Université Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou 2ème Année Licence et Ingénieur en Electrotechnique

Enseignant : [Link] Unité : Electronique Fondamentale 1

Chapitre 2
Diode et ses applications

Table des matières

II.1 Introduction .............................................................................................................................................. 2
II.2 Semi-conducteurs ..................................................................................................................................... 2
II.2.1 Electrons de conduction et Trous ...................................................................................................... 2
II.2.2 Dopage des semi-conducteurs ........................................................................................................... 3
I.2.3 Jonction PN ......................................................................................................................................... 3
II.3 Diode ........................................................................................................................................................ 4
II.3.1 Constitution ....................................................................................................................................... 4
II.3.2 Symbole d’une diode ......................................................................................................................... 4
II.3.3 Caractéristique de la diode simple ..................................................................................................... 4
I.3.4 Modèle d’une diode ............................................................................................................................ 6
II.4 Diodes à usage particulier ........................................................................................................................ 8
I.4.1 Diode Zener ........................................................................................................................................ 8
I.4.2 LED ..................................................................................................................................................... 9
II.5 Applications des diodes ………………………………………………………………………………..10
II.5.2 Circuits Lmiteurs à diodes …………………………………………………………………………...10
II.5.2 Redresseurs monophasés à diodes ……………………………………………………………………11

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II.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous allons nous intéresser à la diode. Il s’agit du composant de base le plus utilisé en
électronique.
La diode est conçu à base de semi-conducteurs, elle est capable de conduire le courant dans un sens et de le
bloquer dans l’autre sens, celle-ci est exploitée dans le fonctionnement de plusieurs types de circuits
électroniques. Un exemple de tels circuits est le redresseur de tension présent dans les chargeurs de batteries.

II.2 Semi-conducteurs
- Les meilleurs conducteurs (or, argent, cuivre, etc.) ont un (01) seule électron de valence.
- Les meilleurs isolants ont huit (08) électrons de valence. Les semi-conducteurs sont à mi-chemin
entre conducteurs et isolants, ils comportent donc quatre (04) électrons de valence.

Energie Energie Energie

Bande de conduction

Bande de conduction Ecart énergétique

Ecart énergétique
Bande de conduction
Chevauchement
Bande de valence Bande de valence Bande de valence

0 0 0
(a) : Conducteur (b) : Semi-conducteur (c) : Isolant
-
Figure I.1 : Diagramme énergétique pour ; (a) un conducteur, (b) un semi-conducteur et (c) un isolant.

Il existe deux (02) semi-conducteurs dans la nature, le Germanium et le Silicium.

Le Germanium a été le premier semi-conducteur utilisé pour la fabrication des diodes, par la suite il a été
remplacé par le Silicium, qui est actuellement le seul semi-conducteur utilisé.
II.2.1 Notions d’électrons de conduction et Trous
• Electron de conduction : Le silicium pur à température ambiante tire de l’énergie de l’air environnant.
Quelques électrons de valence absorbent alors de l’énergie et passent de la bande de valence à la bande de
conduction.
• Trou : Lorsqu’un électron bondit vers la bande de conduction, un espace vacant est laissé dans la bande de
valence. Cet espace est nommé trou.
Energie

Paire électron-trou

Electron
Bande de conduction libre

Ecart énergétique

Bande de valence Trou

Energie thermique
Figure I.2 : Création d’une paire d’électron-trou dans un atome excité de silicium.

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II.2.2 Dopage des semi-conducteurs : Semi-conducteurs de type N ou de type P

Afin d’améliorer la conductivité du semi-conducteur (Silicium), on lui rajoute quelques atomes d’autre
matériau afin de créer des semi-conducteurs de type N ou de type P.
- Dans le cas du semi-conducteur de type N on rajoute au Silicium quelques atomes de matériau ayant
cinq (05) électrons de valence (Arsenic, Antimoine, Phosphore), alors les électrons sont les porteurs
majoritaires.
- Dans le cas du semi-conducteur de type P on rajoute au Silicium quelques atomes de matériau ayant
trois (03) électrons de valence (Aluminium, Bore, Galium), alors les trous sont les porteurs
majoritaires.

