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Ministère de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique

Université SAAD DAHLEB Blida 1


Faculté Sciences Techniques
Département d’Electronique

Travaux Pratique Electronique Générale


L3 GBM

TP 2 Transistor Bipolaire en Emetteur Commun


(Amplification)
Introduction :
Dans ce TP, on va s’intéresser au transistor bipolaire NPN monté en émetteur commun et fonctionnant
en mode d’amplification (classe A) Fig.1.a. Donc on va travailler dans la partie linéaire du transistor
qui est polarisé en statique à IB0 et IC0.

Dans ce cas, le courant IB oscille au milieu de la caractéristique IC=f(VCE), autour de IB0 (entre IB0
max et IB0 min) et par conséquent IC oscille autour de IC0 (entre IC0MAX et IC0MIN) avec IC =
β.IB Fig.1.b.

-a- -b-

Figure 1. a. Fonction d’amplification EC , b. Bonne amplification

Une mauvaise polarisation entraîne une distorsion (déformation) du signal de sortie. Et par la suite un
écrêtage dissymétrique et/ou symétrique du signal Fig.2.

Figure 2. Mauvaise Amplification


Travail demandé
1. Soit le montage suivant :

Figure 3. Montage Emetteur Commun

2. Etude en statique : polarisation du transistor bipolaire faite en TP1.

3. Etude en régime des petits signaux (en dynamique) :


a. Montage avec résistance d’émetteur découplée
 Réaliser le montage du circuit ci-dessus sur Proteus.
 Régler le G.B.F (Ve) à une fréquence de 1 KHz et à une amplitude de 20 mV crête à crête
(10mVpk).
 Visualiser à l’oscilloscope dans la chaine 1 le signal d’entrée (Ve(t)) et dans la chaine 2 le
signal de sortie (Vs).
 Mesurer la tension de sortie Vs crête à crête et notez-la .
 Mesurer le déphasage φ entre le signal d’entrée et de sortie et notez-le φ. Que conclure ?
 Donner le modèle équivalent du circuit en régime de variations.
 En déduire l’expression de l’amplification Av.
 En gardant la fréquence à 1 kHz, compléter le tableau ci-dessous. Les deux tensions d’entrée
et de sortie sont mesurées à l’oscilloscope en valeur crête à crête. Faire varier Ve à partir du
G.B.F par palier de 5 mV en restant toujours inférieur à 26 mV.

 Tracer la courbe de linéarité Vs=f(Ve).


 La linéarité est-elle réalisée ? Si oui donner votre conclusion, sinon dites pourquoi.
[Link] avec résistance d’émetteur non-découplée
 Que devient le montage dans ce cas.
 Réaliser le nouveau montage sur Proteus
 Régler le G.B.F (Ve) à une fréquence de 1 KHz et à une amplitude de 20 mV crête à crête
(10mVpk).
 Refaire la même analyse précédente.
 Que peut-on conclure sur la résistance RE.

Manipulation
 Réaliser, sur une plaque d’essai, le montage de la figure 3
 Prenons Ve=10mV(Vpp=crête à crête). faites varier la fréquence du GBF et mesurer la tension
de sortie Vs crête a crête puis calculer le gain en tension en (db) =20 * log (Vs/Ve)

F(Hz) 20 50 800 1K 5K 10K 50K 500K 1M


Vs(Vpp)
Av(db)

 Examinez les valeurs de gain (en dB) dans votre tableau pour chaque fréquence mesurée et
déterminer la fréquence optimale et la fréquence de coupure.

Remarque :

La fréquence optimale est celle où le gain est le plus élevé avant de commencer à diminuer.

La fréquence de coupure est le point où le gain commence à diminuer significativement.

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