0% ont trouvé ce document utile (0 vote)
49 vues4 pages

TP Transistor en Commutation

Transféré par

steveaxel87
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
0% ont trouvé ce document utile (0 vote)
49 vues4 pages

TP Transistor en Commutation

Transféré par

steveaxel87
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

TP N°1 : Transistor en commutation

Objectif : Utilisé en interrupteur commandé, le transistor en régime de commutation va nous


permettre de piloter la mise en marche et l’arrêt d’une charge, en utilisant un signal de
commande de faible puissance.

Partie 1 : Préparation
La cellule de commutation utilisée (figure 1) correspond à la structure de base d’un
transistor fonctionnant en régime de commutation, ou en mode bloqué saturé.

Dans la suite de ce TP, on prendra comme tension d’alimentation : VCC = 12V.

Afin de mener à bien les différentes manipulations et calculs qui vous seront demandés
dans ce quatrième TP, il sera nécessaire de répondre aux questions suivantes :
1. Donner la définition de la droite de charge statique.
2. Sur le montage de la question II.1 (figure 2), exprimer la droite de charge statique.
3. Représenter graphiquement la droite statique.
4. En considérant que le transistor est parfait (VCE SAT = 0), faire apparaître sur la
droite de charge statique les points de blocage B et de saturation S.
5. Toujours en se basant que la structure de la question II.1 (figure 2), indiquer
quelles sont les conditions sur les tensions VE et VBE pour que le transistor soit
saturé et bloqué.
6. Sur la documentation technique fournie en annexe 1, relever les caractéristiques
suivantes du transistor : VBE SAT / VCE SAT / hFE DC / IC MAX / VCE MAX.
7. En vous basant sur la structure II.1 (figure 2), calculer la valeur de la résistance
R1 qui assurerait la saturation du transistor si : R2 = 1k, VE = 5V.
8. Sur la documentation technique fournie en annexe 2, relever les caractéristiques
suivantes de la diode électroluminescente : IF / VF.
9. En vous basant sur la structure II.2 (figure 3), calculer la valeur les valeurs des
résistances R1 et R4 qui assureraient le bon fonctionnement du montage (diode
éclairée pour un courant de 10mA et transistor saturé).

Page 1 sur 4
© 2022, Daniel MBELE, M.Sc, Ing.
10. Sur la documentation technique fournie en annexe 3, relever les valeurs
caractéristiques résistance et courant de la bobine (« coil » en anglais) pour une
tension d’alimentation de : UN = 12V.
11. En vous basant sur la structure II.3 (figure 4), calculer la valeur la valeur de la
résistance R1 qui assurerait un bon fonctionnement du montage

Partie 2 : Manipulation
II.1. Etude pour une charge de type R

Analyse du montage
1. En vous aidant de sa documentation technique, donner les caractéristiques utiles du
transistor 2N2222. On fixe : R1 est une boite à décade VE = 5V
2. On souhaite déterminer la valeur du paramètre  pour un transistor saturé. Mesurer les
valeurs des courants IB et IC pour les valeurs suivantes de la résistance R1 : 60k et
47k.
3. Calculer les valeurs du  correspondant.
4. On souhaite sursaturer le transistor, la résistance R1 est maintenant réglée à 27k.
Mesurer
les valeurs des courants IB’ et IC‘.
5. Calculer la nouvelle valeur du ’ correspondant.
6. Commenter et expliquer les différences observées entre saturation et sursaturation (on
pourra appuyer son raisonnement sur la droite de charge statique). On fixe : R1 = 47k
vE(t) est une tension carré ±6V de fréquence 100 Hz
7. Visualiser à l’oscilloscope, puis relever les chronogrammes de vE(t), vBE(t) et vCE(t).
8. Quel est le rôle de la diode D1 ?
9. Justifier l’allure des courbes obtenues.

II.2. Etude pour une charge de type LED

Page 2 sur 4
© 2022, Daniel MBELE, M.Sc, Ing.
Analyse du montage

1. Calculer la valeur de la résistance R4 permettant d’assurer un courant de 5mA à la diode.


2. Calculer la valeur de la résistance R1 permettant d’assurer un bon fonctionnement au
montage.

On applique une tension d’entrée carrée au montage : vE(t) carrée ±6V / f = 5Hz

3. Effectuer un contrôle du bon fonctionnement du montage : observations et mesure du


courant de la diode.

II.3. Etude pour une charge de type Relais :


Cette dernière partie portera sur l’alimentation d’un relais qui pilote un ventilateur.

Analyse du montage
1. Câbler le montage et contrôler son bon fonctionnement en alimentant le circuit avec une
tension continue VE = 5V (vous devez entendre le relais claquer lorsqu’il commute).

Page 3 sur 4
© 2022, Daniel MBELE, M.Sc, Ing.
Les contacts du relais vont piloter un ventilateur de boitier PC : ATTENTION AUX
DOIGTS.
2. Tracer le schéma de principe faisant apparaitre votre ventilateur, la source de tension de
12V qui l’alimente et le relais.
3. Câbler le montage en utilisant les contacts 11 et 12 du relais. Faire vérifier votre
montage par l’enseignant.
4. Que constatez-vous à la mise sous tension de l’alimentation 12V si la source 5V est
éteinte ? Que se passe-t-il lorsque vous appliquez le 5V ?
5. Câbler le montage en utilisant les contacts 11 et 14 du relais. Faire vérifier votre
montage par l’enseignant.
6. Que constatez-vous à la mise sous tension de l’alimentation 12V si la source 5V reste
éteinte ? Que se passe-t-il lorsque vous appliquez le 5V ?

Page 4 sur 4
© 2022, Daniel MBELE, M.Sc, Ing.

Vous aimerez peut-être aussi