Boole d'Ett Systèmes Optiques

Equipements optiques pour la fabrication microélectronique

M. Laoombat

nouvelle adresse : MICRO-CONTRÔLE, 11 rue du Bois Sauvage, F-91055 Evry cedex, France

INTROOUcnON
L'évolution des microcircuits, depuis prés de !rente ans, place aujourd'hui rindustrie du
semiconducteur dans une position Slratégique dans le monde industriel. Ils cooo'itionnent en
grande paniele développement de secteurs aussi variés que les télécommunications, l"informa-
tique, les systèmes d'armes, les produits de grande consommation, la médecine, les loisirs..

Ce qui caractérise essentiellement rindustrie microélectronlque, et plus particulièrement celle des

circuits Intégrés, c'est la progression technologique continue que ron peut observer depuis 20 ans
qui permet de doubler la dansité des circuits et quadrupler leur complexité régulièrement, en
moyenne tous les trente mois. Des premiers circuits monolithiques réalisés an t 965, intégral1\ 250
transistors sur une méme puce, on est ainsi passé aujourd'hui aux circuits VLSI de 10 millions de
transistors. Cene progression est maitrisée au point de pouvoir prédire sans risque leur mise sur
le marché près de dix ans à ravance. Ainsi pour les mémoires ORAM qui oonstituentle marché
le plus important des circuits intégrés, les générations successives et leur technologies associées
sont programmées avec précision (f!Qure 1). Les mémoires 16 Mbit sont prévues sur le marché
en 1993 avec une ~thographie à 0,6 micron et les mémoires 64 Mbit pour 1995 à 0,4 micron.

A cette progression dans les performances correspond une forte croissance cles ventes, soit près
de 20 % par an ponant le chiffre daffalre mondial du semiconducteur à 300 milliards de francs
en 1990 .

Et roptique ? quel rOle joue+elle dans cette industrie en perpétuelle évolution technolog ique,
sem·t·elle toujours d'actualité pour les futures générations de circuits?

C'est le but de cet exposé d'essayer de répondre à ces questions, principalement en ce qui
concerne les machines de I~hographia qui constituent les véritables "machines outils" de
fabrication des circuits intégrés.

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Article disponible sur le site EDP Sciences et disponible sur le site [Link] ou [Link]
356 M. Lacomoot

A titre d'e~empte, une usine moderne de production de moyenne importance produ~ 5000
tranchesde 150 mm de diamètre chaque semaine. Chaque plaquette nécessite environ 15 étapes
de lithographie. La plupart des niveau~ sonl "imprimés" en uTilisanT des photo répéteurs qui
projeTtent des images de 2 cm' (typiquement 2 cirCUits). En tout 6,5 millions d'images sont
produiles chaque semaine, soit pratiquement 1 million d'Images par jour avec des motifs
submicroniques positionnés respec1ivement les uns par rapport au~ autres à ± 0,3 micron. Les
machines doivent opérer 24 heures par jour. ?jours sur? elles utilisateurs en eKigent une fiabilité
parfaite (MnIF de 1000 heures).

Ces contraintes technologiques et industrielles ont limité au fil des années le nombre d'industriels
capables de répondre àceTtedemande. Deux japonais, CANON et NIKON, deu x américains, GCA
el ULTRATECH, et un européen, ASM·L, se partagenlle marché.
Mais ce marché est important Chaque nouvelle génération de circuits nécessite rouvQr1ure de
nouvelles lignes de production e t les investissements sont lourds, environ 17 % du chilfre
d'alfalre [Link] marché correspolldant pour l'instrumentation optique représente 20 %deces
investissements, soit la milliards de francs en 90. Une grande part est alfectée aux photorépé-
teurs dont 900 exemplaires sont installés en moyenne par an.

RAPPELS SUR LA MICROUTHQGRAPHIE

En microélectronique, et notamment pour les circuits logiques, les fonctions interrupteur et

amplificateur sont réalisées par des transistors. Du fait de sa faible consommation le transitorde
type MOS (Figure 1) est devenu la cellule élémentaire à partir de laquelle seront construits la
plupart des circuits intégrés.
Dans ce transistor (Metat OKyde Semiconducteur), la couche d'oxyde sert d'isolant entre le
substrat silicium et le ruban de sitlcium polycristallin (grille). De part et d'autre de la grille on crée
dans le silicium deuK zones dopées N, riches en électrons, l'accès à ces :tones source et drain se
faisant par des contaels metat sur silicium.

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1 V
Fig. 3 PRINCIPE DE LA LITHOGRAPHIE
 Equipements optiques pour la fabrication microé/eclronique 357

Pour réaliser œtte architecture de circuits ·plans· (technologie planar) il est nécessairede délimiter
dans des étapes successives, les différentes zones sur lesquelles on va opérer un cenain pro-
cess : dittvsion ou implantation, dépot métallique,contacts, [Link] etc..

