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4 MNT
DEVOIR SURVEILLE
Circuits et Fonctions Intégrés pour la
Micro et la Nano-Electronique
le mercredi 11 mai 2011
Durée : 2 heures
La qualité, la clarté de la présentation ainsi que l’orthographe seront pris en
considération dans la notation. Le barème est donné à titre indicatif. Les exercices
sont indépendants. Ce devoir contient 2 parties qui sont à rédiger sur des copies de
couleur différente. Les documents sont autorisés pour le partie B exclusivement.
PARTIE A
(12 points)
Documents non autorisés
QUESTION DE COURS (2 points)
Rappeler le principe de fonctionnement des amplificateurs à transistors bipolaires de classe
A, B et C. On s’attachera notamment à décrire les différentes positions du point de repos P
dans les plans (iB,VBE) et (iC,VCE). Pour ce faire, on représentera les caractéristiques iB=f(VBE)
et iC=g(VCE) du transistor bipolaire ainsi que la droite de charge statique dans le plan
(iC,VCE). Pour chaque classe, on indiquera l’état du transistor. Discuter brièvement des
principaux avantages et inconvénients rencontrés selon les différentes classes.
On note : iB le courant de base, iC le courant collecteur, VCE le tension collecteur-émetteur et
VBE la tension base-émetteur.
EXERCICE I (5 points)
Un signal modulé en amplitude avec porteuse s(t) est représenté sur la figure 1. Le signal
porteur oscille à fp = 100 kHz.
s(t)
2,5
0,5 t
Figure 1
1) Déterminer la fréquence fm du signal modulant.
2
2) Déterminer l’amplitude Ap de l’onde porteuse, Am de l’onde modulante ainsi que le taux de
modulation m.
3) Représenter qualitativement le spectre S(f) du signal modulé. Quelle est la bande de
fréquence occupée ?
4) Calculer la puissance contenue dans la porteuse (on suppose que la puissance est
mesurée aux bornes d’une antenne résistive de 50 Ω) et la puissance contenue hors de la
porteuse (bandes latérales). !
On rappelle que la puissance totale nécessaire à l’émission d’un signal modulé en amplitude
avec porteuse s’exprime suivant la relation :
A 2p " m2 %
PT = $1+ '
2R $# 2 '&
5) Pour récupérer le signal modulant, est-il préférable de réaliser une démodulation
cohérente ou non cohérente? Justifier votre réponse en quelques lignes.
!
On souhaite maintenant transmettre un signal modulant co-sinusoïdal u(t) composé de trois
fréquences : fm0=440 Hz d’amplitude Am0=1 V, fm1=560 Hz d’amplitude Am1=2 V et fm2=680
Hz d’amplitude Am2=1 V. Ce signal sera modulé autours d’une onde porteuse p(t) afin de
pouvoir être transmis via une antenne λ/4 (λ étant la longueur d’onde) de longueur d=30 cm.
1) Ecrire l’équation mathématique temporelle du signal modulant u(t).
2) Représenter qualitativement le spectre U(f) du signal modulant
3) Calculer la fréquence porteuse adaptée à l’antenne λ/4. On prendra c = 3 × 108 m/s pour
la célérité de la lumière dans le vide.
4) Sachant que l’onde porteuse est de la forme p(t) = A p cos(2"fp t) , écrire l’équation
!
mathématique temporelle du signal modulé s(t). On notera m le taux de modulation.
5) Représenter le spectre S(f) du signal modulé s(t). On prendra Ap=3V
EXERCICE II (5 points) !
On désire transmettre un signal basse fréquence noté sm(t) par un système de modulation.
! sinusoïdal : s (t) = V cos(2"f t) . Le générateur qui délivre s (t) est
Ce signal est du type m m m m
inséré dans le schéma correspondant à la Figure 2.
