MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU

Faculté de Génie Electrique et d’Informatique

Département d’Electronique

MEMOIRE DE MAGISTER
Spécialité : Electronique

Option : Microélectronique

Présenté par

Melle OUSSIDHOUM Samira

Thème :

Etude comparative des performances des cellules solaires à jonctions

simple et multiple

Devant le jury:

Mohamed Said BELKAID Professeur UMMTO Président

Mohamed MEGHERBI Professeur UMMTO Rapporteur

Mohand Ou Tahar BENSIDHOUM MCA UMMTO Examinateur

Dalila HOCINE MCB UMMTO Examinatrice

Soutenu le 08/07/2015
 Remerciements

Le travail présenté dans ce mémoire à été effectué au Laboratoire des Technologies

Avancés de la Faculté de Génie Electrique (LATAGE) de l’Université Mouloud Mammeri de
Tizi-Ouzou (UMMTO).

Il m’est agréable d’exprimer ma profonde gratitude et ma reconnaissance à mon

Directeur de mémoire, le professeur MEGHERBI Mohamed, Professeur de la Faculté de
Génie Electrique et d’Informatique à l’UMMTO.

Je tiens à exprimer mes vifs remerciements aux membres de jury qui m’ont fait
l’honneur de bien vouloir examiner ce travail : le président de jury, le professeur Med Said
BELKAID, Doyen de la Faculté de Génie Electrique et d’Informatique à l’UMMTO ainsi
que Monsieur BENSIDHOUM Mohand Ou Tahar, Maître de Conférences A à l’UMMTO et
Melle HOCINE Dalila, Maître de Conférences B à l’UMMTO en tant que examinateurs.

Mes remerciements vont aussi à mes collègues du laboratoire LATAGE, en particulier

Goudjil Tawous.

Sans oublier ma famille qui m’a était d’un grand soutien tout au long de mes années
d’études.

Enfin, je remercie toutes les personnes qui, d’une manière ou d’une autre, ont contribué
au bon déroulement de ce travail, tant au niveau humain qu’au niveau scientifique.
 Dédicaces

A toute ma famille

A mes amis

A tous ceux et celles qui me sont chèr(e)s

Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………… 01

Chapitre I : La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

03
I. Introduction …………………………………………………………………….
03
II. Rayonnement solaire …………………………………………………………..
04
III. L’effet photovoltaïque………………………………………………………..
04
III.1 Définition……………………………………………………………..
III.2Principe de l’effet photovoltaïque ……………………………………. 04

04
IV. La cellule solaire au silicium………………………………………………….
04
IV.1 Définition …………………………………………………………….
05
IV.2 Le principe de fonctionnement………………………………………..
06
IV.3 Schéma électrique équivalent ………………………………………...
07
IV.4 Caractéristique courant-tension……………………………………….
08
IV.5 Paramètres photovoltaïques de la cellule solaire ……………………..
09
V. Structure des cellules solaires ………………………………………………….
09
V.1 Le silicium comme matériau de base pour le photovoltaïque …………
09
V.1.1 Le silicium monocristallin………………………………………...
11
V.1.2 Silicium multi cristallin…………………………………………...
12
V.1.3 Le silicium amorphe………………………………………………
V.1.4 Le silicium amorphe hydrogéné …………………………………. 12

VI. Les oxydes semi-conducteurs ……………………………………………….. 13

VII. Structure d’une cellule photovoltaïque à haut rendement (PERL)………….. 13

14
VIII. Structure d’une cellule solaire industrielle …………………………………

1
 15
IX. Méthodes d’amélioration des performances des cellules solaires ……………
16
IX.1 Texturation de la surface………………………………………………
16
IX.2 Couche anti reflet……………………………………………………...
17
IX.3 Réflecteur arrière(BSF)………………………………………………..
17
IX.4 Passivation de la face avant et de la face arrière ……………………...
17
X. Conclusion……………………………………………………………………...

Chapitre II : Etude des cellules solaires a multi-jonctions

I. Introduction…………………………………………………………………… 18

II. Les cellules solaires à multi-jonctions……………………………………….... 18

II.1 Cellules solaires à multi jonctions à base de semi-conducteurs III-V…. 18

III. Cellules solaire en couches minces ………………………………………….. 20

III.1 Définition d’une couche mince……………………………………….. 20

III.2 Techniques de dépôt des couches minces ……………………………. 21

III.3 Les cellules solaires à base de CuInSe2 ………………………………. 21

24
III.4 Cellules salaires à base de Cu (In,Ga)Se2 (cellules solaires CIGS) …..

III.5 Les cellules solaires en couches minces à base de CdTe …………….. 25

III.6 Cellules solaires à base de a-Si:H/c-Si (cellules solaires HIT) ………. 26

IV. Conclusion …………………………………………………………………… 29

Chapitre III : Simulation des cellules solaires à hétérojonctions……………..
I. Introduction …………………………………………………………….... 30

II. Presentation du logiciel de simulation AFORS-HET …………………….. 30

III. Etapes de simulations ……………………………………………………… 31

IV. Présentation des cellules solaires simulées…………………………………. 34

2
 IV.1 Présentation de la cellule à simple hétérojonction …………………. 35

IV.2 Présentation de la cellule à double hétérojonction ………………… 35

IV.3 Présentation de la cellule HIT………………………………………. 36

V. Les paramètres des cellules solaires à simuler ………………………………. 36

V.1 Paramètres de la couche ZnO et la couche Al ……………………….. 36

V.2 Paramètres des couches a-Si :H (p) ,c-Si(p) et a-Si :H (n) utilisées … 37

V.3 Paramètres de la couche intrinsèque (i) a-Si :H……………………… 37

VI. Conclusion…………………………………………………………………….. 38

Chapitre IV : Etude comparative entre les cellules à jonction simple et

multiple
I. Introduction ……………………………………………………………………. 39

II. Etude comparative entre les cellules solaires à simple hétérojonction, double
hétérojonction et cellules HIT……………………………………………… 39

II.1 Diagrammes des bandes d’énergies …………………………………. 39

II.2 Caractéristiques courant-tension ……………………………………… 41

III. Effet de la variation de l’épaisseur du substrat c-Si sur les performances des
cellules solaires simulées…………………………………………………… 43

III.1 Influence de l’épaisseur du substrat sur la tension du circuit ouvert 43

Vco
III.2 Influence de l’épaisseur du substrat sur le courant de court circuit Icc... 44

III.3 Influence de l’épaisseur du substrat sur le facteur de forme FF………. 46

III.4 Influence de l’épaisseur du substrat sur le rendement η………………. 47

IV. Influence du dopage du substrat sur les performances des cellules simulées... 49

IV.1 Influence du dopage du substrat sur la tension du circuit ouvert Vco.... 49

IV.2 Influence du dopage du substrat sur le courant de court circuit Jcc…… 50

3
 IV.3 Influence du dopage du substrat sur le facteur de forme FF…………. 51

IV.4 Influence du dopage du substrat sur le rendement η………………….. 53

V. Influence de l’épaisseur de l’émetteur : a-Si :H(n) sur les performances des

cellules simulées……………………………………………………………. 54
V.1 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur la tension du circuit ouvert
Vco............................................................................................................. 54
V.2 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le courant de court circuit Jcc 56

V.3 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le facteur de forme FF……. 57

V.4 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement η…………… 58

VI. Influence du dopage de l’émetteur a-Si :H sur les performances des cellules
simulées ……………………………………………………………………. 60
VI.1 Influence du dopage de l’émetteur la tension du circuit ouvert Vco…. 60

VI.2 Influence du dopage de l’émetteur sur le courant de court circuit Jcc .. 61

VI.3 Influence du dopage de l’émetteur sur le facteur de forme FF……… 62

VI.4 Influence du dopage de l’émetteur sur le rendement η……………… 63

VII. Influence du gap de l’émetteur sur les performances des cellules simulées… 65

VII.1 Influence du gap de l’émetteur sur la tension du circuit ouvert Vco … 65

VII.2 Influence du gap de l’émetteur sur le courant de court circuit Jcc ….. 66

VII.3 Influence du gap de l’émetteur sur le facteur de forme FF…………. 68

VII.4 Influence du gap de l’émetteur sur le rendement η…………………. 69

VIII. Influence de la température sur les caractéristiques I(V) des cellules

simulées ………………………………………………………………………...... 71

IX. Effet de la texturisation ……………………………………………………… 72

X. Comparaison avec d’autres types de cellules solaires à homojonction et

multijonctions……………………………………………………………. 73
XI. Conclusion……………………………………………………………………. 74

Conclusion générale …………………………………………………………….. 75

4
5
Liste des figures :
Figure I.1 définition de l’Air Masse, spectre d’émission solaire sous AM0 et AM1.5 03

Figure I.2 Jonction n/p éclairée, cellule photovoltaïque 04

Figure I.3 Structure d’une cellule solaire au silicium 05

Figure I.4 Schéma électrique équivalent d’une cellule photovoltaïque 06

Figure I.5 caractéristique courant-tension et sous éclairement d’une cellule solaire 07

Figure I.6 Production de cellules par type de technologie en 2010 09

Figure I.7 Méthode de Czochralski 10

Figure I.8 Lingots de silicium monocristallin 10

Figure I.9 Zone flottante (fusion de zone) 11

Figure I.10 Substrat de silicium multicristallin 11

Figure I.11 Structure du silicium amorphe hydrogéné 12

Figure I.12 Structure d’une cellule photovoltaïque en Si monocristallin à haut rendement 13

(24.7%).

Figure I.13 Structure d’une cellule photovoltaïque industrielle en silicium cristallin 15

Figure I.14 Structure d’une cellule photovoltaïque en silicium 16

Figure II.1 Cellules solaires à multijonctions à base de semiconducteurs III-V 18

Figure II.2 Extrait de la classification périodique des éléments 19

Figure II.3 Structure de cellule solaire à multijonctions 19

Figure II.4 Diagramme de bandes d’énergie simplifié d’une cellule solaire tri-jonction 20

1
Figure II.5 Classification des différentes techniques de dépôts des couches minces 21

Figure II.6 Vue en coupe transverse au microscope électronique à balayage d’une cellule 22
à base de CuInSe2 électro déposé, élaborée à l’IRDEP

Figure II.7 Schéma représentatif d’une cellule solaire typique à base de CuInSe2 23

Figure II.8: Diagramme de bandes d’une cellule CIS 23

Figure II.9 Structure standard d’une cellule à base de CIGS 24

Figure II.10 Diagramme des bandes d’énergie d’une cellule CIGS 24

Figure II.11 Structure d’une cellule solaire à base de CdS/CdTe 25

Figure II .12 Schéma des bandes d’énergie dans l’hétérojonction CdS CdTe 26

Figure II 13 Structure d’une cellule solaire de type HIT 27

Figure II 14 Diagrammes des bandes pour des hétérojonctions de silicium (p) a-Si :H/(n) c- 28
Si et (n) a-Si :H/(p) c-Si

Figure III.1 Fenêtre principale de l’interface graphique du logiciel de simulation. 30

Figure III.2 Fenêtre correspondante à la définition de la structure 31

Figure III.3 Introduction des différents paramètres de la cellule 32

Figure III.4 Calcul des conditions thermodynamiques de la cellule 33

Figure III.5 Mode de calcul et illumination de la cellule 34

Figure III.6 Cellule solaire à simple hétérojonction 35

Figure III.7 Cellule solaire à double hétérojonction 35

Figure III.8 Cellule solaire a hétérojonction HIT 36

2
Figure IV.1 Diagrammes des bandes d’énergie des cellules solaires à l’équilibre 40
thermodynamique : (a) Cellule à simple hétérojonction ; (b) Cellule à double
hétérojonction ; (c) Cellule HIT
Figure IV.2 Caractéristiques I(V) des cellules solaires simulées, (a) simple hétérojonction, 42
(b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

Figure IV.3 Variation de la tension du circuit ouvert en fonction de l’épaisseur de la base : 44

(a)cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c)cellule HIT

Figure IV.4 Variation du courant de court circuit en fonction de l’épaisseur de la base : 45

(a)cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

Variation du facteur de forme en fonction de l’épaisseur de la base : 47

Figure IV.5
(a)cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

Figure IV.6 Variation du rendement en fonction de l’épaisseur de la base: (a)cellule simple 48

hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

Figure IV.7 Variation de la tension du circuit ouvert Vco en fonction du dopage de la base: 50
(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction et (c) cellule HIT

Figure IV.8 Variation du courant du circuit ouvert en fonction du dopage de la base: 51

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction et (c) cellule HIT

Figure IV.9 Variation du facteur de forme FF en fonction du dopage de la base: 52

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction et (c) cellule HIT

FigureIV.10 Variation du rendement ŋ en fonction du dopage de la base: (a) cellule simple 54

hétérojonction, (b) double hétérojonction et (c) cellule HIT

FigureIV.11 Variation de la tension du circuit ouvert en fonction de l’épaisseur de 55

l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule
HIT

FigureIV.12 Variation de courant de court circuit en fonction de l’épaisseur de l’émetteur : 57

(a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

FigureIV.13 Variation du facteur de forme FF en fonction de l’épaisseur de l’émetteur : (a) 58

simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, cellule HIT.