La technique qui permet de créer ces zones est ta lithographie (1 , 2).

Son principe est simple (Figure [Link] zone correspondant à un cenain proœss est d"abord définie
dans une couche de résine (film polymère), couchée surie substrat, par une radiation appropriée
et délimitée dans respace [Link] radiation modilie la structure initiale de la résine. Dans le cas
des résines positives par exemple. tes liaisons entre mOlécules sont brisées et la zone [Link]ée
est dissoute au développement.

Ou fait prirlCipalemenl de sa mauvaise tenue en température la résine ne peut être utilisée

directement comme masque pour les opérations de diffusion, implantation. Une étape supplé-
mentaire est nécessaire pour transferrer la région délimitée de la réSine (pattern) dans roxyde
(ou le métal) . L'opération de gravure correspondante est réalisée soit par voie humide, soit par
plasma, pour obtenir une meilleure qualité du transie" (l, 2).

Plusieurs types de radiation peuvent être utilisées en lithographie. Les faisceaux d"électrons
permettent une très bonne résolution et une grande flexibilité d'écriture. Parcontre les images sont
décrites point par point ou par faisceau lormé de pet~es dimensions ce qui rend le procédé très
lent. la lithogrephie à faisceaux d'électrons est donc sunovl employée pour des circuits très
avancés ou, de plus en plus, dans les circuits customs pour les derniers niveaux dits niveaux
de personnalisation.

Fig. 4 PHOTOGRAPHIES MEB DE CIRCUITS

AVEC MOTIFS RESINE DE 1 MICRON (Pt>otos LETl)
358 M. Lacombat

En lithographie optique rexposition des résines par radiation UV, pennet un transfen parallèle
d'images de grandes dimensions donc beaucoup plus rapide. Cette exposition se fait a travers un
masque structuré. La quasi totalité des circuits intégrés sont aujourd'hui réalisés par cette
tect1nique

La ~thographie est un des proeess c~ dans la technologie de fabrication des circuijs intégrés. Elle
conditionne d'abord la qualité - résolution, reproductibilité - des patterns du circuit et donc au
premier ordre le rendement de fabrication. Ensuite c'est un process qui doit étre répété pour
réaliser successivement chacun des niveaux de construction du circuit. Pour les circu~s
complexes actuels le nombre d"étapes lithographiques se situe entre 12 et 18 suivant la
technologie employée, MOS, bipolaire ou BIMOS.

FABRICA110N D' UN CIRCUIT INTEGRE

A partir de sa conception, la réalisation d'un circuit intégré comprend trois phases distinctes
(F~ure 5) chacune d'elle étant exécutée sur des lignes spécialisées.

Lapremiére phase est réalisée par la "mask shop". Elle pennet de a tradui re le concept du circuil
en un nombre N de "patterns' correspondant à chacun des niveaux de procass successifs.
Chaque pattern est tracé sur un masque a réchelle G (1 :s; Gs 5) du circuit par une machine
d'écriture so~ a faisceau d'électrons soit plus récemment, (et acôut réduit) à balayage laser (3).

Les masques actuels, réalisés sur plaque de verre revêtue d'une couche de chrome antirél!échis-
sant. sont des suppons d'images de près de 10" pixels 00 aucun défaut supérieur à 10 pixels ne
peut être tOléré . 0'00 les opérations d'inspection optique et de réparation (Iaserou faisceau d'ions)
associées.

La fabrication du circuit intégré a proprement parlé est exécutée ensuite sur la "Chaine de
lithographie". l e niveau est transféré par projection de rimage du masque sur la plaquette de
silicium. Après développement les dimensions des motifs critiques (CD) et la qualité de
superposition (overlay) des niveaux entre eux sont conlrolées sur une machine de métrologie.
Enfin, après gravure et process du niveau, les plaquettes sont inspectées pour s'assurer do d&gré
de contamination Induit par les opérations successives ; pour des motifs de 1 micron aucune
particule supérieure à O,[Link] ne peul être tolérée à une fréquence supérieure à 1 fois lous les 5
cm ", Cette inspection optique est utilisée pour déceler les opérations critiques, améliorer les
procédés el, in fine, le rendement de fabrication .

le niveau n éta nt ainsi réalisé sur le lot de plaquettes on passe au niveau n + 1 et ainsi jusqu'au
niveau final N. Compte tenu de toutes ces opérations la réalisation d'un lot va preoore de 2 a 4
mois. Plusieurs lots de circuils différents vont donc cohabiter dans la chaine de fabrication rendant
indispensable une gestion de production par ordinateur (CAM) . A noter également que, pour
assurar une bonne production, plusieurs machines de lithographie vonl coexister dans une une
même ligne et que les lots sont susceptibles de passer su r des machines différentes, La notion
de comptabilité entre machines est donc fondamentale, notamment en ce qui concerne la
distorsion et le granclissement des optiques directement responsables de la qualité de superpo-
sition des niveau~.
 Equipements optiques pour la fabrication microélecrronique 359

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Enfin la dernière étape de fabrication du circuilest "rassembtage'. Elle comprend la dé-co\.lPEI des
puces dans le S\.lbslrat. leur lri. leur monlage et, Sur10ul, lout un ensemble de tests éteclnques.

