COURS D’ELECTRONIQUE

1 CONTENU
 Généralités : rappel de quelques notions
 Notations et conventions

 Théorie des semi-conducteurs

 La jonction PN et les diodes à semi-conducteur (Diode – Thyristor)

 La polarisation du transistor bipolaire

 Le fonctionnement dynamique du transistor bipolaire

 L’amplificateur opérationnel en régime linéaire

 Les filtres fréquentiels

 L’amplificateur opérationnel en régime non linéaire

 Les transistors à effet de champ

 Notions sur l’électronique de puissance : variateurs (redresseurs, hacheurs, onduleurs, …)

Examens ( 1 périodique + 1 final)

1
 GENERALITES

L'électronique: définition
De manière très générale, ensemble des techniques qui utilisent des variations de grandeurs électriques (en général, de très petites
grandeurs!) pour capter et transmettre l'information.
Principales étapes du processus de traitement et de transmission d'une information sonore, depuis la note de musique
émise par un instrument jusqu'à celle entendue par l'auditeur d'un concert ou d'un disque.

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Exemple très simple de variation de grandeur électrique : passage d'un courant dans une DEL, dès lors que la tension
de seuil de cette DEL est atteinte ou dépassée. Information résultante = allumage de la DEL.
Extinction DEL, par suite d'une tension d'alimentation insuffisante = une autre information...
Autre exemple: la tension (grandeur électrique) disponible aux bornes d'un capteur de température évolue en fonction
de la température à laquelle cette sonde est soumise. Chacune des valeurs obtenues correspond à une information, qui
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est ensuite traduite en degrés centigrade.
Notion importante = "taille" des signaux traités en électronique. Très souvent, le montage est alimenté en régime continu
sous basse tension (de l'ordre de 5 à 10 volts). On applique ensuite un signal alternatif à l'entrée de ce montage (pour
l'amplifier,
3 ou le comparer à un autre signal, par exemple). Dans la plupart des cas, le signal alternatif est de faible
amplitude comparé aux tensions continues nécessaires au fonctionnement propre du montage. On parle alors de régime
de petits signaux.

Les semi-conducteurs
Début des années 50 : développement électronique "moderne" après l'invention du transistor et des premiers circuits
dits "intégrés" (plusieurs transistors rassemblés sous un boîtier aussi petit que possible). Révolution technologique
possible grâce aux semi-conducteurs.

Les semi-conducteurs (silicium et germanium pour l'essentiel) : après "dopage", possèdent la propriété très
remarquable de se comporter comme des conducteurs électriques, mais dans un seul sens.
Au contraire d'un fil de cuivre, qui laisse indifféremment passer un courant dans un sens ou dans l'autre, les semi-
conducteurs sont polarisés: le courant ne peut les traverser que dans un sens prédéfini, selon leur dopage. 
possibilité de contrôler très finement les flux d'électrons.
3
Avantages des composants à semi-conducteurs
Conception et fabrication en très grandes séries de composants "électroniques": diodes, transistors, circuits intégrés..., Ils
4 au moins trois avantages décisifs:
présentent
 un contrôle très fin et très sophistiqué de la conduction électrique, c'est-à-dire des flux d'électrons
 des valeurs de tension et d'intensité beaucoup plus faibles
 un encombrement très réduit (miniaturisation poussée)

Un problème épineux: les dipôles non-linéaires

Circuits électriques très simples, composés de générateurs et de résistances, qui sont des dipôles linéaires : loi d'Ohm
permet de calculer aisément les valeurs de U, I et R.
Problème corsé dès qu'on a affaire à des dipôles à semi-conducteurs (caractéristiques non linéaires)  calculs complexes
Solution : utiliser les composants non-linéaires sur une courte portion de leur caractéristique et on simplifie grandement les
calculs en assimilant cette portion de courbe à une droite. On définit de la sorte ce qu'on appelle des paramètres
dynamiques (ou différentiels) du composant non-linéaire, (paramètres valables que sur la portion de caractéristique
concernée)  on peut alors utiliser la loi d'Ohm.

4
Qu'est-ce qu'un signal électrique?
signal électrique = variation d'une grandeur électrique (souvent une tension), qui peut aller d'une valeur "zéro" à
5 maximale quelconque. Un signal électrique peut se manifester sous une foule de formes différentes, mais en
une valeur
définitive, il s'agit toujours d'une variation d'une tension, d'une intensité...

Exemple de signal électrique analogique, dont la

variation est continue dans le temps. Cette forme
d'onde est celle d'un signal audio.

Pour visualiser et mesurer un signal électrique, ou même plusieurs

signaux simultanément, on utilise un oscilloscope.

5
 6

Quelques formes d'onde (waveforms, en anglais) de signaux électriques

Paramètres d'un signal analogique (03)

- La fréquence, mesurée en hertz (Hz)
- La période (1/f), mesurée en secondes (s)
- L'amplitude, mesurée en volts (V)

Autre exemple de signal : forme rectangulaire, délivré par de nombreux circuits

intégrés.
Ce type de signal permet d'introduire la notion de rapport cyclique (quotient de
la durée de l'état haut par la période, ou durée totale d'un cycle). Dans l'exemple,
le rapport cyclique est de 50 %.
Les signaux de ce type sont souvent appelés créneaux (pulses, en anglais), ou trains
d'impulsions. A la différence des signaux alternatifs de même forme, ceux-ci sont
toujours positifs. 6
 Signaux complexes
Signaux de forme simple, sinusoïdale ou rectangulaire = les plus faciles à étudier. Cependant, tous les signaux
électriques, à commencer par les signaux "audio" (sons, paroles, musique...), ne présentent pas des formes aussi
7
régulières et répétitives.
Superposition d’1 signal continu et d’1 signal alternatif :

Résultat = signal complexe, dans lequel on retrouve la composante continue (en bleu) et la composante alternative (en
rouge). Séparation efficace de ces deux composantes  recours à un condensateur (bloque la composante continue et ne
laisse passer que la composante alternative). Ceci est indispensable pour le traitement des signaux audio.
Si on "mixe" deux signaux alternatifs dont l'un est une harmonique de l'autre, on obtient un signal qui ressemble à ceci:

Harmonique = signal dont la fréquence est un multiple entier du signal dit fondamental. Ainsi, la fréquence de la
troisième harmonique est trois fois supérieure à celle de la fondamentale. 7
Signaux parasites : le bruit

8 en anglais): en électronique = parasites, signaux "nuisibles".

Bruit (noise,

Mélange de fréquences plus ou moins aléatoires, d'amplitudes disparates. A l'écoute, le résultat est affreux. D'où viennent
donc ces signaux parasites?
 Des interférences entre différents appareils électriques, des signaux radio captés et amplifiés par des circuits auxquels ils
ne sont pas destinés...
 Choc des électrons dans les circuits électroniques. L'échauffement des circuits, sous l'effet Joule, provoque une
"surexcitation" des électrons, qui s'entrechoquent de manière désordonnée, d'où la production de bruit.  l'importance de
lutter contre toute dérive thermique des circuits électroniques.

8
Signaux analogiques et signaux numériques
Un signal analogique est un signal dont la variation est continue. Sa forme d'onde, qui peut être très complexe, a pour
9
modèle théorique la sinusoïde. Une tension alternative, par exemple, est un signal analogique périodique (se répétant à
l'identique). Une montre, un compte-tours ou un voltmètre à aiguilles sont des appareils analogiques.
Un signal numérique (digital, en anglais), se traduit par une succession de valeurs 0 ou 1, correspondant à l'absence ou à
la présence d'un potentiel électrique ou, en d'autres termes, à un état bas ou un état haut. La variation de ce type de
signal n'est donc pas progressive, puisque seuls deux états sont possibles. Un processeur, par exemple, reçoit, traite et
transmet des signaux numériques.
Certains circuits intégrés, appelés convertisseurs (A/D converters, en anglais), sont spécialisés dans la conversion de
signaux analogiques en signaux numériques, et vice-versa. Ils permettent, par exemple, de faire communiquer un
ordinateur et un appareil ou dispositif analogique (sonde, capteur, relais, etc...), ou encore de transformer un son
(musique, voix humaine...) en signaux susceptibles d'être traités par un ordinateur. Une application exemplaire, à cet
égard, est le modem, qui permet de faire transiter données, images ou sons numérisés sur une ligne téléphonique,
laquelle n'accepte que des signaux analogiques. Le scanner, pour sa part, permet de numériser un document analogique
(image ou photo sur papier...).

9
 NOTATIONS - CONVENTIONS - APPROXIMATIONS

1. Grandeurs électriques continues ou variables

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Convention universellement adoptée :
 Grandeurs constantes systématiquement notées avec des lettres majuscules (Ex : U1, V, IB, VBE, Vmax)
 Grandeurs variables au cours du temps notées systématiquement à l’aide de lettre minuscules (Ex : vB, i1, iB, vBE, v+)
Lorsqu’on écrit vB, cela sera toujours équivalent à vB(t)

2. Grandeurs vectorielles et scalaires

Grandeurs scalaires notées en caractères maigres (Ex : U, v, iB)
Grandeurs vectorielles notées en caractères gras (Ex : E)

3. Représentation complexe
Associée (uniquement) aux circuits électriques fonctionnant en régime sinusoïdal :
v(t) = V0cos(ωt + φ)  V = V0ej(ωt + φ)

4. Sources de tension et de courant

10
Source de tension Source de courant
5. Schémas

11

connexion pas de connexion

6. Convention générateur
Lorsqu’un générateur alimente un dipôle récepteur, la présence d’un seul et même courant dans le circuit impose, de fait
la règle suivante:
Lorsqu’un dipôle récepteur présente, à ses bornes, une différence de potentiel u(t) représentée par une flèche dirigée
vers le potentiel le plus élevé, il est parcouru par un courant que l’on représente positivement par une flèche dirigée
en sens contraire.
i(t) i(t)

u(t) u(t)

générateur récepteur 11
7. Lois de fonctionnement des dipôles élémentaires
Trois dipôles passifs linéaires (les plus) utilisés :

Résistance : Bobine d’auto-inductance L : Condensateur de capacité C:

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u = Ri u = Ldi/dt u = 1/C∫idt  i = Cdu/dt

i(t) R i(t) L i(t) C

u(t) u(t) u(t)

