INSTITUT UNIVERSITAIRE DE TECHNOLOGIE DE

DOUALA

Département : Génie Electrique et

informatique industrielle

Support de cours :

ELECTRONIQUE GENERALE

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INSTITUT UNIVERSITAIRE DE TECHNOLOGIE DE DOUALA

Année universitaire 2023 / 2024

 SOMMAIRE

Chapitre III : La diode à jonction 5

1- Définition 5

2- Polarisation de la diode 5

3- Caractéristique statique courant-tension de la diode 5

4- Schémas équivalents de la diode 6

5- La diode Zener 7

6- Redressement, Filtrage et Stabilisation 8

A- Redressement 8

B- Filtrage 10

C- Stabilisation

Chapitre IV : Le transistor bipolaire en régime statique

1- Présentation du transistor 12

2- Effet transistor 12

3- Réseaux des caractéristiques d’un transistor monté en Emetteur commun 12

4- Polarisation du transistor
5 : Le transistor bipolaire en régime dynamique
1- Introduction 16

2- Schéma équivalent du transistor en régime dynamique 16

3- Amplificateur à transistor monté en Emetteur commun 17

4- Autres montages amplificateurs 18

 CHAPITRE III : DIODE A JONCTION

1- Définition
Une diode à jonction est un composant électronique constitué de deux électrodes : l’Anode (A) et la
Cathode (K).
Symbole :
Anode Cathode

A K

Figure 1 : Symbole d’une diode à jonction

2- Polarisation de la diode
2-1- Polarisation directe 2-2- Polarisation inverse

A K A K

AK V AK V

+ +
Figure 2 : Polarisations directe et inverse de la diode à jonction

En polarisation directe, la tension appliquée (VAK > 0 ) permet le passage d’un courant électrique de
l’anode vers la cathode appelé courant direct.
En polarisation inverse, la tension appliquée (VAK < 0 ) empêche le passage du courant. Le courant
inverse est pratiquement nul.

3- Caractéristique statique courant-tension de la diode

Cette caractéristique décrit l’évolution du courant traversant la diode en fonction de la tension à ses
bornes en courant continu.

ENGOULOU ZEH
Electronique générale 1
 I
A I K Caractéristique directe

VAK

VAK

Claquage

Caractéristique inverse

Figure 3 : Caractéristiques statiques courant-tension

4- Schémas équivalents de la diode
4-1- Caractéristique linéarisée de la diode
La caractéristique de la diode peut se rapprocher par deux portions de droites :
I
A I K

VAK pente (1/Rd)

VAK
Uo
Figure 4 : Caractéristique linéarisée de la diode

Uo et Rd : tension de seuil et résistance dynamique de la diode.

- En polarisation directe et pour I > 0, la diode est équivalente à un récepteur de f.c.é.m Uo et de

résistance interne (Rd = VAK/ I ).
Rd A I
K A I K

VAK o d U RI
VAK
Figure 5 : Schéma équivalent de la diode polarisée en direct

- En polarisation inverse : pour VAK < 0, I = 0, la diode est équivalente à un interrupteur ouvert.

A I K A
K
VAK

Figure 6 : Schéma équivalent de la diode polarisée en inverse

ENGOULOU ZEH
Electronique générale 2
 4-2- Caractéristique idéalisée de la diode
En polarisation directe : La diode est passante (I > 0 et VAK = 0 ). En
polarisation inverse : La diode est bloquée (I = 0 et VAK < 0 ).

0 VAK

Figure 7 : Caractéristique idéalisée de la diode

5- La diode Zener
5-1- Définition
Une diode Zener est une diode spécialement conçue pour exploiter le claquage inverse. La tension de
claquage est appelée tension Zener.
Symbole :
A I K

VAK
Figure 8 : Symbole de la diode Zener

5-2- Caractéristique statique courant-tension

I (A K)

Ui (VKA) Uz Uo VAK

Ii ( K A)

Figure 9 : Caractéristique courant-tension de la diode Zener

En polarisation directe, une diode Zener est équivalente à une diode normale.
En polarisation inverse, la diode conduit lorsque la tension inverse Ui devient supérieure à la tension
Zener Uz. La caractéristique linéarisée conduit à l’équation : Ui = Uz + Rz Ii où Rz est la résistance
dynamique inverse. Dans ce cas La diode Zener est équivalente au modèle suivant :

ENGOULOU ZEH
Electronique générale 3
 i Ii

Ui Uz Rz Ii
K I A K Ui A

Figure 10 : Schéma équivalent à une diode Zener polarisée en inverse Remarque:

Si la résistance dynamique Rz est négligée, la tension aux bornes de la diode lorsqu’elle conduit en
inverse est constante quelque soit le courant qui la traverse. La diode Zener est idéale.

i K Ii A
K I A
Ui Ui = Uz

Figure 11 : Schéma équivalent d’une diode Zener idéale passante en inverse.

6- REDRESSEMENT, FILTRAGE ET STABILISATION

A-REDRESSEMENTS
1- Définition
Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en une tension unidirectionnelle
appelée tension redressée.
2- Redressement simple alternance 1-2-1 Schéma de montage :

D
i

ud avec : u = UM sin t
u R
uR et =2 f

Figure 1 : Redresseur simple alternance

2-2 Principe de fonctionnement :

Hypothèse : On suppose que la diode est idéale.
Pendant l’alternance positive de la tension u ( u > 0 ), la diode D est polarisée en direct donc elle est
passante ( i > 0 et ud = 0 ) donc uR = u – ud = u
Pendant l’alternance négative de la tension u ( u < 0 ), la diode D est polarisée en inverse donc elle
est bloquée ( i = 0 et ud < 0 ) donc uR = 0.
u , uR

ENGOULOU ZEH
Electronique générale 4
 Figure 2 : Allures des tensions u et uR

3- Redressement double alternance à deux diodes et

transformateur à point milieu 1-31 Schéma de montage :
D1
u = u1 – u2 = UM sin t avec =2 f
u1 R i
et u2 = - u u u1 =
u2
2 2

D2
Figure 3 : Redresseur double alternance à deux diodes
et transformateur à point milieu
3-2 Principe de fonctionnement:
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u :
• u1 est positive, D1 conduit donc uR = u1 = u
2
• u2 est négative, D2 bloquée Pendant l’alternance négative de u :

• u2 est positive, D2 conduit donc uR = u2 = - u

2
u1 est négative, D1 bloquée.

Figure 4 : Allures des tensions u et uR

4- Redressement double alternance à pont de Graetz 1-4-1 Schéma

de montage :

D1 D4

u uR R
D3 D2

Figure 5 : Redresseur double alternance à pont de Graetz

4-2 Principe de fonctionnement:

Hypothèse : les diodes sont supposées idéales. Pendant
l’alternance positive de u :
• D1 et D3 conduisent, D2 et D4 bloquées donc uR = u
Pendant l’alternance négative de u

ENGOULOU ZEH
Electronique générale 5
 • D2 et D4 conduisent, D1 et D3 bloquées donc uR = - u
u , uR

t
T’ T

Figure 6: Allures des tensions u et uR

T
La période d’une tension redressée double alternance est T’ = .
2

ENGOULOU ZEH
Electronique générale 6
 B-FILTRAGE
1- Définition
Le filtrage d’une tension redressée consiste à réduire au maximum l’ondulation donc à avoir une
tension aussi constante que possible. Cette fonction peut être réalisée par un condensateur.

2- Schéma de montage

u : tension sinusoïdale de fréquence f

u C + uc R

Redresseur
Figure 7: Filtrage d’une tension redressée

3- Principe de fonctionnement
Dès la première alternance, le condensateur C se charge puis, dès que la tension à ses bornes devient
supérieure à la tension redressée, il se décharge à travers la résistance R.

Allures de la tension uc pour un redresseur double alternance

Figure 8: Allure de la tension filtrée uC

4- Taux d’ondulation C’est
= Uc : ondulation de la tension filtrée uc
le rapport :avec
ΔUc 2 Uc = UM - Um: ondulation crête à crête
Ucmoy Uc moy : tension filtrée moyenne.

Uc moy UM U
Pour les faibles ondulations : 2

5- Détermination de la capacité de filtrage

Pendant la charge du condensateur, la tension filtrée passe de Um à UM donc : Q = C (UM – Um ).
Cette charge va être restituée à la résistance R pendant le temps de décharge td soit Q = Imoy td avec

Ucmoy = Imoy td = Ucmoy td Imoy = . D’où: C

R UM Um 2 Uc R
Si on néglige le temps de charge devant le temps de décharge, alors td T. On peut écrire donc :
U T
C= cmoy

2 ΔUc R θ

Electronique générale 7 ENGOULOU ZEH

La période T de la tension filtrée est égale à :
 1/f : pour un redresseur simple alternance,
 1/2f : pour un redresseur double alternance
C- STABILISATION 3-1- Définition
La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension pratiquement constante. Cette
fonction peut être réalisée par une diode Zener.