FigureIV.14 Variation du rendement η en fonction de l’épaisseur de l’émetteur :(a) cellule 59

simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

FigureIV.15 Variation de la tension du circuit ouvert Vco en fonction du dopage de 61

l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule
HIT.

3
FigureIV.16 Variation de courant de court circuit Icc en fonction du dopage de l’émetteur : 62
(a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

FigureIV.17 Variation du facteur de forme en fonction du dopage de l’émetteur : (a) 63

cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT
.
FigureIV.18 Variation du rendement η en fonction du dopage de l’émetteur : (a) cellule 64
simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT.

FigureIV.19 Variation de la tension du circuit ouvert en fonction du gap de l’émetteur : (a) 66

cellule simple hétérojonction et (b) cellule double hétérojonction

FigureIV.20 Variation du courant de court circuit en fonction du gap de l’émetteur :(a) 67

cellule simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule
HIT

FigureIV.21 variation du facteur de forme FF en fonction du gap de l’émetteur : (a) cellule 68

simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT

FigureIV.22 Variation du rendement η en fonction du gap de l’émetteur : (a) cellule simple 70

hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT.

FigureIV.23 Effet de la température sur la caractéristique I(V) des cellules simulées :(a)
simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT. 72

FigureIV.24 Effet de la texturisation sur la caractéristique I(V) 73

4
Liste des tableaux

Tableau III.1: Les paramètres de la couche ZnO et la couche Al…………....... 37

Tableau III.2: Les paramètres des différentes couches de la cellule……………. 37

Tableau III.3: Les paramètres de la couche intrinseque utilisée……………….. 38

Tableau IV.1 : Paramètres électriques des cellules solaires simulées…………… 42

Tableau IV.2 : Valeurs de rendement de conversion des cellules solaires à

jonctions simple et multiple……………………………………... 73
 Introduction générale

Introduction générale

L’énergie a toujours été le moteur de l’activité humaine, elle joue un rôle très
important dans la vie quotidienne et dans le développement des nations. Cette énergie est
principalement produite à partir de sources fossiles non renouvelables (pétrole, gaz, charbon).
La raréfaction et la pollution provoquées par ces sources ainsi que la crise énergétique des
années 70, ont amené les pays à grande consommation d’énergie à se recourir aux énergies
renouvelables.

Les énergies renouvelables se définissent selon l’agence de l’environnement et de la

maîtrise de l’énergie (ADEME) comme des énergies produites par un processus naturel
(rayonnement solaire, vent, marée…), et qui contrairement aux énergies fossiles sont
inépuisables et n’émettent pas de gaz a effet de serre. La palette des énergies renouvelables
est variée. On peut citer l’énergie éolienne, géothermique, hydraulique, marémotrice ou
encore l’énergie photovoltaïque (PV).

L’énergie solaire photovoltaïque est la source d’énergie la plus prometteuse parmi les
énergies renouvelables. L’électricité photovoltaïque est une transformation directe de
l’énergie du rayonnement solaire en électricité au moyen de cellules solaires photovoltaïques.

L’élément le plus utilisé pour la fabrication des cellules solaire est le silicium (plus de
95% du marché mondial). En effet c’est un élément très abondant sur terre bénéficiant d’une
technologie de la microélectronique qui est bien maîtrisée, cette technologie permet de
fabriquer des cellules avec un haut rendement (24%), mais avec un coût de production très
élevé [60]. Ces techniques issues de la microélectronique utilisent du silicium cristallin de très
bonne qualité et permettent d’approcher la limite théorique du rendement des cellules au
silicium (29%) [13] mais sont loin d’être industrialisables vu leur coût extrêmement élevé.
Dans le but de développer les technologies photovoltaïques à base de silicium à des coûts
raisonnables, la société japonaise Sanyo, a fabriqué des cellules solaires à hétérojonction
a-Si :H/c-Si ayant un rendement de 23.7% [61] avec un procédé qui peut être industriel.
Récemment, un rendement record de 24.7% (Vco = 0.750 V ; Icc= 39.5 mA/cm², FF = 0.832)
est obtenu par Panasonic Corporation sur des substrats minces de 98 μm [62]. Plusieurs
chercheurs ont effectué des études de simulation dans le but d’améliorer le rendement de
conversion des cellules HIT au-delà de 24% et ont pu obtenir des rendements de 25% [63],
[50] et 25.6% [64] par une optimisation des paramètres de base de la structure.
Les recherches multiples dans ce domaine s’orientent sur deux axes essentiels :
augmenter le rendement de conversion des cellules tout en diminuant les coûts de production.
Dans ce sens, nous avons effectué une étude comparative entre les cellules solaires à simple et
double hétérojonction de a-Si :H/c-Si à travers la simulation de leurs performances
photovoltaïques en fonction de plusieurs paramètres. Cette étude est complétée par une
comparaison avec d’autres types de cellules solaires à multijonctions afin d’obtenir la
structure permettant le meilleur rapport rendement de conversion/coût de production.

Pour ce faire, notre travail est divisé en quatre chapitres :

1
 Introduction générale

Le premier chapitre comporte les différentes notions de base sur le fonctionnement et

la structure des cellules solaires à homojonction silicium.

Dans le deuxième chapitre, nous présentons un état de l’art sur les cellules solaires à
multijonctions incluant les cellules triple jonction à base de semiconducteur III-V, cellules
CdS-CdTe, cellules CIGS, cellules CIS, ainsi que les cellules HIT (Heterojunction with
Intrinsic Layer). Nous avons ensuite présenté un tableau récapitulatif qui résume les
performances de ces cellules, rapportées dans la littérature.

Dans le troisième chapitre nous présentons notre contribution consistant en une

simulation numérique des cellules solaires à hétérojonction à base du a-Si :H/c-Si en utilisant
le logiciel AFORS-HET (version 2.4.1) développé par l’université de Berlin.

Dans le quatrième chapitre, nous avons effectué une étude comparative entre les
résultats de simulation des cellules solaires à simple hétérojonction, double hétérojonction et
cellules HIT, suivie d’une interprétation. Pour une étude plus complète, nous présentons un
récapitulatif qui compare les résultats de simulation obtenus dans notre travail et ceux des
cellules solaires à homojonction et multijonctions. Cette comparaison nous a permis d’évaluer
les potentialités de la technologie HIT.

2
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

I. Introduction
Dans ce premier chapitre nous avons présenté les notions de base concernant le
rayonnement solaire, le silicium, et la cellule solaire à homojonction que nous avons jugés
utiles pour la compréhension du sujet.
II. Rayonnement solaire
Le principe des convertisseurs photovoltaïques consiste à transformer l’énergie solaire
en une énergie électrique. La connaissance du spectre solaire qui arrive sur la terre est donc
indispensable.

Figure I.1 : définition de l’Air Masse, spectre d’émission solaire sous AM0 et AM1,5 [3 ,4]

On appelle constante solaire, la densité d’énergie qui atteint la frontière externe de

l’atmosphère. Sa valeur est communément prise égale à 1360W/m² [1 ,2 ,14]. Mais à la
traversée de cette atmosphère, le spectre solaire subit une atténuation et une déformation. En
effet, la couche d’ozone absorbe une grande partie du rayonnement ultraviolet. Le spectre
solaire subit également l’influence d’autres molécules présentes dans l’atmosphère (O3, CO2,
H2O…) [5 ,6]. Lorsqu’il arrive à la surface de la terre il dépend de la couche d’air qu’il a
traversé et donc de l’angle d’incidence. Si on fait face au soleil, on le voit à une certaine
hauteur qu’on appelle ‘hauteur apparente’. Celle-ci est l’angle h que fait le plan horizontal
avec une droite pointée vers le soleil (figure (I.1)). La quantité h permet de déterminer la
distance parcourue par les rayons du soleil à travers l’atmosphère. On introduit alors un
nombre m, qu’on appelle Air Masse (AMm) et qui représente cette distance calculée en
multiples de la distance parcourue si le soleil était à la verticale du lieu (m=1/sin(h)).
AM0 : Hors atmosphère (applications spatiales)
AM1: Soleil au zénith du point d’observation.
AM1.5 : Soleil à 45° [5, 7].

3
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

On appelle STC (Standard Test Conditions), des conditions normalisées de test de panneaux
solaires. Celles-ci sont caractérisées par un rayonnement de 1000W/m², un spectre solaire
AM1.5 et 25°C [6, 8,9].

III. L’effet photovoltaïque

III.1 Définition

L’effet photovoltaïque est le phénomène physique permettant la transformation de

l’énergie solaire en énergie électrique, il consiste en l’apparition d’une force électromotrice
aux bornes d’un dispositif, appelé cellule solaire, soumis à un éclairement.

III.2 Principe de l’effet photovoltaïque

Le principe de l’effet photovoltaïque consiste en la génération de paires

(électron /trou) dans un semi conducteur soumis à un éclairement, et la séparation de ces
porteurs photogénérés par le biais du champ interne de la jonction, ce dernier est entrainé par
la barrière de potentiel qui provient soit :

- D’un gradient de dopage dans le même matériau semi-conducteur : homojonction PN.

- D’un contact métal- semi-conducteur : structure MS ou diode Schottky, structure M.I.S.
- D’une jonction entre deux semiconducteur différents: hétérojonction.
IV. La cellule solaire au silicium

IV.1 Définition

Une cellule solaire (Figure I-3) est un dispositif électronique capable de transformer
l’énergie solaire en énergie électrique, elle peut être conçue à base d’une homojonction ou
d’une hétérojonction.

Figure I.2: Jonction n/p éclairée, cellule photovoltaïque [10]

IV.2 Le principe de fonctionnement
4
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

La cellule photovoltaïque classique en silicium est constituée d'une jonction P/N

(Figure I-4). Cette dernière est la juxtaposition de deux zones, l'une comportant un fort excès
d'électrons libres : partie N, et l'autre comportant un fort défaut d'électrons libres (ou excès de
trous), partie P. La jonction PN engendre un champ électrique dans la zone de charge
d'espace, à l'interface des deux zones N et P. Les photons incidents créent des porteurs dans
les zones N et P et dans la zone de charge d'espace. Ces porteurs ont un comportement
différent suivant la région où ils sont générés :

 Dans la zone N ou P, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de charge

d'espace sont "envoyés" par le champ électrique dans la zone P (pour les trous) ou
dans la zone N (pour les électrons) où ils seront majoritaires. On aura un photo-
courant de diffusion.
 Dans la zone de charge d'espace, les paires électron/trou créées par les photons
incidents sont dissociées par le champ électrique : les électrons vont aller vers la
région N, les trous vers la région P. On aura un photo-courant de génération.
Ces deux contributions s'ajoutent pour donner un photocourant résultant Iph. C'est un courant
de porteurs minoritaires. Il est proportionnel à l'intensité lumineuse.

Figure I.3: Structure d’une cellule solaire au silicium [11]

La conversion photovoltaïque repose donc, sur trois principes :

 L'absorption de photons;
 La conversion de l'énergie absorbée en charges électriques libres;
 La collecte de ces particules dans un circuit électrique.
Le courant délivré sur une charge par cellule solaire éclairée s’écrit :

5
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

= − − 1 ….. (I.1)

Où :
q : charge de l’électron ;
Jph : densité de courant photogénéré :
Js : densité du courant inverse de saturation ;
V : tension ;
K : constante de Boltzmann ;
T : température (en K) ;
n : facteur d’idéalité de la diode (égale a 1si la diode est idéale et égale a 2 si la diode est
entièrement gouvernée par la génération /recombinaison).

IV.3 Schéma électrique équivalent

La figure I.4 représente un modèle électrique de la cellule photovoltaïque prenant en

compte les différents facteurs limitatifs. On y retrouve le générateur de courant Iph,
correspondant au courant photogénéré ainsi que des résistances complémentaires, Rs et Rp, et
deux diodes d1 et d2. Rc est la résistance de charge.

Figure I.4: Schéma électrique équivalent d’une cellule photovoltaïque[12]

La résistance série Rs est due à la résistivité des différentes couches de la cellule :
émetteur, base et contacts métalliques (en particulier leur interface avec le semiconducteur).
Ce terme doit idéalement être le plus faible possible pour limiter son influence sur le courant
de la cellule. Ceci peut être réalisé en optimisant le contact métal/semiconducteur, et en

6
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

diminuant la résistivité du matériau utilisé. Cependant, un dopage trop élevé entraîne une
augmentation de la recombinaison des porteurs.
La résistance parallèle ou de court-circuit RP traduit quant à elle, la présence d’un
courant de fuite à travers l’émetteur, causé par un défaut, ceci est le cas lorsque la diffusion
des contacts métalliques à haute température perce l’émetteur. Elle peut aussi être due à un
court-circuit sur les bords de la cellule. Cette valeur devra être la plus élevée possible.
L’équation du courant (I.1) devient [13] :
.
= − − − …..(I.2)
( ) ( ) .
= − −1 − −1 − …..(I.3)

Où :
: courant de génération –recombinaison ou d’effet tunnel dans la ZCE ;
: Courant de diffusion dans les zones neutres ;
: Résistance parallèle ;
: Résistance série ;
: Courant de saturation de la 1ere diode ;
: Courant de saturation de la 2eme diode.

IV.4 Caractéristique courant-tension

La caractéristique J(V) d’une cellule solaire est la superposition de celle de la diode

sous obscurité et du courant photogénéré (figure I-6).