LES MACHINES DE LITHOGRAPHIE

De nombreux équipements optiques sont u1ilisés dans ta fabrication des circuilS intégrés. Aux
mactlines de métrologie et d"inspec!ion déja évoquées on doit ajouter la mesure de planéité des
substrats, la mesure d'épaisseur des couches parellipsométrie et les controles de fin de gravure
ou dépOt par interférométrie laser. Pour être complet sur les équipements optiques, il faut évoquer
aussi les machines d"écriture directe qui tracent direc1ement les patlems sur le substrat SiliCium
à partir de la CAO. Ces machines dérivées des "panern generator" laser sont principalement
utilisées pour les niveaux de personna~satjon (niveaux interconnexions) descircuits cuSloms, telS
que les ASIC par exemple (3).
360 M. Lacombat

Nous ne parlerons ici que des seules machines de lithographie et des technique employées en
lonction du temps, ou, plut6t des conlraintes technologiques de labrication.

U8LUU 1 EVOLUTIONS OES OUTILS OE LITHOGRAPHIE

STRUCTURES ,m . .Kbll

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\~b!1 ' 6 Mb~ 64

0,'
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0,35
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SURFACES mm' . " ~ <~ '00 ,~

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OIAMHIlES ~mm '00 mm '25 mm 150 mm 200 mm 300 mm

1910 1975 1980

"" 1990
"" ,."
• ALIGNEUIlS CONTACT PIlO~IMITE

• PROJECTION
(ounLS ) CATAOIOf'TlllQUEll l _ _ _ _ •

• WAFEA STEPPERS 1/5 -C-:c,----,.

g li"" lline OUV

. STEP ANO SCAN _ _ •

• LI1lIO RAYDI<S ~

Dans révolution de la labrication des circuits intégrés lrois lacteurs principau~ conditionnent la
conception des outils de lithographie et plus précisement des optiques de tranSfel1 :
la dimension des molifs, la taille des circuils et celle des plaquettes de silicium.
le lableau 1 permet de sil uer les valeurs respectives de ces facteurs dans le temps.

Pendant près de 10 ans les circuits ont élé réa lisés par des machines simples de contact où le
translen d'image se fait par ombre panée, le masque étan! placé en contact avacla plaquel1e. Le
laux de défauts induit par ce contact étant devenu vite rédhibitoire ~ masque el la plaquel1e ont
été écal1ésde 10 à 15 microns (proximité). la résolution et le contrôle dimensiorlneldes motifs se
sont Irouvés dégradés et les lachniques de project ion ont du étre développées à partir des
années
 Equipements optiques pour la fabrication microéJectronique 361

Les premières machines de projection à voir le jour élaient des machines de projection dioptrique
de grandissement 1 projelant le masque complet sur le waler.
Elles n'ont pas survécu à rapparition des walers de 75 mm de diamètre, la résolution requise ne
pouvant ètre anaint pour un tel champ.

La figure 6 représente les principales techniques qui ont été mises en oeuvre.

(.) (b )

r: :: -:\
"
~.+
(o) (d)
fIO. e SCHEMA OE PRINCIPE
DES DlFFEREtfTES MACIINES OPnOUES OE UTHOG RAPHIE

.) P~ .. oc baIIrt_ 111
b) p~ ..oc bala)'aog_ ~ [Link] GI1
c) Pho1~I"" 111
d)~ionGl1

la première technique vraiment utilisée en production de masse, et pendant plus de 10 ans, est
celle de la projection 1/1 à balayage (Figure 6a). Conçue par ABE OFFNER. elle uti~se une
optique catioptrique àdeux miroirs sphériques non concentriques qui permet un éclairement UV
à spedre large (Figure 7). L'énergie disponible pour rexpos~ion est importante ce qui assure à
la machine une bonne cadence de [Link] système est dit à champ annulaire. La zone utile
de champ est limitée à un segment d'anneau concentrique avec raxe optique du système. La
VMu d'un tel dispositil est que tous fils points de cene zone sont vus sous le même angle réduisant
ainsi les aberrations (4, 5).
362 M. Lacombat

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' .... Mimi. prima, ..

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Mi",;, _<><OW",
• CO,WC' e

FIg. 7 SYSTUIE ~"'LlG H DE PROJf CTlON 111 ( _ n ~

L'illumination étant limitée àcene pollion d'anneau.l·image complète sera obtenu e par balayage
de rOplique par rappo rt au masque. Dans la pratique le masque et la wafer sont montés solidaires
sur un Chariot qui va les déplacer en parfait synchronisme par rappo rt à robjectil.

