Université Mohammed V, Faculté des Sciences, Rabat

Série 3 SMP5 : Électronique

Amplificateurs différentiels et opérationnels

Exercice 1 :

1.
Schéma en statique de l’amplificateur
On considère l’amplificateur différentiel à base de transistors MOSFET canal N à enrichisse-
ment de la figure 1.
Les transistors M1 et M2 sont identiques et sont caractérisés
par : Kn = 1mA/V 2 , Vtn = 1V et λ = 0. On donne : VDD =
VSS = 15V , Av1 = vv01
1
= −10V lorsque v2 = 0V et IQ = 10mA,
RSS = 50kΩ.
Le schéma en statique de l’amplificateur est illustré Fig.
1.1.

R
FS
Les courants drains ID1 et ID2 sont égaux du fait que M1 et M2 sont identiques et la structure
présente une symétrie ( Mêmes résistances aux drains). Il en résulte que :

IQ
ID = ID1 = ID2 = = 5mA (1)
2
Les paramètres en dynamique des transistors sont définis par :
p √ 1
gm = gm1 = gm2 = 2 Kn ID = 2 1 × 5 mA/V = 4.4721mA/V, r01 = r02 = r0 = =∞
λID
(2)
2. Les schémas en dynamique de l’amplificateur pour les deux modes de fonctionnement
différentiel et commun sont représentées Figures. 1.2-1.5.

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R
FS
Mode différentiel et demi amplificateur
La tension différentielle vd introduite dans les schémas Fig. 1.2 et 1.3 est définie par :
vd = v1 − v2 (3)
Le schéma de la figure 1.2 peut être scindé en deux de sorte qu’en mode différentielle, on utilise
le demi-amplificateur de la figure 1.6(a,b).

Le gain différentiel est donné par

v01 −gm vgs RD
Ad = vd = = −gm RD (4)
2 vgs

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Mode commun et demi amplificateur

La tension Mode commun introduite dans les figures 1.4 et 1.5 est définie par :
v1 + v2
vcm = (5)
2
Le schéma du demi-amplificateur en mode commun, obtenu en scindant le circuit de la figure
1.5 en deux, est représenté Fig. 1.7(a,b).

R
À partir du schéma ci-dessus, on obtient l’expression du gain Acm . En efffet, on a :

D’autre part, on peut écrire :

v01 = −RD gm vgs

vgs = vcm − vs
(6)

(7)
FS
= vcm − 2Rss gm vgs (8)
Soit :
vcm
vgs = (9)
1 + 2gm RSS
Le gain en mode commun est donc :
v01 −gm RD
Acm = = (10)
vcm 1 + 2Rss gm
D’après le principe de superposition, on obtient la tension v01 de l’amplificateur qui s’exprime
ainsi :
 
vd
v01 = Ad + Acm vcm (11)
2
 
v1 − v2 v1 + v2
= Ad + Acm (12)
2 2
1 1
= (Ad + Acm ) v1 + (Acm − Ad ) v2 (13)
2 2
Le gain Av1 défini à v2 = 0V admet pour expression :
v01 1
Av1 = = (Ad + Acm ) (14)
v1 2
 
1 1
=− 1+ gm RD (15)
2 1 + 2gm Rss

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Il s’ensuit donc que :

−2Av1 −2 × (−10)
RD = 1 =  ≈ 4.46kΩ (16)
(1 + 1+2gm Rss )gm 1+ 1
× 4.4721
1+2×50×4.4721

Le gain différentiel, donné par l’expression (4), admet donc pour valeur :

Ad = −gm RD = −4.4721 × 4.46 ≈ −19.946 (17)

De plus, le gain en mode commun vaut :

Ad
Acm = = −19.946/(1 + 2 × 4.4722 × 50) ≈ −0.044500 (18)
1 + 2Rss gm
Le taux de réjection CMRR est donc :
Ad −19.946
CM RR = = ≈ 448.22 (19)
Acm −0.0445
CM RRdB = 20 log10 (CM RR) = 20 log10 (448.22) ≈ 53.030dB (20)
3. La tension v01 s’exprime ainsi :

1 1

R
Exercice 2 :
v01 =
2
(Ad + Acm ) v1 + (Acm − Ad ) v2
2
= 0.5(−19.946 − 0.0445)v1 + 0.5(−0.0445 + 19.946)v2
v01 = 9.9508v2 − 9.9953v1

On considère l’amplificateur différentiel à charge active de la figure 2.

