GUIDE DE L'INGENIEUR 1970

MICROELECTRONIQUE
SOMMAIRE

Circuits intégrés DTL série FF . . . 2

Circuits intégrés DTL série FC... 4
Circuits intégrés TTL série FJ . . . 9
Circuits intégrés MOS série FD . . 15
Circuits intégrés pour applications
linéaires..................................... 19
Boîtiers........................................... 31

www.retronik.fr
circuits intégrés DTL
 SERIE FF
LOGIQUE D.T.L.

■ SÉRIE MILITAIRE
■ SÉRIE PROFESSIONNELLE

Tensions d'alimentations : + 4,5 V

- 1,5 V

Gammes de températures :

SÉRIE MILITAIRE
Tomb= - 55° à + 125° C
T„g = — 65° à + 175° C

SÉRIE PROFESSIONNELLE
T„mb = 0° à + 75° C
T,lg = — 65° à -j- 100° C

Boîtiers : type XA 10 (TO-100) - type XF 10 (TO 91)

Configuration électrique
de l'élément de base (porte ET-NON en logique positive)

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES A 25“ C

Paramètres Porte Bascule

■ Délai de propagation 20 ns 35 ns
■ Puissance moyenne consommé 7,5 mW 22 mW
■ Sortance 5 7
■ Immunité statique 1 V 0,9 V

La série FF est une famille de circuits intégrés logiques en

technique DTL (''Diode Transistor Logic").
La fonction de base, la porte ET-NON en logique positive,
est constituée par un réseau de diodes couplé à un inverseur par l'in­
termédiaire d'un transistor fonctionnant en amplificateur de courant.
La résistance de charge du transistor inverseur est déconnectée sur
certains circuits ET-NON de cette famille.
La série FF, interchangeable avec la série SE 100, à été déve­
loppée et industrialisée dans le cadre de l'action-concertée des Ad­
ministrations.

2
Porte ET-NON

FFH101/XA10 FFH1O1/XF1O FFH111/XA10 FFH111/XF1O FFH121/XA10 FFH121/XF1O FFH 141 /XA10 FFH 141 /XF10
FFH 102/XA10 FFH 102/XF10 FFH112/XA10 FFH112/XF10 FFH 122/XA10 FFH 122/XF10 FFH142/XA10 FFH142/XF10

Bascule RST
FFH131/XA10 FFH131/XF10 FFJ1O1/XA1O FFJ1O1/XF1O FFY1O1/XA1O FFY1O1/XF1O FFY111/XA10 FFY111/XF1O
FFH 132/XA10 FFH 132/XF10 FFJ 102/XA10 FFJ 102/XF10 FFY102/XA10 FFY1O2/XF1O FFY112/XA10 FFY112/XF10

Usine de Caen : Ensemble automatique de mesure avec calculateur PR 8000

3
 SERIE FC
LOGIQUE D.T.L.

Tension d'alimentation : + 6 V ± 5 %

Gammes de températures :

SÉRIE PROFESSIONNELLE ( Tamb = 0° à + 75° C

Boîtier Type XD 14 (D ( Tstg = — 35° à + 125° C
(1) Sur demande cette série est disponible en boîtier XE 14

Configuration électrique
de l'élément de base (porte ET - NON en logique positive)

la résistance de charge Rc est en option sur toutes les portes

ET - NON

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES A 25° C

POUR UNE PORTE ET - NON

Paramètres

■ Délai de propagation 30 ns
■ Puissance moyenne consommée 11 mW
■ Sortance 11
■ Immunité statique 1,2 V

La série FC est une famille de circuits intégrés logiques en

technique D.T.L. ( " Diode Transistor Logic " ).
La fonction de base, la porte ET-NON en logique positive, est
constituée par un réseau de diodes couplé à un transistor inverseur
par l'intermédiaire de diodes de décalage à forte tension directe.
Cette caractéristique des diodes de décalage permet d'obtenir une
tension de seuil dont la valeur typique à 25° C est de 1600 mV.
En outre, pour permettre de réaliser la fonction OU câblée
(" wired or ") dans les meilleures conditions de sortance et de puis­
sance consommée, toutes les fonctions ET-NON de cette famille sont
proposées avec la résistance de charge en option sur le collecteur
du transistor inverseur.