Figure I.5: caractéristique courant-tension et sous éclairement d’une cellule solaire

7
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

Pour la jonction PN à l’obscurité la caractéristique I (V) passe par l’origine. Le produit

V.I > 0 donc elle absorbe tout le temps de l’énergie.
Pour la cellule solaire sous éclairement, la caractéristique I (V) ne passe pas par
l’origine.
Dans la région hachurée le produit V I < 0 donc la cellule fournit de l’énergie.

IV.5 Paramètres photovoltaïques de la cellule solaire

La caractéristique J(V) de la cellule solaire permet de déduire les paramètres

photovoltaïques propres à la cellule :

 le courant du court-circuit Icc (obtenu pour V=0)

 la tension du circuit-ouvert Vco (obtenu pour J=0)
 le facteur de forme FF
 le rendement de conversion (η)

a. Le courant de court-circuit Icc

Le courant de court-circuit est celui qui circule dans une cellule soumise à un flux de
photons sans application de tension (V=0). Il est proportionnel à l’éclairement. On le mesure
en branchant les bornes de la cellule directement à un ampèremètre.

b. Tension du circuit-ouvert Vco

Si on place une photopile sous une source lumineuse constante, sans aucun récepteur,
on obtient à ses bornes une tension continue, dite tension à circuit-ouvert (obtenue pour I = 0).
Cette tension est généralement de l’ordre de 0.5 à 0.7 V pour les cellules élémentaires
(elle dépend du matériau, de la technologie et de l’éclairement). Elle exprime le nombre de
porteurs créés par chaque photon incident.
c. La puissance maximale Pm

Suivant la formule P=V I, pour que P soit maximal, il faut être dans les conditions où
le produit V I est maximal : c’est le point de charge idéal de la photopile.
d. Le facteur de forme FF
Le facteur de forme est un paramètre qui caractérise la qualité de la cellule ; il est
défini par le rapport de la puissance maximale générée à la puissance optimisée.

.
= = …..(I.4)
. .

8
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

e. Le rendement de conversion η
Le rendement de conversion est un paramètre important pour comparer les
performances des cellules solaires. Il est défini par le rapport de la puissance maximale
fournie sur la puissance solaire incidente.

. .
ŋ= = …..(I.5)

V. Structure des cellules solaires

V.1 Le silicium comme matériau de base pour le photovoltaïque

Aujourd’hui, plus de 99 % des équipements photovoltaïques utilisent le silicium

comme matériau de base [14], cela revient à son abondance sur Terre, et au fait qu’il n’est
pas toxique et chimiquement stable dans le temps, son seul inconvénient est son gap indirect
de 1,1 eV qui entraine une diminution de coefficient d’absorption.

Le silicium se présente sous différentes formes (Figure I.2), les plus répandues étant le
silicium monocristallin, le silicium multicristallin et le silicium amorphe. Le silicium utilisé
pour les cellules photovoltaïques doit être d’une grande pureté, quelque soit sa forme.

Figure I.6 : Production de cellules par type de technologie en 2010 [15]

V.1.1 Le silicium monocristallin

Le silicium monocristallin comporte des grains parfaitement ordonnés de taille
supérieure à 10 cm [16], et permet d’obtenir de meilleurs rendements en cellules solaires [17].
La monocristalisation est obtenue soit par la méthode de zone flottante (voir figure I.9) [18]
soit par la méthode de Czochralski(CZ) (figure I.7) [19 ,20]. Dans cette dernière, le silicium

9
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

est fondu dans un creuset en quartz chauffé par induction dans un gradient de température
convenable, un germe monocristallin correctement orienté est déposé à la surface du silicium
liquide, qui se solidifie sur ce germe en continuant à l’identique le réseau cristallin du germe
et selon la même orientation cristallographique. Le dopage s’obtient évidemment en
introduisant dans le bain liquide le dopant en concentration prédéfinie. Le diamètre ainsi
obtenu est lié aux paramètres physiques au cours de tirage (Fig10).

Figure I.7: Méthode de Czochralski [20]

La figure I.8 présente deux cristaux obtenus par la méthode Czochralski, le premier a un
diamètre de 150 mm, le second a un diamètre de 200 mm

Figure I.8: Lingots de silicium monocristallin [20]

10
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

Figure I.9:zone flottante (fusion de zone) [21]

V.1.2 Silicium multicristallin

Pour le silicium multicristallin, les techniques d’élaboration sont moins onéreuses,
mais sa qualité photovoltaïque est moins bonne, à cause de la présence des joints de grains qui
introduisent des zones fortement recombinantes. Ces joints sont constitués par les surfaces
adjacentes de grains d’orientations cristallographiques différentes et contiennent beaucoup de
liaisons pendantes. Ceci a pour effet de réduire la durée de vie des porteurs minoritaires, et ils
sont à l’origine des courants de fuite dans la cellule [Link] figure ci-dessous représente une
image du silicium multicristallin.

FigureI.10: image d’un substrat de silicium multicristallin [22]

11
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

V.1.3 Le silicium amorphe

Le silicium amorphe a une structure atomique désordonnée, non cristallisée,
vitreuse, mais il possède un coefficient d’absorption de la lumière environ 1000 fois
supérieur au silicium cristallin. Une fine couche de 0,3 µm est donc suffisante pour
absorber l’essentiel du spectre visible [23 ,24]. Il est obtenu de façon simple par dépôt en
phase vapeur sur des substrats économiques tels que le verre, le quartz, la céramique
ou l’aluminium. La décomposition en phase vapeur du silane SiH4 à basse température
(200 à 400°C) permet de déposer du silicium amorphe hydrogéné avec une vitesse
avoisinant la dizaine de nanomètres par minute [25].
Cependant, la grande densité de défauts du silicium amorphe (liaisons pendantes, états
d’interface, structure multicristalline) limite son rendement de conversion, entre 5 et 6 % et
des problèmes de stabilité apparaissent rapidement quand on l’expose au soleil et aux
intempéries (quelques centaines d’heures).
V.1.4 Le silicium amorphe hydrogéné

Le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) est un matériau issu de la famille des

semi-conducteurs; cette forme de semi-conducteurs a été découverte vers le début des années
soixante; dans un premier temps elle n’était pas utilisable car elle avait beaucoup trop
de défauts, mais vers la fin des années soixante, Chittick et al [26] a observé qu’en déposant
le silicium amorphe par un plasma de silane (SiH4), plus de 99.9 % des défauts étaient
saturés par l’hydrogène, ce qui rendait ce matériau utilisable comme semi-conducteur. Dès
cette découverte, il était devenu l’objet de recherches intensifiées. La recherche de
nouvelles ressources énergétiques, ainsi que de nouvelles applications en font un matériau
actuellement encore en pleine évolution. La figure suivante représente la structure du silicium
amorphe hydrogéné ;

Figure I.11 : structure du silicium amorphe hydrogéné[15]

12
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

 Le rôle de l’hydrogène

C’est l’hydrogène qui, en saturant les liaisons pendantes, rend le silicium amorphe
utilisable. Sans hydrogène, la densité des liaisons pendantes serait de l’ordre de 1019/cm3, le
gap optique de 1,2 eV environ et il est impossible de le doper. En effet, le niveau de Fermi
reste inchangé lors du dopage et les atomes dopants sont inactifs. L’hydrogène permet de
réduire les liaisons pendantes de 99,99%. Il n’y a donc presque plus d’états profonds qui
agissent comme des centres recombinants. De plus, en se liant aux atomes de silicium
(liaisons covalentes), il entraîne la disparition d’une partie des états localisés. Mais, une
incorporation excessive de l’hydrogène peut entraîner la rupture des liaisons faibles et
l’introduction de nouvelles liaisons pendantes. Un équilibre donc se met en place. La
concentration d’hydrogène doit varier entre 6% et 35%, ce qui dépasse largement la densité
nécessaire à la passivation des liaisons pendantes. Des travaux récents [27] ont montré que
l’hydrogène atomique introduit d’autres effets que la passivation des liaisons pendantes. Le
plus important concerne les hétérojonctions a-Si:H/c-Si. La concentration d’hydrogène dans le
silicium amorphe a une influence sur les discontinuités de bande. Elle peut nettement les
modifier et celles-ci ont une grande influence sur les caractéristiques de la cellule.

VI. Les oxydes semi-conducteurs

Les oxydes semi-conducteurs en couches minces envahissent de plus en plus le monde

en raison de l’extraordinaire apport qu’ils procurent et la possibilité d’utiliser des matériaux
en dimensionnalité nanométrique dont l’état majeur réside dans la modification de leurs
propriétés d’origine par des effets de confinement quantique. Les TCO les plus couramment
utilisés sont le SnO2, le TiO2, et le ZnO [28,29]. Un bon TCO est caractérisé par une
résistivité électrique de l’ordre de 10-4 Ω.cm combinée à une transmission optique de l’ordre
de 90%.

VII. Structure d’une cellule photovoltaïque à haut rendement (PERL)

La structure de la cellule photovoltaïque à haut rendement en silicium monocristallin
est présentée sur la figure I.12. Cette cellule a été élaborée en laboratoire avec des procédés de
la microélectronique en utilisant la technologie PERL (Passivated Emitter with Rear Locally
diffused) [6,20].

Figure I.12: Structure d’une cellule photovoltaïque en Si monocristallin à haut rendement

(24.7%).

13
 Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

Cette cellule est réalisée sur un substrat de Si FZ (Float Zone) de type p. La face avant
(face éclairée) de la cellule est texturée en «pyramides inversées». Ce type de texturation
permet une réduction importante du coefficient de réflexion et ainsi des pertes optiques dans
la cellule
Une jonction p-n peu profonde est réalisée sur toute la surface avant pour assurer la
séparation des porteurs de charge. L’émetteur ainsi réalisé est peu dopé afin de limiter les
recombinaisons. Le contact ohmique sur l’émetteur est déposé sous forme de grille. La
géométrie de cette grille doit assurer une faible résistance série tout en limitant l’ombrage de
+
la cellule. Pour obtenir un contact ohmique, la région sous le contact avant est surdopée n
(émetteur sélectif).
Une fine couche d’oxyde thermique (de haute qualité) est formée sur l’émetteur pour
réduire la recombinaison sur la face avant de la cellule. Sur l’oxyde, une double couche anti-
réfléchissante est déposée pour réduire les pertes par réflexion.
De même que la face avant, la face arrière de la cellule est passivée par de l’oxyde
thermique avec des trous pour prendre le contact. Pour assurer un bon contact arrière, la
+
région du contact est dopée p . Néanmoins, le contact entre le métal et le silicium n’est pas
+
continu afin de limiter la recombinaison sur le contact et dans la région fortement dopée p .
Par contre, la métallisation de la face arrière est continue : elle couvre les zones de contact et
l’oxyde de passivation servant ainsi de réflecteur arrière.
Actuellement le rendement record obtenu pour une cellule PV à base de silicium est de
24.7% dans les conditions d’illumination AM 1.5G . Cette valeur est à comparer à la limite
théorique du rendement de 28.8% pour les cellules PV en silicium d’épaisseur 80 μm dans les
conditions d’illumination AM 1.5G et en l’absence de réflexion de la face avant, de
recombinaison en surface et en volume.
VIII. Structure d’une cellule solaire industrielle
Le rendement des cellules PV industrielles est compris entre 15% et 17% pour les
cellules conventionnelles en silicium monocristallin et 14 % environ pour les cellules en
silicium multicristallin. La différence de rendement entre les cellules PV industrielles et les
cellules PERL (élaborée en laboratoire et qui détient le record de rendement) peut être
expliquée par les deux facteurs : le rendement et le prix. En effet, certains matériaux et
techniques (lithographie, silicium FZ, double couche antireflet, émetteur sélectif) utilisés
dans la fabrication des cellules PERL ne peuvent pas être adaptés pour l’industrie car ils sont
trop chers.
La plupart des cellules photovoltaïques en silicium massif industrialisées ont la
structure présentée sur (la figure I.13), La structure de la cellule PV industrielle est simplifiée
afin de réduire son coût. Par exemple, la texturation de la face avant est réalisée sous forme de
«pyramides aléatoires» ou texturation acide et on dépose ensuite une simple couche anti-
réfléchissante en SiN. De même, le champ électrique face arrière est obtenu par recuit d’une
couche en Al déposée par sérigraphie.

14
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

Figure I.13 Structure d’une cellule photovoltaïque industrielle en silicium cristallin [30].

D’énormes progrès ont été réalisés ces dernières années pour améliorer la passivation
du matériau et des surfaces, le piégeage de la lumière, la diminution résistance série et le coût
de la cellule. En ce qui concerne la passivation, un progrès notable a été réalisé grâce au
nitrure de silicium, utilisé comme couche antireflet. Il est particulièrement bien adapté au
silicium multicristallin étant donné que le dépôt est accompagné d’une hydrogénation du
substrat et il a largement supplanté le TiO2 dans l’industrie photovoltaïque. Pour passiver la
face arrière de la cellule, le BSF est utilisé. L’intérêt d’utiliser le nitrure de silicium et le
BSF simultanément dans un procédé est lié à la cuisson commune des contacts avant et
arrière.
Leur action combinée permet une meilleure passivation du matériau que lorsqu’ils
sont appliqués séparément.
Pour les cellules photovoltaïques en silicium multicristallin, de nombreuses études ont
été menées afin de développer une attaque chimique acide du substrat qui soit isotrope (ce qui
n’est pas le cas des solutions alcalines) et qui ne détériore pas la tenue mécanique des plaques
de silicium. 4% d’augmentation du courant de court-circuit ont pu être obtenus sur du silicium
multicristallin grâce à ce procédé.
Afin de diminuer la résistance série et d’augmenter le courant de court-circuit, une
approche très intéressante est celle de l’émetteur sélectif. Elle consiste à surdoper la zone sous
les contacts (afin d’assurer l’ohmicité) et à diminuer le dopage de la jonction entre les
contacts (pour améliorer le courant de court-circuit). Différents procédés permettent d’obtenir
une telle structure : la structure avec contacts enterrés déjà industrialisée ou une double
sérigraphie (une pour la zone surdopée de l’émetteur, une pour la métallisation) avec
l’alignement de la sérigraphie des contacts sur celle de la zone déjà dopée.

