Leçon 01 : Les bases de l’électronique

Objectifs :
A la fin de ce cours, l’étudiant sera capable de :
o Distinguer les conducteurs des isolants et des semi-conducteurs
o Distinguer un semi-conducteur de type P et un semi-conducteur de type N
o Connaitre les caractéristiques des semi-conducteurs
o Connaitre les principes physiques mis en œuvre dans les semi-conducteurs pour
présenter les circuits de base
Introduction

En électronique, la majorité des dispositifs rencontrés qu’ils soient composants discrets ou

circuits intégrés sont fabriqués à base de semi-conducteurs. Ils sont à la base de tous les
composants électroniques (capteurs CCD, CMOS) et optoélectroniques qui entrent dans la
fabrication des dispositifs informatiques, de télécommunication, de la télévision, dans les
automobiles et les appareils électroménagers, etc. Pour comprendre leur fonctionnement, il est
nécessaire de connaitre quelques caractéristiques et les phénomènes de transport qui régissent
ces matériaux.

I- Généralités
1- Définition
La Commission de l'Electrotechnique Internationale (CEI) définit l'électronique comme : La
partie de la science et de la technique qui étudie les phénomènes de conduction dans le vide,
dans les gaz ou dans les semi-conducteurs et qui utilise les dispositifs basés sur ces
phénomènes. Par extension, l'électronique peut être définit comme étant l'ensemble des
techniques qui utilisent des signaux électriques pour capter, transmettre et exploiter une
information c’est à dire une grandeur électrique (courant ou tension) transportant un flux
d’énergie continue ou discret, codé ou non et susceptible d’être traité et interprété par un
circuit électronique spécial.

2- Représentation des grandeurs

Nombreux sont les systèmes qui utilisent des grandeurs en entrée, les traitent et délivrent en
sortie des commandes ou des informations pour le monde extérieur. Les grandeurs peuvent
être représentées de deux façons :

 Représentation analogique.
  Représentation numérique.

2.1- Représentation analogique

Les capteurs, dans leur grande majorité, transforment une grandeur physique (température,
pression...) en grandeur électrique. De même, le microphone transforme la pression
acoustique en grandeur électrique proportionnelle.

Ainsi une grandeur analogique peut prendre toutes les valeurs en variant graduellement entre
deux limites, par exemple une automobile peut avoir une vitesse variant entre 0 et 220km/h.
Les systèmes analogiques regroupent donc les montages utilisés pour le contrôle ou pour le
réglage de sorte que les composants utilisés fonctionnent de manière linéaire, sans
discontinuité. Ce sont ces systèmes qui sont étudiés en Electronique analogique et les
systèmes numériques sont traités en Electronique numérique. Cette séparation en deux
systèmes est faite pour les besoins du cours, dans la pratique, on trouve des circuits composés
de systèmes numériques et analogiques. Le cours d’électronique analogique nécessite la
maîtrise des lois suivantes : Loi d'Ohm, Lois de Kirchhoff, Théorème de superposition,
Théorème de Thévenin, Théorèmes de Norton.

2.2- Représentations numériques

La grandeur mise sous forme numérique n'est plus proportionnelle à la grandeur d'entrée. Elle
s'exprime par symboles ou codes (chiffres).

Par exemple, le tachymètre d'une automobile s'il est numérique, indique une valeur par pas de
1km/h : la progression est discontinue ; s'il est analogique (à aiguille) la progression est
continue. La représentation numérique est donc discontinue.
 Figure 1.1: Représentations et traitement du signal

3- Domaines d’application
Le champ d'application des dispositifs électroniques est vaste. On peut citer entre autres :

 Systèmes de détection : Radar, sonar, télédétection.

 Télécommunications : Télégraphie, téléphonie, Radiodiffusion, télévision,

Télémesure, télécommande.

 Electroacoustique : Enregistrement et reproduction des sons.

 Traitement de l'information : Ordinateurs, calculatrices.

 Industrie : Commandes et réglages automatiques installations de surveillance.

 Instruments de mesures : Equipements industriels, scientifiques.

 Biomédical : automate de biochimie, électrocardiographe, incubateur.

 Electroménager : téléviseur, machine à laver

II- Conductivité et classification des matériaux

1- Conductivité σ et résistivité électrique ρ

La conductivité électrique est une grandeur physique qui décrit la capacité d’une substance
solide ou liquide à laisser passer librement les charges électriques. C’est une propriété
électrique qui est due à la présence d’électrons libres de se déplacer dans un milieu et de
générer ainsi un courant électrique. L’unité SI de la conductivité est le Siemens par mètre
(S/m) ou Ohm−1. mètre−1 (Ω−1. m−1).