4
 gnd

Porte ET - NON Double porte ET-NON Double porte ET - NON

FCH 101/XD 14 (sans rc) FCH 121/XD 14 (sans rc) FCH 231/XD 14

FCH 111/XD 14 (avec rc) FCH 131/XD 14 (avec rc)

FCH 141/XD 14 (sans rc) FCH 151/XD 14 (sansrcj FCH 181/XD 14 (sans rc)

FCH 161/XD 14 (avec rc) FCH 171/XD 14 (avec rc) FCH 191/XD 14 (avec rc)

Sextuple inverseur Double séparateur Comparateur 5 Bits

FCH 201/XD 14 (sans rc) FCH 221/XD 14

FCH 281/XD 14

FCH 211/XD 14 (avec rc)

Contrôleur de parité 10 Bits Décodeur 4 Bits

FCH 291/XD 14 FCH 301/XD 16 FCH 311 (sans rc)

FCH 321 (avec rc)

5
 gND *3 K2 */ S,
°ND ____ 0/ ___ Q? ___ S2
ri ri ri nn ri ri ryi

LO EZJ EU EZ1 en EU tzr

LdZZI
1 J Ld LJj LÎJ Ld ÜJ LzJ
Jf J2 T J3 °2 s2 VCC S, JT K Vcc

Bascule JK Bascule JK Maître esclave Double bascule JK maître esclave

FCJ 101/XD 14 FCJ 111/XD 14 FCJ 121/XD 14

Ghd 5? q, q2 J/ K, r,
nëinsirïnrÿinnnnrÿirTi

j i—
) < FF -
r FF n
I
LdLzJÜJLJÜJÜJLzJLd
1— WP
Qj <?4 Sj J2 J3 K2 r2 vcc

Double bascule JK maître esclave Double bascule JK maître esclave

FCJ 131/XD 14 FCJ 141/XD 14 FCJ 191/XD 16

°nd r Q2 D; Q; Q4 d2 Q3
pci nyi nfi nyi nri nn npi ryi

Ha H 3
s, J, j2 T
)

II LULU 111
S2 Q7
gP Qg
11ILll LzJ
Qs D3 Qg
LU
Vcc

Bascule JK maître esclave Double bascule JK maître esclave Mémoire 4 Bits

FCJ 201 /XD 14 FCJ 211/XD 14 FCJ 221/XD 16

GND

Monostable Trigger de Schmitt

FCK 101/XD 14 FCL 101/XD 14 FCL 111/XD 16

°nd

Triple expanseur

FCY 101/XD 14

6
I

Réseau de 21 portes. Circuit compatible avec la série FC.

7
circuits intégrés TTL
SERIE FJ
LOGIQUE T.T.L.

Tension d'alimentation : + 5V ±5%

Gammes de températures :
Tamb = 0° à 4- 75° C
Tstg = — 35° à + 125° C
Boîtier type X D 14

Configuration électrique
de l'élément de base (porte ET-NON en logique positive)

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES A 25° C

POUR UNE PORTE ET-NON

Paramètres

■ Délai de propagation 13 ns
■ Puissance moyenne consommée 10 mW
■ Sortance garantie 10
■ Immunité statique 1V

La série FJ est une famille de circuits intégrés logiques en

technique T.T.L. ("Transistor Transistor Logic").
La fonction de base, la porte ET-NON en logique positive,
comporte un transistor multiémetteur réalisant la fonction ET et
un inverseur constitué par un transistor déphaseur commandant
un étage de sortie du type "totem pole".
Cette configuration, qui permet d'obtenir un facteur de mérite
(produit vitesse par puissance consommée) plus faible qu'en DTL,
présente en outre, une faible impédance de sortie dans les deux
états logiques, ce qui permet un fonctionnement sur des charges
capacitives relativement importantes.
L'utilisation de la série FJ est conseillée pour toutes les appli­
cations où la vitesse des circuits D.T.L. est insuffisante.
La série FJ est interchangeable avec la série 74 N.

