IFIPS 1ère annéee - Département Electronique

Introduction aux transistors

Cédric KOENIGUER

2005-2006
Table des matières

1 Les transistors à effet de champ. 3

1.1 Les différentes structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Etude du MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.1 Présentation du composant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.2 Etude des caractéristiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.3 Etude de la polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.4 Etude du régime dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2.5 Utilisation en résistance commandée et en interrupteur. . . . . 20
1.3 Etude du JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.3.1 Description du composant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2 Les transistors bipolaires 24

2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2 Caractéristiques statiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.2 Etude des caractéristiques statiques . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3 Etude de la polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3.1 Principe et méthodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.4 Etude en régime dynamique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.4.1 Etude dans la bande passante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.4.2 Effets en haute fréquence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

2
Chapitre 1

Les transistors à effet de champ.

1.1 Les différentes structures

Il existe de nombreux types de transistors utilisant un ”effet de champ” (FET :
Field Effect Transistor). Ces composants sont caractérisés par l’utilisation d’un seul
type de porteurs : les électrons ou les trous, par opposition aux technologies bipo-
laires utilisant simultanément les deux types de porteurs. Le principe d’un transistor
à effet de champ est commun aux différentes sous catégories de transistors. Il repose
sur l’existence d’un canal, c’est à dire d’une zone dans laquelle les porteurs sont libres
de se mouvoir sous l’action d’un champ (phénomène analogue à une résistance). Les
porteurs passent ainsi d’une borne à une autre à travers ce canal sous l’action d’un
champ électrique (c’est à dire d’une tension) appliqué tout du long, comme cela est
représenté sur la figure 1.1 (on note Vlong la tension appliquée). A l’aide d’une tension
transervale au canal, notée Vtrans sur le schéma, on contrôle la section du canal (de
manière indirecte à l’aide d’une jonction ou d’une capacité, comme nous le verrons
plus loin). On module ainsi la résistance de ce canal et donc la valeur de l’inten-
sité le parcourant. Nous allons voir qu’un tel dispositif permet soit de réaliser une
résistance commandée (à l’aide de Vtrans ), soit une source de courant commandée en
tension (à nouveau par la tension Vtrans ).
Le nombre de possibilités pour réaliser un tel dispositif est important.

I Vtrans

Vlong

Fig. 1.1 – Schéma simplifié d’un transistor à effet de champ.

En effet, on peut agir soit sur le type de porteurs, soit sur le type de contrôle du

3
canal, soit sur l’état du canal au repos (existence du canal ou non à Vtrans = 0V ).
Le tableau ci-dessous résume les différentes possibilités :

type du canal canal N ou canal P

contrôle du canal
– jonction PN : JFET (amplificateur analogique)
– jonction Shottky : MESFET (réservé aux hautes
fréquences)
– jonction MOS : MOSFET (utilisation en numérique
et en électronique de puissance)

état du canal existant ou inexistant à Vtrans = 0 V

Nous développerons dans la suite essentiellement le transistor MOS, qui est le plus
utilisé à l’heure actuelle dans l’industrie des semiconducteurs.

1.2 Etude du MOSFET

1.2.1 Présentation du composant
Description

Un transistor MOS (sous entendu MOSFET : Metal-Oxyde-Semiconductor Field

Effect Transistor) est un composant formé de 4 connecteurs appelés : grille (G) 1 ,
drain (D), source (S), substrat (Sub). On n’utilise souvent que trois broches du
transistor : la grille, le drain et la source, le substrat étant généralement relié à la
source. On ne considèrera que ces 3 broches dans la suite du polycopié. On retrouve
la connexion substrat-source sur les symboles des transistors MOS (cf figure 1.2).

Drain (D)

Grille
Substrat (Sub)
(G)

Source (S)

Fig. 1.2 – Les différentes broches d’un transistor MOS.

D’après le paragraphe précédent, on peut avoir quatre types de transistor (selon

1
en anglais : Gate.

