UNIVERSITE D’ANTANANARIVO
FACULTE DES SCIENCES
TRANSISTOR
Introduction
Inventé en 1948 aux Laboratoires de Bell Téléphone aux USA, le transistor est un
dispositif amplificateur à semi-conducteur.
Il y a plusieurs types de transistor mais le modèle de référence reste le transistor bipolaire à
jonctions que l’on considérera par la suite.
A) TRANSISTOR A JONCTIONS
1) La jonction PN
On désigne par jonction PN la liaison, au niveau d’un monocristal, de deux semi-
conducteurs, l’un de type P, l’autre du type N.
A l’endroit e cette jonction, une zone de transition d’environ 10-3 mm est le siège d’une
barrière de potentiel qui rend la jonction dissymétrique. On a constitué une diode
a) Jonction passante (sens P N)
Si l’on branche une pile dont la polarité + est reliée au semi-conducteur type P par
l’intermédiaire d’une résistance R, le circuit se refermant par la jonction, N est la pôle négatif,
on notera le passage d’un courant électrique dans le circuit. La jonction est dite passante dans
ce cas.
La résistance de la diode dans le sens passant est faible ; elle se comporte comme un
matériau conducteur.
b) Jonction non passante (sens N P)
Si le pôle positif d’une pile est relié à la cathode d’une diode, à ce moment la barrière de
potentiel se renforce, il ne peut plus y avoir diffusion à travers la jonction PN.
La diode se présente comme un isolant. La jonction est dite non passante ou bloquante. La
résistance inverse de la diode est dans ce cas très élevée, de l’ordre de mégaohm.
2) Constitution
Un transistor à jonctions est l’association de deux jonctions PN. Une région N de faible
épaisseur est intercalée entre deux régions P pour un transistor du type PNP. On obtient un
transistor du type NPN quand deux zones N sont séparées par une zone P très mince.
3) Présentation et symbole
La zone intermédiaire est la base du transistor tandis que les deux zones extrêmes
s’appellent l’émetteur et le collecteur.
Ainsi un transistor à jonctions comporte trois électrodes :
E : Emetteur
B : Base
C : Collecteur
La flèche sur l ‘émetteur indique le sens conventionnel du courant.
4) Condition de fonctionnement d’un transistor
La jonction émetteur-base doit toujours être polarisée dans le sens passant (ou sens
direct). De plus, la jonction base-collecteur doit être polarisée dans le sens bloquant (ou
sens inverse). Donc, pour un transistor NPN, la base et le collecteur doivent être positifs
par rapport à l’émetteur tandis que pour un transistor PNP, ils doivent être négatifs par
rapport à l’émetteur.
5) Réseaux de caractéristiques d’un transistor
Le transistor est un tripôle, il faut pour décrire son comportement faire le choix d’un
circuit d’entrée et d’un circuit de sortie ce qui revient à fixer l’électrode commune.
Dans ce cas, il existe 3 montages possibles d’un transistor :
- émetteur commun
- base commune
- collecteur commun
Le montage émetteur commun étant le plus communément utilisé, nous nous en tiendrons
à celui-ci.
Dans ces conditions, les grandeurs d’entrée sont : VBE et I B les grandeurs de
sortie sont VCE et I C .
Normalement le réseau de caractéristiques d’un transistor comporte 4 caractéristiques. On
va considérer, par la suite, une seule de ces caractéristiques qu’est la caractéristique de sortie
IC = f(VCE) à IB constante. En effet, comme on verra plus tard, le transistor est une source de
courant commandé par un courant.
a) Montage expérimental
- Circuit de base ou d’entrée
EB : Source de tension de l’ordre 1,5v
RB : résistance variable permettant de régler le courant de base IB
A1 : ampèremètre pour mesurer le courant IB
V1 : voltmètre pour mesurer la tension vBE
- Circuit du collecteur
EC : alimentation à tension variable (de 0 à 15V)
A2 : ampèremètre pour la mesure de IC
V2 : voltmètre pour la tension vCE
b) Mode opératoire
En partant d’un courant de base nul (RB maximale), quelle que soit la tension vCC, le
courant dans le circuit collecteur est toujours nul (IC = 0).