9
 OPÉRATEURS ET EXPANSEURS
“ce
M N M P7! r^i M fï]
A 2792

>l—ï

|J ill 111 111 111 ill LJ

Double porte ET - NON Triple porte ET - NON

FJH 101 (74-30 N) FJH 111 (74-20 N) FJH 121 (74-10 N)

•fcc
rüi rÿi ri m ryi ryi rp
H.J La J ï L

G ND
ill ill Ld ill ill 111 LJ
rï-p
° ND

Quadruple porte ET - NON Double porte de puissance ET - NON Double porte expansible ET - OU - NON

FJH 131 (74-00 N) FJH 141 (74-40 N) FJH 151 (74-50 N)

*cc vcc
m ryi m nn nfi ryi
—1
iyi1
RI nn nn m nôi m rri
ï

J 1lir—
LJ ill Lil kJ kJ ill gU
nd
LJ 12 1 1 ■? 1 1< 1 15 1 1 6 1 1 7|
gND

Double porte ET - OU - NON Porte expansible ET - OU - NON

FJH 161 (74-51 N) FJH 171 (74-53 N) FJH 181 (74-54 N)

Quadruble porte OU - NON Quadruble porte ET - NON Sextuple inverseur

FJH 221 (74-02 N) FJH 231 (74-01 N) FJH 241 (74-04N)

(avec collecteur ouvert)

I0
 O»

Quadruple porte ET - NON Double expanseur

FJH 251 (74-05N) FJH 291 (74-03N) FJ Y 101 (74-60N)

(avec collecteur ouvert)

F J J141

FJJ 141
BASCULES

T1 S1 Kl VCC T2 S2 j2

Bascule JK Bascule J K maître esclave Double bascule JK maître esclave

FJJ 101(74-00 N) FJJ 111 (74-72N) FJJ 121 (74-73N)

Double bascule D Double bascule JK maître esclave Double bascule JK maître esclave

FJJ 131 (74-74N) FJJ 191 (74-76N) FJJ 261 (74-107N)

FJL 101
CIRCUITS COMPLEXES
A? Bo 2? ^ND ^2 Nr Nr
jYi jyLjyL-j^X-nfLJVLJ~^i
I
Y

tL"T7T" ! r-u r
------- *1 B1 Vcr Cin Nc Nc
Additionneur 2 BITS Additionneur 4 BITS
FJH 201 (74-82N) FJH 211 (74-83N)

^CC VCC bND

mm nn m. m nn rn m m m rn m m 71 iri
1ri1 1ri ri 1ri 'VI m rfi
1 ï 1 1 ° 1

;
1
4
1
3 2
1 ;1 S .j d f

1 1 6 0

IL
^2

IZ>1 IZ>1 j
n_Ri2_r Ld Ld LJ
TJLX Lu LU ÙJ LiJ LU ÜJ LzJ
gND G/VD

Quadruple - OU - EXCLUSIF Contrôleur parité 8 BITS Décade de comptage

FJH 271 (74-86N) FJH 281 (74-180N) FJJ 141 (74-90 N)

TiriznznzrTznznzj
NC NC NC NC VCC NC NC
Registre à décalage 8 BITS Mémoire 16 BITS Mémoire 4 BITS
FJJ 151 (74-91 N) FJJ 161 (74-81 N) FJJ 181 (74-75 N)

Entrée

Diviseur par 16 Registre à décalage 5 BITS Diviseur par 12

FJJ 211 (74-93N) FJJ 241 (74-96 N) FJJ 251 (74-92 N)

Décodeur par affichage numérique

FJL 101 (74-41 N) FJK 101 (74-121N)
I3
circuits_ _ _
intégrés MOS
SERIE FD CIRCUITS MOS

La série FD est une famille de circuits intégrés monolithiques composés de fonctions complexes réalisées en technique MOS avec des
transistors de type canal P à enrichissement.
Tous les circuits sont présentés en boîtiers DIL hermétiques de construction céramique-métal (14 -16-24 broches) et sont garantis
dans la plage de température — 55 à + 85° C.
Toutes les fonctions proposées sont électriquement compatibles d'emploi avec des circuits intégrés bipolaires du type DTL ou TTL.

