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Cours Stienne

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Électronique

Première partie

Rédacteur : Frédérique Pasquier

MaJ : Olivier Stienne

FC2-promo 2008
Introduction
Électronique : « ensemble des
techniques qui utilisent les signaux
électriques (courant, tension) pour
capter, transmettre, traiter ou
mémoriser une information »
 Informations peuvent être:
 analogiques =continues
 logiques =numériques, binaires, discrètes,
digitales

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 2

Introduction
Électronique au cœur de notre vie
 Télécommunications
 Automobile et autres transports
 Appareils médicaux
 Commande de moteurs, de systèmes mécaniques,
hydrauliques, pneumatiques…
 Domotique, électroménager, jeux
 Militaire et spatial
 etc.

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 3

Introduction
L’électronique se décline en une série de
domaines de haute technologie
 Matériaux et composants (semi-conducteurs, CI… :
« briques de base » de tout système)
 Systèmes électroniques (assemblage de « briques de
base » pour applications complètes)
 Télécommunications (transmission à distance des
signaux/données -> supports, traitement du signal, réseaux)
 Informatique
 Automatique (ctrle/cde/optimisation de procédés/actions;
fait appel à notions d’électronique, informatique, télécom)
 …

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 4

Introduction
CNA+ mise
mise en actionneurs processus capteurs en forme
forme +CAN

Traitement
(souvent numérique)

surveillance/
commande
contrôle

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 5

Introduction
signal analogique x(t)
x(t)

Échantillonnage T : période t
d’échantillonnage
et maintien
x*(t)
CAN x*(t)
t
Quantification T 2T 3T 6T
Code binaire
et codage an
{an}
grandeur numérique t
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 6
Introduction

grandeur numérique
{an}

Traitement
numérique

{bn}

grandeur numérique

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 7

Introduction
grandeur numérique bn
{bn}

conversion t
N/A y*(t)

CNA y*(t)
y(t)
T 2T 3T 6T t
interpolation
et filtrage

y(t)
signal analogique t

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 8

Introduction
Un dispositif électronique transforme des
signaux d’entrée en signaux de sortie (ex:
son, image) par la mise en œuvre de
différentes fonctions
 Détection, amplification, modulation
Pour réaliser ces fonctions : cartes (ou
plaquettes) qui regroupent un ensemble de
composants (préalablement programmés ou
non) reliés entre eux par un circuit imprimé

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 9

Citation
« […] Il s’agit d’une technique de mise en œuvre délicate qui
exige de l’électronicien des connaissances à la fois étendues et
parfaitement assimilées. L’ingénieur qui conçoit un système le
fait par assemblage de « briques » élémentaires dont il doit
« sentir » presque intuitivement le comportement. Le calcul
rigoureux n’intervient en général que dans un deuxième temps
pour préciser finement le fonctionnement de l’ensemble et
prévoir les retouches nécessaires […] »
J. Auvray, Electronique des signaux analogiques,
DUNOD Université
=> modélisations simplifiées en gardant à l’esprit
limites et conditions de validité

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 10

Objectifs
Approche des composants électroniques
Acquisition des méthodes d’analyse des
circuits électroniques
Mise en œuvre des fonctions
électroniques de base

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 11

Sommaire
Lois et théorèmes de l’électrocinétique
 Lois de fonctionnement des composants passifs
 Dipôles et quadripôles
Les composants actifs
 Introduction à la théorie des semi-conducteurs
 Composants électroniques
 Circuits intégrés linéaires
Les fonctions électroniques
 Fonctions analogiques de base
 Circuits de commande et d’interfaçage
pour électronique de puissance
 Technologie des circuits logiques et leur mise en oeuvre

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 12

Rappels d’électrocinétique
Différence de potentiel
r (ddp) ou tension
 Champ électrique E -> déplacement
B
des charges
UAB = UA − UB = − ∫ E X .dx
A
 Exprimée en volts (V)
Courant électrique
 Intensité d’un courant :
débit des charges déplacées
dQ
I=
dt
 Exprimée en ampères (A)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 13

Éléments de base
Circuits électroniques linéaires décrits à partir
de 5 éléments principaux
 2 éléments actifs e
i i
 Générateur de tension u ou
u=e
 e : force électromotrice (f.e.m)
i0 i=i0
i
 Générateur de courant ou
u
 3 éléments passifs u

 Résistance R : opposition au passage du courant

 Capacité C : opposition aux variations brusques de tension
 Inductance L : opposition aux variations brusques de courant

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 14

Éléments passifs
Résistance R i
R
 Élément passif non réactif
u
 Exprimée en ohms (Ω)
 u=Ri
Condensateur parfait de capacité C i
C
 Exprimée en farads (F)
 i=C.du/dt u
L
Bobine parfaite d’inductance L i
 Exprimée en henrys (H) u
 u=L.di/dt
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 15
Lois de Kirchhoff
i2
i1 N i3
Loi des nœuds i4
 ∑ ± in = 0 i5
 Signe + si le conducteur est orienté vers le noeud

Loi des mailles

 ∑ ± un = 0
R1
e1 e2
R2

∑ ± en = ∑ ± R nin
i1 i2

 Signe + pour en si sens = R5 R3

sens de parcours de la maille
 Signe + pour RnIn si sens i5 i3
i4 R4
d’orientation de la branche n = e3
sens de parcours de la maille

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 16

Théorèmes de Norton
et Thévenin
Tout circuit électrique linéaire peut se
simplifier en un équivalent Norton
 Ieq : en court-circuitant la sortie
Ieq Req
 Req : en court-circuitant les
générateurs de tension, sortie ouverte
Ou en un équivalent Thévenin
 Eeq : vue de la sortie quand Eeq Req
ouverte (is=0)
 Req : en court-circuitant les
générateurs de tension

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 17

Autres théorèmes
R1

Diviseur de tension Va
R2
Vb
 Vb=Va.[R2/(R1+R2)]
Théorème de superposition
 Le courant dans une branche d’un réseau linéaire
est la somme des courants qu’impose dans cette
branche chaque f.e.m supposée seule
Théorème de Miller (pour ampli de tension)
C

A C(1-A) A C(1-1/A)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 18

Dipôle non linéaire
En chaque point P de la caractéristique
 U I
 Résistance statique R PS =  
 I P
 dU  P
 Résistance dynamique R PD =  
 dI  P
 Dans régions linéaires, RD cste U
Point de fonctionnement d’un circuit
I
I I caract. dipôle D
R U J
U R Pf droite de charge
E D J D
U
E
 Droite de charge = caractéristique du générateur
 Point de fonctionnement = intersection des 2
caractéristiques
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 19
Dipôle RC – régime transitoire t
−
UC = (Uinit − Ufinal )e τ
+ Ufinal
Tension créneau u de 0 à E (régime forcé) uC

 uC = E(1-e-t/τ) avec τ=RC i

u C R uR
 i = (E/R)
u
e après discontinuité à t=0
-t/τ

E E/R i
uC

t t
τ =RC τ =RC

Tension créneau u de E à 0 (régime libre)

 uC = Ee-t/τ avec τ=RC
 i = -(E/R) e-t/τ après discontinuité à t=0
E i
u uC t

t -E/R
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 20
Dipôle RL – régime transitoire
t
−
IL = (Iinit − Ifinal )e τ
+ Ifinal
uL
Tension créneau u de 0 à E (régime forcé)
i
 i = (E/R)(1-e ) avec τ=L/R
-t/τ
u L
R uR
 uL = Ee-t/τ ; uR = E(1-e-t/τ)
E/R i E
uL

t t
τ =L/R τ =L/R

Tension créneau u de E à 0 (régime libre)

 i = (E/R) e-t/τ avec τ=L/R E

 uL = -Ee-t/τ ; uR = Ee-t/τ u
E/R
t
i
uL
t
FC2-2008 -E
Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 21
Dipôle RLC série
régime transitoire
i

Tension créneau de E à 0 L uL

 L.d²i/dt²+R.di/dt+i/C=0 R uR
 Si R ≈ 0 : d²i/dt²+i/LC=0
C uC
 Sol°: i=î.cos(ωt+ϕ) avec ω = 1 / LC
=> courant d’intensité sinusoïdale
 Si R < 2 L / C
2
 i=Ae cos(ωt+ϕ) avec k=R/2L et ω=
-kt (1/LC) - (R/2L)
=> oscillations pseudo-périodiques exponentiellement amorties
 Si R ≥ 2 L / C
 i=B1e-k1t+B2e-k2t avec k1 et k2 dépendant de L, R et C
=> régime apériodique: sans oscillation