8. Lois de Kirchoff
Loi des nœuds : ∑ algébrique des i circulant en direction d’un nœud d’un circuit est nulle  ∑i dirigés vers un nœud
du circuit est = à la somme des i issus de ce même nœud.

i2
i3
i1 + i2 – i3 – i4 = 0
i1
i4

Loi des mailles :

∑ algébrique des tensions relevées le long d’une maille est nulle. e2

Tensions orientées sens parcours (+),
e1 e3
Tensions orientées en sens contraire (-) e4
12
Exemple : e1 - e2 - e3 + e4 = 0
 9. Théorème de Millman
Le potentiel en un nœud quelconque d’un circuit est égal à la moyenne des potentiels des nœuds voisins, pondérée par
13des conductances (inverses des résistances) des différentes branches.
les valeurs

10. Théorèmes de Thévenin et de Norton

Théorème de Thévenin
Tout circuit électrique linéaire placé sous la forme d’un dipôle, est équivalent à un dipôle équivalent de Thévenin formé
de générateur de tension parfait E et d’une résistance R associés en série. La valeur est égale à la tension à vide aux bornes
du dipôle et R est la résistance équivalente à l’ensemble du circuit lorsque toutes ses sources de tension ont été court-circuitées
et ses générateurs de courant remplacés par des circuits ouverts.
Théorème de Norton
Tout circuit linéaire placé sous la forme d’un dipôle, est équivalent à un dipôle équivalent de Norton formé d’un générateur
de courant parfait I et d’une résistance R associés en parallèle. La valeur de I est égale au courant entre les deux bornes
court-circuitées du dipôle (courant dit de court-circuit) et R est la résistance équivalente de l’ensemble du circuit lorsque
13
toutes ses sources de tension ont été court-circuitées et ses générateurs de courant remplacés par des circuits ouverts.
Equivalence Thévenin – Norton
Tout générateur de tension parfait E placé en série avec une résistance R est équivalent à un générateur de courant
14 en parallèle avec la résistance R.
E/R placé

11. Principe du diviseur de tension

Ensemble de deux résistances R1 et R2 en série et parcourues par un même courant, soumis à une ddp 0V/V0,
le potentiel du point milieu est :
_

14
 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

Configuration de l’atome suivant Bohr : noyau entouré d’électrons (figure 1)

Force 15
attraction des électrons par le noyau contrée par force centrifuge due à leur déplacement. Vitesse plus grande
d’autant plus que l’orbite se rapproche du noyau.
Représentation à 3D difficile pour certains atomes → représentation par des diagrammes 2D (figure 2)

14P

2-8-4

Figure 1 : Modèle de Bohr Figure 2 : Atome de silicium

1. RAYON ORBITAL
Certaines orbites seulement sont permises, autrement dit certains rayons sont interdits. Exemple atome H : plus petite
orbite r1 = 0,53(10)-10 m. L’orbite suivante doit avoir un rayon r2 = 2,12(10)-10 m. Tous les rayons situés entre r1 et r2 sont
interdits. Pourquoi?
Electron joue 2 rôles à la fois : quelquefois se comporte comme 1 particule possédant une masse ponctuelle, quelquefois
comme une onde vibrant périodiquement dans l’espace. Donc l’orbite d’1 électron doit satisfaire non seulement les
équations d’une particule mais aussi les équations d’une onde. Comportement onde → seules sont possibles les orbites
dont la circonférence est égale à la longueur d’onde ou à un multiple de celle-ci. 15
 2. NIVEAUX D’ÉNERGIE
Orbites courbes représentées par des lignes horizontales pour faciliter les représentations graphiques. (figure 3)
Atome peut être bombardé par NRJ externe (chaleur, lumière, …) ou autre rayonnement, 1 électron peut être projeté à un niveau d’NRJ plus
16
élevé (orbite plus grande) : atome en état d’excitation pdt un temps qui ne dure pas, puis retombe à son niveau d’NRJ original en rendant l’NRJ
acquise sous forme de chaleur, lumière ou rayonnement.

Figure 3

3e niveau d’énergie
r3 r3

2e niveau d’énergie
r2
r2
1er niveau d’énergie
r1
r1
Paroi du noyau

(a) Orbites d’1 atome (b) Niveaux d’NRJ

Énergie Énergie
Énergie

16
Figure 4 : (a) e- absorbe l’NRJ (b) État d’excitation (c) e- émet de l’NRJ
3. BANDES D’ÉNERGIE
Cristal formé de plusieurs atomes de Si : orbite d’1 e- influencée non seulement par les charges à l’intérieur de son propre
atome mais aussi par le noyau et les électrons de tous le atomes du cristal. Les e- qui gravitent sur les premières orbites ont
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des niveaux d’NRJ légèrement différents puisqu’il n’ont pas exactement le même environnement de charges. Comme il y a
des milliards d’électrons de première orbite, les niveaux d’NRJ légèrement différents forment une bande. Les milliards
d’électrons de seconde orbite forment également une deuxième bande, car ils ont, eux aussi des niveaux d’NRJ légèrement
différents les uns des autres. Et les e- de troisième orbite forment la troisième bande.

Énergie

r3 Bande de valence

r2 2e bande

r1 1re bande

Figure 5 : Bandes d’énergie

17
4. CONDUCTION DANS LES CRISTAUX
Barreau de Si avec extrémité métalliques (figure 6); une tension établit un champ électrique entre les extrémités du cristal.

18 du courant électrique dépend de la présence d’e- mobiles dans le cristal.

Circulation
Zéro absolu, les e- ne se déplacent pas dans le cristal, ils sont prisonniers des atomes de Si.
Figure 7 : diagramme des bandes d’NRJ; les 3 premières bandes sont saturées et les e - ne peuvent s’y déplacer facilement.
Au-delà de la bande de valence (BV), il y a la bande de conduction (BC) qui contient l’ensemble suivant des orbites
permises, et dont les orbites sont si éloignées du noyau que l’attraction de ce dernier est négligeable. Si 1 e - est poussé dans
la BC, il peut alors se déplacer facilement d’un atome à un autre, c’est pourquoi on appelle le e - de la BC des e- libres.

Énergie

Métal Métal Bande de conduction

Silicium pur

r3 Bande de valence

r2 2e bande

r1 1re bande

Figure 6 : circuit Figure 7 : Bandes d’NRJ à la

température du zéro absolu
18
Au-dessus du zéro absolu, NRJ thermique brise qqes liaisons covalentes, ce qui projettent des e- de valence dans la BC
(figure 8-a). Influence champ électrique → e- libres se déplacent vers la gauche et forment 1 courant.
Figure 8-b : bandes d’NRJ, e- projeté dans la BC où ils gravitent sur des orbites plus éloignées et sont faiblement retenus par
19
les atomes (donc plus facile déplacement d’un atome à l’autre).
Chaque fois qu’un e- est projeté dans la BC, 1 trou apparaît dans la BV (figure 8-a). De ce fait, la BV n’est plus saturée :
chaque trou représente une orbite disponible. A T° ambiante (25°C), le courant est trop faible pour être utilisé . A cette T°,
le Si n’est ni un bon isolant ni un bon conducteur, c’est pourquoi il porte le nom de semi-conducteur.

Énergie

Déplacement des électrons

Bande de conduction

Bande de valence

2e bande

1re bande

Figure 8 : (a) flux électronique (b) bandes d’NRJ à T° ambiante

19
Courant dû aux trous
Dans 1 SC, il y a deux sortes de courants, le courant d’e- libres de la BC et le courant de trous de la BV.
Figure 9-a : déplacement de trous dans le cristal(en sens opposé de celui des e-).
20
Figure 9-b : l’NRJ thermique chasse un e- de la BV jusqu’à la BC. Ce qui crée un trou dans la BV. Comme l’écart d’NRJ est
faible, l’e- de valence en A peut se déplacer jusqu’au trou qui disparaît alors qu’un nouveau trou apparaît en A. ensuite, l’e - de
valence situé en B se déplace jusqu’au nouveau trou avec un léger changement d’NRJ. Ainsi, les e- de valence peuvent se
déplacer le long du parcours indiqué par les flèches sans avoir besoin de grandes quantités d’NRJ. Tout se passe comme si le
trou se déplaçait suivant la trajectoire ABCDEF dans la BV.
Paires électron – trou
Tension externe appliquée forcent déplacement d’e-. Sur la figure 10-a, on peut voir deux sortes d’e- mobiles : les e- de la BC
et les e- d la BV. Mvt des e- de valence vers la droite entraîne mvt des trous vers la gauche. Généralement, on parle de trous
plutôt que d’e- de valence. Dans 1 SC pur, chaque e- de la BC correspond à 1 trou dans l’orbite de valence d’un atome.
Autrement, l’NRJ thermique produit des paires électron-trou. Énergie

Bande de conduction

Bande de valence

F E D C B A 20
Figure 9 : (a) courant de trous (b) diagramme de l’énergie d’un courant de trou
Recombinaison
Figure 10-b, chaque signe moins représente un e- d’1 BC sur 1 orbite éloignée, et chaque signe plus est un trou d’1 orbite
plus petite. Il arrive quelquefois que l’orbite de la BC d’un atome empiète sur l’orbite de valence d’un autre atome, ce qui
21
explique qu’1 e- libre tombe souvent dans 1 trou. Cette rencontre d’1 e- libre et d’1 trou se nomme recombinaison. Quand
il y a recombinaison, le trou ne se déplace plus, il disparaît. La recombinaison est chose courante dans 1 SC.

