• Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Université des Frères Mentouri Constantine 1

Faculté des sciences et techniques

Département d’électronique

Théme:

Les transistors de type JFET

Présenté par:

• Zerrouk alae errahmane

• Louaar Hafsa

• Khaoula chibane

• Halimi Wafa

• Keziou Ziad
 Année universities: 2022/2023

Les transistors:

Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou

d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important
des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (permet,
assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes
informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal, etc. Les transistors
revêtent une importance particulière - le plus souvent en tant qu'interrupteurs marche/arrêt -
dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique

Ce dispositif comporte trois électrodes actives permettant de contrôler un courant ou une tension sur

l’électrode de sortie (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de

champ) grâce à une électrode d’entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à

effet de champ). Le transistor est isolant sans tension sur la borne Base, et conducteur avec une tension

sur la borne Base.

Le transistors à effet de champ (JFET):

Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ don ’t la

grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux

avec un canal de type P.

La différence entre le bibolaire et le JFET:

En gros le bipolaire fait très bien son travail dans les circuits linéaires conventionnels. En commutation de

puissance, même saturée, il persiste à ses bornes (collecteur-émetteur) une petite tension qui fait donc qu’il

chauffe et fait perdre du rendement.

Les effets de champ de puissance en saturation se comportent comme une résistance et on sait en faire de très

faible valeur, ce qui évite l’échauffement et améliore le rendement. Le défaut est que ces Mos ont besoin d’une

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commande à tension relativement élevée (10V de Vgs) et que dans certains schémas ça impose de fabriquer

tension d’alimentation au-delà de celle qui fournit l’énergie.

Dans les étages d’amplifications, les transistors à effet de champ rendent parfois de grands services par leur

impédance d’entrée quasi-infinie (micro électret, ampli bifets…). Mais grosso modo, le bipolaire sert dans les

applications linéaires et le Fet en saturé-bloqué.

La strécture d'un jfet

La structure d'un JFET est constituée d'un matériau semi-conducteur à base de silicium, de type N ou P, avec une

jonction PN ou NP entre la source et le drain. Au centre de cette jonction se trouve une région semi-conductrice

extrêmement mince, appelée canal, qui est dopée de manière à avoir un niveau de conductivité élevé et à agir

comme une résistance variable.

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La région du canal est recouverte par une fine couche d'isolant, et les bornes de la source et du drain sont

connectées à des contacts métalliques qui sont placés de chaque côté de l'isolant. Une troisième borne, appelée la

grille ou la porte, est placée perpendiculairement au canal, à proximité immédiate de l'isolant.

Lorsqu'une tension est appliquée à la grille, elle crée un champ électrique dans le canal, qui modifie la

conductivité du canal et régule ainsi le courant entre la source et le drain. En augmentant la tension de la grille, on

peut réduire la conductivité du canal et donc réduire le courant de drain-source. En diminuant la tension de la

grille, on peut augmenter la conductivité du canal et donc augmenter le courant de drain-source.

Le JFET est un dispositif à polarisation inverse, ce qui signifie que la tension de la grille doit être négative par

rapport à la source pour qu'il fonctionne correctement. Cela permet de maintenir le canal en mode de

fonctionnement de résistance variable, avec une tension de seuil spécifique qui doit être dépassée pour que le

JFET commence à conduire.

Le principe de fonctionnement :

Canal N:

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Le courant entre la source et le drain circule donc dans le canal N, entre les deux portions P. Plus la distance entre

les portions P est grande, plus le courant peut passer facilement. Dit autrement, l’intensité du courant drain-source

dépend de la largeur du canal N. Or, il se trouve que cette largeur varie selon la tension qu’on place sur la grille.

Quand on place une tension sur la grille, les charges du semi-conducteur vont être repoussées de la grille. Les

portions P vont donc s’étendre, la largeur du canal N va se réduire, diminuant le courant drain-source. Si la

tension est suffisante, le canal N peut carrément se fermer, disparaître complètement : aucun courant ne peut

passer. On comprend donc que le courant drain-source est modulé par la tension sur la grille. Cela nous donne une

première différence avec le transistor bipolaire : l’équivalent du “courant de collecteur” est commandé par la

tension et non le courant de base.