A) LES REGISTRES A DÉCALAGE

FDN 106 : QUADRUPLE REGISTRE DYNAMIQUE DE 32 BITS

— horloge biphasée
— fréquence d'horloge : 10 KHz à 3 MHz
— puissance consommée : 0,6 mW par bit
— boîtier à 14 broches.

FDN 116 : QUADRUPLE REGISTRE DYNAMIQUE DE 32 BITS

— horloge monophasée
— fréquence d’horloge : 10 KHz à 1 MHz
— puissance consommée : 1 mW par bit.
— boîtier à 14 broches.

FDN 126 : REGISTRE A DÉCALAGE DE LONGUEUR AJUSTABLE

— longueur : 1 à 64 bits ajustable à
volonté
— horloge biphasée
— fréquence d'horloge : 10 KHz à 3 MHz
— boîtier à 14 broches.

I5
 FDN 136 : REGISTRE A DÉCALAGE DE LONGUEUR AJUSTABLE
— longueur : 1 à 64 bits ajustable à vo­
lonté
— horloge monophasée
— fréquence d'horloge : 10KHzà 1 MHz
— boîtier à 14 broches.

FDN 146 : REGISTRE DYNAMIQUE DE 256 BITS

— horloge biphasée
0; 02
î* ÏZ4

Pi
— fréquence d'horloge 10 KHz à 3 MHz
— puissance consommée : max 0,2 mW par bit à 1 MHz
— boîtier à 1 4 broches.
I
256 bits
K
po

FDN 156 : REGISTRE DYNAMIQUE DE 256 BITS

— horloge monophasée
— fréquence d'horloge : 10 KHz à 1 MHz
— puissance consommée : max 0,6 mW par bit à 1 MHz
— boîtier à 14 broches.

B) LES MÉMOIRES

FDQ 106 : MÉMOIRE A LECTURE/ÉCRITURE DE 128 BITS

— organisation en 64 mots de 2 bits
— lecture non destructive
— décodage d'adresse incorporé
— horloge monophasée
— fréquence d'interrogation : max 1 MHz
— fréquence d'écriture : max 1 MHz
— puissance totale consommée : 135 mW à 1 MHz
— puissance consommée au repos : 3 uW par bit
— boîtier à 16 broches.
FDR 106 Z : MÉMOIRE PASSIVE DE 2 304 BITS
— organisation en 256 mots de 9 bits
— décodage d'adresse incorporé
— horloge biphasée
— inscription par masquage du contenu de la matrice
— fréquence d'interrogation : max 1 MHz
— puissance consommée : 90 mW à 1 MHz
— boîtier à 24 broches.

FDR 116 Z : MÉMOIRE PASSIVE DE 2 560 BITS

— organisation en 51 2 mots de 5 bits
— décodage d'adresse incorporé
— horloge biphasée
— inscription par masquage du contenu de la matrice
— fréquence d'interrogation : max 1,2 MHz
— puissance consommée : 90 mW à 1 MHz
— boîtier à 24 broches.

FDR 116 ZI : GÉNÉRATEUR DE CARACTÈRES

— code : ASCII*
— nombre de caractères alphanumériques : 64
— décodages incorporés
— temps d'accès : max 850 ns
— boîtier à 24 broches.
* American System Code for Information Interchange.
 circuits intégrés
pour applications
linéaires

FDR 116 Z 1

18
tableau deselection
des __
circuits intégrés
linéaires
350
taa taa taa
450 570

USIQUE

RADIO AM

RADIO F.M

TÉLÉVISION

PROT IÈSE AUDITIVE

CALCUL

MESURE
contrôle*régulation
Aphonie • intercommunicate
 OM 200 - AMPLIFICATEUR FAIBLE NIVEAU
Amplificateur faible niveau, composé de 3 étages à couplage direct, utilisé prin­
cipalement pour la prothèse auditive. I I
Tension d'alimentation : + 1,3 V [
Gain de transfert (à 1 kHz) : 80 dB
Puissance de sortie : 0,2 mW I—02
Température de fonctionnement : max 80° C
Boîtier : type F 1 I03