Électrons de la bande de Électrons de la bande de

conduction conduction

+++++

Électrons de valence Trous

(a) (b)

Figure 10 : deux chemins pour le courant

Dopage
Semi-conducteur intrinsèque : par exemple cristal de Si pur (chaque atome est un atome de Si); les paires électron-trou sont
les seuls porteurs de courant dans 1 SCI.
Dopage = addition d’impuretés atomiques non trétavalents à un cristal pour accroître le nombre d’e- libres ou de trous.
Cristal dopé est appelé semi-conducteur extrinsèque.
21
5. SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N
Ajout d’atomes pentavalents pour obtenir des électrons supplémentaires dans la BC. Dans le cas du silicium, après
formation de liaisons covalentes avec les quatre voisins, l’atome central a un électron de trop. L’orbite de valence ne pouvant
22
accepter plus de 8 électrons, l’électron supplémentaire va sur une orbite d’une BC.
Cristal dopé par 1 atome pentavalent :
Dopage produit beaucoup de nouveaux électrons libres dont le nombre peut être contrôlé en dosant la quantité d’impuretés
à ajouter.
L’NRJ thermique produit encore quelques paires électrons- trous beaucoup moins nombreuses cependant que les électrons
libres produits par le dopage.
Électrons = porteurs majoritaires; trous = porteurs minoritaires
Atomes pentavalents appelés donneurs (Ex: arsenic, antimoine, phosphore)

Énergie

Électron en
surplus Atome de
silicium

Atome Bande de conduction

Atome de Atome de
penta
silicium silicium
valent

Atome de Bande de valence

silicium
22
6. SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P
Dopage d’1 cristal pour obtenir des trous supplémentaires en utilisant une impureté trivalente. Un trou apparaît dans
chaque atome trivalent. Les trous d’un SC de type p sont nettement plus nombreux que les électrons libres.
23
Trous = porteurs majoritaires; électrons = porteurs minoritaires.
Atomes trivalents sont appelés atomes accepteurs (Ex: aluminium, bore, gallium)

Énergie

Trou
Atome de
silicium

Atome de Atome Atome de Bande de conduction

silicium trivalent silicium

Atome de Bande de valence

silicium

7. RÉSISTANCE EXTRINSÈQUE
1 SC dopé a encore une résistance appelée résistance extrinsèque. 1 SC légèrement dopé a une résistance extrinsèque
élevée. Plus le dopage augmente, plus la résistance extrinsèque décroît.

23
 LA JONCTION PN ET LES DIODES A SEMI-CONDUCTEURS

24
1. PRINCIPE DE LA DIODE A JONCTION

Dans un cristal pur (Si par ex.), si on remplace certains atomes par des atomes de corps simple, on dit que l’on dope le
cristal avec des impuretés.

Si tétravalent, dopage P avec atomes trivalents (B, Al, Ga) et on crée un déficit d’électrons ou apport de trous; ou
dopage N avec atomes pentavalents (P, As A) et on crée un apport d’électrons mobiles.

Zone dopée : trous ou électrons , selon le cas, sont appelés porteurs de charges majoritaires.

24
25

25
2. CARACTERISTIQUE D’UNE DIODE A JONCTION
Dans la jonction PN, circulation e- de la cathode (zone N) vers l’anode (zone P), donc courant sera en sens inverse.
26comme courant représentés comme indiqué sur la figure 1.5
Tension

V (appelée tension seuil et notée VS) varie peu et est de l’ordre de 0,6 à 0,7 V pour des diodes au Si.

Pour des tensions inverses importantes (qqes dizaines de volts en valeur absolue), on observe une conduction
forcée au travers de la jonction, effet immédiat et destructeur : l’effet d’avalanche. 26
On admet généralement le fonctionnement suivant :

27

Simplification :

-Négliger la tension de 0,7V devant les autres tensions du circuit  modèle idéal figure 1.8

- Si modèle plus fin et plus proche de la caractéristique réelle est souhaité  modèle dynamique figure 1.9, formé

de deux segments de droites :

27
3. POLARISATION DE LA DIODE
Polarisation en sens direct en l’incluant dans un circuit de sorte qu’elle soit parcourue par un I. Exemple figure 1.12 :
générateur parfait de tension E continue, alimentant un dipôle formé d’une résistance R et d’une diode en série.
28

28
4. PUISSANCE DISSIPEE DANS UNE DIODE

En sens direct, diode parcourue par I et présentant à ses

29
bornes une ddp V, dissipe une puissance P = VI.

Toute diode possède une puissance limite admissible Pmax.

Graphiquement, cette puissance définit une zone de
fonctionnement possible pour la diode (figure 1.12).

5. DIODES ZENER

Certaines diodes sont conçues de manière à ce que l’effet

d’avalanche ne soit pas destructeur, mais soit au contraire
maîtrisé et même utile : effet Zener (figure 1.13).

Diode Zener : - se polarise en sens inverse (figure 1.14), et

- présente à ses bornes, quelque soit I qui le

traverse, une tension Zener VZ quasiment
constante (figure 1.13).

Utilisation : en montages régulateurs de tension où l’on

exploite comme référence de tension, la valeur quasiment
constante de la tension Zener VZ.
29
6. DIODE DE REDRESSEMENT

La source alternative fait circuler les électrons vers le haut de la résistance (circuit de la figure ) pendant le demi-cycle

30la tension d’entrée et vers le bas, pendant le demi-cycle négatif. Ces courants sont égaux.
positif de

On ajoute une diode au circuit et tout change. Le demi-cycle positif de la tension d’entrée (figure b) polarise la diode dans

le sens direct, la diode conduit donc pendant le demi-cycle positif. Pendant le demi-cycle négatif, la diode est en

polarisation inverse et un faible courant inverse seulement la traverse.. La diode a redressé le courant alternatif, ce qui veut

dire qu’elle a transformé le courant alternatif en courant unidirectionnel.

Figure 1.15 : (a) Courants égaux. (b) courant redressé

30
7. LA DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL)
Dans la diode en polarisation directe,, les électrons libres traversent la jonction et se recombinent avec les trous. Comme
31 vont de la BC à la BV, ils émettent de l’NRJ. Dans une diode redresseuse, cette NRJ se dissipe sous forme de
les électrons
chaleur. Mais dans une DEL, l’NRJ se manifeste sous forme de lumière.
Selon qu’il utilise du gallium, de l’arsenic ou du phosphore, un fabricant produit des DEL qui émettent une lumière rouge,
verte, jaune ou infrarouge (invisible).
Les DEL qui produisent un rayonnement visible sont utilisés pour les panneaux de visualisation, les compteurs, les
montres numériques, etc. la DEL infrarouge est utilisée pour les systèmes d’alarme contre le vol et autres domaines
requérant un rayonnement invisible.
Les avantages d’une DEL par rapport à une lampe incandescente sont une longue durée de vie (plus de 20 ans), une basse
tension (1 à 2 V) et une rapide commutation marche - arrêt (qqes nanosecondes).

8. LES PHOTODIODES
L’NRJ thermique produit des porteurs minoritaires dans une diode. Plus la température est élevée, plus le courant inverse
est grand. L’NRJ lumineuse peut également produire des porteurs minoritaires. En utilisant une petite ouverture
transparente pour exposer la jonction à la lumière, on obtient une photodiode. Lorsque la lumière extérieure tombe sur la
jonction d’une photodiode polarisée en inverse, des paires électron-trou sont créés dans la zone de déplétion. Plus la
lumière est forte, plus le nombre de porteurs produits par la lumière est élevé et plus le courant inverse est grand. C’est
pourquoi les photodiodes font d’excellents détecteurs de lumière.
31
9. VARACTORS OU DIODES À CAPACITÉ VARIABLES
La capacité de transition d’une diode décroît au fur et à mesure que la tension inverse ‘élève. Les diodes au silicium

étudiées32
pour obtenir cette variation s’appellent des varactors. Un varactor en parallèle avec une inductance donne un

circuit résonnant; la variation de la tension inverse entre les bornes du varactor permet de faire varier la fréquence de

résonance. Ce contrôle électronique de la fréquence de résonance est utile pour l’accord à distance, des oscillateurs à

balayage et certaines autres applications.

10. LES DIODES SCHOTTKY

On utilise un métal comme l’or, l’argent ou le platine sur un côté de la jonction et du silicium dopé (habituellement N) de

l’autre côté. Ce genre de diode est un système unipolaire parce que les électrons libres sont les porteurs majoritaires sur

les deux côtés de la jonction. De plus la diode Schottky n’a ni zone de déplétion ni accumulation de charges. Elle peut

ainsi fermer et ouvrir un réseau beaucoup plus rapidement qu’une diode bipolaire.

Figure 1.16 : (a) DEL. (b) Photodiode. (c) varactor. (d) Diode Schottky
32
11. CRITÈRES DE CHOIX D’UNE DIODE
Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, l’étude du fonctionnement de la structure de
conversion
33 d’énergie permet de tracer les chronogrammes de vAK et iAK.
Ce sont les valeurs extrêmes de ces grandeurs qui sont prises en considération :
• La tension inverse de vAK à l’état bloqué ;
• Le courant moyen de iAK à l’état passant ;
• Éventuellement, le courant maximal répétitif (sans durée prolongée).
Par sécurité de dimensionnement, on applique une marge de sécurité (de 1,2 à 2) pour ces grandeurs. C’est avec ces
valeurs que le choix du composant est réalisé.

33
 EXERCICES

34

34
35

35
3 - Déterminer la puissance dissipée dans une diode dont la tension de seuil est égale à VS = 0,7 V, dont la résistance
dynamique rd = 3  et qui est parcourue par un courant I = 25 mA.
36
Déterminer cette même puissance en utilisant le modèle de la diode parfaite de la figure 1.7, puis en utilisant la
caractéristique réelle de la diode et comparer les résultats.

(caractéristique de la diode réelle modélisée par l’expression : I = ISeV/V0 avec IS = 2.10-15 A et V0 = 25 mV

4- Dans le schéma de la figure 1.27, déterminer et tracer l’évolution de u(t). E1 et E2 sont deux sources de tension continue
parfaites : E1 = 10 V et E2 = 15 V. les diodes sont supposées idéales (tension de seuil nulle, caractéristique de la figure 1.8).
On a e(t) = E0sint, E0 = 30 V,  = 2 x 50 rad.s-1

36
5. Dans le circuit de la figure ci-contre, nous sommes intéressés à
37
connaître la puissance dissipée dans la résistance RC. A cette fin, il
serait utile de connaître l’équivalent de Thévenin aux bornes A et
B de la résistance RC.

Exemple de circuit comportant plusieurs

résistances

6. Déterminer le courant et la puissance dans la résistance

de 3  de la figure ci-contre, en exprimant le reste du

circuit, compris entre les points A et B, sous forme de son

équivalent de Norton.

37
 LE THYRISTOR

Dispositif semi-conducteur dont la mise en conduction est commandable. Il est muni de deux électrodes
38
principales : l’anode A et la cathode K et d’une électrode de commande, la gâchette G.