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1. Le JFET à canal p. présente un mode de travail similaire à celui de sa contre-pièce, le JFET à

canal n sauf quelques différences. Dans le cas de JFET à canal p, la majeure partie de l'appareil est enLe

type p dans lequel sont intégrées les deux petites régions de type n. Ainsi, il a une borne de porte de type

n et une source et un drain de type p, ce qui fait que le canal est de type p, les trous constituant la majorité

des porteurs de charge. Ensuite, la direction de la flèche dans son symbole de circuit est dirigée vers

l’extérieur contrairement aux JFET à canal n.

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Comme dans le cas des JFET à canal n, le fonctionnement de ces dispositifs dépend également

Des tensions appliquées à ses bornes

Applications du transistor à effet de champ

Commutateurs analogiques l’application de FET comme les commutateurs dans les circuits

analogiques est une conséquence directe de leur mode de fonctionnement. En effet, lorsque la

tension Gate-Source, VGS est égal à zéro, le FET à canal n fonctionnera à saturation région et

agira comme (presque) un court-circuit. Ainsi, la tension de sortie sera nulle (Figure 1). D'autre

part, si une tension négative est appliquée entre la grille et les bornes de la source, c'est-à-dire si

VGS est négatif, alors le FET fonctionne dans sa région coupée ou pincée. Cela signifie que,

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dans ce cas, le FET agit comme un circuit ouvert et le courant de drain, jeré sera égal à zéro. De

ce fait, la tension aux bornes de la résistance de charge Rré sera zéro qui cause en outre le VDD

paraître à V0.

Cette propriété de JFET à se comporter comme un commutateur peut être exploitée afin de

concevoir un multiplexeur analogique, comme illustré par la figure 2.

N à 1 multiplexeur utilisant des transistors à effet de champ

Amplificateurs

Les FET de jonction (JFET) sont utilisés au stade d’amplification qui isole l’étage précédent de

l’étape suivante et joue donc le rôle d’amplificateurs tampons (Figure 3). Cela est dû au fait que

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les JFET ont une impédance d'entrée très élevée, de sorte que l'étage précédent est légèrement

chargé, ce qui entraîne la sortie complète de la sortie de l'étape 1 à l'entrée du tampon.

En outre, toute la sortie du tampon peut être configurée pour apparaissent à l'entrée de l'étape 2

en utilisant des JFET dans la configuration de drain commune, en raison de la faible impédance

de sortie offerte Cela signifie même que les amplificateurs tampons sont capables de gérer des

charges lourdes ou de petites résistances.

Oscillateur à décalage de phase

Les JFET offrent une haute impédance à leur entrée terminale qui réduit l'effet de chargement.

En outre, ils peuvent être utilisés de manière appropriée pour réaliser à la fois des fonctions

d'amplification et de retour. Cette nature des FET les rend aptes à être utilisés dans des circuits

d'oscillateur à déphasage, comme illustré par la figure 5.

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Hachoir

JFET agissant comme un commutateur peut être utilisé comme un hacheur (Figure 6) dans

laquelle la tension continue qui lui est appliquée, VDC, est convertie en une tension alternative

de même amplitude, VAC. Cela n’est dû au fait que la forme d'onde de tension carrée appliquée

en tant que VGS force le JFET à fonctionner alternativement dans les régions de coupure et de

saturation. Ces circuits de découpage aident à résoudre le problème de dérive existant dans le cas

des amplificateurs à couplage direct

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Limiteur de courant

JFET à canal n dont le terminal de porte est court-circuité avec le terminal source agit comme un

limiteur de courant. Cela signifie que, dans cette configuration, les FET ne permettent au courant

de passer à un niveau particulier après lequel il est maintenu constant, quelles que soient les

fluctuations du niveau de tension. Ces limiteurs de courant font partie intégrante des diodes à

courant constant ou à régulateur de courant.

En dehors de ceux-ci, les FET sont largement utilisés dans Circuits intégrés (CI) en raison de

leur taille compacte. Ils sont utilisés dans les circuits de mixage des récepteurs TV et FM en

raison de faibles distorsions d'intermodulation. De plus, les FET sont également utilisés comme

résistances à tension variable dans les modèles OP-AMPS, de contrôle de tonalité et de voltmètre

JFET. Les JFET peuvent également être utilisés pour concevoir les circuits de minuterie car ils

offrent une isolation élevée entre leurs bornes de porte et de drain. En outre, les JFET trouvent

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également leur utilisation dans des domaines tels que l’électronique numérique et les systèmes à

fibres optiques.