Plusieurs générations de ces machines 0111 vu le jour pour suivre l'évolution des diamètres de
plaquenes. Apartirde 125 mm roptique est devenue de plus en plus difficile à réaliserpour couvrir
le champ nécessaire et limiter les distorsions et défauts de grandissement d'une machin9 à rautre
qui interviennent directement sur la qualité de superposition des niveaux. Enfin, rouvel\ure
numérique, limitée à 0,2. ne permet plus de fai re face à la lithographie submicronique.

Partant du méme principe de base, mais en limitant le champ, Perkin Elmer aconçu un nouveau
dispositif (MICRASCAN) de projection à miroir mais avec un grandissement 1/4 . l e champ balayé
est limité (20mm x 32.5mm) mais rouverture numérique est portée à 0,35 (Figure 6b).

L·intérêt du rapport 1/4 est de pouvoir utiliser des masques échelle 4 plus laelles à réaliser, à
inspecter et à corriger. En contre parti e rexpositi on du wafer complet nécessite une exposition
champ par champ avec un balayage X du wafer à la vitesse V en parfait syncl1ronisme avec un
balayage du masque à la vitesse 4V (6). Ce système est en cours d'industrialisation par SVG .
l (USA).

PHOTOREPETEUR SUR TRANCHES

La seconde technique, utilisée en production à partir des années 80. est la photorépétition.
COnçue à rorigine pour la fabrication des masques échelle l ,elle a été adaptée à rexposition
sur warer. L'image du masque est projetée à travers un objectif à champ réduit et répété 9 surtoute
la surface du wafer. D'où son nom ·wafer ·stepper"" . Certaines réalisations (ULTRATE CH) uti~sent
une optique il miroirs de grandissementt permettant une illumination UV il spectre large (figure
6 cl. mais la plupan des steppers actuellement en production sont équipés d'objectifs dioptriques
réduisant rimage du masque (ou réticule) dun facteur 5 (figure Gd) . En limitant le champ il la
 Equipements optiques pour la fabrication microélectronique 363

dimen~on de vn ou 2·3 circuits on peut concevoir des objectifs de forte ouverture numérique.
réduire la diSlorsion et surtout. pour chaque image projetée optimiser la mise au point.

Sur le schéma de principe du stepper. figure a,ligurent les principaux sous ensembles associés
à roptiQue de projection (Il. le waler est placé sur une table X Y contrôlée par interférométrie laser
(4) ce Qui permet de positionner les images avec une précision de l'ordre du dizième de miCron
sur rensemble du warer. La position Z du substrat par rapport à robjectif est contrôlée et asservie
à la même préciSion par un dispo~tif de focalisation automatique (2).

Pour optimiser la soperposition des niveau~ entre eux, nolamment si le premier niveau a élé formé
sur une machine de projection 1/1 . il est possible de réaliser un alignement, à trallers robjectif.
entre des repères surfe warer et des repères stlrle maSQue (6). C'est ralignement puce à puce.
On résoud ain~ en majeure pallie les problèmes de comptabilité machines évoqués plus haut et
la quatité de superposition des niveaux ne dépend plus de la dimension des plaquettes.

Système optique : Compromis techniques et état de l'art

If Y a trois pnncipaux compromis techniques à considérer dans le projet d'un système optique
de projec!ion de warer stepper :
• la résolution el la profondeur de champ (DOF)
'/a maitrise dimensionnelle des motifs critiquas al l'éclairement
'Ie champ, la résolution et la distorsion.
364 M. Lacombar

Résolullon et profondeur de champ

La résolution utile Ru (fun objectif de photorépétition s'e~prime en fonction de touverture numé-

rique et de la longueur d'onde suivant la relation classique:

Ru _ k _ __
,
NA
où un terme empirique K est introduit pour tenir compte des conditions de process, notammenl
de la nature ou structure du film photosensible (7),

Si en recherche on peut quelquefois travailler avec un coefficient Kde 0,5, onconsidère que 0,8
est la valeur minimale utilisable en développement, c'est à dire permettant une tolè[Link] suffi,
sante dans les procédés associés à la formation d'images: épaisseur des couches,localisation,
énergie d'e~pos~ion, développement... Mais en production de masse, notamment au Japon pour
les mémoires DRAM les objectifs sont utilisés avec une valeur K de rordre de 0,95.

Dans une première étape d'une dizaine d'années. tes objectifS on! été améliorés en laisant passer
progressivement tOUVer1ure numérique de 0,2 à 0,55, et en gardant la même Iongueurd'onde
d'e~posilion, soit la raie g du mercure (436 nm),
En augmentant rOUl/erture numérique pour améliorer la rêsolution on réduit sens1blement la
profondeur de champ du dispositif. suivant la loi de Rayleigh :

"
0 ••- - - : - (0
2 (NA)'
~ DOF)

Ainsi pourune réSOlution utile de O,6511m en rale g. avec K _ 0,8 (figure 9) la profondeur de champ
totale sera limitée à 1,5 l'm.