Electron libre (de conduction)

Si de l’atome de phosphore Si Trou de l’atome de bore

Si
Si

Si
Si

P B

Si Si

(a) (b)
Figure I.3 : Dopage du silicium ; (a) atome d’impureté pentavalent (phosphore) dans un cristal de silicium et (b) atome d’impureté
trivalent (bore) dans un cristal de silicium.
II.2.3 Jonction PN
Si un morceau de silicium est dopé de telle sorte qu’une moitié est de type N et l’autre est de type P, une
jonction (liaison ou frontière) PN se forme entre les deux régions.

Région P Région N

(a)

Région P Région N Région P Région N

(b) (c)

Trou
Barrière de
Electron libre se déplaçant aléatoirement Potentiel
Figure I.4 : Structure PN de base à l’instant de la liaison ou de la jonction entre les deux régions Pet N.
a) Dès que la jonction PN est formée, les électrons libres de la région N à proximité de la jonction
commencent à se propager vers la région P où ils se combinent avec les trous à proximité de la jonction.
b) Lorsque la jonction PN est créée, la région N perd des électrons libres. Ceci engendre une couche de
charges positives près de la jonction. Aussi, la région P perd des trous puisqu’ils se comblent avec des
électrons. Ainsi, une couche de charges négatives se créée près de la jonction.
c) Lorsque les charges positives se trouvent à proximité des charges négatives, il existe un champ électrique
agissant comme une barrière (barrière de potentiel) empêchant les électrons de la région N de passer vers
la région P.

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Il faut une énergie externe aux électrons pour qu’ils puissent traverser le champ électrique au niveau de la
jonction.
Remarque :
La différence de potentiel du champ électrique dans la jonction PN est la quantité d’énergie requise pour
réussir à déplacer les électrons à travers le champ électrique. Cette différence de potentiel est appelée barrière
de potentiel et est exprimée en volts cette barrière est de 0.7 V pour le silicium et de 0.3 V pour le
germanium.

II.3 Diode ou Jonction P-N

La jonction P-N a été exploitée pour créer le composant de base de l’électronique qui est la diode.

- Le mot diode est la simplification de « deux électrodes » (di_ode).

- Une résistance est un composant linéaire, la tension est proportionnelle au courant. En revanche, la
diode est un composant non linéaire, elle fonctionne avec des conditions. Elle conduit le courant dans
un sens et se bloque dans l’autre sens.
II.3.1 Constitution
Une diode est un dipôle (02 pôles) constitué par la jonction d’une zone P et d’une zone N crées dans un
cristal de semi-conducteur, d’où son appellation jonction P-N.
II.3.2 Symbole d’une diode
Une diode est symbolisée dans les schémas électriques par le symbole représenté à la figure I.1a représentant
la jonction PN par le triangle et la barre représente la barrière du potentiel créé par les deux régions P et N
donnée à la figure I.1b.
Jonction
nci i K A i K
Jo P N
nct
ion (a) UAK (b) UAK
PN A : anode : coté P K : cathode : coté N

Figure I.5 : Symbole d’une diode.

II.3.3 Caractéristique de la diode simple

Nous savons que la polarisation directe produit le courant à travers la jonction PN et que la polarisation
inverse empêche le courant de traverser à l’exception d’un faible courant inverse (de saturation et superficiel)
négligeable.
Dans cette section, nous examinerons la relation entre courant et tension, dans les deux cas : en directe et en
inverse.
II.3.3.1 Polarisation directe ou bien en direct
Nous allons donner le circuit élémentaire pour polariser une diode en direct :

RP
I A
+ +
Vs UAK
u-u u-u
K
Figure I.6 : polarisation directe d’une diode.

Dans ce cas le pôle positif de la source est relié à travers une résistance de protection RP au côté P (ou anode)
de la diode et le pôle négatif de la source au côté N (ou cathode) de la diode.

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Ainsi, la diode conduit à partir de la tension de seuil (ou barrière de potentiel notée U0) sa caractéristique
courant en fonction de la tension I=f(UAK) est donnée par la figure II.3.

I(A)
A I K

UAK

0.5V
Useuil=U0 UAK(V)
Figure I.7 : Caractéristique courant en fonction de la tension I=f(UAK) d’une diode polarisée en direct.

