13/02/2015

COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE I

SEMESTRE : 2
Filières : « IS-EREE-GI »

LES SEMI-CONDUCTEURS

L’apparition d’un courant est due au déplacement réel ou parfois

fictif de porteurs de charge électrique, positive ou négative.
On distingue, en général, deux types de conduction :
conduction électronique, si les porteurs de charge sont des
électrons,
conduction ionique, si les porteurs de charge sont des ions.
Un matériau qui ne peut fournir de porteurs de charge disponibles
pour la conduction est dit isolant.
Un métal est susceptible de fournir aisément des électrons
disponibles pour la conduction.

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Un matériau semi-conducteur est un matériau dont la conductibilité électrique peut

varier en fonction des conditions dans lesquelles il se trouve. Le niveau d’énergie
d’un électron d’un atome ne peut prendre qu’un certain nombre de valeurs
discrètes.

Ces plages sont appelées "bandes d’énergie". Suivant leur niveau d’énergie, les
électrons peuvent soit se trouver dans une bande de valence ou dans une bande
de conduction. Dans le premier cas, ils contribueront aux liaisons de l’atome,
dans l’autre, à la conductibilité du matériau. Entre ces bandes, il existe des
bandes dites "interdites", correspondant aux valeurs énergétiques que l’électron
ne peut prendre.

Lorsque l’on rapproche une grande quantité d’atomes pour former un

monocristal, par suite des interactions entre les atomes, ces niveaux
discrets s’élargissent et les électrons occupent des bandes d’énergie
permises séparées par des bandes interdites.

atome isolé association d'atomes

3p 3p
énergétiques

énergétiques

3s 3s
niveaux

bandes

2p 2p

2s 2s

bande de valence: bande des électrons qui assurent les liaisons

covalentes (pour Si: 3p)

bande de conduction: bande d’énergie immédiatement supérieure à la

bande de valence (pour Si: 4s)

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Pour les matériaux conducteurs, cette bande interdite

n’existe pas. Les électrons de liaisons contribuent
alors directement à la conductibilité.

Pour les matériaux isolants, cette bande est quasi

infranchissable tant l’énergie nécessaire est
importante.

Pour les semi-conducteurs, cette bande interdite est suffisamment petite pour
permettre un passage aisé des électrons de la bande de valence à la bande de
conduction.

I.4) Semi-conducteur intrinsèque (pur)

I.4.a) Structure d’un semi-conducteur intrinsèque
La plupart des matériaux semi-conducteurs sont
fabriqués à partir du germanium et du silicium, Ils
sont obtenus dans le groupe IV , (voir le tableau ).
Si le cristal est parfaitement pur (Ge ou Si), on dit
que le semi-conducteur est intrinsèque. Il se
comporte alors comme un isolant en l’absence
d’agitation thermique .
Dans un semi-conducteur pur, soumis à l’agitation
thermique, il apparaît par unité de volume n
électrons et p trous telque :

n = p= ni Liaison covalente
Les corps simples semi-conducteurs ont la
caractéristique principale d’être tétravalent.
Sur les traits
figurent les
électrons de valence

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Si une liaison de valence est brisée (agitation thermique, photon ...) l’électron
devient mobile : il laisse un excès de charge positive le « trou ».

Cette lacune va être comblée par un électron

voisin libéré par agitation thermique et qui va
à son tour laisser un trou : ceux-ci semblent se
déplacer dans le réseau,

E externe

Si on apporte une énergie thermique ou lumineuse suffisante à un électron, il peut

passer de la bande de valence à la bande de conduction avec une probabilité P
proportionnelle à :
P exp (– E / kT)
• E est l’écart en énergie séparant les deux bandes,
• T la température absolue,
• k = 1,38.10–23 JK-1 est la constante de Boltzmann.
Pour T = 300 K, kT = 0,0025 eV.

Si Si Si Si Si Si Si
T Si

augmente
Si P Si Si P Si
Si Si

A °0K
Diamant E = 7 eV ; Silicium E = 1,12 eV ; Germanium E = 0,7 eV.
Dans un semi-conducteur, E est assez faible.

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I.4.d) Formules relatives au semi-conducteur intrinsèque

Aux électrons (masse positive, charge négative) correspondent des trous

(masse négative, charge positive).

Le déplacement des trous étant un processus à deux étapes, leur mobilité

dans le réseau est plus faible que celle des électrons.

Les trous et les électrons constituent les porteurs libres intrinsèques dont le
nombre est fonction de la température.

La neutralité électrique du matériau impose que les trous et les électrons

soient en nombres identiques (ni et pi).

Pour le silicium pur à 300 K, on mesure : ni = pi = 1,[Link]–3. Ce

nombre est très faible si on le compare au nombre des atomes.
Toujours pour le silicium pur à 300 K, les mobilités sont :
n = 12.10 6 m²V–1s–1 et
= 5.10 6 m²V–1s–1
p
La conductivité intrinsèque du matériau = e (ni. n + pi. p) est
très faible.