1. SYMBOLE

• Sous tension directe (VAK > 0), un thyristor est rendu conducteur par un bref courant circulant entre gâchette et
cathode.

• Dès qu’il conduit, son comportement est analogue à celui d’une diode et le courant de gâchette n’a plus aucune
action sur lui.

• Sous tension inverse (VAK < 0), un thyristor ne peut être rendu conducteur.

Un thyristor est donc un redresseur commandable à la fermeture.

38
 i
2. CARACTÉRISTIQUES STATIQUES
u
A l’état conducteur, la caractéristique directe d’un thyristor a i A K
39 que celle d’une diode et elle peut être linéarisée de
même allure
G
la même manière. La tension du seuil, US, étant légèrement uGK
iG
supérieure à celle d’une diode de même calibre, les pertes de 0 US u
conduction dans les conditions identiques (mêmes intensités Caractéristique directe linéarisée : u = US + Rdi
moyenne et efficace), sont plus importantes. Exemple : Thyristor 30 A : US = 1,5 V et Rd = 20 m

3. COMPOSANT RÉEL
Caractéristique et limites de fonctionnement
Fonctionnement réel, comme pour une diode, caractérisé par ses deux
états ) :
• Etat passant, vAK  0, courant direct limité par le courant direct maximal.
• Etat bloqué, iAK  0, tension inverse limitée (phénomène de claquage
par avalanche) par la tension inverse maximale.
39
5. CHOIX D’UN THYRISTOR
Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement du thyristor (vAK et iAK) dans le système envisagé, on calcule les

valeurs40
extrêmes prises par :

• la tension inverse VRRM ou directe maximale VDRM de vAK (à l’état bloqué) ;

• le courant moyen I0(= <iAK> à l’état passant) ;

• le courant efficace iAKeff (à l’état passant).

De la même manière que la diode, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à 2) à ces grandeurs. C’est avec ces

valeurs que le choix du composant est réalisé.

40
 POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

1. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Inventé 41
en 1948 par les Américains J. Bardeen, W. Brattain et W. Shockley, c’est un composant à semi-conducteur qui remplit
deux fonctions vitales en électronique: celles d'amplificateur (c'est un générateur de fort courant en sortie commandé par un
faible courant en entrée) et de commutateur (à la manière d'un interrupteur marche/arrêt).
Certains transistors sont spécialisés dans l'une ou l'autre de ces fonctions, d'autres sont aptes à les remplir toutes deux.
Formé d’un cristal de Si comportant trois zones de dopage distinctes. Selon les cas, les transistors sont dits NPN ou PNP

collecteur émetteur
N P N P N P
zone
fortement
base dopé

Chaque "zone", ou "couche", du transistor est reliée à une électrode: base (B), émetteur (E), collecteur (C). La base,
on le constate, est très mince: son épaisseur est de l'ordre de quelques microns seulement.

Ces trois zones correspondent aux trois bornes du transistor : le collecteur, la base et l’émetteur (possédant le dopage le
plus important).

C E

B B

E C
41
Transistor NPN Transistor PNP
1.1 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT :
L'effet transistor, pour le résumer le plus simplement possible, consiste à amplifier le courant de base Ib pour obtenir un
courant de collecteur Ic beaucoup plus important, sans altérer la forme d'onde du signal d'entrée. Le gain en courant
42
(désigné beta, ou hFE) est le facteur d'amplification; pour donner un ordre de grandeur, il peut atteindre 100 pour un
transistor NPN modèle BC547.
- contrôler la conduction des électrons de l’émetteur vers le collecteur, par le flux d’électron issu de la base (cas NPN),

-contrôler la conduction des électrons du collecteur vers l’émetteur, par le flux d’électron entrant dans la base (cas PNP).

D'une manière très schématique, on pourrait dire qu'une jonction P-N fonctionne comme suit: si elle n'est soumise à aucune
tension extérieure, les électrons (charges négatives) sont majoritaires dans la zone N, les "trous" (charges positives) sont
majoritaires dans la zone P et entre les deux, on trouve une zone "neutre", désertée. Appliquons maintenant une tension
inverse à cette jonction: on augmente le champ électrique de la zone centrale, ce qui a pour effet de repousser encore plus
loin les électrons de la zone N et les "trous" de la zone P. Conséquence: la zone "neutre" s'élargit, la diode est bloquée, ou
non passante.
Si maintenant on inverse la polarité de la tension aux bornes de la jonction, c'est-à-dire si on lui applique une tension directe,
supérieure à 0,7 V environ, on annule le champ électrique de la zone centrale ("neutre"), ce qui provoque le déplacement des
charges négatives de la zone N vers les "trous" de la zone P: il y a donc circulation d'un courant électrique, la diode devient
passante. 42
1.2 EFFET TRANSISTOR ET GAIN EN COURANT

43

La jonction E-B est polarisée dans le sens passant, mais la jonction B-C, polarisée en inverse, est bloquée. Il circule donc
un courant de E à B, appelons-le Ib. La base, on s'en souvient, est une zone très étroite et les électrons qui arrivent de
l'émetteur vont certes se combiner avec les "trous" (peu nombreux) de la base, mais ils seront en majorité fortement
attirés vers la zone du collecteur par le champ électrique créé par la polarisation inverse de la jonction B-C: il en résulte,
sous l'effet d'avalanche, un important courant de collecteur, Ic. C'est ce qu'on appelle l'effet transistor.
Le courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib, le facteur ß (béta) étant le gain en courant. Cette
relation est fondamentale:
Ic = ß Ib
Pour donner un ordre de grandeur, le gain en courant peut varier de 10 à 500, voire 1000, selon le modèle de transistor.
Quand la tension collecteur-émetteur VCE diminue pour devenir très faible, la jonction B-C cesse d'être polarisée en
inverse, et l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la jonction B-C devient aussi polarisée en direct: on
n'a plus un transistor, mais l'équivalent de deux diodes en parallèle. On dit que le transistor est saturé.

43
1.3 ANALOGIE HYDRAULIQUE

Une analogie hydraulique est proposée ci-contre: un courant Ib assez faible permet l'ouverture du "robinet" (B), ce qui
provoque via l'émetteur (E) l'écoulement d'un fort courant Ic en provenance du réservoir collecteur (C). Notez que lorsque
44
le "robinet" est complètement ouvert, le courant Ic est maximal: il existe donc (on s'en doutait!) une limite physique au gain
en courant. Cette analogie n'a qu'un but pédagogique, mais elle illustre assez bien l'effet transistor.

44
2. LES GRANDEURS ÉLECTRIQUES ASSOCIÉES AU TRANSISTOR
Transistor NPN : trois bornes associées à 6 grandeurs électriques (trois courants : IB, IC, IE et trois ddp : VBE, VCE, VCB).
45liées deux à deux :
Grandeurs C

IE = IB + IC et VCB = VCE + VEB VCB IC

B
IB VCE

VBE IE

3. CARACTÉRISTIQUES DU
TRANSISTOR NPN
Fonctionnement décrit par les courbes caractéristiques

qui lient les grandeurs électriques précédentes. IE et VCB

se déduisant des 4 autres, l’usage est de considérer

les caractéristiques liant IB, IC, VCE et VBE (figure 2.4)

45
Propriétés à retenir :

- La courbe IB = f(VBE) correspond au fonctionnement de la jonction base-émetteur. Il s’agit donc de la caractéristique

46 On a IB = ISeVBE/V0 avec V0 = 25 mV à température ambiante.
d’une diode.

- Le courant de collecteur, IC et le courant de base, IB sont liés par la relation fondamentale : IC = IB. Le coefficient 
est une caractéristique intrinsèque du transistor. Il s’agit de son gain en courant. Il est, en général, de l’ordre de quelques
dizaines à quelques centaines, selon les types de transistor.

- La fonction IC = f(VCE) dépend de la valeur de IB (donc de VBE), ce qui donne , finalement, un réseau de
caractéristiques (figure 2.4).

4. POLARISATION DU TRANSISTOR NPN

Polariser un transistor, c’est l’inclure dans un montage qui lui impose un point de fonctionnement, en régime continu,
caractérisé par la définition des quatre grandeurs IB, IC, VBE et VCE. Le point de polarisation ainsi défini (figure 2.4) peut se
trouver :

 Dans la zone linéaire d’une caractéristique IC =f(VCE). On dit que le transistor est correctement polarisé pour fonctionner
linéairement. Dans ce cas, on admet que VBE ≈ 0,7 V.

 Dans la zone de saturation d’une caractéristique IC = f(VCE). Dans ce cas, on dit que le transistor est saturé et on a :
VCE → 0. Ce phénomène est en général causé par un courant de base trop important. On admet alors que tout se passe
comme si le transistor, entre son collecteur et son émetteur, se comportait comme un court-circuit.

 Sur la caractéristique particulière IC ≈ 0 correspondant à une tension VBE trop faible. Le transistor est alors bloqué. Tout
46
se passe comme si le transistor, entre son collecteur et son émetteur, se comportait comme un circuit ouvert.
Figure 2.5 : exemple de circuit de polarisation d’1 transistor NPN. Dans un tel transistor, le courant de base est toujours
orienté positivement vers la base, le courant de collecteur, vers le collecteur et le courant d’émetteur est compté
positivement, sortant de l’émetteur. En supposant que le transistor est polarisé de sorte que le point de fonctionnement se
47la zone linéaire, on a
situe dans

VBE = 0,7 V

Ce calcul suppose à priori que le transistor est correctement polarisé. Le résultat trouvé pour VCE validera ou non cette
hypothèse. Seule une valeur positive (et suffisamment éloignée de 0, de surcroît) valide cette hypothèse. Si on souhaite que le
point de polarisation se trouve au milieu de la zone linéaire, on opte en général pour une valeur de VCE voisine de 0,6 x VCC.

