Problème sur les semiconducteurs
On se propose d'étudier la conductivité d'un semiconducteur non dégénéré Dopé N. Pour cela, on considère du silicium dopé au
phosphore. Ce dernier est de concentration .
Le phosphore étant un élément de la Vème colonne de la classification des éléments, il possède cinq électrons sur sa dernière
couche. En se substituant à un atome de silicium dans l'échantillon, un atome de phosphore engage quatre de ses électrons vont
dans quatre liaisons covalentes avec les quatre atomes de silicium voisins. Le cinquième électron sera très faiblement lié. Il occupe
un niveau d'énergie légèrement inférieur au bas de la bande de conduction appelé niveau donneur.
Il pourra alors être facilement arraché au phosphore par agitation thermique et devenir ainsi un électron libre. Cet électron
participera à la conduction électrique en laissant derrière lui un ion positif fixe de phosphore.
La conduction dans ce semiconducteur est due à deux contributions:
(1) les électrons dans la bande de conduction provenant de la bande de valence et les trous dans la bande
de valence laissés par le départ des électrons
(2) les électrons dans la bande de conduction provenant du niveau , c'est à dire des atomes de
phosphore.
Selon le domaine de température considéré, soit la contribution (1) soit la contribution (2) peut prédominer.
Le semiconducteur devant être électriquement neutre, sa neutralité se traduit par l'équation dite de neutralité:
où n et p sont les concentrations des électrons libres (dans la bande de conduction) et des trous libres
(dans la bande valence) données par:
Les densités effectives dans les bandes sont considérées ici constantes et égales ( ).
est le niveau de Fermi
est la concentration des atomes de phosphore ionisés (ayant perdu leur cinquième électron). Notons
la largeur de la bande interdite du silicium.
Partie I:
1. a) Quelle est la probabilité d'occupation du niveau par les électrons faiblement liés aux atomes de
phosphore, de concentration ?
b) En déduire les expressions de et .
c) Donner les concentrations n, p et à T = 0 K.
Le silicium est-il conducteur à cette température?
Partie II:
Notons la température à partir de laquelle l'ionisation de tous les atomes de phosphore est complète (ici ).
1. Que se passe-t-il entre 0 K et ?
2. A quoi est égal pour ?
Partie III:
Au dessus de la température , le silicium dopé présente deux comportements principaux suivant la température:
les températures telles que , étant une température critique (ici ) au dessus de laquelle le
semiconducteur redevient intrinsèque. Cela se traduit par et
les températures telles que où le semiconducteur est extrinsèque c'est à dire que les électrons sont les porteurs
majoritaires ( ).
A/ Etude du semiconducteur dans le domaine (cas intrinsèque):
1. Ecrire l'équation de neutralité. En déduire le niveau de Fermi et le calculer.
2. Déterminer la conductivité en fonction de la température.
B/ Etude du semiconducteur dans le domaine (cas extrinsèque):
1. Ecrire l'équation de neutralité. En déduire l'expression du niveau de Fermi en fonction de la
température.
2. Calculer la conductivité extrinsèque .
C/ Tracés de et de :
1. Tracer le niveau de Fermi pour dans les deux domaines de température. Prendre comme
référence des énergies le sommet de la bande valence . Préciser et sur le graphe.
2. Tracer la conductivité en fonction de l'inverse de la température pour dans les deux
domaines de température.
En extrapolant vers les basses températures, comparer et dans le domaine extrinsèque. Que
peut-on remarquer? Donner alors l'intérêt de doper les semiconducteurs.
Partie IV:
Examinons dans cette partie les modifications dues à l'introduction d'impuretés de deux types dans un échantillon de silicium. Le
dopage est assuré simultanément par des atomes donneurs de phosphore, de concentration , et par des atomes accepteurs de
bore, de concentration .
1. Ecrire l'équation de neutralité électrique à la température ambiante (T=300K).
2. Calculer les concentrations des électrons de conduction n et des trous de valence p ainsi que la position du
niveau de Fermi.
DONNÉES NUMÉRIQUES
Densités effectives:
Concentration des atomes de phosphore:
Concentration des atomes de bore:
Largeur de la bande interdite du silicium:
Mobilité des électrons libres:
Mobilité des trous libres:
Charge élémentaire:
Constante de Boltzmann:
