Chapitre 2

Amplificateurs petits signaux à base

des transistors à effet de champ
 Amplificateurs petits signaux à base des transistors à effet de champ

I- INTRODUCTION
Les transistors des circuits électroniques actuels ne sont pas de transistors bipolaires,
mais des transistors à effet de champ ou transistors FET. Comme les transistors
bipolaires : ils peuvent servir d’interrupteurs ou d'amplificateurs. Cependant, Les
transistors à effet de champ ont un principe de fonctionnement totalement différent des
transistors bipolaires. La classification des transistors FET est assez complexe, avec de
nombreux sous-types assez précis. Ce chapitre va surtout se concentrer sur les transistors
dits JFET et MOS (Metal Oxyde Silicium), qui sont les plus utilisés.
Les transistors à effet de champ possèdent trois électrodes qui se nomment la grille (G),
le drain (D) et la source (S). Il existe plusieurs sortes de transistors à effet de champ :
JFET (canal N ou P) ou MOSFET (canal N ou P)

Les transistors de type P sont inversés par rapport à ceux de type N. La commande de ces
transistors s'effectue par la tension de grille. Par opposition au transistor bipolaire, le
transistor à effet de champ se comporte donc comme une source de courant commandée
par une tension.

II- TRANSISTOR JFET EN REGIME STATIQUE

Les JFET sont les transistors à effet de champ à jonction (en anglais Junction Field
Effect Transistor).
II-1 Constitution interne des JFET
Le JFET canal N est constitué par un canal N ceinturé en son milieu par une zone P en
forme d'anneau et trois électrodes :
- La zone P est beaucoup plus dopée que le canal N : c'est la grille (G).
- Le canal N a deux extrémités : ce sont le drain (D) et la source (S).
Chaque électrode a le même nom que la zone à laquelle elle est reliée. Il y a une seule
jonction PN.

Inversement, le JFET canal P est constitué par un canal P ceinturé en son milieu par une
zone [Link] figures ci-après montrent les deux types de JFET avec leurs symboles
indiquant les grandeurs électriques associées : VGS ; VDS ; ID (ou IDS ).

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➢ Symboles des JFET (N) et (P):

Pour le JFET canal N, les grandeurs électriques sont comptées comme suit :

V < 0;V > 0 ; I >0

GS DS D

Et pour le JFET canal P, on a : VGS > 0 ; VDS < 0 ; ID < 0

Remarque : Du fait que le JFET canal P est bien rare, on traite par la suite que le
JFET à canal N.

II-1 Réseau de caractéristiques électriques du JFET (N)

Pour obtenir les caractéristiques ci-dessous, on

fixe la tension VGS et on trace la courbe ID =
f(VDS), représentant le réseau de sortie et en
fixant la tension VDS, on trace la courbe qui
représente le réseau de transfert : ID = f(VGS)

VGSof

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Tension de pincement Vp c’est la valeur de VDS pour laquelle IDS demeure

essentiellement constant elle est toujours mesurée lorsque VGS =0.
Tension de blocage VGSoff c’est la valeur de VGS qui donne un courant IDS
d’approximativement zéro.
Relation entre pincement et blocage VGSoff et Vp sont toujours égales, mais de
signe contraires VGSoff = - Vp.
La transconductance gm est la variation du courant de drain ∆ID pour une variation donnée
de la tension entre la grille et la source ∆VGS.

La courbe ID = f(VGS) est une courbe parabolique. Cette courbe est appelée
conductance de transfert ou caractéristique de transconductance. Donc l’équation de la
courbe de caractéristiques de transconductance est de la forme :

D’après la courbe de caractéristiques de sortie ID = f(VDS), on a 3 régions :

• Zone ohmique : Dans cette zone VDS est très faible, le JFET fonctionne
comme une résistance contrôlée.

