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INTRODUCTION

L’évolution rapide de l’électronique, en particulier de la microélectronique

fait courir le risque à toute publication dans ce domaine d’être désuète.

Ce document d’électronique aux petits signaux, a été mis sur pied comme
document didactique pour améliorer la compréhension aux apprenants de la 3ème
humanité Electronique et de la 5ème humanité Electricité et Mécanique automobile.

Passant progressivement de la structure de la matière d’un atome, aux semi-

conducteurs de base, puis à l’étude de plusieurs composants électroniques actifs, on
aboutit à la description des circuits complexes, tels amplificateurs ou circuit des lampes
clignotantes, …

Ce document met l’accent sur la composition interne, les propriétés, les

caractéristiques électriques, les modèles électriques équivalents, l’utilisation et les
applications des composants électroniques à base de semi-conducteur, entre autres la
jonction PN, les diodes au cristal et les transistors bipolaires.

L’art de l’ingénieur est de savoir choisir le modèle adéquat en fonction du

but visé, cette faculté ne s’acquiert que par une longue étude approfondie en appui ave
des pratiques ; la confortation des résultats expérimentaux avec ceux escomptés. Le but
de ce document est d’apporter les indispensables des bases de la théoriques à la matière
d’électronicien.

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CHAPITRE 1. STRUCTURE DE LA MATIERE

1.1. Généralités

Une matière est tout ce qui nous entoure dans la nature possédant une masse et qui
peut occuper un volume, par exemple le bois, la craie, l’homme, … La matière est
l’ensemble des grains élémentaires, appelés des atomes, un atome par définition est la
plus petite particule de la matière qu’on peut plus diviser.

L’atome étant la dernière division de la matière, il participe aux réactions

chimiques, cependant l’ensemble de deux ou plusieurs atomes forment une molécule. La
plus petite particule d’un corps ou d’une matière qui puisse à l’état libre garder toutes les
propriétés de ce corps.

1.2. Etats et caractéristiques macroscopiques de la matière

La matière existe sous 3 formes connues : le solide, le liquide et le gaz

- Solide : les molécules ont moins de libertés, leurs mouvements se réduisent à des
simples oscillations autour de position de l’équilibre. Cet état est condensé et qui
peut être ordonné (état cristallin) ou désordonné (état amorphe) ; un solide possède
à la fois un volume et une forme propre ;

- Liquide :les molécules sont au contact les unes des autres, leurs mouvements sont
très limités, mais il existe encore une agitation moléculaire et leurs positions
relatives se modifient d’une façon continue. Ils constituent un état fluide càd
déformable, c’est un état condensé désordonné. Un liquide possède un volume
propre, mais pas de forme propre ;

- Gaz : les molécules sont très éloignés les unes des autres, d’autant plusque la
pression est plus faible. C’est un état non condensé et totalement désordonné, un
gaz n’a pas de volume propre, de même les gaz sont doués d’expansibilité : Ils
occupent tout le volume qui lui est offert.

La figure 1.1 ci – contre représente la matière dans les états :

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Fig. 1.1

Pour le gaz, les électrons cherchent à évoluer vers un état d’équilibre. D’autant la
pression est faible, d’autant que les molécules sont éloignées, elle peut se calculer sous
cette formule : PV = nRT ; dit la loi de gaz parfait. Avec P : pression, V : volume, R :
constante de gaz parfait égale à 0,831 et T : température en degré kelvin (°K). Où,
1°C = (1+273) °K.

Cependant, il existe d’autres états comme le plasma : gaz chauffé à une

température élevée et quelques états colloïdaux (aérosol « ensemble des particules
solides ou liquides en suspension dans un milieu gazeux »)

1.3. Structure atomique

L’atome étant neutre constitué d’un noyau central et des électrons qui gravitent
autour du noyau. L’électron est négatif avec une charge de -1,6.10-19C, et le noyau de
l’atome à son tour est constitué des protons et neutrons. Le proton est une charge
positive, et sa charge est de +1,6.10-19C, tandis que le neutron est neutre càd une particule
qui n’a pas de charge.

La charge de l’atome est égale à la somme des charges partielles :

Qatomes = Qélectron+ Qproton + Qneutre= -1,6.10-19 + 1,6.10-19 + 0 = 0

Comme les électrons ont tendances de ses repousser ou ont tendance de s’attirer
(autrement s’attacher) à l’atome. Nous pouvons calculer la force d’attraction ou de
répulsion, par la relation suivante :

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Légende

F : force en Newton (N)

q : charge, en coulomb (C)
r : distance, en mètre (m)
: Permittivité absolue du vide, est une constante ( )

Soit la représentation conventionnelle d’un atome par la figure (1.2) ci – dessous :

Électron
Couche électronique
Noyau
+

Fig. 1.2
En équilibre, l’atome est électriquement neutre, car le nombre d’électrons est égal
au nombre des protons. Les électrons se répartissent en couche, de la plus proche à la
plus éloignée du noyau. Ces couches sont habituellement désignées par les lettres
suivants : K, L, M, N, O, P et Q ; ou par les numéros de 1 à 7, dans l’ordre respectif :
- La couche K (n=1) ; peut accueillir 2 électrons
- La couche L (n=2) ; peut accueillir 8 électrons
- La couche M (n=3) ; peut accueillir 18 électrons
- Soit en règle général : 2.n2 électrons maximum par couche.
La couche la plus extrême d’un atome est appelée « couche périphérique ou
couche de valence ou encore couche électronique» ; elle désignée par la lettre Q (n=7).
Voir la figure (1.3) ci-dessous :
Q
P
O
N
M
+ L
K

Fig. 1.3
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1.4. Nombre d’Avogadro

La grandeur utiliséepar les chimistes pour spécifier la quantité d’éléments ou de

composés chimiques est appelée « quantité de matière ». La quantité de matière est
définie comme étant proportionnelle au nombre d’entités élémentaires d’un échantillon,
la constante de proportionnalité étant une constante universelle identique pour tous les
échantillons. L’unité de quantité de matière est appelée la mole, symbole mol, et la mole
est la quantité de matière d’un système contenant autant d’entités élémentaires qu’il y a
d’atomes dans 0,012 kilogramme de carbone 12. Donc elle est définie en fixant la masse
de carbone 12 qui constitue une mole d’atomes de carbone 12. Par un accord
international, cette masse a été fixée à 0,012 kg, càd 12 g. càd une mole d’atome est
constituée d’un NA particules/mol ; avec NA correspondant au Nombre d’Avogadro
(NA = 6,022.1023 mol-1).

1.4.1. Conversion du nombre d’atomes en moles

Avec ; Nombre de mole = /𝑀
24
Soit un échantillon contenant 1,29 .10 atomes d’hydrogène
23
Nombre de moles d’H= nombre d’atome H/ NA= (1,29.1024)/(6.022.10 g)= 2,14 moles

1.4.2. Unité de masse atomique, masse molaire atomique et moléculaire, volume

molaire
 Masse molaire, masse atomique:
La masse molaire d’un élément est la masse d’une mole d’atomes de cet élément.
La masse molaire d’un composé moléculaire est la somme des masses molaires des
éléments constituants.

 Calcul de masse molaire :

-24 -1
Masse molaire d’H : M(H)= 1,674.10 g x NA= 1,0079 g.mol
-23 -1
Masse molaire d’O : M(O)= 2,657.10 g x NA= 16 g.mol
-1
Masse molaire de H2O : M(H2O)= M(O) + 2.M(H)= 18,02 g.mol

 La masse atomique :
Masse atomique = NA x masse d’un seul atome (g/mol)

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 Unité de masse atomique (uma, u) :

12
Elle représente 1/12èmede la masse d’un atome neutre du l’isotope carbone-12 ( C) dans
son état fondamental
12 -24 -27
1 uma = 1 u = 112 m ( C) = 12 𝑔/ 𝑜𝑙𝑁𝐴. 112 = 1,6605402.10 g = 1, 6605402.10 Kg
12
Masse d’un atome de carbone-12 ( C)= 12 uma

 Volume molaire :

- Le volume molaire (Vm) est le volume occupé par une mole de substance, il dépend
de l’état de la substance

Vm= 𝑉/𝑛
Comme n = /𝑀 donc Vm =𝑣/ ( /𝑀) = 𝑀𝑣/ ; or 𝑣/ est l’inverse de la masse
volumique 𝜌 donc :
Vm = M/𝜌
3
- cas des liquides : acide sulfurique H2SO4 Vm = 53,5 cm /mol
- cas des Gaz : une mole de gaz occupe un volume de 22,414 litre, V m= 22,414 L/mol
dans les conditions normales de température et de pression (CNTP) T=25 °C, P= 1
atm

1.5. Notions d’Energies

Comme l’électron tourne autour du noyau avec une vitesse, il produit une énergie
cinématique et en raison de sa position par rapport au noyau, il possède également de
l’énergie potentielle.
L’énergie cinématique (EC) d’un électron est donnée par la relation suivante :
Avec ; et

Après remplacement et développement mathématique, EC devient :

-19
En joule (J) ; où Qé = 1,6.10 C

L’énergie potentielle (EP) d’un électron est donnée par la relation suivante :

; Avec

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Après remplacement et développement mathématique, EP devient :

En joule(J)
Et, il y a moyen de déterminer l’énergie totale d’un électron par l’expression
suivante :
ET = EC + EP

1.6. Etats d’un atome

1.6.1. Etat fondamental (ou Etat Stable)
La théorie de Bohr, montre que chaque orbite (ou couche) repérée par une valeur
de n (n = 1…..7) est caractérisée par un niveau d’énergie qui lui est propre. Par ailleurs,
l’énergie total étant négative, le niveau d’énergie le plus bas est appelé
« état fondamentale » càd c’est l’état correspondant à la plus petite valeur de n.(n-1) et
à la plus petite valeur de r (distance).

1.6.2. Etat excité (ou Etat Instable)

Pour qu’un électron passe d’un niveau d’énergie au niveau d’énergie supérieur, il
faut fournir de l’énergie à l’atome, puis il passera sur une couche plus éloigné du noyau
et on dit que « l’atome est excité »
Inversement un atome qui a perdu de l’énergie peut dans certaines conditions la
rayonner, càd qu’un atome excité est dans un état instable et il tend à revenir à son état
fondamental (normal) en libérant la quantité d’énergie absorbée sous forme d’une
radiation lumineuse.

1.6.3. Etat ionisé

Nous savons que la fourniture de l’énergie a pour conséquence le déplacement de
l’électron sur des orbites plus éloignées du noyau. Pour une énergie suffisante, l’électron
atteint une trajectoire infinie et devient libre, on dit que « l’atome est ionisé »

Pour un atome qui a perdu un ou plusieurs électron(s) devient un ion positif (ou un
Cation), par contre un atome qui a gagné un ou plusieurs électrons supplémentaires
devient un ion négatif (ou un Anion)

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1.7. Liaisons interatomiques

1.7.1. Définition
La liaison chimique est le mode d’attraction des atomes dans une molécule au dans
une substance

1.7.2. But
Le but de ces liaisons est de permettre aux atomes de (d’) :
- Acquérir la configuration électrique des gaz rares, à titre d’exemple ;
- Stabiliser une réaction chimique ;
- Réaliser un octet ;
- Former les molécules.

1.7.3. Sortes de liaisons

1.7.3.1. Liaison électrovalence (ou ionique)

Est une liaison qui consiste à transférer ces électrons célibataires d’atomes
métalliques à des atomes no- métalliques. Càd elle résulte de l’attraction électrostatique
entre anions et cations.

Exemple

+ +

Fig. 1.4
Na (11 és et 11 protons) cl (17 és et 17 protons)
Après déplacement, Na est devenu Na+ et Cl va gagner cet électron ==> couche
externe saturée (K) 2(L) 8 (M) 8===> ainsi Cl est devenu Cl—

+ +
Fig.1.5

Na (10 és et 11 protons) cl (18 és et 17 protons)

Couche extrême saturée Couche extrême saturée

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1.7.3.2. Liaison covalente

Par définition, la covalence, est une liaison qui consiste à la mise en commun
des atomes par les électrons. Càd elle résulte de la mise en commun entre 2 atomes
d’une ou plusieurs paires d’électrons: chaque atome fournit un e - par doublet mis en
commun. Les atomes se lient entre eux pour saturer leur couche externe et acquérir une
stabilité chimique (règle de l’octet).

Exemple
H H

Fig. 1.6

Avec H : atome d’Hydrogène

a. Types de liaisons covalentes

Liaison de covalence SIMPLE

Une LIAISON COVALENTE SIMPLE résulte de la mise en commun entre deux

atomes d’une seule paire d’électron. Chaque atome fournit 1 électron.
Exemples : Molécule de d’hydrogène : H2O

Liaison de covalence DOUBLE

Une LIAISON COVALENTE DOUBLE résulte de la mise en commun entre deux

atomes de deux paires d’électron. Chaque atome fournit 2 électrons célibataires
(1 électron par paire en commun)
Exemples : Molécule de dioxygène : O2

Liaison de covalence TRIPLE

Une LIAISON COVALENTE TRIPLE résulte de la mise en commun entre deux atomes
de trois paires d’électron. Chaque atome fournit 3 électrons célibataires (1électron par
paire mise en commun).

Exemples : Molécule de diazote : N2

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CHAPITRE 2. SEMI-CONDUCTEURS

2.1. Introduction
Nous avons montré que dans un atome isolé, un électron soumis à l’action de son
noyau occupe un niveau d’énergie bin déterminé. Si l’électron est soumis à l’action d’un
deuxième noyau, il y a un phénomène de dédoublement, de cette façon le niveau
d’énergie de l’atome isolé est remplacé par une bande d’énergie.

2.2. Définition
Un semi-conducteur (S.C), est un matériau qui a les caractéristiques électriques
d’un isolant, mais pour lequel la probabilité qu’un électron puise passer de la bande de
valence à la bande de conduction est non nulle.
En outre, un SC est un corps qui est intermédiaire entre les isolants et les
conducteurs, càd il devient isolant à l’augmentation de la température et conducteur en
présence des impuretés (dopage), donc à la basse température.

2.3. Théorie des bandes d’énergies

Soit la modélisation des valeurs d’énergies que peuvent prendre les électrons d’un
solide représenté par la figure 2.1 ci – après :

Fig. 2.1

Bande de Valence : les électrons de la B.V contribuent à la cohésion locale du solide et

sont des états localisés

Bande de Conduction : les électrons de la B.C sont délocalisés et participent donc à la

conduction électrique.

