Faculté des sciences Année Universitaire 2022/2023
Département de physique Filière LP EII
El Jadida
TRAVAUX DIRIGES
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
série 1
Exercice 1: MONTAGE AMPLIFICATEUR EN EMETTEUR COMMUN “BOOTSTRAP”
Le schéma du montage à étudier est donné en figure 1. Il utilise un transistor NPN à 25 °C dont les
paramètres sont les suivants :
β = 500, VBE = 0.6 V, ICrepos = 2 mA et résistance rce infinie
Figure 1
1° PARTIE : On suppose que l’interrupteur K est ouvert.
1. Sachant que dans le domaine des fréquences de travail, tous les condensateurs sont des courts circuits,
dessiner le schéma équivalent au montage complet, aux petites variations et aux fréquences moyennes. On
choisit de représenter le transistor par son modèle en “β ib”
2. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg).
Ne pas oublier de donner le schéma d’analyse. Faire l’application numérique.
2° PARTIE : On suppose que l’interrupteur K est fermé.
Le condensateur “bootstrap” C2 va ramener, aux variations, le pont de polarisation R1 R2 dans le circuit
d’émetteur du transistor. Cette technique va entraîner une augmentation de la résistance d’entrée du montage.
3. Sachant que dans le domaine des fréquences de travail, tous les condensateurs sont des courts
circuits, dessiner le schéma équivalent au montage complet, aux petites variations et aux fréquences
moyennes. Représentez le transistor par son modèle en “gm vbe”.
On appelle r la résistance équivalente située entre base et émetteur du transistor et Réq celle qui se
trouve entre collecteur et masse et R’E entre émetteur et masse.
4. Calculer l’expression du gain en tension du montage : Faire l’application numérique.
5. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re vue par le générateur d’attaque (eg, Rg). Faire l’application
numérique.
6. Déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs du montage vue par la résistance Ru.
1
Exercice 3: ETAGE AMPLIFICATEUR EC A FORT GAIN .
On donne en figure 2 le schéma d’un amplificateur émetteur commun à T = 25°C, alimenté
par une tension VC C de 20V, dans lequel le transistor NPN T1 possède, grâce à une valeur
convenable de la résistance de polarisation RP, un point de repos centré sur sa droite de charge.
+ V CC = +20 V
RC
C1 S
Rg Rp CL2
CL1 B1
50 Ω T1
vs
+
eg ve
-
M (0 V)
Figure 1
Le transistor T1 possède :
• Un gain en courant β1 de 100
• Une résistance interne rce1 de 20 KΩ.
1. Dessiner le schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu.
Le point de repos du transistor T1 doit être centré sur sa droite de charge avec un courant de
collecteur IC1repos = 5 mA. Indiquer sur le schéma précédent, la valeur de la tension de tous
les nœuds par rapport à la masse. Calculer la valeur à donner à la résistance RC ainsi que la
puissance qu’elle dissipe.
2. Déterminer la valeur à donner la résistance RP. Indiquer la valeur normalisée que vous
choisiriez.
3. Déterminer les paramètres gm1 et rbe1 du transistor T1 autour de son point de repos.
4. On suppose que les condensateurs CL1 et CL2 ont des valeurs suffisantes pour que leur
impédance soit négligeable à la fréquence d’utilisation du montage. Compte tenu de ces
hypothèses, dessiner le schéma aux petites variations équivalent au montage complet.
v
5. Déterminer l’expression du gain en tension du montage : Av.0 = vse .Faire l'AN
6. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re du montage, tel que la voit le générateur
d’excitation (eg, Rg) entre B1 et la masse. Faire l’application numérique.
7. En utilisant la méthode de l’ohmmètre, déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs
du montage vue entre le collecteur C1 et la masse. Faire l’application numérique.
2
Exercice 3: Association Emmetteur commun Collecteur commun
On considère le montage amplificateur suivant qui utilise à 25 °C, deux transistors : T1 et T2
(NPN) tels que :
β1 = 200, β2 =100 et les résistances internes rce élevées, seront négligées.
+ VCC = +24V
R1
T2
CL1
T1
CL2
vs1 R3
1.2 KΩ
Rg R
ve
Ru vs
+
500 Ω
eg R2
C D1 C D2 R4
-
2.2 KΩ 4.7 KΩ
1) Les courants de repos de collecteur des transistors T1 et T2 sont respectivement : IC1 = 1.7 mA et
IC2 = 2 mA.
a) En négligeant les courants de base, indiquer sur le schéma la valeur des tensions
remarquables par rapport à la masse.
b) En déduire la valeur à donner aux résistances R et R1.
On étudie maintenant les performances du montage en régime sinusoïdal petites variations
et fréquences moyennes. Au lieu de dessiner le schéma équivalent du montage complet, il est plus
pratique de procéder par étapes, c’est-à-dire d’analyser chaque étage séparément.
2) Dessiner uniquement le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes de
l’étage T2.
3) Calculer l’expression de la résistance d’entrée Re2 de l’étage T2 ainsi que son gain en tension.
Faire les applications numériques.
4) Compte tenu de la question précédente, en utilisant la résistance Re2 , dessiner le schéma
équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes de l’étage T1.
5) Déterminer l’expression du gain en tension du 1° étage. Faire l’application numérique.
6) Donner l’expression et calculer la résistance de sortie Rs du montage complet. Faire le schéma
qui permet de déterminer Rs.