IX. Méthodes d’amélioration des performances des cellules solaires

La recherche et les techniques actuelles ont permis de réduire, parfois
significativement, les pertes de rendement. La figure I.14 : représente la coupe d’une
cellule photovoltaïque en silicium qui comprend les optimisations industrielles les plus
courantes :

15
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

Contact face avant Texturisation Couche anti reflet

et passivation Couche
antireflet

Texturisation

BSF
Contact en
face arrière

Figure I.14: Structure d’une cellule photovoltaïque en silicium [31]

IX.1 Texturation de la surface

La réflexion est à l’origine de pertes importantes pour la cellule. La texturisation est
utilisée pour diminuer la réflectivité de la surface de la cellule. Cette opération vise à
développer en surface un relief micrométrique, généralement de forme pyramidale
(figure 12). Le relief créé permet d’augmenter le parcours des rayons en induisant des
réflexions multiples sur les facettes des pyramides. La texturisation assure ainsi le
piégeage d’un maximum de lumière réduisant les pertes liées à la réflectivité.
Différents procédés sont utilisés pour réaliser la texturisation: attaques chimiques
de la surface (KOH, NaOH, acides), texturisation mécanique, plasma ou laser. Ces
méthodes peuvent faire passer la réflectivité effective de 39% à moins de 10%.

IX.2 Couche anti reflet

Pour minimiser la réflexion de la lumière, une couche antireflet (CAR) est utilisée. Le
principe d’action des couches antireflet est basé sur l’interférence des faisceaux lumineux
dans les couches diélectriques minces (voir insertion sur la figure I-8). Si l’épaisseur de la
couche diélectrique est égale à :

( . ).
= , = , , , …..(I.6)
.

On obtiendra l’annulation des faisceaux réfléchis à l’interface air/CAR et

CAR/semiconducteur. Pour les cellules photovoltaïques à haut rendement, une double couche
antireflet est utilisée (avec deux diélectriques différents).

16
Chapitre I La cellule solaire: structure, fonctionnement et performances

Différentes CAR sont utilisées en photovoltaïque : TiO2, SiO2, ZnS, MgF2, SiNx, etc [20]

IX.3 Réflecteur arrière(BSF)

Le champ électrique arrière (BSF : Back Surface Field) consiste à créer une barrière de
+
potentiel (par exemple, jonction p -p) sur la face arrière de la cellule pour assurer une
passivation. La barrière de potentiel induite par la différence de niveau de dopage entre la
base et le BSF tend à confiner les porteurs minoritaires dans la base (voir l’insertion sur la
figure I-8). Ceux-ci sont donc tenus à l’écart de la face arrière qui est caractérisée par une
vitesse de recombinaison très élevée. Le BSF fait encore l'objet de nombreuses recherches car
l'épaisseur des plaques est constamment réduite afin de réaliser une économie de matière
première et le silicium multicristallin présente désormais des longueurs de diffusion des
porteurs minoritaires élevées (environ 200 μm pour le Polix).

IX.4 Passivation de la face avant et de la face arrière

La surface des semiconducteurs contient une densité importante de défauts (liaisons
pendantes, impuretés, etc.) entraînant des pertes non négligeables liées à la recombinaison en
surface. La passivation consiste à améliorer les qualités électroniques de la surface et du
volume du matériau en neutralisant les effets de ses défauts électriquement actifs. Diverses
couches de passivation sont utilisées en photovoltaïque mais les principales sont l’oxyde
thermique de silicium (SiO2) et le nitrure de silicium hydrogéné (SiNx:H).

X. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons rappelé quelques notions sur le rayonnement solaire,
et son application dans le domaine photovoltaïque. Nous avons ensuite expliqué le
fonctionnement des cellules photovoltaïques et leurs caractéristiques principales. Nous avons
cité également quelques méthodes utilisées pour l’amélioration du rendement de conversion
des cellules.

17
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

I. Introduction

Les technologies naissantes des couches minces représentent une alternative très
prometteuse à la technologie cristalline. Elles ont surtout l’avantage du moindre coût par
rapport à celle du silicium cristallin en raison de plusieurs facteurs, tels que les faibles
consommations de matière et d’énergie lors de leurs fabrications. Bien que leur part du
marché soit faible aujourd’hui les perspectives de croissance sont prometteuses. A l’heure
actuelle, trois matériaux sont devenus la colonne vertébrale de la recherche dans ce domaine
stimulée par la demande pressante des industries photovoltaïque et électronique : le silicium
amorphe hydrogéné (a-Si : H), le tellurure de cadmium (CdTe), le diséléniure de cuivre et
d’indium, ainsi que les semi-conducteurs III-V. Dans ce chapitre, nous avons présenté un état
de l’art sur les différentes technologies des cellules solaires à multijonctions.

II. Les cellules solaires à multijonctions

Le principe d’une cellule solaire a multijonction étant d’absorber plus de fréquence du

spectre solaire, naturellement l’idée viendrait d’ajouter des photodiodes supplémentaires avec
des matériaux à gap décroissant pour augmenter encore plus les rendements [32].

Figure II.1: cellule tandem ou multi-jonction [33]

II.1 Cellules solaires à multijonctions à base de semiconducteurs III-V

a. Structure des cellules solaires à multijonctions à base de semiconducteurs III-V

Cette technologie repose sur l’utilisation de plusieurs structures basées sur des
empilements des composés III-V en épitaxie, ces cellules solaires sont généralement
employées dans des applications spatiales, et ce grâce à leur rendement élevé et leur faible
dégradation face aux irradiations dans l’espace [34].

18
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Les matériaux semi-conducteurs III-V sont des corps composés à partir d'un élément
de la colonne III et d'un élément de la colonne V de la classification périodique de Mendeliev
[ ], le tableau II-1 regroupe un extrait de cette classification (les chiffres en haut et bas
représentent respectivement le nombre atomique et la masse atomique). Ainsi de nombreux
composés binaires peuvent être réalisés.

FigureII.2 : Extrait de la classification périodique des éléments [35].

Les rendements les plus élevés (plus de 30%) sont obtenus avec des structures à triple
jonction GaInP/GaAs/Ge sous un spectre standard [1,4 NEMAR], la figure suivante
représente les structures des cellules solaires avec plus de trois jonctions.

FigureII.3 : structure de cellule solaire à multijonctions [36]

19
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

b. Diagramme de bandes d’énergie de la cellule solaire à multijonction à base des

semi-conducteurs III-V

Un schéma simplifié de la structure de bandes des différentes couches d'une structure

cellule solaire tri-jonction est illustré dans la figure suivante.

Figure II.4 : Diagramme de bandes d’énergie simplifié d’une cellule solaire tri-jonction [36]

Le niveau de Fermi à l'équilibre est constant dans toute la structure. Sous illumination,
il faut bien comprendre que la jonction sera polarisée suite au courant traversant la résistance
de charge. Les électrons passent par effet tunnel de la bande de conduction d’une photodiode
à la bande de valence de la photodiode adjacente. Cependant, afin que ce transfert de charges
soit assuré, des trous doivent être présents dans la bande de valence de la photodiode en
dessous pour permettre aux électrons d’occuper les états libres de cette bande. Le nombre de
photo porteurs (électrons et trous) traversant les différentes jonctions est dans ce cas le même,
par conséquent le courant est constant à travers toute la structure.

III. Cellules solaire en couches minces

D'autres filières sont en cours de développement dans le secteur photovoltaïque

comme les cellules dites de seconde génération, composées de couches minces pour des
raisons économiques (utilisation d’une plus faible quantité de matériau). Les matériaux photo-
actifs les plus utilisés en couche minces sont le silicium amorphe (a-Si), le diséléniure de
cuivre et d’indium (CIS) et le tellure de cadmium (CdTe).

III.1 Définition d’une couche mince

Par principe, une couche mince est une fine couche d’un matériau déposé sur un autre
matériau, appelé "substrat" dont l’une des dimensions qu’on appelle l’épaisseur a été
fortement réduite de telle sorte qu’elle varie de quelques "nm" à quelques "μm". Cette faible
distance entre les deux surfaces limites entraîne une perturbation de la majorité des propriétés
physiques, très souvent un tel petit nombre de couches atomiques possède des propriétés très
différentes.

20
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

III.2 Techniques de dépôt des couches minces

Les méthodes utilisées pour le dépôt des couches minces sont divisées en deux
groupes :
 Les méthodes physiques
Incluent le dépôt physique en phase vapeur dite "PVD" (Physical Vapor
Deposition), l'ablation laser, l’évaporation thermique, et la pulvérisation cathodique
"Sputtering".
 Les méthodes chimiques
Incluent les méthodes de dépôt en phase gazeuse et en phase liquide. Les méthodes
en phase gazeuse sont : le dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapor Déposition
CVD) et l'épitaxie à couche atomique (Atomic Layer Epitaxy ALE), tandis que les méthodes
de spray pyrolyse, sol-gel, spin-coating et dip coating emploient des solutions comme
précurseurs.

La figure suivante schématise les différentes méthodes de dépôt des couches minces.

Figure II.5 : classification des différentes techniques de dépôts des couches minces [37]

III.3 Les cellules solaires à base de CuInSe2

C’est en 1876 que le premier composant photovoltaïque à base de semiconducteur a

été réalisé en élaborant mécaniquement une couche de sélénium entre deux électrodes.
Mais l’introduction de cuivre et de l’indium n’a été effectuée qu’un siècle plus tard, en1973,
par Wagner et ces collaborations qui ont obtenus des rendements de 12% [38] à partir
d’un monocristallin de CuInSe2. Les premières cellules en couches minces à base de CuInSe2
ont été réalisées par( Boing).

21
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Le diséléniure de cuivre et d'indium CuInSe2 dans sa structure chalcopyrite est un

semiconducteur promoteur pour les applications photovoltaïques, ce qui est dû à ses
caractéristiques, notamment son coefficient d'absorption qui est très élevé dans la gamme du
spectre solaire et ses propriétés électrique et optique qui sont variables en fonction des
conditions de préparation et des techniques d'élaboration. Ce matériau possède certaines
caractéristique tel que :
 Gap optique direct de 1,04 eV ;
 Une absorptivité optique remarquable de 105 cm -1 entre 1,1 et 2,6 eV ;
 Des mobilités d’électron de 1000 cm2/V.s et de trou de 20 cm2 /V.s ;
Enfin on peut dire que le CuInSe2 serait excellent comme matériau actif dans la cellule à
faible gap d’une structure tandem.

a. Structure d’une cellule solaire à base de CuInSe2

Une cellule solaire à couches minces à base de CuInSe2 est constituée de six couches
principales (Figure II. 4) [6] :
Le substrat : Généralement en verre, mais on peut utiliser des substrats flexibles ou
métalliques ;
Le contact inférieur : C'est un contact ohmique, dans la plupart des cas c'est du Mo ou de
l'ITO ;
La couche absorbante : Avec une conduction type p, souvent en Si, CdTe , CuInSe2,
Cu (In, Ga) Se2, etc. ;
La couche tampon : Avec une conduction de type n, souvent en CdS, ZnS, ou bien du
CuInSe2 pour la fabrication des homojonctions ;
Une couche d'oxyde transparent conducteur : En ITO (indium tin oxyde) ou ZnO ;
Le contact supérieur : Sous forme de grille métallique en Ni-Al.
Notons que, dans des cas particuliers, une couche dite anti-réfléchissante en MgF est ajoutée.

Figure II.6: Vue en coupe transverse au microscope électronique à balayage d’une cellule à
base de CuInSe2 électro déposé, élaborée à l’IRDEP [7]

22
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Figure II.7 : Schéma représentatif d’une cellule solaire typique à base de CuInSe2.

b. Diagrammes des bandes d’énergies de la cellule CuInSe2 :

La figure ci-dessous représente le diagramme de bande associé aux cellules CIS. Au

voisinage de l’interface CIS /CdS, les bandes d’énergies sont courbées par la variation du
potentiel électrostatique à travers la jonction p-n. l’interface entre CIS et la couche tampon
présente une discontinuité d’énergie positive au niveau de la bande de conduction du CIGS.

Figure II.8: diagramme de bandes d’une cellule CIS [39].