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La conductivité d’un semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux

(conducteurs) et des isolants. Voir la figure 2.3 ci-dessous :

Fig. 2.3
Pour les trois matériaux, en terme de résistivité nous savons constater que :

 Isolants (verre, diamant, SiO2, . . .) : ρ ∼ 1010 `à 1022Ωcm ;

 Métaux (Cu, Al, . . .) : ρ ≈ 10−6 Ωcm ;

Observation : ρ(T) augmente si T augmente

 Semi-conducteurs (Ge, Si, GaAs, GaN, . . .) : ρ varie de 10−3Ωcm `à 109Ωcm.

Il s’agit de douze ordres de grandeurs !
Observations : ρ diminue si T augmente et ρ peut varier considérablement en présence
d’impuretés (dopage).

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2.3.1. Isolants
Dans les isolants, les bandes d’énergies les plus faibles sont entièrement pleines.
La hauteur de la bande interdite est très grande ( 5eV). Il n’y a pas des niveaux
d’énergies accessibles et pas de conduction
Ce sont des corps qui possèdent plus de quatre électrons ou plus de sept électrons
sur leurs couches périphériques et ont une résistivité trop élevée. Leur bande de valence
est saturée (totalement remplie), alors que la bande de conduction est entièrement vide,
ces deux bandes sont séparées par une bande interdite de très large Gap. Voir la figure
2.4ci – dessous :

E (eV)

Bande de Conduction
(vide)

Bande Interdite
(Gap 5eV)

Bande de Valence
(Remplie) Fig. 2.4

2.3.2. Conducteurs
Dans les conducteurs ou métaux la dernière bande occupée est partiellement
remplie par des électrons libres qui proviennent de la bande de valence, alors il existe
beaucoup des niveaux disponibles et la conduction est grande pour les bons conducteurs
ou métaux.
Un conducteur (ou métal) par contre n’a pas de bande interdite, les bandes de
conduction et de valence ses chevauchent càd ses suivent immédiatement, ainsi le
déplacement des électrons de valence entre les différents niveaux sont faciles. Voir la
figure 2.5ci – dessous :

E (eV)

Bande de Conduction
(Partiellement remplie)
Bande de Valence

Fig. 2.5

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Conduction électrique dans le solide

Dans le modèle classique, un corps est isolant s’il ne contient pas des électrons
mobiles, par ailleurs dans un conducteur des électrons sont peu liés aux noyaux et
peuvent se déplacer dans le réseau cristallin. Càd les conducteurs ont la propriété de
permettre un passage facile du courant électrique, cette propriété est due au fait que les
électrons se libèrent facilement pour circuler.
Pour entretenir la différence de potentielle (d.d.p) nécessaire à la création du
champ électrique, on doit fournir une certaine énergie. Cette énergie a pour mission de
faire passer les électrons de la borne négative à la borne positive du générateur d’énergie
électrique. Voir la figure (2.6) suivant :

V
+

Fig. 2.6

Remarque : les électrons se déplacent dans le sens contraire du déplacement du champ

électrique

 Pour évaluer l’intensité du courant électrique on calcul la charge (ou la quantité

d’électricité) qui traverse une section pendant une durée, on utilise la relation
suivante :

 La vitesse moyenne des électrons constants est proportionnelle au champ électrique et

à la mobilité de ces électrons :

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 Si e est la charge d’un électron en valeur absolue, n est la densité des électrons libres
(ou concentration en électrons libres) en (m-3), est la mobilité des électrons en
(m2/sv) ; leur vitesse moyenne en (m/s), dans une barre de longueur L en (m), de
section S en (m2), avec une tension V entre les extrémités en volt (v) ; nous pouvons
calculer autrement le (la) :
 Courant électrique (I) en (A) par la relation suivante :

 Densité du courant (J) en (A/m2) par la relation suivante :

( ) ( ) ( )

 Conductivité électrique ( ) en (Ω-1m-1 ou siemens par mètre « s/m ») d’un métal

par la relation suivante :

 Résistivité électrique ( ) en (Ωm) d’un corps par la relation suivante :

 Champ électrique ( ) en (v/m ou N/C) par la relation suivante :

 Autre relation de la densité du courant :

( ) ( )

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Tableau de résistivité de quelques matières

Matières Résistivité
(Ωm)
Argent 1,5.10-8
Cuivre 1,6.10-8
Aluminium 2,6.10-8
Tungstène 5.10-8
Fer 10.10-8
Nickel 12.10-8
plomb 22.10-8

2.3.3. Semi-conducteurs
2.3.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs)

Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le Germanium (Ge) et le Silicium (Si), Les
semi-conducteurs (germanium et surtout silicium dont les propriétés sont indiqués en
annexe) possèdent 4 électrons sur leur couche périphérique car ils appartiennent à la 4ème
colonne de la classification périodique des éléments. Il est possible de les produire avec
un haut degré de pureté (moins de 1 atome étranger pour 10 11 atomes de semi-
conducteur) : on parle alors de S.C. intrinsèque.

Par définition un SC intrinsèque est un SC qui ne comporte que 4 éléments (ou

électrons) de même corps. Cependant un SC est un conducteur à zéro absolu (273°K) et
un isolant lorsqu’il y a augmentation de la température. Ce sont des corps dont la
résistivité se classe entre celle des conducteurs et des isolants, Ils appartiennent au groupe
IV de la classification de Mendeleïev chaque atome possède 4 électrons de valence.

Dans un semi-conducteur la bande de valence est remplie, la bande interdite est

étroite 1,12 eV pour le Silicium et 0,75eV pour le Germanium et celle de conduction est
vide. Pour qu’un électron puisse passer de la bande de valence vers la bande de
conduction, il faut lui fournir une énergie (thermique ou lumineuse) au moins égale à
celle de la bande interdite (E0=1eV). Voir la figure (2.7) ci - contre :

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E (eV)

Bande de Conduction
(vide)

Bande Interdite
(Gap = 𝚫E)

Bande de Valence
(Remplie)

Fig. 2.7
La figure 2.8 correspond à une représentation sur un plan de la structure. Les
traits figurent les électrons de valence. La théorie de bande d’énergies appliquées aux
semi-conducteurs amène à considérer une bande de valence entièrement pleine qui est
séparée d’une bande de conduction par une bande interdite distante de l’énergie . Dans
un SC l’écart en énergie séparant les deux bandes est assez faible pour autoriser, à
température ambiante, le passage d’un bon nombre d’électron de la bande de valence vers
la bande de conduction.

Fig. 2.8

2.3.3.2. Semi-conducteurs extrinsèques (ou impurs)

L’introduction en quantité très faibles des impuretés dans un SC intrinsèque

(dopage), peut augmenter dans une proportion considérable le nombre de porteurs de
charges (électrons libre ou trous) et réduire ainsi la résistivité du matériau. Ainsi le SC est
dit extrinsèque.

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Les impuretés utilisées sont de valences 3 ou 5, Pour améliorer les propriétés

des éléments du SC et conduisent à deux types différents de SC extrinsèques, à savoir le
SC du type P et le SC du type N. Càd pour doper (injecter les impuretés dans un SC pur)
un SC de type monomère, il faut prendre les SC de la Ve famille pour obtenir le SC du
type N, soit de la IIIe famille afin d’obtenir le SC du type P.

a. Semi-conducteur du type P
On obtient un S.C. dopé de type P en injectant dans le silicium des atomes de la
3° colonne (bore, aluminium, indium, …) qui possèdent trois électrons périphériques.

