirichlet, nous avons adopté l’algorithme de Newton-Raphson
pour résoudre le système d’équations d’une manière itérative pour une homo-
jonction p − n à l’équilibre thermodynamique, sous des polarisations directes et
en inverse dans l’obscurité et sous illumination polychromatique. Nous avons écris
un code informatique en langage Maple qui permet d’effectuer symboliquement la
discrétisation et la linéarisation des équations du semi-conducteur puis effectue la
résolution du système d’équations et génére les profils du potentiel électrostatique,
du champ électrique, des densités d’électrons et de trous, des densités de courant
d’électrons et de trous et enfin les profils des bandes d’énergie ainsi que le ni-
veaux de Fermi intrinséque et extrinséque et les quasi-niveaux pour différentes
valeurs de la tension appliquée en direct et en inverse et pour des profils de dopage
quelconques. Le code informatique que nous avons écris est toujours en cours de
108 3 RESOLUTION NUMERIQUE DES EQUATIONS DU SEMI-CONDUCTEUR

développement pour simuler une cellule solaire en présence des défauts. En effet,
l’une des pistes retenues comme perspective pour le présent travail consiste à
tenir compte des défauts profonds dans le semi-conducteur, ce qui se traduit par
l’ajout au système d’équations d’une quatrième équation qui décrit la continuité
de l’occupation des niveaux de défauts profonds. Finalement, nous projetons aussi
d’utiliser ce code informatique pour simuler le comportement d’une cellule solaire
organique à une dimension et faire une comparaison avec les résultats issus de
l’expérience.
 3.10 Publications 109

3.10 Publications

– E. M. Assaid, S. Aazou, A. Ibral and E. M. Feddi, Finite Difference Numerical

Solution of Poisson Equation in a Schottky Barrier diode Using Maple, IEEE
conference Faible Tension Faible Consommation, pages 75-78, 2011.
– E. M. Assaid and S. Aazou and A. Ibral and E. M. Feddi, Numerical Analysis of
Thin-film Photovoltaic Solar Cells Using Maple, Solar Energy for Word Peace,
Istanbul, Turkey, 2013.
4

FABRICATION ET CARACTERISATION DE

CELLULES SOLAIRES A BASE

D’HETEROJONCTIONS ORGANIQUES

DISTRIBUEES EN VOLUME

1. Introduction à la filière photovoltaı̈que organique

2. Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que

3. Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunctions distribuées en

volume

4. Caractérisation des cellules solaires organiques à hétérojunctions distribuées

en volume

5. Résultats et discussions

6. Conclusion et perspectives

7. Publications
112 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

4.1 Introduction à l’énergie photovoltaı̈que organique

A ses débuts, l’énergie photovoltaı̈que était presque exclusivement utilisée dans

le domaine de l’exploration spatiale étant donné que le coût de production des
panneaux solaires de l’époque était très onéreux. C’est d’ailleurs la recherche
spatiale qui va assurer une partie des fonds qui ont financé les premières re-
cherches scientifiques qui ont suivi, et qui ont eu pour but la compréhension
des phénoménes physiques liés à la conversion photovoltaı̈que, le développement
de nouveaux matériaux et l’acquisition d’une meilleure maı̂trise technologique à
même de réduire le coût de production en vue de rendre les panneaux solaires
accessibles pour un grand nombre d’utilisateurs terriens. A l’aube de l’ère pho-
tovoltaı̈que, les matériaux utilisés dans la fabrication des cellules et des modules
photovoltaı̈ques étaient essentiellement inorganiques et à leurs tête il y avait le
Silicium, malgré la concurrence qui allait être de plus en plus rude des Tellurures
de Cadmium, des Chalcogénures et autres Arsénure de Gallium.
En dépit des avancées technologiques réalisées dans ce domaine, le coût de fa-
brication d’un panneau solaire au Silicium monocristallin demeure élevé et les
processus de fabrication sont encore compliqués de telle sorte que seuls quelques
pays industrialisés sont capables de livrer un produit fini fiable. En plus, la fa-
brication d’un panneau au Silicium nécessite l’utilisation de fours à arcs très
énergivores. L’impact d’une telle industrie sur l’environnement n’est pas tout a
fait positif en raison de la consommation excessive d’énergie et l’émission de gaz
à effet de serre [77].
En 1977, A. G. McDiarmid, A. J. Heeger et H. Shirakawa ont découvert la conduc-
tivité électrique dans le polyacétylène dopé chimiquement au Chlore [21, 22] et
 4.1 Introduction à l’énergie photovoltaı̈que organique 113

jeté les bases d’une nouvelle discipline qui sera nommée plus tard l’électronique
organique ou électronique plastique. En l’an 2000, la commission attribuant le
prix Nobel de chimie a reconnu cette discipline naissante et a couronné les efforts
fournis par ces trois scientifiques en leurs décernant le prestigieux prix. Après
les travaux pionniers de l’équipe de Philadelphie, trois décennies ont suivi où
une recherche intensive dans le domaine des polymères π-conjugués s’est pour-
suivie visant le développement de nouveaux semi-conducteurs organiques. Ainsi,
d’énormes progrès ont été réalisés dans la conception, la synthèse des polymères
π-conjugués et dans la fabrication, la caractérisation et la modélisation des dis-
positifs organiques [23, 24, 25]. Les nouveaux matériaux développés portent de
grands espoirs : ils sont peu onéreux à fabriquer en grande quantité et ouvrent la
voie à des volumes de production bien plus importants que leurs cousins inorga-
niques. L’évolution récente dans le domaine des cellules solaires photovoltaı̈ques
organiques a permis de fabriquer des cellules solaires légères et ultra fines sur
substrat flexible [78], selon un processus accessible et peu coûteux. Elles offrent
l’avantage de pouvoir être déposées en grande surface, à grande vitesse, par des
techniques d’impression classiques. Elles ouvrent également la voie aux applica-
tions légères, nomades et souples. Les cellules solaires organiques sont basées soit
sur des petites molécules ou des polymères. En raison de leur faible coût de pro-
duction, la relative facilité de leur processus de fabrication, leur flexibilité ainsi
que la tenabilité de leurs propriétés optiques et électroniques qui peuvent être
variées à volonté grâce à des modifications chimiques au niveau du squelette du
polymère, les semi-conducteurs organiques présentent un bon nombre d’avantages
par rapport à ceux inorganiques. Leurs propriétés exceptionnelles sont telles qu’ils
114 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

peuvent jouer le rôle de matériaux de pointe dans les domaines de la photonique

et de l’électronique [27] - [236].
Pour améliorer les performances des cellules solaires organiques, un nouveau
concept d’hétérojonction a été mis au point par l’équipe de N. S. Sariciftci [79],
il s’agit d’une hétérojonction distrubuée en volume, basée sur un mélange intime
où les matériaux donneur et accepteur s’interpénètrent dans la couche active de
la cellule solaire. Cette nouvelle technologie s’est avérée plus efficace que la tech-
nologie bi-couche dans le sens où elle remédie au problème du faible rendement
des cellules solaires organiques bi-couches [80].

L’objectif principal de l’étude expérimentale réalisée à LIOS et présentée dans

ce chapitre est la fabrication de cellules solaires organiques selon le concept
d’hétérojonction distribuée en volume [79], en utilisant deux matériaux donneurs
différents mélangés, séparément, à un seul matériau accepteur sous différentes pro-
portions [195]. Puis, la comparaison des performances électroniques et optiques
des cellules solaires issues de ces deux polymères conjugués ainsi que l’examen
des effets du recuit et des proportions du donneur et de l’accepteur sur les per-
formances de chaque mélange.
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 115

4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la

conversion photovoltaı̈que

4.2.1 L’atome de Carbone

4.2.1.1 Configuration électronique du Carbone

L’élément principal de l’ossature des semi-conducteurs organiques conjugués est le

Carbone. Cet élément est unique dans ses propriéés chimiques, il est de la famille
des cristallogènes et appartient à la classe des semi-conducteurs dans le tableau
périodique de Mendelı̈ev juste au-dessus du Silicium (voir figure 4.1). Le Carbone
est capable de se lier d’une manière très variée à un grand nombre d’atomes aussi
différents les uns des autres donnant ainsi naissance à un nombre de molécules
supérieur au nombre de molécules résultant des liaisons possibles entre tous les
autres éléments qui existent dans la nature [82]. Il doit cette versatilité à sa
structure électronique particulière [1s2 2s2 2p2 ].
116 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.1: Tableau des éléments chimiques de Mendeleı̈ev.

4.2.1.2 Hybridations de l’atome de Carbone

Les liaisons Carbone-Carbone dans le diamant ou Carbone-Hydrogène dans la

molécule de méthane CH4 sont dites covalentes. Elles assurent la liaison entre
deux atomes et résultent d’un partage équitable des électrons périphériques qui
occupent alors des orbitales moléculaires communes aux deux atomes. Etant
donné la configuration électronique du Carbone, cette liaison n’aurait pas été
possible s’il n’y avait pas la fusion d’une orbitale atomique 2s avec trois orbitales
atomiques 2p pour donner quatre orbitales hybrides identiques de type sp3 . Cette
fusion s’appelle hybridation sp3 et les orbitales auxquelles elle donne naissance
vont être à l’origine des liaisons covalentes de type σ.
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 117

Les liaisons Carbone-Carbone dans le graphite ou dans la molécule d’éthylène

C2 H4 sont le résultat de la fusion d’une orbitale atomique 2s avec deux orbitales
atomiques 2p tout en laissant la dernière orbitale atomique 2p intacte. Cette fu-
sion donne naissance à trois orbitales hybrides identiques de type sp2 et s’appelle
hybridation sp2 et les orbitales hybrides auxquelles elle donne naissance vont
être à l’origine de trois liaisons trigonales dans le plan et la quatrième orbitale
atomique 2p orthogonale au plan assurera une liaison supplémentaire nommée π
entre deux Carbones voisins.
Dans les systèmes conjugués, l’ossature est constituée par une chaı̂ne d’atomes
de Carbone hybridés sp2 pour lesquels la liaison π est délocalisée ce qui assure la
conduction au sein du matériau organique.

Les liaisons Carbone-Carbone dans l’éthyne (l’acétylène) C2 H2 sont le résultat

de la fusion d’une orbitale atomique 2s avec une orbitale atomique 2p tout en
laissant deux orbitales atomiques 2p intactes. Cette fusion donne naissance à
deux orbitales hybrides identiques de type sp et s’appelle hybridation sp et les
orbitales hybrides auxquelles elle donne naissance vont être à l’origine de deux
liaisons colinéaires, les deux orbitales atomiques restantes vont assurer deux liai-
sons supplémentaires de type π entre deux Carbones voisins.

4.2.2 Structure de bandes d’un semi-conducteur organique

L’orbitale moléculaire est la combinaison de deux orbitales atomiques, il existe

généralement deux combinaisons possibles associées à deux niveaux d’énergie
différents. Dans le cas de deux carbones hybridés sp2 , l’orbitale associée au ni-
veau de plus basse énergie est notée π, elle est dite liante (bonding orbital), elle
118 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

correspond à l’état le plus stable et à la plus grande énergie d’extraction. Quant

à l’orbitale de plus haute énergie, elle est notée π ∗ , elle est dite anti-liante (anti-
bonding orbital) et correspond à la plus petite énergie d’extraction.

Pour les systèmes conjugués, la brique de base est une chaı̂ne ou macromolécule
qui elle même est constituée d’une succession de plusieurs atomes de Carbone
hybridés sp2 avec autant de niveaux liants que de niveaux anti-liants.
Les différentes orbitales liantes des Carbones hybridés sp2 constituant la macro-
molécule vont se combiner pour donner naissance à une bande liante de la macro-
molécule qui va jouer le rôle d’une bande de valence dont les niveaux d’énergie
sont très proches les uns des autres. L’orbitale moléculaire occupée la plus haute
appelée HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) constitue le top de la bande
de valence (voir figure 4.2).

Les différentes orbitales anti-liantes des Carbones hybridés sp2 de la chaı̂ne vont
se combiner pour former une bande anti-liante de la macromolécule qui joue le
rôle d’une bande de conduction dont les niveaux d’énergie sont eux aussi très
proches les uns des autres. L’orbitale moléculaire inoccupée la plus basse appelée
LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) constitue le bas de la bande de
conduction (voir figure 4.2).

Nous définissons la bande interdite ou gap comme étant l’écart entre les niveaux
LUMO et HOMO. L’écart énergétique entre les orbitales π et π ∗ est plus faible
que celui entre les orbitales σ et σ ∗ . Les composés avec des liaisons π et π ∗ ont
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 119

alors des gaps plus réduits et peuvent révéler un caractère semi-conducteur voire
conducteur en présence du dopage adéquat.

Figure 4.2: Diagramme des orbitales moléculaires π. Evolution du diagramme

des bandes en fonction de la longueur de la chaı̂ne des atomes de Carbone [83].

4.2.3 Conductivité et dopage dans le cas d’un matériau organique

4.2.3.1 Conductivité d’un matériau organique

Les polymères semi-conducteurs sont des polymères conjugués basés sur l’alter-
nance des liaisons simples et doubles entre deux atomes voisins de Carbone.
Les liaisons doubles permettent d’une part au semi-conducteur d’absorber de
la lumière dans le visible et offrent à un électron l’opportunité de transiter d’une
orbitale liante à une orbitale anti-liante laissant par la même occasion une vacance
dans la bande de valence appelée trou. D’autre part, ces liaisons sont délocalisées
et vont donner à chaque quasi-particule chargée l’opportunité de se déplacer le
long de la chaı̂ne moléculaire.
120 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Les polymères ont souvent une bonne stabilité thermique et ils sont réputés pour
leur aptitude à être facilement déposés sur des grandes surfaces, en contre partie,
ils nécéssitent l’usage de solvants, qui rendent la réalisation de structures multi-
couches de bonne qualité délicate [84]. Les polymères se comportent généralement
comme des semi-conducteurs à gap direct et leur conductivité peut être contrôlée
par simple dopage sur une très large gamme (de 10 à 15 ordres de grandeur)
[88, 80].

4.2.3.2 Molécules de types donneur et accepteur

Les semi-conducteurs organiques de type donneur

Ces semi-conducteurs sont indispensables dans la fabrication des cellules photo-

voltaı̈ques. Ce sont généralement des molécules conjuguées qui assurent à la fois
l’absorption de la lumière et la conduction des trous. La caractéristique principale
de ces semi-conducteurs est la présence d’électrons π qui peuvent être excités par
absorption de photons du spectre visible ou proches du visible, ce qui les fait
transiter de la bande de valence à la bande de conduction. Cette transition est
appelée la transition π − π ∗ [89].
Nous pouvons distinguer trois familles principales de polymères conjugués de type
donneur [25], [89]-[92] (voir figure 4.3) :
– Le polyparaphénylène vinylène (PPV) dont les dérivés les plus connus sont le
poly[2-methoxy-5-(2’-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylène vinylène] (MEH-PPV) et
le poly[2-methoxy-5-(3’,7’-diméthyloctyloxy)-1-4- phenylène vinylène] (MDMO-
PPV).
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 121

– Le polythiophène (PT) résultant de la polymérisation des thiophènes qui

sont des hétérocycles de soufre. Les dérivés les plus connus sont le poly(3-
hexylthiophène) (P3HT) et le poly(α-s exithiophène).
– Le polyfluorène (PF) dont le poly[2,7-[9-(2-éthylhexyl)-9-hexylfluorène] - alt-5,
5 -(4,7-di-2-thienyl-2,11,3-benzothiadiazole)] (PFDTBT) est un dérivé.

Figure 4.3: Structures chimiques de polymères conjugués de type donneur [89].

Il existe d’autres petites molécules organiques de type donneur [93]-[96], qui au-
trefois étaient utilisées comme matériaux de type p dans la fabrication de cellules
solaires organiques bi-couches [89], [97]-[100] (voir figure 4.4)
122 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.4: Structures chimiques de petites molécules de type donneur [89].

Les semi-conducteurs organiques de type accepteur

Ils sont considérés comme des conducteurs d’électrons et sont habituellement

basés sur des structures de type carbone aromatique cyclique. Ces semi-conducteurs
doivent présenter les caractéristiques suivantes [89] :
– Une affinité électronique (AE) plus élevée que celle du semi-conducteur de type
donneur,
– Une affinité électronique (AE) très proche du travail de sortie de la cathode
(Wcathode ),
– Une mobilité des électrons élevée et
– Une bonne stabilité chimique et thermique.
La figure (4.5) présente les matériaux organiques qui répondent à ces critères
[101]-[106].
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 123

Figure 4.5: Structures chimiques des semi-conducteurs organiques de type ac-

cepteur d’électrons [89].

4.2.3.3 Dopage des semi-conducteurs organiques

Le dopage des polymères diffère dans son mécanisme de celui des semi-conducteurs
inorganiques. Il ne faut pas confondre le dopage des polymères conjugués avec
le dopage qui est connu pour le Silicium et les autres semi-conducteurs inor-
ganiques. Dans le cas des semi-conducteurs inorganiques, nous remplaçons un
atome dans le réseau cristallin par un autre atome dopant (impureté). Alors que
pour les matériaux conjugués, les impuretés dopantes sont introduites à proxi-
mité des chaı̂nes de polymères, le dopage est alors un processus de transfert de
charge simple, ce qui consiste à enlever des électrons (par oxydation : type p)
ou à en ajouter (par réduction : type n). Ces trous ou électrons supplémentaires
peuvent se déplacer le long de la chaı̂ne polymère qui devient ainsi conductrice
d’électricité. Nous pouvons distinguer différentes méthodes de dopage : chimique,
électrochimique, photochimique ou encore implantation ionique (voir figure 4.6)
124 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

[83], [107]-[109].

Figure 4.6: Les technologies de dopage des polymères [107].

1. Dopage chimique : C’est le premier mécanisme de dopage qui a été découvert

[21, 107, 110]. Il peut se faire en phase gazeuse ou liquide. Le polymère est
exposé, par exemple, à une pellicule de mélanine, à un oxydant (Iode ou
Brome) ou à un réducteur (métaux alcalins). Bien que le dopage chimique
soit simple et efficace, il est toujours difficile d’obtenir un état intermédiaire
de dopage et le polymère est généralement entièrement dopé [21, 107, 111].

2. Dopage électrochimique : Ce type de dopage permet de doper d’une manière

homogène un polymère conducteur et il est plus contrôlable que le dopage chi-
mique. Dans ce processus, le polymère agit comme électrode qui est soit oxydée
(dont les électrons sont extraits de la matière) soit réduite (les électrons sont
alors introduits dans la matière) jusqu’à ce qu’un équilibre électrochimique
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 125

soit atteint. Pour maintenir l’électro-neutralité de la matière, des ions de

l’électrolyte diffusent dans le polymère [107, 111].