(21)
(22)
(23)
FS
Les quatre transistors sont caractérisés par β = 100, VA = 100V . Q1 est identique à Q2 et
Q4 identique à Q3. On donne VT = kT /e ≈ 25mV et le courant de polarisation IQ = 20µA. La
tension VCC = VEE = 15V . Les tensions v1 et v2 sont sinusoı̈dales.
1. Schéma en statique de l’amplificateur
Le schéma en statique de l’amplificateur est représenté Fig. 2.1.

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Les transistors Q3 et Q4 sont identiques. De plus, ils admettent les mêmes tensions base-
émetteur :
VEB3 = VEB4 (24)

R
Sachant que le courant émetteur d’un transistor bipolaire PNP s’écrit :
VEB
iE ≃ ISE e ηVT
Il en résulte que les deux transistors PNP admettent les mêmes courants émetteurs :

D’autre part, on a :
IE3 = IE4
(25)

(26)
FS
IC3 + IC4 IC + IC2
I0 = ≈ 1 , I0 ≪ IC3 , β ≫ 1 (27)
β β

αIE1 + αIE2 IE1 + IE2 β

I0 = = α, α= , IQ = IE1 + IE2 (28)
β β β+1
d’où :
IQ
I0 = (29)
β+1
2. Mode différentiel et gain différentiel
Étude rapide
Le schéma de l’amplificateur en régime petits signaux peut être mis sous la forme Fig. 2.2
(bien entendu, les transistor sont équivalents à leurs circuits petits signaux).
En négligeant l’effet des résistances entre émetteurs et collecteurs, la source (- v2d ) engendre le
courant ic1 = −gm vd /2 qui est approximativement égal au courant ic4 ( les courants bases B4 et
B3 sont négligeables, il en résulte que le courant entre B3 et C3 est également négligeable). Du
fait que les transistors Q3 et Q4 sont identiques et sont soumis à la même tension base-émetteur,
il en résulte que le courant ic4 = ic3 = −gm vd /2. D’autre part, la source ( v2d ) produit un courant
ic2 = gm2 vd /2 = gm vd /2 ( les quatre courants collecteurs des transistors sont égaux en statique
à IQ /2).
En tenant compte des résistances r0i des transistors, on aura le schéma permettant le calcul
de la tension de sortie donné à la figure 2.3.

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La loi des nœuds se traduit part :

v0 vd v0 vd
+ gm + + gm = 0 (30)
r02 2 r04 2
Il en résulte que :
v0 = −gm r02 ∥ r04 vd (31)

Or, R
Le gain différentiel est donc :
v0
vd
= Av = −gm r02 ∥ r04

r02 = r4 =
VA
IQ
2
, gm =
IQ
2
VT
(32)

(33)
FS
Soit :
VA
Av = − (34)
2VT
Demi amplificateur
Pour obtenir le demi amplificateur, on annule la source de tension (-vd /2) ; ce qui se traduit
par le courant ic4 = 0A et par conséquent, la base B4 est connectée au potentiel de référence.
Le schéma du demi amplificateur est illustré Fig. 2.4.