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 22

Dipôle RLC parallèle
régime transitoire
i

Intensité créneau de I à 0 iC iR iL
 C.d²u/dt²+(1/R)du/dt+u/L=0 C R L u
 Solutions semblables au RLC série
mais pour u
u u
i R i

Régime pseudo-périodique Régime apériodique

 Établissement/annulation de la tension accompagné/e
d’échanges d’énergie entre L et C
 R provoque dissipation d’E par effet Joule ->
amortissement +ou- rapide des oscillations

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 23

Signaux sinusoïdaux
Propriétés
 un signal sinusoïdal à travers un système linéaire
donne un signal sinusoïdal
 toute fonction périodique peut se décomposer en
une somme de fonctions sinusoïdales
v(t)=Vmsinωt
 Vm = Veff 2
 cercle trigonométrique
 cosωt=sin(ωt+π/2)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 24

Signaux sinusoïdaux
y
Représentation de Fresnel P
M
ωt+ϕ
 m(t)=M.sin(ωt) ϕ
p(t)=P.sin(ωt+ϕ)
ωt
 OM tourne autour de O O m(t) x
avec la vitesse ωt
 On associe vecteurs tournants aux grandeurs électriques
sinusoïdales (courants, tensions)
Représentation complexe
 Au vecteur OM, on associe M=R(M)+j.I (M)
 Intensité i(t)=I.cos(ωt) -> i(t)=I.exp(jωt)
 Tension v(t)=V.cos(ωt+ϕ) -> v(t)=V.exp(jωt+ϕ)
 Grandeur physique = partie réelle de la grandeur
complexe associée
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 25
Impédance et admittance
Z
I
Dipôle quelconque
V
 V=[|V|,θ]; I=[|I|,ϕ]
 Impédance Z=V/I=[|V|/|I|,(θ-ϕ)]=R+jX
 R : composante résistive (résistance)
 X : composante réactive (réactance)
 Admittance Y=1/Z=G+jB
 G : conductance exprimée en Siemens (S) ou mho ( J )
 B : susceptance

Impédance:
Impédance toujours opposition au passage
du courant
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 26
Impédance et admittance
Dipôles passifs linéaires en régime sinusoïdal
U
 Résistance I
I U=RI
 ZR=R=Z t
 Courant en phase avec la tension I=jCωU
 Condensateur idéal π U I U
1 1 − j2
 ZC =
jCω
=
Cω
e ; Y C = jCω
t
 courant en avance de π/2 sur la tension
U=jLωI
 Inductance idéaleπ I
U
j
 ZL = jLω = Lω .e
2
I
t
 courant en retard de π/2 sur la tension
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 27
Réponse harmonique R

C
Circuit du 1er ordre e(t) s(t)
 Transmittance isochrone
ampl.sortie
 s(jω ) 1 H(jω ) = τ=RC
H(jω ) = = ampl.entrée
 e(jω ) 1 + jω τ Arg(H(jω))=déphasage de
sortie /à entrée
 Courbes de Bode
Gain (dB)
ω0
0dB ω ou f 20 log |H(jω)|=f(ω) (ou f(freq)) en dB
-3dB
-20dB/décade
Arg[H(jω))]=g(ω) (ou g(freq)) en ° ou rad

Abscisses ω ou f en échelle logarithmique

Phase (°)
ω0
0° ω ou f ω0=1/τ : pulsation de coupure
-45° Arg[H(jω)]= -artg ωτ
-90°
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 28
Réponse harmonique
 Lieu de Nyquist
I m(H(jω))
0.5 Courbe polaire, graduée en
0 R(H(jω))
ω → ∞ -45° ω → 0 fréquence ou pulsation
ω0
-0.5
Mesure directe d’angles sur
un repère orthonormé

 Lieu de Black ou
dB
de Nichols
-45° ω → 0 degrés
ω0 -3dB Intérêt : disposer d’une grande
dynamique de module (grâce à
l’échelle log)
ω → ∞

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 29

Filtres passifs du 1er ordre
Gmax
Bande passante : ens. des pulsations tq G >
1 2
Passe-bas T =
ω
1+ j R C
 En posant ω0=1/RC ω0
ω = ω E S
 Rq1 : si 0 , pas d’influence sur s

 Rq2 : si ω ? ω 0 , T≈1/j(ω/ω0) donc s = ω 0 ∫ e.dt= circuit intégrateur

ω
j
Passe-haut T=
ω0
C
1+ j
ω
E R S
 En posant ω0=1/RC ω0
ω ? ω0
 Rq1 : si , pas d’influence sur s = circuit
1 de de liaison
ω = ω0 s=
 Rq2 : si , T≈j(ω/ω0), donc ω 0 dt = circuit dérivateur

Passe-haut avec un circuit RL

j
ω R
En posant ω0=R/L ω0 E S

T=
ω
L
1+ j
ω0

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 30

Réponse harmonique
circuits du 2nd ordre
R L C
Fonction de transfert E S

1 1 Pulsation propre
T= ω0 =
LC sans amortissement
ω2 ω
1− 2
+ 2jζ Coefficient
ω0 ω0 ζ =
R C
2 L d’amortissement
résonance
Gain (dB)
ω ou f
ωR 1
Résonance quand ζ <
-40dB/décade
2
ω R = ω 0 1 − 2ζ 2

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 31

Puissance dissipée
Puissance instantanée
 p(t)=v(t).i(t)
 Pour dipôle d’impédance complexe Z=Z.ejϕ=R+jX
 i(t)=I.cos(ωt) => i=I.ejωt

 v=Z.i=(R+jX).I. ejωt => v(t)=R(v)=RIcosωt-XIsinωt

 p(t)=RI²cos2ωt-XI².sinωt.cosωt

=1/2.RI²(1+cos2ωt)-1/2.XI²sin2ωt
 p(t)=p +p
A R (puissance active+puissance réactive)

Puissance apparente P
 p=1/2.v.i*=1/2.VI.cosϕ+1/2.jVI.sinϕ=PA-jPR
 PA : puissance 2active
2
, aussi puissance moyenne
PA + PR
 P=1/2.VI= ; tanϕ=PR/PA
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 32
Quadripôles
I1 I2
Caractéristiques
 d’entrée : courant I1 et tension V1
V1 V2
 de sortie : courant I2 et tension V2
 => Réseaux de courbes I1 I2

 Ex: V1=g(I1) chaque courbe tracée pour val cste de I2 (ou V2)
Matrices représentatives
 Choix en fonction du problème étudié
 Matrice impédance Matrice admittance
 V1   Z11 Z12   I1   I1   Y11 Y12   V1 
  =   .    =   . 
 V2   Z 21 Z 22   I2   I2   Y21 Y22   V2 
 Matrice de transfert Matrice hybride
 V2   T11 T12   V1   V1   H11 H12   I1 
  =      =   . 
I T
 2   21 T22   − I1  I2   H21 H22   V2 
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 33
Association de quadripôles
Association en cascade
I1 I0 I’1 I2 I1 I2
Q1 V’1
Q2 Q
V1 [T1] V0 [T2] V2 V1 [T] V2

 [T]=[T2].[T1]

Association en série - en parallèle

Q’ I I’
Q’
V’ [Z’] [Y’]
I’’
V
Q’’ Q’’
V’’ [Z’’] [Y’’]

 [Z]=[Z’]+[Z’’] [Y]=[Y’]+[Y’’]
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 34
Grandeurs des quadripôles
Impédance d’entrée
 ZE=VE/IE vue à l’entrée quand sortie chargée par impédance ZU
Z12 .Z 21
 Retrouver : Z E = Z11 −
Z 22 + Z U

Impédance de sortie
 ZS=VS/IS vue à la sortie quand entrée
Z12 .Z 21 fermée par impédance ZG
Z S = Z 22 −
 Retrouver : Z11 + Z G

Gain en tension ZU
 AV=V2/V1 AV =
Z U .T22 + T12
 Quadripôles passifs : det(T)=1 =>
ZU = ∞
 Si quadripôle non chargé ( ) : AV=1/T22
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 35
Schémas équivalents
quadripôles linéaires
Paramètres Paramètres
« impédances » « admittances I»
I1 Z11 Z22 I2 I1 2

Y11 Y22
V1 Z12I2 Z21I1 V2 V1 V2
Y12V2 Y21V1

Paramètres Modèle
« hybrides » amplificateur
I1 H11 I2 I1 I2
1/H22
Zs
V1 H12V2 V2 Ze V2
V1 Av.V1
H21I1

