Chapitre VI IMT1 & LST GI Transistor bipolaire te TEC (Régime dynamique)

Chapitre VI : Transistor bipolaire et TEC (régime dynamique)

A – Transistor bipolaire

1) Paramètres hybrides : schéma équivalent d’un transistor en BF et MF

Le transistor se comporte comme un quadripôle à deux entrées (IB, VBE) et à deux sorties (IC, VCE).
I1 I2
● ●
V1 hij V2
● ●

V1  h11I1  h12V2  V1   h11 h12  I1 

       
 I2  h21I1  h22V2  I2   h21 h22  V2 

L’émetteur est la borne commune entre l’entrée et la sortie.

Les sens des courants sont conventionnels et non absolus
IB IC
B C
h11e
VBE h21eIB 1/h22e VCE
h12eVCE
E E

VBE  h11eIB  h12eVCE  VBE   h11e h12e IB 

       
 IC  h21eIB  h22eVCE  IC   h21e h22e VCE 

VBE
h11 = (à VCE = 0)(Impédance d’entrée base émetteur à sortie court-circuitée).
IB
VBE
h12 = (à IB = 0)(Inverse du gain en tension à entrée ouverte.
VCE
IC
h21 = (à VCE = 0)(gain en courant à sortie court-circuitée).
IB
IC
h22 = (à IB = 0)(admittance de sortie à entrée ouverte).
VCE

 La borne d’entrée présente une impédance d’entrée limitant le courant de charge de la source en amont.
 Il existe une tension de retour de la sortie vers l’entrée (proportionnel à la tension de sortie).
 La sortie est de type source de courant : le courant de sortie est contrôlé par celui de l’entrée.
 La sortie présente aussi une admittance de sortie.
2N525 2N1613 2N699B
h11() 1400 2200 2800
-4
h12(10 ) 3.37 3.6 3.5
h21 44 55 70
-6 -1 27 12.5 11
h22 10 ( )

103  < h11 < 104 

10-4 < h12 < 10-3
10 < h21 () < 800
10-6 -1 < h22 < 10 - 5 -1

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2) Utilisation des schémas équivalent en dynamique d’un montage.

L’ensemble des montages à transistors peut être étudiés en dynamique avec le seul schéma équivalent du
transistor en émetteur commun.

a) Montage émetteur commun

Vcc

R1 RC C2
B C
C1 ● ●
IE h21eIB
Vs Ve R2 R1 h11e r RC Vs
Ve
R2 RE CE
E E
b) Montage collecteur commun
Vcc B C
● IB
R1 h21eIB
h11e r
C1
C2  E
IE Ve R1//R2 ●
Ve RE Vs
R2 RE Vs
C
●

h21eIB

IB h11e IB h11e

Ve R1//R2 RE Vs
r  Ve R1//R2 RE r Vs
h21eIB

c) Montage base commune

Vcc
IB
R1 RC C2
h21eIB
h11e r

IE
CE  R1//R2
E
● RC Vs
Vs
C1
R2 RE Ve
RE Ve
B
●

La résistance R1//R2 est court-circuité, donc h11 devient parallèle à RE.

h21eIB

Ve r Vs
RE//h11 RE

3) Rôle des condensateurs de couplage et de liaisons.

Soit le montage d’un transistor en émetteur commun de la figure suivante :
Vcc

RC
R1
I2 C2
Composante
continue de Ct C1 I1
Liaison
Liaison IE
Vs
Couplage

Ve R2
RE CE

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a) Rôle de C1
 Eviter le retour du courant I1 dans C1 pour ne pas détruire le générateur BF d’entrée.
 Eviter le retour du courant I1 dans C1 pour ne pas changer la valeur de IB et influencer sur le point de
fonctionnement du transistor.
 Eviter le passage du courant de la composante continue du GBF pour ne pas changer la valeur de IB.

b) Rôle de C2
 Eviter le passage du courant I2 dans C2 pour ne pas changer la valeur de IC et influencer sur le point
de fonctionnement du transistor.
 Eviter d’attaquer la charge de sortie par un courant continue.

c) Rôle de RE
 Stabiliser le point de fonctionnement qui dépend beaucoup de la température en statique.
 En dynamique RE joue le rôle d’une contre réaction donc il diminue le gain.

d) Rôle de CE
 En statique le condensateur CE est infini, il se comporte comme un circuit ouvert, donc RE joue son
rôle comme il faut.
 En dynamique l’impédance du condensateur CE est petite, donc il se comporte comme un court circuit
et court-circuite la résistance RE et évite la diminution du gain.

e) Comportement de la tension Vcc en étude dynamique.