23
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

III.4 Cellules salaires à base de Cu (In,Ga)Se2 (cellules solaires CIGS)

Durant ces dernières années, le développement des cellules solaires en couche minces et
en particulier les cellules de type chalcopyrites telles que Cu (In,Ga) S, Se 2 a eu des progrès
très significatifs. Un rendement superier a 19% a été obtenu par plusieur groupes . [40,41]

a. Structure d’une cellule solaire à base de Cu (In,Ga)Se2

Dans sa configuration la plus répandue, une cellule CIGS est formée d’un empilement
de plusieurs matériaux en couches minces déposés successivement sur un substrat. Ce dernier
est généralement une plaque de verre sodocalcique (Soda-Lime Glass, SLG). La figure 2.1
présente la structure standard d’une cellule à base de CIGS [42].

Figure II.9 : structure standard d’une cellule à base de CIGS [41,42]

b. Diagramme des bandes d’énergie de la cellule CIGS

Le diagramme des bandes d’énergie de la cellule CIGS est représenté dans la figure suivante :

Figure II.10: diagramme des bandes d’énergie d’une cellule CIGS [42]

24
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Le diagramme de bandes d’une structure ZnO/CdS/CIGS présente les trois principales

zones de recombinaisons :
A) dans la zone quasi-neutre (ZQN) du CIGS,
B) dans la zone de charge d’espace (ZCE),
C) à l’interface CdS/CIGS. Les flèches horizontales, en pointillés indiquent la possibilité de
participation de l’effet tunnel aux recombinaisons

III.5 Les cellules solaires en couches minces à base de CdTe

Etudié de puis très longtemps surtout à l’état monocristallin, le CdTe permet d’obtenir
des structures photovoltaïques d’une grande stabilité. En couches minces plusieurs équipes
ont obtenu des rendements supérieurs à 10%. [43 ,44].

Le Tellure de Cadmium (CdTe) est un matériau à gap direct très proche de l’optimum
pour une cellule unicolore 1,45 eV ; son affinité électronique est de 4,28 eV. Il offre des
possibilités d’être dopé de type n ou de type p avec une tendance naturelle au type p, due a
des lacunes de cadmium, les mobilités des porteurs peuvent atteindre, dans le monocristal
1200 cm2/Vs pour les électrons et 80 cm2 /Vs pour les trous.

a. Structure de la cellule solaire à base de CdTe

La figure (II.11) montre la structure de la cellule solaire la plus courante. Elle

est constituée d’une hétérojonction n-CdS/p-CdTe. Le CdS du type n est déposé sur le
verre couvert d’une couche d’OTC (oxyde transparent conducteur) tel que In2O3 ou SnO2.

Figure II.11 : Structure d’une cellule solaire à base de CdS/CdTe

b. Diagramme des bandes d’énergie de l’hétérojonction CdS-CdTe

La figure ci-dessous illustre un diagramme des bandes d’énergie d’une cellule solaire à
base du CdS-CdTe.

25
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Figure II 12. : Schéma des bandes d’énergie dans l’hétérojonction CdS-CdTe[45]

Sous illumination, les porteurs sont surtout générés dans la zone de charge d’espace du
CdTe de type p. Donc la collecte des porteurs se fait par le champ plutôt que par la diffusion.
Comme il n’y a presque pas de zone de charge d’espace dans le CdS qui est fortement dopé et
parce que la durée de vie des porteurs minoritaires y est très courte, la couche CdS est en fait
une couche morte du point de vue photovoltaïque. Il est souhaitable de minimiser son
épaisseur pour réduire les pertes d’absorption optique.

III.6 Cellules solaires à base de a-Si:H/c-Si (cellules solaires HIT)

Dans une cellule à hétérojonction, la diode est réalisée grâce à l’empilement de

couches amorphe n et p de chaque coté du c-Si, d’énormes travaux de recherche en été
effectués sur cette cellule depuis1974 (de faible rendement) pour atteindre un rendement qui
dépasse les 24% en 2013[46-49].

a. Structure d’une cellule solaire de type HIT

Plusieurs laboratoires ont entrepris des recherches en se basant sur le même type de
structure, pour cela nous avons choisi une structure typique (voir figure II.13)

26
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Figure II 13 : Structure d’une cellule solaire de type HIT [50]

La structure d’une cellule solaire à hétérojonction de Si conventionnelle de type HIT

est représentée sur la figure II.13. Le wafer du silicium cristallin de type n est recouvert en
face avant par une couche mince du silicium amorphe hydrogéné non dopée puis d’une
couche dopée p formant l’émetteur. En face arrière nous retrouvons un empilement similaire
ou la couche dopée est de type n+ afin de former le champ arrière BSF. Les couches
supplémentaires sont l’ITO pour améliorer l’absorption des photons dans la structure, et des
métallisations.

b. Diagramme des bandes d’énergies de la cellule solaire HIT

L’hétérojonction de silicium a-Si :H/c-Si résulte de la mise en contact de deux

matériaux de gap différents, par dépôt de silicium amorphe hydrogéné sur le substrat
cristallin.

27
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

Figure II. 14: Diagrammes des bandes pour des hétérojonctions de silicium (p) a-Si :H/(n) c-
Si et (n) a-Si :H/(p) c-Si.[50]

D’après ces diagrammes, la différance d’énergie de gap entre les matériaux c-Si
(Eg = 1.12 eV) et a-Si (Eg = 1.75 eV) , implique la présence de désaccords des bandes de
conduction et de valence à la jonction. La présence de discontinuités à l’interface va jouer un
rôle important dans les phénomènes de transport des charges. En effet, les porteurs
minoritaires du silicium cristallin sont dans chaque cas (de type p comme de type n) confronté
à une barrière à l’interface, favorisant leurs accumulation et pouvant être à l’origine de
recombinaison. D’autre part, les porteurs majoritaires du Si cristallin sont eux aussi face à une
barrière, qui tend à les éloigner du matériau amorphe et améliore leur collecte en face arrière.
Enfin on constate la présence d’une région d’inversion forte du cristallin à l’interface pouvant
favoriser le transport latéral. La hauteur de ces barrières peut donc favoriser autant de
recombinaisons des porteurs que leur collecte, ce qui implique de développer une ingénierie
des bandes afin de contrôler ces processus.

28
Chapitre II Etude des cellules solaires à multijonctions

IV. Conclusion :

Dans ce chapitre nous avons abordé les technologies des cellules solaires à
multijonctions, en décrivant leurs structures et principe de fonctionnement. Les cellules
solaires à hétérojonction présente de nombreux avantages par rapport aux homojonctions
comme :

- Procédés d’élaboration à basses températures ;

- Possibilité de dépôt de grande surface ;
- Meilleur coefficient de température ;
- Possibilité d’utiliser des wafers de silicium plus minces.

Dans le chapitre III, nous nous sommes intéressés à la simulation de ces cellules à
hétérojonction en fonction de plusieurs paramètres afin d’améliorer leurs caractéristiques
électriques. Nous avons également présenté les résultats de simulation dans le chapitre IV.

29
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

I. Introduction

Durant les dernières années, à cause des couts élevés de l’expérimentation (techniques
de fabrication des cellules), les chercheurs se sont orientés vers la simulation. Il existe
principalement quatre type de simulateurs, nous citons à titre d’exemple les simulateurs
fonctionnels ou logiques, les simulateurs électriques ou analogiques, les simulateurs
technologiques et ceux de composants ou de dispositifs comme : AFORS HET, PC1D,
SILVACO…etc.

Dans notre travail nous avons utilisé le simulateur des dispositifs AFORS HET.

II. Presentation du logiciel de simulation AFORS-HET

Le logiciel AFORS-HET (Automate For Simulation of Heterostructure) est un outil

de simulation numerique à une dimension, developpé en Allemagne par le laboratoire
Helmohlotz Zentrum Berlin (HZB) , ce logiciel est adapté d’une manière particuliere à la
simulation des cellules solaires a hétérojonction à base de silicium.

AFORS HET posséde une interface graphique qui nous permet de définir, de créer
facilement des structures différentes, dont on peut contrôler la plupart des paramètres, tel
que :l’affinité électronique, énergie du gap du materiau , la mobilité des électrons et trous… ,
cette interface est répartie en 3 zones (voir figure):

a. Zone de contrôle : program control ;

b. Zone de paramètres externes : external parameters ;
c. Zone de mesure : mesurment.

Figure III.1 : Fenêtre principale de l’interface graphique du logiciel de simulation.

30
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

La zone de contrôle sert à définir la structure de la cellule à simuler, ainsi que les
paramètres de chaque couche utilisée, les paramètres externes tels que la temperature externe,
le spectre d’illumination ainsi que les conditions aux limites sont déclarés dans la deuxième
zone (external parameters), La troisième zone où les mesures sont effectuées s’appelle
measurments.

III. Etapes de simulations

La première étape de simulation avec AFORS-HET est habituellement de définir la

structure que nous allons simuler. Une structure est composée toujours d’un contact avant et
arrière et un nombre variable de couches entre les quelles existent des interfaces, on peut les
définir en cliquant sur le boutton correspendant dans la fenêtre principale de AFORS-HET
(figure III.2).

Définir une structure

Contact avant

Interface

Couche (semi-conducteur)

Contact arrière

Figure III.2: Fenêtre correspondante à la définition de la structure.

Après la définition de la structure, nous introduisons les paramètres nécessaires tels

que l’épaisseur et les propriétés électriques (le gap, le dopage ….etc.), voir figure III.3

31
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

Épaisseur
Propriétés
électrique

Figure III.3: Introduction des différents paramètres de la cellule.

Une fois la cellule est créée et enregistrée, le calcul des conditions d’équilibre
thermodynamique est effectuée comme illustré sur la figure suivante.

32
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

Calcul des conditions

d’équilibre Enregistrement de la
Cellule

Figure III.4 : Calcul des conditions thermodynamiques de la cellule.

Pour l’illumination de la cellule, on choisit d’abord le mode de polarisation AC ou

DC, on sélectionne ensuite la lumière spectrale ou monochromatique avec laquelle on veut
travailler (figure III.4). On pourra ensuite effectuer de nombreuses simulations.

33
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

Choix du mode de calcul

Mettre l’illumination en « On »

Choisir le spectre d’illumination

Mettre les conditions aux

limites =0

Figure III.5: Mode de calcul et illumination de la cellule.

Ce logiciel AFORS-HET est utilisé par de nombreux chercheurs [17,47, 51, 52] dans la
simulation des cellules solaires à hétérojonction et HIT.

Présentation des cellules solaires simulées

Notre étude a concerné en premier lieu les cellules solaires à simple hétérojonction de
ZnO/a-Si :H(n)/c-Si(p)/Al, c’est-à-dire que l’émetteur seulement est constitué d’un film a-
Si :H. Puis nous nous sommes intéressés aux cellules à double hétérojonctions de
ZnO/a-Si :H(n)/c-Si(p)/a-Si :H(p)/Al où l’émetteur et le BSF sont réalisés à la fois à base de
a-Si :H. Nous avons ensuite étudié l’effet de l’insertion d’une couche intrinsèque à travers la
simulation de la structure ZnO/a-Si :H(n)/(i) a-Si :H/c-Si(p)/ (i) a-Si :H /a-Si :H(p)/Al appelée
aussi cellule HIT (Heterojunction with Intrinsic Layer).

Dans toutes les simulations, nous avons choisi le ZnO comme un bon TCO qui joue un
double rôle : celui d’une couche conductrice permettant de conduire les porteurs de charges
jusqu’à l’électrode de collecte et de couche antireflet permettant de diminuer les pertes
optiques dans la cellule.

34
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

IV.1 Présentation de la cellule à simple hétérojonction

La figure suivante présente la structure de la cellule à simple hétérojonction (ZnO/a-

Si :H(n)/c-Si(p)/Al) où l’émetteur seulement est constitué d’une couche de silicium amorphe
hydrogéné.

ZnO
a-Si :H(n)

c-Si(p)

Al

Figure III.6 : Cellule solaire à simple hétérojonction

IV.2 Présentation de la cellule à double hétérojonction

La figure suivante illustre la structure de la cellule à double hétérojonction (ZnO/a-

Si :H(n)/c-Si(p)/a-Si :H(p)/Al) où l’émetteur et le BSF sont à base de silicium amorphe
hydrogéné créant ainsi deux jonctions.

ZnO
a-Si :H(n)

c-Si(p)
a-Si :H(p)
Al

Figure III.7: Cellule solaire à double hétérojonction

35
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

IV.3 Présentation de la cellule HIT

L’amélioration du rendement de conversion de la cellule, nécessite l’insertion d’une

couche intrinsèque à base du silicium amorphe hydrogéné entre l’émetteur et le substrat et
entre le substrat et le BSF. Cette couche intrinsèque a pour rôle de diminuer le taux de
recombinaison à l’interface a-Si :H/c-Si par une passivation efficace de la surface de la base.
La structure de la cellule devient donc ZnO/a-Si:H(n) /(i) a-Si:H/ c-Si(p)/ (i) a-Si:H / a-
Si:H(p) /Al (Figure III.8).

ZnO
a-Si :H(n)
a-Si :H(i)

c-Si(p)
a-Si :H(i)
a-Si :H(p)
Al

Figure III.8: Cellule solaire a hétérojonction HIT

Les simulations de ces structures sont effectués sous un spectre solaire AM 1,5 avec
une puissance P=1000 w/m2 et une température de la cellule de 25°C. Dans toutes les
simulations, la résistance parallèle est considérée infiniment grande et la résistance série nulle.