3. Dopage photochimique : Le polymère semi-conducteur est localement oxydé ou

réduit par photo-absorption et séparation de charges (exposition à un rayon-
nement d’énergie (hν) supérieur à son gap). Il y a ainsi création de paires
électron-trou et séparation de porteurs de charges libres. A l’issue de cette
photo-excitation, une recombinaison peut avoir lieu. Elle peut être radiative
donnant ainsi naissance à une photoluminescence (poly(p-phénylène vinylène),
poly p-phényl phénol) ou pas (polyacétylène, polythiophène) [111]-[113].

4. Dopage par implantation ionique : Il s’agit de bombarder les films de po-

lymères par des ions alcalins (N a+ , Cs+ ) et de générer ainsi, des défauts par
rupture de liaisons chimiques. Cette technique a permis de doper des films de
polyparaphénylène [83, 111, 114, 115], mais elle est peu utilisée car elle est
coûteuse et destructive.

4.2.4 Cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en

volume

A leur début, les cellules solaires photovoltaı̈ques à base de semi-conducteurs

organiques étaient fabriquées selon le modèle de la jonction p − n inorganique.
C’est à dire selon le modèle bi-couche où le dépôt des semi-conducteurs de types
donneur et accepteur se fait l’un après l’autre. Malheureusement, les cellules so-
laires fabriquées selon ce modèle avaient des rendements qui n’excédaient guère
1% [116, 117]. En effet, l’absorption d’un photon par le matériau de type p fait
subir à un électron une transition π −π ∗ tout en laissant une vacance électronique
126 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

dans la bande de valence (trou). L’électron se lie alors au trou pour donner nais-
sance à une quasi-particule appelée exciton. Cette quasi-particule correspond à
une excitation élémentaire localisée de type Frenkel [117, 118, 119]. Pour donner
naissance à deux porteurs de charges libres, l’exciton va devoir se déplacer jusqu’à
l’hétérojonction où l’électron va transiter vers la LUMO de la molécule de type
n. Etant arrivé là, l’électron sursautera de molécule à molécule jusqu’à ce qu’il
atteigne la cathode. Pendant ce temps là, le trou fera la même chose dans la partie
p de la jonction [117]. Or, la longueur de diffusion de l’exciton est très courte par
rapport à la dimension de la partie p, ce qui explique pourquoi seule une infime
partie des excitons photogénérés parvient à réaliser le parcours expliqué ci-dessus
[117].
Pour remédier à ce problème, une nouvelle approche a été préconisée pour
améliorer le rendement des cellules solaires organiques à hétérojonction [79]. Cette
approche consiste à redéfinir l’architecture en élaborant des films fins constitués
par un mélange physique intime des molécules donneuses D et acceptrices A. Ce
systéme a mené ainsi à une hétérojonction p − n distribuée en volume avec un
rendement plus elevé par rapport à celui relatif à la technologie bi-couche, étant
donné que tout le volume organique déposé est susceptible de collaborer à la
conversion photovoltaı̈que du fait que tout exciton photogénéré se trouve proche
d’une zone de séparation, et ceci quelque soit la direction prise durant sa diffu-
sion.
Dés 1995, des travaux menés par les équipes de Heeger [120] et Friends [121] sur
le poly [2-methox-5-(2’-ethyl-hexyloxy)-p-phénylène-vinylène] (MEH-PPV) et le
cyano-substituted poly(p-phenylène-vinylène) (CN-PPV), mènent à des résultats
 4.2 Les semi-conducteurs organiques conjugués pour la conversion photovoltaı̈que 127

encourageants de 0.9%. Le même système après optimisation, grâce à un traite-

ment thermique post-production, permet d’atteindre un rendement de conversion
de 1.7% ce qui est un record pour un mélange polymère D-polymère A [122]. C’est
en 2001 que l’équipe de N. Sariciftci a montré le potentiel de cette structure
en utilisant le poly[2-methoxy-5-(3,7-diméthyloctyloxy)]-1,4-phénylènevinylène)
(MDMO-PPV) comme matériau donneur et le Phényl-C61-butyrique acide d’es-
ter méthylique (PCBM) qui est un dérivé du fullerène C60 , comme matériau
accepteur. Grâce à ce dernier nouveau matériau qui est plus soluble, un ren-
dement de 2.5% est atteint [80]. En 2003, ce rendement atteint 3% après op-
timisation [123]. Les progrès viendront ensuite systématiquement de nouveaux
polymères conjugués. C’est d’abord le poly-3-hexylthiophène (P3HT) qui, pen-
dant de longues années et de nombreuses études, va donner les meilleures per-
formances. Ce polymère possède une meilleure absorption dans le rouge que les
dérivés de PPV et une meilleure stabilité environnementale [117]. Dans les trois
dernières années, de nouveaux polymères ont vu le jour permettant d’atteindre
des rendements inespérés par le passé (7.9% par la sociéte Solarmer) [112]. Ainsi
un nouveau polymère synthétisé par D. A. M. Egbe a permis d’atteindre un ren-
dement de 5% en laboratoire [124]. D’autres polymères ont permis d’atteindre
des rendements de conversion similaires voire même de battre des records dans
la catégorie de cellules organiques [78, 125] (voir figure 4.7).
128 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.7: Evolution du rendement de conversion des cellules solaires pour les
différentes filières technologiques (source NREL) [126].

4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à

hétérojunction distribuée en volume

Actuellement, les cellules solaires photovoltaı̈ques organiques les plus promet-

teuses sont conçues par l’association des fullerènes et des polymères donneurs
dans des réseaux interpénétrés. Dans ces structures, l’interface entre les semi-
conducteurs de types p et n est distribuée dans tout le volume de la couche active,
ce qui permet d’obtenir une bonne efficacité de séparation des charges à partir
d’excitons photo-générés qui sont réputés très peu mobiles dans les matériaux
organiques. La dissociation des excitons est alors améliorée car les sites de pho-
 4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction distribuée en volume 129

togénération sont proches de l’hétérojonction distribuée en volume (voir figure

(4.8)).

Figure 4.8: (a) Structure d’une cellule solaire organique à hétérojonction dis-
tribuée en volume sous illumination, avec une illustration des molécules de la
couche active. (b) structure de bande de la même cellule solaire organique qui
montre les conditions de passage des porteurs de charges, les couleurs corres-
pondent aux molécules dans l’illustration [127].

La figure (4.8), donne la structure d’une cellule solaire organique à hétérojonction

distribuée en volume et montre les différentes étapes de l’effet photovoltaı̈que dans
la cellule organique [127] :
1 : absorption du photon,
2 : génération de l’exiton,
130 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

3 : diffusion de l’exiton vers une interface donneur/accepteur,

4 : dissociation de l’exiton qui donne lieu à la génération d’une paire de porteurs
de charges (électron et trou).
5 : mobilité des électrons dans la molécule de type (n) et des trous dans la
macromolécule de type (p),
6 : collecte des porteurs de charges par les électrodes.

4.3.1 Préparation des solutions

La premiére étape pour la fabrication des cellules solaires organiques est la

préparation des solutions utilisées dans le dépôt des différentes couches.
Dans ce travail, nous avons étudié les caractéristiques électriques et optiques
des cellules solaires organiques préalablement fabriquées selon la technologie du
mélange intime, en se basant pour la partie p sur deux polymères différents dont
un récemment synthétisé à Linz [124] (voir figure 4.11), et pour la partie n sur
la molécule très connue : le (6,6)-phényle-C61-ester méthylique d’acide butyrique
(PCBM) (voir figure 4.9). Cette molécule présente l’avantage, par rapport aux
autres molécules de type n, de pouvoir accueillir jusqu’à six électrons. Dans le
premier type de cellules solaires fabriquées, le matériau de type p est le poly (3-
hexylthiophène) (P3HT) (voir figure 4.10), il s’agit d’un polymère conjugué qui
est couramment utilisé dans la fabrication des OPVSCs. Dans le deuxième type
de cellules solaires, le matériau de type p est le polymère récemment synthétisé
par D. A. M. Egbe [124], il s’agit d’un anthracène contenant un poly (phénylène-
éthynylène)-alt-poly (p-phénylène-vinylène) (PPE-PPV) ayant une distribution
statistique de segments de chaı̂nes latérales d’octyloxy linéaires et de chaı̂nes
latérales de 2-éthyl-hexyloxy ramifiées. Ce polymère est noté AnE-PVstat. Les
 4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction distribuée en volume 131

deux polymères de type p ont des bandes interdites de même largeur soit 1.9 eV .
Cependant, leurs structures chimiques sont différentes comme le montre les figures
(4.10 et 4.11).

Figure 4.9: Structure chimique du PCBM.

Figure 4.10: Structure chimique du polymère P3HT.

132 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.11: Structure chimique du polymère AnE-PVstat.

4.3.1.1 Le PEDOT:PSS

Le polymère conjugué poly (3,4-éthylènedioxythiophène) : Polysytrenesulphonat

(PEDOT:PSS) (voir figure 4.12) est un conducteur transparent qui offre l’avantage
de ne pas nécessiter de technologie du vide pour être déposé. Le PEDOT:PSS est
utilisé pour améliorer les propriétés d’extraction entre l’oxyde d’indium dopé à
l’étain (Indium Tin Oxide ITO) et la couche active, pour lisser le film d’ITO et
pour assurer un bon contact entre le polymère et l’ITO. L’épaisseur de la couche
de PEDOT:PSS est généralement inférieure à 100 nm.
Dans cette thèse, nous avons travaillé avec un PEDOT:PSS VP AI 4083 de chez
CLEVIOS qui a une fonction de travail de 4.8 à 5.2 eV . Sa résistivité est comprise
entre 500 et 5000 Ω cm [128, 129, 130].
 4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction distribuée en volume 133

PSS

PEDOT

Figure 4.12: Structure chimique du PEDOT:PSS [130].

4.3.1.2 Préparation du mélange P3HT:PCBM

Le P3HT

Le polymère conjugué Poly (3-hexylthiophène-2,5-diyle) (P3HT) (voir figure

(4.10)), est communément utilisé dans la fabrication des cellules solaires orga-
niques et agit comme un absorbeur de lumière et un transporteur de trous. P3HT
présente une solubilité élevée et une meilleure stabilité environnementale et grâce
aux groupes alkyl une cristallinité à fort potentiel.

Le PCBM

Le phényl-C61-butyrique acide d’ester méthylique (PCBM) est une molécule à

base du fullerène. Le PCBM est un matériau de type n dont chaque molécule
peut acceuillir jusqu’à six électrons (voir figure 4.9). La mobilité dans le PCBM
se situe entre 2.10−3 et 2.10−2 cm2 /V.s. La mobilité des trous y est négligeable.
134 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Le mélange P3HT:PCBM

Les cellules solaires organiques à base d’hétérojonction distribuée en volume du

premier type ont une couche active fabriquée à partir du mélange P3HT:PCBM.
Ces deux matériaux ont été mélangés avec le chlorobenzène qui joue le rôle de
solvant. Le mélange P3HT:PCBM se décline selon deux rapports différents : (1:1)
et (1:2). Dans le premier mélange, 15 mg de chaque matériau ont été dissous
dans 1 ml de chlorobenzène. Dans le second mélange, 10 mg du matériau de type
p ajoutés à 20 mg du matériau de type n ont été dissous dans 1 ml de solvant.
A l’arrivée nous disposons de deux mélanges des mêmes matériaux mais avec des
teneurs massives différentes.
Afin d’obtenir des solutions homogènes où les matériaux de types p et n sont très
bien mixés, chaque mélange est mis dans un agitateur pendant une durée d’au
moins une heure.

4.3.1.3 Préparation du mélange AnE-PVstat:PCBM

Le AnE-PVstat

La répartition statistique des segments de chaı̂nes latérales linéaires octyloxy

et de chaı̂nes latérales ramifiées 2-ethylhexyloxy sur le squelette d’un poly
(p-phenylène-ethynylène)-alt-poly-(p-phenylène-vinylène) (PPE-PPV) contenant
l’anthracène dans la conjugation, a donné lieu à un polymère designé AnE-PVstat
(voir figure (4.11)).
 4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction distribuée en volume 135

Le AnE-PVstat:PCBM

Les cellules solaires organiques à base d’hétérojonction distribuée en volume du

deuxième type ont une couche active fabriquée à partir du mélange AnE-PVstat:
PCBM. Comme pour le premier type, ces deux matériaux ont été mélangés avec le
chlorobenzène qui joue le rôle de solvant. Le mélange AnE-PVstat:PCBM se décline
lui aussi selon deux rapports différents : (1:1) et (1:2). Dans le premier mélange,
d’abord 8 mg puis 15 mg de chaque matériau ont été dissous séparément dans
1 ml de chlorobenzène. Dans le second mélange, 10 mg du matériau de type
p ajoutés à 20 mg du matériau de type n ont été dissous dans 1 ml de sol-
vant. A l’arrivée nous disposons de trois mélanges des mêmes matériaux dont
deux présentent la même teneur massive, le troisième lui présente une teneur
différente.
Afin d’obtenir des solutions homogènes où les réseaux de types p et n s’in-
terpénètrent totalement, chaque mélange est mis dans un agitateur pendant une
durée d’au moins une heure.

4.3.2 Préparation du substrat

4.3.2.1 L’Oxyde d’indium dopé à l’étain : ITO

Dans l’Institut des cellules solaires organiques de Linz (LIOS), les substrats de
verre que nous avons utilisé dans notre travail ont été achetés à la firme Kin-
tec. Ils contiennent déjà une couche d’ITO (oxyde d’indium dopé à l’étain). Pour
rappel, l’ITO est un oxyde métallique qui, en plus de conduire le courant, est un
excellent candidat pour la collecte (et l’injection) des trous. C’est d’ailleurs la rai-
son pour laquelle il est utilisé dans la fabrication des cellules solaires organiques
136 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

et des diodes électroluminescentes organiques (OLED). l’ITO présente aussi une

transparence supérieure à 90% dans le domaine visible du spectre solaire [131], il
permet ainsi à la lumière d’arriver à la couche active. Son travail de sortie est de
4.9 eV .

4.3.2.2 Le processus de nettoyage du substrat

Pour dégraisser l’ITO et enlever les poussières et impuretés susceptibles de se

trouver à sa surface, nous procédons à un lavage méthodique.
Les lames de verre-ITO ont été coupées en bandes dont la largeur est de 1.5 cm.
La coupe a été faite dans une seule direction sur le côté non-conducteur en uti-
lisant un cutter en diamants. L’ITO a été éliminé du bord de la bande en vue
d’éviter d’éventuels courts-circuits (environ 0.5 cm). Pour ce faire, les substrats
sont immergés pendant cinq minutes dans de l’acide chlorhydrique. Afin d’éviter
d’éradiquer tout l’ITO par l’acide, la majeure partie de la lame de verre-ITO a
été recouverte d’un masque : un ruban adhésif qui couvre uniquement les parties
de verre-ITO où le revêtement ITO doit subsister. Au terme de cette phase, les
substrats de verre-ITO ont été rincés à l’eau distillée pour éliminer tout résidu
d’acide. Les lames de verre-ITO sont alors découpées selon des petits carreaux
dont les dimensions sont : 1.5 cm × 1.5 cm. Les zones netoyées qui ne contiennent
pas d’ITO ont été marqués dans le coin haut gauche sur le côté non conducteur
(le côté sans ITO). Le processus de nettoyage final a été effectué dans un bain à
ultrasons successivement :
– dans une solution de nettoyage spéciale Hellmanex pendant une demi-heure,
– puis, dans de l’acétone pendant dix minutes,
 4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction distribuée en volume 137

– ensuite, dans de l’isopropanole pendant vingt minutes

– et enfin, dans de l’eau pure pendant dix minutes.
– Le séchage de l’eau se fait, pour chaque échantillon de 1.5 cm × 1.5 cm avec un
pistolet à nitrogène .
Nous signalons ici que nous avons aussi fabriqué et étudié des cellules solaires
organique à base d’hétérojonction distribué en volume où le substrat était du
verre sans ITO. Dans ce cas une couche d’un autre type de PEDOT:PSS de chez
Clevios PH1000 avec 5 % en volume de dimethylsulphoxide, mélangées avec 0.5
% en volume de Zonyl FS-300 fluorosurfactant de chez Fluka [78], a été intercalée
entre le verre et la couche active.

4.3.3 Dépôt de la couche de PEDOT:PSS

Le poly(3,4-éthylènedioxythiophène):poly(sytrenesulphonate) (PEDOT:PSS) est

filtré puis deposé sur chaque substrat préalablement posé sur la machine d’enro-
bage par rotation (spin-coating machine) (voir figure (4.13)), l’ensemble se trouve
sous une haute assurant l’aération. Le protocole de dépôt du PEDOT:PSS est le
suivant : 2000 rpm (tours par minutes) pendant une seconde, 3000 rpm pendant
5 secondes et 4000 rpm pendant 25 secondes (voir figure (4.13)). Le PEDOT:PSS
est ensuite partiellement netoyé des frontières avec de l’eau distillée en utilisant
un coton-tige. Les échantillons sont séchés sur une plaque chauffante à 150o C
pendant 15-30 minutes afin de densifier la couche du PEDOT:PSS, de réduire sa
rugosité et d’en évacuer les résidus d’eau, préjudiciable pour la stabilité des dis-
positifs.
138 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.13: Machine d’enrobage par rotation (spin-coating machine).

4.3.4 Dépôt des couches actives P3HT:PCBM et AnE-PVstat:PCBM

Les solutions préparées de P3HT:PCBM et de AnE-PVstat:PCBM sont filtrées puis

déposées sur les substrats qui contiennent déjà le PEDOT:PSS par le biais de la
machine d’enrobage par rotation (voir figure (4.13)). La manipulation se déroule
toujours sous la haute d’aération selon le protocole suivant : 1000 rpm (tours par
minute) pendant 30 secondes. Les frontières de chaque échantillon sont netoyées
avec un coton-tige imbibé de toluène ou de chlorobenzène. Les échantillons sont
ensuite transférés à une boı̂te à gants (glovebox) remplie d’azote pour sécher
pendant une nuit. Le lendemain, une couche de métal est évaporé sur l’échantillon
à travers un masque présentant quatre perforations rectangulaires (voir figure
4.14). L’échantillon est ensuite étudié et caractérisé avant de subir une séance
de recuit à une température de 110o C pendant une durée de 5 minutes dans la
 4.3 Fabrication des cellules solaires organiques à hétérojunction distribuée en volume 139

boı̂te à gants. L’échantillon est alors caractérisé une seconde fois et ceci dans le
but d’examiner l’effet du recuit sur les performances et les caractéristiques des
composants électroniques.