• Interprétation : sur ce graphe, on distingue trois (03) zones :

1. Pour UAK < 0.5V, le courant I est nul, la diode est bloquée.
2. Pour 0.5V < UAK <Useuil (0.7V), la diode commence à conduire. Cette partie de la courbe est appelée
zone du coude.
3. Pour Useuil≤UAK (UAK≥ U0) la diode est débloquée (passante), la caractéristique est linéaire (est une
droite) et a pour équation :
U AK = U 0 + rD  I (I.1)
Avec : UAK et U0 en Volt ; rD en Ohms ; I en Ampère.
Remarque :
- U0 = Useuil : est la tension de seuil ou barrière du potentiel de la diode U0=0.7V pour le Silicium et
U0=0.3V pour le Germanium.
- rD : est la résistance dynamique, c’est le quotient calculé à partir de la partie linéaire du graphe en
U AK
utilisant deux (02) points appartenant à la droite comme suit : rD = (I.2)
I
a)Modèle équivalent d’une diode polarisée en direct
Au-delà de la zone du coude, une diode se comporte donc comme un récepteur actif linéaire de f.c.e.m
U AK
E ' = U 0 = U seuil et de résistance r ' = rD = .
I
Le modèle équivalent d’une diode passante est donné par la figure suivante :

A I K A I rD K

UAK U0 rD.I
UAK D
Figure I.8 : Modèle équivalent d’une diode passante.
b) Courant continu direct maximal
Si le courant dans la diode est trop important, la chaleur excessive peut la détruire. Pour cette raison, les
fiches techniques des constructeurs indiquent le courant maximal que peut supporter la diode sans la détruire.
Ce courant est noté Imax, IF(max) ou I0 selon les constructeurs.
Exemple : la diode 1N456 a un courant max de 135 mA c à d qu’elle peut supporter continuellement un
courant direct de 135 mA.
c)Dissipation de la puissance
Le calcul de puissance est la même que pour résistance. Elle est égale au produit du courant dans la diode par
la tension à ses bornes.
PD = U AK  I (I.3)
La gamme de puissance est la puissance maximale que la diode peut dissiper sans la détruire :
PD (max) = U AK (max)  I m ax (I.4)

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Exemple : si une diode a un courant max de 2A et une tension max Umax=1V, alors sa gamme de puissance
est de 2W.
II.3.3.2 Polarisation inverse
Dans ce cas, on utilise le circuit suivant :
RP
I K

Vs + UAK +
u-u u-
A
Figure I.9 : Circuit de polarisation inverse d’une diode.

Dans ce cas le pôle positif de la source est relié à travers une résistance Rp au côté N (cathode) de la diode
alors que le pôle négatif est relié au côté P (anode) de la diode.
Alors la diode ne conduit pas, jusqu'à une certaine valeur de la tension (qui est assez grande) celle-ci est
appelée tension de claquage. Ce phénomène est appelé claquage inverse, il est destructif.

Vinv-max I(A)
UAK(V)
Claquage Courant
inverse
Destructif
Figure I.10 : Caractéristique inverse d’une diode.

On peut regrouper les deux caractéristiques, directe et inverse, sur un même graphe et donc la caractéristique
complète d’une diode dans le cas du modèle réel est donnée par la figure suivante :

I(A)

Vinv-max

0.5V Useuil=U0 UAK(V)

Claquage Courant
inverse
Figure I.11 : Caractéristique complète d’une diode (modèle réel).
II.3.4 Modèle électrique équivalent d’une diode
II.3.4.1Modèle parfait ou modèle idéal (Diode idéale) – 1ère approximation
Une diode idéale posséderait les caractéristiques suivantes :
- En polarisation directe, la tension à ses bornes est nulle, elle est équivalente à un interrupteur fermé.
- En polarisation inverse, elle n’est parcourue par aucun courant, elle est équivalente à un interrupteur
ouvert.
I(A)

UAK(V)
0
Figure I.12 : Caractéristique complète d’une diode (modèle parfait).

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II.3.4.2Modèle pratique de la diode – 2ème approximation

Le modèle pratique est le plus souvent utilisé dans les dépannages. Il est semblable au modèle idéal, mais
tient compte de la barrière de potentiel (tension de seuil).
Lorsque la diode est sous polarisation directe, elle agit comme un interrupteur fermé en série avec une faible
tension égale à la tension de seuil U0 (0.7V pour le silicium).
Sa caractéristique est la suivante :

A I K A K
I

UAK U0
UAK
Figure I.13 : Modèle pratique d’une diode.

I(A)

0 0.7V UAK(V)

Figure I.14 : Caractéristique complète d’une diode (modèle pratique).