RESOLUTION
1. 2 9-11n
, ,
,,., ~ l 1 1
1. 0 1-l1n :><DOF-3,O._

o. •
xeC!
t'--- ,,/ 1

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0' 1.5~ 1

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o.• _. 1
,
,
o., 0.45 a,s a.55 0.6
Fig. li RELATIONS ENme LA RESOLUTION, L'OUVERTURE NUMERIQUE
ET LA PROFONDEUR DE ctlAMP POUR K z 0.8
 Equipements optiques pour la fabrication microélectronique 365

En pratique la prolondeurde champ utile est réduite Du. 0,7 0

pour tenir compte de rastigmatisme et de la courbure de champ. Ce qui donne dans les condi·
tions précédentes une valeur utile de l,OS )lm. C'est une vateur limite pour rUlilisation sur les
plaquettes standards dont les écarts de planéilé varient de 0,3 à 0,9 [Link] dans un champ de 15 mm
X 15 mm si on lienlcompte, en plus, de la topographie résunant de la superposition des niveau~.

Pour les mémoires 16 et 64 Mbits il est devenu nécessaire de changer de longueur d'onde pour
gagner en résolution sans perdre en profondeur de champ (Figure 9).

La plupart des steppers vendus actuellement pour la production sont équipés d"objactifs corrigés
pour la rale i (365 nm) et les premières machines à source laser e~cimère (248 nm) sont
expérimentées dans les lignes pilotes (8.9. 10. 11).

Il eSI bien évident qu'un dispositif de focalisation est associé à l'obiectil du stepper pour garantir
une mise au point automatique champ par champ. Pour les nouveau~ objectifs DUV. ouverts à 0,5
(Ru _ 0,4 [Link] Du _ 0,7 )lm) il est méme nécessalre de mettre en oeuvre un controle d'assiette
(Ieveling) automatique champ par champ (9).

Chemp et Distorsion

Pour oplimiser la cadence de la production on cherche à réaliser des objectifs à grand champ
lim~ant le nombre d'e~positionpourune dimensjon de ptaquettesdonnée. On cherche également
à projeter plusieurs circuits identiques simultanément pour pouvoir inspecter plus aisément les
patterns les uns par rapport aux autres et délecter les éventuels défauts par comparalson . Le
tableau 2présente ~sprincipau~ objectilsdisponibles actuellement sur Je marché.On notera que
les 4 principau~ fabricants proposent desobjectils aux caractéristiques très proches. notamment
en ce qui concerne le champ (12).

TABLEAU 2 OBJECTIFS RECENTS DE STtOPPERS

CONSTRUCTEUR OUVERTURE
NUMERIQUE
LONGUEUR
O'ONOE(nm)
CtiAMP
mmxmm ,.
OISTORSION

....
ZEISS

ZEISS .... .
,'"
21 X 21

21X 21 ..,
"
CANON 0,52

.... '" 20X 20

NIKON

mOPEL ....
....
'"
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" '"
"'" ."
mOPEL
'" "" " '"
366 M Lacombat

A ta diffk:u~é d'obtenir une résolution sagitalle et tangenlielle homogène dans tOUl le champ
s'ajoute celle de réaliser une image de très faible distorsion. Comme la ~thographie des différents
niveaux d'un circuit doit pouvoir étre réalisée sur une machine ou rautre de la chaine de
production, la compatibilité des granclissements des objectifs est un e nécessité [Link]
teni r compte des variations de pression et de températu re les objectifs sont asservis en
grandissement, l'ajustement étant réa lisé par modification de la distance objet-image. D'oU la
nécessité de concevoir des objectifs tétécentriqves coté objel el coté image.

En ce qui concerne la distorsion, la disperSion de labrication sur les objectifs modernes (champ
20 mm x 20 mm) est intérieure il lOOnm. En appairant les objectifs on arrive il const~uer une
chaine de production avec une dispersion inférieure il 60 nm (8, ID).

Maitrise dimensionnelle des motlfs critiques et éclairement.

Les caractéristiques des ci rcuits sont directement tributaires de la précision et de la répétabilité

de la lithographie. Pour garantir un bon rendement de fabrication les tolérances sur les motils
critiques des cirCUits el leur superposition sont très serrées. l e tableau 3 les résume pour les
circuits actuels el futurs.