4.3.5 Evaporation du métal de contact

Le choix des électrodes chargées de collecter les porteurs de charges est primordial
pour obtenir des bonnes performances photovoltaı̈ques. En effet, les travaux de
sortie de ces électrodes doivent permettre un contact ohmique pour les électrons
à l’interface accepteur/cathode et pour les trous à l’interface donneur/anode.
Ces électrodes doivent aussi être bloquantes pour les porteurs de charge de signe
opposé par rapport aux porteurs de charge qu’elles sont censées collecter, ainsi
les électrons et les trous sont respectivement bloqués à l’anode et à la cathode.
L’Aluminium, l’Argent et le Calcium ont des travaux de sortie faibles respective-
ment égaux à (4.28 eV ; 4.26 eV et 2.87 eV ) ce qui les désignent comme des bons
collecteurs d’électrons.
Pour les cellules solaires à base de P3HT:PCBM, les éléments choisis pour réaliser
le contact sont le Calcium et l’Argent (Ca|Ag). L’électrode est fabriquée en
déposant 15 nm de Ca puis 100 nm d’Ag. Pour les cellules solaires basées sur
l’AnE-PVstat:PCBM l’élément retenu pour réaliser le contact ohmique est l’Alu-
minium. Ainsi, 100 nm d’Al sont déposées sur la couche active pour fabriquer
l’électrode. Les contacts métalliques sont évaporés thermiquement dans la boı̂te à
gants (glovebox) à des pressions de 10−6 mbar pour le contact Ca|Ag et de 4.10−7
mbar pour le contact Al (voir figure 4.14).
140 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.14: Photographie des éléments composant la chambre à vide pour

l’évaporation dans la boı̂te à gants.

4.4 Caractérisation des cellules solaires organiques à

hétérojunctions distribuées en volume

4.4.1 Spectre solaire

Le spectre du rayonnement électromagnétique solaire est continu et très étendu

(voir figure 4.16). Ce spectre dépend des latitude, longitude et aussi de la hauteur
du point dans lequel il est mesuré. Ainsi, il y a le spectre continu mesuré en inci-
dence normale à l’extérieur de l’atmosphère. Ce spectre est sensiblement celui d’un
corps noir qui émet des rayonnements à environ 6000o K, il est quasi-continu et
les photons émis peuvent avoir toutes les énergies possibles et produisent toutes
les radiations imaginables avec des proportions très différentes selon la bande
spectrale considérée.
Pour tenir compte des effets qui réduisent la quantité d’énergie issue du soleil
 4.4 Caractérisation des cellules solaires organiques à hétérojunctions distribuées en volume 141

et véhiculée par les rayons solaires nous introduisons la constante solaire qui se
définit comme étant l’intensité lumineuse issue du soleil en incidence normale sur
la surface de la Terre si l’atmosphère terrestre n’existait pas. Cette constante est
égale à 1.367 kW/m2 , et se réduit sur Terre à 1 kW/m2 suite aux réflexions suc-
cessives sur les différentes couches de l’atmosphère et à l’absorption des particules
et des impuretés qui y sont présentes [132]. Quant à la masse atmosphérique (Air
Mass : AM), elle quantifie la quantité de puissance absorbée par l’atmosphère
en fonction de l’angle θ du soleil par rapport au zénith (la normale à la surface
1
de la Terre) AM = [133] (voir figure (4.15)). Si le soleil est au zénith
cos(θ)
du lieu d’observation, θ = 0o , AM = 1 : la notation utilisée est AM 1. AM 0
correspond à une masse atmosphérique nulle pour une lumière arrivant au-dessus
de notre atmosphère en incidence normale, elle est utilisée pour prédire le com-
portement des cellules solaires lors des utilisations spatiales. AM 1.5 désigne la
masse atmosphérique rencontrée pour une lumière arrivant à 48.2o sur la surface
de la Terre, soit une lumière plus faible vu que la couche atmosphérique traversée
est dans ce cas plus épaisse [134, 135]. Cette dernière masse atmosphérique est
utilisée dans la simulation des panneaux solaires lors des utilisations terrestres
[136, 137].
Au LIOS, nous avons travaillé avec un simulateur solaire de type Steuernagel. Il
simule les conditions de radiations correspondant à une AM 1.5 à l’aide d’une
lampe au Xénon comme source de lumière. Les mesures se font dans une at-
mosphère d’Argon à l’intérieur d’une boı̂te à gants. La puissance délivrée par le
simulateur est de ∼ 1000 W .
142 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.15: Schéma descriptif de l’incidence solaire sur la Terre avec les
différentes masse d’air : AM 0, AM 1 et AM 1.5.

Figure 4.16: Spectre solaire énergétique normalisé à 100 mW/cm2 dans les condi-
tions d’AM1.5 [138].

4.4.2 Caractéristiques I(V)

La caractéristique courant-tension est une mesure clé pour une cellule solaire,
elle nous renseigne sur l’aptitude d’une cellule solaire à produire de l’énergie, elle
 4.4 Caractérisation des cellules solaires organiques à hétérojunctions distribuées en volume 143

donne accès aux paramètres physiques du composant qui renferment plusieurs

informations sur les phénomènes physiques intervenant dans la cellule.
Au LIOS, nous avons effectué la mesure des caractéristiques I(V ) à l’obscurité
et sous illumination à l’aide d’un appareil Keithley 236. La manipulation est
entièrement automatisée (voir figure (4.17)), elle permet de mesurer les courants
délivrés par les cellules solaires et de les enregistrer sur un PC après avoir fixé la
plage et le pas de variation de la tension. Une fois toute la caractéristique acquise,
un code informatique écrit en Labview permet l’affichage de la caractéristique en
échelles linéaire et semi-logarithmique, la détermination du Point de Puissance
Maximale (MPP), le courant en court-circuit (Isc ), la tension en circuit-ouvert
(Voc ) et le facteur de forme (F F ).

Figure 4.17: Photographie des éléments composant la manipulation automatisée

de mesure de la caractéristique I=f(V).
144 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

4.4.3 Caractéristiques IPCE

Le rendement de conversion de photons incidents en courant (Incident Photon to

Current Efficiency (IPCE)) est donné par [139] :

h c Jsc Jsc
IP CE = = 1.24 (4.1)
e Pin λ Pin λ

Jsc est la densité de courant de court-circuit (A.cm−2 ), Pin est la puissance in-
cidente reçue par l’échantillon (W cm−2 ), λ est la longueur d’onde de la lumière
monochromatique incidente (µm), h est la constante de Planck (Js), c est la
célérité de la lumière (ms−1 ) et e est la charge électronique élémentaire (C).
La mesure de ce rendement est elle aussi entièrement automatisée (voir figure
(4.18)). Une lumière monochromatique connue au préalable est guidée par une
fibre optique vers une cellule solaire qui sert d’étalon. Son IPCE est mesuré avant
qu’elle ne soit remplacée par une cellule organique pour laquelle nous voulons
déterminer l’IPCE.

4.4.4 Caractéristiques EQE

L’efficacité quantique externe (EQE) représente le rendement d’une cellule sou-

mise à un éclairement monochromatique de longueur d’onde λ, il désigne le
pourcentage de photons qui sont convertis en courant électrique sans prendre
en considération ni les photons réfléchis ni ceux transmis. Nous pouvons dire que
l’efficacité quantique externe (EQE) est donnée par l’expression (4.1) elle est aussi
appelée le rendement de conversion de photons incidents en courant (IPCE).
 4.5 Autres composants optoélectroniques : LEDs et diodes à barrière Schottky 145

Figure 4.18: Photographie des éléments composant la manipulation automatisée

de mesure de l’IPCE et du EQE.

Après avoir mesuré les IPCE des cellules cristalline puis organique, nous utilisons
un code informatique pour en déduire l’EQE de la cellule organique.

4.5 Autres composants optoélectroniques : LEDs et diodes

à barrière Schottky

4.5.1 Diodes électroluminescente

Actuellement, le marché des diodes électroluminescentes est en plein essor en

raison d’une demande accrue de télévisions, d’écrans plats et autres supports
d’affichage. Aussi, un bon nombre de laboratoires sont entrés en compétition en
vue de trouver des matériaux aux propriétés optoélectroniques intéressantes, ce
qui permettra de fabriquer des supports d’affichage de plus en plus grands et
légers. Les matériaux organiques du fait de leurs faible coût d’élaboration et de
146 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

leurs propriétés luminescentes sont susceptible d’aider à relever ce défis techno-

logiques. Le principe de l’électroluminescence organique a été découvert pour la
première fois dans l’anthracène par Pope en 1963 [140, 141]. La structure de
base d’une diode électroluminescente organique (Organic Light Emitting Diode
(OLED)) a été proposée par H. Friends, elle consiste en un dépôt d’une couche or-
ganique fluorescente prise en sandwich entre une anode conductrice transparente
et une cathode métallique [142, 143]. Après un premier succès dans la fabrica-
tion des OLEDs à base de petites molécules, Burroughs et al. [85] ont découvert
l’électroluminescence des LED à base de polymère (PLED) après avoir effectué
le spin-coating d’un polymère précurseur dans la luminescence, le poly-(para-
phénylène vinylène) (PPV) sur le substrat verre-ITO (voir figure (4.19)).
Quand une polarisation appropriée est appliquée aux bornes de la LED, les por-
teurs de charges sont injectés à partir de leurs électrodes, les trous à partir de
l’anode et les électrons à partir de la cathode. La recombinaison entre les trous
et les électrons se traduit par une électroluminescence [144].

Figure 4.19: Evolution de la performance des diodes électroluminescentes pour

les différentes filières technologiques [145].
 4.5 Autres composants optoélectroniques : LEDs et diodes à barrière Schottky 147

Au LIOS, nous avons fabriqué des diodes électroluminescentes à base de trois

types de polymères. Les LEDs émettant dans le rouge (voir figure (4.20)) sont
fabriquées à base de AnE-PVstat (voir figure (4.11)) [146], le seuil de polarisation
pour lequel ces diodes commencent à émettre de la lumière est de l’ordre de 1.85 V
ce qui correspond à un courant de 2 mA. Deux autres types de LEDs émettant
dans le vert-jaune (voir figure (4.20)) sont fabriquées à base de poly(pphénylène-
éthynylène)-alt-poly(-p-phénylène-vinylène) (PPE-PPV), ces deux polymères ont
le même squelette, cependant leurs chaı̂nes linéaires latérales sont différentes. Pour
le P 19|9 les chaı̂nes sont : R1 = C19 H39 et R2 = C9 H19 (voir figure (4.21)). Pour
le P 18|14 les chaı̂nes sont : R1 = C18 H37 et R2 = C14 H29 (voir figure (4.21)).
Leurs seuil de polarisation est de l’ordre de 5.4 V , ce qui correspond à un courant
de 0.9 mA :

Figure 4.20: Photographies des trois types de LEDs à base de AnE-PVstat,

P 19|9 et P 18|14.

4.5.2 Diodes à barrière Schottky

Les contacts métal-semi-conducteur, ou semi-conducteur organique avec semi-

conducteur inorganique sont des structures très importantes et elles sont utilisées
148 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.21: Structure chimique du poly(p-phénylène-éthynylène)-alt-poly(p-

phénylène-vinylène) (PPE-PPV).

dans la majorité des composants à semi-conducteur [147, 148]. La diode Schottky

est une jonction métal-semi-conducteur, nommée d’après le physicien allemand
Walter H. Schottky. C’est un contact rectifiant qui apparaı̂t quand le travail de
sortie du semi-conducteur de type p est supérieur au travail de sortie du métal
défini comme étant l’énergie qu’il faut fournir à un électron pour l’extraire du
métal. Alors que pour le contact métal-semi-conducteur de type n, le travail de
sortie du semi-conducteur n doit être inférieur à celui du métal. Un bon contact
Schottky doit donner une caractéristique courant-tension redresseuse, c’est-à-dire
permettre le passage du courant en direct et le bloquer dans le sens inverse.
Au LIOS, nous avons fabriqué des diodes Schottky organiques par simple dépôt
d’une couche de polymère semi-conducteur de type p (P3HT) entre deux électrodes.
Une électrode fait office de contact ohmique avec le polymère, tandis que la se-
conde offre des propriétés rectifiantes. Pour un contact avec un semi-conducteur
de type p, les porteurs de charge du métal situés prés de l’interface diffusent dans
le semi-conducteur et engendrent l’appauvrissement des trous ce qui entraı̂ne la
courbure des bandes LUMO et HOMO du semi-conducteur.
 4.5 Autres composants optoélectroniques : LEDs et diodes à barrière Schottky 149

4.5.3 Absorption et luminescence des polymères utilisés dans la

fabrication des OLEDs

Nous introduisons le déplacement de Stokes, qui est définit par la différence, en

longueur d’onde ou en fréquence, entre la position du pic du spectre d’absorption
et celle du pic du spectre de luminescence. Ce déplacement est dû au fait que les
photons émis (luminescence) ont d’énergie plus petite que la lumière incidente
(absorbée). Le photon émis est d’énergie inférieure au photon absorbé parcequ’il
y a eu une perte d’énergie en vibration et par conséquent de longueur d’onde plus
longue.
Nous avons mesuré l’absorption et la luminescence des polymères P19|9 (figure
(4.22)), P18|14 (figure (4.23)) et AnE-PVstat (figure (4.24)) en fonction de la lon-
gueur d’onde.

Figure 4.22: Absorption et radiance à 10 mA du polymère P19|9.

150 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.23: Absorption et radiance à 10 mA du polymère P18|14.

Figure 4.24: Absorption et radiance à 10 mA du polymère AnE-PVstat.

 4.6 Résultats et discussions 151

4.6 Résultats et discussions

4.6.1 Caractéristiques courant-tension des composants

optoélectroniques fabriqués

Au LIOS, la manipulation qui permet la mesure des caractéristiques I = f (V ) à

l’obscurité et sous éclairement est entièrement automatisée (voir figure (4.17)).
La figure (4.25) montre la caractéristique de la densité de courant en fonc-
tion de la tension J = f (V ) de la cellule solaire fabriquée à base du mélange
(1:1) de P3HT:PCBM. Le composant a subi un recuit pendant cinq minutes à
une température égale à 110o C. La figure principale donnée en échelle linéaire
présente la caractéristique à l’obscurité désignée par des triangles noirs ainsi que
la caractéristique sous éclairement désignée par des carrés rouges. La figure insérée
(inset) donnée en échelle semi-logarithmique montre qu’à l’obscurité, la cellule so-
laire a un taux de rectification approximatif égal à 10−3 . C’est une indication de
la bonne polarisation de la cellule quand elle est soumise à une tension positive
(polarisation en direct). Les électrons sont alors injectés de l’électrode ayant une
faible fonction de travail (Ca|Ag) vers la LUMO du mélange dans la couche ac-
tive, tandis que les trous sont injectés de l’électrode ayant une fonction de travail
élevée vers la HOMO du mélange dans la couche active. C’est une preuve qu’il
s’agit bien d’une bonne diode polarisée en direct [120, 124].
152 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.25: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la

surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:1) de P3HT:PCBM
et du contact métallique Ca(15 nm)|Ag(100 nm). La figure principale est en
échelle linéaire, la figure inserée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La
caractéristique à l’obscurité est traçée avec des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges.

La figure (4.26) donne la caractéristique de la densité de courant en fonction de

la tension J = f (V ) de la cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:2)
de P3HT:PCBM. Le composant a subi un recuit pendant cinq minutes à une
température égale à 110o C. La figure principale est donnée en échelle linéaire
quant à la figure insérée (inset), elle est donnée en échelle semi-logarithmique.
La caractéristique à l’obscurité est désignée par des triangles noirs, quant à la
caractéristique sous éclairement, elle est designée avec des carrés rouges.
 4.6 Résultats et discussions 153

Figure 4.26: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la

surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:2) de P3HT:PCBM
et du contact métallique Ca(15 nm)|Ag(100 nm). La figure principale est en
échelle linéaire, la figure inserée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La ca-
ractéristique à l’obscurité est designée avec des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges.

Les caractéristiques externes des cellules solaires organiques fabriquées à base

des deux mélanges (1:1) et (1:2) de P3HT:PCBM, sont mesurées à partir des
courbes (J = f (V )) et présentées dans le tableau ci-dessous (4.1). Pour les cellules
solaires à base de P3HT, la densité de courant en court-circuit et la tension
en circuit-ouvert sont maximales pour le mélange (1:1) et ils diminuent avec
l’augmentation de la proportion massique de PCBM dans le mélange. La meilleure
cellule solaire est obtenue avec le mélange (1:1), elle a un rendement de ∼ 3%,
une densité de courant en court-circuit et une densité de courant au point de
154 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

puissance maximale qui sont presque le double de celles correspondant à la cellule

à base du mélange (1:2) (voir tableau 4.1).

P3HT:PCBM (1:1) P3HT:PCBM (1:2)

Jsc (mA/cm2 ) 10.8 5.5
Voc (mV ) 572 548
Imax (mA) 0.67 0.39
Vmax (mV ) 373 353
FF % 46 45
η% 2.87 1.25

Table 4.1: Caractéristiques électriques de cellules solaires dont la surface est

égale à (0.1 cm2 ) fabriquées à base des deux mélanges (1:1) et (1:2) de
P3HT:PCBM. Les mesures ont été effectuées après un recuit de cinq minutes à
une température de 110o C.

La figure (4.27) présente la caractéristique de la densité de courant en fonction

de la tension J = f (V ) de la cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:2)
de AnE-PVstat:PCBM. La cellule a subi un recuit pendant cinq minutes à une
température égale à 110o C. La figure principale est donnée en échelle linéaire, la
caractéristique à l’obscurité est traçée avec des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges. La figure insérée (inset) est donnée en
échelle semi-logarithmique, elle montre qu’à l’obscurité cette cellule solaire a un
taux de rectification approximatif égal à 10−2 , ce qui signifie une bonne polarisa-
tion de la cellule quand celle-ci est en polarisation directe.
 4.6 Résultats et discussions 155

Figure 4.27: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont

la surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:2) de
AnEPVstat:PCBM et du contact métallique Al(100 nm). La figure principale est en
échelle linéaire, la figure inserée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La ca-
ractéristique à l’obscurité est designée avec des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges.