Remarque :
 La conductivité électrique peut aussi être exprimée en termes de densité de courant J

(A.m-2) et du champ électrique E (V/m). σ (A . m−1 . V −1 )= J

E

 La conductivité d’un matériau varie en fonction de la température ou de l’éclairement

ou encore de la concentration d’impuretés, etc.

 La résistivité est inversement proportionnelle à la conductivité : ρ(Ω. m)= 1

σ
Remarque : Dans le cas particulier d’un conducteur cylindrique à section constante S, la
résistance R ou la conductance G d’un tronçon du conducteur de longueur l peut être obtenue
par: et (¿ Ω
−1
G
¿¿ o¿u¿¿ S¿i ¿e ¿m ¿e¿ n¿s ¿)
¿
( ¿
R
Ω ¿ )
σ . S
ρ
¿

S
. l l

2- Conducteurs, isolants et semi-conducteurs

Par leurs propriétés électriques (résistance au courant, résistivité du matériau et conductivité

électrique), les matériaux solides peuvent être classés en trois groupes : les conducteurs, les
isolants et les semi-conducteurs. Ces propriétés électroniques sont fonction des populations
électroniques des différentes bandes permises : bandes de conduction et de valence.

Figure 1.2 : Représentation des bandes d’énergie des matériaux.

 La conductivité électrique résulte du déplacement des électrons libres ou excités à
l'intérieur des bandes permises. Le nombre d’électrons libres augment avec la
température.

 Le comportement en conduction électrique s’explique par l’écart entre la bande de

valence et la bande de conduction (bande interdite ou gap) c’est-à-dire via la théorie
des bandes . Plus la bande interdite est faible plus la conductivité augmente.

 Les conducteurs sont des matériaux de conductivité élevée car contiennent un grand
nombre d’électrons libres et présentent une résistivité très faible. (Exemple : Argent
(Ag) avec 106 S/cm)

 Les isolants sont les matériaux de conductivité faible car ils sont caractérisés par une
quasi absence d’électrons libres et donc présentent une très grande résistivité. C’est le
cas pour le carbone (diamant 10-14 S/cm), le mica, le verre et la silice (SiO2).
  Les semi-conducteurs sont des matériaux qui dont la conductivité est comprise entre
celle d’un conducteur et celle d’un isolant quand la température augmente. Cette
conductivité est due à un traitement spécifique (chauffage, ajout d’impuretés, etc). On
distingue :

 Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques :

 Silicium (Si) : c'est le plus utilisé pour la fabrication des composants

électroniques.

 Germanium (Ge) : il est d’utilisation plus limitée (trop sensible en

température, courants de fuite importants)

 Les semi-conducteurs dopés par des impuretés ou extrinsèques : Arséniure de

Gallium (GaAs). Il est très utilisé dans la fabrication de composants
optoélectroniques, il permet aussi de fabriquer des composants plus rapides
que ceux en silicium. Ces applications sont cependant relativement rares.

NB : Le semiconducteur sera un matériau isolant à 0K mais qui pourra conduire à des

températures voisines de la température ambiante (par chauffage, par rayonnement, etc).

Tableau1.1 : Résistivités et de conductivités électriques de quelques matériaux à 25 °C

 3- Mobilité des porteurs de charges
La mobilité μ des porteurs de charges (électrons ou trous) est définie comme un coefficient de

proportionnalité entre la vitesse moyenne de déplacement des porteurs et le champ électrique.

μn

 Pour les porteurs de charges négatives (électrons) : −¿

¿
q τ r
mn
et vn
¿
− ¿|μn|
¿ Ε
0

μ p

 Pour les porteurs de charges positives (trous) : ¿

q τ r
m p
et v
¿
p

μ p
¿ Ε
0

Remarque :
 Dans le Cuivre : -μn= 3,2.10-3 m2.V-1 s-1
 Dans le Germanium : -μn = 0,39 m2.V-1.s-1 et μp = 0,19 m2.V-1.s-1
 La densité de courant électrique due à ces porteurs de charges est la somme des
densités de courants ( jn
¿ e
t
) des deux types de porteurs de charges :
¿ j p

j
¿
j n
+
¿ j p
¿
n
¿
( ¿− ¿ e ¿ )
¿
v n
+
¿ p
¿
e
¿
v p
¿
σ
E
o
ù
σ
¿
e
( ¿ − ¿ n ¿ μ n ¿ + ¿ p ¿ μ p ¿ )

III- Les semi-conducteurs

1- Semi-conducteurs intrinsèques
Les semi-conducteurs intrinsèques que nous étudions ici sont constitués d’un seul élément,
particulièrement les éléments de la colonne IV du tableau de classification périodique.
D’autres semi-conducteurs intrinsèques sont dits composés (ZnO, ZnS).