Figure 2
Dans un premier temps, l’interrupteur K est commandé par le signal s1(t), signal carré (cf.
figure 3(a)) de fréquence f0 > fm (si s1(t) = 1, K est ouvert, si s1(t) = 0, K est fermé). Le filtre
3
utilisé est un filtre passe-bande centré sur f0 dont l’impédance d’entrée est supposée infinie.
1) Représenter le signal sm(t) et v 1(t). Montrer que l’interrupteur commandé par s 1(t)
correspond à un multiplieur. De quel type de modulation s’agit-il ?
2) Donner l’expression de v1(t). Représenter le spectre en amplitude correspondant. Quelle
précision peut-on apporter quant au type de modulation ?
3) Quelle condition doit-on avoir entre fm et f0 pour qu’il n’y ait pas de recouvrement de
spectre ? Quelle doit être la bande passante du filtre ?
4) Selon vous, quelle est la forme du signal vs(t) ?
5) On modifie maintenant le schéma pour commander sm(t) par le signal s2(t) (cf. figure 3(b)).
On considère que le signal sm(t) est multiplié par s2(t). Donner l’expression de v1(t). Selon
vous quelle est la forme du signal vs(t) ? Quelle condition doit-on avoir entre fm et f0 pour qu’il
n’y ait pas de recouvrement de spectre ? Quel est l’avantage de cette modulation par rapport
à la précédente ?
Figure 3
Rappels :
a) Un signal carré s1(t) de période T0 comme représenté sur la figure 3(a) a pour décomposition
en série de Fourier :
1 2 2
s(t) = + cos(2"f0 t) # cos(6"f0 t) + ...
2 " 3"
b) Un signal carré s2(t) de période T0 comme représenté sur la figure 3(b) a pour décomposition
en série de Fourier :
4 4
! s(t) = cos(2"f0 t) # cos(6"f0 t) + ...
" 3"
c) Quelques relations trigonométriques :
cos(a + b) = cos(a)cos(b) " sin(a)sin(b)
! cos(a " b) = cos(a)cos(b) + sin(a)sin(b)
sin(a + b) = sin(a)cos(b) + cos(a)sin(b)
sin(a " b) = sin(a)cos(b) " cos(a)sin(b)
!
4
PARTIE B
(8 points)
Documents autorisés
1) Quelle serait la résistance carrée d'une résistance en aluminium de 1,5 µm d'épaisseur?
2) Quelle épaisseur faut-il avoir pour adresser la gamme de valeur suivante : 0,2Ω à 200Ω
3) A quoi sert une étape de « screening » dans un procédé technologique de capacité ?
4) Afin de limiter la dispersion des capacités de faibles valeurs, faut-il diminuer ou augmenter
la densité de capacité ? Pourquoi ?
5) Qu'est-ce qui permet de vérifier le couplage électromagnétique entre composants?
6) Combien de niveaux de masquage sont nécessaires pour la technologie RLC06A (coupe
schématique représentée sur la figure 4)?
7) Quelles sont les 3 longueurs d'ondes dites « télécom » et les fréquences associées ?
8) Qu'est-ce qu'un substrat SOI ? Donner la définition et expliquer pourquoi cela permet de
faire des guides d'onde optique.
9) Parmi ces 3 matériaux (plan de boîtes quantiques germanium, multi-puits quantiques
SiGe et germanium pur), lequel semble le plus adapté à la photodétection à 1,3 µm et
pourquoi ?
10) Combien de niveau de masques sont nécessaires pour réaliser un MSM avec contacts
en surface avec un couplage en bout (depuis le niveau guide et jusqu'au niveau métal
inclus). Les décrire en quelques mots.
11) Quel est l'effet physique qui semble le plus adapté à la photomodulation à 1,3 µm et quel
type de porteur est le plus efficace et pourquoi ?
12) Quelle structure interférométrique pour la photomodulation est la moins sensible à la
température? (Mach Zehnder, résonateur Fabry Perot ou résonateur en anneau).
Figure 4
FIN DU SUJET