La caractéristique de la densité de courant en fonction de la tension J = f (V )

de la cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:1) de AnE-PVstat:PCBM est
présentée dans la figure (4.28). La mesure s’est effectuée après un recuit de la
cellule de cinq minutes à une température de 110o C. La figure principale est en
échelle linéaire et la figure insérée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La ca-
ractéristique à l’obscurité est désignée par des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges.
156 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.28: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont

la surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:1) de
AnEPVstat:PCBM et du contact métallique Al(100 nm). La figure principale est en
échelle linéaire, la figure inserée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La ca-
ractéristique à l’obscurité est designée avec des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges.

Nous avons mesuré à partir des courbes (J = f (V )) les caractéristiques électriques

des cellules solaires fabriquées à base des deux mélanges (1:1) et (1:2) de
ANE-PVsat:PCBM (voir tableau 4.2). Pour ce type de cellules solaires, les meilleurs
caractéristiques électriques y compris le meilleur rendement qui avoisine les 4%
sont obtenues pour le mélange (1:2).
 4.6 Résultats et discussions 157

ANE-PVsat:PCBM (1:1) ANE-PVsat:PCBM (1:2)

2
Jsc (mA/cm ) 4.75 9.12
Voc (mV ) 774.5 822.3
Imax (mA) 0.31 0.69
Vmax (mV ) 540 600
FF % 45 56
η% 1.41 4.2

Table 4.2: Caractéristiques électriques de cellules solaires dont la surface est

égale à (0.1 cm2 ) fabriquées à base des deux mélanges (1:1) et (1:2) de
AnE-PVstat:PCBM. Les mesures ont été effectuées après un recuit de cinq mi-
nutes à une température de 110o C.

4.6.2 EQE des meilleures cellules solaires organiques fabriquées

Nous avons mesuré les EQEs des deux meilleures cellules solaires en fonction de
la longueur d’onde des photons incidents. La figure (4.29) montre le EQE de la
cellule à base de P3HT:PCBM (1:1) en ligne discontinue bleu et celui de la cellule
à base de ANE-PVsat:PCBM (1:2) est en ligne continue rouge. Nous pouvons
remarquer que pour le deuxième polymère (ANE-PVsat) il y a un ensemble des
états d’énergie au niveau de la bande interdite qui correspondent au pic du rouge
et un ensemble des états d’énergie plus élevés qui correspondent au pic bleu. Les
deux pic se superposent au milieu de la zone d’absorption verte où le EQE de
P3HT est plus large que celui du deuxième polymère (400 nm to 550 nm) ce
qui signifie qu’un meilleur rendement qui est obtenu pour la cellule fabriquée à
base du polymère AnE-PVstat est plutôt du à l’amélioration des mobilités des
porteurs de charges qu’à l’absorption.
158 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

Figure 4.29: EQE des deux meilleures cellules solaires fabriquées à base des
deux mélanges (1:1) de P3HT:PCBM (ligne distontinue en bleu) et (1:2) de
AnE-PVstat:PCBM (ligne continue en rouge).

4.7 Conclusion et perspectives

Les développements récents accomplis dans le domaine de la synthèse de nouvelles

molécules organiques semi-conductrices, et le niveau de perfectionnement atteint
dans le domaine des techniques physiques et chimiques de fabrication a permis
l’élaboration de cellules solaires organiques ultra légères et ultra fines, sur des
substrats qui peuvent être flexibles ce qui présente un grand nombre d’avantages
en comparaison avec les cellules solaires classiques, fabriquées à base de semi-
conducteurs inorganiques bien que leur rendement demeure en général faible.
L’élément de base des semi-conducteurs organiques est le Carbone. C’est un
élément qui appartient comme le Silicium à la colonne IV du tableau périodique.
Cet élément, à l’origine de toutes les formes de vie sur terre, et dont les orbitales
 4.7 Conclusion et perspectives 159

électroniques peuvent être hybridées sp3 , sp2 ou sp peut se lier à lui-même pour
former de longues chaı̂nes de Carbone (polymères), comme il peut établir des
liaisons avec un grand nombre d’atomes selon un nombre quasi infini de confi-
gurations, ce qui donne naissance à chaque fois à une nouvelle molécule avec un
spectre d’absorption, un type de conductivité et une mobilité spécifiques.
Quelques unes parmi ces molécules présentent des spectres de photoluminescence
et d’électroluminescence dans le domaine visible, ce qui ouvre la voie devant leur
utilisation pour la fabrication de LEDs, voire pour la fabrication d’écrans plats
[149]. D’autres molécules ou mélanges de molécules de conductivités différentes
ont plutôt tendance à débiter un courant lorsqu’ils sont exposés à une lumière
visible, et sont utilisées dans la fabrication de cellules solaires organiques.
Dans le présent chapitre, nous avons exposé les résultats essentiels de l’étude
expéri-mentale, effectuée entièrement au LIOS affilié à JKU de Linz (Autriche),
de cellules solaires organiques à base d’hétérojonctions distribuées en volume.
Dans ce nouveau concept de cellule solaire organique à base d’une hétérojonction
distribuée en volume, les macromolécules de type donneur d’électrons qui ab-
sorbent la lumière, et qui constituent les chaı̂nes qui assurent le transport des
trous, ces macromolécules sont mélangées, mixées avec les petites molécules de
type accepteur qui assurent le transport des électrons. Etant donné que les bandes
interdites des molécules de types donneur et accepteur sont différentes, nous par-
lons d’hétérojonction. Du fait de l’interpénétration des molécules, nous parlons
d’hétérojonction distribuée en volume, par opposition à l’hétérojonction localisée
rencontrée dans les cellules solaires inorganiques classiques. Ce nouveau concept,
qui est venu se substituer au concept bicouche, à conduit à des rendements net-
160 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

tement supérieurs (environ 4% avec un record à environ 10%) puisqu’il apporte

une solution au problème de la faible longueur de diffusion de l’exciton dans les
semi-conducteurs organiques.
Dans notre étude expérimentale au LIOS, nous avons fabriqué des cellules so-
laires organiques à base d’hétérojonctions distribuées en volume en utilisant deux
mélanges distincts. Le premier mélange est le classique P3HT:PCBM. Le second
mélange est le AnE-PVstat:PCBM où le polymère récemment synthétisé au LIOS
le AnE-PVstat joue le rôle de matériau donneur. Dans le chapitre IV, nous
avons passé en revue toutes les étapes de fabrication d’une cellule depuis la
préparation des mélanges intimes jusqu’au dépôt des différentes couches de la
cellule pour arriver enfin à un composant fonctionnel. Ainsi, nous avons fabriqué
quatre types de cellules solaires à partir de deux mélanges distincts (P3HT:PCBM
et AnE-PVstat:PCBM ) et de deux proportions différentes ((1:1) et (1:2)). En
vue d’accéder aux paramètres physiques du modèle équivalent, nous avons ef-
fectué pour chaque composant une mesure de la caractéristique courant-tension
I = f (V ). Puis nous avons mesuré pour les deux meilleurs types de cellules les
rendements de conversion de photons incidents en courant (IPCE) et les rende-
ments quantiques externes (EQE). Il ressort de notre étude que les cellules solaires
qui présentent les meilleurs rendements sont celles fabriquées à base des mélanges
(1:1) de P3HT:PCBM avec un rendement de 2.87% et (1:2) de AnE-PVstat:PCBM
avec un rendement de 4.2%. Nous avons aussi effectué une étude comparative des
deux polymères donneurs et trouvé que le P3HT absorbe plus que le AnE-PVstat
en revanche la mobilité des trous dans ce dernier polymère est plus grande.
Une des pistes de travail qui pourrait être retenue pour la poursuite de la présente
 4.7 Conclusion et perspectives 161

étude est la modification des propriétés photoniques de la cellule solaire. Cet ob-
jectif peut être atteint par l’intervention au niveau de la couche transparente
conductrice organique de PEDOT:PSS de manière à réduire sa réflectivité, ce qui
aurait pour effet l’augmentation de l’absorption de la cellule solaire. Au LIOS,
nous avons déjà commencé l’exploration de cette piste par l’ajout à la dite couche,
au cours du processus de croissance, de nanoparticules d’Or à différents pourcen-
tages. Les premiers résultats furent très encourageants mais malheureusement,
faute de temps, nous n’avons pas pu mener l’étude jusqu’à son terme. Cependant,
nous ne manquerons pas de finir ce travail dès que l’opportunité se présentera.
Pour bien comprendre les mécanismes optiques et électroniques qui interviennent
au coeur des cellules solaires organiques fabriquées, et en vue de cerner le rôle des
paramètres du circuit équivalent qui décrivent ces mécanismes et qui sont sus-
ceptibles d’affecter les caractéristiques et la performance d’une cellule, plusieurs
méthodes d’extraction de ces paramètres seront présentées dans le chapitre qui
suit. Les effets de la variation de chacun de ces paramètres sur la caractéristique
courant-tension et sur le rendement énergétique d’une cellule solaire seront aussi
discutés. Ainsi, les intervalles de variation des caractéristiques métriques, du fac-
teur de forme et du rendement sous l’influence des variations des paramètres
physiques, peuvent être identifiés.
Une fois déterminés, les paramètres physiques ainsi que les caractéristiques
métriques d’une cellule solaire nous permettront d’accéder facilement à ceux cor-
respondant à un module issu du montage de plusieurs cellules identiques en série,
en parallèle ou en montage hybride.
162 4 FABRICATION ET CARACTERISATION DE CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES ...

4.8 Publications

– M. S. White, M. Kaltenbrunner, E. D. Glowacki, K. Gutnichenko, G. Kettlgru-

ber, I. Graz, S. Aazou, C. Ulbricht, D. A. M. Egbe, M. C. Miron, Z. Major, M.
C. Scharber, T. Sekitani, T. Someya, S. Bauer, and N. S. Sariciftci, Ultrathin,
highly flexible and stretchable PLEDs. Nature Photonics, 2013.
5

MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES

PHOTOVOLTAIQUES

1. Introduction

2. Les différents modèles électriques de la cellule solaire

3. Les paramètres de la cellule solaire

4. La résolution analytique du modèle équivalent

5. Les méthodes d’éxtraction

6. Modélisation des cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en

volume

7. Effets des paramètres physiques sur les performances dune cellule solaire

8. Conclusion et perspectives

9. Publications
164 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

5.1 Introduction

La conversion du rayonnement solaire en électricité est certes réalisée par des

cellules solaires photovoltaı̈ques. Cependant l’efficacité de cette conversion est li-
mitée par la réflexion de la lumière incidente sur la face d’entrée de la cellule et
par l’intervention de processus optiques et électroniques qui soit entravent l’ab-
sorption des photons ou bien empêchent la circulation des porteurs de charges
vers les électrodes. Par conséquent, pour prévoir le comportement d’une cellule
solaire dans les conditions d’utilisation réelles ou bien pour améliorer son ren-
dement, la compréhension des mécanismes physiques qui ont lieu au sein même
de la cellule s’avère nécessaire. Elle permet de faire le lien entre les mécanismes
microscopiques et les propriétés électriques de la cellule qui sont d’une grande im-
portance. Elle permet aussi de bâtir un modèle équivalent de la cellule qui tient
compte des phénomènes qui entrent en jeu. Ainsi, plusieurs circuits électriques
équivalents ont été proposés pour modéliser la cellule et simuler le comportement
de ces différentes caractéristiques.
Les modèles les plus utilisés dans la littératures sont :
– Le modèle à trois diodes (pour les cellules organiques) : avec sept paramètres
physiques, le circuit équivalent contient un générateur à photo-courant, trois
diodes dont deux sont idéales et deux résistances parasites série et parallèle.
D’autres modèles, applicables pour les cellules solaires organiques et inorganiques,
ont aussi été proposés :
– Le modèle à deux diodes (double exponentielle) avec sept paramètres physiques
à savoir le générateur à photo-courant, les deux diodes avec les deux courants de
 5.2 Les différents modèles électriques de la cellule solaire 165

saturations et les facteurs d’iéalités et les résistances parasites série et parallèle

(shunt).
– Le modèle à une diode (simple exponentielle) avec cinq paramètres physiques
qui sont le générateur à photo-courant, la diode avec son courant de saturation
et son facteur d’iéalité et les résistances parasites série et parallèle.
En microélectronique, l’utilisation des cellules solaires nécessite une bonne connais-
sance des paramètres physiques qui apparaissent dans son propre circuit électrique
équivalent. Au cours des deux dernières décennies, différentes méthodes d’extrac-
tion des paramètres physiques à partir de la caractéristique courant-tension ont
été développées. Nous allons présenter au cours de ce chapitre les méthodes d’ex-
traction phares qui se distinguent par l’utilisation d’une équation caractéristique
solvable analytiquement, ce qui permet de déterminer les paramètres du modèle
sans recourir à des approximations ou à l’introduction de valeurs initiales

5.2 Les différents modèles électriques de la cellule solaire

5.2.1 Modèle à trois diodes

Le modèle de trois diodes a été proposé par B. Mazhari pour modéliser les cellules
solaires organiques [150, 151], le circuit électrique équivalent est montré dans
la figure (5.1). Ce modèle contient un générateur à photo-courant, deux diodes
idéales D1 et D2 agissant comme un court-circuit sous polarisation directe et
comme un circuit-ouvert sous polarisation inverse, deux résistances parasites : une
résistance série dépendant du courant qui la traverse et une résistance paralléle,
puis une troisième diode avec son courant de saturation et son facteur d’idéalité,
cette diode représente la caractèristique courant − tension à l’obscurité.
166 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

D2 I

Rs
D1
Iph (Is,n) V
Rsh

Figure 5.1: Circuit électronique équivalent à trois diodes modélisant une cellule
solaire organique [150, 151].

5.2.2 Modèle à deux diodes

Le circuit électronique à deux diodes comprend un générateur à photo-courant,

monté en parallèle avec deux diodes, la première traduit le courant de diffusion
de Shockley, quant à la deuxième diode, elle représente le courant dû à la recom-
binaison par des centres pièges dans la zone de charge d’espace [152, 153, 154]. Le
circuit contient aussi deux résistances parasites : la résistance série et la résistance
paralléle. Ce circuit electrique est représenté dans la figure (5.2).

Rs
Iph (Is1,n1) (Is2,n2) Rsh V

Figure 5.2: Circuit électronique équivalent à deux diodes modélisant une cellule
solaire.
 5.2 Les différents modèles électriques de la cellule solaire 167

5.2.3 Modèle à une diode

Le circuit électrique à une diode modélisant la cellule solaire est celui que nous
avons retenu dans notre étude. Il est le circuit qui a le plus été utilisé dans la
modélisation des cellules solaires. Il contient un générateur à photo-courant monté
en parallèle avec une diode qui représente le courant de diffusion de Shockley
[152], avec son courant de saturation et son facteur d’idéalité. Ce circuit contient
deux résistances parasites : la résistance série et la résistance paralléle (voir figure
(5.3)).

Rs
Iph (Is,n) Rsh V

Figure 5.3: Circuit électrique à une seule diode modélisant une cellule solaire.

L’équation caractéristique de ce circuit modèle est basée sur le schèma équivalent

(figure (5.3)) ainsi que sur l’équation caractéristique de la diode. Pour une cellule
solaire débitant un courant I et soumise à une tension V , l’application de la loi
de Kirchhoff dans l’un des nœuds du circuit nous donne :

I = −Iph + ID + Ish (5.1)

L’application de la loi des mailles à la sortie du circuit nous permet d’écrire :

168 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

Vsh = V − Rs I (5.2)

La combinaison entre la loi d’Ohm et l’équation (5.2) implique :

Vsh V − Rs I
Ish = = (5.3)
Rsh Rsh

L’équation caractéristique d’une diode non idéale est donnée par :

   
Vsh
ID = Is exp −1 (5.4)
nVth

où :
kB T
Vth = (5.5)
e

L’introduction des équations (5.3) et (5.4) dans l’équation (5.1) donne l’équation
caractéristique d’une cellule solaire modélisée par un circuit électrique à une
diode :
V − Rs I V − Rs I
   
I = Is exp −1 + − Iph (5.6)
nVth Rsh

5.3 Les paramètres de la cellule solaire

5.3.1 Paramètres caractéristiques externes de la cellule solaire

Les paramétres caractéristiques de la cellule sont : le courant de court-circuit Isc ,

la tension en circuit-ouvert Voc , la puissance maximale Pmax , le facteur de forme
F F et le rendement η. Ces paramètres peuvent être déduits directement de la
caractéristique courant-tension de la cellule solaire comme le montre la figure
(5.4).
 5.3 Les paramètres de la cellule solaire 169

Isc

Imax

Pout

Pmax

Vmax

Vout Voc

Figure 5.4: Caractéristique courant-tension (ligne discontinue rouge), et la puis-

sance fournie par la cellule (ligne bleu) en fonction de la tension. Les paramètres
caractéristiques externes sont mentionnés sur la figure.

5.3.1.1 Le courant de court-circuit : Isc

Le courant de court-circuit (short circuit current) est dû à la génération et à la

collecte des porteurs de charge photogénérés. C’est le courant maximum délivré
par la cellule solaire à n’importe quelle éclairage. Il correspond à une cellule
photovoltaı̈que en court-circuit c’est à dire lorsque la tension entre ces bornes est
nulle. Par conséquent, la puissance fournie par la cellule dans ce cas est aussi
nulle [155, 156, 157, 159].
Le courant de court-circuit croit avec l’intensité de l’illumination de la cellule
et dépend de la surface éclairée, de la longueur d’onde du rayonnement, de la
mobilité des porteurs et de la température [134].
170 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

5.3.1.2 La tension en circuit-ouvert : Voc

La tension en circuit-ouvert (open circuit voltage) est la tension maximale que

peut fournir une cellule solaire, le courant qu’elle débite dans ce cas est nul. Par
conséquent, la puissance fournie par la cellule dans ce cas est aussi nulle.
La tension en circuit-ouvert dépend essentiellement du type de la cellule solaire,
de l’éclairement, du semi-conducteur utilisé et de la nature des contacts entre le
semi-conducteur et l’électrode [134], [155]-[159].