4
le type du canal et l’état du canal hors tension) :

– Canal N, Normally ON (figure 1.3 (i)) : le canal est de type N, et le dopage

est tel que le canal existe sans tension appliquée (d’où l’appellation de Nor-
mally ON). On qualifie aussi ce type de transistor de NMOS à déplétion (ou
à appauvrissement).
– Canal N, Normally OFF (figure 1.3 (ii)) : le canal est de type N, et le dopage
est tel qu’il faut polariser la jonction grille-source (GS) pour obtenir l’existence
de ce canal. On les nomme aussi NMOS à enrichissement.
– Canal P, Normally ON (figure 1.3 (iii)) : le canal est de type P, et le dopage
est tel que la canal existe sans tension appliquée (d’où l’appellation de Nor-
mally ON). On qualifie aussi ce type de transistor de PMOS à déplétion (ou à
appauvrissement). Ce type de transistor est peu utilisé.
– Canal P, Normally OFF (figure 1.3 (iv)) : le canal est de type P, et le dopage
tel qu’il faut polariser la jonction GS pour obtenir l’existence de ce canal. On
les nomme aussi PMOS à enrichissement.

Normally ON Normally OFF

NMOS, Normally ON NMOS, Normally OFF

NMOS

PMOS, Normally ON PMOS, Normally OFF

PMOS

Fig. 1.3 – Symboles des 4 types de transistors MOS. La convention Grille, Drain,
Source et Substrat est celle décrite par la figure 1.2.

La figure 1.3 représente les symboles associés à chaque type de transistor MOS.
Le type de canal est donné par le sens de la flèche sur le substrat et l’état du canal
est représenté par la barre verticale à droite (trait plein ou pointillés).
Dans la suite du polycopié, on développera plus particulièrement le transistor MOS
canal N, Normally OFF.

Quelques rappels de physique des composants La figure 1.4 présente la struc-

ture interne d’un NMOS. Sur ce schéma on reconnait :

5
 – la grille qui correspond à la partie Métal, au centre
– le drain, qui est un semiconducteur dopé N
– la source, également dopée N
– le substrat, qui est relié à la source
On a représenté sur cette figure les tensions de polarisation : la tension VGS permet
le contrôle du canal (via la capacité MOS) et la tension VDS permet le passage des
électrons à travers le canal.

VDS

Source
Métal Drain
Oxyde
N N
Canal (N)
VGS
P
Substrat

Fig. 1.4 – Structure d’un transistor NMOS. La tension Vlong correspond à la tension
VDS . La tension de ”contrôle” du canal (Vtrans ) correspond à la tension VGS

Les différentes utilisations.

On distingue trois grands types d’utilisation, les deux premières étant fortement
liées :

– interrupteur commandé : la tension Grille-source permet de commander

l’existence du canal. On est donc capable d’ouvrir ou de fermer le circuit drain-
source à l’aide de cette tension Grille-source. Cette utilisation est largement
utilisée dans l’électronique numérique actuelle ainsi que dans l’électronique de
puissance.
– résistance variable : on peut commander la résistance du canal à l’aide de
la tension Grille-Source.
– source de courant et amplificateur. C’est une utilisation en électronique
analogique que nous étudierons plus en détail.
Nous allons justifier dans la suite ces différentes utilisations, notamment grâce à
l’étude des caractéristiques.

1.2.2 Etude des caractéristiques

Introduction
Revenons tout d’abord à un composant plus simple : la diode à jonction. Une
diode peut être vue comme deux barreaux de semiconducteurs de type différent (N

6
 P N

U
Fig. 1.5 – Constitution et symbole d’une diode à jonction (PN).

et P) accolés. La figure 1.5 représente la constitution d’une diode avec son symbole.
La diode est un composant à 2 broches. Sa caractéristique courant tension est donnée
par la relation suivante :  
I = Is eU/UT − 1 (1.1)
Ainsi, ce composant possède un degré de liberté : une tension U imposée à ses bornes
fixe le courant circulant dans le composant.
Le transistor quand à lui a un fonctionnement plus complexe. Les caractéristiques
sont plus compliquées et il possède deux degrés de liberté. On s’interesse plus parti-
culièrement à 3 grandeurs : le courant qui circule dans le canal IDS , la tension VDS
et la tension VGS 2 . Nous allons maintenant voir les variations de ces grandeurs. On
n’étudiera que deux caractéristiques : IDS en fonction de VDS à VGS fixée et IDS en
fonction de VGS dans une utilisation particulière (en saturation).
Nous allons voir que l’étude de ces caractéristiques permet de retrouver les différents
régimes de fonctionnement du transistor.