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On note que le gain différentiel dans ce cas est donné par :

v0
Ad = vd , F ig.2.4 (35)
2

On retrouve le même résultat que celui de l’expression (34) en substituant aux transistors
leurs schémas petits signaux (cf. Fig. 2.5)

La résistance d’entrée du demi-amplificateur (Fig. 2.5) est donnée par l’expression suivante
VT
rid,demi = rπ2 = rπ = β (36)
IQ/2

On déduit que la résistance différentielle de l’amplificateur s’écrit :

R
Étude détaillée
rid = 2rid,demi = 2β
VT
IQ
2

Le schéma de l’amplificateur en dynamique est représenté Fig. 2.6.

(37)
FS
Nœud A :
vπ3 vπ3 vd vπ3 vπ3
+ + gm vπ3 − gm + + =0 (38)
r03 r01 2 rπ3 rπ3
gm v2d VT VA β (IQ /2)
vπ3 = 2 , rπi = rπ = β , rOi = ro = , i = 1, 2, 3, 4, gm = =
r0 + r2π + gm (IQ /2) (IQ /2) rπ VT
(39)
On a :
r0 VA 100 1 1
= = ≈ 40.0 ≫ 1, ≫ , c′ est toujours le cas (40)
rπ βVT 100 × 0.025 rπ r0

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et
β 2
gm = ≫ (41)
rπ rπ
Il s’ensuit que :
vπ3 = vπ4 = vd /2 (42)
et à partir du nœud P, on obtient :
v0 v0 vd
+ + gm + gm vπ4 = 0, vπ4 = vd /2 (43)
r02 r04 2
Ce qui entraı̂ne finalement :
r0
v0 = −gm vd (r02 ∥ r04 ) = −gm vd (44)
2
Le gain en mode différentiel est donc :

v0 IQ /2 VA 1 VA 100
Av = = −gm r0 /2 = − =− =− ≈ −2000.0 (45)
vd VT IQ /2 2 2VT 2 × 0.025

βVT 25 × 10−3
rid = 2 = 2 × 100 × ≈ 5.0 × 105 Ω = 500kΩ (46)
IQ /2 10 × 10−6
Exercice 3 :

R
L’amplificateur opérationnel de la figure 3 est supposé idéal.
FS
1. Expression de la tension de sortie v0

A partir du schéma de la figure 3.1 et par application de la méthode des nœuds, on peut
écrire :
v1 − v− v2 − v− v3 − v− v− − v0
j= + + = (47)
R1 R2 R3 RF

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et :
va − v+ vb − v+ vc − v+ v+ − 0
k= + + = (48)
Ra Rb Rc Rx
De plus,
v+ ≈ v− (49)
À partir de l’équation (48), on obtient :

v+

R
1
Ra ∥ Rb ∥ Rc ∥ Rx

=
va
+
vb
Ra Rb Rc
+
vc

v+ = v− = (Ra ∥ Rb ∥ Rc ∥ Rx )

La relation (47) peut être réécrite ainsi :

v0 = −RF

v+
R1 ∥ R2 ∥ R3 ∥ RF
−

va
+
vb
Ra Rb Rc

v1
−
+
vc

v2
R1 R2 R3
−


v3

(50)

(51)

(52)
FS
   
1 va vb vc v1 v2 v3
= −RF (Ra ∥ Rb ∥ Rc ∥ Rx ) + + − − − (53)
R1 ∥ R2 ∥ R3 ∥ RF Ra Rb Rc R1 R2 R3
Avec :

Ra ∥ Rb ∥ Rc ∥ Rx = (1/52.5 + 1/35 + 1/70 + 1/210)−1 kΩ ≈ 15.kΩ (54)

R1 ∥ R2 ∥ R3 ∥ RF = (1/30 + 1/210 + 1/42 + 1/210)−1 kΩ ≈ 15.0kΩ (55)

v0 = −210 × (15/15 × (va /52.5 + vb /35 + vc /70) − v1 /30 − v2 /210 − v3 /42) (56)
= 7v1 + v2 + 5v3 − 4va − 6vb − 3vc (57)

2. Résistances vues par les entrées inverseuse et non inverseuse

La résistance vue par l’entrée non inverseuse est :

R+ = Ra ∥ Rb ∥ Rc ∥ Rx = (1/52.5 + 1/35 + 1/70 + 1/210)−1 kΩ ≈ 15.kΩ (58)

Celle vue par l’entrée inverseuse est donnée par :

R− = R1 ∥ R2 ∥ R3 ∥ RF = (1/30 + 1/210 + 1/42 + 1/210)−1 kΩ ≈ 15.0kΩ (59)

Les deux résistances sont égales, ce qui permet de minimiser les courants de décalages ( Courant
OFFSET).