5.3.1.3 La puissance maximale : Pmax

C’est la puissance correspondant au point de fonctionnement maximum (Maxi-

mum Point). Elle correspond à la crête de la courbe de puissance. Elle se définit
comme étant le produit de la tension Vmax et du courant Imax au point de fonc-
tionnement maximum [134], [155]-[159] :

Pmax = Vmax Imax (5.7)

5.3.1.4 Le facteur de forme : F F

Le facteur de forme (fill factor) indique le degré d’idéalité de la caractéristique

courant-tension et de combien celle-ci est elle proche du rectangle [134], [155]-
[159]. Il se définit par le rapport suivant :

Pmax
FF = (5.8)
Voc Isc
 5.3 Les paramètres de la cellule solaire 171

5.3.1.5 Le rendement : η

Le rendement énergétique, le rendement de conversion ou bien l’efficacité d’une

cellule solaire (efficiency) correspond à la part de l’énergie solaire reçue par la
cellule qui est transformée en électricité [155]-[159]. La connaissance de sa valeur
permet d’évaluer les performances de la cellule, elle s’exprime en pourcentage et
est définie par le rapport entre la puissance maximale et la puissance incidente
comme suit :
Pmax Voc Jsc
η= = FF (5.9)
Pin S Pin

S étant la surface de la cellule.

5.3.2 Paramètres physiques internes de la cellule solaire

Le modèle à une diode utilisé dans la présente étude comme schéma équivalent
contient un générateur à photo-courant, des paramètres intrinsèques comme le
courant de saturation, le facteur d’idéalité, et les résistances parasites série et
parallèle.

5.3.2.1 La résistance serie : Rs

La résistance série tient compte de la mobilité des porteurs de charges dans le

matériau qui est régie par la présence des impuretés ainsi que de la barrière de
potentiel qui apparaı̂t dans la zone de charge d’espace. La résistance série peut
aussi découler de l’une des causes suivantes [134, 135, 151], [155]-[159] :
i) Le passage du courant à travers l’émetteur et la base,
ii) La résistance due au contact ohmique entre le métal et le semi-conducteur,
iii) La résistance due au contact arrière métallique.
172 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

5.3.2.2 La résistance parallèle : Rsh

La résistance parallèle ou shunt est liée aux effets de bords et aux recombinaisons
volumiques, elle résulte du courant de fuite à travers la cellule, autour des bords
et entre les contacts de polarités différentes [134, 135, 151],[155]-[159].
1
La conductance paralléle est définie par : Gp =
Rsh

5.3.2.3 Le courant de saturation : Is

Le courant de saturation est le courant qui circule dans le sens inverse lorsque la
diode est polarisée en inverse. Il est également nommé courant de fuite. Le courant
de saturation est la somme d’un terme proportionnel au nombre d’électrons dans
la bande de conduction du semi-conducteur de type n et d’un deuxième terme
proportionnel au nombre de trous dans la bande de valence du semi-conducteur
de type p à l’obscurité [134, 155, 160]. Pour une diode idéale à jonction p − n, le
courant de saturation est donné par [161] :

s r !
Dp n2i Dn n2i
Is = eS + (5.10)
τp ND τn NA

où S est la surface.

Le courant de saturation est proportionnel à la température [162] :

 
3 Eg
Is = kT exp − 0 (5.11)
kT

où Eg0 est la bande interdite à 0o K

 5.4 La résolution analytique du modèle équivalent 173

5.3.2.4 Le facteur d’idéalité : n

Le facteur d’idéalité informe sur les mécanismes de transitions optiques qui se

produisent dans la jonction : n ≈ 1 signifie que les processus de recombinaison
sont négligeables, n ≈ 2 correspond aux recombinaisons bande à bande (BV-
à-BC), n > 2 indique que des processus optiques beaucoup plus compliqués se
produisent, tels que la génération-recombinaison extrinsèque de Shockley-Read-
Hall ou les recombinaisons d’Auger [155].

5.3.2.5 Le photocourant : Iph

Le photo-courant est proportionnel au nombre de photons absorbés et convertis

en paires électron-trou [134, 155, 159].

5.4 La résolution analytique du modèle équivalent

5.4.1 La résolution analytique de l’équation caractéristique de la

cellule solaire

Depuis l’invention de la jonction p − n, il n’était pas possible d’établir une so-

lution analytique au problème relatif à la circulation du courant dans une diode
montée en série avec une résistance et un générateur de tension. Ce problème est
resté insoluble car il conduisait à une équation transcendante donnant le courant
à travers la diode en fonction de la tension d’entrée et du courant lui-même. De
la même manière, il n’était pas possible de résoudre l’équation caractéristique
d’une cellule solaire illuminée donnant le courant de sortie en fonction de la ten-
sion de sortie, du courant lui même, des éléments résistifs série et paralléle et du
174 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

photo-courant (voir figure 5.3). Par conséquent, seules des solutions analytiques
et numériques à ces équations caractéristiques ont pu être trouvées [163, 164]. En
l’an 2000, T. C. Banwell et A. Jayakumar ont proposé pour la première fois une
solution analytique exacte au premier problème en utilisant une fonction nouvel-
lement définie : la fonction de Lambert [165]. En 2004, A. Jain et A. Kapoor ont
présenté une solution exacte pour le deuxième problème en utilisant la fonction
de Lambert [166]. En Juillet 2005, M. Vargas-Drechsler a utilisé le logiciel de
calcul symbolique et numérique Maple [167, 168] et a trouvé la même solution
analytique exacte que T. C. Banwell et A. Jayakumar. Plus tard, E. Assaid et
al. ont déterminé les expressions analytiques exactes des courants et des tensions
du circuit connu sous le nom de pont Graëtz ou pont des diodes en utilisant la
fonction de Lambert [169, 170]. Ce circuit est utilisé en électronique comme re-
dresseur double alternance, il est formé par quatre diodes idéales identiques et
une résistance diagonale. La fonction de Lambert a rendu beaucoup de services et
a permis la résolution exacte de différents problèmes en électronique [171]-[177],
en mécanique, en cinétique chimique [178] etc....
L’équation caractéristique d’une cellule solaire illuminée dans notre cas est donée
par (5.6) :
V − Rs I V − Rs I
   
I = Is exp −1 + − Iph (5.12)
nVth Rsh

L’équation (5.12) est une équation transcendante, elle est insoluble analytique-
ment en termes de fonctions élémentaires. Cependant, la solution explicite qui
donne le courant peut être exprimée en utilisant la fonction LambertW (voir Ap-
pendix (B)).
Après un calcul fastidieux, l’équation (5.12) peut se mettre sous la forme :
 5.4 La résolution analytique du modèle équivalent 175

wew = x (5.13)

où :

V − Rs I V + Rs (Is + Iph )
w=− +
nVth nVth (1 + Rs Gp )
  (5.14)
Rs Is V + Rs (Is + Iph )
x= exp
nVth (1 + Rs Gp ) nVth (1 + Rs Gp )

La solution w(x) de l’équation (5.13) est la fonction LambertWk (x) qui est multi-
forme. Dans notre cas, la branche adéquate de LambertWk (x) est celle qui corres-
pond à k = 0. C’est la seule branche qui satisfait la condition LambertW0 (x) = 0
pour x = 0.
Pour simplifier l’écriture, nous notons :

LambertW0 (x) = LambertW (x) = W (x)

Donc, la solution explicite de l’équation (5.12) qui donne l’expression analytique

du courant en fonction des paramètres du circuit et de la tension est donnée par
[166] :

  
nVth Rs Is V + Rs (Is + Iph )
I(V ) = W exp
Rs nVth (1 + Rs Gp ) nVth (1 + Rs Gp )
(5.15)
V Gp − (Is + Iph )
+
1 + Rs Gp

Un calcul similaire donne l’expression analytique de la tension V en fonction du

courant et des parametrès du circuit. Là aussi la solution est exprimée en utilisant
la fonction de Lambert W (x) [166] :
176 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES
    
Is I + Is + Iph 1 Is + Iph
V (I) = −nVth W exp + I Rs + +
Gp nVth nVth Gp Gp Gp
(5.16)

5.4.2 Les expressions analytiques des caractéristiques électriques de la

cellule solaire

L’expression analytique du courant en court-circuit est obtenue à partir de

l’équation (5.15) en imposant V = 0 [166] :

  
nVth Rs Is Rs (Is + Iph ) Is + Iph
Isc = W exp − (5.17)
Rs nVth (1 + Rs Gp ) nVth (1 + Rs Gp ) 1 + Rs Gp

L’expression analytique de la tension en ciruit-ouvert est obtenue à partir de

l’équation (5.16) en imposant I = 0 [166] :

  
Is Is + Iph Is + Iph
Voc = −nVth W exp + (5.18)
Gp nVth nVth Gp Gp

Nous définissons la résistance dynamique comme étant la dérivée de la tension

par rapport au courant :

dV (I)
Rdyn = (5.19)
dI

Nous introduisons la résistance de charge définie par le rapport entre la tension

et le courant à la sortie de la cellule :

V (I)
Rload = − (5.20)
I
 5.4 La résolution analytique du modèle équivalent 177

L’expression de la puissance délivrée par la cellule est le produit de la tension et

du courant à la sortie de la cellule :

Pout (I) = V (I)I

(5.21)
Pout (V ) = V I(V )

La puissance dissipée par effet Joule dans les composants internes de la cellule
solaire est donnée par :

PJoule (I) = (V (I) − Rs I) (I − Iph + Gp (V (I) − Rs I))

(5.22)
2 2
+ Rs I + Gp (V (I) − Rs I)

La puissance totale de la cellule solaire est la somme de la puissance delivrée par

la cellule et la puissance dissipée par effet Joule dans les composants résistifs, elle
est donnée par :

PCell (I) = Iph (V (I) − Rs I) (5.23)

Nous introduisons la résistance de charge optimale qui correspond au point de

puissance maximale, elle est définie par :

Vmax
Rlmp = (5.24)
Imax

Nous avons aussi determiné les différentes relations qui expriment l’une des gran-
deurs suivantes : Rlmp , Imax , Vmax et Pmax en fonction d’une parmi les grandeurs
178 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

restantes et des paramètres du circuit [179, 180].

5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle

Pour une meilleure utilisation des cellules solaires photovoltaı̈ques, une connais-
sance précise de leurs paramètres physiques est nécessaire. A cet effet, la ca-
ractéristique courant-tension des cellules solaires renferme des données impor-
tantes qui sont accessibles à la mesure expérimentale. Elle est le pont qui per-
met l’accès aux propriétés électroniques des cellules car la connaissance des
paramètres physiques permet une meilleure compréhension des mécanismes de
transport et des propriétés électriques et optiques du dispositif optoélectronique
[28]. Jusqu’à présent, des études théoriques et expérimentales ont été accomplies
pour déterminer les paramètres physiques de la cellule solaire à partir de sa ca-
ractéristique courant-tension. Ces méthodes peuvent être divisées en deux grandes
familles :
i) Des méthodes analytiques approximatives [181]-[184], elles sont simples, rapides
et ne nécessitent pas des calculs analytiques et numériques fastidieux. Cependant,
elles ne déterminent pas tous les paramètres physiques en même temps et elles
n’utilisent pas la caractéristique courant-tension en entier.
ii) Des méthodes d’optimisation numérique [154]-[188] qui soit utilisent l’équation
de la caractéristique en des points particuliers et déterminent les paramètres
physiques de manière itérative partant d’un jeu de cinq valeurs initiales corres-
pondant aux cinq paramètres physiques, ou bien elles utilisent l’intégralité de la
caractéristique pour calculer des fonctions intermédiaires polynomiales dépendant
 5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle 179

du courant et de la tension et dont les coefficients s’expriment en fonction des

paramètres physiques. Ces derniers sont alors déterminés par simple lissage.
Nous signalons ici que ces dernières méthodes ayant pour point de départ la
caractéristique courant-tension, requièrent un calcul relativement long et fasti-
dieux avant de parvenir aux équations polynomiales exprimées en fonction du
courant et de la tension.

5.5.1 Méthode de l’intégrale de la caractéristique

Cette méthode a été proposée par Ortiz-Conde et al. [189], elle a été utilisée pour
la première fois pour déterminer les cinq paramètres physiques d’une cellule so-
laire organique. Cette méthode est basée sur le calcul de la fonction Co-content
CC (I, V ) qui correspond à l’aire sous la courbe (I −Isc ). Dans le cas d’un modèle
à une diode, la fonction Co-content se calcule de manière exacte étant donné que
l’équation de la caractéristique admet une solution exacte. L’utilisation de la
fonction Co-content rend cette méthode moins sensible aux erreurs de mesure
en raison de la nature du filtre passe-bas (intégration). Cette méthode présente
l’avantage d’utiliser toute la caractéristique courant-tension et permet d’avoir
tous les paramètres physiques en un seul coup, le courant de saturation est en-
suite affiné par un calcul supplémentaire.

Dans la première étape, nous projetons de la fonction Co-content CC (I, V ) qui

est définie par :

Z V
CC (I, V ) = (I (V ) − Isc ) dV (5.25)
0
180 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

L’équation (5.15) peut se réécrire sous la forme :

  
V + a3
I(V ) − Isc = a1 W a2 exp + a5 V + a6 (5.26)
a4

où :

nVth Rs Is
a1 = a2 =
Rs nVth (1 + Rs Gp )

a3 = Rs (Is + Iph ) a4 = nVth (1 + Rs Gp ) (5.27)

Gp Is + Iph
a5 = a6 = − − Isc
1 + Rs Gp 1 + Rs Gp

La fonction Co-content a alors pour expression :

Z V    Z V
V + a3
CC (I, V ) = a1 W a2 exp dV + (a5 V + a6 − Isc) dV
0 a4 0

(5.28)

Après avoir effectué le calcul de l’intégrale (voir appendix (B)), et tenu compte de
l’équation donnant la fonction de LambertW extraite de l’équation (5.26), nous
pouvons écrire :
  
V + a3
a1 W a2 exp = I − Isc − a5 V − a6
a4
   (5.29)
a3
a1 W a2 exp = −a6 (V = 0, I = Isc )
a4

Après quelques manipulations algébriques, nous aboutissons à une expression de

la fonction Co-content polynomiale, à deux dimensions, en termes du courant
(I − Isc ) et de la tension (V ) et dont les coefficients s’expriment en fonction des
paramètres physiques :
 5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle 181

Gp 2
CC (I, V ) = V − [b + Isc (1 + Rs Gp ) + nVth Gp ] V
2
Rs
− Rs Gp (I − Isc ) V + (1 + Rs Gp ) (I − Isc )2 (5.30)
2
+ [nVth (1 + Rs Gp ) + Rs (b + Isc (1 + Rs Gp ))] (I − Isc )

où :

b = Is + Iph (5.31)

L’équation caractéristique au point de circuit-ouvert donne le photo-courant :

b + Voc Gp B
Iph = (5.32)
1+B

où :

   −1
Voc
B = exp −1
nVth

Le courant de saturation est alors donné par :

Is = b − Iph (5.33)

La fonction Co-content CC (I, V ) est d’abord calculée numériquement à partir

des données expérimentales. Puis, nous effectuons un lissage bi-dimensionnel de
l’équation analytique (5.30) aux résultats numériques en utilisant le logiciel de cal-
cul formel et numérique Mathematica [190]. Contrairement à l’approche adoptée
par Ortiz-Conde et al. qui consiste à utiliser les coefficients du polynôme comme
182 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

paramètres variationnels lors du lissage bi-dimensionnel, nous avons opté pour

une nouvelle stratégie qui considère les paramètres physiques eux même comme
paramètres variationnels. En agissant de la sorte, le calcul numérique est moins
long, la précision est meilleure et les paramètres Iph , Is , η, Rs et Rsh (Gp ) sont
déterminées directement.

Nous avons utilisé cette méthode dans des travaux antérieurs, pour detérminer
non seulement les paramètres physiques de cellules solaires cristallines [191, 192,
193] et organiques [194, 195, 196], mais aussi pour déterminer les paramètres
de jonctions à barrière Schottky [197, 198], de jonctions p-n non idéales à trois
[199, 200] et à quatre paramètres [201] et aussi pour déterminer les paramètres
de diodes électroluminescentes organiques [202].

5.5.2 Méthode de la conductance dynamique

Plusieurs méthodes d’extraction se basant sur le calcul de la conductance dy-

namique ont été établies dans le but de déterminer les paramètres physiques de
la cellule solaire [203]-[206]. Ces méthodes font appel à des approximations dans
le calcul de la conductance alors que dans l’approche que nous avons adopté, le
calcul est effectué sans aucune approximation.
La méthode de la conductance dynamique est basée sur le calcul analytique de la
dI
conductance dynamique G (I, V ) = à partir de l’équation caractéristique
dV
de la cellule solaire (5.6), et sur son calcul numérique à partir des données
expérimentales :
 5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle 183

V − Rs I
     
dI 1 dI 1 dI
= Is 1 − Rs exp + 1 − Rs
dV nVth dV nVth Rsh dV (5.34)
= G (I, V )

A partir de l’équation (5.6), nous avons :

V − Rs I V − Rs I
 
Is exp =I− + Iph + Is (5.35)
nVth Rsh

En tenant compte de cette expression, l’équation (5.34) devient :

1 − Rs G V − Rs I 1 − Rs G
 
G= I− + Iph + Is + (5.36)
nVth Rsh Rsh

Après quelques manipulations algébrique, nous aboutissons à une expression don-

nant la tension en fonction des paramètres physiques, du courant, de la conduc-
tance dynamique et de la tension elle même :

V = (−nVth Rsh − Rs (Rsh b + nVth )) G − Rs (Rs + Rsh ) IG + Rs V G

(5.37)
+ (Rs + Rsh ) I + (Rsh b + nVth )

où :

b = Is + Iph (5.38)

L’équation caractéristique au point de circuit-ouvert donne l’expression du photo-

courant comme suit :
184 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

 h i −1
Voc
b + Voc Gp exp nV th
− 1
Iph =  h i −1 (5.39)
Voc
1 + exp nV th
− 1

Le courant de saturation est calculé alors à partir de l’équation (5.38) :

Is = b − Iph (5.40)

La conductance dynamique G (I, V ) est d’abord calculée numériquement à partir

des données expérimentales, puis un lissage bi-dimensionnel de l’équation (5.37)
aux résultats numériques est effectué grâce à un code informatique que nous
avons écrit sous Mathematica [190]. Dans notre approche, nous avons adopté une
nouvelle stratégie qui consiste à considérer les paramètres physiques eux mêmes
comme paramètres variationels au lieu des coefficients du polynôme à deux di-
mensions donné dans l’équation (5.37) . Cette stratégie présente deux avantages :
le premier découle du fait que la recherche des paramètres se fait de manière
contrainte permettant ainsi une convergence plus rapide, le second avantage est
qu’elle donne directement, après convergence, les valeurs finales des paramètres
sans recourir à un calcul supplémentaire.