Etude des caractéristiques statiques des différents transistors.

Nous allons développer les caractéristiques d’un transistor MOS à canal N, Nor-
mally OFF. Nous donnerons ensuite les caractéristiques des autres types de transis-
tors.

NMOS , Normally OFF La figure 1.6 présente les deux caractéristiques de ce

type de transistor.
La figure (i) (à gauche) permet d’étudier l’allure du courant IDS en fonction de la
tension VDS paramétrée par la tension VGS . Nous pouvons constater que ce courant
est nul à VGS = 0V . Le canal n’existe pas sans polariser la jonction Grille-source.
On est bien en présence d’un transistor Normally OFF.
A VDS fixée, lorsque la tension VGS augmente, il existe un seuil à partir duquel le
canal existe. En dessous de ce seuil, le canal n’est pas formé : aucun courant ne circule
entre le drain et la source. Au dessus de ce seuil, si on augmente la tension VGS , la
2
En régime statique, le courant IGS est nul : la jonction Grille-Source est une capacité. Ce
courant n’est donc pas une grandeur intéressante.

7
section du canal augmente : sa résistance diminue et donc le courant circulant dans
ce canal augmente. L’effet inverse se produit lorsqu’on diminue la tension Grille-
source. Ainsi, il existe une tension (ici positive) pour laquelle on a apparition du
canal : cette tension de seuil sera notée VT .

IDS IDS

VGS>VT
VGS<VT

VDS VT VGS
(i) (ii)

Fig. 1.6 – Caractéristiques d’un NMOS Normally OFF (i) Caractéristique IDS =
f (VDS ) (ii) Caractéristique IDS = k(VGS ) dans la zone de pincement

Cette caractéristique fait apparaı̂tre deux régimes différents à VGS ≥ VT :

– Une zone pour laquelle, le courant IDS augmente linéairement avec la tension
VDS . Il s’agit de la zone ohmique. Le transistor (au niveau du canal) se
comporte comme une résistance. La valeur de la résistance dépend de la valeur
de la tension VGS :
VDS = RDSON (VGS )IDS (1.2)
3
avec
1
RDSON (VGS ) = (1.3)
K(VGS − VT )
– Une zone pour laquelle le courant ne varie pas avec la tension VDS (toujours à
VGS fixée). Il s’agit de la zone de pincement du transistor, ou encore zone de
saturation (du courant). Le transistor (vu entre le drain et la source) se com-
porte alors comme une source de courant. La valeur du courant correspondant
dépend de la valeur de la tension VGS . On a donc réalisé une source de courant
(ici idéale) commandée par une tension (VGS ).
Remarque : La zone ”source de courant” est appelée zone de pincement car elle
correspond à un régime pour lequel le canal est ”pincé”, c’est à dire qu’il disparait
localement. La figure 1.7 montre la situation pour une tension VDS ≥ VDSsat . La
3
la constante K dépend des paramètres, entre autre géométriques, du transistor. Il ne s’agit pas
d’une constante empirique.

8
disparition locale du canal justifie le fait qu’on quitte le régime linéaire : la jonction
drain-source ne se comporte plus comme une simple résistance. Le courant est alors
limité par la diffusion des électrons dans la zone P. Ce pincement apparait en premier
lieu du côté du drain.
La tension VDS pour laquelle on quitte le régime linéaire pour passer en régime de
saturation (tension notée VDSsat ) correspond à la tension qu’il faut appliquer pour
avoir la disparition du canal (pincement) au niveau du drain. Au niveau du drain,
la tension appliquée à la jonction MOS vaut : VM OS = VGS − VDS . On a disparition
du canal si VM OS = VT . D’où :

VGS − VDSsat = VT (1.4)

Pincement du canal

Source
VMOS Drain
N Canal (N) N
VGS
VDS
P
Substrat

Fig. 1.7 – Etat d’un transistor MOS en régime de pincement.