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 36

Théorie des semi-conducteurs
Atome électriquement
 neutre : nb d’électrons = nb de protons
 positif : nb d’électrons < nb de protons
 négatif : nb d’électrons > nb de protons
Matériau à structure cristalline : atomes fixes
dans un réseau périodique
 Liaisons entre atomes assurées par électrons sur
leur couche externe
 Rappel : couche externe :
 Nb d’e- < 4 : matériau conducteur
 Nb d’e- > 4 : matériau isolant
 Nb d’e- = 4 : matériau semi-conducteur
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 37
Semi-conducteur intrinsèque
Exemple : Silicium intrinsèque
1) Si Si Si
2) Si+ Si Si
Si Si Si Si Si Si

à 0 Kelvin agitation thermique : e- se libère

trou=absence d’e-
3) 4)
Si+ Si Si Si Si Si
Si Si+ Si Si Si+ Si

 À chaque e- libre correspond une absence d’e- : on parle de paire électron-

trou
 En l’absence de champ électrique: déplacement des trous dans toutes les
directions

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 38

Semi-conducteur extrinsèque
Dopage:
Dopage injection d’impuretés pour changer
propriétés de conductivité
 Type N - atomes injectés comportent 5 e- sur couche externe (P, As)
=> atome donneur (d’e-)
=> création d’électrons libres
Si Si Si - 1 impureté pour 105 à 108 atomes de Si
=> nb d’e- ainsi créés > nb de paires e--trou
Si As+ Si
=> électrons créés constituent quasiment la totalité des
Si Si Si porteurs mobiles (porteurs majoritaires)
=> peu de porteurs minoritaires (trous du Si intrinsèque)

 Type P - atomes injectés comportent 3 e- sur couche externe (B, In)

=> atome accepteur (d’e-)
Si Si Si => création de trous libres
- 1 impureté pour 105 à 108 atomes de Si
Si B- Si
=> nb de trous ainsi créés > nb de paires e--trou
Si Si Si => trous créés constituent la totalité des
porteurs mobiles (porteurs majoritaires)
=> très peu de porteurs minoritaires (e- libres)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 39

Mobilité des porteurs de charge
U U

r r
rE rE
vn vp
SC de type N SC de type P
r r r r
v n = − µ n .E v p = µ p .E

Mobilité diminue quand température augmente (chocs)

Mobilités : µp<µn
 Déplacement des trous = processus en 2 étapes
 Liaison de valence brisée -> libère un électron
 Recombinaison (lacune comblée par un e- voisin libéré aussi et qui laisse un trou
à son tour)
Conductivité σ=e(nµn+pµp)
 e=1,6.10-19C (charge élémentaire)
 n (p) : concentrations en électrons libres (trous libres)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 40
Diode : Jonction P-N
Sans polarisation
trou mobile V0 électron mobile

r ion + fixe Anode K (cathode)

+E+ + + + +
+ + + + + + paire électron-trou
ion - fixe + + + + + +
SC type P SC type N
z de transition

 Zone de contact: électrons mobiles du SC type N

comblent trous du SC type P et inversement
 Création d’un champ électrique E qui s’oppose à la cause
qui lui a donné naissance =>état d’équilibre
 E crée une ddp V0 entre zones N et P : barrière de
potentiel
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 41
Diode polarisée
Jonction P-N polarisée en inverse
Vinv
Les 2 champs électriques s’ajoutent => barrière de
potentiel augmente
Ii
r Seul courant de minoritaires, très faible
P
Eint N
= courant inverse Ii ou courant de fuite ou
r courant de saturation Isat
Eext

Jonction polarisée en direct

Vdirect Dès que champ externe dépasse champ interne,
un courant de majoritaires s’établit à travers
la jonction
ID
r eV eV

Eint ID = Isat (e kT
− 1) ; Isat e kT
P N
r
Eext
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 42
Diode - caractéristiques
I
Caractéristique directe
Tension de seuil U
 U<U0 : courant Utrès faible caractéristique
du matériau directe
 U>U0 : ID = Isat e V T

Si : U0 ~0.65V I
 Isat kT
: courant de saturation Ge : U0 ~0.15V
VT = ; 26mV
 e à 300K (27°C) RD
 e=1,6.10-19C ; k=1,38. 10-23J/K (Boltzmann)
qq µA
Caractéristique inverse U
U0
 Courant très faible (minoritaires)
avalanche
 Au-delà d’une certaine tension inverse :
claquage de la jonction par
effet d’avalanche (breakdown) inverse
Limites d’utilisation des diodes
 Courant direct : ajouter R en série pour limiter
 Tension inverse

FC2-2008 Puissance P=I.VAK ; monter
Électronique – diode sur dissipateur si I grand
F. Pasquier/O.Stienne 43
Diode - modèles
Caractéristiques simplifiées
I I I I
RD RD
U U U U
U0 U0

Schéma équivalent
R I R I

E U E RD U
U0

 Rappel : point de fonctionnement au croisement de la

caractéristique et de la droite de charge E-RI=U
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 44
Diode - technologie
Diode PN K
Aluminium
Oxyde de Si
N (isolant)

P
Aluminium
A

Diode PN en commutation Temps de recouvrement

tRR
e(t) e(t)
VF

t0
t t0
t
VR
R id(t)
id(t) id(t)

e(t) t t
vd(t)
vd(t) vd(t)
t1 t t1 t

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 45

Diodes spéciales
Diode Zener ou ou
 Dopage important -> effet d’avalanche réversible et non destructif
 Tension de claquage (tension Zener) utilisée comme référence
dans systèmes de régulation
Diode Schottky
 Jonction Métal-Semiconducteur peu dopé type N
 tRR brefs, faible capa, faible tension de seuil -> commutation rapide
Photodiode
 Photons peuvent faire passer e- de la bande de valence à la bande
de conduction
DEL (diode électroluminescente, ou LED )
 Émission de photons lors de la recombinaison électron-trou
ou
Diode varicap
 En polarisation inverse, l’épaisseur de la zone vide de porteurs
augmente avec la tension inverse C
C= C +1
 ~condensateur dont la capacité 0
1 + 2V
inv
est commandée par
46
FC2-2008 la tension Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
Diodes - applications
Association de diodes en série
 Équivalente à nouvelle diode avec caractéristique de
tension=somme des caractéristiques de tension
Redressement courant alternatif
 Simple alternance R

 Ru traversé par un courant Ve=Vsinωt Vs

Ru
uniquement pendant
les alternances positives
 Double alternance D1
I
 Avec 2 diodes si transformateur
à point milieu
 Avec 4 diodes (pont de Graëtz) D2 Ru Vs
cf. TP

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 47

Diodes - applications
Détection
 de niveau grâce à l’effet de seuil
 de phase +5V
E1
Portes logiques E2
S
E1 S
 Ex : OR, AND E2

Écrêteur
E
 Ex :
Protection de contact +12V

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 48

Transistor
Dispositif à semi-conducteur qui peut
 Ouvrir ou fermer des circuits électriques en qq ns
 Amplifier des courants électriques
Effet transistor découvert en 1947, a permis le
développement des télécommunications, de
l’informatique…
Quelques transistors
 Taille dépend de la puissance
 3 électrodes:
 Collecteur, base, émetteur (bipolaire)
 Drain, grille, source (FET)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 49

Transistor à jonctions (bipolaire)
Jonctions
C
 NPN E
N P N
C B

B E
C
 PNP E C B
P N P
B E

Ex : NPN E B Aluminium
Oxyde de Si
N+ (isolant)
P
Substrat Si dopé type N
N
Aluminium
C
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 50
Transistor bipolaire
Principe du NPN
 Tension B-E nulle
 Jonction P-N sans polarisation
Barrière de potentiel se crée à la
jonction et les e- fournis à l’E (par le
générateur entre C et E) ne
peuvent être récupérés par C
 Transistor bloqué (pas de courant)
 Si tension B-E devient positive
 Jonction B-E devient passante
 électrons diffusent vers C C
 Quand VBE augmente, IB augmente
ainsi que IC dans un rapport de qq Champ
dizaines à plusieurs centaines B électrique
Gain du transistor = IC / IB
 Quand VBE atteint ~0.6V : transistor
saturé (~court-circuit entre E et C)
E
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 51
Transistor bipolaire
Applications
 Commutation : transistor fonctionne en « tout ou rien » =
interrupteur commandé électriquement
 Amplification : un faible IB commande un IC qui lui est
proportionnel
IC
β = : gain du transistor
IB  Varie avec la température
 Ne dépend pas de VCE tant que VCE>1,2V