Nous avons utilisé cette méthode non seulement pour l’éxtraction des paramètres
physiques des cellules solaires cristallines [207] ou organiques [194, 195], mais
aussi nous l’avons appliqué pour déterminer les paramètres physiques des diodes
Schottky [198], des jonction p-n non idéales à trois [199, 200] et à quatre pa-
ramètres [201] et nous l’avons aussi appliqué à des diodes électroluminescentes
organiques [202].
 5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle 185

5.5.3 Méthode de la résistance dynamique

Cette méthode est basée sur le calcul analytique de la résistance dynamique

dV
R (I, V ) = à partir de l’équation caractéristique de la cellule solaire (5.6),
dI
et sur son calcul numérique à partir de la caractéristique expérimentale courant-
tension.
La dérivée de l’équation caractéristique par rapport au courant I nous donne :

V − Rs I
     
1 dV 1 dV
1 = Is − Rs exp + − Rs (5.41)
nVth dI nVth Rsh dI

A partir de l’équation (5.6), nous avons :

V − Rs I V − Rs I
 
Is exp =I− + Iph + Is (5.42)
nVth Rsh

En tenant compte de cette expression, l’équation (5.41) peut alors se réécrire :

R − Rs V − Rs I R − Rs
 
1 = Is I− + Iph + Is + (5.43)
nVth Rsh Rsh

Après quelques manipulations algébriques, nous aboutissons à une expression du

terme (V.R) en fonction des paramètres physiques, du courant, de la résistance
dynamique et de la tension :

V R = Rs V − Rs (Rs + Rsh ) I + (Rsh b + nVth ) R + (Rs + Rsh ) IR

(5.44)
− [nVth (Rs + Rsh ) + Rs Rsh b]
186 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

où b est donnée par l’équation (5.38).

Le photo-courant et le courant de saturation sont calculés de manière similaire à
celle utilisée dans la méthode de la conductance dynamique c’est à dire à partir
des expressions données par les équations (5.39 et 5.40)
La résistance dynamique R (I, V ) est calculée numériquement à partir des données
expérimentales, puis nous effectuons un lissage bi-dimensionnel de l’équation
(5.44) aux résultats numériques moyennant un code informatique que nous avons
écrit sous Mathematica [190]. Là aussi, la stratégie considérant les paramètres
physiques comme paramètres variationels est adoptée.

Nous avons initialement utilisé cette méthode pour déterminer, pour la première
fois, les paramètres physiques de cellules solaires cristallines [208]. Plus tard, nous
l’avons aussi appliqué aux cellules solaires organiques [194, 195].

5.5.4 Méthode utilisant le package FindFit de Mathematica

Cette méthode s’inspire de l’approche adoptée par W. Jung et M. Guziewicz [209]

pour déterminer les quatre paramètres physiques de diodes à barrière Schottky
de types Au/GaAs et Ir/SiC. L’attrait de cette méthode réside dans sa sim-
plicité. En effet, elle utilise tout bonnement le package FindFit du logiciel de
calcul symbolique et numérique Mathematica [190] pour effectuer le lissage de
l’équation caractéristique aux données expérimentales sans avoir recours à aucun
calcul préliminaire.
L’équation modèle est la solution analytique donnant le courant en fonction de
la tension :
 5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle 187
  
nVth Rs Is V + Rs (Is + Iph )
I(V ) = W exp
Rs nVth (1 + Rs Gp ) nVth (1 + Rs Gp )
(5.45)
V Gp − (Is + Iph )
+
1 + Rs Gp

Un lissage bi-dimensionnel de cette équation aux données expérimentales permet

d’avoir les cinq paramètres de la cellule solaire sauf qu’il est nécessaire des fois
d’introduire des valeurs initiales de quelque paramètres physiques, comme le cou-
rant de saturation et la résistance série, pour arriver à des valeurs pourvues d’un
sens physique.

Nous avons utilisé cette méthode dans l’extraction des paramètres physiques de
diodes Schottky [197, 198], de jonctions p-n non idéales à trois paramètres [200],
de cellules solaires cristallines [210, 211] et organiques [212] à cinq paramètres
physiques et de diodes électroluminescentes organiques [202]

5.5.5 Méthode des cinq points

Cette méthode est basée sur la méthode de Newton-Raphson (voir section 3.5.1)
[213]. Elle consiste à résoudre un système de n équations non linéaires à n incon-
nues. L’inconvénient de cette méthode réside dans le fait qu’elle exige la connais-
sance à priori de la solution qui va être déterminée approximativement. Par
exemple, les valeurs de paramètres physiques accessibles à l’expérience seront
utilisées comme valeurs initiales dans le code informatique pour lui permettre
d’accéder aux valeurs optimales et pour assurer une convergence plus rapide.
Le système des n équations peut se mettre sous la forme :
188 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES





 f1 (x1 , ...xi , ..., xn ) = 0



.






fi (x1 , ...xi , ..., xn ) = 0 (5.46)




.








 f (x , ...x , ..., x ) = 0
n 1 i n

que nous pouvons écrire sous une forme matricielle :

F (X) = 0 (5.47)

où :

X = (x1 , ...xi , ..., xn ) et

F (X) = (f1 (x1 , ...xi , ..., xn ) , ...fi (x1 , ...xi , ..., xn ) , ..., fn (x1 , ...xi , ..., xn )) = 0

(5.48)

Etant donné que nous avons cinq paramètres physiques à détreminer, nous
sommes dans l’obligation de trouver cinq équations non linéaires qui relient ces
paramètres entre eux.
– La première est l’équation caractéristique de la cellule solaire (5.12) en court-
circuit I = Isc et V = 0 :

     
Rs Rs Isc
Isc 1 − − Is exp − 1 + Iph = 0 (5.49)
Rsh nVth

– La deuxième est l’équation caractéristique de la cellule solaire (5.12) au point

de circuit-ouvert I = 0 et V = Voc :
 5.5 Les méthodes d’extraction des paramètres du modèle 189

   
Voc Voc
Is exp −1 + − Iph = 0 (5.50)
nVth Rsh

– La troisième est la dérivée de l’équation caractéristique de la cellule solaire par

rapport à la tension (5.34), appliquée au point de circuit-ouvert :

       
dI 1 dI Voc
− Is 1 − Rs exp
dV I=0 nVth dV I=0 nVth
    (5.51)
1 dI
− 1 − Rs =0
Rsh dV I=0

– La quatrième est la dérivée de l’équation caractéristique de la cellule solaire

par rapport à la tension (5.34), appliquée au point de court-circuit :

       
dI 1 dI Rs Isc
− Is 1 − Rs exp
dV V =0 nVth dV V =0 nVth
    (5.52)
1 dI
− 1 − Rs =0
Rsh dV V =0

– Enfin, la cinquième est l’équation caractéristique de la cellule solaire (5.12) au

point de puissance maximale I = Imax et V = Vmax :

Vmax − Rs Imax Vmax − Rs Imax

   
Imax + Iph − Is exp −1 − =0 (5.53)
nVth Rsh

Nous obtenons ainsi un système de cinq équations à cinq inconnues où Isc , Voc ,
   
dI dI
Imax , V = Vmax , et sont déterminés expériementalement à
dV I=0 dV V =0
partir de la caractéristique courant-tension de la cellule.
Le système d’équations est alors résolu par la méthode de Newton-Raphson
comme expliqué dans la section (3.5.1) et les paramètres physiques sont déterminés
de manière itérative avec une précision établie à l’avance [214].
190 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

Cette méthode a été utilisée pour déterminer les cinq paramétres physiques de
cellules solaires cristallines [215, 191].

5.5.6 Méthode des moindres carrés

Cette méthode est similaire à celle où nous utilisons le package FindFit du logiciel
Mathematica. Le principe de la méthode est la minimisation de la somme des
carrés des écarts entre les valeurs expérimentales et les valeurs issues de l’équation
caractéristique (5.12). Dans cette méthode, nous pouvons opérer de deux manières
différentes : soit en minimisant I [216, 217] ou en minimisant V .

M
X
I = (I (Vj , P ) − Ij )2
j=1
M
(5.54)
X 2
V = (V (Ij , P ) − Vj )
j=1

M est le nombre de points expérimentaux mesurés (Ij , Vj ), I (Vj , P ) est la valeur

du courant issue de l’équation caractéristique correspondant à la tension mesurée
Vj , V (Ij , P ) est la tension issue de l’équation caractéristique correspondant au
courant mesuré expérimentalement Ij et P symbolise les cinq paramètres phy-
siques qui jouent le rôle de paramètres variationnels.
En vue de déterminer les paramètres physiques de quelques cellules cristallines,
nous avons utilisé cette méthode en minimisant I [193, 210].
 5.6 Modélisation des cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en volume 191

5.6 Modélisation des cellules solaires organiques à

hétérojonctions distribuées en volume

Nous avons utilisé certaines parmi les méthodes exposées ci-dessus dans le but
d’extraire tous les paramètres physiques du circuit électrique modélisant les cel-
lules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en volume, fabriquées au
LIOS lors du séjour en Autriche (voir Chapitre IV). Les tableaux (5.1 et 5.2)
résument les paramètres physiques des cellules solaires organiques calculés par
trois méthodes différentes d’optimisation numérique.

P3HT:PCBM (1:1) P3HT:PCBM (1:2)

Integrale dI/dV dV /dI Integrale dI/dV dV /dI
Rs (Ω) 78.29 64.36 69.11 315.9 386.92 418
Rsh (kΩ) 2.548 3.364 6.324 3.47 3.01 2.96
Is (µA) 1.05 4.94 4.06 0.68 10−3 5.73 10−11 3.96 10−11
n 3.22 4.23 3.98 1.53 0.71 0.71
Iph (mA) 1.04 1.08 1.14 0.578 0.615 0.63
Jsc (mA/cm2 ) 10.08 10.56 11.27 5.30 5.45 5.52
Voc (mV ) 554.9 571.7 572.7 530 548 548
Imax (mA) 0.716 0.741 0.825 0.38 0.412 0.42
Vmax (mV ) 363.2 368.2 369.5 330 331 331
FF % 46 45 47 46 47 46
η% 2.59 2.73 3.05 1.28 1.41 1.38

Table 5.1: Caractéristiques électriques et paramètres physiques de cellules so-

laires de surface égale à 0.1 cm2 fabriquées à base de deux mélanges (1:1) et
(1:2) de P3HT:PCBM et mesurées après un recuit à 110o C pendant cinq minutes.
192 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

ANE-PVsat:PCBM (1:1) ANE-PVsat:PCBM (1:2)

Integrale dI/dV dV /dI Integrale dI/dV dV /dI
Rs (Ω) 41.65 38.03 20.36 25.58 46.21 74.95
Rsh (kΩ) 3.969 3.842 4.187 8.77 5.96 13.41
−3 −3
Is (µA) 5.13 10 7.09 10 0.22 0.467 0.166 0.175
n 2.68 2.84 4.156 4.13 2.97 3.06
Iph (mA) 0.448 0.471 0.477 0.893 0.893 0.910
Jsc (mA/cm2 ) 4.44 4.67 4.75 8.90 8.86 9.05
Voc (mV ) 751 774.5 774.9 796.3 822.3 852.3
Imax (mA) 0.286 0.299 0.310 0.70 0.70 0.76
Vmax (mV ) 557.8 572.3 544.2 577.2 617.2 626.3
FF % 48 47 46 57 59 62
η% 1.35 1.45 1.43 4.1 4.3 4.8

Table 5.2: Caractéristiques électriques et paramètres physiques de cellules so-

laires de surface égale à 0.1 cm2 fabriquées à base de deux mélanges (1:1) et
(1:2) de AnE-PVstat:PCBM et mesurées après un recuit à 110o C pendant cinq
minutes.

Pour comprendre ces résultats, nous signalons que la macromolécule, qui dans
notre cas est soit P3HT ou AnE-PVstat, assure l’absorption de la lumière et
la conduction de trous alors que la petite molécule PCBM assure la conduction
d’électrons par le saut d’un état localisé à un autre. Lorsque la proportion en
polymère donneur augmente, l’absorption de la lumière augmente tandis que la
mobilité d’électrons diminue. Lorsque la proportion de l’accepteur augmente, la
mobilité d’électrons augmente alors que l’absorption de la lumière diminue. Pour
les cellules solaires photovoltaı̈ques à base de P3HT:PCBM, les propriétés optimales
sont obtenus pour le mélange 1:1 (voir tableaux 5.1 et 5.2). En ce qui concerne les
cellules à base de AnEPVstat:PCBM, les meilleures qualités photovoltaı̈ques sont
atteintes pour le mélange 1:2 (voir les tableaux 5.1 et 5.2).
Les épaisseurs des couches de l’ITO et du PEDOT:PSS sont respectivement égales
 5.6 Modélisation des cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en volume 193

à 150 nm et 40 nm. Ainsi, les résistances de l’ITO, du PEDOT:PSS, de l’Al et du

P
Ca|Ag ne dépassent guère les quelques ohms pour chaque couche ( Ri < 10Ω).
Par conséquent, pour une proportion fixe des matériaux de type p et de type
n (1:1 ou 1:2), les cellules solaires basées sur AnE-PVstat présentent toujours
une faible résistance série et une résistance shunt élevée en comparaison aux
résistances des cellules solaires à base du polymère classique (voir les tableaux
5.1 et 5.2) ce qui signifie que la chute de tension à travers la couche active est
plus élevée et que la résistance d’injection entre le PEDOT:PSS et la couche active,
et la résistance de contact entre le métal et le semi-conducteur organique dans
les cellules solaires à base de AnE-PVstat:PCBM sont plus faibles.
Le courant de saturation est la somme de deux termes, un premier terme pro-
portionnel au nombre d’électrons dans la LUMO du matériau de type n, et un
deuxième terme proportionnel au nombre de trous dans la HOMO du matériau
de type p à l’obscurité. Il traduit :
i) l’aptitude de certains excitons à être dissocié à cause de l’agitation thermique,
ii) la capacité d’un électron de se déplacer sur la petite molécule de type ac-
cepteur et de sauter d’un état localisé á un autre ou de passer d’une petite
molécule á une autre,
ii) la capacité d’un trou de se déplacer le long de la macromolécule de type
donneur.
Les mécanismes de transitions électroniques et optiques qui se produisent dans
la couche active sont très complexes et sont dominés par les mécanismes excito-
niques. En effet, contrairement au semi-conducteur inorganique ou l’exciton est
ionisé par l’agitation thermique, dans un semi-conducteur organique la constante
194 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

diélectrique est faible et l’exciton est plus lié. L’absorption d’un photon se tra-
duit d’abord par la création d’une paire liée qui va ensuite se dissocier sous
l’action du champ électrique pour donner naissance à deux charges mobiles. La
prépondérance des processus excitoniques se traduit généralement par un facteur
d’idálité supérieur à deux.
En ce qui concerne le photocourant, il est proportionnel au nombre de photons
absorbés et convertis en paires électron-trou.

Pour identifier la meilleure méthode d’extraction qui donne les meilleurs pa-
ramètres physiques des cellules solaires organiques modélisées, nous avons presenté
la courbe expérimentale avec les courbes optimisées. Les paramètres optimums
correspondent à la courbe qui se superpose avec la caractéristique expérimentale
(voir figures de 5.5 à 5.8).

Les caractéristiques expérimentales J = f (V ) ont été mesurées selon le proces-

sus de caractérisation expliqué dans le chapitre précèdent. Les caractéristiques
linéaire-linéaire et log-linéaire, à l’obscurité et sous illumination des mélanges
P3HT:PCBM 1:1 et 1:2, AnEPVstat:PCBM 1:1 et 1:2 sont présentées, respecti-
vement, sur les figures (5.5, 5.6, 5.7 et 5.8). Nous avons utilisé certaines parmi
les méthodes exposées ci-dessus pour modéliser les cellules solaires organiques
à hétérojonction distribuée en volume, fabriquées au LIOS lors du séjour en
Autriche, dans le but de déterminer tous les paramètres physiques du circuit
électrique modélisant les cellules solaires organiques preparées. Une étude com-
parative des écarts entre les courbes optimisées et expérimentales montre que
 5.6 Modélisation des cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en volume 195

la méthode de la conductance dynamique conduit aux caractéristiques les plus

proches des caractéristiques expérimentales (voir figures 5.5, 5.6, 5.7 et 5.8).

Figure 5.5: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la

surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:1) de P3HT:PCBM
et du contact métallique Ca(15 nm)|Ag(100 nm). La figure principale est en
échelle linéaire, la figure insérée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La ca-
ractéristique à l’obscurité est designée avec des triangles noirs et la caractéristique
sous éclairement avec des carrés rouges. Les caractéristiques optimisées sont ob-
tenues avec les méthodes d’extraction presentées. Les courbes en lignes continues
avec les couleurs magenta, bleu et vert correspondent, respectivement, aux ca-
ractéristiques optimisées obtenues avec les méthodes de l’intégral, de la résistance
dynamique et de la conductance dynamique.
196 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

Figure 5.6: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la

surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:2) de P3HT:PCBM
et du contact métallique Ca(15 nm)|Ag(100 nm). La figure principale est en
échelle linéaire, la figure insérée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La
caractéristique à l’obscurité est designée avec des triangles noirs et la ca-
ractéristique sous éclairement avec des carrés rouges. Les courbes en lignes
continues avec les couleurs magenta, bleu et vert correspondent, respectivement,
aux caractéristiques optimisées obtenues avec les méthodes de l’intégral, de la
résistance dynamique et de la conductance dynamique
 5.6 Modélisation des cellules solaires organiques à hétérojonctions distribuées en volume 197

Figure 5.7: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la sur-

face est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:1) de AnEPVstat:PCBM
et du contact métallique Al(100 nm). La figure principale est en échelle linéaire, la
figure insérée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La caractéristique à l’obs-
curité est designée avec des triangles noirs et la caractéristique sous éclairement
avec des carrés rouges. Les courbes en lignes continues avec les couleurs magenta,
bleu et vert correspondent, respectivement, aux caractéristiques optimisées obte-
nues avec les méthodes de l’intégral, de la résistance dynamique et de la conduc-
tance dynamique
198 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

Figure 5.8: Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la sur-

face est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM
et du contact métallique Al(100 nm). La figure principale est en échelle linéaire, la
figure inserée (inset) est en échelle semi-logarithmique. La caractéristique à l’obs-
curité est designée avec des triangles noirs et la caractéristique sous éclairement
avec des carrés rouges. Les caractéristiques optimisées sont obtenues avec les
méthodes d’extraction presentées aux chapitre V. Les courbes en lignes continues
avec les couleurs magenta, bleu et vert correspondent, respectivement, aux ca-
ractéristiques optimisées obtenues avec les méthodes de l’intégrale, de la résistance
dynamique et de la conductance dynamique.
5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances d’une cellule solaire organique ou inorganique 199

5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances

d’une cellule solaire organique ou inorganique

La performance d’une cellule solaire dépend de plusieurs facteurs internes comme

les paramètres physiques de la cellule solaire, et externes comme les facteurs
environnementaux tels que l’illumination et la température. Dans cette section,
nous allons examiner l’effet de chaque paramètre de la cellule solaire fabriquée
à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM et du contact métallique Al(100
nm), sur sa caractéristique densité de courant-tension, ainsi que sur sa courbe de
puissance. Cette étude va nous permettre de savoir les effets bénéfiques ainsi que
ceux indésirables qui peuvent réduire le rendement d’une cellule solaire et affecter
son facteur de forme. Une fois cette connaissance acquise, nous saurons ce qu’il
faut faire pour qu’une cellule solaire puisse opérer dans des conditions optimales.