TAA 241 /TAA 242/TAA 243 - AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS

TAA 241 TAA 242 TAA 243

Tensions d'alimentation : -F 12et —6V 4- 12 et — 6 V + 12 et — 6 V
Gain en tension : typ. 3400 3600 2300
Résistance d'entrée : typ. 32 kû 40 k.Q 20 kO
Résistance de sortie : typ- 0,2 kQ 0,2 kQ 0,2 kQ
Puissance consommée (au repos) typ. 90 mW 90 mW 80 mW
Tension de décalage (à l'entrée) typ. 1,5 mV 0,5 mV 1 mV
Limb • 0 à 70° C 55 à 125° C — 20
à + 100° C
Boîtier : typ. TO-99 TO-99 TO-99

TAA 263 - AMPLIFICATEUR FAIBLE NIVEAU

Amplificateur d’usage général composé de 3 étages à couplage direct. Utilisé
principalement dans l'amplification à faible niveau dans une bande de fréquence
s'étendant du continu à 600 KHz.
Tension d'alimentation : + 6 V
Gain de transfert : 75 dB
Puissance de sortie : 10 mW
Température de fonctionnement : — 20° à + 100° C
Boîtiers : type TO-18 (4 sorties).

TAA 293 - AMPLIFICATEUR D'USAGE GÉNÉRAL

Amplificateur à 3 étages à couplage direct. Sa configuration électrique parti­
culière lui donne une grande souplesse d'emploi et permet son utilisation dans
des applications très variées.
Tension d’alimentation : + 6 V
Gain de transfert : 80 dB
Fréquence de coupure (à — 3 dB) : 600 kHz
Puissance de sortie : 10 mW
Température de fonctionnement : max 70 °C
Boîtier : Type : TO-74

22
TAA 300 - AMPLIFICATEUR AF DE PUISSANCE
Amplificateur AF de puissance. Du fait de son très faible cou­
rant de repos le TAA 300 est particulièrement recommandé pour
les équipements portables.
Tension d'alimentation : + 9 V
Tension d'entrée pour Pq = 0,7 W : typ. 7 mV
Impédance d'entrée : typ. 15 kQ
Puissance de sortie (Rj. = 8 f); dtol = 10 %) : typ. 1 W
Courant de repos : typ. 8 mA
Boîtier : type TO-74

t> w A1

APPLICATION TYPE
Amplificateur de puissance 1 W (9 V - 8 Q)

TAA 310 - PRÉAMPLIFICATEUR AF

Préamplificateur AF utilisé principalement en enregistrement et en
lecture dans les magnétophones.
Tension d'alimentation : + 7 V
Tension de sortie : min 3,4 Vcff.
Gain en tension : 100 dB
Impédance d'entrée : min 20 kü
Bruit : max 4 dB
Température de fonctionnement : — 20“ à + 70“ C
Boîtier : Type TO-74

TAA 320 - PRÉAMPLIFICATEUR FAIBLE NIVEAU

Réalisé par l'association monolithique d'un transistor MOS et d'un
transistor bipolaire NPN ce circuit est un amplificateur faible niveau
utilisable comme adaptateur d'impédance.
Impédance d'entrée : 100 GL2
Tension drain-source-Vos : max 20 V
Tension porte-source-VGs : max 14 V
Courant de drain-lo : max 25 mA
Transconductance (y 21 s) : 40 mA/V
Conductance de sortie (g 22 s) : 650 ;zA/V
Plot (Tamb « 25“ C) : max 200 mW
Température de fonctionnement : max 125“ C
Boîtier : type TO-18.