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!
On introduit dans la matrice de silicium des atomes d’impuretés pentavalents tels que:
P, As et l’antimoine Sb (éléments de la colonne V du tableau périodique). Chaque
atome d’impureté amène un électron de valence supplémentaire.

Le semi-conducteur extrinsèque ainsi constitué

est dit de type N. L’impureté dans ce cas est
appelée donneur. La conduction dite de type N
(négative) est assurée par des électrons. Les
électrons sont les porteurs majoritaires.

"
Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsèque, en faible quantité, un
corps trivalent (ex: B, Al, Ga ou In). Un faible apport d’énergie ( 0,05 eV) suffit pour
qu’un électron d’un silicium voisin soit capté par l’impureté : il y a formation d’un trou
peu lié et donc mobile. Les atomes de cette impureté vont se substituer, de place en
place, à ceux du semi-conducteur. Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à
l’endroit de chaque atome accepteur.
À la température ambiante, cette lacune est comblée par un électron voisin sous l’effet
de l’agitation thermique, formant un trou positif dans le cristal, libre de se déplacer à
l’intérieur de celui-ci.
On trouve donc, à température
ambiante, pratiquement autant de
trous libres que d’atomes
accepteurs. Bien sûr, la neutralité
du cristal est conservée
globalement chaque atome
accepteur étant ionisé négativement
après capture d’un électron.
Le semi-conducteur extrinsèque
ainsi crée est dit de type P.

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isolant semi-conducteur

bande de conduction vide

I.5.c) Différence entre un isolant et SC
bande de valence
faiblement peuplée

bande de valence pleine bande de valence

faiblement dépeuplée
Semi-conducteurs dopés: transfert d'électrons impossible, transfert d'électrons possible, la
la différence d'énergie est trop grande différence d'énergie est petite

Si Si Si Si Si Si
bande de conduction de Si
Si Si Si Si Si Si e niveau énergétique
P+ du donneur phosphore
Type n Si Si P Si Si Si
bande de valence de Si
Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si
bande de conduction de Si
Si Si Si Si Si Si
Type p Al - niveau énergétique
Si Si Al Si Si Si de l'accepteur aluminium
e
bande de valence de Si
Si Si Si Si Si Si

Le tableau suivant présente les formules essentielles concernant le semi-

conducteur extrinsèque.

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I.6 Niveau de Fermi

On sait que les électrons occupent tous les niveaux d’énergie permis à partir du
plus bas. La valeur W F, représente la limite qui sépare les places libres et les
places occupées.
W F est appelée énergie ou niveau de Fermi (W F dépend de la température).
Tous les niveaux d’énergie tels que : W<W F sont occupés, et tels que W>W F sont
libres au zéro absolu. Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique des
atomes cède de l’énergie aux électrons, leur permettant d’accéder à des niveaux
d’énergie supérieure, libres dans le cas du conducteur.

I.6.a) Cas d’un semi-conducteur intrinsèque

Pour un semi-conducteur intrinsèque, le niveau de Fermi se trouve au milieu de la
bande interdite.

Avec : W = Wc − Wv qui représente la bande interdite (Gap).

Le nombre de paires électrons-trous créées à la température ambiante (300 K)
est relativement faible. La densité des électrons de conduction n, est égale à la
densité des trous p, soit :

n = p = ni et n.p = ni2 = AT 3 exp (− Eg/ kT )

Avec: Eg= Ec- Ev

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I.6.b) Dans un semi-conducteur extrinsèque

• Cas d’un matériau de type N
Une bande d’énergie très étroite et
légèrement en dessous de la bande de
conduction est créée. Au zéro absolu, tous
ces niveaux donneurs sont occupés par les
électrons en excès, mais à la température
ambiante, ces électrons passent dans la
bande de conduction.
On a toujours : n.p = ni2, la densité d’ électrons
n est voisine, à la température ambiante, de la
densité des atomes donneurs Nd, (Nd >> ni ).
Les électrons sont appelés porteurs majoritaires
et les trous sont des porteurs minoritaires. Dans
ce cas, la densité de trous devient :

• Cas d’un matériau de type N et type P

Il y a création, tout près de la bande de

valence de Na niveaux d’énergie libres
(Na : densité d’atomes accepteurs). Dès
que la température s’élève, ces niveaux
se comblent d’électrons sous l’effet de
l’agitation thermique, provoquant ainsi
la formation de Na trous dans la bande
de valence. Les trous sont les porteurs
majoritaires et les électrons sont les
minoritaires.

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II- jonction PN
II-1) Formation de la jonction PN
a) Conduction par trous et par électrons libres
type p type n

La diode: cathode anode

- laisse passer le courant dans un sens

domaine domaine
- bloque le courant dans l’autre sens n-dopé p-dopé

n p p n

jonction jonction
électrons et trous migrent vers la électrons et trous s’éloignent de la
jonction: le courant passe jonction: le courant ne passe pas

II.2) Polarisation de la diode

a) Polarisation direct

Création d’un courant directe

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b) Polarisation inverse

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