5.7.1 Effet de la résistance série

La résistance série est due à la resistivité des différentes couches de la cellule :

l’émetteur, la base, les électrodes métalliques et l’interface métal/semi-conducteur
[135, 151], [155]-[159], [218]-[221]. Pour étudier l’influence de la résistance série sur
la performance de la cellule solaire, nous avons travaillé avec les paramètres phy-
siques déterminés par la plus efficace des méthodes d’extraction exposées ci-dessus
[192, 193, 210, 211]. Pour ce faire, nous faisons varier la valeur de la résistance
série tout en gardant les autres paramètres physiques de la cellule étudiée fixes.
Il en ressort qu’une variation de la valeur de la résistance série n’affecte pas la
tension en circuit-ouvert, alors qu’elle a une influence sur la pente de la courbe
près de cette tension. Nous remarquons aussi qu’une augmentation de Rs entraı̂ne
200 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

une diminution des courants de court-circuit et du point de puissance maximale

(voir figure (5.9)) ce qui cause une chute du facteur de forme et du rendement de
la cellule solaire. Nous avons intérêt donc à ce que la valeur de la résistance série
soit la plus faible possible [134, 38].

Figure 5.9: L’effet de la résistance série sur la caractéristique densité de courant-

tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-densité de courant (P = f (J)) de
la cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM.

5.7.2 Effet de la résistance parallèle

La résistance paralléle ou résistance shunt traduit la présence d’un courant de

fuite à travers l’émetteur. Ce courant de fuite peut être dû à un défaut ou à la
présence d’un court-circuit sur les bords de la cellule solaire [155, 158, 159, 221].
Nous avons éutdié l’effet de la résistance shunt sur la caratéristique courant-
tension et sur la courbe de puissance (voir figure (5.10)) [192, 193, 210, 211]. Il
5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances d’une cellule solaire organique ou inorganique 201

en découle qu’une variation de la résistance shunt tout en maintenant les autres

paramètres physiques de la cellule étudiée constants n’a pas d’impact sur le cou-
rant de court-circuit, alors qu’elle a un effet sur la pente de la caractéristique près
de ce courant. Nous remarquons aussi qu’une augmentation de Rsh entraı̂ne une
variation des tensions en circuit-ouvert et au point de puissance maximale dans
le même sens ce qui a pour effet une augmentation du facteur de forme et du
rendement de la cellule solaire. Nous avons donc intérêt à ce que la valeur de la
résistance shunt soit la plus élevée possible [134, 38].

Figure 5.10: L’effet de la résistance paralléle sur sur la caractéristique densité

de courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-tension (P = f (V )) de
la cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM.
202 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

5.7.3 Effet du courant de saturation

Le courant de saturation mesure la fuite des porteurs de charges à travers la jonc-

tion p-n, lorsqu’elle est en polarisation inverse. Cette fuite résulte de la recombi-
naison des porteurs dans les régions neutres de chaque côté de la jonction. Le cou-
rant de saturation est alors lié directement à la recombinaison des porteurs, il est
donc inversement proportionnel à la qualité des matériaux [38, 222]. Dans le but
d’étudier l’effet de ce courant sur la performance de la cellule solaire, nous avons
fixé les paramètres physiques de la cellule et augmenté le courant de saturation
[192, 193, 210, 211]. Ceci a eu pour effet la diminution de la tension en circuit-
ouvert qui est approximativement proportionnelle à l’inverse du logarithme du
 
Iph
rapport du photo-courant au courant de saturation Voc ' nVth Ln 1 + .
Is
Nous notons au passage que la tension en circuit-ouvert dépend de la température
à laquelle la cellule solaire opère. En effet, le courant de saturation Is est lié à
la température via la relation (5.11). Donc une élévation de la température va
obligatoirement entraı̂ner une augmentation du courant de saturation et par voie
de conséquence une diminution de la tension en circuit-ouvert [134, 223, 224].
Cette diminution se traduit fatalement par une perte de puissance causée par
l’augmentation du courant de saturation (voir figure 5.11) et par une diminution
du facteur de forme et du rendement de la cellule solaire. Nous avons donc intérêt
à ce que la valeur du courant de saturation soit la plus faible possible [225, 226].
5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances d’une cellule solaire organique ou inorganique 203

Figure 5.11: L’effet du courant de saturation sur la caractéristique densité de

courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-tension (P = f (V )) de la
cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM.

5.7.4 Effet du facteur d’idéalité

Des travaux expérimentaux antérieurs [227, 228] ont montré, à partir des ca-
ractéristiques courant-tension en échelle semi-logarithmique, que pour des cellules
solaires cristallines les valeurs extraites du facteur d’idéalité sont comprises entre
1 et 2. Pour des cellules solaires organiques, le facteur d’idéalité peut avoir des
valeurs supérieures à 2 [229, 230]. Un facteur d’idéalité égal à l’unité correspond
à l’absence de processus de recombinaison dans le composant. Lorsque 1 < n < 2,
celà signifie que les processus de recombinaison et de diffusion sont en compétition
dans le composant électronique [231, 232, 233, 234]. Lorsque n = 2, la recombi-
naison est prépondérante par rapport à la diffusion des porteurs. Dans le cas des
composants à base de matériaux organiques, les processus optiques qui entrent en
jeu sont plus compliqués et n > 2 (voir Chapitre IV). Nous pouvons dire que le
204 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

facteur d’idéalité est fortement dépendant des processus de recombinaison ainsi

que des mécanismes de transport ayant lieu dans le composant [235].
Pour étudier l’effet du facteur d’idéalité sur les performances de la cellule solaire,
nous avons augmenté sa valeur tout en fixant les valeurs des autres paramètres
physiques [192, 193, 210, 211]. Lorsque la valeur du facteur d’idéalité augmente,
les tensions correspondant au circuit-ouvert et au point de puissance maximale
augmentent alors que le courant du court-circuit demeure constant (voir figure
(5.12)).
Nous signalons que la valeur du facteur d’idéalité de la cellule solaire peut aussi
augmenter suite à l’usage et à la dégradation du composant qui se traduisent
par l’apparition de défauts de structure qui accentuent les processus de recom-
binaison. Ceci dit, il ne faut pas s’attendre à ce que celà s’accompagne par une
amélioration des performances de la cellule car ces dernières dépendent de plu-
sieurs facteurs.
5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances d’une cellule solaire organique ou inorganique 205

Figure 5.12: L’effet du facteur d’idéalité sur la caractéristique densité de courant-

tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-tension(P = f (V )) de la cellule
solaire fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM.

5.7.5 Effet du photo-courant

Le photo-courant est lié directement à l’intensité lumineuse incidente. Une aug-

mentation dans ce courant se traduit par une augmentation du nombre de photons
absorbés et du nombre de paires générées. Pour étudier l’effet du photo-courant
sur la performance de la cellule solaire, nous avons augmenté sa valeur tout en
maintenant les autres paramètres physiques fixes [192, 193, 210, 211]. Lorsque le
photo-courant augmente, le courant en court-circuit augmente ainsi que le courant
au point de puissance maximale. Ceci s’accompagne aussi par une légère augmen-
tation dans la valeur de la tension en circuit-ouvert (voir figure (5.13)). L’aug-
mentation de la valeur du photo-courant de la cellule solaire est la conséquence de
l’augmentation du nombre de paires électron-trou photo-générées dans la jonc-
tion. Pour des intensités d’illumination faibles ou modérées, l’augmentation de
206 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

la valeur du photo-courant s’accompagne par une augmentation du facteur de

forme (voir figure (5.14)). Cependant pour des grandes intensités d’illumination,
le facteur de forme diminue (voir figure (5.14)) [193].

Figure 5.13: L’effet du photo-courant sur la caractéristique densité de courant-

tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-densité de courant (P = f (J)) de
la cellule solaire fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM.
5.7 Effets des paramètres physiques sur les performances d’une cellule solaire organique ou inorganique 207

Figure 5.14: L’effet du photo-courant sur le facteur de forme.

208 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

5.8 Conclusion et perspectives

Les cellules solaires organiques présentent plusieurs différences en comparaison

avec leurs homologues inorganiques. Parmi ces dissimilitudes nous pouvons citer :
– Le photo-courant qui dépend du champ électrique appliqué. Ce qui est dû au
fait que dans les semi-conducteurs organiques, les paires électron-trou photo-
générées sont plus liées puisque la constante diélectrique y est faible. L’extrac-
tion des charges mobiles est donc d’autant plus facile que la tension appliquée
est grande.
– La mobilité des porteurs de charges qui dépend de la tension appliquée.
– La relation d’Einstein entre la mobilité et la diffusion qui n’est plus valable pour
une large gamme de tensions comme c’est les cas pour les semi-conducteurs
inorganiques.
Toutes ces différences font que la tâche consistant à trouver le modèle équivalent
qui reproduit fidèlement la physique d’une cellule solaire organique est difficile,
tant les mécanismes optiques et électroniques qui interviennent depuis la création
de la paire liée jusqu’à la collecte des charges libres au niveau des électrodes sont
compliqués.
Dans le présent chapitre, nous avons passé en revue tout les circuits équivalents
proposés dans la littérature pour modéliser une cellule solaire. Puis nous avons re-
tenu le circuit à cinq paramètres contenant un générateur à photo-courant monté
en parallèle avec une diode avec son courant de saturation et son facteur d’idéalité
et deux résistances parasites : la résistance série et la résistance parallèle. La force
de ce circuit équivalent réside dans le fait que son équation caractéristique ad-
met des solutions analytiques. Ceci nous a permis de conduire à leurs termes les
 5.8 Conclusion et perspectives 209

différents calculs analytiques sans recourir à aucune approximation. Nous avons

ensuite présenté les trois méthodes d’extraction utilisées pour la recherche des
paramètres du modèle équivalent dans le cas des cellules solaires organiques fa-
briquées au LIOS. Ces trois méthodes sont : la méthode de l’intégrale de la ca-
ractéristique, la méthode de la conductance et la méthode de la résistance. Ces
trois méthodes ont toutes les points communs suivants :
– Elles donnent les paramètres du modèle recherchés en un seul coup et sans
recourir à des approximations.
– Elles ne requièrent aucune connaissance préalable sur les valeurs des paramètres
du modèle.
Néanmoins, il faut aussi signaler que ces méthodes n’aboutissent à des résultats
satisfaisants que lorsque la caractéristique utilisée a été extraite de manière au-
tomatique, en un laps de temps très court, avant que le composant n’ait le temps
de chauffer.
Après avoir extrait les paramètres de chaque cellule solaire, nous avons pu remar-
quer que le modèle à cinq paramètres décrivait bien les cellules solaires organiques
dans la gamme des tensions allant de −1 V à 1 V . Enfin, nous avons aussi pu
constater que la méthode de la conductance conduisait à la caractéristique cal-
culée la plus proche de la caractéristique expérimentale.
210 5 MODELISATION DES CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES

5.9 Publications

– S. Aazou and E. M. Assaid. Modeling real photovoltaic solar cell using maple.
IEEE International Conference on Microelectronics, 2009.
– S. Aazou and E. M. Assaid. The real photovoltaic solar cell. Maple application
center, 2009.
– S. Yadir, S. Aazou, N. Maouhoub, K. Rais, M. Benhmida and E. M. Assaid.
Illuminated solar cell physical parameters extraction using mathematica. The
7th ACS/IEEE International Conference on Computer Systems and Applica-
tions, Rabat, Morocco 2009.
– S. Aazou and E. M. Assaid. Model physical parameters effects on real solar cell
characteristics and power curve. Global Journal of Physical Chemistry, 2 :6,167,
2011.
– S . Aazou, M. S. White, M. Kaltenbrunner, E. D. Glowacki, D. A. M. Egbe,
N. S. Sariciftci, A. Ibral, and E. M. Assaid. Organic bulk heterojunction solar
cells based on p3ht and anthracene-containing ppe-ppv : Fabrication, charac-
terization and modeling. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials,
13 :395-404, 2013.
– S . Aazou and E. M. Assaid. Schottky diode parameters extraction using two
different methods. IEEE International Conference on Microelectronics, Marra-
kech, Morocco, 2009.
CONCLUSION GENERALE ET

PERSPECTIVES

Le présent manuscrit de Thèse a pour objectif l’étude tant sur le plan théorique
qu’expérimental de cellules solaires photovoltaı̈ques. Ce manuscrit se divise en
trois parties distinctes.

Après une introduction générale objet du premier chapitre, la première partie

(Chapitres II et III) est consacrée à la simulation par la méthode des différences
finies d’un composant optoélectronique photosensible à une dimension. Dans le
deuxième chapitre, nous revoyons le calcul analytique qui à partir des quatre
équations de Maxwell conduit à l’établissement des équations du semi-conducteur
à savoir l’équation de Poisson et les deux équations de continuité des électrons
et des trous. Dans le troisième chapitre, nous procédons à la résolution de ce
système d’équations. Cette résolution passe tout d’abord par une discrétisation
symbolique de l’équation de Poisson selon un schéma aux différences finies et
une discrétisation symbolique des équations de continuité selon un schéma de
Gummel-Scharfetter. Ensuite, nous effectuons une linéarisation symbolique du
système d’équations obtenu selon la méthode des sur-relaxations successives puis
selon la méthode de la matrice Jacobienne. Puis, nous choisissons des condi-
212 CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

tions aux limites de type Dirichlet et résolvons le système d’équations obtenu, de

manière itérative, selon l’algorithme de Newton-Raphson dans le cas d’une jonc-
tion p-n dont les profils de dopage sont arbitraires, à l’équilibre thermodynamique,
sous des polarisations en direct et en inverse, à l’obscurité et sous illumination.
Dans ce chapitre, nous avons pu développer un code en langage Maple qui per-
met de discrétiser symboliquement les équations du semi-conducteur, puis effec-
tue symboliquement leur linéarisation et enfin résout numériquement le système
d’équations obtenu de manière itérative avant d’afficher graphiquement les pro-
fils du potentiel électrostatique, du champ électrique, des densités de porteurs de
charges, des bandes d’énergie, des niveaux de Fermi intrinsèque et extrinsèque,
des quasi-niveaux de Fermi ainsi que la caractéristique densité de courant-tention
simulée.
Les hypothèses de travail retenues ainsi que le code informatique écrit sont tou-
jours en cours de développement pour rendre la simulation de la cellule solaire la
plus proche possible de la réalité. En effet, Il existe plusieurs pistes qui pourraient
être retenues comme perspectives pour le présent travail. La première consiste à
tenir compte de la dépendance de la mobilité des profils de dopage et du champ
électrique interne. La seconde consiste à tenir compte de la nature exacte des
contacts métal/semi-conducteur aux frontières du composant. La troisième piste
consiste à tenir compte des défauts profonds dans le semi-conducteur, ce qui se
traduit par l’ajout au système d’équations d’une quatrième équation qui décrit
la continuité de l’occupation des niveaux de défauts profonds. Nous essayerons
aussi de tenir compte d’autres types de recombinaisons dans les équations de
continuités. Nous projetons aussi d’utiliser ce code informatique pour simuler le
 CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES 213

comportement d’une cellule solaire organique à une dimension et faire une compa-
raison avec les résultats issus de l’expérience. Le code informatique écrit en Maple
permet d’aborder la simulation de différents types de composants électroniques à
une dimension. Nous pourrions éventuellement le développer en vue de prendre
en charge des composants à deux dimensions.

Dans la deuxième partie (Chapitre IV), nous présentons l’essentiel des résultats de
l’étude expérimentale, effectuée entièrement au LIOS affilié à JKU de Linz (Au-
triche), de cellules solaires organiques photovoltaı̈ques à base d’hétérojonctions
distribuées en volume. Dans ce nouveau type de cellules solaires organiques, les
macromolécules semi-conductrices de type donneur d’électrons, qui absorbent
la lumière incidente et qui constituent les chaı̂nes garantissant le transport des
trous, sont entremêlées à des petites molécules semi-conductrices de type accep-
teur qui assurent le transport des électrons. Du fait de la différence entre les
bandes interdites des deux types de molécules et de leur interpénétration, ces cel-
lules solaires sont dites à hétérojonction distribuée en volume. Dans cette partie,
nous effectuons une étude comparative de cellules solaires fabriquées à base de
deux mélanges distincts avec des proportions différentes pour chaque mélange.
Le premier mélange est le classique poly(3-hexylthiophène):[6,6]-phényl-C61-
butyrate de méthyle (P3HT:PCBM). Le second mélange est le AnE-PVstat:PCBM
où un polymère récemment synthétisé au LIOS : le AnE-PVstat joue le rôle de
matériau donneur. Au chapitre IV, nous passons en revue toutes les étapes de
fabrication d’une cellule solaire organique depuis la préparation des mélanges
intimes jusqu’au dépôt des différentes couches de la cellule selon le procédé d’en-
214 CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

robage par rotation (spin coating) pour enfin aboutir à un composant fonction-
nel. En vue de parvenir aux paramètres physiques du modèle équivalent, nous
effectuons pour chaque cellule une mesure de la caractéristique courant-tension.
Puis, nous mesurons pour la meilleure cellule de chaque mélange les rendements
de conversion de photons incidents en courant (IPCE) et les rendements quan-
tiques externes (EQE). Ainsi, nous mettons en évidence que les cellules solaires
présentant les meilleurs rendements sont celles fabriquées à base des mélanges
(1:1) de P3HT:PCBM avec un rendement de 2.87% et (1:2) de AnE-PVstat:PCBM
avec un rendement de 4.2%. L’étude comparative des deux polymères de type don-
neur nous permet de conclure que le P3HT absorbe plus de lumière incidente que
le AnE-PVstat en revanche la mobilité des trous dans ce dernier polymère est plus
grande par rapport à celle dans le P3HT. Une des pistes de travail qui pourrait être
retenue pour la poursuite de la présente étude est la modification des propriétés
photoniques de la cellule solaire. Cet objectif peut être atteint par l’interven-
tion au niveau de la couche transparente conductrice organique de PEDOT:PSS de
manière à réduire sa réflectivité, ce qui aurait pour effet l’augmentation de l’ab-
sorption de la cellule solaire. Au LIOS, nous avons déjà commencé l’exploration
de cette piste par l’ajout à la dite couche, au cours du processus de croissance,
de nanoparticules d’Or à différents pourcentages. Les premiers résultats furent
très encourageants mais malheureusement, faute de temps, nous n’avons pas pu
mener l’étude jusqu’à son terme. Cependant, nous ne manquerons pas de finir ce
travail dès que l’opportunité se présentera. Une autre piste de travail proposée
par le Pr. Sariciftci consiste à ajouter des nanoparticules d’Or dans la couche
 CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES 215

active et à examiner son effet sur les performances de la cellule solaire.