23
 TAA 350 - AMPLIFICATEUR Fl
Amplificateur limiteur Fl pour signaux modulés en fréquence, ce circuit
permet une excellente réjection de la modulation d'amplitude.
Tension d'alimentation : + 6 V
Gain RF en tension (dans la zone linéaire) : 67 dB
Fréquence de coupure (à — 3 dB) : 12 MHz
Boîtier : Type TO-74

TAA 370 - AMPLIFICATEUR FAIBLE NIVEAU

Amplificateur audiofréquence à faible consommation conçu spécia­
lement pour équiper des appareils de prothèse auditive.
Tension d'alimentation : + 1,3 V
Gain de transfert : typ. 90 dB
Puissance de sortie (dtO| = 10 %) : typ. 1,5 mW
Consommation (sans l'étage de sortie) : typ. 0,4 mA
Températures de fonctionnement : — 55 à + 85° C
Boitier : type TO-89
10

TAA 435 - PRÉAMPLIFICATEUR AF

Préamplificateur AF qui, de par la valeur de son courant de sortie, permet
la commande d’élément de puissance.
Tension d'alimentation : + 14 V
Gain en tension : typ. 80 dB
Température de fonctionnement : — 25 à + 85 °C
Boîtier : type TO-74

24
APPLICATION TYPE TAA 435
Amplificateur de puissance réalisé avec la paire de transistors complé­
mentaires AD 161 - AD 162 (4 W - 14 V - 5 Q).

TAA 450 - AMPLIFICATEUR Fl

Amplificateur limiteur Fl, démodulateur FM, et préam­
plificateur AF à commande de gain par courant continu.
Tension d'alimentation : + 7,5 V
Gain en tension Fl (Fo = 5,5 MHz) = typ. 69 dB
Tension de sortie AF : typ. 0,4 Vcff.
Bande passante Fl (— 3 dB) : typ. 10 MHz
Température de fonctionnement : — 20 à + 60 °C
Boîtier : type TO.74

"5 A6 10 i/

APPLICATION TYPE
Le TAA 450 en amplificateur Fl (10,7 M Hz) pour poste
FM portable alimenté sous 9 V.

TAA 521 /TAA 522 - AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS

Le TAA 521 et TAA 522 sont des amplificateurs opérationnels
d'usage général. Leur conception leur permet de présenter à la fois
une haute impédance d'entrée, un grand gain de faible valeurs de
la tension de décalage et du courant de polarisation.
TAA 521 TAA 522
Gain en boucle ouverte typ. 45 000 45 000
Rapport de réjection de mode
commun typ- 90 dB 90 dB
Résistance d'entrée différentielle typ. 250 kQ 400 k!2
Tension de décalage à l'entrée typ 2 mV 1 mV
(Rs « 10 kû)
Courant de polarisation typ 0,3 (zA 0,2 (zA
Excursion dynamique de la tension
de sortie (RL > 2 kfl) typ- ± 14 V 14 V
Dissipation totale typ- 80 mV 80 mV
Boîtier type typ. TO-99 TO-99

25
 TAA 550 - STABILISATEUR DE TENSION
Stabilisateur de tension spécialement conçu pour alimentation de la diode à
variation de capacité (varicap).
Tension stabilisée 31 -32 V — Point Rouge
32-34 V — Point Jaune B 64 51
34-35 V — Point Vert
Courant nominal de fonctionnement : typ. 5 mA
Résistance dynamique : typ. 12 û
Coefficient de température : typ. 0,13 mV/°C
Boîtier : type (TO-18 - 2 broches).

APPLICATION TYPE

TAA 560 DÉTECTEUR DE NIVEAU

Ce circuit est basé sur un Trigger Schmitt sensible à de faible variation de ten­
sion permettant la commande d'éléments extérieurs lorsque ceux-ci ne néces­
sitent pas un courant supérieur à 50 mA.
Circuit de commande pour le contrôle du temps d'obturation des appareils
photographiques à partir d’une cellule photo-résistante.
Tension d'alimentation nominale : 4- 2,5 V
Gamme de temps d'obturation : 2 ms à 2 s
Cellule photo-résistante : Robs $ 20 MO
Relais : L 40 mH
R = 90 Q
Boîtier : type TO 72

APPLICATION TYPE
Réglage de la vitesse des obturateurs des appareils de prises de vues, à partir de
l'éclairement reçu par une cellule photo résistive.
— Caractéristiques du relais : L 40 mH et R = 91 Q.
— Pour un temps d'ouverture compris entre 0,002 et 2 s, la capacité doit être
de l'ordre de 100 nF.