La tension Vcc (tension continue) contient des condensateurs de filtrage de très grandes capacités, qui
possèdent des impédances très petites en BF et MF, donc le potentiel de ces tensions se ramène à la masse en
étude dynamique.

4) Etude du transistor en montages fondamentaux.

Montage collecteur commun
Vcc

R1
C1
C2 Hypothèse
IE h12 = h22 = 0
Rg
+ Ve
R2
eg RE Vs
-

Le montage équivalent en dynamique est le suivant (h22 = 0  r  )

I1 IB
I0
h11 IB
Rg
R1//R2

+ Ve
eg IE
- RE Vs

C
●

Equations d’entrée du montage

Ve = h11IB + REIE
Ve = h11IB + RE( + 1)IB
Ve = [h11 + RE( + 1)]IB
I1 = I0 + IB
Equations de sortie du montage
Vs = REIE = RE( + 1)IB
Ie Vs Ve
Déterminons Ai = , Av = , Re =
I1 Ve I1
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Calcul du gain en courant

Ie (   1)IB
A 
I1 I0  IB
RBI0 = [h11 + RE( + 1)]IB avec RB = R1//R2
h11  RE (   1)
I0  IB
RB
 1 RB(   1)
Ai   1
h11  RE (   1) h11  RB  RE (   1)
1
RB

Calcul du gain en tension

Vs RE (  1)IB RE (  1) RE 
Av =   
Ve [h11  RE (  1)]IB h11  RE (  1) h11  RE 
h11 << RE Av  1

Calcul de la résistance d’entrée

Ve [h11  RE (  1)]IB h11  RE (  1)
Re =  
I1 I0  IB h11  RE (  1)
1
RB
RB[h11  RE (  1)] RB[h11  RE]
Re = 
h11  RB  RE (  1) h11  RB  RE
Autre méthode
1 I1 I0 IB 1 1
    
Re Ve Ve Ve RB h11  RE (  1)
Re = RB//[h11 + RE( + 1)]

Calcul de la résistance de sortie Rs

Pour calculer la résistance de sortie Rs on court-circuite le générateur d’entrée eg (eg = 0) en gardant
seulement sa résistance interne, et on attaque la sortie du circuit par un autre générateur.
IB
IB (1)IB Is
h11 IB
IE
R0 + h11

Rg
Is
 IB RE ~ Vs
RB

IE
RE ~ Vs
RB = R1//R2 et R0 = Rg//RB

Vs = RE [Is + ( + 1)IB]
Vs
Vs = - (R0 + h11)IB  IB  -
R0  h11
Vs
Vs = REIE - RE( + 1)
R0  h11
(  1)RE
Vs[1 + ] = REIs
R0  h11
Vs RE RE (R0  h11)
Rs   
Is (  1)RE R0  h11  (  1)RE
1
R0  h11

Remarques importantes
Le montage collecteur commun possède un gain en tension Presque égale à 1
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Une impédance d’entrée très grande

Une impédance de sortie très faible
C’est un adaptateur d’impédance.

5) Transistor amplificateur (Réponse en fréquence d’un amplificateur)

Le montage de la figure suivante est utilisé en petit signaux. Les deux transistors fonctionnent en basses
fréquences.
Vcc

T2
C1
T1

C2
Ve ~ R RE
Ru Vs

T1 et T2 sont deux transistors identiques (h12 = h22 = 0) et C1 = 10F ; C2 = 5nF.

1) a) Pour les fréquences moyennes C1 est considéré comme un court-circuit et C2 un circuit ouvert.
b) Pour les basses fréquences C2 est considéré comme un circuit ouvert.
c) Pour les hautes fréquences C1 est considéré comme un court-circuit.
Donner le schéma équivalent en régime dynamique du montage pour les trois gammes de fréquences :
2) Montrer que l'expression du gain en tension aux fréquences moyennes est donnée par la relation :
Vs gR 2
G FM  - avec R2 = Ru //RE
Ve 1  gR 2
Donner l'expression de g.
ω
-j
ω1BF
3) a) Montrer que l'expression du gain en tension aux basses fréquences est donnée par : G BF  . En
ω
1 j
ω 2BF
déduire l'expression de 1BF et 2BF.
b) Tracer pour GBF le diagramme asymptotique de Bode.
4) a) Montrer que l'expression du gain en tension aux hautes fréquences est donnée par :
G MF
G HF  . En déduire l'expression de HF.
ω
1 j
ω HF
b) Tracer pour GHF le diagramme asymptotique de Bode.