5. POLARISATION DU TRANSISTOR PNP

VBE = -0,7V IE
Ses principes de fonctionnement diffèrent de ceux du NPN par le E

IB
sens des courants (figure 2.6) et par le relation VBE = -0,7 V. B
VCE < 0
Dans ce cas la ddp VCE est également négative. La relation IC
C
= IB reste valable à condition de compter positivement les IC

courants IB et IC sortant respectivement de la base et du 47

Figure 2.6
collecteur.
6. DÉSIGNATION DES TRANSISTORS
Le nombre de modèles distincts de transistors produits depuis les années 50 dépasse sans doute les 100.000... Même si
un très48
grand nombre de ces modèles ne sont plus disponibles parce que devenus obsolètes, les catalogues des fabricants
comportent encore des centaines, voire des milliers de références. Comment s'y retrouver pour identifier un modèle
particulier?
Il existe au moins trois normes de codage: la norme américaine JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), la norme
européenne Pro Electron et la norme japonaise JIS (Japanese Industrial Standards).
La norme JEDEC affecte le préfixe 1N aux diodes, le préfixe 2N aux transistors, thyristors et triacs. Vient ensuite un
numéro de série à quatre chiffres, puis éventuellement un suffixe, facultatif. Le suffixe A signifie "faible gain", B signifie
"gain moyen", C signifie "gain élevé".
Exemples: la 1N4148 est une diode, le 2N2222A est un transistor à faible gain.
La norme Pro Electron impose un codage comportant trois informations: une première lettre désigne le matériau semi-
conducteur utilisé, une deuxième lettre renseigne sur la nature du composant, puis vient un groupe de trois chiffres (pour
les produits "grand public") ou deux chiffres et une lettre (produits industriels). Voici un récapitulatif simplifié :
A: diode, signal
C: transistor, low power, audio frequency
100 à 999
D: transistor, power, audio frequency
B: silicium F: transistor, low power, high frequency ou
R: switching device, low power (e.g. thyristor)
10 à 99 + lettre
U: transistor, power switching
Y: diode, rectifier 48
Exemples: la BA159 est une diode signal, le BC547 est un transistor faible puissance, le BD135 est un transistor de puissance.
Tout ceci serait relativement clair s'il n'existait toutes sortes de dérogations... Ainsi, certains fabricants n'ont rien trouvé de
mieux que d'inventer un codage "maison". Voici quelques préfixes courants:
49
MJ: Motorola, puissance, boîtier métallique
MJE: Motorola, puissance, boîtier plastique (exemple: MJE3055)
MPS: Motorola, faible puissance, boîtier plastique
TIP: Texas Instruments, puissance, boîtier plastique (exemple: TIP35C)
Cette petite liste, bien entendu, n'est pas exhaustive...
Signalons d'autre part que sur les schémas américains ou japonais, les transistors sont souvent désignés par la lettre générique
Q, alors qu'en France on préfère la lettre T.

7. PRINCIPAUX PARAMÈTRES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Le néophyte sera sans doute effrayé par le nombre de paramètres d'apparence plus ou moins ésotérique figurant sur la
fiche technique complète (data sheet) d'un transistor quelconque... En réalité, tous les paramètres ne présentent pas le
même intérêt. Bien souvent, dans la pratique, le choix d'un modèle de transistor ne dépendra que de quelques
paramètres.

49
 Tension collecteur-émetteur maxi, ou tension de claquage. Au delà de cette
VCEMax tension, le courant de collecteur I C croît très rapidement s'il n'est pas limité à
l'extérieur du transistor.
Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va
ICMax
fortement chuter et le transistor risque d'être détruit.
50 hFE
Gain en courant (paramètre essentiel en amplification).
(ß )
Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donnée par la formule: VCE x I c.
PTotMax
Attention, un transistor, ça chauffe!
VCESat Tension de saturation (utile en commutation).

A titre d'exemple, voici ce qu'on peut trouver dans un catalogue de fabricant:

Type number Package VCE max IC max PTOT hFE min hFE max fT

(V) (mA) (mW) (MHz)

2N3904 TO-92 40 200 500 100 300 300
2N3906 TO-92 40 200 500 100 300 250
BC337 TO-92 45 500 625 100 600 100
BC547 TO-92 45 100 500 110 800 100
BD135 TO-126 45 1500 8000 40 > 40 60

"Package" signifie "boîtier": il existe de nombreuses formes de boîtier, qui sont codifiées. En voici quelques exemples:
S'agissant du brochage de tel modèle particulier, il est
impératif de se reporter à sa data sheet ou à un
catalogue.
On notera que parmi les modèles représentés ci-
dessus, les BD135, TIP140 et 2N3055 sont des
transistors dits "de puissance". Le 2N3055 peut
dissiper 115 watts! En revanche, leur gain en courant
est limité.
Le BC547 est sans doute l'un des transistors les plus
répandus et il remplace bien souvent, sans autre
forme de procès, des modèles moins courants. Si 50
vous envisagez de constituer un stock, le BC547 et le
2N2222 sont des références à choisir en priorité
8. CHOIX D’UN TRANSISTOR
Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement (vCE et iC), on calcule les valeurs extrêmes prises par :
51 (à l’état bloqué) ;
• la tension

• le courant maxi (à l’état saturé).

Par sécurité de dimensionnement, on applique un coefficient de sécurité (1,2 à 2) à ces valeurs. Elles doivent être

supportées par le composant choisi. On doit ensuite déterminer le courant IB (> IC/) que doit délivrer la commande.

51
9. TYPES DE MONTAGES
9.1 LE MONTAGE EN ÉMETTEUR COMMUN
52 possède, on l'a vu, trois connexions, ou "pattes". On procède toujours (ou presque) de manière à ce qu'il y ait
Un transistor
une patte commune à l'entrée et à la sortie du montage, d'où trois montages possibles:

• en émetteur commun: la patte commune est l'émetteur, l'entrée est la base et la sortie le collecteur
• en base commune: la patte commune est la base, l'entrée est l'émetteur et la sortie le collecteur
• en collecteur commun: la patte commune est le collecteur, l'entrée est la base et la sortie l'émetteur
Le montage en émetteur commun est sans aucun doute le montage fondamental; il réalise la fonction amplification,
essentielle en électronique.

52
 9.1.1 Mise en oeuvre du montage en émetteur commun
La mise en oeuvre d'un transistor requiert:
53
une alimentation continue Vcc, qui fournit les tensions de polarisation et l'énergie que le montage sera susceptible de
fournir en sortie;
des résistances de polarisation. En effet, le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens, comme une
diode: il va donc falloir le polariser, à l'aide de résistances, pour pouvoir y faire passer du courant alternatif (la
composante alternative du courant étant petite devant la composante continue);
un ou des condensateurs de liaison. Le plus souvent, le branchement de la source alternative d'entrée sur le montage
se fera par l'intermédiaire d'un condensateur de liaison placé entre la source et le point d'entrée du montage à
transistor (la base s'il s'agit d'un montage en émetteur commun). Bien que ce ne soit pas une règle absolue, le dispositif
situé en aval du montage est lui aussi isolé par un condensateur de liaison.

La résistance Rb fixe le courant de base Ib, ce qui détermine un courant de collecteur Ic égal à ßIb, selon la formule
désormais bien connue. Le courant collecteur étant fixé, la tension aux bornes de Rc est égale, en vertu de la loi
d'Ohm, au produit de Rc par Ic.
Pour calculer les résistances Rb et Rc, il faut alors partir de Ic et de Vceo.
On fixe un courant collecteur de repos Ic (courant de polarisation). Ce courant variera entre une dizaine de µA
(applications très faible bruit) et une dizaine de mA (meilleures performances en haute fréquence).
On fixe ensuite une tension de collecteur VCE généralement égale à Vcc/2, de sorte que la tension du collecteur puisse
varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.
La valeur de la résistance de collecteur Rc, qui assure la polarisation de la jonction base-collecteur, est déterminée,
toujours grâce à la loi d'Ohm, par le quotient de (Vcc - VCE) par Ic.
La valeur de la résistance de base Rb, qui a pour rôle de fixer le courant de base, se calcule en divisant (Vcc -VBE) par le
courant Ib, en prenant VBE = 0,7 V et Ib égal au quotient de Ic par ß.
53
 Le montage étudié ci-dessus se révèle, dans la pratique, difficilement exploitable, en tout cas peu fiable. On a plutôt recours
à un montage qui ressemble davantage à celui-ci, dont la base n'est pas polarisée par une unique résistance, mais par un pont
de résistances:

54

Montage fonctionnel en émetteur commun avec polarisation par pont de base.

Simulons le fonctionnement de ce montage avec le logiciel PSpice: notre schéma s'articule autour d'un modèle de transistor
très répandu, le 2N2222.

Ce schéma est rigoureusement identique au schéma précédent.

Le transistor est un petit NPN standard référencé 2N2222. On
retrouve les résistances de collecteur (R1), d'émetteur (R2) et
du pont de base (R4 et R3). Le signal à amplifier est issu d'une
source de tension alternative, de forme sinusoïdale. L'amplitude
de ce signal est très faible, puisqu'elle vaut 0,01 volt.
54
Voici l'image du courant de base Ib:

55

Voici à présent l'image du courant de collecteur Ic (attention au changement d'échelle pour l'axe Y!):

On observe ici une amplification de Ic par rapport à Ib (le gain en courant, ou ß) de l'ordre de 150.
Ce qu'il faut en définitive retenir du montage en émetteur commun, c'est qu'il procure une très bonne amplification du
courant.
De nos jours, toutefois, on n'utilise plus guère le transistor en tant que tel: on a plutôt recours à des circuits intégrés spécialisés
(qui intègrent, comme leur nom l'indique, des transistors). 55
9.2 LE MONTAGE "DARLINGTON"
Le montage Darlington associe deux transistors, l'émetteur de l'un étant relié à la base de l'autre, les collecteurs étant
directement raccordés à la tension d'alimentation, comme indiqué sur la figure ci-dessous:

56

Ces deux transistors ainsi montés se comportent comme un seul transistor, dont le gain ß est égal au produit des gains
des deux transistors. On se doute qu'il s'agit, grâce à ce montage, d'obtenir une forte amplification. L'impédance
d'entrée d'un tel montage est très grande et son impédance de sortie très faible.
A noter qu'il existe dans le commerce des transistors appelés "darlington", qui remplacent le montage du même nom. A
titre d'exemple, voici les principaux paramètres de l'un d'eux:
Type number Package VCES max IC max PTOT hFE min hFE max PNP

(V) (mA) (mW) compl.