II.3.4.3 Modèle complexe de la diode – 3ème approximation

Dans ce cas, la résistance série (dynamique) est incluse. Après la mise en conduction, la tension croit
linéairement en fonction du courant. Plus le courant croit plus la tension est importante sous l’effet de la
résistance série. Le schéma équivalent comprend un interrupteur en série avec la tension de seuil (0.7V) et
une résistance série.

A I K A rD K
I

UAK U0 rD.I
UAK D
Figure I.15 : Modèle complexe d’une diode.

Sa caractéristique en modèle complexe est la suivante :

I(A)

0 0.7V UAK(V)

Figure I.16 : Caractéristique complète d’une diode (modèle complexe).

Dans ce cas, on néglige seulement le coude de la caractéristique réelle.

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II.4 Diodes à usage particulier

Nous avons vu dans les sections précédentes la diode simple qui est largement utilisée dans des applications
de redressement. Il faut noter qu’il existe d’autres types de diodes qui ont des usages très variés. On peut
citer :
- Diode Zener : Régulation et limitation de la tension ;
- LED : Témoin et Eclairage ;
- Diode Transil : Protection des équipements ;
- Diode Varactor (diode à capacité variable) : Systèmes de télécommunication ;
- Diode LASER : Faisceau Laser ;
- Photodiode : Détection de la lumière ;
- Cellule photovoltaïque : Génération d’un courant électrique ;
- Etc.
Nous nous intéresserons dans ce qui suit à deux diodes à usage particulier la diode Zener et la LED.
II.4.1 Diode Zener
C’est une diode particulière. Nous savons que le claquage inverse est souvent destructif, mais ce n’est pas
toujours le cas. Justement une diode Zener est une diode spécialement conçue pour exploiter le claquage
inverse. Le claquage ou la tension Zener est relativement faible, du volt à quelque dizaines de volts.

A IZ K A IZ K

UKA UKA

Figure I.17 : Symboles d’une diode Zener.

NB : Pour le fonctionnement en inverse on définit UKA = – UAK et IZ = -I

La caractéristique d’une diode Zener est donnée par la figure suivante :

I(A)

Uz

UKA(V) Iz-min0.5V Useuil=U0 UAK(V)

Courant
inverse

Claquage
Iz-max

Iz

Figure I.18 : Caractéristique d’une diode Zener.

• Interprétation :
- Polarisée en direct : une diode Zener est équivalente à une diode normale.
- Polarisée en inverse : la diode Zener conduit lorsque (en module) la tension inverse est supérieure à la
tension Zéner Uz. Sa caractéristique est alors, d’équation :
U KA = U Z + rZ I Z = −U AK (I.5)
Avec : UAK : en volt ; Uz : tension Zener en volt ; rZ : résistance dynamique inverse, Iz=-I : courant inverse

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• Modèle équivalent d’une diode Zener polarisée en inverse

Lorsque la diode Zener conduit, elle est équivalente au modèle suivant :

A IZ K A rZ K
IZ

UKA [Link] UZ
UKA
Figure I.19 : Modèle équivalent d’une diode Zener passante en inverse.
Remarque :
- La valeur de rZ est généralement indiquée par les constructeurs (sur les fiches techniques). Sa valeur
est relativement faible (quelques ohms).
- Si rZ est négligée, la tension aux bornes de la diode est constante, quel que soit le courant qui la
traverse. La diode Zener est alors considérée idéale.
- La diode Zener est généralement utilisée pour l’écrêtage (limitation) ou la stabilisation (régulation) de
la tension dans un circuit.
II.4.2 LED
La diode électroluminescente (DEL) ou LED de l’anglais Light-Emitting Diode, lorsqu’elle est polarisée en
direct (passante), libère de l’énergie sous forme de lumière.
• Principe : Lorsque la diode est sous polarisation directe, les électrons du matériau de type N traversent la
jonction PN et se recombinent avec les trous du matériau de type P. Lorsque les électrons se recombinent,
ils libèrent de l’énergie sous forme de lumière. Ce phénomène est appelé Electroluminescence.
Les LED se comportent électriquement comme des diodes simples mais avec des tensions de seuil de 1.5 à
2.5 V. Elles ne supportent que de faibles tensions inverses (3 à 5 V). Elles s’illuminent quand le courant
circule en sens direct. Typiquement, un courant de 5 mA à 20 mA donne une brillance suffisante.
La LED est un semi-conducteur à sels de galium ;
La fréquence, donc la couleur de la lumière émise, dépend de la nature du matériau. Dans le spectre du :
- Visible : La LED rouge (arséniure de gallium GaAs), pour le vert et le jaune (phosphore de galium
GaP).
- Invisible : Les infrarouges (Silicium et Germanium).
• Symbole :

A K

A(Anode) K (Cathode)

(a) (b)
Figure I.20 : LED ; (a) Représentation schématique et (b) symbole.