1) Le schéma équivalent du montage en dynamique est le suivant :

IB1 IB2
h11 IB1 h11 IB2
C1

Ve ~ R
R RE Ru
C2 Vs

Ce schéma peut être réduit de la manière suivante :

IB1 h11 IB1 IB2 h11 C1

Ve ~ R R RE IB2 C2 Ru Vs

a) Le schéma équivalent en moyennes fréquences : (C1 court-circuité et C2 est ouverte)

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IB1 h11 IB1 IB2 h11

Ve ~ R R RE IB2 Ru Vs

b) Le schéma équivalent en basses fréquences : (C1 inchangée et C2 est ouverte)

IB1 h11 IB1 IB2 h11 C1

Ve ~ R R RE IB2 Ru Vs

c) Le schéma équivalent en hautes fréquences : (C1 court-circuité et C2 inchangée)

IB1 h11 IB1 IB2 h11

Ve ~ R R RE IB2 C2 Ru Vs

2) Calcul de GFM pour les moyennes fréquences

Le schéma de a) peut être réduit de la manière suivante :
IB1 h11 IB1 h11 IB2
(+1)IB2

R2=RE//Ru
Vs
Ve ~ R R IB2

(+1)IB1 IB1+IB2

–R(IB1 + IB2) –h11IB2 = ( + 1)R2 IB2

–RIB1 = –[R + h11 + ( + 1)R2]IB2
I βR
Ai  B2  -
I B1 R  h 11  (β  1) R 2
Ve = (h11 + ( + 1) R) IB1
Vs = ( + 1) R2 IB2
Vs (β  1)R 2 I B2
G MF  
Ve h 11  (β  1) R I B1
(β  1)R 2βR
G MF  -
h11  (β  1) R R  h11  (β  1) R 2 
Avec ( >> 1, R << h11 + (+1)R2 et h11 << (+1)R) de l’expression de GMF devient :
β 2 R 1R
G MF  -
βR h 11  βR 2 
βR 2
G MF  -
h 11  βR 2
β
R2
h 11
G MF  -
β
1 R2
h 11
gR 2 β
G MF  - avec g 
1  gR 2 h 11

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3) a) Calcul de GBF pour les basses fréquences

IB1 h11 IB1 IB2 h11 C1

Ve ~ R R IB2 RE Ru Vs
V2 (ZB)

Soit ZB = RE // (Ru + C1)  (Ru + C1)

1 1  jRuC1ω
Z B  Ru  
jC1ω jC1ω
Vs Vs V2
G BF   .
Ve V2 Ve
V gZ B Vs Ru jRuC 1ω
Or d’après 2), on a : 2  - et  
Ve 1  gZ B V2 1 1  jRuC 1ω
Ru 
jC 1ω
1  jRuC 1ω
-g
Vs jC 1ω jRuC 1ω
G BF   .
Ve 1  jRuC 1ω 1  jRuC 1ω
1 g
jC 1ω
- g(1  jRuC1ω) jRuC1ω
G BF  .
jC1ω  g  jgRuC 1ω (1  jRuC1ω)
- jRuC 1ω
G BF 
1  gRuω
1 j C1ω
g
ω
-j
ω1BF 1 g
G BF  avec ω1BF   2 kHz et ω 2BF   1,33 kHz
1 j
ω RuC1 (1  gRu )C1
ω 2BF
ω   ω 2 
b) (G BF )dB  20Log - 10Log 1      A  B avec 1BF > 2BF
ω1BF   ω 2BF  
(GBF)dB 1BF
2BF
A
(GBF)dB

