Université Saad Dahlab de Blida

Département d’électronique L3/Elctronique

TP1 : Etude des effets de la commutation de la diode
sur les performances du convertisseur Boost

1.1. Introduction : Les transistors Mosfets de puissance, les transistors IGBT, ainsi que les diodes de puissance
sont toujours utilisés comme des interrupteurs qui s’ouvrent ou se ferment dans les dispositifs
conventionnels de l’électronique de puissance. Une connaissance de leurs caractéristiques, ainsi
que de leur comportement en commutation est nécessaire pour déterminer le bon transistor et
la bonne diode à utiliser pour réaliser le dispositif de puissance. Dans les dispositifs de puissance,
que ce soit un hacheur, un convertisseur DC/DC ou un onduleur, nous avons, toujours, une diode
qui s’ouvre lorsqu’un transistor se ferme, et inversement, une diode qui se ferme, lorsqu’un
transistor s’ouvre. Comme nous le verrons par la suite, lorsque l’on aura à étudier les transistors
de puissance, que lorsque ceux-ci commutent vers la fermeture ou vers l’ouverture, ils ne
commutent pas instantanément, de sorte que le courant qui les traverse ne varie pas
instantanément de 0 à Ion ou de Ion à 0 avec un di/dt nul, mais il le fera avec un di/dt donné
dépendant de la vitesse de commutation des transistors. Nous pourrons donc dans ce TP étudier
le comportement en commutation des diodes en tenant compte du di/dt. Pour cela, nous
présenterons de façon succincte quelques notions sur la commutation des diodes les plus
utilisées en électronique de puissance.
1.2. Quelques notions rapides sur les diodes PN et les diodes Schotky (pour avoir une meilleure
compréhension, vous pouvez soit vous reporter sur le chapitre diode que vous trouverez dans le
support de la plateforme, soit à la présentation du chapitre2):
Dans sa fermeture, La commutation de la diode est assez rapide et ne présente pas de problèmes
dans les dispositifs de l’électronique de puissance. Par conséquent, dans ces quelques notions que
nous présenterons, nous ne nous intéresserons qu’à l’ouverture de la diode (c’est à dire au moment
de son blocage) et donc au temps de commutation et au pics de courant qu’elle peut générer en
passant de l’état de conduction vers l’état de blocage. Pour cela, nous nous intéresserons à ce qui se
passe dans la jonction PN, au moment où une tension inverse lui est appliquée.
1.2.1. Jonction PN polarisée en directe :
Tension de seuil et courant de polarisation en directe :
Soit la diode du circuit de la figure1.1 soumise à une tension impulsionnelle V1(t), lors de sa
polarisation en directe, la diode est passante, et présente une tension de seuil V F (barrière de
V on−V F
potentiel, F pour Forward) de manière à ce que le courant qui la traverse est I F= .On va
R
voir que lorsque la diode sera polarisée en inverse, celle_ci ne se bloque pas instantanément, mais
qu’elle reste pendant une certaine durée conductrice. C’est ce phénomène de commutation que
nous essayerons d’expliquer dans ce qui suit et que vous allez essayer avec des simulation avec
LTSpice de voir ses conséquences sur les performances d’un convertisseur DC/DC.
 V1(t)

Figure1.1

1.2.2. Charge stockée dans la région N- :

Dans la fabrication des diodes de puissance et de commutation, afin d’augmenter la tension
inverse que peut supporter une diode, la jonction PN est fabriquée sous la forme d’un sandwich
constitué d’une région mince, fortement dopée P + (concentration de 1018trous/cm3), d’une région
faiblement dopée N- (concentration de 1013 à 1014 électrons/cm3) permettant d’augmenter la tension
inverse que peut supporter la diode et enfin une région mince fortement dopée N + (concentration de
1018trous/cm3) permettant de diminuer la résistance R on de la diode. En raison de cette région N - qui
est faiblement dopée, les porteurs majoritaires ( les trous), qui diffusent dans la région N -, ne se
recombinent pas avec les porteurs majoritaires de la région N - (qui sont des électrons). Une charge
composée d’un grand nombre de trous ( porteurs minoritaires) s’accumule alors dans la région N -, et
celle-ci dépendra, principalement, de la durée de vie des porteurs minoritaires et du courant de
polarisation direct qui dépend des éléments externes V F et IF, de sorte que la charge stockée est
QS=τIF où τ est la durée de vie moyenne des porteurs minoritaires dans la région N -. Celle-ci dépend
de la présence d’impuretés qui peuvent augmenter le taux de recombinaison des trous minoritaires
et donc diminuer la durée de vie des porteurs.
1.2.3 Temps d’évacuation de la charge stockée :
En appliquant une tension nulle ou inverse à la diode, la diode est bloquée, et donc le courant qui la
traverse est nulle. Dans la pratique, ceci n’est pas juste. En effet, au moment du blocage de la diode,
la charge stockée n’est pas encore évacuée vers la région inverse, et sous l’effet d’une tension
inverse celle-ci créera un courant inverse qui continuera de circuler dans la diode, tant que la charge
accumulée n’est pas entièrement évacuée. Selon la vitesse de la commutation de la tension
appliquée, et donc selon la vitesse de diminution du courant I F, le courant IF ne s’annule pas
instantanément, ce qui implique que les trous qui se recombinent ne sont pas remplacées par le
courant IF, par conséquent, la charge stockée Q S diminuera, et au moment où le courant I F s’annule, la
charge qui va être évacuée est un peu plus petite que Q S. Cette charge est appelée Qrr (charge de
recouvrement inverse). Cette évacuation de la charge stockée se fait durant un temps noté t s (storage
time) appelé parfois ta correspond au temps nécessaire à l’évacuation de la charge stockée de la
région N-. Dans la pratique, la vitesse de variation du courant di F/dt est commandée par la vitesse de
fermeture du transistor, et donc, tant que la charge stockée n’est pas entièrement évacuée, le
courant inverse dans la diode continue à augmenter tel que l’illustre la figure 1.2.
 t rr I RM Figure1.2
Qrr =
2