TABLEAU 3
SPECIFICATIONS POUR LA MICROUTHOGRAPH!E DES MEMOIRES ORAM

4 Mbit 16 Mbit 64 Mbil

DimensJon motif !lm 0,75 0,6 0,35

(CO)
Tolerance sur CD !lm ± 0,07 ±O,05 ±O,03

Précision de !lm ± 0,25 ±O,20 ± 0,12

superposit ion

La dimension des motifs correspond il celle de la base du Irait développé dans la couche de résine
(épaisseur Iype 1,2Itm). Ladispersion surtout le waferpourun Irailda O,6ltm, de vra élre au plus
égal il 50 nanomètres et la pente du profil supérieur il 82 0. Ces cond ilions strictes impliquent:

• une panaite homogénéité de la MlF dans le champ

• rutilisation de tobjecti l dans un domaine de fréquences spatiales bien inférieur il la demi
fréquence de coupure.
• la mise en oeuvre d'un éclai rement de cohérence spa~ale plus fone que calle de
l'éclairement Kohlerclassique (0.0,65) . Poor les dispositifs modernes la COhérence spatiale
sera ajustable de 6.0.65 il 6.0,6. Pour l'utilisateur ceci revienl il améliorer la résolu!ion
utile Au en réduisant la valeur du paramèlre K (13).
• une variation d'éclairement dans le champ qui doit être limité lout au plus il ± 2 %.

Des d;Hérenles solutions possibles pour uniformiser téclairement dans le champ image, celle qui
est retenue par la plupan des équipementiers eSlle système 'oeil de mouche' (14).
 Equipements optiques pour la fabrication microélectronique 367

le principe schématisé figure 10 consiste il. découper le plan éclairé en éléments adjacents,les
éléments sont superposés dans le plan il. éclairer A'. la pupille P' est alorscomposée d'une image
multiple de la source emetlrice, C, al C, sont das collimatrices QlIi rejetlarlt P at A' à rinlini au
niveau des microlentilles, respectivement II et l2,

C, L, ~ c,

T
P A P' A'
Figure 111 PRINCIPE DU SYSTEME ·OEIL DE MOUCHE"

l'unilormité d'éclairement obtenue en A' dépend de ral ignement respectil des lentilles LI etl2.
Ladistance LI l2 est ajustée pour réduire le délaut résiduel qui se traduit par plus de lumièra au
bord par rapport au cantre.

Diflérentas réalisations sont possibles, soit par microlantilles ou das billes, doit par des microbar-
raaux conlceaux, Les unilormisaurs Microcontrola u~lisant des barreaux cylindriques sur les·
quais sont réalisés un méplat. les barreaux sont croisés et accolés,
Dans la cas particulierd'una source laser excimère la nappe L2 na paut pas supporter ladensité
d'énergie, Il est nécessaire d'étaler les points chauds an réalisant un systèma il. étage, Pour
obtenir runilormité requise un système à 3 nappes da microlentilles sara utilisé avec pour
conséquence une perte d'énergie non négligeable,

TABLEAU 4 RESUME DES SPECIFICATIONS Qf'TlQUES OVN STEPPER

• Ouverture numérique
• longueur d'arlde
Clrwlls
"
~ O,4
... ...."
Clrwlls

365 nm
~ 0,5
248 nm
, Banda passante Il )" ±3nm ±0,OO2nm
• Champ, diamètre ~20 mm ~28mm
• Limité par la diffraction
• Hornogénéïté MTF sagitalle et
tangentielle dans le champ, écart ,,%
• Astigmatisme + courbure de champ S O,311f11
• Télécentr\cité cotés objet et image
• Distorsion dans le champ s 75 nm
• Transmission
, Homogénéité éciairemenl , 2%
~ 70%

• COhérence spatiale ajustable 0,3 àO,6

• Grandissernent ajusta~e
dynamique ~±30ppm
senslbllité 1 ppm
368 M. Lacombat

L'ensemble des points qui ont été abordés peut se résumer par le tableau 4 qui lixe les
spécifiCations requises pour les optiques actuelles etlutures des photorêpéteurs.

Ce qui n'a pas été mentionné, c'est la ditférenœ importante qui existe entre les générations
acluelles de steppers utilisant les longueurs d'onde du mercure, raies g et i, dans le violet, et le
stepper excimère u1i1isant une source émettant dans l'ultraviolet à 248 nm, en rég ime pulsé et
avec un cenain degré de cohérenœ.
Il serait trop long de développer ici les solutions techniques qui ont été mises en oeuvre, On peul
se rétére r au livre de Kanti Jain (15) pour pJus de détaJls,
Pour résumer:
" robjectif ne peut être réalisé qu'en silice fondue, seul matériau disponible ave<: la qualité
requise (homogénéité d'indice meilleure que 10 ") qui soit transparent à cette longueur d'onde,
Dans ces conditions la bande passante A À sera e:drémement faible 0,02 A.
" rémission laser, de largeur naturelle environ 0,3 nm doit étre "rétrécie" et "accordée" en
permanence sur la valeur de correction de robjectil. A la source laser doivent également être
associés un "déCOhéreur" et le dispositif oeil de mouche pour éliminer les phénomènes de
speckles et passer d'une réparti tion dissymétrique d'énergie dans le faisceauu à un éclairement
homogène dans le plan Image.