TAA 570 — AMPLIFICATEUR DÉMODULATEUR Fl

Amplificateur Iimiteur Fl pour signaux FM, démodulateur à coïncidence, préamplificateur AF à commande de volume par tension continue.
Tension d'alimentation : 4- 1 2 V
Tension de sortie AF : typ. 0,6 Veff.
sur Rl = 5,6kûetàfo = 5,5 MHz (f mod = 1 KHz Af = 1 5 kHz)
Réjection AM (Vi = 10 mV) : typ. 50 dB
Consommation : typ. 20 mA
Gamme de contrôle AF : min 60 dB
Boîtier : type TO-74
m TV
vi VÏ Vi
M (H r r 2
« 1 L1
26
TAA 700
Circuit de traitement du signal vidéo pour les standards de télévision à modulation négative.
Le circuit comprend les fonctions suivantes
— Préamplificateur vidéo, — Comparateur de phases,
— Détecteur de CAG (Fl), — Séparateur signal-synchro,
— Amplificateur de CAG (RF), — Trieur de tops,
— Porte et détecteur de bruit. — Effacement synchro.

CARACTÉRISTIQUES
• Tension d'alimentation typ. 12 V • Tension de CAG (Fl) typ- 0à 8V
• Tension d'entrée video typ. 2 V c. à c. • Tension de CAG (RF) typ- 0à 7V
• Gain de l’amplificateur video typ. 9,5 dB • Niveau du noir en sortie typ- 5V
• Niveau de sortie des tops trames min. 10 V c. à c. • Tamb- typ. — 25 à 4- 125° C
• Tension de sortie du comparateur • Boîtier type QUIL 16
de phases typ- ± 3V

27
 TAA 811 TAA 812 . AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS
Amplificateurs opérationnels d'usage général et de très haute perfor­
mance. Ces circuits ne nécessitent qu’une seule capacité extérieure
pour la compensation en fréquence.
TAA 811 TAA 812
Tension d'alimentation de ± 5 V de ± 5 V
à ± 20 V à ± 20 V
Gain en bande ouverte (RL 3= 2 K12) typ. 150 000 160 000
Réjection de mode commun typ. 90 dB 90 dB
Tension de décalage à l'entrée
(RL st 10 K12) typ. 2 mV 1 mV
Résistance d’entrée différentielle typ. 400 K12 800 K12
Excursion de la tension de sortie
(RL = 10 K12) typ ± 12 V ± 12 V
Tamb 0 à 70 °C — 55à + 125°C
Boîtier type TO-99 TO-99

TAA 840 . RÉCEPTEUR AM

Le TAA 840 est un récepteur intégré PO-GO comprenant
toutes les fonctions d'un superhétérodyne à l'exeption
de l'étage de sortie de puissance BF.
— Tension d'alimentation : 6 ou 9 V
— Sensibilité intrinsèque (Po = 50 mW) : Typ. 3 uV
— Sensibilité utilisable (S/B = 26 dB) : Typ. 20 y.V
— Gamme de CAG : Typ. 64 dB
— Tamb : — 20 à + 55 °C
— Boitier : Type DIL 14.

TAA 952 - AMPLIFICATEUR AF DE PUISSANCE

— Tension d'alimentation : typ. 12 V
— Puissance de sortie (RL = 8 12 dtol = 10 %) : typ. 1,1 W
— Gain en tension (f = 1 kHz) : typ. 58 dB
— Distorsion à 300 mW (Rs = 600 12) : typ. 2 %
— Résistance d'entrée : typ. 600 12
— Tamb : — 55 à + 1 25 °C
— Boitier : Type TO - 100.

APPLICATION TYPE
Amplificateur de puissance pour équipements embarqués.