Montages de base
 Montage émetteur commun : utilisé pour gain important
en puissance
 Montage base commune : utilisé pour sa faible
impédance d’entrée (atténuation bruit de fond), en HF
 Montage collecteur commun : utilisé pour de l’adaptation
entre circuits (<- faible impédance de sortie, mais gain petit)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 52
Bipolaire – Caractéristiques
Pour montage émetteur commun
Réseau de transfert Réseau de sortie
en courant à VCE = cst à IB = cst

Réseau d’entrée Réseau de transfert

à VCE = cst en tension à IB = cst
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 53
Transistor – Polarisation
En commutation (saturé/bloqué)
 Polarisation = définir RB
pour avoir la condition de
saturation : 1V
IB ≥ CC

β RC

En amplification
 Polarisation =
ajout d’un signal continu RB1 IC RC

au signal à amplifier IB
VCC
VCE
 RB1, RB2 tq point de
repos au centre de la RB2 VB IE RE
droite de charge VE

statique
Puissance dissipée P=VCE.IC
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 54
Caractéristiques du transistor
IC(mA)

Transistor en régime
normal IB = IBi

Transistor saturé
ΙC = β ΙΒ
IC0
JBC bloquée
JBC saturée IB = IB0

IB0 IB = 0
IB(mA)
VCE (v)
Transistor bloqué
JBE et JBC
JBE saturée JBE en direct bloquées
0,6v

VBE (v)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 55
Calcul du point de repos
IC
RC IC(mA)
IB
RB VCE VCC

VCC/RC
VBE
VBB

IC0

IB(mA) VBB/RB VCE (v)

IB0

VCE0 VCC

VBB − VBE VCC − VCE

IB = VBE0
IC =
RB RC
VBB
VBE (v)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 56
Saturation du transistor par Rc
IC
RC
IC(mA)
IB
RB VCE VCC VCC/RC

VBE
VBB
IC0

VCC/RC IC1

VBB/RB
IB(mA) IB0 VCE (v)

VCE1 VCE0 VCC

VBE0

VBB
VBE (v)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 57
Saturation du transistor par RB
IC(mA)

VCC/RC
IC1≈ VCC/RC

IC0

VBB/RB IB0 VCE (v)

IB1
VCE1≈0 VCE0
VCC

VBE0
VBE1

VBB
VBE (v)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 58
Calcul du point de repos
par les modèles
non
Jonction BE
T bloqué passante ?
oui
VBE = VBB IC = 0
IB = 0 VCE = VCC Hypothèse
T en régime normal
IC
RC fin VBE = 0,6v IC = β I B
IB V − VBE
RB VCE VCC I B = BB VCE = VCC − RC I C
RB
VBE
VBB
non
T saturé VCE >0 ?

oui
VBE = 0,6v I C = VCC / RC
V − VBE fin
I B = BB VCE ≈ 0
RB

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 59

Exemple, régime normal
VCC= 10 v OUI
IC VBB =1,6 v non
Jonction BE
VBB > 0,6v
RC RB = 100 KΩ
IB passante ?
RB VCE VCC RB = 5 KΩ
oui
β = 100
Hypothèse
VBE
VBB T en régime normal

VBE = 0,6v I C = 1mA

I B = 10 µ A VCE = 10v − 5v = 5v
IC
RC
non
IB βIB VCE >0 ?
RB VCE VCC
oui OUI
VCE = 5 v
VBE
VBB fin

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 60

Exemple, saturation
VCC= 10 v OUI
IC VBB =1,6 v non
Jonction BE
VBB > 0,6v
RC RB = 100 KΩ
IB passante ?
RB VCE VCC RC = 50 KΩ
oui
β = 100
Hypothèse
VBE
VBB T en régime normal

VBE = 0,6v I C = 10mA

I B = 100 µ A VCE = 10v − 50v = − 40v
ICI
C RC
RC non
IBI βIB T saturé VCE >0 ?
B
RB
RB VV
CE
VV
CC NON
CC oui
CE VCE = -40 v
VV
BE
VV
BB BE
VBE = 0,6v VCE ≈ 0
BB
fin
I B = 10 µ A I C = VCC / RC

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 61

Exemple, blocage
IC NON
RC VBB < 0,6v
IB non
RB VCC Jonction BE
VCE T bloqué passante ?
VBE VBE = 0,5v I C = 0 oui
VBB
I B = 0 VCE = 10v

fin
IC
RC
IB VCC= 10 v
RB VCE VCC VBB =0,5 v
RB = 100 KΩ
VBE RC = 5 KΩ
VBB β = 100

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 62

Bipolaire - Modèle dynamique
Matrice hybride
 Point de fonctionnement choisi dans les zones linéaires
 Variations des grandeurs d’entrée et de sortie reliées par :
 vBE   h11 h12   iB 
  =   . 
i
 C   21 h h22   v CE 

 h11 : résistance d’entrée (~26.β/IC)

 h12 : toujours négligé (variations de la tension de sortie sans effet sur
la tension d’entrée)
 h21 : gain en courant (β)
 h22 : admittance de sortie, faible en général

Schéma équivalent
iB h11 iC iB simplifié iC
B C
1/h22 vCE
ou h11
β.iB vCE
vBE vBE
E h21iB E iB iE iC
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 63
Analyse en petits signaux
 Identification des paramètres dans le réseau de
caractéristiques

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 64

Montages à transistors NPN
Montages de base
 Montage émetteur commun : utilisé pour gain important en
puissance
 Montage base commune : utilisé pour sa faible impédance
d’entrée (atténuation bruit de fond), en HF
 Montage collecteur commun : utilisé pour de l’adaptation
entre circuits (<- faible impédance de sortie, mais gain petit)
IC IE
IC IE
IB IB
VEB VCE VEC
VCB VBE VBC

Base commune Émetteur commun Collecteur commun

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 65
Transistor à effet de champ
Grille
Source
Drain
Contact
ohmique

N+ P+ N+

Canal N
Si intrinsèque
Substrat

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 66

Contrôle du courant
drain-source par VGS
+ -
VDS
+ - Caractéristique de
VGS transfert ID(VGS)
ID
N+ P+ - - - N+
- - - -
- - - - -

- - - + +- +- +- +- -
- - -
- - - -
+
- +
- +
- +- - -
- - - - -
Canal (N) + + + - - -
- - - - - -
Porteurs libres
dans le canal (e-) Neutralisation
des porteurs libres

-Vp V67
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne GS
Pincement par VDS
(à VGS constant)
+ -
VDS VGS<0
+ -

ID
N+ N+
- - - -
- - - -
IDSS
- - ++ ++- ++- ++- +- +- + -+ -
Zone de pincement -
- - - +- +
(ou de saturation) + ++ - -
- - - - - -
Canal (N) - - + - - -
- - - - -
Zone
ohmique
VDS
PINCEMENT
par VDS
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 68
Caractéristiques
ID(VDS) et ID(VGS)
2
 VGS 
ID 
I D = I DSS  1 − 
 VGS 0 
Zone de pincement (ou de saturation) ID
IDSS
ID ne peut plus
Zone augmenter
ohmique
Si VGS plus <0
ID augmente

ID augmente
Pincement par VGS

VDS -Vp VGS

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 69

Le transistor MOS
à appauvrissement
Grille
Source Substrat
Drain
Contact
ohmique Métal

- - - - - - - -
Oxyde (isolant)
+ + + + + + + +
N+ N+

Substrat
VGS>0
possible
Canal N ID
ID
2
«pincé»  V 
VGS < 0 I D = I DSS  1 − GS 
 VGS 0 

-Vp
VDS
VGS

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 70

Le transistor MOS
à enrichissement
Grille
Source Substrat
Drain
Contact
ohmique Métal

+ + + + + + + +
Oxyde (isolant)
- - - - - - - -
N+ N+

Substrat

I D = K (VGS − VT ) 2
ID
Pas de canal ID
N initial
Canal
induit
VGS > 0
VDS VGS

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne VT 71

Transistor à effet de champ
Structure et caractéristiques du MOSFET
S G D caract. de I caract. de sortie
SiO2 D commande D VGS3
métal G
N+ N+ VGS2