A température zéro absolue (0°K ou 273°C), la bande de conduction est vide et la bande de
valence est complètement pleine.
 Figure 1.3- Les bandes d'énergie d'un semi-conducteur

Dès que la température s’élève, les liaisons de la bande de valence se brisent et un certain
nombre d’électrons (n) acquièrent une énergie pour passer de la bande de valence à la bande
de conduction sous l’action d’un champ électrique. Lorsqu’une une liaison covalente entre
deux atomes se rompt sous l’effet de l’agitation thermique, l’électron libéré laisse à sa place
un vide appelé trou (p). Un électron d’une liaison voisine peut venir combler ce trou ; il laisse
à son tour un trou derrière lui qui peut aussi être comblé. On peut parler donc du déplacement
d’électrons de charges –e et de trous (en sens inverse) de charges +e. Les électrons et les trous
sont appelés porteurs car ils transportent des charges d’un endroit à un autre.

Figure 1.4 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur

(Si)
A l’équilibre thermodynamique, pour un semi-conducteur intrinsèque, on a : n = p = ni
(concentration ou densité intrinsèque de porteurs par unité de volume)
2
ni
¿
n
¿
p
¿
N c
N v
E v − E c
ex p ⁡
k B T

E v

,
E c

r
e
s
p
e
c
t
i
v
e
m
e
n
t

E
n
e
r
g
i
e

d
e

v
a
l
e
n
c
e
,
d
e

c
o
n
d
u
c
t
i
o
n
N c
,
N v

r
e
s
p
e
c
t
i
v
e
m
e
n
t

d
e
n
s
i
t
é

e
f
f
e
c
t
i
v
e

'
d
é
t
a
t
s

d
a
n
s

l
a

b
a
n
d
e

d
e

c
o
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d
u
c
t
i
o
n
,
d
e

v
a
l
e
n
c
e
.
 ni
¿
√
N c N v

exp ⁡
− EG
2 kB T( )
ni

e
s
t

u
n
e

c
a
r
a
c
t
é
r
i
s
t
i
q
u
e

d
u

m
a
t
é
r
i
a
u

l
i
é

l
a

T
e
m
p
é
r
a
t
u
r
e

T
,

E G
( e V )
¿
é
n
e
r
g
i
e
d
u
G
a
p
( b a n d e ∫ ⁡e r d i t e )
.

ni
¿
C
3
T 2
exp ⁡
(− EG
2 kB T )
o
ù

e
s
t

u
n

f
a
c
t
e
u
r

i
n
d
é
p
e
n
d
a
n
t

d
e

T
o
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c
o
n
s
t
a
n
t
e

s
p
é
c
i
f
i
q
u
e

d
u

m
a
t
é
r
i
a
u
,

k B
¿
1 , 3 8 . 1
− 2
3
0
J
.
− 1
K
e
s
t

l
a
t e
C

d
e

B
o
l
t
z
m
a
n
n
.

et
Où h = 6,62.10-34 J/Hz est la Cte de Planck, mn et mp sont respectivement les masses apparentes de
l’électron et du trou

Tableau 1.2: Largeur de bande interdite et densité intrinsèque de porteur à 300 K de

quelques semi-conducteurs

Matériau EG(eV) ni
Si 1,14 1,6.1010/cm3
Ge 0,67 2,4.1013/cm3
GaAs 1,43 107/cm3

Remarque :
Lorsqu’on applique un champ électrique Ε à l’intérieur du semi-conducteur, les porteurs libres

prennent un mouvement d’ensemble :

 Les trous dans le sens du champ électrique.

 Les électrons en sens opposé du champ.

Ce double déplacement produit un courant électrique

2- Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques

Un semi-conducteur a une conductivité quasi nulle. Le dopage est l’introduction dans un

semi-conducteur intrinsèque de très faible quantité d’un corps étranger (impureté) appelé
dopeur ou dopant (pentavalent ou trivalent). Il permet d’améliorer la conductivité du
matériau en lui apportant artificiellement ou de façon contrôlée des charges libres.