IV. Les paramètres de la cellule solaire à simuler

V.1 Paramètres de la couche ZnO et la couche Al

Comme nous l’avons cité précédemment, la couche ZnO est utilisée comme couche
anti reflet et l’Aluminium comme contact métallique arrière. Les épaisseurs de ces couches
sont représentées dans le tableau suivant :

36
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

couche épaisseur référence

ZnO 8 .10-6 cm [26,59]

Al 0.001cm [27]

Tableau III-1: Les paramètres de la couche ZnO et la couche Al.

V.2 Paramètres des couches a-Si :H (p) ,c-Si(p), a-Si :H (n) et (i)a-Si :H utilisées

L’ensemble des paramètres des couches utilisées dans la simulation sont donnés dans
le tableau ci-dessous

Paramètres a-Si :H(n) Réf c-Si(p) Réf a-Si :H(p) Réf

Epaisseur 5- 10 nm [46] 300µm [26] 20 nm [46]

Gap (eV) 1,75 [52] 1,124 [52] 1,75 [52]

Dopage (cm-3) 6,892 .1019 [49] 2.1015 [53] 9.1019 [49]

Concentration
en porteurs de 2,86.1019/ 2,846.1019/ 2,86.1019/
[46] [46] [46]
charges 3. 1019 2,685.1019 3. 1019
Nc /Nv (cm-3)

Tableau III-2: Les paramètres des différentes couches de la cellule

V.3 Paramètres de la couche intrinsèque

les paramètres de la couche intrinsèque utilisées dans la simulation sont donnés dans
le tableau ci-dessous

37
Chapitre III Simulation des cellules solaires à hétérojonctions

Paramètres a-Si : H(i) Réf

Epaisseur (nm) 10 [54]

Gap (eV) 1,75 [52]

Dopage (cm-3) 0 [46]

Concentration en porteurs de
1.1020 [52]
charges Nc /Nv (cm-3)

Tableau III-2: Les paramètres de la couche intrinseque utilisée.

V. Conclusion :

Dans ce chapitre nous avons présenté le logiciel de simulation AFORS HET qui peut
être considéré comme l’un des simulateurs les plus efficaces pour la simulation des cellules à
hétérojonction. Nous avons présenté trois types de cellules solaires à hétérojonctions qui
feront l’objet de notre étude en variant plusieurs paramètres à savoir :

 L’épaisseur de la base ;
 La conductivité de la base ;
 L’épaisseur de l’émetteur ;
 Le dopage de l’émetteur ;
 Le gap de l’émetteur ;
 L’effet de la température ;
 L’effet de la texturisation ;
 L’effet de l’insertion d’une couche intrinsèque.

Les résultats de ces simulations sont présentés dans le chapitre suivant.

38
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

I. Introduction

Dans ce chapitre, nous présentons une étude comparative entre les résultats de
simulation des cellules solaires à simple hétérojonction de type ZnO/a-Si :H(n) /c-Si(p)/Al,
double hétérojonction de type ZnO/a-Si :H(n) /c-Si(p)/ a-Si: H(p)/Al et cellules HIT de type
ZnO/a-Si :H(n) /a-Si :H(i)/c-Si(p)/a-Si :H(i)/a-Si :H(p)/Al. Cette étude est complétée par une
comparaison avec d’autres types de cellules solaires à multijonctions.

Nous présentons également une interprétation des résultats de simulation que nous
avons obtenus, en vue d’une optimisation de la structure permettant les meilleures
performances photovoltaïques.

II. Etude comparative entre les cellules solaires à simple hétérojonction, double
hétérojonction et cellules HIT

II.1 Diagrammes des bandes d’énergies

A l’équilibre thermodynamique, les niveaux de fermi sont alignés, ce qui implique une
courbure de bandes de conduction et de valence ; la figure (IV-1) représente les diagrammes
des bandes d’énergie des cellules solaires à simple hétérojonction, double hétérojonction et la
cellule HIT.

a-Si :H(n)

c-Si(p)

(a)

39
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

c-Si(p)
a-Si :H(n)

a-Si : H(p)

(b)

a-Si :H(n) c-Si (p)

a-Si :H(p)

(c)

Figure IV.1 Diagrammes des bandes d’énergie des cellules solaires à l’équilibre thermodynamique : (a)
Cellule à simple hétérojonction ; (b) Cellule à double hétérojonction ; (c) Cellule HIT.

40
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

II.2 Caractéristiques courant-tension

La figure (IV-2) représente les caractéristiques courant-tension des cellules à simple

hétérojonction (ZnO/a-Si :H(n) /c-Si(p)/Al), double hétérojonction (ZnO/a-Si :H(n) /c-Si(p)/
a-Si:H(p)/Al) et cellule HIT (ZnO/a-Si :H(n) /a-Si :H(i)/c-Si(p)/a-Si :H(i)/a-Si :H(p)/Al) que
nous avons simulées sous AFORS-HET, elles sont déterminées sur la base des paramètres que
nous avons cités dans le troisième chapitre. Les paramètres électriques correspondants sont
représentés sur le tableau IV-1.

0 ,0 3 5 2 0
C o u ra n t (A )

0 ,0 3 5 1 5

0 ,0 3 5 1 0

0 ,0 3 5 0 5

0 ,0 3 5 0 0

0 ,0 3 4 9 5

0 ,0 3 4 9 0
0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5

T e n s io n ( V )

(a)

0 ,0 3 8

0 ,0 3 6
C o u ra n t (A )

0 ,0 3 4

0 ,0 3 2

0 ,0 3 0

0 ,0 2 8

0 ,0 2 6

0 ,0 2 4
0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6 0 ,7
(b) T e n s io n ( V )

41
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

0 ,0 4
C o u ra n t (A )

0 ,0 3

0 ,0 2

0 ,0 1

0 ,0 0
0 ,0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8
(c) T e n s io n ( V )

Figure IV.2 : caractéristiques I(V) des cellules solaires simulées, (a) simple hétérojonction,
(b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

Tableau (IV-1) : Paramètres électriques des cellules solaires simulées.

performances Vco Jcc FF η

cellule (mV) (mA /cm²) (%) (%)
Simple
hétérojonction 571,7 35,7 73,28 14,77
Double
hétérojonction 727,4 37,59 69,85 19,07

HIT 769,1 37,94 84,58 23,69

Les résultats de simulation que nous avons obtenus montrent que les cellules solaires à
double hétérojonction présentent de meilleures caractéristiques courant-tension (Figure IV-2)
combinées à de meilleurs paramètres photovoltaïques (Tableau IV-1) comparativement aux
cellules solaires à simple hétérojonction, en raison de la présence de la couche amorphe a-
Si:H(p) entre le silicium cristallin (base) et le contact arrière (Al), formant ainsi un champ de
surface arrière répulsif (BSF : Back Surface Field) dans les cellules à double hétérojonction.
Comme nous pouvons le constater sur la figure (IV-1), le BSF permet de créer une courbure
de bandes qui permet de repousser les électrons de la surface arrière très recombinante et de
les confiner dans la base, augmentant ainsi leur statistique de collection par le contact de face
avant de la cellule. Ceci permet de réduire les pertes par recombinaison sur la surface arrière
du silicium cristallin.
42
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

L’insertion d’une couche de silicium amorphe intrinsèque a-Si :H(i) en face avant
(c’est-à-dire entre l’émetteur et la base) et en face arrière (c’est-à-dire, entre la base et le BSF)
donnant lieu à la structure HIT, permet de mieux passiver la surface du silicium cristallin.
Ceci explique les meilleures valeurs de J cc, Vco, FF et η, des cellules solaires HIT (Tableau
IV-1). Les résultats de simulation que nous avons obtenus sont conformes à ceux obtenus par
d’autres chercheurs [55 ,56]

Dans la suite de ce travail, nous étudions par simulation l’influence de différents

paramètres sur les performances photovoltaïques des cellules solaires à simple hétérojonction,
double hétérojonction et cellules HIT, afin d’améliorer leurs caractéristiques électriques.

III. Effet de la variation de l’épaisseur du substrat c-Si sur les performances des
cellules solaires simulées

III.1 Influence de l’épaisseur du substrat sur la tension du circuit ouvert Vco

La figure suivante représente la variation de la tension du circuit ouvert des cellules

solaires simulées en fonction de la variation de l’épaisseur de la base c-Si(p).
(m V )

5 8 0

5 7 5
V c o

5 7 0
T e n s io n

5 6 5

5 6 0

5 5 5

1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )

(a)

43
 Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(m V )
7 5 0

7 4 5

V c o
7 4 0

7 3 5
T e n s io n

7 3 0

7 2 5

7 2 0

7 1 5

1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )
(b)
(m V )

7 9 0

7 8 5
V c o

7 8 0
T e n s io n

7 7 5

7 7 0

7 6 5

7 6 0
1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

(c) E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )

Figure IV.3: Variation de la tension du circuit ouvert en fonction de l’épaisseur de la base :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

III.2 Influence de l’épaisseur du substrat sur le courant de court circuit Jcc

La variation du courant de court circuit en fonction de l’épaisseur de la base des

cellules simulées est représentée dans la figure ci-dessous.

44
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

C o u r a n t J c c ( )m A / c m
3 6 ,0

3 5 ,5

2 3 5 ,0

3 4 ,5

3 4 ,0

3 3 ,5

3 3 ,0

1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )
(a)

3 8 ,0
c m2 )

3 7 ,5
C o u r a n t (Jmc A/c

3 7 ,0

3 6 ,5

3 6 ,0
1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( µ m )
(b)
) A /c m

3 7 ,5

3 7 ,0
J c c (m
2

3 6 ,5

3 6 ,0
C o u ra n t

3 5 ,5

3 5 ,0

3 4 ,5

3 4 ,0
1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )
(c)

Figure IV.4: Variation du courant de court circuit en fonction de l’épaisseur de la base :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

45
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

III.3 Influence de l’épaisseur du substrat sur le facteur de forme FF

La figure (IV-5) représente la variation du facteur de forme des cellules étudiées en

fonction de l’épaisseur de la base c-Si (p).
F a c te u r d e fo rm e F F

7 5 ,0

7 4 ,5

7 4 ,0

7 3 ,5

7 3 ,0

7 2 ,5

7 2 ,0
1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )
(a)
F a c te u r d e fo rm e F F (% )

6 9 ,9

6 9 ,8

6 9 ,7

6 9 ,6

6 9 ,5

6 9 ,4

6 9 ,3

6 9 ,2
1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0
(b) E p a is s e u r d e la b a s e c - S i ( µ m )

46
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

F a c te u r d e fo rm e F F (% )
8 4 ,8

8 4 ,7

8 4 ,6

8 4 ,5

8 4 ,4

8 4 ,3

8 4 ,2

8 4 ,1

1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

(c) E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )

Figure IV.5: Variation du facteur de forme en fonction de l’épaisseur de la base :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

II.4 Influence de l’épaisseur du substrat sur le rendement η

La variation du rendement en fonction de l’épaisseur du substrat c-Si(p) des cellules

simple hétérojonction, double hétérojonction et la cellule HIT est représentée dans la figure
(IV-6).
(% )

1 5 ,2

1 5 ,0
R e n d e m e n t n

1 4 ,8

1 4 ,6

1 4 ,4

1 4 ,2

1 4 ,0

1 3 ,8
Epaisseur de la base c-Si(p) (µm)
1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

(a) E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )
(a)

47
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

1 9 ,1 0

(% )
R e n d e m e n t n 1 9 ,0 5

1 9 ,0 0

1 8 ,9 5

1 8 ,9 0

1 8 ,8 5

1 8 ,8 0

1 8 ,7 5

1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) (µ m )
(b)
R e n d e m e n t n (% )

2 4 ,2

2 4 ,0

2 3 ,8

2 3 ,6

2 3 ,4

2 3 ,2

2 3 ,0

2 2 ,8

1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0

E p a is s e u r d e la b a s e c - S i( p ) ( u m )
(c)

Figure IV.6: Variation du rendement η en fonction de l’épaisseur de la base :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

Les paramètres électriques des cellules solaires à simple hétérojonction, double

hétérojonction et cellule HIT correspondant à différentes valeurs d’épaisseur de la base, sont
donnés en annexe A.

Comme nous pouvons l’observer sur les figure (IV-3,4,5,6), l’utilisation d’un substrat
de 150 µm (< 200 µm) donne une meilleure valeur de tension de circuit ouvert mais entraîne
une diminution du ICC, FF et η par rapport au substrat plus épais. Ceci peut être expliqué par
la réduction de l’absorption des photons dans le substrat fin. L’épaisseur du substrat est donc
optimisée à 350 µm pour les cellules solaires à double hétérojonction et à 400 µm pour les
cellules solaires à simple hétérojonction et cellule HIT.

48
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

IV. Influence du dopage du substrat c-Si sur les performances des cellules simulées

IV.1 Influence du dopage du substrat sur la tension du circuit ouvert Vco

La variation de la tension du circuit ouvert en fonction de la conductivité de la base c-

Si(p) est représentée sur la figure (IV-7).