BC875 TO-92 45 1000 830 1000 >1000 BC878

VCES signifie tension collecteur-émetteur, avec VBE = 0. Le modèle référencé BC875 est un NPN moyenne puissance
(presque 1 watt); son PNP "complémentaire" est le BC878.

56
9.3 LE MONTAGE "PUSH-PULL"
Le montage push-pull (push, en anglais, signifie pousser, pull signifie tirer), encore appelé montage symétrique, est un
grand classique en amplification de puissance des signaux alternatifs. Voici, brièvement, son principe:

57 Ce montage est construit autour de deux transistors, un NPN

noté T1 et son PNP complémentaire, noté T2. Les deux
transistors conduisent le courant de collecteur tour à tour,
pendant une alternance du cycle alternatif. Ce qui revient à dire
que chaque transistor est bloqué pendant une demi-période du
signal alternatif et passant durant l'autre.
Pour obtenir une amplification correcte, il est ici nécessaire
d'employer deux transistors complémentaires (mêmes
paramètres, seule la polarité, NPN ou PNP, diffère) et une
alimentation symétrique.

8.4 Le transistor utilisé en commutateur

Le transistor remplit, outre l'amplification, une autre fonction essentielle en électronique: la commutation. Selon qu'il
est bloqué ou passant, on peut alors l'assimiler à un interrupteur, ouvert ou fermé. Bien entendu, la commande de cet
interrupteur n'est pas "manuelle": elle se fait par l'intermédiaire de signaux électriques.

57
Dans ce petit montage, le transistor NPN ou PNP pilote une DEL de visualisation selon le niveau logique, haut ou bas
("1" ou "0"), du signal d'entrée.
Voici une version plus sophistiquée de ce montage: il permet de visualiser, à l'aide de trois DEL, l'état de trois entrées notées
A, B et C. La table de vérité indique laquelle des DEL est allumée selon les différentes possibilités. Le rôle des transistors
(par exemple des 2N2222, très répandus) consiste, comme ci-dessus, à piloter les DEL.

58

Le 2N2222 est un transistor NPN destiné à la commutation rapide (high-speed switch, en anglais). Voici ses principaux
paramètres:
Type number Package VCE max IC max PTOT hFE min hFE max fT

(V) (mA) (mW) (MHz)

2N2222 TO-18 30 800 500 30 300 250

58
 Utilisé en commutateur, le transistor permet de réaliser des fonctions
très complexes.
Le montage ci-contre, associant un transistor PNP et un transistor
59
NPN, équivaut à une porte logique NON. Lorsque la tension
d'entrée Ve est nulle, le transistor NPN est bloqué, la tension de
sortie Vs est égale à la tension d'alimentation. Si la tension d'entrée
Ve est égale à la tension d'alimentation Vcc, c'est le transistor PNP
qui est bloqué et alors la tension de sortie Vs est égale à 0. Ce
montage est réalisé à l'aide de transistors complémentaires.

10. LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (FET)

A titre documentaire, il existe une autre grande famille technologique de transistors: les transistors à effet de champ (Field
Effect Transistor, en anglais, FET). On peut les définir comme des sources de courant commandées en tension.
On connait deux types de transistors bipolaires: les NPN et les PNP. Le FET à jonction (ou JFET) est pareillement décliné
en deux versions: le FET canal N et le FET canal P.
Le FET à jonction canal N est constitué d'une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal.
Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de silicium P, de manière à former une jonction PN latérale par
rapport au canal.

59
 60

Le courant entre par une première électrode, appelée le drain, circule dans le canal, et sort par une deuxième électrode, la
source. L'électrode connectée à la couche de silicium P, la grille, sert à commander la conduction du courant dans le canal.
Le transistor FET fonctionne toujours avec la jonction grille-canal polarisée en inverse.
Le FET à jonction n'est pas adapté aux forts courants. Son domaine d'application se limite à l'amplification des petits
signaux. On l'utilise notamment dans des montages à haute impédance d'entrée et faible bruit, tels que les
préamplificateurs pour signaux de faible niveau. Ajoutons que la mise en oeuvre des FET s'avère très délicate. En revanche,
les FET sont souvent intégrés dans des circuits comme les amplificateurs opérationnels (AOP), que nous verrons plus loin.

60
 EXERCICES

61
1. Dans le montage de la figure 2.14, on donne : RB = 10 k et
RC = 50  . La tension d’alimentation est égale à VCC = 10 V.
Le transistor est caractérisé par le paramètre  = 100. Montrer VCC
que le transistor est polarisé dans sa zone de fonctionnement
linéaire et calculer le point de polarisation de ce transistor. RB RC

2. On reprend le schéma de la figure 2.14 en changeant la

valeur de la résistance de collecteur : on prend RC = 100 
Montrer que le transistor est saturé. Calculer le courant IC et
Figure 2.14
montrer que l’égalité IC = IB n’est plus vérifiée.

61
 VCC
3. Dans le montage de la figure 2.15, on donne RC = 4000 .
La résistance RB est variable et la tension d’alimentation du RB RC

62 toujours VCC = 10 V.
circuit vaut

Déterminer le courant de saturation ICsat du transistor et en

déduire la condition sur la résistance RB qui assure une
polarisation du transistor dans sa zone de fonctionnement
linéaire. On donne  = 100.
Figure 2.15

VCC
IC

4. Dans le montage de la figure 2.16, calculer les valeurs des RB RC

courants IB, IC et IE et déterminer les trois potentiels aux points
B, C et E. IB
C

On donne : B Figure 2.16

E
 = 200, RE = 70 , RB = 14 k, RC = 50  et VCC = 15 V. IE

RE

62
 L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL EN REGIME LINEAIRE

Un amplificateur opérationnel (AOP, ou OpAmp en anglais) est un circuit intégré dont la fonction de base est, comme
63
son nom le suggère, l'amplification. Il est en outre "opérationnel" en ce sens qu'il permet de réaliser des fonctions de type
"arithmétique" (inversion, addition, soustraction...). Il entre dans la constitution de nombreux montages électroniques. Ses
caractéristiques le destinent à participer à des dispositifs exploitant ses propriétés de fonctionnement en régime linéaire ou
en régime non linéaire.

1. L’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL
+VCC
v+ + v+ +
vs vs
v- - v- -
-VDD
Figure 4.1 Figure 4.2

C’est un amplificateur de différence possédant un gain en tension très grand. La figure 4.1 présente la représentation
symbolique de ce composant. L’entrée « + » correspondant à la tension v+ est appelée entrée non inverseuse; l’entrée « - »
correspondant à v_ est appelée entrée inverseuse. Si A est le gain en tension de cet amplificateur, on a :

Vs = A( v+ - v- )

Il s’agit d’un composant actif qui, pour fonctionner, doit être alimenté par une double source d’alimentation (figure 4.2).
Toutefois, comme la présence de ces sources d’alimentation est implicite, l’usage veut qu’on ne les représente pas
63
systématiquement, sauf dans certains cas particulier où on fait jouer à ces sources un rôle particulier.
La plupart du temps, on utilise une alimentation symétrique pour l’AO. On a alors : VDD = VCC
Les valeurs VCC = 15 V et VDD = -15 V sont les plus couramment utilisées.
64
2. CARACTÉRISTIQUE DE L’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL
Elle correspond au tracé de vs en fonction de ( v+ - v- ) (figure 4.3)

64
3. SCHÉMA ÉQUIVALENT DE L’AO
Représentation de fonctionnement électrique faisant apparaître une impédance d’entrée Ze , une impédance de sortie Zs et
une tension
65 de sortie à vide vS0 (figure 4.4).
D’une manière générale, un AO, quel qu’il soit, est caractérisé par une très grande impédance d’entrée et une très faible
impédance de sortie.

Dans la grande majorité des cas, on considérera que Ze est infinie, donc qu’aucun courant ne peut entrer par les bornes v+
ou v- du système et que Zs = 0, autrement dit, que, quel que soit le courant de sortie du dispositif, aucune chute de potentiel
ne vient perturber la tension de sortie.

On a donc bien toujours, dans tous les cas où l’amplificateur fonctionne en régime linéaire : vs = A (v+ - v- ).

v+
vS0 = A( v+ - v- )

v+ - v- vs
Ze

Zs
v-

Figure 4.4

65
4. FONCTIONNEMENT LINÉAIRE
La présence d’une boucle de contre réaction (figure 4.5), autrement dit une connexion par l’intermédiaire d’un dipôle
66entre la borne de sortie vs et l’entrée v-, assure automatiquement un fonctionnement linéaire à l’AO.
conducteur

Cela signifie qu’une boucle de contre réaction assure

automatiquement la relation : - < (v+ - v-) < . -

vs
On peut par ailleurs considérer de cas de l’AO idéal qui
+
possède, outre une impédance d’entrée Ze infinie et une
Figure 4.5
impédance de sortie Zs nulle, un gain tendant vers l’infini. Dans

ce cas,  → 0 et la boucle de contre réaction assure l’égalité :

v+ - v- = 0  v+ = v-

66
4.1 LA CONTRE-RÉACTION
Amplificateurs: pas la faculté d'amplifier les signaux dans une grande bande passante et avec un gain constant.
Courbe de réponse d‘1 amplificateur à composants discrets assimilable à une bosse de chameau.
67
Idée de base : réduire le gain de manière à augmenter la bande passante (dessin ci-après). Le trait rouge montre une bande-
passante réduite à fort gain, tandis que le trait vert laisse apparaître une BP plus large mais avec gain réduit.

Comment faire ?

L'idée est de prélever une partie (faible ) du signal de sortie et de la réinjecter à l'entrée de l'amplificateur en opposition de
phase naturellement.
Les signaux de sortie viendront se soustraire aux signaux d'entrée de manière à faire travailler l'amplificateur dans sa partie
linéaire. Ceci conduira à diminuer le gain de l'amplificateur et à augmenter sa bande-passante.
Si on injecte les signaux non pas en opposition de phase (180°) mais en phase on réaliserait un splendide oscillateur (c'est la
définition).
Le signal sera prélevé et injecté par le bais de résistances et c'est en ajustant ces résistances qu’on pourra régler le taux de
rétroaction.
67
 68

Boucle de réaction peut être négative ou positive. Quand elle est négative, l'ampli est contre-réactionné, quand elle est positive,
le montage oscille.