On retrouve bien à l’aide de cette caractéristique les trois grandes utilisations

d’un MOS :

– la zone de saturation correspond à l’utilisation en tant qu’amplificateur (source

de courant idéale)
– la zone ohmique correspond à l’utilisation en tant que résistance commandée
à l’aide de la tension Grille-Source.
– lorsque l’on passe de la tension VGS ≤ VT à une tension VGS ≥ VT , on passe
d’un état pour lequel le canal n’existe pas (absence de courant Drain-Source :
circuit ouvert entre le drain et la source) à un état pour lequel le canal existe
(circuit fermé entre le drain et la source). On a bien réalisé un interrupteur.
La figure 1.6 (ii) représente la caractéristique IDS =f(VGS ) lorsque le transistor est
en régime de pincement (VDS ≥ VDSsat ). On retrouve la tension de seuil VT pour
laquelle le canal apparaı̂t (et donc pour laquelle le courant circule entre le drain et
la source). On peut montrer que cette courbe suit une loi quadratique :
2
KVT2

K VGS
IDS = (VGS − VT )2 = (VGS − VT )2 = IDSS 1 − (1.5)
2 2 VT
où K correspond à la même constante définie dans l’équation 1.3.

9
Remarque : on a vu précédemment qu’à la limite régime ohmique/régime de pince-
ment on avait la relation VGS − VDSsat = VT . D’où :
 2
K 2 VDSsat
IDSsat = VDSsat = IDSS (1.6)
2 VT

La courbe séparant les deux régimes est donc une parabole. Les différentes zones
sont regroupées sur le schéma de la figure 1.8.

Zone ohmique

IDS

Zone de pincement

VDS

Fig. 1.8 – les deux zones correspondant aux deux grandes applications d’un tran-
sistor MOS.

Voici les autres types de transistors :

NMOS, Normally ON Ce transistor est caractérisé par une tension de seuil

négative. A VGS = 0 V, le canal existe : la conduction est possible entre le drain et
la source.

PMOS, Normally OFF Ce transistor est équivalent au premier type étudié. Les
signes des courants et tensions sont inversés.

PMOS, Normally ON Ce transistor est équivalent au NMOS normally ON. Les

signes des courants et tensions sont inversés. Ce transistor est peu utilisé.

Caractéristique réelle Les caractéristiques réelles des transistors sont un peu

différentes des caractéristiques présentées ici. Trois différences fondamentales peuvent
être observées : l’existence d’une quatrième zone dite d’avalanche, l’existence d’une
pente en zone de saturation et la sensibilité en température.

10
 IDS IDS

NMOS, Normally OFF

VGS>VT
VGS<VT

VDS VT VGS

IDS IDS

VGS=0 NMOS, Normally ON

VGS<VT
VT<0

VDS VGS

IDS IDS
VT<0
VGS>VT VDS VGS
PMOS, Normally OFF

IDS IDS
VT>0
VGS>VT VDS VGS
VGS=0
PMOS, Normally ON

Fig. 1.9 – Caractéristiques statiques des différents types de MOS.

11
 1. Lorsqu’on est dans la zone de saturation et que la tension Drain-source aug-
mente, il existe un quatrième régime pour lequel le courant augmente bruta-
lement. Cette zone est dûe à un effet d’avalanche. Il faut veiller alors à ne pas
détruire le composant.

2. La zone de saturation est en réalité caractérisée par une pente et donc par
une résistance. Cette résistance est de très forte valeur. Aussi, on la néglige
souvent. La source de courant ainsi réalisée n’est donc pas parfaite.

3. Enfin, un transistor MOS est caractérisé par une dépendance en température.

Cette dépendance en température est essentiellement visible sur la courbe
IDS = f (VGS ). La pente de la tangente à cette courbe se trouve modifiée.

1.2.3 Etude de la polarisation

But de la polarisation. Nous avions vu dans le cas de la diode qu’elle possède
un degré de liberté. Autrement dit, le composant lui même impose une loi de varia-
tion courant-tension (loi exponentielle) et lorsqu’on place la diode dans un circuit, le
circuit impose également une caractéristique courant-tension qui lui est propre. La
réunion de ces deux caractéristiques fixe un courant et une tension. Un point de re-
pos (ou de fonctionnement) est ainsi déterminé 4 , correspondant à un état d’équilibre
du système. L’étude de la polarisation est l’étude de la détermination de ce point de
repos, résultant d’une part du composant et d’autre part du montage dans lequel il
est inséré.
Un transistor possède deux degrés de liberté. Afin de fixer un point de repos, il
faudra donc que le montage impose deux caractéristiques courant-tension.
Raisonnons sur un transistor NMOS, Normally OFF. Un tel transistor est caractérisé
par : le courant IDS , la tension VDS et la tension VGS . Connaissant le circuit dans
lequel est inséré le transistor, le but de cette étude est de déterminer les valeurs de
ces trois paramètres (IDS0 ,VDS0 ,VGS0 ) à l’équilibre. Inversement, polariser un tran-
sistor, c’est déterminer les paramètres d’un circuit externe afin d’obtenir un point
de fonctionnement voulu.
On dispose de deux méthodes pour étudier la polarisation : une méthode graphique
et une méthode analytique.