• Fonctionnement :
Lumière émise (mW)

10
LED 8
RP
I 6
+ 4
2
u-u I(mA)
20 40 60 80
(a) (b)
Figure I.21 : Polarisation directe d’une LED ; (a) Branchement et (b) Puissance de la lumière émise en fonction du courant direct.

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II.5 Applications des diodes

Les diodes sont utilisées dans de nombreuses applications, on peut citer :
- Redressement.
- Ecrêtage (limitation).
- Stabilisation (régulation).
- Protection
- Eclairage.
- Etc.
II.5.1 Circuits limiteur à diodes
II.5.1.1 Circuit limiteur à diode simple
La figure II.1.a montre un circuit qui limite ou bien coupe la partie positive d’un signal d’entrée. Alors que le
circuit de la figure II.1.b limite la partie négative de la tension d’entrée.
A
Ven Vsor
Rp
+U π
0 θ Ven VAK RC Vsor 0 θ
π 2π 0 2π

(a)
Ven Vsor
Rp

θ Ven VAK RC Vsor 0 π θ

0
π 2π –U0 2π

(b)

Figure II.1 :Circuit limiteur à diode simple ; (a) limiteur de l’alternance positive et (b) limiteur de l’alternance négative.

• Dans les deux cas :

Lorsque la diode conduit : Vsor = U 0 = 0.7V .
 RC 
Lorsque la diode est bloquée : Vsor = Ven   .
 RC + RP 
• Ajustement du niveau limiteur :
Pour ajuster le niveau auquel on limite la tension, on ajoute une tension de polarisation Vpolen série avec la
diode comme le montre la figure II.2.
A
Ven Vsor
Rp Niveau limiteur
variable

θ Ven Vsor π θ
0 + 0
π 2π Vpol 2π
(variable) _

Figure II.2 : Limiteur positif à tension de polarisation variable.

Le potentiel au point A doit être égal à Vpol+0.7V avant que la diode ne devienne conductrice. Une fois que la
diode conduit, la tension au point A par rapport à la masse est limité à Vpol+0.7V. par conséquent, toute
tension supérieure à ce niveau est coupée. En variant Vpol on peut changer le niveau du limiteur.

II.5.1.2Circuit limiteur à diode Zener

- Voir série de TD N°03.

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II.5.2 Redresseur monophasé à diodes

Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle (alternative) en une tension
unidirectionnelle (continue pulsative) appelé tension redressée.

Tension alternative (AC) Tension continue (CC)

Entrée Redresseur à Sortie
diodes (Unidirectionnelle)
(Bidirectionnelle)
Ven Vsor
+ + + + + +
_ _

Figure I.22 : Fonctionnement d’un redresseur.

On distingue 3 types de redresseurs monophasés :

- Redresseur mono-alternance ou simple-alternance à une diode.
- Redresseur double alternance :
a) A point milieu à deux diodes.
b) En pont (pont de Graetz) à 4 diodes.
Remarque :
Pour bien comprendre le fonctionnement des différents types de redresseurs, nous ferons le résonnement dans
le cas de diode idéale et nous pourrons aisément déduire le fonctionnement dans le cas du modèle pratique.
II.5.2.1 Redressement mono-alternance (simple alternance)
Dans ce cas une diode est branchée entre une source AC (courant alternatif) qui procure la tension d’entrée
Ven et une résistance de charge Rch formant un redresseur simple alternance (voir figure I.23).
VD
I
D

Ven Rch Vsor

Figure I.23 : Structure d’un redresseur monophasé simple alternance.

• Fonctionnement :
1èreDemie-période: Alternance positive de Ven :
Ven>0 ⇒D est polarisée en direct (passante).
Donc I> 0, Vsor= Ven et VD= 0(idéale).
VD
Ven Vsor

I
0 θ Ven Vsor 0 θ
π 2π π 2π
-

Figure I.24 : Redresseur monophasé simple alternance – diode passante.