Interprétation du fonctionnement

Zone résistive

Dans une jonction polarisée en inverse existe une zone isolante (sans porteurs libres) dont

l’épaisseur e est fonction de la tension inverse (e ≈ k VGS ). Cette zone isolante qui correspond

aux jonctions grille-canal et substrat-canal diminue la largeur effective du canal.

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Pour les tensions VDS faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique dont la

valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et la source. Le JFET

est alors équivalent à une résistance commandée par une tension. Pour une valeur VP

suffisamment négative de VGS, la conduction s’annule. On dit que le canal est « pincé » et que

VP est la tension de pincement.

Zone du coude

La largeur de la zone isolante est également influencée par la tension entre le drain et la source.

Du côté de la source sa largeur est :e1=k VGS.

Du côté du drain, elle est : e2 = k VGD . Quand VDS augmente, la

Valeur du courant drain résulte de deux phénomènes compétitifs : une croissance liée au

caractère ohmique du canal et une diminution liée au pincement progressif de ce canal.

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Zone de saturation

Dans cette zone tout accroissement de VDS qui augmenterait le courant ID augmente aussi le

pincement. Quand le canal se pince, la densité du courant augmente jusqu’à ce que les porteurs

atteignent leur vitesse limite : le courant drain reste constant et le transistor est dit saturé. La

valeur maximum de ID pour VGS = 0, qui correspond au pincement du canal est notée IDSS.

Zone d’avalanche

Elle résulte d’un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du

dispositif si rien ne limite le courant drain.

Influence de la température

La largeur de la zone de déplétion diminue avec la température ce qui induit une croissance du

courant drain. Mais la mobilité des porteurs diminue avec la température. C’est le second effet

qui est prépondérant pour les courants drain élevés et il n’y a pas de risque d’emballement

thermique avec les transistors à effet de champ.

Réseaux de caractéristiques

– Réseau d’entrée

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Les transistors JFET doivent uniquement être utilisés avec des tensions VGS négatives et inférieures à la

tension de claquage inverse.

La caractéristique d’entrée est celle d’une diode polarisée en inverse. On a donc toujours :

IG =0

– Réseau de sortie

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C’est le réseau des courbes ID = f(VDS) avec VGS = Constante.

Ce réseau est caractérisé par trois régions utiles :

La région ohmique

La zone de coude

La zone de saturation.

Dans cette zone, on note une légère croissance de ID avec VDS car la longueur effective du canal

diminue.

Polarisation des transistors à effet de champ

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A cause de cette dispersion des paramètres, il est impossible de régler le point de fonctionnement en

imposant le potentiel de grille car ID peut varier de manière trop importante pour un VGS donné.

– Polarisation automatique

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La grille est reliée à la masse par une résistance RG de forte valeur. Comme le courant grille est nul, le

potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la résistance de source une chute de tension

égale à [Link] . La tension grille-source vaut donc : VGS = VGM – VSM = –[Link] . La grille est bien

négative par rapport à la source. L’équation de la droite d’attaque est : VGS = – [Link]

etcelledeladroitedechargeest : VDS =E–(RS +RD).ID

L’intersection de ID = – VGS/RS avec la caractéristique de transfert définit la tension VGS et la valeur

de ID. L’intersection de la droite de charge et de la caractéristique qui correspond à VGS donne la

valeur de VDS.

Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de source augmente ce qui diminue

la conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-réaction qui stabilise le point de

fonctionnement.

–Polarisation par la grille

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Compte tenu de la dispersion de caractéristiques pour des transistors de mêmes références, la

polarisation par la grille est la plus mauvaise méthode pour polariser le transistor dans la zone linéaire

car le point Q est trop instable.

– Polarisation par pont diviseur

On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation par pont de base et résistance de

source.

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Le potentiel appliqué à la grille est :

VGM = R2/(R1 + R2)

Le potentiel de la source est VSM = [Link]. Comme VSM = VGM – VGS, la valeur du courant drain est

donc : ID = (VGM – VGS)/RS.

Si l’on prend VGM beaucoup plus grand que VGS, la stabilisation sera assurée.

Si l’on souhaite une stabilisation parfaite, il est possible d’utiliser un transistor bipolaire monté en source

de courant constant dont la charge sera constituée par le transistor à effet de champ.

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