R est le rapport de réinjection et représente le ratio de la tension réinjectée par rapport à la tension de sortie. En faisant évoluer
ce ration on peut ainsi contrôler facilement le gain d'un amplificateur contre-réactionné.

Gain total = 1/R

Ce mode de fonctionnement avec contre-réaction sera appelé : mode en boucle fermée

68
5. MONTAGES À AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS
Figure 4.6 représente le montage le plus simple que l’on puisse réaliser à l’aide d’un AO.
69
La présence d’une boucle de contre-réaction assure un fonctionnement linéaire au montage. Comme v+ = 0, on a v- = 0.
par ailleurs, l’impédance d’entrée de l’amplificateur étant infinie, aucun courant ne peut y entrer. C’est donc le même
courant i qui parcourt les résistances R1 et R2. on peut donc écrire : ve = R1 i et 0 - vs = R2 i.

En éliminant le courant i de ces deux expressions, il vient : vs/ve = - R2/R1.

Ce type de relation reste valable en régime sinusoïdal avec des dipôles linéaires passifs (condensateurs, bobines) en
utilisant la représentation complexe du circuit (figure 4.7).

69
 i R2

ve R1
70 -
v- vs

Figure 4.6

70
Quelques applications et exemples pratiques :

Montage inverseur
C'est un amplificateur dont on règle le gain par
71 des résistances R1 et R2. La valeur de la
l'ajustement
tension de sortie est :
R2
Vo = ____ Vi
R1
R3 = R2//R1
La sortie est déphasée de 180° à l'entrée d'où son nom

Montage non inverseur

Même principe que pour le précédent, la valeur de
la tension de sortie est :

R1 + R2
Vo = __________ Vi
R2
La sortie est en phase avec l'entrée
L'impédance d'entrée est élevée

Tampon gain unitaire

Nous avons déjà vu ce type d'amplificateur en
composants discrets.
Impédance d'entrée très élevée
gain unitaire
71
L'additionneur
Ce montage hormis ses applications
mathématiques est utilisé pour écouter plusieurs
récepteurs sur un seul amplificateur. En
72potentiomètre à l'entrée on peut
ajoutant un
doser le volume pour chaque entrée.
V1 V2 V3
Vo = R4 ( __ + ___ + ___ )
R1 R2 R3

R5 = R1//R2//R3//R4

Le soustracteur
Principe inverse du montage précédent.
Si R1=R3 et R2=R4

R2
Vo = _____ ( V2-V1)
R1

Le filtre passe-bas
Les AOP sont utilisés pour la construction de filtres en tous genres. Ici
un exemple de filtre passe-bas.
R1
A = ________ + 1
R2
1
fc = __________
2 p RC 72
Fc étant la fréquence de coupure. Pour obtenir plus d'atténuation, il est
fréquent de coupler plusieurs filtres en série.
 Récapitulatif
Ce qu'il faut retenir, en bref :
73
 un AOP amplifie la différence des tensions appliquées sur ses deux entrées, l'une étant dite "non inverseuse" et

l'autre, "inverseuse"

 l'alimentation est en principe symétrique, mais une alimentation positive est souvent possible

 le gain (facteur d'amplification) en boucle ouverte est faramineux: souvent supérieur à 100.000

 l'impédance d'entrée est très grande, l'impédance de sortie très petite

 le gain diminue à mesure que la fréquence augmente; la bande passante va en général du continu à 1 ou 2 MHz

pour les AOP en technologie bipolaire

 le courant maximal disponible atteint environ de 25 mA

 les AOP modernes sont désormais très proches de l'AOP "parfait"

73
 LES FILTRES FREQUENTIELS

Le filtrage est une des fonctions essentielles de l’électronique et est basé sur le comportement fréquentiel des dispositifs
74 Dans ce chapitre, l’étude est faite seulement en régime sinusoïdal.
électroniques.

1. COMPORTEMENT FRÉQUENTIEL DES SYSTÈMES.

Considérons un dispositif électronique possédant une porte d’entrée et une porte de sortie (figure 5.1)

ve vs Ve Vs

Figure 5.1 Figure 5.2

En régime sinusoïdal, on associe une représentation complexe : ve(t) → Ve et vs(t) → Vs

Si le circuit est linéaire, autrement dit s’il ne comporte que des dipôles passifs ou linéaires ou des composants actifs
(transistors ou amplificateurs opérationnels) fonctionnant en régime linéaire, et si son signal d’entrée est sinusoïdal,
alors son signal de sortie sera également sinusoïdal, de même pulsation.

Ainsi, on peut écrire :

74
On définit la fonction de transfert fréquentielle (ou gain complexe) du dispositif par la relation :

75
Le module de cette fonction est appelé gain réel et correspond au rapport des amplitudes des sinusoïdes de sortie et d’entrée.

On définit également le gain en décibels :

L’avance algébrique de phase φ de la tension de sortie par rapport à la tension d’entrée dépend également de la pulsation du

signal sinusoïdal. On a : arg(a+ib)=artan(a/b)

Les deux fonctions et φ() traduisent le comportement fréquentiel du système considéré.

2. DIAGRAMMES DE BODE

Les diagrammes de Bode correspondent au tracé de la fonction et de la fonction φ() en fonction de log
(voir figure 5.3).

75
Le plus souvent, on se contente du diagramme du gain qui permet de visualiser le comportement fréquentiel
du système. Ce diagramme de gain est également appelé courbe de réponse fréquentielle du système.
76 de la fonction
En disposant , très facile à obtenir dans la représentation complexe du circuit, on peut sans
peine effectuer ce tracé.

On se contente la plupart du temps, du tracé asymptotique de ce diagramme de gain. Ce diagramme asymptotique revient à
rechercher des équivalents de la fonction en fonction des différentes valeurs de .

Pour des systèmes linéaires, ces équivalents

correspondent systématiquement à des

segments de droite dans un diagramme

logarithmique. D’une manière générale, le

diagramme asymptotique est une bonne

approximation de la courbe réelle compte

tenu du lissage effectué par le tracé

logarithmique.

76
3. LES FILTRES
Un filtre est un dispositif électronique spécialement conçu pour présenter une courbe de réponse effectuant une amplification
(ou une atténuation) sélective de certaine fréquences ou pulsations.
77
On distingue (figure 5.4) quatre grandes familles de filtres selon leur comportement fréquentiel :
 Les filtres passe-bas qui présentent une atténuation du signal de sortie au-delà d’une certaine fréquence dite de coupure
 Les filtres passe-haut qui atténuent les signaux en dessous d’une fréquence de coupure.
 Les filtres passe-bande qui amplifient les signaux dont la pulsation est comprise dans un intervalle particulier et qui
atténuent en dehors de cet intervalle
 Les filtres réjecteurs qui atténuent les signaux dont la fréquence est située autour d’une fréquence centrale dite de réjection.

77
4. LES FILTRES RC - RL
La cellule ou filtre RC :
On peut très simplement réaliser un filtre avec un
condensateur
78 et une résistance.
Comportement sous l'action d'une tension alternative:
La résistance se comporte comme toute résistance en
présence de tension, qu'elle soit continue ou alternative, elle
résiste.
La capacité, elle, présente une réactance qui est dépendante
de la fréquence et de la valeur de la capacité.
Quand la fréquence croît, la réactance de cette capacité
décroît, inversement, quand la fréquence décroît, la
réactance de la capacité augmente.

Rajoutons au montage précédent une résistance de charge

notée RL.
On est donc en présence d'un simple pont diviseur formé
par d'une part la résistance R et la capacité C. La charge RL
est connectée au point commun.

Aux fréquences basses, la réactance du condensateur est très élevée, on A

t
peut le considérer comme un circuit ouvert, le circuit n'atténue pas, aux t
fréquences élevées, la réactance du condensateur est faible, on peut le é
n
considérer comme un court-circuit, le circuit atténue fortement. u
On en présence d'un filtre passe-bas. a
En inversant les composants, on obtiendrait, selon la même t
i
logique, un filtre passe haut. o
n
Fréquence
78
 Filtre passe-bas Filtre passe-haut

79

Fréquence de coupure des filtres RC :

On a, à droite, la courbe de réponse traditionnelle d'une cellule
RC passe-bas. La fréquence de coupure du filtre sera la
fréquence à laquelle l'amplitude du signal de sortie atteindra
70,7 % de l'amplitude initiale du signal.
Ceci est naturellement valable tant pour les filtres passe-bas que
passe-haut.
On calculera la fréquence de coupure des ces filtres par la
relation suivante :
Avec Fo en Hz
R en W Zc=ZR
C en F 1/CWc=R
RCWc=1
2пRCfc=1
fc=1/2пRC
La fréquence de coupure sera la fréquence à laquelle la réactance (selfique ou capacitive) sera égale à la résistance

79
La cellule ou filtre RL :
L'inductance, comme vous le savez depuis longtemps, présente une réactance au courant alternatif. Sa loi de
progression est dictée par la célèbre relation Xl = Lω avec ω = 2πf.
En clair quand la fréquence croît, la réactance croît et la self est un filtre passe-bas naturel à l'instar du condensateur qui
80passe-haut naturel
est un filtre

Filtre passe-bas Filtre passe-haut

Dans le filtre ci-dessus, la réactance de la self étant faible aux Inversement ici on a affaire à un passe-haut car aux basses
basses fréquences, celles-ci seront transmises sans fréquences, l'inductance court-circuite celles-ci vers la masse.
pratiquement d'atténuation. Au fur et à mesure que la Quand la fréquence croît, la réactance croît et son effet de
fréquence croît, Xl croît également ce qui à pour effet court-circuit s'estompe, permettant ainsi la transmission.
d'atténuer la transmission. Ce filtre se comporte en passe-bas

Fréquence de coupure des filtres RL :

Comme pour les cellules RC, les cellules RL ont une fréquence
de coupure comme cela est symbolisé sur la figure ci-contre et
cette fréquence de coupure est déterminée à -3 dB.
La seule différence est que la formule de calcul de celle est
différente.
Pour déterminer cela on appliquera pour les cellules RL passe-
haut ou passe-bas la formule suivante : avec R en Ω
F en Hz 80
L en H
 L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL EN REGIME NON LINEAIRE
En l’absence de boucle de contre-réaction, l’amplificateur opérationnel ne se comporte plus linéairement. Ce nouveau
81
type de fonctionnement permet de concevoir des montages qui tirent parti de cette non linéarité.