2èmeDemie-période: alternance négative de Ven:

Ven < 0 ⇒ D est polarisée en inverse (bloquée).
Donc I = 0, Vsor= 0 et VD= Ven

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VD
Ven Vsor
I=0A

0 θ Ven Vsor 0 θ
π 2π π 2π

Figure I.25 : Redresseur monophasé simple alternance – diode bloquée.

Remarque :
Durant l’alternance négative, la tension aux bornes de la diode ne doit pas dépasser sa tension de claquage
Vinv(max), donnée par le constructeur sur la fiche technique.

En regroupant les deux demies-périodes, et puisque la polarité ne change pas pour Vsor, on obtint une
tension continue (CC) pulsative de même fréquence que Ven.
Vsor

0 θ
π 2π 3π 4π

Figure I.26 : Tension de sortie d’un redresseur monophasé simple alternance.

• Période du signal de sortie (Tsor)

La période du signal de sortie est égale à la période du signal d’entrée :
Tsor = Ten  f sor = f en (I.6)

• Valeur maximale de la tension de sortie simple alternance (Vsor(crête) ou Vsor(max)) ; (Vsor(crête) = Vsor(max))
La valeur maximale ou crête de la tension de sortie est égale à celle de l’entrée pour une diode idéale :
Vsor (crête) = Ven (crête) (I.7)
Si on tient compte de U0 de la diode (modèle pratique) :
Vsor (crête) = Ven (crête) − U 0 (I.8)
• Valeur moyenne de la tension de sortie simple alternance (Vsor(moy))
La valeur moyenne d’une tension de sortie d’un redresseur est celle qu’on mesure avec un voltmètre en
position DC. Mathématiquement, elle est déterminée par l’air sous la courbe pour une période complète et
ensuite divisé par cette période.
T
1
Vsor (moy ) =  Vsor (t )dt (I.9)
T0
Pour un signal d’entrée en sinus, avec la variable θ (θ=ω.t=2.π.f.t), on a :
 2
1  
Vsor (moy ) =   sor (max)
V sin( ) d  +  0 d 
2  0  
Vsor (max)
Vsor (moy ) =  − cos( )0 + 0
2 (I.10)
Vsor (max) V
 − (cos( ) − cos(0))0 = sor (max)  − (−1 − 1)0
 
Vsor (moy ) =
2 2
2 Vsor (max)
Vsor (moy ) =
2

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Vsor (max)
Dans ce cas Vsor ( moy ) = pour un redresseur simple alternance.


Réflexion1 : refaire le calcul de Vsor(moy) lorsqu’on inverse le sens de la diode D

Réflexion2 : refaire le calcul de Vsor(moy) pour un signal d’entrée en cosinus.

Remarque importante: Il faut noter que ce calcul est théorique et se base sur le modèle idéal de la diode.
Si on considère le modèle pratique de la diode, Vsor serait nulle lorsque Ven∈ [0, 0.7V]. Dans notre étude nous
adopterons la simplification suivante :

Vsor (max) ( Model pratique)

Vsor ( moy ) ( Model pratique) = (I.11)


• Valeur de la tension inverse maximale (Vinv(max))

La valeur de la tension inverse maximale appliquée sur la diode est égale à celle de l’entrée, pour les deux
modèles de diodes (idéal et pratique) :
Vinv (max) = Ven (max) (I.11)

• Redresseur simple alternance à tension d’entrée couplée par Transformateur

Dans la réalité, on utilise souvent un transformateur abaisseur pour coupler la tension AC d’entrée de la
source vers le redresseur (voir figure I.12).
VD
F (fusible) Npri Nsec

- D

Ven Vpri Vsec Rcharge Vsor

+

Transformateur 0V, masse,GND

Figure I.27 : Redresseur simple alternance couplé par transformateur.

La valeur de la tension secondaire Vsec d’un transformateur est égale au rapport de transformation (Nsec/Npri)
N 
multiplié par la tension primaire, tel que : Vsec =  sec  V pri (I.12)
N
 pri 

Nsec et Npri respectivement le nombre de spires au secondaire et au primaire.