Exemple

Fig. 2.9
Il manque ainsi un électron à l’atome trivalent pour réaliser les liaisons
covalentes avec les quatre atomes de silicium qui l’entourent (figure 2.9). En fait, les
électrons participant aux liaisons sont indiscernables les uns des autres. Tout ce passe
alors comme si un des atomes de silicium voisin avait cédé un électron à l’atome trivalent
de bore, créant ainsi un trou dans le cristal de silicium. L’atome de bore qui capte un
électron est appelé atome accepteur, il a perdu sa neutralité pour devenir un ion négatif
fixe.
A la température ordinaire, la quasi-totalité des atomes accepteurs sont ionisés.
Si NA est la concentration par cm3 des atomes accepteurs, ceux-ci vont libérer : p = NA
trous libres. Les concentrations en électrons libres (n) et en trous libres (p) sont liées par
la loi d’action de masse. P signifie que Les trous sont les porteurs majoritaires et les
électrons les porteurs minoritaires

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b. Semi-conducteur du type N
On obtient un S.C. dopé de type N en injectant dans le cristal de silicium des
atomes qui possèdent 5 électrons sur leur couche périphérique (phosphore ou arsenic de
la 5° colonne de la classification de Mendeleïev).

Exemple

Fig. 2.10
Quatre de ces cinq électrons sont mis en commun avec les atomes de silicium
voisins pour réaliser des liaisons de covalences (figure 2.10). Le 5° électron, inutilisé, est
très faiblement lié à l’atome pentavalent. Une très faible énergie suffit pour le libérer et il
se retrouve “libre” dans la bande de conduction. L’atome de phosphore qui a fourni un
électron libre est appelé atome donneur. Il a perdu sa neutralité pour devenir un ion
positif fixe.
A la température ordinaire, la quasi-totalité des atomes donneurs sont ionisés.
Si ND est la concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont libérer n = ND électrons
libres. Les concentrations en électrons libres (n) et en trous libres (p) sont liées par la loi
d’action de masse. N signifie que Les électrons sont les porteurs majoritaires et les
trous les porteurs minoritaires.

2.4. Applications
Les applications de S.C sont :
- La jonction PN ;
- Les circuits intégrés ; …

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CHAPITRE 3. JONCTION PN

3.1. Introduction

La jonction PN est l’assemblage de deux composants SC de type P et SC de type N

dans un cristal, à l’aide d’une technologie appropriée. Il se produit des modifications
internes dans une région de faible épaisseur dépourvue des porteurs de charges, appelée
« zone de transition » ou carrément « Jonction »

En outre, une Jonction PN, est une zone neutre intermédiaire entre les SC dopés
positivement (type P) et dopé négativement (type N). La figure 3.1 suivante représente la
jonction PN

P N

Fig. 3.1 Jonction

3.2. Mécanisme de formation de la Jonction PN

Il est aisé de s'imaginer ce qui se passe lorsque deux zones SC de dopage P et N
sont réalisées sur une même plaquette. A la jonction (réunion) des deux zones, les
porteurs de charges mobiles se combinent et il apparaît une zone d'espace vide de
porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante.

Fig. 3.2
En observant attentivement la polarité résultante des charges électriques de la zone
isolante, on s'aperçoit qu'elle est inverse à la polarité de la région de dopage: charge
positive dans la zone N et charge négative dans la zone P. Cela signifie qu'une jonction
PN non alimentée est à l'image d'un condensateur, à savoir deux zones conductrices
séparées par une zone isolante.

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Les connexions avec le milieu extérieur sont réalisées par des contacts métalliques,
appelée électrode, par construction la jonction entre métal et semi-conducteurs sont
purement ohmique. Dès que la continuité (contact) du cristal est réalisée entre les deux
types de SC, il y a les phénomènes suivant :
- Des trous diffusent de la région P vers la région Net y pressent des électrons ;
- Des électrons diffusent de la région N vers la région P, et y sont par des trous.
Ainsi, entre le SC de type P et SC de type N, il se crée une mince zone de
transition (environ un micromètre d’épaisseur) pratiquement dépourvu des porteurs de
charges et apparition des ions fixes provenant des atomes du dopeur : Ions négatifs du
coté P et Ions positifs du coté N.

3.3. Etude de la Jonction à l’état d’équilibre

Soit la figure 3.3 représentant une jonction PN

A B

P N

Jonction (ou zone de transition)

Fig. 3.3
Les porteurs N et P qui se trouvaient entre les points A et B, se sont recombinés a
raison d’un électron pour un trou, il en résulte que, la zone de transition ne contient pas
des porteurs de charges. Il y a autant d’ions négatifs entre A et la région P, que d’ions
positifs entre B et la région N ; en général cette zone comprise entre A et B est neutre.
Ces ions de part et d’autres constituent des charges de signes contraires, qui créent
un champ électrique ⃗ orienté de la région N vers la région P et une tension VO, appelée
barrière de potentiel. Ce champ électrique repousse de part et d’autre les porteurs de
charges majoritaires (électrons et trous), et on dit que la jonction est à l’état de
l’équilibre.
Après l’équilibre, seul les porteurs de charges minoritaires (électrons et trous)
descendent la barrière de potentiel, càd induisent le courant de diffusion et les porteurs de
charges majoritaires créent le courant de saturation. En l’absence de polarisation, ces
deux courants sont égaux.

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3.4. Polarisation d’une Jonction

3.4.1. Polarisation d’une jonction en directe
La polarisation en directe (ou dans le sens passant) d’une jonction PN consiste à
relier la borne positive de la de source de tension E à la zone P et la borne négative à la
zone N. Il en résulte alors, la disparition de la barrière de potentiel, et la jonction se
comporte comme un fil conducteur (càd un interrupteur fermé).
𝜺𝒆𝒙𝒕
𝜺𝒊𝒏𝒕
P N
I
E
+

Fig. 3.4
Dans cette situation le champ électrique externe crée par le générateur de
tension s’oppose au champ électrique interne , un courant des majoritaires s’établit à
travers la jonction. Il existe pour une jonction PN, une tension de seuil, qui est
caractéristique du matériau utilisé :
- Pour le Ge : VO = 0,2 à 0,3V
- Pour le Si : VO = 0,6 à 0,7V

3.4.2. Polarisation d’une jonction en inverse

La polarisation en inverse (ou dans le sens bloquant) d’une jonction PN, revient à
inverser les cordons de la source aux régions qui constituent la jonction PN, càd la borne
positive de la source à la zone N et la borne négative à la zone P.
𝜺𝒆𝒙𝒕
𝜺𝒊𝒏𝒕
P N

Fig. 3.5

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 P a g e | 22

Dans cette situation le champ électrique externe crée par le générateur fém.
de (Einv) s’ajoute au champ électrique interne de la jonction. La hauteur de la
barrière de potentiel augmente. Cela entraine que l’épaisseur de la zone de transition est
proportionnelle à √ .