VDS VGSoff 2 2 I DSS  V 

RDS = = ; ID = VDS  VGS − VGSoff − DS 
I D 2 I DS (VGS − VGSoff ) 2
vGSoff  2 

• Zone de blocage : Dans cette zone le canal est fermé, la tension VGS est
suffisamment négative et le courant ID=0. Le JFET est alors similaire à un circuit
ouvert.
• Zone active ou de saturation : Dans cette zone le JFET agit comme une
source de courant contrôlée par la tension de la grille.

I DSS
(VGS − VGSoff )
2
ID = 2
vGSoff

II-2 Polarisation du transistor JFET (N):

Le JFET est destiné à travailler autour d'un point de fonctionnement pour lequel VGS,
VDS et ID sont parfaitement fixées : C’est le Point de repos.
La puissance dissipée par le transistor JFET es donnée par : P = VDS ID

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Les limites de fonctionnement du transistor JFET, données dans leurs fiches techniques,
sont :

PMax = qq 0.1 W; VDSMax = qq 10 V; IDMax = qq mA à qq 10 mA

Afin de ne pas détruire le JFET, il faut vérifier : P  PMAX; VDS  VDSMAX; ID  IDMAX
- Equation de la droite de charge statique ∆s

Par définition la droite de charge statique d'un transistor JFET c'est la droite d'équation :
ID=f(VDS), trouvée à partir des éléments de l’étage de sortie du montage de polarisation,
comme il est illustré par la suite :

Le point de repos P est à l'intersection d'une caractéristique ID = f(VDS) et de la droite S

i- Montage de polarisation par résistance de grille

C’est le montage à tension grille-source constante : VGS = - VGG = cte

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- Détermination approchée du point de repos: P( ID, VDS)

VGG, VDD,VGsoff, IDo, RG et RD connus.

- On trace la droite : VGS = - VGG
- Connaissant ID0 et VGSoff, on trace de manière approchée la caractéristique :
ID = f (VGS)
L’intersection entre les deux courbes permet d'obtenir ID et on trouve alors :
VDS = VDD – RD ID.
ii- Montage de polarisation par résistance de grille et résistance de source
VGS + VS = 0  VGS = - VS

- Détermination approchée du point de repos :

Connaissant VDD, VGsoff, IDo , RG , RD et RS, les grandeurs ID et VDS sont déterminées
comme suit :
VS −VGS
ID = IS = =
RS RS
Le point de repos P est à l'intersection de la caractéristique tracée ID = f (VGS) et de la
droite :
ID = - VGS / RS

On repère ID et on calcule VDS :

VDS = VDD − RDID − RS IS = VDD − (RD + Rs )ID

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Remarque:

Ce montage assure la stabilisation du point de repos puisqu’il s’établit une contre-

réaction qui stabilise le point de fonctionnement :

iii- Montage de polarisation par pont de grille et résistance de source

Vérifions que ID est quasi-constant si on a: Vs >> |VGS |

D’après le montage de polarisation, on trouve :

Ce résultat montre que la variation de ID est alors très faible

- Détermination des résistances

Les gradeurs VDD , VGS, VDS et ID sont supposées connues et la condition: Vs >> VGS est vérifiée

VS VS VDD − VDS − VS
RS = = ; RD =
IS ID ID

R2 R1 VDD VDD
VG = VDD = −1 = −1
R1 + R2 R2 VG VGS + VS

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Seul le rapport des résistances RI et R2 est connu.

R1 = qq 0,1 M à qq 10 M

R2 = qq 0,1 M à qq 10 M.