Méthode graphique La figure 1.10 illustre graphiquement la polarisation d’un

transistor. Considérons en effet le réseau de caractéristique IDS =f(VDS ), la fonction
f étant elle même paramétrée par la tension VGS . Le circuit externe, entre le drain et
la source, va imposer une autre caractéristique courant-tension IDS =g(VDS ), corres-
pondant aux sources d’énergie et aux composants du circuit. Cette caractéristique
4
lorsqu’on appliquera des signaux variables (généralement de faible amplitude) à un montage
à transistor, on travaillera ”autour” de ce point de fonctionnement. Ce point de repos fixe les
caractéristiques d’un montage à transistors permettant une utilisation voulue

12
 IDS IDS Droite de charge
Droite d'attaque

IDS0 IDS0 VGS>VT

0 VT VGS0 VGS VDS0 VDS

Fig. 1.10 – Réseau de caractéritiques d’un transistor NMOS Normally OFF avec la
droite d’attaque et la droite de charge statique du montage.

porte le nom de droite de charge (DDC) statique 5 . En prenant le modèle de Thévenin

équivalent au circuit externe 6 , cette fonction sera une droite. Cette droite rencontre
les différentes courbes correspondantes à différentes valeurs de VGS . Il y a donc à ce
stade une infinité de points de repos possibles. Les caractéristiques du transistor et
du montage ne sont pas complètement déterminées.
Intéressons nous maintenant à l’autre caractéristique courant tension du transistor :
la courbe IDS =k(VGS ) (par exemple en régime de saturation). Le montage externe
impose en outre une autre caractéristique IDS =h(VGS ). Elle porte le nom de droite
d’attaque. Cette droite va déterminer complètement le système : il existe un unique
point de concours entre les deux réseaux, déterminant ainsi la tension VGS et le
courant IDS . En revenant aux premières courbes, on en déduit VDS .

Méthodes analytique Il suffit de résoudre le système suivant :



 IDS = K2 (VGS − VT )2

IDS = h(VGS ) (droite d0 attaque)

IDS = g(VDS ) (droite de charge statique)

Remarques :
1. L’étude de la polarisation effectuée ici ne concerne que les transistors utilisés
dans la zone de saturation ; l’utilisation de la caractéristique IDS =k(VGS ) du
transistor n’est valable que si le transistor est en régime de pincement.
2. On peut aussi utiliser une méthode hybride : on peut déterminer certains
paramètres de polarisation par le calcul et d’autres par les graphiques.
Les différents montages classiques utilisés pour polariser un transistor seront étudiés
en TD et en TP et ne sont pas abordés dans ce polycopié.
5
nous constaterons en effet que les signaux variables appliqués sur un montage à transistor
verront une droite de charge éventuellement différente, appelée droite de charge dynamique.
6
en régime statique, les composants équivalents sont des résistances

13
1.2.4 Etude du régime dynamique
Introduction
L’étude de la polarisation concernait l’étude des signaux constants. Nous allons
maintenant effectuer l’étude des signaux variables. Il s’agit de superposer aux signaux
constants (signaux pouvant avoir des valeurs élevées, utiles à la polarisation) des
signaux variables, liés au transport d’une information utile. Il faut bien se rendre
compte de l’existence de deux types de signaux dans les montages à transistor : ceux
servant à se placer dans des conditions favorables (la polarisations permet d’utiliser
certaines caractéristiques du transistor, caractéristiques voulues par l’utilisateur) et
ceux utilisant directement ces conditions pour véhiculer l’information (généralement
de faible amplitude).
Nous allons revenir sur un cas plus simple : la diode. Nous avons globalement deux
approches pour comprendre les rôles de ces deux types de signaux : une approche
”mathématique” et une approche ”graphique”, plus intuitive.
Approche mathématique : la diode est caractérisée par la relation courant-tension
donnée par l’équation 1.1. Supposons que nous polarisions la diode au point (I0 ,U0 )
avec U0 > 0. La relation précédente devient :
 