P S VGS1
canal N VGS VDS
VGS
ID = IDSS .(1 − )²
VP
Avantages/inconvénients des FET
 (+) grande résistance d’entrée
 (+) faible niveau de bruit
 (+) pas de courant ou puissance à fournir en entrée
 (+) commutations + rapides (pas de recombinaison de porteurs)
 (-) commutations + lentes que bipolaire (pertes MOSFET > pertes bipolaire)
 (-) faible pente
 (-) manque de linéarité et dispersion des paramètres
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 72
MOSFET – Modèle dynamique
Schéma équivalent dynamique
iD ∆ ID
G D pente s =
∆ VGS
vGS s.vGS ρ vDS ∆ VDS
résistance interne ρ =
S ∆ ID

Applications
 Interrupteur analogique (commutation)
 Amplification de tension
 Résistance commandée par une tension
 Source de courant

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 73

Autres transistors
Transistor JFET
 Commande en tension entre grille et source
 (-) Polarité opposée de VDS et VGS -> pas

utilisable pour liaisons directes entre étages

Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
 MOSFET+bipolaire

 Application : commutation forte puissance

Transistor Schottky
 Diode Schottky entre B et C (diode d’anti-
saturation)
 Application : commutation rapide
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 74
Électronique linéaire
Étude des amplificateurs
 Amplificateur de tension : amplification sans déformation d’un
signal faible
 Amplificateur de puissance : capable d’agir sur une charge ou un
actionneur
 Classement en fonction de la fréquence
 Amplificateurs à TBF et continus
 Amplificateurs à large bande
 Audio-fréquence (5Hz à 100kHz)
 Vidéo-fréquence (5 Hz à 100MHz)
 Amplificateurs HF ou sélectifs
Modélisation
ie is

Zs Av.ve Zs
Ze vs Ze
ve Av.ve ve

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 75

Principe de la réaction
Systèmes commandés
 T: transmittance ou fonction de transfert Ve Vs
 Vs=T.Ve T
 Système bouclé
 Chaîne directe (ou d’action): e ε=e-er s=Gε
 G=transmittance directe
+
- G
 Chaîne de retour (ou de réaction): er=H.s
H=taux de réaction 1 H
T=


 Chaîne complète: 1 + GH
 Étude de la stabilité: étude de GH par rapport au point –1
(module 0 dB, phase –π)
 Réaction négative (ou contre-réaction) : freq tq |1+G.H|>1
 Applications: régulation

 Réaction positive : freq tq |1+G.H|<1 -> instable

 Applications: oscillateurs

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 76

Types de contre-réaction
Ve V1 Amplificateur Vs Ie I1 Amplificateur Vs

Vr Ir
Réaction Réaction

Tension-série Tension-parallèle

Ve V1 Amplificateur Is Ie I1 Amplificateur Is

Vr Ir
Réaction Réaction

Courant-série Courant-parallèle
Couplage ZEntrée ZSortie H K Système résultant
Tension-série ZE.(1+G.H) ZS/(1+G.H) VS/V1 VR/VS Ampli de tension
Tension // ZE/(1+G.H) ZS/(1+G.H) VS/I1 IR/VS Convert. courant-tension
Courant-série ZE.(1+G.H) ZS.(1+G.H) IS/V1 VR/IS Convert. tension-courant
Courant // ZE/(1+G.H) ZS.(1+G.H) IS/I1 IR/IS Ampli de courant

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 77

Amplificateurs différentiels
+
Principe E2 -
VS
 Idéal : VS = A.(e2 − e1 ) E1

1
 Réel : SV = A D .(e 2 − e1 ) + .A C .(e2 + e1 ) + V0
2
 AD : gain différentiel
 AC : gain de mode commun
 AD /AC : rapport de réjection du mode commun,
commun
doit être aussi grand que possible
 Pour permettre amplification de signaux faibles
même en présence de Abruits importants
TRMC = 20 logD
 CMRR ou AC

FC2-2008  V0 : tension de décalage

Électronique ou d’offset
– F. Pasquier/O.Stienne 78
Montages ampli. diff.
Amplificateur à couplage d’émetteur
U
Rc Rc 2 transistors identiques (appariés ou appairés)
S1 S2
E1 E2 h21 .R C AC = 0
US
AD = −
u1
P
u2
h11
Re
M Mais délicat à mettre en œuvre…
Amplificateur à source de courant constant
U
Rc Rc •Tension de sortie US : idem ci-dessus
S1 S2 •Tension de sortie entre S1 et la masse :
E1 E2
US
P 1 h21 .R C
u1 u2
AD = ± AC ≈ 0
2 h11
Re
M
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 79
Amplificateurs opérationnels
Fonctions principales
 Amplification d’une tension ou d’un courant
 Combinaison linéaire de plusieurs tensions
 Autres opérations ou fonctions linéaires
 Dérivation et intégration
 Opérations ou fonctions non linéaires
 Ex: comparateur
 Filtrage actif
Classés parmi les circuits intégrés linéaires
E- _ S
E- _ ∞
S
E+
+ E +
+

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 80

AOP : caractéristiques
Gain en tension très important
 µ D = µ ≈ 105 − 107
Impédance d’entrée très grande
 R E ≈ 105 − 1012 Ω
8 12
 Impédance d’entrée de mode commun très grande : R EMC ≈ 10 − 10 Ω

Impédance de sortie faible

 R S ≈ 10 − 500Ω
Réjection du mode commun très grande
Réponse en fréquence : du continu à des fréquences
assez élevées
 Produit Gain-Bande passante parfois > 100MHz
 Slew rate: caractérise la rapidité de la réponse en sortie à une variation
brutale de la tension d’entrée (en V/µs)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 81

AOP : modélisation
Modélisation d’un ampli. op.
Vs +U (alim)
+U
+ ReMC +Vsat

Re Rs -ε +ε Ve
Ve µ.Ve
v+ _ Vs
v- -U -Vsat -U

Modélisation simplifiée
Vs +U (alim)
+ +Vsat
Vs

ε Ve
_ Vs
-Vsat -U

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 82

AOP et contre-réaction
Réaction négative et réaction positive
R1 R2

R3 ε -
+
ε - vs
ve
ve + vs R R4
vs T= = − 2
ve R1
•~Boucle ouverte
•Amplificateur inverseur •Non linéaire : vs=+Vsat ou –Vsat
•Linéaire, stable suivant ve >0 ou <0
Stabilité d’un montage R1
R1
A
R2

 tx de réaction nég. k1 =
R1 + R 2 -
ve ε
R3
 tx de réaction pos. k2 =
R3 + R4 R3 B
+
vs

 système stable si k1 > k2 R4

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 83

AOP : erreurs et problèmes
Valeur finie du gain -> erreur jusqu’à qq %
Tensions d’offset dues aux imperfections des AOP
 v s ≠ 0 quand les 2 entrées au même potentiel
 -> Peut se corriger par ajustement extérieur
Courants d’offset non nuls et différents pour les 2
entrées
 -> Placer des impédances identiques sur chaque entrée
Modèle de l’AOP idéal satisfaisant tant que gain en
BO reste >> celui de la boucle de rétroaction
A
 µ = A: gain en continu; fc: fréquence de coupure
1 + j.f / fc

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 84

Montages à AOP - linéaire
Suiveur -
+
 Adaptateur d’impédance
ve vs
de gain unité
Ampli inverseur
R
– non inverseur
R R
1 2 1

i R2
i
- -
ve + vs + vs
ve

Vs +U (alim) Vs +U (alim)
+Vsat +Vsat R1
pente = 1 +
R2
Ve
R1 Ve
pente = −
R2
-Vsat -Vsat -U
-U
z. de zone d’ z. de z. de zone d’ z. de
saturation amplification saturation saturation amplification saturation
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 85
i

Montages à AOP - linéaire

Filtre passe-bas et Intégrateur
R2
K 1 et R2
T= − avec ωc = K=
C ω R 2C R1
Filtre passe-bas 1+ j
ωc
R1
- Intégrateur pour
1 1
+ - R2 → ∞ T= − avec ω0 =
ve vs ou ω R 1C
j
- ω ? ωc ω0

Filtre passe-haut et Dérivateur

R2 ω
Filtre passe-haut j
ωc ωc =
1 R2
R1 C T = − K. avec
R 1C K=
ω R1
- 1+ j
ωc
ve +
vs Dérivateur pour
ω 1
- R1 → 0 T= −j avec ω0 =
ou ω0 R 2C
- ω = ωc 86
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
Montages à AOP - linéaire
Filtre passe-bande
R2
ω
j
ω c1
C2 T = − K.
Filtre passe-bande ω ω
(1 + j ).(1 + j )
R1 C1 ω c1 ω c2
-
ve + 1 1
vs avec ω c1 = ; ω c2 =
R1C1 R 2C 2