3-2- Stabilisation par diode Zener 3-21

Schéma de montage
RP

u : tension ondulée

u DZ R u S RP : résistance de
polarisation de la diode Zener.

Figure 9: Montage Stabilisateur de tension par diode Zener

3-2-2 Principe de fonctionnement

 On suppose que la résistance R déconnectée et que la résistance RZ de la diode Zener
est négligée ( RZ = 0 ),
Si u > UZ alors uS = UZ Si u
< UZ alors uS = u.
Il faut donc que u > UZ pour que la tension de sortie soit constante (stabilisée).
 A résistance R non déconnectée et à résistance RZ non négligée,
Lorsque u est suffisamment supérieure à UZ , le schéma équivalent du montage est le suivant :
iE RP iS
iZ
RZ
u R uS
UZ

Figure 10: Montage Stabilisateur de tension par diode Zener

Electronique générale 8 ENGOULOU ZEH

 1 R Si RZ << R
Donc : K u Et Z
K≈
1 1
RZ RP
1 RP( ) RZ R
uS
à u constante
La résistance interne du stabilisateur est = iS

= RZ // RP =
RZ .RP
RZ RP

Electronique générale 9 ENGOULOU ZEH

 Chapitre IV : Le transistor bipolaire en régime
statique

1-Présentation du transistor
1-1- Définition
Le transistor est un composant électronique composé de 3 électrodes :
Le Collecteur ( C ) , l’Emetteur ( E ) et la Base ( B ).

1-2- Symboles
Collecteur Collecteur

Base Base
Emetteur Emetteur
Transistor PNP Transistor NPN
Figure 2: Symboles des transistors PNP et NPN

1-3- Equations

VCB I

IB

VBE
C
C IC : courant Collecteur,

IB : courant de Base,
B VCE IE : courant Emetteur.

IE = IC + IB
IEVCE = VCB + VBE E
Figure 3: Transistor NPN et ses
grandeurs électriques

2- Effet transistor
C’est le fait de véhiculer un fort courant collecteur à partir d’un faible courant de base ( IC >> IB ).

= IC
On définit l’amplification statique en courant : IB

3- Réseaux des caractéristiques statiques d’un transistor monté en Emetteur commun Soit
le schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principales.

Electronique générale 10 ENGOULOU ZEH

 C

Electronique générale 11 ENGOULOU ZEH

 E
IC E
B IB Grandeurs
. Grandeurs VCE de sortie
d’entrée V BE

Figure 4: Schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principales

En fonction des grandeurs électriques principales du transistor, on peut établir les caractéristiques
statiques suivantes :

5-Polarisation du transistor
5-1- Définition
La polarisation consiste à définir le point de fonctionnement statique (point de repos) du
transistor caractérisé par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo. Il existe différents procédés de
polarisation
5-2- Polarisation par deux sources de tension
5-2-1 Schéma de montage
C RC

IC
RB B IB
VCE VCC

VBB VBE

E E Figure 6: Polarisation du transistor par

deux sources de tension
5-2-2 Droite d’attaque statique

Electronique générale 12 ENGOULOU ZEH

 C’est l’équation définie par: VBE = VBB - RBIB
L’intersection de cette droite avec la caractéristique d’entrée du transistor donne le point (IBo , VBEo ).

5-2-3 Droite de charge statique

VCC VCE C’est
l’équation définie par: IC =
RC

L’intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor donne le point (VCEo , ICo ).

VBE Figure 7:
Détermination du point de fonctionnement statique

5-3- Polarisation directe par résistance de base

5-3-1 Schéma de montage

RC
RB
C
IC VCC
B IB VCE

VBE

E
Figure 8: Polarisation directe par résistance de base

5-3-2 Droite d’attaque statique

C’est l’équation définie par: VBE = VCC - RBIB
5-3-3 Droite de charge statique
VCC VCE
C’est l’équation définie par: IC =
RC

Electronique générale 13 ENGOULOU ZEH

 5-4- Polarisation par résistance entre base et collecteur
5-4-1 Schéma de montage

RC
. RB
C
IC VCC
IB VCE

VBE
E
B

Figure 9: Polarisation par résistance entre base et collecteur

5-4-2 Droite d’attaque statique
Dans ce cas de polarisation, VBE = VCE - RBIB et VCE = VCC – RCIC avec IC = IB, il vient : VBE =
VCC – (RB + RC )IB : c’est l’équation de la droite d’attaque statique.