En effet, il en résulte l’élargissement de la barrière de potentiel, et la jonction est

bloquée, donc il y a aucun passage du courant définit par les porteurs de charges
majoritaires ; néanmoins seul un petit courant définit par les porteurs de charges
minoritaires, appelé courant inverse de saturation « IS» ou courant de fuite, est
possible de traverser la jonction.

3.5. Applications
Parmi les applications technologiques de la jonction PN, nous pouvons citer :
- Les Diodes ;
- Les Transistors ;
- Les Thyristors ;
- Le Diac ;
- Les Triac ; …

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 P a g e | 23

CHAPITRE 4. DIODES AU CRISTAL

4.1. Introduction

La diode est le composant électronique de base : on ne peut pas combiner du

silicium dopé plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un
interrupteur commandé par une tension de seuil (Vd), qui ne laisse passer le courant que
dans un seul sens.

4.2. DIODE A JONCTION

4.2.1. Définition

Une diode à jonction, est un composant électronique actif unidirectionnel, càd qui
ne laisse passer le courant que dans un seul sens et dans l’autre elle reste bloquée.

4.2.2. Symbole
Le symbole d’une diode à jonction est représentée par la figure 4.1 suivant :

Fig. 4.1
La diode est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes sont l’Anode (A)
et la cathode (K)

4.2.3. Constitution
La diode à jonction est un dispositif comportant une jonction PN dont les régions P
et N sont reliées à deux bornes, d’où la constitution d’une diode est similaire à celle
d’une jonction PN, raison pour laquelle on l’appelle aussi diode à jonction, représentée
par la figure 4.2 suivantes :

Fig. 4.2

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 P a g e | 24

4.2.4. Caractéristiques électriques

Fig. 4.3

- En direct la diode conduit mais il y a « une tension de seuil ». L’équation de la

(Vak /kT)
fonction est en direct, I = Is.e où kT = 25millivolts à 25°C ;
- En direct Vak<1volt ;
- En inverse le courant est pratiquement nul (I<1μA), on dit que la diode est
bloquée ;
- En inverse le module de la tension ne doit pas atteindre Vrrm car ce niveau détruit
le composant ;
- On trouve dans le commerce des composants spécifiés avec Vrrm de 20V à 1000V
et des valeurs de I maximum de10mA à 2000A. Pour les forts courants les
composants doivent être montés sur un dissipateur.

4.2.5. Courbes caractéristiques

Fig. 4.4

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4.2.6. Modèle électriques de diodes

Pour étudier les structures électroniques on est conduit dans un but de

simplification à linéariser la fonction I = f(Vak) en direct. En fonction du problème à
traiter différentes hypothèses peuvent être envisagées :

A A
IA

IA
VDO

VDO

RD
K K

Fig. 4.5.a Fig. 4.5.b Fig. 4.5.c

Modèle d’une diode idéale sans seuil

La caractéristique et modélisation électrique d’une diode idéale (ou parfaite) sans

seuil est représentée par la figure 4.5.a :

- Sous polarisation négative, elle se comporte en interrupteur ouvert, pour lequel

;
- Dans le sens passant elle ne pose aucune résistance à la circulation du courant
électrique et une tension est relevée à ses bornes : . Elle est dans
ce cas assimilée à un interrupteur fermé.

Modèle d’une diode parfaite avec seuil

Il s’agit du modèle le plus utilisé (figure 4.5.b) car il prend en compte le défaut
principal d’une diode réelle à savoir la chute de tension que celle – ci engendre à l’état
passant :

- Pour , le modèle électrique associé est un interrupteur ouvert ;

- VD reste fixée à VDO à l’état passant

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 P a g e | 26

Modèle d’une diode réelle avec résistance dynamique

S’il est nécessaire de tenir compte de la résistance dynamique de l’état passant, on
peut exploiter la modélisation donnée en figure 4.5.c :
- Pour , le modèle électrique associé est toujours un interrupteur ouvert ;
- Pour ; la diode est en conduction et engendre une chute de tension égale
à

4.2.7. Polarisation

a. Polarisation en sens direct

Polariser une diode en directe, revient à respecter la polarité, càd relier la borne
positive de la source de tension à l’Anode (A) et la borne négative à la cathode (K) de la
diode. Il en résulte que la diode se comporte comme un fil conducteur. Alors on dit que la
diode est passante. Voir la figure 4.6 suivante :

Fig. 4.6

Nous constatons qu'un courant électrique circule. La jonction est conductrice en

présentant une différence de potentiel de 0,6 - 0,7 volts à ses bornes pour le cas d’une
diode au silicium. La diode conduit et nous pouvons idéaliser ce fonctionnement en le
remplaçant par un générateur DC (0,6 - 0,7V) et un interrupteur fermé. Nous parlons de:
polarisation dans le sens passant, ou sens direct; courant direct; en anglais "forward".

b. Polarisation en sens inverse

Polariser une diode en inverse, consiste à inverser la polarité, càd relier la borne
positive de la source de tension à la cathode (K) et la borne négative à l’Anode (A) de la
diode. Il en résulte que la diode se comporte comme un interrupteur ouvert. Donc la
diode est bloquée. Voir la figure 4.7ci – contre :

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 P a g e | 27

Fig. 4.6
Nous constatons que la zone vide de porteurs de charges s'élargit. La jonction est
isolante. La diode est bloquée et nous pouvons représenter cet état par un interrupteur
ouvert. Nous parlons ici de: polarisation dans le sens bloquant, ou dans le sens inverse;
en anglais "reverse".

4.2.8. Point de repos d’une diode

Le point de repos ou le point de fonctionnement d’une diode est trouvé en faisant

l’intersection de la droite statique avec la courbe caractéristique
IA R IA
𝐔
𝐑

U VAK D IO Pf (VO, IO)

VAK
VO U
D’après la loi de maille on a : Fig. 4.7
U – R.IA – VAK = 0
 Si, IA = 0 ; donc VAK = U (1)
 Si, VAK = 0 ; donc IA = U/R (2)

4.2.9. Association des diodes

A. Couplage en série
En série, la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en
considérant que la tension aux bornes de l’ensemble, est la somme des tensions aux
bornes de diodes (figure 4.8).
On peut aussi utiliser cette construction pour étudier l’association d’une diode
avec un autre dipôle passif comme exemple une résistance pure.

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 P a g e | 28

D1 D2 IA
IA
D1 D2 Déq

U R

U
Fig.4.8

B. Couplage en parallèle

On peut utiliser une construction analogique, en considérant cette fois qu’il a

additivité des courants dans les deux dipôles. L’association en parallèle les deux diodes
ne présente aucun intérêt pratique car le courant traverse la diode dont la tension de seuil
est la plus faible.

4.2.10. Redressement de tension

Le redressement, est une opération qui consiste à rendre un signal

bidirectionnel à un signal unidirectionnel. En d’autres termes, redresser revient à
polariser une tension (càd point d’alimentation par rapport à la référence « Ground »).

A. Redressement simple alternance

a. Montage
A D K
+
UD1
UE UR
 RC (Résistance de charge)
B


Fig. 4.9

b. Fonctionnement

Lorsque la borne A du secondaire du transfo est positive par rapport à la borne

B, la diode D laisse passer le courant dans la charge RC pendant une alternance.

Par contre lorsque la borne B devient positive par rapport à la borne A, la diode
est bloquée, alors aucun courant ne traverse la charge pendant toute l’alternance.