- Détermination approchée du point de repos

Connaissant les valeurs de VDD , VGsoff , ID0 , R1 , R2 , RD et Rs, les grandeurs ID et VDS
sont déterminées par :

On trace la droite ID en fonction de VGS:

Connaissant ID0 et VGSoff, on trace de manière approchée la caractéristique : ID = f (VGS)

L’intersection entre les deux courbes permet de repérer ID pour trouver alors:
VDS = VDD − ( RD + RS ) I D

III- APPLICATION DU JFET EN AMPLIFICATION

III- 1 Modèle du transistor en régime dynamique

De même le transistor JFET est considéré comme un quadripôle :

Le quadripôle est décrit en utilisant les paramètres admittances :

Ces grandeurs représentent de petites variations autour du point de fonctionnement

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 Schéma équivalent général :

 Schéma équivalent simplifié :

III-2 Amplificateur à source commune

Le montage en source commune est typiquement utilisé comme amplificateur de tension
et courant. Le terme de source commune vient du fait que l'électrode « source » du
transistor est reliée à la masse en alternatif.
L'entrée est du côté de la grille et la sortie est du côté du drain.

Le schéma équivalent en régime dynamique du montage est tracé en considérant que la

source de tension continue est remplacée par un court-circuit et les condensateurs ont une
impédance supposée nulle à la fréquence de travail.

: C’est l’équation de la droite de charge dynamique d

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La droite de charge dynamique d est plus pentue que la droite de charge statique s

Les variations autour du point de repos P se font sur la droite de charge dynamique d.

La dynamique maximale de sortie est déterminée par les caractéristiques du JFET, le point
de repos P et la droite de charge dynamique. Le meilleur résultat est obtenu pour un point
de repos voisin du milieu de la droite de charge statique.

Paramètres de l’amplificateur

• Gain en tension :

Ce gain est négatif et a une valeur moyenne (gm est faible (dizaine de mA/V))

• Gain en courant :

Le gain en courant est négatif et très grand

• Résistance d’entrée:

La résistance d'entrée est très grande.

• - Résistance de sortie:
Ici , il est simple d’identifier que la résistance Rs est: Rs =

RD RD est typiquement de qq k: Valeur moyenne

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III-3 Amplificateur à drain commun

Le schéma équivalent en régime dynamique du montage est :

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III-4 Amplificateur à grille commune

Le schéma équivalent en régime dynamique du montage est :

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Conclusion :
Dans les montages amplificateurs, les FET seront principalement utilisés dans l’étage
d’entrée, du fait de leur grande impédance d’entrée qui permet de ne pas perturber la
source. Dans ce premier étage l’amplitude des signaux est petite et de ce fait l’influence
de la non linéarité du transistor est minime. Pour les étages suivants, on utilisera des
transistors bipolaires qui autorisent une plus grande dynamique au niveau de l’amplitude
des signaux.

IV- TRANSISTOR MOSFET

Le transistor à effet de champ à semi- conducteur métal-oxyde (MOSFET) constitue la
deuxième catégorie de transistors à effet de champ. Le MOSFET diffère d’un JFET
puisqu’il ne possède pas de structure de jonction PN, la grille du MOSFET et plutôt isolée
du canal par une couche de bioxyde de silicium (SiO2). Les deux types fondamentaux de
MOSFET sont celui à appauvrissement (D) et celui à enrichissement (E) À cause de leur
grille isolée, ces composants sont parfois appelés IGFET

IV-1 Structures des MOSFET

• Les transistors EMOSFET nécessitent une tension VGS afin d’enclencher le

transistor. Ils sont équivalents à un interrupteur normalement ouvert

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Le MOSFET canal N est constitué par une zone P et deux zones N, une couche isolante et
trois électrodes.
La zone P est large : c'est le substrat. Les deux zones N sont minces et beaucoup plus
dopées que le substrat : ce sont le drain (D) et la source (S).
La partie du substrat située à proximité de la grille, entre les deux zones N, constitue le
canal. Chaque électrode a le même nom que la zone à laquelle elle est reliée.
La quatrième électrode associée au substrat (body) est généralement court-circuitée
avec l’électrode de source et sa représentation est souvent négligée.

• Le transistor DMOSFET nécessite une tension VGS afin de le bloquer. Il est

équivalent à un interrupteur normalement fermé.