R2
et K=
R1

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 87

Montages à AOP - linéaire
Sommateur – Soustracteur
R2
i R0 i
R1
niveau1 R1
v1 gain -
R2
- +
v2 niveau2 vs
+ R3
vs v1 v2 R4
i0

Suivant valeur des résistances Amplificateur de différence si

-> réglage du gain total et/ou R1/R2=R3/R4
du niveau de chaque entrée

V1 V2 Cas particulier : R3=R1; R4=R2

VS = − R 0 ( + ) R2
R1 R 2 Vs = (V2 − V1 )
R1

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 88

Montages à AOP - linéaire
Convertisseur tension-courant R
Source de Howland
R
I
Charge
R ve -
v
- I= e +
ve +
vs R R R vs

Charge I

Convertisseur courant-tension
R

-
I
+
v s = − RI
vs

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 89

Montages à AOP - saturation
Comparateur simple
+
-
ve vs
U0

Comparateur à hystérésis (ou trigger de Schmitt)

Vs
R1 A R2 +Usat
Vref
Ve
+
R3 - V2 V1
ve B vs
-Usat

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 90

Montages à AOP - saturation
Multivibrateur astable ou bistable
R1 R2 VS
A
VA VB
Vref + t
C -
R3 vs
B

Circuit monostable
C1 R1
VS
D Vd
-
+ t
C2 vs VC1

tension de R3
vd R2
commande

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 91

Les fonctions électroniques
Les fonctions analogiques de base
 Amplification
 Filtrage
 Commutation
 Oscillation
 Modulation

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 92

Amplification
Étages amplificateurs présents dans les
circuits électroniques
 Étages d’entrée -> amener le signal utile à des
valeurs exploitables pour son traitement
 Étages intermédiaires -> traiter le signal tout en
lui conservant une amplitude exploitable
 Étages de sortie -> délivrer aux connexions une
amplitude répondant généralement à une norme
 Étages de puissance -> amplification finale

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 93

Exemple : chaîne audio
Sélection Modifications ou Amplification
sources des sources traitement du signal de puissance

ENR.

C.D. EQ
MIC.

ENTREES TRANSIT DU SIGNAL SORTIE

Petits signaux Grands signaux

Signaux de puissance

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Amplification et alimentation
Schéma de principe ALIMENTATION EN CONTINU

MONTAGE AMPLIFICATEUR

SORTIE
ENTREE

 Tout circuit électronique nécessite une

alimentation continue pour la polarisation
 Alimentation la plus stable possible, indépendante du
signal qui transite
 Analyse de montage amplificateur : 1) verticale :
alim DC; 2) horizontale : passage du signal utile
entre l’entrée et la sortie
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Caractéristiques amplificateur
ie is

Zs
Ze vs
ve Av.ve

Rappel :
 Impédance d’entrée Ze : indique la puissance à
fournir à l’entrée pour assurer un bon
fonctionnement
 Impédance de sortie Zs : indique l’adaptation
nécessaire pour les étages suivants
 Gain Av : différence d’amplitude apportée au
signal entre l’entrée et la sortie
 Souvent exprimé en dB

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Amplification petits signaux
Rig Zs
Ze Rch
Eg Av

Différents étages / différentes fonctions

 Passage d’un étage à l’autre met en évidence le
rôle des impédances Ze pour Rig du montage
précédent, et de Zs pour Rch du montage suivant
 Valeur des caractéristiques peut
 varier en fonction de la fréquence du signal (filtres…)
 être modifiée pour avoir une fonction d’adaptateur
d’impédances, de régulateur d’amplitude, d’amplification
de courant…

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Importance de la commande
Rapport Ri/Rch détermine le type de commande
Ri Rch Ri Rch
ou I0 ou
E
Ze Ze

Géné de tension Utilisateur Géné de courant Utilisateur

R i = R ch → URch ≅ E R i (: ∞ ) ? R ch → IRch ≅ I0
=> Commande en tension => Commande en courant

Choix de la commande : dépendant de la nature de

l’étage qui suit
 Transistors bipolaires (AOP et CI linéaires TTL) : commande en
courant
 (-) retard ; puissance de commande Ue*Ie
 (+) souplesse d’emploi ; robustesse
 Transistors à effet de champ : commande en tension
 (-) moins linéaires (-> étages d’entrée)
 (+) peu de consommation de I; grande rapidité de « réaction » 98
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Amplificateurs à transistors
Montage émetteur commun (EC)
 Le plus universel : bon gain en tension et en
courant, impédances d’entrée et de sortie
moyennes
 Déphasage de π entre l’entrée et la sortie
+VCC
Schéma équivalent AC
R1 RC

Rch
Rig
R1 //R2 RC // Rch
R2
RE
G

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Amplificateurs à transistors
Montage base commune (BC)
 Faible impédance d’entrée; grande impédance de
sortie; gain en tension élevé; gain en courant ~1
 Peut travailler assez haut en fréquences
 Utilisé en 1er étage ampli des récepteurs radio FM
+VCC
Schéma équivalent AC
R1 RC

Rch
Rig
RE RC // Rch
R2
RE
G

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Amplificateurs à transistors
Montage collecteur commun (CC)
 Gain en tension ~1 (« émetteur suiveur »); grand
gain en courant; impédance d’entrée élevée;
faible impédance de sortie
 Souvent utilisé comme adaptateur d’impédance
+VCC
Schéma équivalent AC
R1 RC

Rig
R1 //R2 RE // Rch
R2
RE
Rch
G

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Amplificateurs à AOP
Alimentation continue, généralement symétrique
(+VCC/-VCC)
 Attention: ne figure pas sur le symbole (sous-entendue)
Caractéristiques quasi idéales par rapport aux
montages à transistors
 Ze infinie (>1MΩ)
 Av infini (>100000)
 Zs nulle (<75Ω)
AOP utilisé en amplificateur de petits signaux s’il
existe une connexion entre la sortie et l’entrée
inverseuse (contre-réaction négative)
 => propriétés des montages ne dépendent que des
éléments extérieurs reliés à l’AOP

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Amplificateurs à AOP
Revoir montages amplificateurs inverseurs et
non-inverseurs
 Cas particulier : Amplificateur suiveur
 Av=1 mais jeu des impédances
permet de disposer d’une -
+
puissance de signal beaucoup
plus grande à la sortie qu’en ve vs

entrée
 Utilisé quand signal d’entrée issu d’un capteur ou quand
il ne faut pas trop charger l’étage précédent

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Amplificateurs à AOP
Application du montage sommateur : le
Convertisseur Numérique-Analogique
 CNA à résistances pondérées
 Structure simple mais faible précision

R R
MSB a3
a2 2R

a1 4R - vs
8R +
LSB a0
Eref
VS = − (8a3 + 4a2 + 2a1 + a0 )
Eref 8

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Amplificateurs à AOP
Application du montage soustracteur
 Amplificateur pour appareil de mesure
 Ze très grande <- suiveurs
 Sensibilité de mesure grande <- soustracteur

R1 R2
-
v1 + R2
Vs = (V2 − V1 )
- R1
+ vs
R1 R2
-
v2 + Réglage du CMRR

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Classes de fonctionnement
En fonction de la position du point de repos
du transistor
 Classe A : milieu de la droite de charge
 Ni saturation, ni blocage lors du fonctionnement
 Classe B : au point de blocage
 Transistor conducteur pendant ½ période
 Classe AB : plus facile à obtenir que classe B pure
 Classe C :
 transistor conducteur pendant moins d’½ période

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Classe A
E

Principe RC (charge)

 Repos : I=E/2RC ; VCE=E/2 Polarisation

et signal

Puissances
Pu = VS2 / 2.R C
 utile
Pf = E2 / 2.R C
 fournie
PT = Pf − Pu = E2 / 2R C − VS2 / 2R C
 dissipée
η = VS2 / E2 ≤ 25%
Rendement
Conception simple, bonne linéarité mais très
mauvais rendement

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Classe B (push-pull)
Principe E
T1
 Transistors Ru (charge)
complémentaires
 Chacun bloqué pendant RG T2 E
½ période
EG
Puissances
 Pu=VS²/2Ru
 Pf=2.E.VS/πR
Rendement η=πVS/4E
 η max quand VS=E => ηmax=π/4 (78,5%)
Meilleur rendement que classe A mais attention à la
distorsion de croisement -> diodes
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Précautions en puissance
Circuits réels plus complexes
 Ajout de circuits de protection contre les
court-circuits au niveau de la charge
Température des jonctions des
transistors peut augmenter fortement
 Collecteur en contact ohmique avec le
boîtier métallique du transistor
 Transistors fixés sur radiateurs