1.2.4 Temps de transition tt: Au terme de l’évacuation de la charge stockée, et sous l’effet de la
tension inverse appliquée à travers le transistor, qui se comporte comme un interrupteur fermé de
résistance Ron, la diode se comportera, alors comme une capacité de transition, et commence à se
charger. Ce qui implique que le courant inverse commence à diminuer, et que la tension aux bornes
de la diode commence à augmenter jusqu’à atteindre la valeur inverse de la tension appliquée (voir
figure 1.1).
1.2.5. Temps de recouvrement inverse :
Le temps de recouvrement inverse correspond à la somme de t S et de tt. En considérant la figure 1.2,
on peut très facilement démontrer que la charge Q rr correspond à l’intégrale du courant dans
l’intervalle trr, ce qui correspond à la surface du triangle dont la base est trr et dont la hauteur est IRM.
1.3. Types de diodes utilisées dans les dispositifs de l’électronique de puissance :
Les diodes utilisées sont divisées en 4 catégories :
- les diodes Schotky constituées de la jonction d’un métal constituant l’anode et d’un semi
conducteur dopé N constituant la cathode. Dans ce type de diode, il n’y a pratiquement pas de
charge stockée dans la région N, par conséquent, ils ne seront pas affectés par le phénomène de
recouvrement inverse, et donc ils ne causent aucun problème dans les dispositifs de puissance. Ce
type de diode possède, également, une faible tension de seuil, et par conséquent, ils dissiperont une
faible puissance à l’état On. Leur seul inconvénient est que pour les mêmes dimensions, la tension
inverse qu’elle peuvent supporter est beaucoup plus petite que celle des autres technologies de
diodes.
- Les diodes de redressement (rectifier): Les diodes de redressement sont caractérisées par des
durées de vie moyenne des porteurs, très grandes, et donc elles ont de grands Q rr, ce qui interdit leur
utilisation en commutation de puissance, et donc on ne les utilise que pour le redressement de signal
à faible fréquence.
- Les diodes de commutation rapides fast recovery diodes:
Par l’injection d’impuretés métalliques dans la région N - de la diode, on diminue la durée de vie
moyenne des porteur τ, ce qui a pour conséquences de diminuer Q rr, trr, tS et tt. Ce type de diodes
sont caractérisées par un facteur S=t S/tt supérieur à 1 pour les diodes soft recovery et S inférieur à 1
pour les diodes Fast recovery (Abrupt recovery).
On distingue donc 2 types de diodes :
- Les diodes à recouvrement inverse doux (Soft recovery diodes) :
La technologie des diodes à recouvrement doux permet de diminuer le courant inverse en
augmentant la durée tt correspondante à la charge de la capacité de transition et donc en faisant
qu’une grande partie de la charge Q RR soit utilisée pour la charge de la capacité de transition. On
définit pour cela un facteur de douceur (softness) appelé Snap factor, tel que tb = StS = Sta (dans
plusieurs datasheet, on utilise les termes ta pour tS et tb pour tt : durée correspondant à un courant de
(1+ S) t S I RM
charge égal à 0.25IRM) et donc tRR = tS + tt = (1 + S)tS, ce qui nous donne Qrr = avec S>1
2
- Les diodes à recouvrement abrupte où tt < tS (Abrupt recovery diodes) caractérisée par S <1.