Pour différentes valeurs du courant de base IB, on obtient le réseau de courbes IC en
fonction de vCE selon la figure ci-dessous
c) Interprétation
On constatera que le courant IC est proportionnel au courant IB. On vient de réaliser un
amplificateur en courant dans lequel on a :
IC Coefficient d’amplificateur
IB
B) MANIPULATION
1) Contrôle et repérage des électrodes et de la polarité d’un transistor
En général, un transistor pourrait être contrôlé à l’aide d’un multimètre. En effet, le
contrôle d’un transistor peut se ramener à la mesure de la chute de potentiel aux bornes d’une
diode.
Schématisons comme suit les 2 types de polarité de transistor
Dans notre cas, le multimètre utilisé est un multimètre numérique. Pour contrôler un
transistor à l’aide de ce multimètre, on placera le sélecteur de fonctions en face du test-diode.
i) Identification de la base et de la polarité du transistor
Si le transistor est du type NPN, les chutes de potentiel entre Base-Emetteur d’une part
et Base-Collecteur d’autre part seront de l’ordre de 0,6V. La borne positive de multimètre
étant connectée à la base du transistor pour chaque mesure.
Dans le cas d’un transistor PNP, les chutes de potentiel entre Base-Emetteur et Base-
Collecteur ne sont pas définies. La borne positive du multimètre restant connectée à la Base
du transistor.
En outre, la résistance Collecteur-Emetteur et toujours très élevée dans un sens et dans
l’autre.
La base du transistor ainsi que sa polarité seront alors identifiées en se servant de ces
indications.
Rem : Si le transistor étudié ne répond pas ni à l’un ni à l’autre des 2 possibilités ci-dessus en
effectuant toutes les combinaisons possibles, il ne pourrait être en bon état.
ii) Souvent, le collecteur d’un transistor est relié à son boîtier (cas de transistor de
puissance). Ainsi il sera facile de la repérer en branchant le multimètre (sélecteur de fonction
en position "test de continuité acoustique") entre le boîtier et successivement à chacune des
électrodes du transistor.
Le collecteur sera repéré quand vous entendez un bip sonore.
Dans tous les cas, pour bien distinguer les électrodes d’un transistor et pour connaître ses
caractéristiques, il fallait consulter un Data-Book pour transistor.
2) Détermination expérimentale des caractéristiques d’un transistor
a) Montage à réaliser
T : transistor (polarité NPN)
RC : Résistance du collecteur : 100
R1 : Résistance 1k
R2 : Potentiomètre 1k
E : alimentation 5V
MA : milliampèremètre mesurant le courant du collecteur
A : microampèremètre détectant le courant de base I2
Y1 et Y2 sont à connecter respectivement aux voies CH1 et CH2 de l’oscillo (les sélecteurs
étant placés sur la position DC).
Ainsi les tensions VBE et VCE peuvent être lues à l’aide de l’oscillo.
b) Mesures à effectuer
Par action sur la résistance R2 (potentiomètre), donner à iB quelques valeurs choisies à
l’avance. Relever les valeurs prises par les 3 autres paramètres : iC , vBE , vCE.
Remplir le tableau de mesures suivant :
iB (mA) 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3
iC (mA)
iC
iB
v BE (V)
vCE (V)
Le rapport iC est le facteur d’amplification en courant du transistor.
iB
c) Analyse des résultats
- Noter que iB reste nul tant que vBE est inférieure à 0.6V. Expliquer pourquoi ?
- Tracer la représentation graphique de iC = f(iB).
Distinguer les 3 parties de la courbe correspondant aux 3 états du transistor (état
d’amplification : iC = iB, état bloqué : iC = 0 et état saturé : vCE = 0).
Conclusion.
d) Visualiser à l’aide de l’oscillo les autres caractéristiques du transistor en utilisant la
fonction "component tester" de cet appareil de contrôle.