5-4-3 Droite de charge statique

VCC VCE si on néglige IB devant IC. C’est

l’équation définie par: IC =
RC
5-5 Polarisation par pont de résistances de base
5-5-1 Schéma de montage

R1 RC

IC
C
IB
B VCC
IP VCE

R2 VBE
E

Figure 10: Polarisation par pont de résistances de base

5-5-2 Droite d’attaque statique

Dans ce cas de polarisation, on peut écrire:

VCC VBE avec IP = VBE

IP + IB =

Electronique générale 14 ENGOULOU ZEH

 R1 R2
D’où l’équation de la droite d’attaque statique :

R2 .VCC R1 .R2 .IB

VBE =
R1 R2 R 1 R2

5-5-3 Droite de charge statique

VCC VCE .
C’est l’équation définie par: IC =
RC

5-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME DYNAMIQUE

1- Introduction
En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de sortie résultent de la superposition de grandeurs
continues ou statiques (VBEo, IBo, ICo et VCEo) et de grandeurs alternatives qui sont l’effet de source
alternative.
C
iC
B iB
vCE Grandeurs
Grandeurs de sortie
d’entrée vBE

E E Figure 1: Le transistor et ses grandeurs

dynamiques principales

Grandeur variable = Grandeur continue + Grandeur alternative

Exemples : vBE = VBEo + vbe iC
= ICo + ic

2- Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux

Le point de repos étant défini par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo qui correspondent à 4 points fixes
sur le réseau des caractéristiques statiques.
Lorsque les petits variations alternatives autour du point de repos sont respectivement vbe, ib, ic et vce ;
on peut écrire : vbe = h11e ib + h12e vce ic = h21e ib + h22e vce

Les hij sont appelés paramètres hybrides du transistor monté en émetteur commun. Ces
paramètres sont déterminés graphiquement sur le réseau des caractéristiques du transistor autour du
point de repos.

Electronique générale 15 ENGOULOU ZEH

 I
Figure 2: Détermination des paramètres hybrides du transistor *
h11e = r = ( vBE / iB ) : r est la résistance d’entrée du transistor.

* h12e = = ( vBE / vCE ) : -1 est l’amplification en tension du transistor.

* h21e = = ( iC / iB ) : représente l’amplification en courant du transistor

* h22e = -1 = ( iC / vCE ) : représente la résistance de sortie du transistor.

Connaissant ces paramètres, on peut tracer le schéma équivalent du transistor en régime dynamique
petits signaux basses fréquences.
B ib r ic C

ib
vbe µvce vce

E E
Figure 3: Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux Remarque
:
En pratique µ est de très faible valeur donc la source de tension µvce est souvent négligée.

3- Amplificateur à transistor monté en Emetteur commun

Figure 4: Amplificateur à transistor monté en émetteur commun

Electronique générale 16 ENGOULOU ZEH

C1 et C2 sont des condensateurs de liaison. Ils se comportent comme des courts-circuits aux fréquences
des signaux à amplifier.

3-2- Schéma équivalent du montage en régime dynamique petits signaux

On remplace le transistor par son schéma équivalent et on suppose court-circuitée la source de tension
continue Vcc, on obtient ainsi :

Figure 5: Schéma équivalent du montage amplificateur EC en régime dynamique

3-3- Paramètres caractéristiques du montage amplificateur
Résistance d’entrée : Re = v1/i1 = RB//r avec RB = R1//R2

Résistance de sortie: Rs = v2/i2 = RC // ρ

Amplification en tension: Av = v2/v1 = - β Req/r avec Req = RL//RC// ρ.

Amplification en courant: Ai = i2/i1 = -(v2/RL) / (v1/Re) = -Av Re/RL.

4- Autres montages amplificateurs

4-1 Amplificateur émetteur commun à charge répartie (Résistance émetteur non découplée)

Figure 6: Amplificateur émetteur commun à résistance émetteur non découplée

Electronique générale 17 ENGOULOU ZEH

4-2 Amplificateur à transistor monté en collecteur commun

C1 R1
i1 C2
i2 VCC

v1 R2
RE v2 RL

Figure 7: Amplificateur à transistor monté en collecteur commun

4-3

Amplificateur à transistor monté en Base commune

Figure 8: Amplificateur à transistor monté en base commune

Electronique générale 18 ENGOULOU ZEH