6 8 0
(m V )

6 6 0

6 4 0
V c o

6 2 0
T e n s io n

6 0 0

5 8 0

5 6 0

5 4 0
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e Dopage
d e l a de
b la
a sbase
e c c-Si(p)
- S i ( p(cm
) )m (-3c )
(a)

7 5 0
(m V )

7 4 5
V c o

7 4 0
T e n s io n

7 3 5

7 3 0

7 2 5

1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i ( -3
p ) (c m )
(b) Dopage de la base c-Si(p) (cm )

49
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(m V )
7 7 2 ,4

7 7 2 ,2

7 7 2 ,0

V c o 7 7 1 ,8

7 7 1 ,6
T e n s io n

7 7 1 ,4

7 7 1 ,2

7 7 1 ,0

7 7 0 ,8

7 7 0 ,6

7 7 0 ,4

7 7 0 ,2
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )
(c)

Figure IV.7: Variation de la tension du circuit ouvert Vco en fonction du dopage de la

base: (a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction et (c) cellule HIT.

IV.2 Influence du dopage du substrat sur le courant de court circuit Jcc

Sur la figure suivante, est représentée la variation du courant de court circuit des
cellules simulées en fonction du dopage de la base c-Si(p).

3 8 ,0
C o u r a n t J c c ( )m A / c m

3 7 ,5
2

3 7 ,0

3 6 ,5

3 6 ,0

3 5 ,5

3 5 ,0
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )
(a)

50
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

4 0 ,5

C o u r a n t J c c ( )m A / c m
4 0 ,0
2

3 9 ,5

3 9 ,0

3 8 ,5

3 8 ,0

3 7 ,5

3 7 ,0
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6

(b) D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m
-3
)
() m A / c m

4 1 ,0

4 0 ,5

. 4 0 ,0
2
C o u ra n t J c c

3 9 ,5

3 9 ,0

3 8 ,5

3 8 ,0

3 7 ,5
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )
(c)

Figure IV.8: Variation du courant de court circuit Icc en fonction du dopage de la base :
(a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

IV.3 Influence du dopage du substrat sur le facteur de forme FF

La figure (IV.9) représente la variation du facteur de forme en fonction de la variation de la

conductivité de la base.

51
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

)
F F (%
8 1

fo rm e 8 0

7 9

7 8
F a c te u r d e

7 7

7 6

7 5

7 4

7 3

1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
- 3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )

(a)
F a c te u r d e fo rm e F F (% )

80

75

70

65

60
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6

(b) D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m
-3
)
F a c te u r d e fo rm e F F (% )

8 5 ,4

8 5 ,3

8 5 ,2

8 5 ,1

8 5 ,0

8 4 ,9

8 4 ,8
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )
(c)

Figure IV.9: Variation du facteur de forme FF en fonction du dopage de la base : (a)

cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.
52
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

IV.4 Influence du dopage du substrat sur le rendement η

La figure (IV.10) représente la variation du facteur de forme en fonction de la variation de la

conductivité de la base.
(% )

2 0

1 9
R e n d e m e n t n

1 8

1 7

1 6

1 5

1 4
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )

(a)
(% )

2 5

2 4
R e n d e m e n t n

2 3

2 2

2 1

2 0

1 9

1 8

1 7

1 6
1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )
(b)

53
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(% )

2 6 ,6

2 6 ,4
R e n d e m e n t n

2 6 ,2

2 6 ,0

2 5 ,8

2 5 ,6

2 5 ,4

2 5 ,2

2 5 ,0

2 4 ,8

2 4 ,6

1 ,0 0 E + 0 1 6 2 ,0 0 E + 0 1 6 3 ,0 0 E + 0 1 6 4 ,0 0 E + 0 1 6 5 ,0 0 E + 0 1 6 6 ,0 0 E + 0 1 6
-3
D o p a g e d e la b a s e c - S i( p ) ( c m )

(c)

Figure IV.10: Variation du rendement η en fonction du dopage de la base :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

Les paramètres électriques des cellules solaires à simple hétérojonction, double

hétérojonction et cellule HIT en fonction de la conductivité de la base sont donnés en annexe
B.

L’augmentation du dopage de la base c-Si entraîne une amélioration des paramètres

électriques des cellules simulées par la diminution des pertes résistives. En effet,
l’augmentation de la concentration des atomes dopants dans le substrat induit une
augmentation de sa conductivité et donc une amélioration de ses propriétés électriques qui se
reflètent par l’amélioration des performances photovoltaïques de la cellule (Figure IV-10).

V. Influence de l’épaisseur de l’émetteur : a-Si :H(n) sur les performances des

cellules simulées
VI. V.1 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur la tension du circuit ouvert Vco

La figure ci-dessous représente la variation de la tension du circuit ouvert des différentes

cellules étudiées en fonction de l’épaisseur de l’émetteur

54
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

T e n s io n V c o ( m V )
5 7 3 ,5

5 7 3 ,0

5 7 2 ,5

5 7 2 ,0

5 7 1 ,5

5 7 1 ,0

5 7 0 ,5

5 7 0 ,0

5 6 9 ,5
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'e m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )
(a)
V c o (m V )

7 2 9

7 2 8

7 2 7
T e n s io n

7 2 6

7 2 5

7 2 4

5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'e m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )
(b)

7 6 9 ,0
(m V )

7 6 8 ,8

7 6 8 ,6

7 6 8 ,4
V c o

7 6 8 ,2

7 6 8 ,0
T e n s io n

7 6 7 ,8

7 6 7 ,6

7 6 7 ,4

7 6 7 ,2

7 6 7 ,0

7 6 6 ,8

5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r (n m )
(c)

Figure IV.11 : Variation de la tension du circuit ouvert en fonction de l’épaisseur de

l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT

55
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

V.2 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le courant de court circuit Jcc

La figure IV-12 représente la variation de la densité du courant de court circuit des différentes
cellules étudiées en fonction de l’épaisseur de l’émetteur

3 8
C o u r a n t J c c () m A / c m

3 7
2

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2
(a)
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )

40
C o u r a n t J c c ( m A) / c m

39
2

38

37

36

35

34

5 10 15 20 25 30

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )
(b)

56
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

J c c () m A / c m
4 0

3 9
2

3 8

3 7
C o u ra n t

3 6

3 5

3 4

3 3
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r (n m )
(c)

Figure IV.12: Variation de courant de court circuit en fonction de l’épaisseur de

l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

V.3 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le facteur de forme FF

La figure ci-dessous montre l’influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le facteur de forme

des différentes cellules étudiées.
F F (% )

7 3 ,6
fo rm e

7 3 ,4

7 3 ,2
F a c te u r d e

7 3 ,0

7 2 ,8

7 2 ,6

7 2 ,4
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0
E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )
(a)

57
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(% )
7 0 ,4

F F
7 0 ,2
fo rm e

7 0 ,0

6 9 ,8
F a c te u r d e

6 9 ,6

6 9 ,4

6 9 ,2

6 9 ,0

6 8 ,8
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )
(b)
F F (% )

8 4 ,8
fo rm e

8 4 ,6

8 4 ,4

8 4 ,2

8 4 ,0
F a c te u r d e

8 3 ,8

8 3 ,6

8 3 ,4

8 3 ,2

8 3 ,0

8 2 ,8
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r E p é m e t ( n m )

( c)

Figure IV.13 : Variation du facteur de forme FF en fonction de l’épaisseur de

l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, cellule HIT.

V.4 Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement

Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement est représenté sur la figure ci-dessous.

58
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

1 6 ,0

R e n d e m e n t n (% ) 1 5 ,5

1 5 ,0

1 4 ,5

1 4 ,0

1 3 ,5

1 3 ,0
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )
(a)
R e n d e m e n t n (% )

2 0 ,5

2 0 ,0

1 9 ,5

1 9 ,0

1 8 ,5

1 8 ,0

1 7 ,5

1 7 ,0

5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( n m )

(b)
(% )

2 6
R e n d e m e n t n

2 5

2 4

2 3

2 2

2 1
5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0

E p a is s e u r d e l'é m e t t e u r ( n m )
(c)

Figure IV.14: Variation du rendement η en fonction de l’épaisseur de l’émetteur :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

59
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

Les paramètres électriques des cellules solaires à simple hétérojonction, double hétérojonction
et cellule HIT en fonction de l’épaisseur de l’émetteur sont donnés en annexe C.

Nous avons étudié l’effet de la variation de l’épaisseur de l’émetteur de 5 à 30 nm, sur

les paramètres électriques des cellules. Les figures (IV-11,12 ,13 et 14) montrent que
l’épaisseur de 5 nm permet d’atteindre les meilleures valeurs de VCO, ICC, FF et η.
L’augmentation de la larguer de l’émetteur au-delà de 5 nm provoque une chute de ces
paramètres, ce qui peut être expliqué par le fait que la distance latérale parcourue par les
porteurs de charge augmente avec l’augmentation de la largeur de l’émetteur réduisant ainsi la
probabilité de leur collection. Un effet similaire de comportement est également visible pour
les cellules solaires HIT.

VII. Influence du dopage de l’émetteur a-Si : H(n) sur les performances des cellules
simulées

VI.1 Influence du dopage de l’émetteur la tension du circuit ouvert Vco

(m V )

6 2 0

6 0 0
V c o

5 8 0
T e n s io n

5 6 0

5 4 0

5 2 0

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )
(a)
T e n s io n V c o ( m V )

7 5 0

7 4 0

7 3 0

7 2 0

7 1 0

7 0 0

6 9 0
6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
(b) D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )

60
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

8 4 0
T e n s io n V c o ( m A )
8 2 0

8 0 0

7 8 0

7 6 0

7 4 0

7 2 0

7 0 0

1 9 1 9 1 9 1 9 1 9
6 ,8 x 1 0 6 ,8 x 1 0 6 ,9 x 1 0 7 ,0 x 1 0 7 ,0 x 1 0
-3
D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )
(c)

Figure IV.15: Variation de la tension du circuit ouvert Vco en fonction du dopage de

l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

VI.2 Influence du dopage de l’émetteur sur le courant de court circuit Jcc

La figure ci-dessous représente la variation du courant de court circuit des trois cellules
simulées en fonction du dopage de l’émetteur.

3 5 ,2 9
C o u r a n t J c c ( )m A / c m

3 5 ,2 8

3 5 ,2 7
2

3 5 ,2 6

3 5 ,2 5

3 5 ,2 4

3 5 ,2 3

3 5 ,2 2

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )
(a)

61
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

3 7 ,6 0

C o u r a n t J c c ( )m A / c m
3 7 ,5 8
2

3 7 ,5 6

3 7 ,5 4

3 7 ,5 2

3 7 ,5 0

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )
(b)
C o u r a n t J c c ( )m A / c m

3 6 ,9 5 0

3 6 ,9 4 8
2

3 6 ,9 4 6

3 6 ,9 4 4

3 6 ,9 4 2

3 6 ,9 4 0

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9

D o p a g e d e l'é m e t t e u r (e V )

(c)

Figure IV.16 : Variation de courant de court circuit Icc en fonction du dopage

de l’émetteur : (a) simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule
HIT.

VI.3 Influence du dopage de l’émetteur sur le facteur de forme FF

F a c te u r d e fo rm e F F (% )

7 5

7 0

6 5

6 0

5 5

5 0
6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
(a) D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )

62
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(% )
F F
7 0

fo rm e
F a c te u r d e 6 5

6 0

5 5

5 0

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )
(b)
(% )
F F

8 5
fo rm e

8 0

7 5
F a c te u r d e

7 0

6 5

6 0

5 5
6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9

D o p a g e d e l'é m e t t e u r (e V )
(c)

Figure IV.17: Variation du facteur de forme en fonction du dopage de l’émetteur :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) double hétérojonction, (c) cellule HIT.

VI.4 Influence du dopage de l’émetteur sur le rendement η

(% )

1 5
R e n d e m e n t n

1 4

1 3

1 2

1 1

1 0

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
(a) D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )

63
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(% )
2 0

1 9

R e n d e m e n t n
1 8

1 7

1 6

1 5

1 4

1 3

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9
-3
(b) D o p a g e d e l'é m e t t e u r ( c m )
R e n d e m e n t E ff (% )

2 4

2 2

2 0

1 8

1 6

6 ,8 0 E + 0 1 9 6 ,8 5 E + 0 1 9 6 ,9 0 E + 0 1 9 6 ,9 5 E + 0 1 9 7 ,0 0 E + 0 1 9

D o p a g e d e l'é m e t t e u r (e V )
(c)

Figure IV.18: Variation du rendement η en fonction du dopage de l’émetteur :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT.

Les paramètres électriques des cellules solaires à simple hétérojonction, double hétérojonction
et cellule HIT en fonction de la conductivité de l’émetteur sont donnés en annexe D.

Un dopage de l’émetteur de 7. 1019 permet d’atteindre un meilleur rendement de

conversion des cellules solaires simple hétérojonction, double hétérojonction et cellule HIT
(Figure IV-18). Au-delà de cette valeur, la tension de circuit ouvert de la cellule diminue et le
facteur de forme augmente (sachant que = ). En effet, Des couches plus conductrices

limitent la résistance série améliorant ainsi le facteur de forme, mais diminuent leur V CO.
L’insertion d’une couche intrinsèque (i) a-Si :H entre l’émetteur et la base permet de stabiliser

64
 Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

la VCO comme illustré sur la figure (IV-15) tout en augmentant le rendement de conversion.
Cette amélioration du rendement peut être expliqué par la diminution des recombinaisons des
porteurs à l’interface a-Si :H/c-Si suite à l’insertion de la couche intrinsèque. En effet, cette
couche intrinsèque permet de passiver très efficacement la surface du silicium cristallin
réduisant ainsi les vitesses de recombinaisons.