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Filtrage
Nécessité de séparer les composantes
spectrales d’un signal selon leurs fréquences
Signal à
traiter Signal à
source traiter Traitement du
Filtrage
signal
Signaux indésirables

 Exemples :
 Récepteur radio : antenne capte signaux des divers
émetteurs -> filtre passe-bande pour récupérer signal de
la station choisie
 ADSL : voix et données passent par le même canal ->
filtre passe-bas pour récupérer la voix, filtre passe-haut
pour les données
Filtre = sélecteur
FC2-2008
de fréquences
Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 111
Types de Filtrage
Catégories
 Passe-bas / Passe-haut / Passe-bande / Coupe-bande
 Du 1er ordre / du 2ème ordre…
Filtrage passif
 Composé d’éléments passifs (R, C, L) => gain max =1 (=0dB)
 (+) structure simple et stabilité
 (-) tenir compte des impédances de la source et de la charge pour le calcul
des composants
Filtrage actif
 À base d’AOP, transistors… => peut être associé à de
l’amplification
 (+) indépendance des impédances -> mise en cascade pour filtres d’ordre n
élevé
 (-) BP limitée; risque d’instabilité
Bande passante : plage de fréquences pour lesquelles le gain
est compris entre Gmax et Gmax–3dB
 Fréquences de coupure = Fréquences limites de la BP 112
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
Gabarit d’un filtre
GdB Filtre passe-bas GdB Filtre passe-haut

Gmin BP Gmin BP

Gmax Gmax
BA log(ω) BA log(ω)
ωp ωa ωa ωp
GdB Filtre passe-bande GdB Filtre coupe-bande
Gmin BP Gmin BP BP

Gmax Gmax
BA BA log(ω) BA log(ω)
ω1p ω2p ω1a ω2a
ω1a ω2a ω1p ω2p

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 113

Fonction de transfert
e(t) s(t)

Quadripôle
 e(t)=Emsin(ωt); s(t)=Smsin(ωt+φ(ω))
 Fonction de transfert d’un filtre
S(p) b0 + b1p + ... + bmpm
H(p) = =
E(p) a0 + a1p + ... + anpn

 p : variable de Laplace (=jω en régime

permanent)
 m ≤ n pour un système physiquement
réalisable et stable

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 114

Filtres du 1er ordre
Revoir montages Passe-bas, Passe-haut et Passe-
bande à AOP
Rappel des courbes de Bode pour un Passe-bas
 Passe-bas passif :
 PB actif à AOP
 Ajouter le gain
statique KdB
 Décaler la courbe
de phase de ± π

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 115

Filtres du 1er ordre
Rappel Passe-haut
 Passe-haut passif :
 PH actif à AOP
 Ajouter le gain max KdB
 Décaler la courbe
de phase de ± π

Rappel Passe-bande
 Passe-bande passif
 Pbande actif à AOP
 Ajouter le gain max KdB
 Décaler la courbe
de phase de ± π
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 116
Filtres du 2ème ordre
Fonction de transfert d’un filtre passe-bas
Si z>1 : ω 1 , ω 2 = ω 0 (z ± z2 − 1) (apériodique – amorti)
K
T= ω1 = ω2 = ω0
ω ω Si z=1 : (critique)
1 + 2zj + (j )2
ω0 ω0 Si z<1 : ω 1 , ω 2 = ω 0 (z ± j 1 − z2 ) (oscillant - non amorti)
 1 
si z∈  ;1 dépassement en rép indicielle, mais
 2  sans oscillation, donc pas de
résonance apparaissant dans Bode

Filtre passe-haut - Filtre passe-bande

ω 2 ω
(j
) 2zj
ω0 ω0
T= K T= K
ω ω ω ω
1 + 2zj + (j )2 1 + 2zj + (j )2
ω0 ω0 ω0 ω0

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 117

Filtres d’ordre n
Fonction de transfert avec, au dénominateur, un
polynôme d’ordre n
 Filtres de Butterworth (ou Maximally-Flat)
 Atténuation la plus constante possible dans la BP
 Filtres de Tchebytcheff
 Légère ondulation tolérée dans la BP
 Filtres de Bessel
 Variation de la phase la plus linéaire possible ->faible distorsion
Mise en cascade de filtres d’ordre 1 et 2
-
-
- +
+
+ vs RL
Rg
ve
source
adaptateur filtre filtre charge
d’impédance d’ordre 2 d’ordre 2 118
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
Structure de Sallen-Key
Structure à réaction simple positive
Nécessite peu de composants
R5 R6
Vs Y1 Y3 Y2
 = k.
Ve Y1 Y3 + Y2 Y3 (1 − k) + Y4 (Y1 + Y2 + Y3 )
Y1 A
-
+
B vs
Y3
ve Y4

 Nature des admittances Y (résistive ou capacitive) : fonction

du type de filtre (passe-bas, passe-haut ou passe-bande)
 Passe-bas : Y1=1/R1; Y3=1/R3; Y4=jC4ω; Y2=jC2ω
 Passe-haut : Y1=jC1ω; Y3=jC3ω; Y4=1/R4; Y2=1/R2
 inversion de la nature des admittances

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 119

Structure de Rauch
Structure à contre-réaction négative multiple


Vs Y1 Y3
= − Y4 Y5
Ve Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 ) + Y3 Y4
Y1 A B
-
Y3 +
ve Y2 vs

 Nature des admittances Y (résistive ou capacitive) : fonction du

type de filtre (passe-bas, passe-haut ou passe-bande)
 Passe-bas : Y1=1/R1; Y3=1/R3; Y4= 1/R4; Y2=jC2ω ; Y5=jC5ω
 Passe-haut : Y1=jC1ω; Y3=jC3ω; Y4=jC4ω; Y2=1/R2; Y5=1/R5
 inversion de la nature des admittances
 Passe-bande : par ex: Y1=1/R1; Y3=jC3ω; Y4=jC4ω; Y2=1/R2; Y5=1/R5
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Commutation
Éléments en fonctionnement non linéaire:
saturé-bloqué
 Transistor - AOP
I Vs +U (alim)
saturation +Vsat

-Vsat -U
blocage U

 Ex bipolaire:
bloqué quand IB~0 - régime saturé : Vs = ± Vsat
saturé quand IB>IC/βmin
 Utilisation: ~interrupteur, comparateur, trigger,
multivibrateur … 121
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
Oscillation
Oscillateurs sinusoïdaux
 Système actif générant un signal sinusoïdal
 Pulsation ω0 ; amplitude constante V
Alim.

Oscillateur V.sin ω 0 t

 Performances
 Pureté spectrale
 Stabilité en fréquence
 Stabilité en amplitude
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 122
Oscillateur - Principe
Structure : système bouclé sans entrée
V1F Ampli. Vs
HF0
V1R
Réaction
HR
 condition d’oscillation: HF0.HR=1
 Réalisable pour une seule fréquence f0
 Système comprend un filtre sélectif

Classification selon la constitution du circuit

passif
 Oscillateurs RC (->BF); osc. LC (->HF); osc. à
quartz (très stables)
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 123
Oscillateur RC (à pont de Wien)
Ampli non inverseur
Filtre de Wien en Vs
+
boucle de réaction -

HR (jω 0 ) = 1 / 3 R1
R2
R1
=> HF0 = 3 = 1 +
R2
Ampli.