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 P a g e | 29

c. Forme du signal

 Forme du signal de la tension aux points A et B

Umax

0 𝝅 2𝝅

Umax

Fig. 4.10

 Courbe caractéristique Tension de sortie

URmax
D1 D1 D1

Passante Bloquée Passante

0 𝝅 2𝝅

Fig.4.10.a
 Courbe caractéristique Tension et courant de sortie
URed URed : Tension redressée
URC
Umax
Imax IRC
𝑡
Fig.4.10.b

 Tension inverse de crête répétitive

U

t
TIC
Umax
Fig.4.10.c

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 P a g e | 30

d. Grandeurs caractéristiques

Après redressement, on aura :

(Ou TIC)

- Valeur maximale du courant redressé de sortie

Umax
Imax
C

Si, on tient compte de la résistance dynamique de la diode (RD) et de la

résistance des enroulements secondaires du transfo (RS), nous avons :
Umax
Imax
C

B. Redressement double alternance à deux diodes (ou va et vient)

a) Montage

M
Fig. 4.11

b) Fonctionnement
Lorsque VS1 est positive par rapport à M, la diode D1, étant en polarisation
directe, laisse passer le courant alors que la diode D2, en polarisation inverse, est
bloquée. Un courant circule à travers la charge durant toute l’alternance positive.
Lorsque VS2 devient positive par rapport à M, la diode D2 laisse passer le
courant qui circule à travers la charge durant toute l’alternance négative. La diode D1 est
alors bloquée.
Note : les deux alternances sont utilisées de sorte que le courant circulant en permanence
dans la charge, est un courant unidirectionnel pulsé.

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 P a g e | 31

c) Forme du signal
VS1

0 T/2 T 3T/2
t

VS2

T
t
0 T/2 3T/2

VR

0 T/2 T 3T/2
t

Fig.4.12

 Tension et courant de sortie

𝑈

𝑈𝑅𝐶
𝑈𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑅𝐶
t

Fig.4.12.a

 Tension inverse de crête

𝑈

TIC

2𝑈𝑚𝑎𝑥

Fig.4.12.b

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 P a g e | 32

d) Grandeurs caractéristiques

Après redressement on a :

- TIC (tension inverse de crête répétitive) :

C. Redressement double alternance à pont de GRAËTZ

Le redresseur double alternance en pont de Graëtz (ou à 4 diodes) est le

montage le plus utilisé, car il ne nécessite pas l’emploi d’un transformateur à point
milieu. Il utilise plutôt quatre diodes montées en pont.

a) Montage

Fig. 4.13
b) Fonctionnement

Pendant l’alternance positive de la tension UE les diodes D1 et D3

conduisent en laissant passer le courant qui traverse R, alors que D 2 et D4 restent
bloquées. La tension de sortie UR = Umax
Pendant l’alternance négative de UE, D1 et D3 deviennent bloquées et par
contre D2 et D4 conduisent en laissant passer le courant à travers la charge R ; ainsi la
tension de sortie UR = Umax. Et le cycle recommence.

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 P a g e | 33

c) Forme du signal
 Tension d’entrée et de sortie
Ve
𝑈𝑚𝑎𝑥

2𝝅 t
0 𝝅
𝝅

Vs

t
0
𝝅 𝟐𝝅
Fig. 4.14

 Tension et courant de sortie

URC

IRC
t

Fig. 4.14.a

 Tension inverse de crête

TIC

𝑈𝑚𝑎𝑥
Fig. 4.14.b

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 P a g e | 34

d) Grandeurs caractéristiques


 √
√

Avec: : valeur moyenne du courant redressé traversant chaque diode.

Choix des diodes de redressement

Pour choisir les diodes dans le catalogue d’un fabricant, il faut

considérer les valeurs suivantes :
- Le courant direct moyen ;
- Le courant maximal répétitif ;
- La tension inverse de crête ;
- La température de fonctionnement de la diode.
Pour les calculs, on adopte généralement les marges de sécurité
comprises entre :
- 25% et 50% pour les courants moyen et maximal ;
- 50% et 100% pour la tension inverse de crête

4.2.11. Applications

Les applications d’une diode ordinaire (ou classique), appelée aussi diode à
jonction, sont les suivantes :

 Redressement de tension ;
 Protection Inversion ;
 Fonctions Logiques ;
 Détection ;
 Seuil de tension.

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 P a g e | 35

4.3. DIODE ZENER

4.3.1. Définition
Une diode Zener, est un composant électronique actif bidirectionnel, en d’autre
terme la diode Zener est une diode qui a la particularité de pouvoir conduire dans le sens
inverse.

4.3.2. Symboles
Les symboles d’une diode Zener est représentée par la figure 4.15 suivante :

A K ≡ A K

Fig.4.15

4.3.3. Fonctionnement
Le fonctionnement d’une diode Zener dépend plus du sens de polarisation choisi.
Donc en polarisation directe, DZ se comporte comme une diode ordinaire (diode à
jonction) càd dès que la te tension appliquée aux bornes de DZ atteint la valeur de seuil
de conduction, elle devient passante et elle joue le rôle d’un interrupteur fermé (fil
conducteur).
En effet, quand une diode Zener est polarisée en inverse, à la différence de la diode
à jonction qui en inverse devient bloquée et ainsi la demeure, la diode Zener par contre
elle fonctionne en inverse en stabilisant la tension appliquée entre ses bornes à la valeur
de la tension Zener (VZ) ; à condition que cette dernière soit inférieure ou égale à la
tension appliquée, au cas contraire elle reste bloquée. Cependant en fonctionnement
inverse, la diode Zener est comparable à une batterie de fém. constante.

4.3.4. Tension Zener

C’est la tension inverse nécessaire à la conduction en sens inverse, la gamme de la
tension Zener va de quelques volts à plusieurs centaines de volts.

Fig. 4.15.a

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 P a g e | 36

4.3.5. Courbes caractéristiques

La courbe caractéristique d’une diode Zener est représentée par la figure 4.16 ci –
contre :

Fig. 4.16

4.3.6. Caractéristiques électriques

Fig.4.16.a
Observations :

- En direct la diode Zener conduit mais il y a « une tension de seuil » comme pour la
diode ;
- En direct Vak<1volt ;
- En inverse le courant est pratiquement nul (I<1μA) si Vak>Vz0, on dit que la diode est
bloquée ;
- En inverse si Vak<Vz0, il y a « effet zéner » c’est à dire que la tension Vak varie très
peu ;

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 P a g e | 37

- En Zener la puissance perdue dans le composant s’élève quand le module du courant

augmente. Le constructeur spécifie le courant maxi en Zener ;
- On trouve dans le commerce des composants spécifiés avec Vz0 de 2V à 400V. Pour
les fortes puissances les composants doivent être montés sur un dissipateur. ;
- Les diodes Zener sont utilisées pour leur aptitude à produire une valeur de Vak très
stable vis à vis du courant I en Zener. Soit comme source de tension de référence, soit
en stabilisation de tension.

4.3.7. Modèle électrique équivalent à la diode « en Zener »

Pour étudier les structures électroniques on est conduit dans un but de

simplification à linéariser la fonction I = f(Vak) en Zener. En fonction du problème à
traiter différentes hypothèses peuvent être envisagées :

VO
IZ r
A K
Fig.4.17

4.3.8. Stabilisation
Il est possible de réaliser un stabilisateur de tension en utilisant la diode Zener. On
suppose que le courant inverse IZ dans la diode est tel que le point de fonctionnement est
situé dans la partie linéaire de la caractéristique.