II.5.2.2 Redressement double alternance

Bien que le redresseur simple alternance a son utilité dans certaines applications, le redresseur double
alternance est le plus couramment utilisé dans les blocs d’alimentation.
Après avoir donné le fonctionnement d’un redresseur double alternance, nous étudierons deux types de
redresseurs double alternance : a) à prise médiane (à point milieu) et b) en pont (pont de Graetz).

Ven Vsor
1 3 Redresseur 1 2 3 4
2 4 double alternance

Figure I.28 : Redresseur double alternance.

13/18 chapitre 2 : Diode et ses applications

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Enseignant : [Link] Unité : Electronique Fondamentale 1

La différence entre le redresseur simple et le redresseur double alternance s’explique par le fait que le
redresseur double alternance fournit un courant unidirectionnel à la charge pendant la durée complète d’une
période de 360° (2π rad). Tandis que le redresseur simple alternance ne fait passer le courant que pendant la
moitié de la période ie c.à.d. 180° (π rad). Le résultat de double alternance est une tension de sortie CC d’une
fréquence double de celle de l’entrée.
a) Redresseur double alternance à prise médiane ou à point milieu
Le circuit redresseur double alternance à point milieu utilise deux diodes branchées au secondaire d’un
transformateur à point milieu. La moitié de la tension secondaire apparait entre le point milieu et chaque côté
du bobinage secondaire.
F VD1
A

D1
Vsec/2 Vsec/2
M
Ven 0
Rch Vsor π 2π 3π
Vsec/2 VD2
0V 0V
B
D2
Figure I.29 : Redresseur double alternance à point milieu – 1ère représentation.

Ce schéma peut aussi être représenté d’une autre façon :

F VD1
A

D1
V21=V2/2 Vsor
M I
V1 V1 V2 0
Rch π 2π 3π
V22=-V2/2
VD2

B
D2
Figure I.30 : Redresseur double alternance à point milieu – 2ème représentation.

Le secondaire du transfo possède trois branches, les 2 extrémités A et B et le point milieu M.

Soit V2 la tension totale entre A et B :
- La tension entre M et A vaut V21 = V2 .
2
- La tension entre M et B vaut V22 = − V2 .
2
Les deux tensions obtenues V21 et V22 sont en opposition de phase, quand l’une est positive l’autre est
négative.

• Fonctionnement :
1ère Demi-période : alternance positive de V2 (secondaire)
- V21 est positive, D1 conduit.
- V22 est négative, D2 bloquée.

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VD1
A

D1
V21 Vsor
M I
V2
Rch
V22

B D2
Figure I.31 : Redresseur à point milieu– alternance positive de V2.

En utilisant le modèle idéal des diodes (U0 = 0V), la tension aux bornes de la charge est :
V2
Vsor = (I.13)
2
Si on considère le modèle pratique des diodes, on a :
V2
Vsor = V21 − U 0 = − U0 (I.14)
2
• 2ème Demi-période : alternance négative de V2
- V21 est négative, D1 bloquée.
- V22 est positive, D2 conduit.
A
D1
V21 Vsor
M I
V2
Rch
V22
U0

B
D2
Figure I.32 : Redresseur à point milieu – alternance négative de V2.

Pour une diode idéale (U0 = 0V), la tension aux bornes de la charge est :
V2
Vsor = − (I.15)
2
Pour une diode pratique, on a :
 V 
Vsor = V22 − U 0 =  − 2  − U 0 (I.16)
 2
V2
Pendant cette alternance négative de V2 la tension aux bornes de R reste positive : Vsor = .
2
En regroupant les deux demi-périodes, la tension redressée double alternance aux bornes de R (modèle
idéal) est donnée par la figure suivante :

Vsor
V2max
2

0 θ
π 2π 3π
Figure I.33 : Tension de sortie d’un redresseur double alternance à point milieu.