=> R1=2R2 R C R C

Filtre de CR

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 124

Oscillateurs à quartz
Oscillateurs LC
 Contiennent des éléments L et C ou certains
matériaux cristallins piézo-électriques (quartz)
équivalents à des circuits LC
Oscillateurs à quartz
 Grande stabilité de la fréq due à une valeur élevée
du facteur de qualité et d’excellentes propriétés
mécaniques
 Effet piézo-électrique: couplage mécanique-
électrique totalement réversible

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 125

Oscillateur à verrouillage de phase
Boucle à verrouillage de phase : PLL (Phase Locked
Loop)
 Grandeur asservie : phase
 Utilisée pour
 Améliorer détection des signaux noyés dans le bruit en
modulation d’amplitude
 Synthèse, mult et div de fréq programmées
 Asservissement de vitesse
Filtre de sortie SDemod
 Démodulation
UF
 …
UE Comparateur Filtre de boucle
UD
de phase
VCO
UR x k

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 126

Modulation
Rôle : déplacer le spectre du signal à
transmettre vers des fréq élevées +
facilement transportables
 =adapter le signal à transmettre au canal de
transmission
 Aussi: meilleure protection des messages contre bruit,
interférences, brouillage
 Permet multiplexage en fréq
Principales applications
 Télécommunication
 Systèmes de détection (radar)
 Instrumentation électronique
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 127
Principe de la modulation
Signal modulant
(message) Modulateur Signal modulé x(t) = a(t) cos ψ (t)

s(t) Porteuse e(t) = E0 cos(ω 0 t + φ 0 )

Oscillateur à f0

Modulation analogique: l’un des paramètres

de l’onde porteuse varie proportionnellement
à l’onde modulante
 Modulation d’amplitude
 x(t) = {A + k.s(t)} cos(ω 0 t + φ 0 )
 Modulation de fréquence
 x(t) = E0 cos(ω 0 t + K ∫ s(θ )dθ )

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 128

Modulation d’amplitude Spectres
s(t) x(t)
E0

t mE0/2

ω0
ω0 − ω ω0 + ω
E0
Taux de modulation m
Porteuse : e(t) = E0 cos(ω 0 t + φ 0 ) LSB
ω
USB
0

Signal modulant : s(t) = S cos ω t

Signal modulé : x(t) = E(t) cos ω t avec E(t) = E + S cos ω t
0 0
x(t) = E0 (1 + m cos ω t) cos ω 0 t
mE0 mE0
x(t) = E0 cos ω 0 t + cos(ω 0 + ω )t + cos(ω 0 − ω )t
2 2
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 129
Modulation de fréquence
x(t)
s(t)

θ (porteuse)
Pour transmissions haute fidélité
Composantes
 Porteuse : e(t) = E0 sin θ avec θ = ω 0 t + φ 0 t
 Signal modulant : s(t) = S cos ω t
θ(t)
 Signal modulé : Ω (t) = ω 0 + kS cos ω t = ω 0 + ∆ Ω cos ω t Ω(t1)
t ∆Ω
θ (t) = ∫ 0
(ω 0 + ∆ Ω cos ω t)dt = ω 0 t +
ω
sin ω t

x(t) = E0 sin(ω 0t + m sin ω t) t

∆Ω ∆F t1
indice de modulation m= =
ω f
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 130
Procédés de modulation AM
2 procédés
 Par utilisation d’éléments non linéaires
 Par variation du gain d’un amplificateur
+VCC

R1 RC Cl2 HF : e(t) = E0 cos(ω 0 t)

Cl1
BF : s(t) = Sm cos(ω mt)

Ru
HF R2 β S
RE CE vS = − (R C // R U )E0 {1 − m cos(ω mt)} cos(ω 0 t)
h11 VE
VE
BF

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 131

Procédés de modulation FM
2 méthodes
 Directe :
 VCO (Voltage Controlled Oscillator); PLL
 circuit LC parallèle (ex: varicap dont la capacité
varie en fonction de sa tension de polarisation)
 Indirecte
 par modulation de phase, suivie d’un
intégrateur

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 132

Démodulation
D’amplitude
 Filtrage passe-bas (ou passe-bande)
De fréquence
 Détection par limiteur discriminateur
 Détection à PLL

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 133

Électronique de puissance
Composants semi-conducteurs de
puissance
 Thyristor
 Triac
 Diac
Quelques montages
 Gradateur / variateur
 commutateur

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 134

Le thyristor ou SCR
G (gâchette ou gate)

A K

A K
P N P N
G

~diode de redressement commandée

 Thyristor passant (amorcé) que si
 Sens direct (VA>VK) et
 Courant min et positif fourni à la gâchette
 Courant d’amorçage peut n’être qu’une impulsion
Applications
 redressement du courant alternatif
 Variation de la vitesse des moteurs à courant continu 135
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
Le triac
G (gâchette ou gate)

A1 A2
ou MT1 ou MT2

~2 thyristors montés tête-bêche

 Réamorcer après passage par zéro
de la sinusoïdale secteur
 En retardant impulsion de déclenchement -> variation de I
appliquée à la charge
Applications
 Pilotage de charges raccordées au secteur 220V
 Gradateur de lumière; variateur de vitesse de moteur…
 Commande de dispositifs de régulation ou commutation, en
association avec un capteur
 Pour chauffage; électrovanne…
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 136
Le diac
A1 A2

Diac bloqué jusqu’à sa tension nominale

(BreakOver voltage), puis tension chute à V0
 Ex: V(BO)=40V; V0=5V
Applications
 Surtout utilisé pour déclenchement d’un triac
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 137
Gradateur / variateur

Extrait de http://perso.wanadoo.fr/e-lektronik/LEKTRONIK/index(1).htm

Condensateurs assurent déphasage de la commande

Potentiomètre retarde le déclenchement du triac

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 138

Commutateur

Extrait de http://perso.wanadoo.fr/e-lektronik/LEKTRONIK/index(1).htm

Les commutateurs de puissance sont souvent

des photocoupleurs (ici : opto-triac)
 Isolation galvanique entre circuit de commande et
circuit commandé

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 139

Transformateur
Extrait de http://perso.wanadoo.fr/e-lektronik/LEKTRONIK/index(1).htm

Applications
 Isolation galvanique
 Alimentations Modèle sur châssis tôlé Modèle moulé
ou à étrier (encapsulated)

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 140

DAC/ADC : Généralités (1)
Jusqu’en 1970 : Traitement du signal analogique
 Manque de fiabilité des résultats
 Dérives et dispersions des caractéristiques des composants

Etude difficile et approximative
phén. physiques «analogues» mais pas identiques aux phén.réels.
 Introduction d'artefacts - parasites - (bruits propre/externe)
 Coût/Réglage des prototypes
 Coûts élevés de construction en série
 nombre de composants discrets analogiques à faible densité
d'intégration fonctionnelle : résistances - condensateurs etc...

Depuis 1970 : Avènement du microprocesseur

( les convertisseurs sont apparus dans les années 60 ) 141
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 142
Numérisation d’un signal
Données numériques plus
fiables et plus faciles à
traiter/mémoriser

Échantillonnage
et quantification
5 6 5 2 1 2 Codage binaire

Meilleure précision pour

 Fréquence d’échantillonnage élevée
 Codage sur un nombre de bits important
 …mais : besoin d’un plus grand espace mémoire!
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 143
Conversion Analogique/Numérique
Figer la tension d’entrée par un
montage échantillonneur-bloqueur

Théorème de Shannon :
 Fréquence d’échantillonnage doit
être au moins 2 fois plus élevée
que la plus haute fréquence contenue
dans le signal utile à échantillonner

Structure générale d’un CAN :

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 144

Types de CAN
Convertisseurs parallèles (ou Flash)
 (+) très rapides ; (-) précision limitée
 Applications : oscilloscopes numériques
Convertisseurs à approximations
successives (ou SAR)
 (+) bonne résolution ; (-) moins rapides que CAN
parallèles
 Applications : mesure, cartes d’acquisitions
Convertisseurs à comptage d’impulsions
ou à intégration ou à rampe
 (+) excellente précision ; (-) très lents
 Applications : multimètres de poche
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 145
Conversion Numérique/Analogique

Principe :

Structure générale
d’un CNA :

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 146

Types de CNA
Convertisseurs à résistances pondérées
 (+) simples ; (-) difficile d’obtenir une précision
acceptable
 Peu utilisés
Convertisseurs à réseau R/2R
 (+) meilleure précision
 Applications : instrumentation
Convertisseurs Σ/∆
 Principe : traitent la différence avec l’échantillon
précédent
 Applications : audio
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 147
Caractéristiques des CAN et CNA
Temps de conversion tc
Nombre de bits n
Gamme (ou tension pleine échelle ou
calibre) U
 U est la différence entre la + grande et la + petite
valeur de la tension
Résolution r
 r est la plus petite différence de tension que peut
détecter le CAN ou produire un CNA
U
 r= n
2 −1
FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 148
Électronique numérique
Logique et circuits combinatoires

Logique et circuits séquentiels

FC2-2008 Électronique – F. Pasquier/O.Stienne 149

Algèbre booléenne
Opérateurs logiques fondamentaux :
NON,
NON ET,
ET OU
Opérateurs dérivés :
NAND,
NAND NOR
OU EXCLUSIF