A. Montage
Soit le schéma détaillé de la stabilisation simple par diode Zener :
RP
I

Ve VZ DZ Rch VS

Fig.4.18

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 P a g e | 38

B. Etude statique de la stabilisation

En appliquant la loi de maille à l’entrée on aura :

Ve – RP.I – VZ = 0
- Si, 𝑉 𝑉 ; la diode Zener restera bloquée (interrupteur ouvert) cela entraînera que la
tension de sortie soit égale à : ;
- Si, 𝑉 𝑉 ; la diode Zener est passante en stabilisant la tension d’entrée à la valeur
Zener, donc VS = VZ.

4.3.9. Applications
Les applications d’une diode Zener sont les suivantes :

- Tension de référence ;
- Régulation (ou stabilisation) de tension ;
- Protection contre la surtension ;
- Ecrêtage de tension ; …

4.4. DIODE LED

4.4.1. Définition

La diode LED (Light Emitting Diode : qui veut dire en français, diode
électroluminescente « DEL »), C’est une diode qui a la propriété d’émettre de la
lumière quand elle est parcourue par un courant (phénomène d’électroluminescence).

4.4.2. Symbole

Le symbole conventionnel d’une diode LED est le suivant :

Fig.4.19

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 P a g e | 39

4.4.3. Aspect physique d’une LED

L’aspect physique d’une diode LED est représenté par la figure 4.x suivante :

Fig.4.20

4.4.4. Propriétés de la LED

C’est une diode qui a la propriété d’émettre de la lumière quand elle est parcourue
par un courant (phénomène d’électroluminescence).Le fonctionnement d’une diode
LED est simple, Lorsque la diode LED est polarisée en direct elle conduit en émettant un
flux lumineux proportionnel au courant la traversant et par contre Si la diode est
polarisée en inverse, elle n’émet pas de rayonnement optique, donc elle est bloquée et
aucune lumière n’est émise par la LED.
.
4.4.5. Tension de seuil

La tension de seuil d’une LED, est une tension à partir de laquelle une diode LED
peut émettre de la lumière ; c’est ainsi cette tension est caractérisée par la couleur de la
lumière émise par la diode.

Tension de seuil Courant de

Couleur (VF) fonctionnement (IF)

Verte, Jaune, Rouge Environ 1,6V à 2V

10 mA en moyenne
Blanche 2V
(Parfois jusqu'à
Bleu 3V
20mA et même 30
Infrarouge 1,15V mA pour les LED

jaune ou verte)

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 P a g e | 40

4.4.6. Protection

Une LED supporte un faible courant (quelques dizaines de mA), alors il faut la
protégée contre la surintensité du courant électrique à l’aide d’une résistance de
protection de valeur convenable.

 Exemple : on alimente une LED à partir d’une source de tension continue de 12 V

Fig.4.21
 Dimensionnement de R

Calculons la valeur de la résistance de protection pour limiter le courant à 10 mA :

4.4.7. Applications

Les applications d’une LED sont :

- Lumière visible pour signalisation (lampe témoin) ;
- Infrarouge pour transmission de signaux.

4.5. PHOTODIODE

4.5.1. Définition
Une photodiode (PD), est une diode particulière dont la conduction est liée au flux
lumineux qu’elle reçoit.

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 P a g e | 41

4.5.2. Symbole
Le symbole d’une photodiode est représenté par la figure 4.22 suivante :

A K

Fig.4.22

4.5.3. Propriétés
Le flux lumineux reçu Φr est transformé en courant électrique.

Fig. 4.23

4.5.4. Modèle électrique équivalent

Pour VAK< 0,6Volt, I = I0 + a.VAK, si les grandeurs sont constantes ;

En petits signaux, i = k.ϕr (k est un constant) et le modèle électrique équivalent pour
VAK< 0,6V est le suivant :

Fig. 4.24

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 P a g e | 42

4.5.5. Caractéristiques électriques

Sous polarisation inverse, le courant circulant dans une jonction PN classique est
très faible. En effet, dans ce cas, les porteurs de charges électriques (électrons et trous)
attirés respectivement par l’électrode de polarité contraire, s’éloignent de la jonction. Il
crée ainsi une zone isolante vide de porteur, appelée zone de déplétion (figure 4.23)
La photodiode est conçu pour permettre l réception du flux lumineux. Lorsque la
longueur d’onde du rayonnement est inférieur à au seuil photoélectrique du matériau
constituant la jonction, il se forme des paires électrons-trous dans la zone de déplétion
qui contribuent à la création d’un courant inverse. Ainsi, le courant circulant dans une
photodiode polarisé en inverse est proportionnel au flux lumineux reçu.

Cependant, ce courant débité, il est pratiquement indépendant de la source càd de la

tension de polarisation. On améliore les performances d’une photodiode en insérant une
couche de semi-conducteur intrinsèque (non dopé) entre les régions P et N ; la structure
est alors appelée PIN.

4.5.6. Mode d’utilisation

Nous pouvons considérer deux modes d’utilisation selon que l’on polarise ou non
la photodiode par une source de tension externe :
 En mode photoconducteur : une source de tension E polarise la photodiode en
inverse (figure 4.25). Le courant IR proportionnel au flux est converti en tension par la
résistance R ;
 En mode photovoltaïque : aucune source de tension de polarisation externe n’est
utilisée. La photodiode fonctionne en convertisseur d’énergie optique. Elle est alors
équivalente à un générateur autonome. On mesure soit la tension en circuit ouvert
(figure 4.26.a), soit le courant de court-circuit (figure 4.26.b).

IR= – ID PD

E
R VS VD IR= – ID

a b

Fig. 4.25 Fig. 4.26

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 P a g e | 43

4.6. DIOE SCHOTTKY

4.6.1. Introduction

La diode Schottky est réalisée à partir d’une jonction métal semi-conducteur. Elle
doit sa popularité à son faible seuil de tension directe de conduction et à sa rapidité de
commutation. Ces particularités la détiennent en priorité à la détection des signaux
radiofréquences.

4.6.2. Symboles

Fig. 4.27

4.6.3. Caractéristiques électriques

La figure 4.28 établit la comparaison entre la courbe caractéristique d’une diode

Schottky et celle d’une diode à jonction PN :

Schottky
Diode classique

Fig. 4.28

4.6.4. Propriétés
Les fils de connexion avec la jonction de la diode doivent former des liaisons non
directionnelles (ohmiques). Ceci est réalisé en créant une zone très dopée (N + ou P+) au
voisinage du conducteur métallique. Dans les diodes Schottky, la jonction PN est
remplacée par la jonction d’un métal avec un semi-conducteur peu dopé (de type N, car
les porteurs sont plus mobiles). Si le métal (anode) est positif par rapport à la zone N
(cathode) la jonction est conductrice. Cette diode qui ne fait intervenir qu’un seul type de
porteurs, présente une capacité beaucoup plus faible que les diodes classiques. Ces diodes
ont une faible tension de seuil (VO 0,25V) et elles ont des temps de recouvrement très
brefs.