28
TAA 970 - AMPLIFICATEUR FAIBLE NIVEAU
Le TAA 970 est un amplificateur faible niveau essentiellement destiné
aux récepteurs téléphoniques, où, associé à des capsules piézoélec­
triques ou électrodynamiques, il permet le remplacement des capsules
au carbone.
Courant d'alimentation : 1 0 à 1 00 mA
Gain en tension : 300
Tension de sortie (dtol =5 5 %) typ 1,4 V
Impédance de sortie : 100 Q
TOmb : 0° à + 70 °C
Boîtier : type TO 74

TAB 101 - MODULATEUR - DÉMODULATEUR EN ANNEAU

De par son monolythisme, ce circuit présente une excellente similitude
des quatre transistors et de ce fait diminue considérablement les risques
de diaphonie.
Icbo à Vcb = 5 V : max 1 00 nA
Appariement à Vcb = 5 V
lE =150 uA
VBE1 — VBE2 : max 5 mV
VBE3 — VBE4 : max 5 mV
h2ibi — h2,b2 : max 8,10—3
h2ib3 — h2ib4 : max 8,1 O—3
Tamb : 0 à + 75 °C
Boîtier : type (TO-74)

APPLICATION TYPE
Modulateur-Démodulateur pour téléphonie à courant porteur.

TBA 221 TBA 222

Amplificateurs opérationnels à haute performance ne nécessitant
aucun composant extérieur pour la compensation en fréquence et
présentant une protection contre les courts-circuits.
TBA 221 TBA 222
— Gain en boucle ouverte typ- 100 000 200 000
— Taux de réjection de mode
commun typ- 90 dB 90 dB
— Résistance différentielle d'entrée typ. 1 MO 1 MO
— Excursion de la tension
de sortie ( R L 2= 10 KO) typ- ± 14 V ± 14 V
— Consommation à vide typ- 50 mW 50 mW
— Tension de décalage typ- 2 mV 1 mV
"^amb 0° C à + 70° C — 55° C
à + 125° C
— Boîtier typ. TO 99 TO 99
ou DIL 14

29
 TBA 281 - RÉGULATEUR DE TENSION
Le TBA 281 est un régulateur de tensions positives ou négatives. La
tension négative peut varier de 2 V à 37 V et le courant de sortie at­
teindre 1 50 mA. Ce dispositif est protégé contre les courts-circuits de
la charge.
— Régulation de ligne (12 V « V, « 15 V) : typ 0,01 % Vo
— Régulation de charge (1 MH l|_ 50 mA) : typ 0,02 % Vo
— Stabilité en température : typ 2010'6/°C
— Stabilité à long terme : typ 0,1 %/1 000 h
— Tamb 0 à + 70“ C
— Boîtier :typeTO-100

TAD 100 - RÉCEPTEUR AM-PO-GO

Le TAD 100 est un circuit intégré monolitique conçu pour les récepteurs AM. Il remplit les fonctions de mélangeur, d'oscillateur local,
d’amplificateur Fl avec CAG, de détecteur et de préamplificateur AF.
L'étage de puissance AF n’est pas intégré laissant ainsi toute latitude dans la détermination du niveau de puissance de sortie par un
choix approprié de transistors discrets.
— Tension d’alimentation : 6 ou 9 V
— Sensibilité brute (Po — 50 mW) : typ. 5 V
— Sensibilité utilisable (S /B = 26 dB) : typ. 30 V
— Gamme de CAG : max. 60 dB
— Tamb : — 25 à 1 55 “C
— Boîtier : type DIL 14

30
 15.24

nnnnnnnnnnnn
24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13

I---------------------------------------1

I I

(TO-74) (TO-100)
X BOITIER 24 broches
5,33 • max
F 1
? 5 It

r i At A g a ÜUUULJLJUUUUUU
i i—J'K g t
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1—ï ;
1,14 max-*-4-*

(TO-91)
rvt -
-------------------- i

I r----------- ——; p i
<o' 3 i-------------------- F=^-’ r
I 4 C- d
Ll^=M U - *-J

1,27—1
r 0,127
r-..... .---------- !
r.J
^~0,75

(TO-99)

*•04.06 ••max max*- •• ■ 0 0,48 max

* 0 5.08 -U *4 4,69 -i 1*1.01 max

31
GO
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