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Exercice 4 :

On considère les circuits Figures 4a et 4b. Les amplificateurs opérationnels sont supposés
idéals. Les capacités sont initialement non chargées.

R
Circuit Fig. 4a :
On considère le circuit Fig. 4.1 dans lequel sont reportés les tensions et courants du circuit
Fig. 4.a.
FS
Du fait que l’amplificateur opérationnel est idéal, on peut écrire :

i+ = i− = 0A, v− ≈ v+ (60)

De plus, la loi des nœuds se traduit par :

is = iR + iC (61)
vs − v+ dv+ v+ − v0
=C + (62)
R dt R
et la loi diviseur de tension entraı̂ne :
R1
v− = v0 = v+ (63)
RF + R1

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À partir de la relation (62), on déduit que :

 
R1 dv0 R1 1 RF vs
C + v0 − = (64)
R1 + RF dt RF + R1 R RR1 Rs

Cas particulier très intéressant

Supposons :
R1 = RF = R (65)
L’équation (64) devient :
C dv0 vs
= (66)
2 dt Rs
Soit : Z t
2
v0 = vs (t′ )dt′ (67)
RC
Le circuit obtenu en considérant la relation (65) est un intégrateur non inverseur.
Circuit Fig. 4b :
2. Circuit Fig. 4b et simulation d’inductance
Le schéma de la figure 4.b est représenté dans le domaine complexe des phaseurs par le circuit
1
illustré Fig. 4.c, où Zc = Cjω .

R
FS
Les amplificateurs opérationnels sont idéals. Il en résulte que :

V1+ ≃ V1−
V2+ ≃ V2−
I1+ ≃ I1−
I2+ ≃ I2− (68)

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D’autre part, l’impédance ZL est définie par :

V1 V1− V2+ V2−
ZL = = = = (69)
I1 I1 I1 I1
Le courant I1 est donné par la relation suivante :
V1 − V02 V2− − V02
I1 = = (70)
R3 R3
La loi diviseur de tension se traduit par :
R4
V2− = V02 (71)
Zc + R4
Soit :  
Zc
V02 = V2− 1 + (72)
R4
Compte tenue de la reation (70), on peut écrire :
 
Zc
V2− − V2− 1 + R4
I1 =
R3
−Zc Zc
= V2− = − V1 (73)

R
On en déduit l’expression suivante de ZL :

ZL =
R3 R4

V1
I1
=−
Zc
R3 R4

R3 R4

Le schéma de la figure 4c peut donc être redessiné comme illustré Fig. 4.d.
(74)
FS
L’impédance Zi est définie par :
Vs
Zi = (75)
Is
avec :
Vs − V01
Is = (76)
R1

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et :
ZL
Vs = V1+ = V1− = V02 (77)
R2 + ZL
La relation (76) peut donc être réécrite ainsi :
 
R2
Vs − 1 + ZL Vs
Is = (78)
R1
R2
=− Vs (79)
ZL R1
Soit :
Vs ZL R1 R1 R3 R4 1 R1 R3 R4
Zi = =− = = Cjω ≡ Le jω (80)
Is R2 R2 Zc R2
R1 R3 R4
Le = (81)
R2
L’impédance Zi vue par la source est l’impédance d’une inductance équivalente Le . Le circuit
Fig. 4b est donc équivalent à celui de la figure 4e.

R
FS

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