VIII. Influence du gap de l’émetteur sur les performances des cellules simulées

VII.1 Influence du gap de l’émetteur sur la tension du circuit ouvert Vco

5 7 1 ,8
T e n s io n V c o ( m V )

5 7 1 ,6

5 7 1 ,4

5 7 1 ,2

5 7 1 ,0

5 7 0 ,8

5 7 0 ,6

5 7 0 ,4

5 7 0 ,2

5 7 0 ,0

5 6 9 ,8
1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( e V )

(a)
V c o (m V )

7 5 0

7 4 0

7 3 0
T e n s io n

7 2 0

7 1 0

7 0 0

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0

G a p d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( e V )
(b)

65
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

(m V )
8 4 0

8 2 0

V c o 8 0 0

7 8 0
T e n s io n

7 6 0

7 4 0

7 2 0

7 0 0

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r ( e V )
(c)

Figure IV.19: Variation de la tension du circuit ouvert en fonction du gap de

l’émetteur : (a) cellule simple hétérojonction et (b) cellule double hétérojonction,
(c) cellule HIT.

II.2 Influence du gap de l’émetteur sur le courant de court circuit Jcc

la figure IV-20 représente la variation du courant de circuit circuit des cellules simulées en
fonction du gap de l’émetteur
C o u r a n t J c c ( m) A / c m

3 5 ,2 4 0

3 5 ,2 3 5
2

3 5 ,2 3 0

3 5 ,2 2 5

3 5 ,2 2 0

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( e V )
(a)

66
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

J c c )( m A / c m
4 0

3 5
2

3 0

2 5
C o u ra n t

2 0

1 5

1 0

(b) 0
1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0

G a p d e l'é m e t t e u r ( e V )

.
C o u r a n t J c c ( )m A / c m

3 7 ,0
2

3 6 ,9

3 6 ,8

3 6 ,7

3 6 ,6

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

(c) G a p d e l'é m e t t e u r ( e V )

Figure IV.20: Variation du courant de court circuit en fonction du gap de l’émetteur :

(a) cellule simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT

67
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

VII.3 Influence du gap de l’émetteur sur le facteur de forme FF

(% )
F F
7 3 ,7
fo rm e

7 3 ,6

7 3 ,5
F a c te u r d e

7 3 ,4

7 3 ,3

7 3 ,2
(a) 1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r a - S i: H ( n ) ( e V )
F F (% )

6 9 ,9 0
fo rm e

6 9 ,8 8

6 9 ,8 6
F a c te u r d e

6 9 ,8 4

6 9 ,8 2

6 9 ,8 0

6 9 ,7 8
1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r ( E v )

(b)
F a c te u r d e fo rm e F F (% )

9 4

9 2

9 0

8 8

8 6

8 4

8 2

8 0

7 8

7 6
1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r (e V )
(c)

Figure IV-21: variation du facteur de forme FF en fonction du gap de l’émetteur : (a)

cellule simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT.

68
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

VII.4 Influence du gap de l’émetteur sur le rendement η

La variation du rendement photovoltaïque des cellules simulées sont représentés dans la

figure ci-dessous
R e n d e m e n t n (% )

1 4 ,7 9 0

1 4 ,7 8 5

1 4 ,7 8 0

1 4 ,7 7 5

1 4 ,7 7 0

1 4 ,7 6 5

1 4 ,7 6 0

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r ( e V )

(a)
R e n d e m e n t n (% )

2 0

1 5

1 0

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1

g a p d e l'é m e t t e u r (e V )
(b)

69
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

2 4 ,0 6
R e n d e m e n t E ff (% )

2 4 ,0 4

2 4 ,0 2

2 4 ,0 0

2 3 ,9 8

1 ,5 1 ,6 1 ,7 1 ,8 1 ,9 2 ,0 2 ,1 2 ,2 2 ,3

G a p d e l'é m e t t e u r ( e V )
(c)

Figure IV.22 : Variation du rendement η en fonction du gap de l’émetteur : (a)

cellule simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT.

Les paramètres électriques des cellules solaires à simple hétérojonction, double hétérojonction
et cellule HIT en fonction du gap de l’émetteur sont donnés en annexe E.

Le gap du silicium amorphe constituant l’émetteur de la cellule varie selon les

conditions de son élaboration. Nous avons alors étudié l’influence de cette variation sur les
performances de la cellule. Les variations de la Vco et de Icc présentées respectivement sur les
figures IV-19 et IV-20, suivent les mêmes tendances que celles publiées dans l’article [57].
L’énergie du gap est alors optimisée à 1.7 eV pour les cellules sans couche intrinsèque
(simple et double hétérojonction) et 1.9 eV pour les cellules avec couches intrinsèque (HIT)
comme le montrent les figures (IV-21c). En effet, un large gap augmente le coefficient
d’absorption du matériau, ce qui est avantageux pour la conversion photovoltaïque.

70
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

IX. Influence de la température sur les caractéristiques I(V) des cellules simulées

La figure (VI-22) représente l’influence de la température sur la caractéristique

courant-tension des cellules simulées.

0 ,0 4 0

0 ,0 3 5
C o u ra n t (A )

0 ,0 3 0

2 5 ° C
3 5 ° C
0 ,0 2 5
4 5 ° C
5 0 ° C

0 ,0 2 0
0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6

T e n s io n ( V )
(a)

0 ,0 3 7 6

0 ,0 3 7 4

0 ,0 3 7 2
C o u ra n t (A )

0 ,0 3 7 0

0 ,0 3 6 8 2 5 ° C
0 ,0 3 6 6 3 5 ° C
0 ,0 3 6 4
4 5 ° C
5 5 ° C
0 ,0 3 6 2

0 ,0 3 6 0

0 ,0 3 5 8

0 ,0 3 5 6

0 ,0 3 5 4
0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6

T e n s io n ( V )
(b)

71
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

0 ,0 3 8 0
C o u ra n t (A )

0 ,0 3 7 9

0 ,0 3 7 8 2 5 ° C
3 5 ° C
4 5 ° C
0 ,0 3 7 7 5 5 ° C

0 ,0 3 7 6
0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6 0 ,7

T e n s io n ( V )
(c)

Figure VI.22 : Effet de la température sur la caractéristique I(V) des cellules simulées :
(a) simple hétérojonction, (b) cellule double hétérojonction, (c) cellule HIT.

La figure (IV-22) montre l’effet de la température sur la caractéristique I(V) des

cellules solaires simulées. Les meilleures performances sont obtenues à la température
ambiante. Au-delà de cette valeur, nous observons une décroissance des paramètres
électriques et une dégradation consécutive de la caractéristique I(V) avec l’augmentation de
la température de la cellule, ceci peut être dû à une chute de mobilités des porteurs avec
l’augmentation de la température.

X. Effet de la texturisation

La texturisation de la surface de silicium permet de diminuer la réflectivité de la cellule

solaire [3].

La figure suivante représente la caractéristique courante tension I (V) de la cellule solaire HIT
avec et sans texturisation.

72
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

s a n s t e x t u r is a t io n r e n d e m e n t = 2 3 , 6 9 %
a v e c t e x t u r is a t io n r e n d e m e n t = 2 3 , 9 0 %
0 ,0 4

0 ,0 3
C o u ra n t(A )

0 ,0 2

0 ,0 1

0 ,0 0
0 ,0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8
T e n s io n ( V )

Figure IV.47: Effet de la texturisation sur la caractéristique I(V)

La caractéristique courant-tension de la cellule est légèrement améliorée avec la

texturisation du substrat suite à la réduction de la réflectivité et l’amélioration du confinement
optique dans le substrat.

XI. Comparaison avec d’autres types de cellules solaires à homojonction et

multijonctions

Le tableau suivant donne les meilleures valeurs de rendement des cellules solaires à jonctions
simple et multiples obtenues dans notre travail et d’autres rapportées dans la littérature.

Tableau IV-2. Valeurs de rendement de conversion des cellules solaires à jonctions simple et
multiple.

Cellule solaire Rendement (%) Référence

Simple homojonction silicium 25.0 [55]
Simple hétérojonction GaAs 26.4 [55]
Simple hétérojonction CdTe 16.7 [55]
Simple hétérojonction a-Si :H/c-Si 14.8 Obtenu dans notre travail
Double hétérojonction 19.1 Obtenu dans notre travail
a-Si :H(n) /c-Si(p)/ a-Si:H(p)
Cellule HIT 23.7 Obtenu dans notre travail
Triple jonction GaInP/GaInAs/Ge 41.6 [55]

73
Chapitre IV Etude comparative entre les cellules à jonctions simple et multiple

Selon le tableau IV-2, les cellules solaires à triple jonction offrent un meilleur rendement de
conversion mais cette technologie est très coûteuse.

Les cellules solaires à homojonction au silicium cristallin peuvent atteindre un

rendement maximum de 25% (proche de la limite théorique de 29%) mais avec une
technologie PERL Passivated Emitter with Rear Locally diffused structure) utilisant des
procédés issus de la microélectronique (émetteur sélectif, BSF localisé, double passivation par
oxyde thermique, photolithographie,…), cependant ce processus long et très coûteux est loin
d’être industrialisable.

Parmi les cellules solaires à base de silicium, les cellules HIT présentent un fort
potentiel d’amélioration du rendement de conversion, tout en réduisant les coûts de
production. En effet, les cellules HIT présentent plusieurs avantages par rapport aux cellules à
homojonction, incluant notamment :

- Possibilité de développement des cellules sur substrats minces ;

- Les cellules HIT présentent un meilleur coefficient de température comparativement
aux cellules à homojonction standard ;
- Réduction du nombre d’étapes dans le processus de fabrication ;
- Possibilité de fabrication à basses températures réduisant ainsi le budget thermique ;
- Bonne passivation de surface permettant d’atteindre de hauts rendements.

XII. Conclusion

Dans ce chapitre nous avons regroupé les résultats obtenus au cours de la simulation
des cellules solaires à hétérojonction de type a-Si :H/c-Si. Les cellules solaires à double
hétérojonction ont montré de meilleures performances photovoltaïques et cela revient au rôle
important qu’apporte le BSF (a-Si :H) ainsi que l’insertion de la couche interfaciale ((i) a-
Si :H). Une étude comparative avec d’autres types de cellules solaires à jonction simple et
multiple permet de déduire que les cellules solaires HIT offre un meilleur compromis
rendement de conversion/coût de production.

74
 Conclusion générale

Conclusion générale

Améliorer la compétitivité de l’électricité solaire vis-à-vis des autres sources d’énergie

traditionnelles, c’est augmenter le rendement de conversion des cellules solaires tout en
réduisant leur coûts de production. Les chercheurs ont donc besoin de miser sur la recherche
et le développement de nouvelles structures permettant d’atteindre un meilleur rapport
rendement de conversion/coût de production. Au cours de ce travail, nous avons effectué une
étude comparative entre les performances de différentes structures de cellules solaires avec
jonctions simple et multiple.

Les cellules solaires à multijonctions à base de semiconducteurs III-V offrent les meilleurs
rendements de conversion (41.6 %) mais cette technologie est très coûteuse.

Dans la technologie silicium, les cellules solaires à homojonction peuvent atteindre un

rendement maximum de 25% (proche de la limite théorique de 29%) mais avec un procédé
issu de la microélectronique, qui est loin d’être industrialisable à cause de son coût très élevé.

Parmi les cellules solaires à base de silicium, les hétérojonctions a-Si :H/c-Si montrent un
fort potentiel d’amélioration du rendement de conversion et la réduction des coûts de
fabrication. Selon nos résultats de simulation utilisant le logiciel AFORS-HET, les cellules
solaires à double hétérojonction présentent les meilleures performances photovoltaïques avec
un rendement maximal de 19%, comparativement aux cellules à simple hétérojonction ayant
un rendement de 14.7%. Cette différence du rendement est liée à la présence de la couche
amorphe a-Si:H(p) entre le silicium cristallin (base) et le contact arrière (Al), formant ainsi
un champ de surface arrière répulsif (BSF) qui améliore la collecte des porteurs et réduit les
pertes par recombinaison sur la face arrière du silicium cristallin.

Le rendement des cellules solaires à double hétérojonction est amélioré après l’insertion
d’une couche amorphe intrinsèque a-Si :H(i) sur les faces avant et arrière, donnant ainsi lieu
à la structure HIT. Nous avons obtenu, par simulation des cellules HIT, un rendement de
23.69%, qui est proche du rendement expérimental de 23.7% atteint par la société japonaise
Sanyo sur ce type de cellules.

Afin d’améliorer davantage les caractéristiques électriques des cellules solaires à

hétérojonction et les cellules HIT en particulier, nous avons effectué plusieurs simulations en
variant les paramètres liés à :

- L’épaisseur et la conductivité du substrat ;

- Epaisseur et conductivité de l’émetteur ;
- Gap de l’émetteur ;
- Texturisation ;
- Température de la cellule.

Nous pouvons déduire, qu’il est possible d’améliorer encore le rendement de conversion
des cellules HIT à 25% en misant sur les paramètres optimaux à savoir : un émetteur ayant un
gap de 1,75 eV et une épaisseur de 5 nm dopé à 7,89.1019cm-3, une épaisseur du substrat de
250 nm dopé à 2.1015cm-3 et une épaisseur de la couche intrinsèque (i) de 5nm.

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