Technique d'alignement

Pour décrire complètement un stepper il faut parler également du posi1ionnement des images par
rapport aux niveaux déjà processsés ; et les règles de fabrication sont strictes, les écarts entre
images de niveaux successits ne doivent pas être supérieurs au tiers de la dimension des motifs
,soit par exemple ± 0,2 !.lm pour tes mémoires 16 Mbit (tableau 3),
Plusieurs tacteurs peuvent entrainer des écarts locaux ou globaux (tableau 5) Tout d'abord
l'ensemble des systèmes optiques de lachaine de tabrication, y compris les masques-réticules,
doivent être parlaitement "accordés" (mi x and match des steppers), controlés
(température,grandissement) pour que les images soient parlaitement superposables,

TAelEAU 5 CONmlBunONS AUX ECARTS DE SuPERPOSITiON (é l'khelhll)

• Position des motifs sur le réticule é/l .. 100 nm

• Variation dimensionnelle des motifs é/2 loonm
• Erreurs d'alignement é/3.. 50nm
• Dilatation thermique des masques el waters é/42,5 ppm rc
[Link]
• Distorsion du système optique AS :s; toonm

Ensuite il faut réaliser ralignement. tl se fait en général en trois étapes successives:

" le préalignement de la plaquette exécuté avant son introduction sur le stepper pour la
centrer el l'orienter par rapport à ses axes,
"L'alignement fin et g lobal de la plaquelle par rapport au réticule .
• el enfin, pour les niveaux critiques, l'alignement champ par champ,
 Equipements optiques pour la fabrication microéJectronique 369

La stratégie d'atignement diffère d'un eon$lr\Jcteur à rautre , mais te principe générat reste te
même: fai re coincider des repè res du wafer (W t W2) avec des repères du réticute (M l M2) par
observation à travers robJectif (figure t l ),

11e\
~
.,,,,,,,
RcjlÙe alignement

...... ..... . ...

Re~.
d'a1igntmeru
......
Repùc dans les
lignes de d&:oupe

Av·" "fUHC/PE UAUGNEIoIENT A TRAVI;JlS l '06JECllF FIg. 12 EXEMPLE DE REPERES D'ALIGNEMENT

En faisant coincider suocessivement les repères M 1 M2 avec les repères W l et W2 on peut ajuste r
finement
oies positions angulaires du wafer et du réticule par rapport au x axes X y de la machine
o L'origine de la photorépét ition
o l'écart exact entre patterns c'est-à-d ire le pas de photo répétition pour teni r comple de la
distorsion el de la tempéraure du wafer .
o le grandissement de j'objecti t.

Cene slratégie, telle qu'elle est appHquée par ASM-L par exemple, permet de réduire au minimum
les différentes contributions (tableau 5) aux écarts de superposition. Pour les niveaux non
critiques, elle sera suivie de ta photorépétltion "en aveugle"!e positionnement sur les patterns
suocessifs élant confié au x interféromèlres qui contrôlent le positionnement de la table.
L'alignement Champ par champ, qui réduit la [Link] de production, ne sera exécuté que pour
les niveaux critiques. Des repères spécifiques placés dans les lignes de découpe (f'9ure 12) sont
projetés sur les repères réticu le MI M2 el leur coü'lCidern;e optimis~ par ajustement lin de la
position du wafer.
370 M. Lacombat

Chaque constructeur a sa propre technique d'aligement utilisant des repères et modes de

détection spécifiques. Nous ne ferons que mentionner un seul exemple, mis en oeuvre par ASM-
Uthography, basé sur la diffraction de réseaux (16. 17). En "récupérant" les seuls ordres diffractés
± 1 on s'afffanchit en grande pal'1ie des probtèmes de qualité d'images réatisées à une longueur
d'onde, en général 633 nm, hors de la zone de correction de robjectif. Cene technique a surtOlJt
ravantaged'être très robuste, c'est-à-dire garantir un bon rapport signal sur bru~, sur les différents
niveaux de process, les repères étant recouverts de couches suo::essives de nature différente :
faible réflectivité pour le nitrure, granularité importante pour raluminium, par exemple.
les préciSions obtenues avec de telles méthodes sont de rordre de quelques nanomèlres à
70 nm pour (es niveaux les plus difficiles (8.10,11). Elles sont adaptées aux performances
requises pour les circuits luturs (18)

lE FUTUR DE LA MICROUTHOGRAPHtE

Dans les années 83 - 84 on s'est sérieusement préoccupé du remplacemnt de la microlithogra-

phie optique pour la production à 1 micron. Des études impol'1anles ont été entreprises pour
développer des machines à faisceau d'électrons plus rapides, à faisceau formé, et également
prospecter sur la lithographie à rayons X.

Paral lètement des progrès importants ont été réalisés sur les résines photosen~bles soit grâce
à des produits nouveaux. soit avec des techniques de renforcement de contraste ou remploi de
multicouches. Ces progrès ont permis, avec raméliroation des performances des objectifs, de
"1ranchir le mur du micron". On sait maintenant que la génération 64 Mbit pourra aussi étre
réalisée, à 0.35 micron., avec les steppers excimère en unraviolet. Mais après? le quart de micron
est·il réaliste en optique?