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 P a g e | 44

4.6.5. Applications

Les applications d’une diode Schottky sont :

- Détection ;
- Commutation rapide ; ….

4.7. DIODE VARICAP

La zone vide porteuse d’une jonction polarisée en inverse voit son épaisseur
augmenter si on augmente la tension inverse. Cette zone joue le rôle du diélectrique d’un
condensateur. Si l’épaisseur de cette zone augmente, alors la capacité diminue car
C = .S/e ; on obtient un condensateur dont la capacité est fonction de la tension inverse
appliquée selon une loi du type :

Si on insère une telle diode dans un circuit oscillant, on peut régler la fréquence de
résonnance (ou d’oscillation) du circuit en agissant sur la tension de commande de la
diode au lieu d’agir mécaniquement sur un condensateur variable.

4.8. DIODE TUNNEL

Les diodes à effet tunnel, sont des diodes Zener dont le dopage est si grand que la
tension inverse est nulle. Donc, il s’agit d’une diode dont la courbe caractéristique
présente une partie à pente négative décroissante (résistance dynamique). Cette
particularité est exploitée pour réaliser des circuits oscillateurs HF.

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4.9. DIODE LASER

Pour simplifier, la diode Laser est une LED structurée en cavité Laser de 2 cotés
latéraux parfaitement parallèle (figure 4.29), sont dotés de miroir réfléchissant orienté
vers l’intérieur. L’une des surfaces réfléchissante est quasiment parfaite, la seconde
transmet partiellement la lumière

Fig. 4.28

Comme pour la LED, la diode Laser (DL) la circulation du courant électrique dans
le sens direct produit l’émission spontanée de la lumière dans la jonction en fonction de
l’amplitude du courant. Au-dessus d’un certain seuil, les photons engendrés par
électroluminescence stimulent à leur tour l’émission cohérente d’autres photons créant
ainsi une amplification Laser. La longueur d’onde de la jonction détermine la longueur
d’onde du flux lumineux émis.

Legends

h : constante de PLANCK (h = 6,63.10-34 JS)

C : célérité (C = 3. 108 m/S)

E : énergie du photon, en joule (J)

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TABLE DES MATIERES

INTRODUCTION ............................................................................................................. 1
CHAPITRE 1. STRUCTURE DE LA MATIERE ......................................................... 2
1.1. Généralités ........................................................................................................... 2
1.2. Etats et caractéristiques macroscopiques de la matière ......................................... 2
1.3. Structure atomique ............................................................................................... 3
1.4. Nombre d’Avogadro ............................................................................................ 5
1.4.1. Conversion du nombre d’atomes en moles ................................................... 5
1.4.2. Unité de masse atomique, masse molaire atomique et moléculaire, volume
molaire5
1.5. Notions d’Energies .............................................................................................. 6
1.6. Etats d’un atome .................................................................................................. 7
1.6.1. Etat fondamental (ou Etat Stable) .................................................................. 7
1.6.2. Etat excité (ou Etat Instable) .......................................................................... 7
1.6.3. Etat ionisé ...................................................................................................... 7
1.7. Liaisons interatomiques ....................................................................................... 8
1.7.1. Définition ...................................................................................................... 8
1.7.2. But ................................................................................................................. 8
1.7.3. Sortes de liaisons ........................................................................................... 8
1.7.3.1. Liaison électrovalence (ou ionique) ............................................................ 8
1.7.3.2. Liaison covalente ........................................................................................ 9
CHAPITRE 2. SEMI-CONDUCTEURS ...................................................................... 10
2.1. Introduction ....................................................................................................... 10
2.2. Définition .......................................................................................................... 10
2.3. Théorie des bandes d’énergies ........................................................................... 10
2.3.1. Isolants ........................................................................................................ 12
2.3.2. Conducteurs ................................................................................................. 12
2.3.3. Semi-conducteurs ........................................................................................ 15
2.3.3.1. Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs) .................................................. 15
2.3.3.2. Semi-conducteurs extrinsèques (ou impurs) .............................................. 16
2.4. Applications....................................................................................................... 18
CHAPITRE 3. JONCTION PN ..................................................................................... 19
3.1. Introduction ....................................................................................................... 19

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3.2. Mécanisme de formation de la Jonction PN ....................................................... 19

3.3. Etude de la Jonction à l’état d’équilibre ............................................................. 20
3.4. Polarisation d’une Jonction ................................................................................ 21
3.4.1. Polarisation d’une jonction en directe .......................................................... 21
3.4.2. Polarisation d’une jonction en inverse ......................................................... 21
3.5. Applications....................................................................................................... 22
CHAPITRE 4. DIODES AU CRISTAL ........................................................................ 23
4.1. Introduction ....................................................................................................... 23
4.2. DIODE A JONCTION....................................................................................... 23
4.2.1. Définition .................................................................................................... 23
4.2.2. Symbole....................................................................................................... 23
4.2.3. Constitution ................................................................................................. 23
4.2.4. Caractéristiques électriques.......................................................................... 24
4.2.5. Courbes caractéristiques .............................................................................. 24
4.2.6. Modèle électriques de diodes ....................................................................... 25
4.2.7. Polarisation .................................................................................................. 26
4.2.8. Point de repos d’une diode ........................................................................... 27
4.2.9. Association des diodes ................................................................................. 27
4.2.10. Redressement de tension .............................................................................. 28
4.3. DIODE ZENER ................................................................................................. 35
4.3.1. Définition .................................................................................................... 35
4.3.2. Symboles ..................................................................................................... 35
4.3.3. Fonctionnement ........................................................................................... 35
4.3.4. Tension Zener .............................................................................................. 35
4.3.5. Courbes caractéristiques .............................................................................. 36
4.3.6. Caractéristiques électriques.......................................................................... 36
4.3.7. Modèle électrique équivalent à la diode « en Zener » .................................. 37
4.3.8. Stabilisation ................................................................................................. 37
4.3.9. Applications................................................................................................. 38
4.4. DIODE LED ...................................................................................................... 38
4.4.1. Définition .................................................................................................... 38
4.4.2. Symbole....................................................................................................... 38

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4.4.3. Aspect physique d’une LED ........................................................................ 39

4.4.4. Propriétés de la LED .................................................................................... 39
4.4.5. Tension de seuil ........................................................................................... 39
4.4.6. Protection .................................................................................................... 40
4.4.7. Applications................................................................................................. 40
4.5. PHOTODIODE ................................................................................................. 40
4.5.1. Définition .................................................................................................... 40
4.5.2. Symbole....................................................................................................... 41
4.5.3. Propriétés..................................................................................................... 41
4.5.4. Modèle électrique équivalent ....................................................................... 41
4.5.5. Caractéristiques électriques.......................................................................... 42
4.5.6. Mode d’utilisation........................................................................................ 42
4.6. DIOE SCHOTTKY ........................................................................................... 43
4.6.1. Introduction ................................................................................................. 43
4.6.2. Symboles ..................................................................................................... 43
4.6.3. Caractéristiques électriques.......................................................................... 43
4.6.4. Propriétés..................................................................................................... 43
4.6.5. Applications................................................................................................. 44
4.7. DIODE VARICAP ............................................................................................ 44
4.8. DIODE TUNNEL .............................................................................................. 44
4.9. DIODE LASER ................................................................................................. 45
TABLE DES MATIERES .............................................................................................. 46

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