Exercice 3 : On considère l’amplificateur de la figure
Département de Physique
Faculté des Sciences
Agadir
A.U. 2022-2023
SMP4 – Module : Electronique 1
Série 3
Exercice 1 : Pour déterminer l’état d’un transistor, il faut calculer VCE :
Transistor bloqué VCE= VCC : IC 0 ; IB 0 ; IE 0
Transistor en régime linéaire VCEsat VCE VCC : IC IB IE IC IB
Transistor saturé VCE VCEsat : IC IB IE IC IB A. Etude en continu : Polarisation du transistor VBE0 = 0.7V ; 100
Pour déterminer l'état réel de polarisation d’un transistor, procéder de la manière suivante :
Supposer que la jonction base émetteur est passante. 1) Donner le schéma équivalent au circuit.
Calculer le courant de base en supposant que le transistor fonctionne en régime 2) Exprimer le courant de l’émetteur IE 0 en fonction de R1, R2, RE, β et VBE0 . par la suite,
linéaire et déduire le courant de collecteur.
prendre IE0 600A .
Calculer la tension VCE
Pour le circuit 1, on donne successivement à la tension VBB les trois valeurs : 3) Calculer IC0, VE0M, VC0M,VC0E0 et VB0M
VBB =0,5V,1V, 2 V. Pour chacune de ces valeurs calculer : lB, IC, IE et VCE et donner l’état du
transistor.( 100 VCEsat 0 VBE 0.8V ) 4) Sachant que la tension de saturation VCEsat=0V, déduire l’état du transistor.
Circuit 2
5) Donner l'équation de la droite de charge statique I C=f(VCE).
Circuit 1 6) Tracer cette droite sur la figure 1
RC 10kΩ
RB 20kΩ B. Etude en alternatif
RC 1kΩ
10V VCC
On s’intéresse maintenant aux petites variations autour du point de repos précédemment
fixé. (la capacité à l’entrée est considérée comme infiniment grande)
RB 10V VCC Le transistor est représenté par son schéma équivalent :
10kΩ
h11 1.5K ; h12 0 ; h21 ; h22 0
RE 1kΩ
VBB
1) L’interrupteur K est ouvert :
a) Donner le schéma équivalent au circuit.
vs
Exercice 2 : Pour le circuit2, Calculer lB, IC, IE et VCE et donner l’état du transistor. b) Calculer le gain en tension A v1
ve
Prendre : VBE 0.7V ; VCEsat 0 ; 100
Ve
c) Déterminer Z e , impédance d’entrée vue de la source.
ie
Pr. E.M. SKOURI Page 1
d) Déplacement du point de fonctionnement : limite d’excursion 2.1 Donner le schéma équivalent au circuit en alternatif.
Pour connaitre l’amplitude maximale du signal applicable à l’entrée sans qu’il y ait écrêtage 2.2 Exprimer le gain en tension Av=vs/ve en fonction de h11, et rc.
du signal de sortie, il faut savoir comment le point de fonctionnement se déplace dans le 2.3 Exprimer l’impédance d’entrée Ze=ve/ie en fonction de h11, et RE.
plan IC(VCE) à mesure que l’amplitude du signal d’entrée augmente. 2.4 Déterminer l’impédance de sortie (Déterminer le générateur de thévenin équivalent
d1) Montrer que l'équation de la droite de charge dynamique I c=f(VCE) est donnée à la sortie, RL débranchée).
par : Ic(Ma )≈1.364-0,091VCE
d2) Tracer cette droite sur la figure 1
d3) Donner les limites d’excursion du signal de sortie coté blocage et saturation en Exercice 5
supposant que la tension de saturation du transistor nulle. 1) Décrire le circuit de la figure ci-dessous en mettant en évidence :
d4) Donner l’amplitude maximale du signal applicable à l’entrée sans qu’il y ait a) Les particularités du circuit de polarisation.
écrêtage du signal de sortie. b) Les caractéristiques du fonctionnement en régime dynamique.
d5) Pour ve(t)=-sint (V), tracer sur la figure 2 l’évolution de la tension de sortie en
fonction du temps
RC
2) L’interrupteur K est fermé, la capacitéC E est considérée comme infiniment grande. R B1 T2 2 100
v VCC
a) Calculer le gain en tension A v2 s C1 T1
ve C2
1 300
b) Déterminer Z e , impédance d’entrée vue de la source. RG
R1
v e t RE RL v s t
3) Conclure quant aux rôles de C E et R E RB2
Exercice 4 : On se propose d’étudier en alternatif l’amplificateur ci-dessous utilisant un e G t CE
R2
transistor bipolaire NPN et une alimentation continue V CC.
2) Déterminer l’intensité du courant collecteur I C et la tension VCE de chaque transistor (VBE1=
R1 RC C VBE2=0,6V).
2
3) Déterminer en régime dynamique petit signal aux moyennes fréquences :
VCC
C 3 ie a) La résistance d'entrée Re vue par le générateur.
RL
vs b) Les différents gains en tension intrinsèques et composites.
C1 R2 T1 : h11-1 16,25KΩ ; h22-1 0
RE ve
T2 : h11-2 472Ω ; h22-2 0
3) Donner la contribution de l'étage construit autour du transistor T2.
Le transistor peut être représenté par son schéma équivalent (3 ème approximation) : 4) Tracer les droites de charge statique et dynamique de chaque étage. En déduire
h11 ; h12 0 ; h21 ; h22 0 l'amplitude maximale du signal de sortie à la limite de l'écrêtage
Aux fréquences utilisées, les capacités C1 et C2 ont des impédances négligeables : a) du transistor T2 (Figure 3).
1) Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur ? (EC ; BC ; CC) b) du transistor T1(Figure 4).
2) On s’intéresse maintenant aux petites variations autour du point de repos. On posera
par la suite rC=RC//RL.
Pr. E.M. SKOURI Page 2
Exercice 6
On considère l’amplificateur à deux étages de la figure ci-dessus. Les transistors T1 et T2 sont
identiques.
Aux fréquences utilisées, les capacités C1 et C2 ont des impédances négligeables.
On s’intéresse aux petites variations autour du point de repos. Chaque transistor peut être
représenté par son schéma équivalent :
h11 3570 ; h12 0 ; h21 150 ; h22 0
1) Quel rôle joue l’étage 2 pour l’étage 1.
2) Déterminer l’impédance d’entrée de l’étage 2. Faire l’application Numérique
v
3) Exprimer le gain en tension A v 2 s de l’étage 2 (vS1=vC1M). Faire l’application numérique.
v s1
v s1
4) Exprimer le gain en tension A v1 de l’étage 1 chargé par l’étage 2. Faire l’application
ve
numérique
vs
5) Déduire le gain en tension A v de l’amplificateur à deux étages. Faire l’application
ve
numérique.
6) Déterminer l’impédance d’entrée de l’amplificateur à deux étages.
7) Déterminer l’impédance de sortie de l’amplificateur à deux étages.
Pr. E.M. SKOURI Page 3
Figure 1 Figure 2
1,5 1 10
IC(mA) Vs(V)
0,5 5
1
0 0
t
0,5
-0,5 -5
0 Ve(V)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
VCE (V) 15 -1 -10
10 2
IC2(mA)
Figure 3 IC1(mA) Figure 4
8
1,5
0,5
2
VC2E2(V)
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 VC1E1(V) 25
Pr. E.M. SKOURI Page 4