1.4. Travail à effectuer :

En utilisant le logiciel LTSpice, réalisez le convertisseur Boost de la figure 1.3. En cliquant sur la source
de tension (voltage) commandant le transistor avec le bouton droit de la souris, cliquez sur
Advanced, ensuite sur Pulse. Mettez alors devant les champs Von = 10, Vin=0, t d=delai=0, tr=
Trise=10n, tf=Tfall=10n, ton=8u, T=period=10u, ce qui nous donne un signal de commande
impulsionnel de fréquence 100KHztonet de rapport cyclique D=0.8.

Von

Vin
td tr T tf

V2

Figure1.3

Préparation théorique :
En considérant la diode D1 et le transistor Mosfet M1 comme des interrupteurs idéaux :
a) déterminez la tension moyenne de sortie du convertisseur V 2 ainsi que les courants moyens I2 ainsi
que IL.
b) Déterminez le chronogramme du courant dans la bobine i L(t) et déduisez les chronogrammes des
courants dans le transistor, dans la diode et dans le condensateur.

Travail pratique :
1- Détermination du régime permanent :
Cliquez sur Simulate, ensuite sur Edit simulation cmd, choisissez Transient et dans la boite de
dialogue mettez au niveau de stoptime la valeur de 10ms. La directive Tran2m s’affichera alors et la
simulation se fera alors sur une durée de 10ms. Après simulation (run), observez la forme de la
tension de sortie du convertisseur et relevez le temps à partir duquel le convertisseur a
atteint son régime permanent. Cliquez avec le bouton droit de la souris sur la directive Tran
10m et introduire dans le champ (time to start saving data) le temps où le convertisseur a
atteint le régime permanent.
On dispose de 4 diodes :
- une diode de redressement (Rectifier) RR601BGE4S qui peut supporter un courant direct
moyen de 6A et une tension inverse de 400V.
- une diode Schottky RB238T150 qui peut supporter un courant moyen direct de 20A et une tension
inverse maximale de 150V.
- une diode Fast recovery de type abrupte recovery RFN6BGE2D qui peut supporter un courant
moyen de 6A et une tension inverse de 200V.
- et enfin une diode Fast recovery de type soft recovery hfb16hy20c qui peut supporter un courant
moyen de 16A et une tension inverse de 200V.
2) En remplaçant la diode D1 par la diode Schottky RB238T150 (Pour cela, cliquez avec le bouton
droit de la souris sur la diode et cliquez dans la boîte de dialogue sur pick on new diode. Notez au
passage la valeur moyenne du courant, ainsi que le courant I F maximal (Average : cette valeur indique
la valeur moyenne maximale du courant en polarisation directe), relevez :
a) les chronogrammes en régime permanent de la tension de sortie et du courant dans la bobine.
Déduisez les valeurs moyennes1 IL et V2 et comparez aux valeurs théoriques. Que concluez vous ?
b) En pointant le curseur de la souris sur la résistance de charge, relevez en appuyant en même temps
sur les touches ctrl et Alt et sur la touche gauche de la souris pour relevez le chronogramme de la
puissance instantanée dissipée dans la charge, puis en pointant le curseur de la souris sur cette
grandeur (au niveau du panel dans lequel sont affichées les courbes de simulation) et en cliquant en
même temps sur la touche ctrl du clavier et sur la touche gauche de la souris, relevez la puissance
moyenne dissipée dans la charge. Refaites la même chose pour relever la puissance moyenne absorbée
au niveau de la source V1. Calculez le rendement et comparer à la valeur théorique. Déterminez les
pertes dans la diode et dans le transistor (puissances moyennes dissipées dans le transistor et dans la
diode).
3) En remplaçant la diode D1 par la diode de redressement RR601BGE4S, après simulation :
a) Relevez les chronogrammes du courant dans la bobine et de la tension de sortie du convertisseur et
mesurer leurs valeurs moyennes. En comparant aux valeurs théoriques, que constatez-vous ?
b) Mesurez le rendement du convertisseur ainsi que les pertes dans la diode et dans le transistor. Que
constatez-vous ?
c) Observez le courant dans la diode, déterminez la tension inverse I rm, le temps de recouvrement
inverse trr ainsi que le di/dt, sachant que le di/dt correspondant à l’ouverture de la diode correspond à
la vitesse de variation du courant dans le transistor au moment de sa fermeture. Déduisez la charge Q rr
de la diode. En comparant les pertes dans le transistor et dans la diode à ceux de la question 2,
expliquez la différence dans les pertes de commutation dans le transistor et dans la diode. Conclusion.
4) En remplaçant la diode D1 par la diode Fast recovery de type Abrupte Recovery RFN6BGE2D ,
après simulation, répondez aux questions a, b et c de la question 3.
5) En remplaçant la diode D1 par la diode Fast recovery de type Soft Recovery hfb16hy20c, après
simulation, répondez aux questions a, b et c de la question 3.

1 Pour déterminer la valeur moyenne, il suffit de pointer le curseur de la souris sur la grandeur simulée et de
cliquer en même temps sur la touche ctrl du clavier et sur la touche gauche de la souris.