• Période du signal de sortie (Tsor)

La période du signal de sortie est égale à la moitié de la période du signal d’entrée :

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Ten
Tsor =  f sor = 2  f en (I.17)
2
• Valeur maximale de la tension de sortie (Vsor(max))
V2 (crête)
Diode idéale : Vsor ( crête ) = .
2
V (crête)
Diode pratique : Vsor ( crête ) = 2 − U0 .
2
• Valeur moyenne de la tension de sortie double alternance (Vsor(moy))
La valeur moyenne de la tension de sortie d’un redressement double alternance est donnée par :
T
1
Vsor (moy ) =  Vsor (t )dt (I.18)
T0
Pour un signal d’entrée en sinus, avec la variable θ, on a :

1
Vsor (moy ) =
 V
0
sor (max) sin( ) d

Vsor (max)
 − cos( )0

Vsor (moy ) =
 (I.19)
Vsor (max) Vsor (max)
 − (cos( ) − cos(0))0  − (−1 − 1)0
 
Vsor (moy ) = =
 2
2Vsor (max)
Vsor (moy ) =


2Vsor (max)
Dans ce cas Vsor ( moy ) = pour un redresseur double alternance.

• Tension inverse maximale Vinv(max)
A chaque alternance, la diode qui ne conduit pas est soumise à la tension inverse V2, donc à toute la tension
du secondaire (tension inverse max).
Diode idéale : Vinv (max) = V2 (max) = 2Vsor (max) .
Diode pratique : Vinv (max) = V2 (max) − 0.7V = 2Vsor (max) + 0.7V .
b) Redresseur en pont de Graetz
Le redresseur en pont de Graetz nécessite 4 diodes.

D3 D1
Ven
Vsor
– +
0 Ven V1 V2
π 2π 3π Rch Vsor 0
0V π 2π 3π
0V
D4 D2

Figure I.34 : Redresseur double alternance en pont de Graetz – 1ère représentation.

Ce schéma peut être mis sous la forme suivante :

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+

D1 D2
Vsor

Rch Vsor 0
Ven π 2π 3π

0 V2 D3 D4
π 2π 3π
– 0V

Figure I.35 : Redresseur double alternance en pont de Graetz – 2ème représentation.

Du côté continu, le pôle positif + est formé par 2 cathodes ou bien cathodes communes et le pôle négatif –
c’est 2 anodes communes ou 2 anodes réunies. Vers l’alternatif, on a dans les deux cas union anode- cathode.

• Fonctionnement
1èreDemie-période : alternance positive de V2
D1 et D4 conduisent, D2 et D3 restent bloquées.

D1 D2
Vsor

Rch Vsor 0
Ven π 2π

0 V2 D3 D4
π 2π
– 0V

Figure I.36 : Redresseur double alternance en pont de Graetz – 2ème représentation.

La tension Vsor aux bornes de Rch est de :

Modèle idéal : Vsor = V2 .
Modèle pratique : Vsor = V2 − 2U 0 .

2èmeDemi-période : alternance négative de V2

D1 et D4 sont bloquées, D2 et D3 conduisent.
+

D1 D2
Vsor

Rch Vsor 0
Ven π 2π

0 V2 D3 D4
π 2π
– 0V

Figure I.37 : Redresseur double alternance en pont de Graetz – 2ème représentation.

La tension Vsor aux bornes de Rch est de :

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Modèle idéal : Vsor = −V2 = V2 .

Modèle pratique : Vsor = −V2 − 2U 0 = V2 − 2U 0 .

Le résultat obtenu pour les 2 alternances est un redressement double alternance avec un tension de sortie
toujours positive, tel que :
Modèle idéal : Vsor = V2 .
Modèle pratique : Vsor = V2 − 2U 0 .

Vsor
V2max

0 θ
π 2π 3π

Figure I.37 : Tension de sortie d’un redresseur en pont de Graetz.

• Période du signal de sortie (Tsor)

La période du signal de sortie Tsor est égale à la moitié de la période du signal d’entrée Ten:
Ten
Tsor =  f sor = 2  f en (I.20)
2

• Valeur maximale de la tension de sortie (Vsor(crête))

Diode idéale : Vsor ( crête ) = V2 (crête) .

Diode pratique : Vsor ( crête ) = V2 (crête) − 2U 0 .

• Valeur moyenne de la tension de sortie double alternance (Vsor (moy))

La valeur moyenne de la tension de sortie d’un redressement double alternance est donnée par :
2Vsor (max)
Vsor ( moy ) = (I.21)


• Tension inverse maximale Vinv(max)

La tension inverse maximale appliquée sur chaque diode lorsqu’elle est bloquée est :

Diode idéale : Vinv (max) = V2 (max) = Vsor (max) .

Diode pratique : Vinv (max) = V2 (max) − U 0 = Vsor (max) + U 0 .

NB : Le schéma en pont peut être aussi représenté sous formes de deux (02) bras.

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