2.1- Définition

Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés

spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques
(diodes, transistors, etc...) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc...).
 2.2- Semi-conducteurs de type P
Le dopeur utilisé appartient à la famille des trivalents (B, Ga, In,…). L’atome dopeur
s’intègre dans le cristal de semi-conducteur. Cependant, pour assurer les liaisons entre atomes
voisins, 4 électrons sont nécessaires alors que le dopeur ne porte que 3 électrons, il y a donc
un trou disponible susceptible de recevoir un électron. Un électron d’un atome voisin peut
occuper ce trou. L’atome du dopeur devient un ion négatif fixe. L’atome quitté aura un trou et
une charge positive excédentaire. On dit que le dopeur est un accepteur d’électrons.

Figure 1.5 : Atome de Bore incorporé au cristal du semi-conducteur (Si)

Figure 1.6 : Constituants d’un semi-conducteur (Si) de type P

On dit que les trous sont des porteurs majoritaires et des électrons minoritaires.
2.3- Semi-conducteurs de type N
Le dopeur utilisé ici appartient à la famille des pentavalents (As, Sb, P,…). L’atome dopeur
s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les liaisons entre atomes
voisins, 4 électrons sont nécessaires : le cinquième est donc en excès et sera libre. L’agitation
thermique permet donc la libération d’un électron par atome dopeur. On dit que le dopeur est
un donneur d’électrons (porteurs de charge Négative). Il faut noter que cet électron lorsqu’il
quitte son atome, il laisse à sa place un ion positif fixe.
 Figure 1.7 : Atome de Phosphore incorporé dans le cristal d’un semi-conducteur (Si)

Négative)

Positive)

Figure 1.8 : Constituants d’un semi-conducteur (Si) de type N

La concentration des électrons libres provenant des atomes donneurs est très importante
devant celles des porteurs intrinsèques (dans ce cas les trous). On dit que les électrons sont
des porteurs majoritaires et des trous minoritaires.

Remarque :

 Le semi-conducteur dopé reste électriquement neutre.

 Les éléments dopants génèrent des niveaux d’énergies dans la bande interdite. Ces
niveaux sont proches des bandes de valence ou de conduction.

IV- Caractéristiques de semi-conducteurs

1- Semi-conducteur de type N
Dans un semi-conducteur de type N, la densité en donneur (N d) est supérieure à la densité
d'accepteurs (Na). D'après l'équation de neutralité, la densité d'électrons (n) et supérieure à la
densité de trous (p).
N
¿
N
d

n
¿
e
t .
p

Les électrons dans ce cas sont appelés les porteurs majoritaires et les trous sont des porteurs
minoritaires.
N
+ ¿
N
¿
d

a
p
,
+ ¿ n

n
≈
( N d − N a )

e
t

p
≈
2
ni
N d − N a

2- Semi-conducteur de type P
Dans ce type de semi-conducteur la densité en accepteurs (Na) est supérieure à la densité de
donneurs (Nd). Dans ce cas, les porteurs majoritaires sont les trous. Les densités de porteurs
sont :
N a
¿
N d

e
t

p
¿
n

p
≈
( N a − N d )

e
t

n
≈
2
ni
N a − N d

V- Quelques dispositifs à semi-conducteurs

Les dispositifs à semi-conducteurs englobent les différentes opérations permettant
l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent
dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont
qu'une seule fonction comme les diodes (DEL, photodiode), thermistance, cellule
photovoltaïque et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs
composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier. Ces semi-conducteurs font fonctionner
tous nos appareils informatiques et électroniques , notamment les objets connectés.

Nous présentons quelques dispositifs à semi-conducteurs rencontrés dans notre quotidien [4].

 Amplificateurs et comparateurs ( ampli. RF, contrôlés en tension, d’instrumentation…)

 Convertisseurs de données (Circuits de mesure d’énergie, CI d’acquisition de données,

CAN…)
 Mémoires (EEPROM, contrôleurs SRAM, circuits numéro de série…)

 Microcontrôleurs et processeurs (DSP : Digital Ssignal Processors, contrôleurs de

périphérique, CI de sécurité et d’authentification…)

 Capteurs (CI de capteur de pression, biométrique, d’écran tactile…)

 Programmeurs et débogueurs à puces (adaptateurs de programmation,

programmateurs)
.