1. FONCTIONNEMENT EN COMPARATEUR
Compte tenu de son gain en tension très grand et, par conséquent, de sa zone de linéarité très étroite, un amplificateur
Opérationnel démuni d’une boucle de contre-réaction possède un fonctionnement caractérisé par les relations suivantes :

 Si v+> v- : vs = Vmax saturation a Vmax

 Si v+< v- : vs = Vmin saturation a Vmini

Ce type de fonctionnement s’apparente à une opération de comparaison entre les deux tensions placées à l’entrée de
l’amplificateur opérationnel.
Les niveaux des tensions de sortie Vmax et Vmin sont en général voisines des tensions d’alimentation VCC et –VDD
qui peuvent donc être choisies en fonction des valeurs de sorties souhaitées

2. COMPARATEUR À COLLECTEUR OUVERT

Les amplificateurs opérationnels classiques se prêtent sans problème à un fonctionnement en comparateur, mais on leur
préfère très souvent des circuits spécifiquement destinés à ce type d’opération.
A titre d’exemple, la contrainte concernant l’égalité des tensions de sortie et des tensions d’alimentation pose très souvent
un problème lorsqu’on souhaite conserver une alimentation symétrique (en général +15V / -15V) et disposer de niveaux
de sortie spécifiques (par exemple 0 / 5 V). 81
Ce problème trouve sa réponse dans l’utilisation d’un comparateur dit à collecteur ouvert : l’étage de sortie du circuit est
constituée d’un transistor dont seule la base est reliée aux étages amont. L’émetteur et le collecteur de ce transistor sont
accessibles
82de l’extérieur et l’utilisateur peut compléter ce montage comme il l’entend (figure 6.2).

D’une manière générale, ce transistor de sortie sera relié, par l’intermédiaire d’une résistance de collecteur à un couple de
tension VH et VL qui constitueront les niveaux de sortie (figure 6.3).

Le circuit fonctionne alors de la manière suivante :

 Si v+> v- , le transistor est bloqué et on a : vs = VH

 Si v+< v- , le transistor est saturé et on a : vs = VL.

On peut par exemple choisir VH = 5 V et placer l’émetteur du transistor à la masse en choisissant VL = 0 V.

82
3. ASTABLES ET MONOSTABLES
En exploitant les propriétés de non linéarité de l’amplificateur opérationnel fonctionnant en comparateur, on peut
construire
83les dispositifs électroniques remplissant des fonctions très utiles. Parmi ceux-ci, les montages astables et les
bascules monostables figurent parmi les plus courants.

Un montage astable (figure 6.4) est un système délivrant une tension variable oscillant entre deux valeurs (astable signifie :
qui n’est pas stable).

On évite d’appeler oscillateur ce type de montage, préférant réserver cette appellation aux systèmes délivrant des tensions
sinusoïdales.

On rencontrera pourtant, de temps à autre, le nom d’oscillateurs à relaxation pour qualifier ces astables.

83
Un montage monostable (figure 6.5) est un système délivrant une impulsion de durée donnée T, commandée par un
signal d’entrée (lui-même une impulsion). C’est le changement de niveau (appelé le front) au niveau de l’entrée qui
84
déclenche le basculement du monostable, donc le début de l’impulsion de sortie. Indépendamment de l’impulsion
d’entrée, la sortie repasse spontanément à son niveau d’origine (ou de repos) après la durée T. seul ce niveau de repos
est stable, d’où l’appellation monostable.

La figure 6.5 représente un monostable déclenchant sur front montant et délivrant une impulsion positive de largeur T.
Les monostables déclenchent soit sur front montant, soit sur front descendant et délivrent une impulsion, soit positive,
soit négative.

84
Un montage monostable (figure 6.5) est un système délivrant une impulsion de durée donnée T, commandée par un signal
d’entrée (lui-même une impulsion). C’est le changement de niveau (appelé le front) au niveau de l’entrée qui déclenche le
85 du monostable, donc le début de l’impulsion de sortie. Indépendamment de l’impulsion d’entrée, la sortie
basculement
repasse spontanément à son niveau d’origine (ou de repos) après la durée T. Seul ce niveau de repos est stable, d’où
l’apparition monostable.

La figure 6.5 représente un monostable déclenchant sur front montant et délivrant une impulsion positive de largeur T. les

monostables déclenchent soit sur front descendant et délivrent une impulsion, soit positive, soit négative.

85
 LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

1. LES TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET)

86
Les transistors bipolaires, bien que toujours très utiles en électronique, sont malgré tout caractérisés par un certain
nombre de défauts, comme notamment, leur impédance relativement faible. Les transistors à effet de champ offrent une
alternative aux transistors bipolaires. Faisant partie des transistors unipolaires, ils sont caractérisés par une très haute
impédance d’entrée et par un comportement que l’on peut assimiler à celui d’une source de courant contrôlée en tension.
Les transistors à effet de champ à jonction (JFET)
Un JFET (junction field effect transistor) est constitué d’un « canal » de silicium,dopé N, par exemple et de deux zones
dopées différemment qui l’entourent (zones dopées P si le canal est dopé N).
Les deux zones P sont reliées entre elles S (figure 7.1) et forment la grille G du transistor. Deux contacts déposés sur
le canal N forment son drain D et sa source S.
La figure 7.2 représente le schéma de ce transistor à effet de champ à jonction canal N. si les zones N et P sont
inversées, on dit que le JFET est canal P (figure 7.3)

86
2. CARACTÉRISTIQUES DES TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP

87de fonctionnement du transistor à effet de champ canal N est le suivant : le canal N, entre le drain et la
Le principe

source, constitue un dipôle qui a vocation être conducteur, c’est-à-dire à être parcouru par un courant que l’on note ID et

que l’on appelle le courant de drain (même s’il est également, par définition, le courant de source. La présence d’une

différence de potentiel négative entre la grille et la source (soit VGS), crée un effet électrostatique dans le canal et confère

au composant les propriétés suivantes :

 Si VC ≤ VGS ≤ 0, le canal drain - source est conducteur;

 Si VGS ≤ VC, le canal drain - source est bloqué.

La tension VC est une caractéristique du transistor; il s’agit de la tension de blocage qui, pour un transistor canal N, est de

l’ordre de - 5 V.

87
Lorsque le transistor est conducteur , il peut présenter deux types de comportement en fonction de la tension V DS entre le

drain et la source :
88
 Si 0 ≤ VDS ≤ VP, le canal se comporte comme une résistance. Le courant de drain ID est proportionnel à VDS; la valeur de

cette résistance dépend, toutefois, de la valeur de VGS; on dit que le transistor fonctionne dans sa zone résistive ou ohmique;

 Si VDS > VP, le courant ID devient quasiment constant et indépendant de VDS; on dit qu’il y a pincement du canal. On dit

que le transistor fonctionne dans sa zone linéaire car les variations de ID sont proportionnelles à VGS.

La tension VP est appelée tension de pincement du transistor; elle est de l’ordre de 2 à 3 V pour un JFET canal N.

Notons par ailleurs, que pour une valeur de VDS donnée, le courant de drain varie en fonction de la tension VGS selon la loi :

ID = IDmax (1-VGS/VC)²

Le courant IDmax dépend de la valeur de VDS : plus VDS croît, plus le courant IDmax est important.

Notons par ailleurs, que pour une valeur de VDS donnée, le courant de drain varie en fonction de la tension VGS selon la loi :

ID = IDmax (1-VGS/VC)²

Le courant IDmax dépend de la valeur de VDS : plus VDS croît, plus le courant IDmax est important.

88
L’ensemble du fonctionnement du transistor à effet de champ à jonction canal N est résumé sur le réseau de caractéristiques

de la figure 7.4. Le JFET apparaît bien comme un dipôle commandé par la tension VGS.
89
Pour un transistor canal P, le principe de fonctionnement reste le même à ceci près que tous les signes des courants et

tensions doivent être inversés.

89
3. POLARISATION D’UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

Polariser un transistor à effet de champ revient à l’inclure dans un montage de sorte que son point de fonctionnement, en
90 soit situé dans sa zone de fonctionnement linéaire.
régime continu,

Il faut donc avoir : VDS > VP

La figure 7.5 présente un circuit de polarisation très simple à l’aide d’une résistance de drain. On notera que le courant de
grille, très faible, est, la plupart du temps, négligé.

Si la tension VGS est donnée, la caratéristique ID = f(VDS) est entièrement déterminée parmi toutes les courbes du réseau de
la figure 7.4.

90
On a par ailleurs :

91
Cette équation correspond à la droite de charge don’t l’intersection avec la caractéristique du transistor nous donne le point

de fonctionnement. Si on souhaite effectivement polariser le JFET dans sa zone linéaire, on choisira la résistance de drain de

sorte que ce point soit tel que VDS > VP (figure 7.6).

91
4. SCHÉMA ÉQUIVALENT EN RÉGIME LINÉAIRE

Comme pour le transistor bipolaire, le transistor à effet de champ a vocation à participer à des montages dans lesquels ses
92de fonctionnement linéaire seront exploitées. Il s’agit, ici, d’utiliser la proportionnalité entre le courant de drain et la
propriétés

tension VGS, ce qui met l’accent sur la particularité du JFET d’être parcouru par un courant commandé par une tension .

Supposons que le transistor soit polarisé dans sa zone linéaire. Si on superpose un signal variable vGS à la tension de polarisation
continue VGS, de variations iD et vDS apparaîtront autour des valeurs continues de polarisation ID et VDS. On montre que :
iD = svGS + vDS/ρ

Avec s, la pente dynamique du transistor, encore appelée transconductance et qui, pour les JFET usuels, est de l’ordre de 10 -3 S
(le siemens est l’unité de conductance, équivalent à des -1), et ρ, la résistance dynamique de sortie du transistor, en général
supérieure à 100 k et que nous pourrons, dans certains cas, considérer comme infinie.

Les figures 7.7 et 7.8 traduisent ces équations en un schéma équivalent valable pour le fonctionnement du JFET en régime de
petits signaux, selon que l’on tient compte, ou non, de la présence de la résistance ρ.

92