Dans la troisième et dernière partie (Chapitre V), nous effectuons la modélisation

d’une cellule solaire organique, bien que la tâche qui consiste à trouver le modèle
équivalent dans le cas d’un composant organique ne soit facile, en raison de la
complexité des mécanismes d’absorption, de diffusion et de collecte des porteurs
de charges. Au chapitre V, nous revoyons tous les circuits équivalents proposés
dans la littérature pour modéliser une cellule solaire. Puis, nous retenons le cir-
cuit à cinq paramètres contenant un générateur à photo-courant, monté en pa-
rallèle avec une diode avec son courant de saturation et son facteur d’idéalité et
deux résistances parasites série et parallèle. Etant donné que son équation ca-
ractéristique admet des solutions analytiques, ce circuit nous permet de conduire
à son terme le calcul analytique lors de l’extraction des paramètres du modèle.
Nous présentons ensuite plusieurs méthodes d’extraction, et en retenons trois pour
la quête des paramètres du modèle équivalent dans le cas des cellules solaires or-
ganiques fabriquées au LIOS. Les trois méthodes retenues sont : la méthode de
l’intégrale de la caractéristique, la méthode de la conductance dynamique et la
méthode de la résistance dynamique. Ainsi, nous montrons que le modèle à cinq
paramètres décrit bien les cellules solaires organiques dans la gamme des ten-
sions allant de −1V à 1V . Nous constatons aussi que la méthode de la conduc-
tance dynamique conduit à la caractéristique calculée la plus proche des points
expérimentaux.
Une des pistes qui pourrait être retenue comme perspective en vue de tenir
compte des mécanismes excitoniques se produisant au sein d’une cellule orga-
216 CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

nique à hétérojonction est d’adopter un circuit électrique modèle contenant trois

diodes. L’équation caractéristique de la cellule n’admettrait plus, dans ce cas, de
solutions analytiques exactes et la recherche des paramètres physiques ne pour-
rait plus s’effectuer sans recourir à des algorithmes de résolution numérique de
systèmes d’équations non-linéaires.
A

Appendix A : Calcul de la différentielle de la

fonction de Bernoulli d [ψi−1 − ψi]

La fonction de Bernoulli est définie par :

x
B (x) = (A.1)
ex −1

On peut écrire que :

−x
B (−x) =
e−x −1 (A.2)
x
= e B (x)

La figure (A.1), donne la fonction de Bernoulli et son logarithme.

La dérivée de la fonction de Bernoulli est :

dB(x)
[B (x)]0 = (A.3)
dx

d’où :
dB(x) = [B (x)]0 dx (A.4)

Nous calculons [B (x)]0 :

218 A Appendix A : Calcul de la différentielle de la fonction de Bernoulli d [ψi−1 − ψi ]

Figure A.1: La fonction de Bernnouli et son logarithme.

 0
0 x
[B (x)] =
ex − 1
(ex − 1) − xex
= (A.5)
(ex − 1)2
xex
 
1
= x 1− x
e −1 e −1

Nous pouvons écrire à partir des équations (A.1 et A.2) que :

B (x) 1
= x
x e −1 (A.6)
xex
B (−x) = x
e −1

Nous tenons compte de ces deux expressions, l’équation (A.5) devient :

B (x)
[B (x)]0 = [1 − B (−x)] (A.7)
x

Finalement :
B (x)
dB(x) = [1 − B (−x)] dx (A.8)
x
 A Appendix A : Calcul de la différentielle de la fonction de Bernoulli d [ψi−1 − ψi ] 219

Un calcul similaire pour [B (−x)]0 donne :

B (−x)
dB(−x) = [1 − B (x)] dx (A.9)
x
B

Appendix B : La fonction de LambertW

B.1 Definition

La fonction W de Lambert, nommée ainsi daprès John Lambert, est la réciproque

de la fonction f définit par :

∀ω ∈ C, f (ω) = ω exp(ω) (B.1)

Cela implique que pour tout nombre complexe z nous avons :

W (z) exp(W (z)) = z (B.2)

Puisque la fonction f n’est pas injective, la fonction W est multiforme.

Si nous limitons aux arguments réels x > −1/e (ce qui exige que w > −1) alors
il existe une fonction et une seule W0 définit (voir figure B.1), sachons que la
fonction qui se limite aux arguments réels x 6 −1/e est la fonction w−1 .
Les valeurs remarquables sont :
222 B Appendix B : La fonction de LambertW

−π iπ
W( )=
2 2
W0 (0) = 0
−1
W0 ( ) = −1
e
−ln(2)
W( ) = −ln(2)
2
W0 (e) = 1

0.5

0.0

-0.5

-1.0
-0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Figure B.1: Représentation graphique de la fonction de LambertW (x). La partie

supérieure de la courbe (y > −1) est la branche W0 ; la partie inférieure (y < −1)
est la branche W−1 définie pour x < 0.

Beaucoup de fonctions impliquant des exponentiels peuvent être résolues avec

l’utilisation de la fonction de Lambert. La stratégie générale est de déplacer toutes
les instances de l’inconnue d’un côté de léquation et de le faire ressembler à
x exp(x). A ce point la fonction W fournit la solution.
 B.2 Calcul de la dérivée et de l’intégrale de LambertW (x) 223

B.2 Calcul de la dérivée et de l’intégrale de LambertW (x)

B.2.1 Calcul de la dérivée

La différenciation de la fonction de LambertW est définit comme suit [178] :

 h i
V +a3
dW
 
V + a3
 W a 2 exp a4
a2 exp =   h i x 6= 0 (B.3)
dV a4 a4 1 + W a2 exp V a+a 3
4

B.2.2 Calcul de l’intégrale

L’intergale de la fonction de Lambert est donné par [178] :

Z V      2
V + a3 a4 a3
W a2 exp dV = − W a2 exp
0 a4 2 a4
  
a3
− a4 W a2 exp
a4
  2 (B.4)
a4 V + a3
+ W a2 exp
2 a4
  
V + a3
+ a4 W a2 exp
a4
Table des figures

1.1 Les réserves mondiale en ressources naturelles [1]. . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.2 Consommation mondiale d’énergie en 2012 [2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3 Consommation de l’énergie et production de l’électricité au Maroc
[19]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4 Emissions de CO2 et consommation de l’énergie au Maroc [19]. . . . 9
1.5 Carte d’irradiation solaire du Royaume du Maroc avec les cinq
complexes solaires prévus [20]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6 Plan d’équipement 2010-2020 du Royaume du Maroc [20]. . . . . . . . . 12

2.1 Les 14 réseaux de Bravais [31]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.2 Formation de bandes d’énergies dans un solide à partir des
niveaux d’énergies de valence des atomes individuels [33]. . . . . . . . . 23
2.3 Schéma de bandes d’un matériau isolant, d’un semi-conducteur et
d’un métal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.4 Semi-conducteur dopé n [34]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.5 Semi-conducteur dopé p [34]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.6 Homojonction p-n à l’equilibre I = 0 et V = 0 [34]. . . . . . . . . . . . . . . 33
226 Table des figures

2.7 Effect photovoltaı̈que, absorption d’un photon et création d’une

paire electron-trou. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

3.1 Maillage non uniforme à une dimension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

3.2 Distribution spectrale de l’émissivité du corps noir à 5900o K . . . . . 84
3.3 Irradiance spectrale du corps noir à 5900o K qui correspond à la
masse atmosphérique AM 1.5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.4 Le flux spectral de photons arrivant à la face avant de l’émetteur
de la cellule solaire avec une AM 1.5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.5 La réflectance et la transmittance du silicium en fonction de la
longueur d’onde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.6 Coefficient d’absorption du Silicium en cm−1 en fonction de la
longueur d’onde. Silicium qui a une band interdite indirect avec
une longueur d’onde de coupure de λSi = 1.1 µm. . . . . . . . . . . . . . . . 90
3.7 La profil du taux de génération optique utilisé pour simuler
une cellule solaire à base de Silicium illuminée par une lumière
polychromatique issue d’un corps noir à 5900K simulant le spectre
solaire et pour une air mass AM 1.5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3.8 Distribution spectrale de la densité du courant en court-circuit de
la cellule solaire de Silicium avec une longueur L qui est de 0.07µm. 93
3.9 L’efficacité quantique externe en fonction de la longueur d’onde
pour la cellule solaire de Silicium que nous avons simulé avec une
longueur L qui est de 0.07µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
 Table des figures 227

3.10 L’efficacité quantique interne en fonction de la longueur d’onde

pour la cellule solaire de Silicium que nous avons simulé avec une
longueur L qui est de 0.07µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.11 Profil de dopage à travers la jonction p-n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
3.12 Profils du potentiel électrostatique à travers la jonction p-n, pour
des tensions appliquées égales à −0.5 V, −0.39 V (polarisation en
inverse) 0, 0.39 V et 0.5 V (polarisation en direct). . . . . . . . . . . . . . . 100
3.13 Profils du champ électrique à travers la jonction p-n, pour des
tensions appliquées égales à −0.5 V, −0.39 V (polarisation en
inverse) 0, 0.39V et 0.5V (polarisation en direct). . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.14 Densité des électrons, pour des tensions appliquées égales à
−0.5 V, −0.39 V (polarisation en inverse) 0, 0.39 V et 0.5 V
(polarisation en direct). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.15 Densité de trous, pour des tensions appliquées égales à
−0.5 V, −0.39 V (polarisation en inverse) 0, 0.39 V et 0.5 V
(polarisation en direct). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.16 Diagramme des bandes d’énergies à travers la jonction p-n, pour
une tensions appliquée égale à 0 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.17 Diagramme des bandes d’énergies de la jonction p-n pour une
tension appliquée égale à 0.65 V (polarisation en direct). . . . . . . . . . 103
3.18 Diagramme des bandes d’énergies de la jonction p-n pour une
tension appliquée égale à −0.65 V (polarisation en inverse). . . . . . . 104
228 Table des figures

3.19 Caractéristiques J = f (V ) de la cellule solaire cristalline, que

nous avons simulée, à base d’une homojonction de silicium et dont
sa longueur L est de 0.07µm. La figure principale est en échelle
linéaire, la figure inserée (inset) est en échelle semi-logarithmique.
La caractéristique à l’obscurité est designée avec des tirets noirs
et la caractéristique sous éclairement avec une ligne rouge . . . . . . . . 105
3.20 La puissance delivrée par la cellule en fonction de la densitée du
courant (P(J) à gauche) et en fonction de la tension (P(V) à droite)105

4.1 Tableau des éléments chimiques de Mendeleı̈ev. . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

4.2 Diagramme des orbitales moléculaires π. Evolution du diagramme
des bandes en fonction de la longueur de la chaı̂ne des atomes de
Carbone [83]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
4.3 Structures chimiques de polymères conjugués de type donneur [89]. 121
4.4 Structures chimiques de petites molécules de type donneur [89]. . . . 122
4.5 Structures chimiques des semi-conducteurs organiques de type
accepteur d’électrons [89]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.6 Les technologies de dopage des polymères [107]. . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4.7 Evolution du rendement de conversion des cellules solaires pour
les différentes filières technologiques (source NREL) [126]. . . . . . . . . 128
4.8 Structure d’une cellule solaire organique à hétérojonction
distribuée en volume sous illumination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
4.9 Structure chimique du PCBM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
4.10 Structure chimique du polymère P3HT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
4.11 Structure chimique du polymère AnE-PVstat. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
 Table des figures 229

4.12 Structure chimique du PEDOT:PSS [130]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133

4.13 Machine d’enrobage par rotation (spin-coating machine). . . . . . . . . . 138
4.14 Photographie des éléments composant la chambre à vide pour
l’évaporation dans la boı̂te à gants. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.15 Schéma descriptif de l’incidence solaire sur la Terre avec les
différentes masse d’air : AM 0, AM 1 et AM 1.5. . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.16 Spectre solaire énergétique normalisé à 100 mW/cm2 dans les
conditions d’AM1.5 [138]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.17 Photographie des éléments composant la manipulation
automatisée de mesure de la caractéristique I=f(V). . . . . . . . . . . . . . 143
4.18 Photographie des éléments composant la manipulation
automatisée de mesure de l’IPCE et du EQE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
4.19 Evolution de la performance des diodes électroluminescentes pour
les différentes filières technologiques [145]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.20 Photographies des trois types de LEDs à base de AnE-PVstat,
P 19|9 et P 18|14. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.21 Structure chimique du poly(p-phénylène-éthynylène)-alt-poly(p-
phénylène-vinylène) (PPE-PPV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
4.22 Absorption et radiance à 10 mA du polymère P19|9. . . . . . . . . . . . . 149
4.23 Absorption et radiance à 10 mA du polymère P18|14. . . . . . . . . . . . 150
4.24 Absorption et radiance à 10 mA du polymère AnE-PVstat. . . . . . . . 150
4.25 Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la
surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:1)
de P3HT:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
230 Table des figures

4.26 Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la

surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:2)
de P3HT:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
4.27 Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la
surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:2)
de AnEPVstat:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.28 Caractéristiques J = f (V ) d’une cellule solaire organique dont la
surface est égale à (0.1 cm2 ) fabriquée à base du mélange (1:1)
de AnEPVstat:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
4.29 EQE des deux meilleures cellules solaires fabriquées à base des
deux mélanges (1:1) de P3HT:PCBM (ligne distontinue en bleu) et
(1:2) de AnE-PVstat:PCBM (ligne continue en rouge). . . . . . . . . . . . 158

5.1 Circuit électronique équivalent à trois diodes modélisant une

cellule solaire organique [150, 151]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
5.2 Circuit électronique équivalent à deux diodes modélisant une
cellule solaire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
5.3 Circuit électrique à une seule diode modélisant une cellule solaire. . 167
5.4 Caractéristique courant-tension (ligne discontinue rouge), et la
puissance fournie par la cellule (ligne bleu) en fonction de la
tension. Les paramètres caractéristiques externes sont mentionnés
sur la figure. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
5.5 Caractéristiques expérimentales et optimisées J = f (V ) d’une
cellule solaire organique dont la surface est égale à (0.1 cm2 )
fabriquée à base du mélange (1:1) de P3HT:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . 195
 Table des figures 231

5.6 Caractéristiques expérimentales et optimisées J = f (V ) d’une

cellule solaire organique dont la surface est égale à (0.1 cm2 )
fabriquée à base du mélange (1:2) de P3HT:PCBM . . . . . . . . . . . . . . . 196
5.7 Caractéristiques expérimentales et optimisées J = f (V ) d’une
cellule solaire organique dont la surface est égale à (0.1 cm2 )
fabriquée à base du mélange (1:1) de AnEPVstat:PCBM . . . . . . . . . . 197
5.8 Caractéristiques expérimentales et optimisées J = f (V ) d’une
cellule solaire organique dont la surface est égale à (0.1 cm2 )
fabriquée à base du mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM . . . . . . . . . . 198
5.9 L’effet de la résistance série sur la caractéristique densité de
courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-densité
de courant (P = f (J)) de la cellule solaire fabriquée à base du
mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.10 L’effet de la résistance paralléle sur sur la caractéristique densité
de courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-tension
(P = f (V )) de la cellule solaire fabriquée à base du mélange
(1:2) de AnEPVstat:PCBM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
5.11 L’effet du courant de saturation sur la caractéristique densité de
courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-tension
(P = f (V )) de la cellule solaire fabriquée à base du mélange
(1:2) de AnEPVstat:PCBM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
232 Table des figures

5.12 L’effet du facteur d’idéalité sur la caractéristique densité

de courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-
tension(P = f (V )) de la cellule solaire fabriquée à base du
mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
5.13 L’effet du photo-courant sur la caractéristique densité de
courant-tension (J = f (V )) et sur la courbe puissance-densité
de courant (P = f (J)) de la cellule solaire fabriquée à base du
mélange (1:2) de AnEPVstat:PCBM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
5.14 L’effet du photo-courant sur le facteur de forme. . . . . . . . . . . . . . . . . 207

A.1 La fonction de Bernnouli et son logarithme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218

B.1 Représentation graphique de la fonction de LambertW (x) . . . . . . . . 222

Liste des tableaux

3.1 Paramètres de normalisation des équations du semi-conducteur. . . . 55

3.2 Caractéristiques électriques de la cellule solaire cristalline à
base de silicium simulée à l’aide de notre code Maple et dont la
longueur L vaut 0.07µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

4.1 Caractéristiques électriques de cellules solaires dont la surface

est égale à (0.1 cm2 ) fabriquées à base des deux mélanges (1:1)
et (1:2) de P3HT:PCBM. Les mesures ont été effectuées après un
recuit de cinq minutes à une température de 110o C. . . . . . . . . . . . . . 154
4.2 Caractéristiques électriques de cellules solaires dont la surface est
égale à (0.1 cm2 ) fabriquées à base des deux mélanges (1:1) et
(1:2) de AnE-PVstat:PCBM. Les mesures ont été effectuées après
un recuit de cinq minutes à une température de 110o C. . . . . . . . . . . 157

5.1 Caractéristiques électriques et paramètres physiques de cellules

solaires de surface égale à 0.1 cm2 fabriquées à base de deux
mélanges (1:1) et (1:2) de P3HT:PCBM et mesurées après un
recuit à 110o C pendant cinq minutes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
234 Liste des tableaux

5.2 Caractéristiques électriques et paramètres physiques de cellules

solaires de surface égale à 0.1 cm2 fabriquées à base de deux
mélanges (1:1) et (1:2) de AnE-PVstat:PCBM et mesurées après
un recuit à 110o C pendant cinq minutes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
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