Remarque : Le transistor EMOSFET est plus courant que le DMOSFET. Par la suite, nous
allons que les applications de EMOSFET (E-MOS)

➢ Symboles usuelles des E-MOS

➢ Avantages des transistors MOS

Leur principal avantage est la résistance d'entrée qui est très grande Re ≈ 1012 Ω. Pour un
transistor JFET, la résistance d’entrée est de l’ordre de 108 Ω. Ce type de transistor est
simple à fabriquer et la densité d’intégration autorisée par ce type de composant est très
importante.

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IV- 2 EMOSFET : régime statique

Le MOSFET est caractérisé par trois grandeurs remarquables : la tension grille-source
VGS, la tension drain-source VDS et le courant de drain ID.

Le E-MOS canal N (ou NMOS): VGS et VDS sont positives et ID et Is sont fléchés de
manière à être positifs.

Le E-MOS canal P (PMOS): VGS et VDS sont négatives et ID et Is sont fléchés de manière
à être négatifs.

Le PMOS étant le symétrique du NMOS, la suite du chapitre sera consacrée à l’étude du

transistor NMOS en régime statique et dynamique.
➢ Grandeurs électriques remarquables

- Le courant de grille IG est très faible (IG est le courant de fuite d'un isolant) et
sera toujours considéré comme nul.
- Le courant de source Is est égal au courant du drain ID
- VGS est la grandeur d'entrée, VDS et ID sont les grandeurs de sortie : VGS << VDS
➢ Réseau de caractéristiques :
Le réseau comporte deux caractéristiques : ID = f(VGS) et ID = f(VDS) avec trois modes
de fonctionnement.

i- Le mode bloqué
VGS < VT  pas d'apparition du canal et ID = 0  MOS ne conduit aucun courant quel que
soit VDS

Où VT est la tension de seuil: VT = qq 0.1 V à qq V

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ii- Le mode actif

Mode linéaire : Mode saturé :

VGS > VT et 0 < VDS < VDSsat = VGS - VT VGS > VT et VDS > VDSsat

Le transistor conduit et on a: Le transistor conduit mais le courant

ne varie plus avec VDS :
ID = K (VGS - VT)2
On dit qu’il y a pincement du canal

Les montages de polarisation utilisés pour les MOSFET sont similaires à ceux étudiés
pour les JFET:
- Montage de polarisation par résistance de Grille
- Montage de polarisation par résistance grille et résistance de source
- Montage de polarisation par pont de grille et résistance de source
V- APPLICATION DU NMOS EN AMPLIFICATION
De même que les JFET, le transistor NMOS est considéré comme un quadripôle et il peut
être modélisé en régime dynamique par le schéma suivant :

vgs, vds et id représentent les variations des grandeurs VGS,VDS et ID : vgs = dVGS,
vds = dVDS et id = dID·
- La résistance grille-source rgs est très grande
- gm est la transconductance quand la sortie est en court-circuit. Elle se détermine à
partir de la caractéristiques de transfert : ID= f (VGS) à VDS= cte.
- gds est la conductance de sortie quand l'entrée est en court-circuit : Elle se
détermine à partir de la caractéristiques de transfert : ID= f (VDS) à VGS= cte.
Ces paramètres sont valables pour un point de repos donné et pour un fonctionnement en

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régime linéaire, c'est à dire pour des faibles variations autour du point de repos.

- Détermination approchée du paramètre gm

Du fait que gds est très faible et alors toujours considérée comme nulle, le schéma
simplifié est le suivant :

Les amplificateurs à base de NMOS sont similaires au ceux à base des JFET. Il existe
des montages Drain commun, grille commune ou source commune.
Le grand avantage de ces transistors réside dans le fait qu'aucun courant de grille
n'est consommé, ce qui donne une impédance d'entrée très élevée (quelques mégahoms).
Conclusion :
Généralement, dans les montages amplificateurs, les transistors à effet de champ seront
principalement utilisés dans l'étage d'entrée. On profite de leur grande impédance d'entrée
qui permet de ne pas perturber la source.

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