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 Equipemems optiques pour la fabrication microélectronjque 371

Parmi les recherches actuellespourpréparerce luturtrès proche la plupart sont orientées sur les
longueurs ô'ondes très courtes dans le domaine des rayons X mous. Dans toutes ces recherches
on conserve le principe de l'image à champ limité et de la répétition seul garantes d'une bonne
qualité d'image et d'une parlaite superpo~tion des niveaux.
En marge de ces travaux,lI faut citer tout d'abord les développements en cours sur le ' stepper
holographique" entrepris par HOLTRONIC (19) S\Iivant le principe de la figure 13. Des travaux
identiques sont en cours également en Californie (20).

L'hologramme d'un masque est enregistré [Link] prisme dans une résine de forte épaisseur Dans
une deuxième étape rimage est restituée sur le wafer placé à la positi on précise du masque. Ce
dispositif simple et peu couteux dans son principe. sans optique, a ravantage de ne pas êlre limité
en champ. Un résolut ion de O.3~m est obtenue sur prototype. résultat équivafent à une ouverture
numérique supérieure à 0,7.

Les limitations se situent bien sur dans la profondeur de champ du dispo~tif, moins de 0,5 micron
et également dans la réalisation de rhologramme. étape supplémentaire réalisée à partir du
masque échelle'. étape qui doit être réalisée sans défaut .

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~

..•.
~"

Anneau de slockage

Fig. 14 AlTERNAnvES EN LITHOGRAPHIE RAVONS X

Mais les développements qui ont été entrepris sur les steppers X, notamment en Allemagne el
au Japon. sont aUlrement plus importants (21, 22). En rééuisantla longueur d'onde à quelques
nanomèlres on peUl revenir à la projection par ombre ponée avec le maque aIle waler placés à
10· 15 microns de distanca. L'exposition est faite champ par champ, avec répél~ion par
déplacement du wafar. C'est le stepper X. Il pose deux problèmes majeurs. celui du masqua at
celui de la source.

Le masque est réalisé soit sur un film polymide, soit, prélérenliellament, sur un film mince de
nilrura da Silicium de 2 microns d'épaisseur. Las patterns sont constitués par de ror ou du
tungstène.
372 M. Lacombat

La stabililé dimensionnelle du masque est la principale dilfictJNé à laquelle se heurtent les

technologues actuellement.
Les sources classiques AX à anode toumante fournissant trop peu d'énergie, on s'est orienté très
rapidement vers le rayonnement synchrolron (figure 14). Des minianneaux de stockage ont été
développés pour conslituer les sources de sleppers X. Ces minianneaux peuvent alimenter
plusieurs steppers et constituer ainsi la source unique pour toute une ligne de production.
L'investissement est important et le risque lourd de conséquences pour le fabricant de circuits
intégrés qui voit ainsi toute sa production tributaire de la liabilité de l'anneau et de son injecteur.

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fig. 15 IMAGERIE RAYONS X

O'aulre Iypes de sources sont également proposées tels que:

- le laser à éledrons libres qui permet de choisir une longueur d·onde dans un spectre très
large de 4 nm à 100 nm (23) et pourrait aussi alimenter plusieurs steppers.
- Une source RX à plasma laser (Fig. 14) qui permet de revenir à une machine intégrée.

Mais d'au1res difficultés vont surgir en production: comment réaliser un maSQUe échelle 1 avec
des motifs de 0,25 [Link] puis plus tard 0.1 micron, el ce, avec une préciSion de quelques
nanomètres, el avec une qualité zéro défaul ?
La dilficuHé technologique estlelle que les chercheurs orienlenlleurs travaux aujourd'hui vers la
réalisation d'optiques de réduction qui permettraient d'utiliser des masques à échelle 5 ou 10
(figure 15) (24).
C·esl également un beau défi. mais il est dans la continuité de ceux que se sont fixés les opticiens
el technologues depuis que la microlilhographie est venue troubler !eur sommeil 1
 Equipements optiques pour la fabrication microélecuonique 373

CONCLUSIONS

Nous avons passé en revue tes différents aspects de la fabrication des circuits Intégrés et de sas
répercussions sur les machines optiques de micro lithographie. Ce n'est qu'un survol incomplet
el approximatll, mais il permet peut être au lecteur non averti de se faire une première idée sur
les techniques mises en oeuvre. Pour compenser les lacunes de ce descriptif général nous
proposons au lecteur qui voudrait parfaire sa connaissance de consu~er les spécialistes. Nous
avons essayé de réunir en référence leurs plus récentes Interventions.

Je ne voudrais pas terminer cet exposé sans remercier M. Steve WITTEKOEK qui m'a aimable-
ment fourni informations et documentaHon et Mma Jocelyne MAHE pour son aide efficace dans
la préparation et la rédaction du texte .

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