20dB/deca

3) a) Calcul de GHF pour les hautes fréquences

IB1 h11 IB1 IB2 h11

Ve ~ R R IB2 ZH Vs

avec ZH = RE // Ru // C2 = R2 //C2
On a la même figure que pour les moyennes fréquences a), seulement on remplace R2 par ZH
R2
Z H  R 2 // C 2 
1  jR 2 C 2 ω
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R2
-g
gZ H 1  jR 2 C 2 ω
G HF - 
1  gZ H g R2
1
1  jR 2 C 2 ω
- g R2
G HF 
1  g R 2  jR 2 C 2 ω
-g R2 1
G HF 
1 g R2 g R 2 uC 2
1 j ω
1 g R2
G MF -g R2 1 g R2
G HF  avec G MF  et ω HF   12 MHz
ω 1 g R2 R 2C2
1 j
ω HF
  ω 2 
b) (G HF )dB  20Log G MF - 10Log 1      A  B avec A = -3,48 dB
  ω HF  
(GHF)dB HF

B
-3,48dB
A

(GHF)dB 20dB/deca

B – Transistor à effet de champ (TEC)

1) Représentation du schéma équivalent en petits signaux.

Le FET comme le transistor bipolaire se comporte comme un quadripôle et ce présente par les paramètres
admittances.
I1 I2
● ●
V1 yij V2
● ●

I1  y11V1  y12V2  I1   y11 y12  V1 

       
I2  y21V1  y22V2  I2   y21 y22  V2 
iG iD

y21SVGS
VGS y11S y22S VDS
y12SVDS

IG  y11SVGS  y12SVDS  IG   y11S y12S VGS 

       
ID  y21SVGS  y22SVDS  ID   y21S y22S VDS 

L'entrée se fait sur la grille. L'impédance grille-source est très élevée, on la considère en première
approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mêmes éléments que pour le transistor bipolaire : une

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source de courant (commandée par la tension VGS, et non par un courant), et sa résistance parallèle r. Comme
pour le transistor bipolaire, cette résistance est très élevée (plusieurs centaines de k ), et on la négligera dans
toutes les applications courantes. Le montage simplifié du FET est le suivant :
iG = 0 iD iG = 0 iD

y21VGS y21VGS
VGS y22S VDS Ou VGS VDS

Généralement on note : y21 = gm et 1/y22 = r.

r varie de 0 à 1M et gm varie de 0,1 à 10 mA/V

2) Montage source commune.

Ce montage est le pendant du montage émetteur commun pour le bipolaire. Le fonctionnement sera donc
totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi, qui est le pendant du montage collecteur commun
du bipolaire ; ce montage n'a toutefois que peu d'intérêt, car le FET est un composant à très forte impédance
d'entrée, et ce, on va le voir, même lorsqu'il est utilisé en source commune.
Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage à canal P s'en déduit
aisément.

a) Schéma équivalent.

Le schéma équivalent se construit de la même manière que pour les montages à transistors bipolaires. On
utilise le schéma équivalent du FET de la figure suivante, et on obtient :

Ce schéma est très similaire à celui de l'émetteur commun du transistor bipolaire. La différence essentielle
est que le générateur de courant est commandé par la tension VGS, et non pas par un courant ib.

b) Gain en tension.

Les équations sont quasiment triviales. En entrée, on a :

Ve  VGS
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En sortie, si on néglige r, dont la valeur est très élevée vis à vis de RD , on a :

Vs  - g m R D VGS
On en tire aisément le gain en tension à vide :
Vs
Av   - gmR D
Ve
Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que gm ne dépasse guère la dizaine de mA/V : on aura
des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.

c) Impédance d'entrée.

La solution est triviale :

Ve
Re   RG
ie
On veillera à ne pas choisir une valeur trop élevée tout de même pour que la chute de tension occasionnée
par le courant de fuite de la grille soit négligeable. On choisira typiquement une valeur de l'ordre de quelques
M.

d) Impédance de sortie.

On court circuite le générateur d’entrée et en attaque la sortie par un générateur Vs. On se retrouve
exactement dans le même cas de figure que pour le montage émetteur commun du bipolaire. En opérant la
même transformation norton-thévenin que pour ce dernier montage, ou r est infinie et tout le courant is passe
dans la résistance RD. on trouve :
Vs
Rs   RD
is
Cette valeur est moyenne, RD valant typiquement quelques k . On ne pourra généralement pas utiliser ce
montage sans un étage adaptateur d'impédance en aval.

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