 Interfaces (CI d’interface ADSL, CAN, Ethernet…)

 Gestion d’alimentation (CI d’interrupteur marche/arrêt, de décharge de condensateur,

de de suppression de surtensions…)

 Circuits intégrés audio et vidéo (CI vidéo, contrôleur graphique, commutateurs audio
et vidéo)

 Circuits intégrés de logique programmable (réseaux logiques programmables, FPGA :

Field Programmable Gate Array (réseau de porte programmable par
l'utilisateur), CPLD : dispositifs logiques programmables complexes.…)
 Circuit intégré de logique ( additionneurs logiques, bascules, commutateurs de bus…)

VI- La jonction PN
1- Jonction PN en circuit ouvert
Une jonction PN est un dispositif formé par la juxtaposition d’un semi-conducteur dopé
type P (appelé anode) et d’un semi-conducteur dopé type N (appelé cathode), tous les
deux d’un même monocristal semi-conducteur.

Lorsque ces deux types de semi-conducteurs sont mis en contact, un régime électrique
transitoire s’établit de part et d’autre de la jonction, suivi d’un régime permanent.

Figure 1.9 : Schéma de la Jonction PN

2- Fonctionnement de la jonction PN non polarisé
Après la formation de la jonction, un potentiel interne de la jonction apparait. L’origine
physique de ce potentiel interne est la diffusion des porteurs de charges. En effet, au
voisinage de la jonction il y a une importance différence de concentration en porteurs
libres et la mise en contact des semi-conducteurs favorise la diffusion des électrons de la
région dopée N vers la région dopée P (pauvre en électrons) et laissent derrière eux des
charges positives. De même, les charges positives (trous) de la région dopée P diffusent
vers la région dopée N (pauvre en trous) et laissent aussi derrière eux des charges
négatives. A la fin de ce processus de diffusion des porteurs de charges, un équilibre
 permanent est établi et une zone pauvre en porteurs libres est formée. Cette zone est
appelée zone de charge d’espace (ZCE) ou aussi « zone de déplétion ».

Un champ électrique interne Εi est créé. Ce champ repousse les porteurs majoritaires de

chaque partie et arrête la diffusion. Entre les deux parties P et N apparaît alors une
différence de potentiel (d.d.p) appelée aussi barrière de potentiel de l’ordre de 0,7 V pour
le Silicium et 0,3 V pour le Germanium.

Figure 1.10 : Jonction PN non polarisé

Le courant de diffusion Id total, orienté de P vers N, correspond au bilan de la migration des
porteurs majoritaires. Dans la zone de déplétion, il n’y a plus de porteurs de charge car les
ions négatifs dans la zone P et les ions positifs dans la zone N n’ont plus leur charge
«neutralisée», donc subsistent, face à face. On arrive donc à un équilibre, la zone de transition
ayant une largeur et un champ interne tels que seuls les porteurs ayant une énergie suffisante
peuvent franchir cette « barrière » et entretenir le courant de diffusion. Le champ interne
favorise par contre le passage des porteurs minoritaires. Il se crée donc un courant de porteurs
minoritaires dirigé de N vers P. Il est appelé courant de saturation, noté Is et ne dépend que de
l’activité intrinsèque du semi-conducteur, donc de la température. Lorsque la jonction n’est
soumise à aucune action externe, aucun courant ne peut traverser la diode.

3- Jonction PN polarisée
3.1- Polarisation directe
Lorsqu’une tension positive est appliquée entre la région P et la région N (U PN > 0), la
jonction PN est polarisée en direct. Cela revient à superposer au champ interne Ei , un champ

externe Ee , le champ résultant Er , a pour effet de diminuer la hauteur de la barrière de

potentiel et par conséquent, le nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la

jonction augmente.
 Figure 1.11 : Diode polarisée en direct
3.2- Polarisation inverse
Lorsqu’une tension négative est appliquée entre la région P et la région N (U PN < 0), la
jonction PN est polarisée en inverse. Le champ Εe vient s’ajouter au champ interne Εi et le

champ résultant E r a pour effet d’empêcher la circulation des porteurs majoritaires. La

jonction est bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.

Figure 1.12: Diode polarisée en inverse

Références
[1]. [Link]
[2]. Cours Noel Servagent, Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux.
[3]. Alain Chovet et Pascal Masson, Physique des semi-conducteurs.
[4]. [Link]
[5]. Philippe Leturcq et Gérard Rey. Physique des composants actifs à semi-conducteurs.
Dunod.1978. ISBN 2-04-010385-6.
[6]. cours sur les semiconducteurs - YouTube