I0 = IS eU0 /UT − 1 ≈ IS eU0 /UT (1.7)

Supposons que la tension U soit la somme d’une tension constante U0 et d’un signal
variable u : U = U0 + u. Prenons comme hypothèse supplémentaire : u  UT . Alors :

I = I0 + i (1.8)
= IS e(U0 +u)/UT (1.9)
= IS eU0 eu/UT (1.10)
= IS eU0 (1 + u/UT ) (1.11)
u
= I0 + IS (1.12)
U
| {z T}
i
U − U0
= I0 + IS (1.13)
UT
Ainsi, une petite variation de la tension autour du point de fonctionnent se traduit
par une petite variation de courant dans la diode. Si la variation de tension est liée
à une information, cette information se retrouvera dans la variation de courant as-
sociée. Tout repose ici sur un développement limité au premier ordre. Il faut donc
que les amplitudes de ces signaux variables soient faibles devant celles des signaux
constants. C’est pourquoi on qualifie ces signaux de petits signaux. Dans ces condi-
tions, il y a proportionalité entre la ”petite” tension variable et le ”petit” courant
variable : on dit que l’on a linéarisé la caractéristique de la diode autour du point
de fonctionnement. Il y a bien linéarité entre ”la sortie” (le courant) et ”l’entrée”
(la tension).

Approche graphique : considérons la caractéristique associée à la diode (figure 1.11.

Représentons sur cette caractéristique le point de fonctionnement précédent. Considérons

14
 I

Fig. 1.11 – Comportement du point de polarisation vis à vis de petits signaux

le régime petit signal autour du point de polarisation. Cela signifie que le point de
fonctionnement du système va se déplacer de part et d’autre du point de polarisa-
tion, le déplacement étant relatif à l’amplitude de la tension variable appliquée.
Si l’amplitude des petits signaux est faible, on peut localement assimiler la ca-
ractéristique courant-tension de la diode à une portion de droite, passant par le
point de fonctionnement et tangent à la caractéristique : on dit que l’on a linéarisé
cette caractéristique. Pour les petits signaux, tout se passe comme s’ils ne voyaient
que cette droite 7 . Le courant est alors une image de la tension d’entrée : les varia-
tions du courant sont proportionnelles aux variations de tension.
Dans le cas d’une linéarisation, on peut alors définir la résistance dynamique : il s’agit
de la résistance vue par les petits signaux au point de polarisation. Sur l’exemple
précédent, on aurait : rd = ui = ∂U
∂I
= UIST . Dans le cas général, on définit la résistance
dynamique autour de (I0 ,U0 ) par :
∂U
rd = (1.14)
∂I (I0 ,U0 )

Le schéma équivalent à la diode pour les petits signaux est alors une simple résistance
(au premier ordre).
La figure 1.12 montre, au niveau des caractéristiques du MOS, les fluctuations
du point de fonctionnement autour de sa valeur d’équilibre. De petites fluctuations
de VGS (autour de VGS0 ) entrainent des fluctuations du courant IDS (autour de IDS0 )
et de même pour la tension VDS . Sous l’hypothèse de faible amplitude (régime de
petits signaux), on peut linéariser les caractéristiques. Toutes les fluctuations sont
donc linéaires par rapport à la grandeur d’entrée.
7
pour les petits signaux, tout se passe comme si on avait une translation de l’origine du repère
vers le point de polarisation. Dans ce nouveau repère la caractéristique courant-tension est assimilée
à une droite passant par la nouvelle origine : ces petits signaux ne ”voient” donc qu’une résistance.

15
 IDS

VGS>VT

VT VGS VDS

Fig. 1.12 – Etude des petits signaux sur les caractéristiques d’un transistor NMOS
Normally OFF.

Schéma petits signaux d’un MOS. Cas des basses fréquences.

Nous allons déterminer le schéma vu par les petits signaux dans le cas où le
point de fonctionnement se situe dans la zone de pincement. Nous supposerons que
la fréquence de ces signaux est relativement basse (nous verrons plus tard ce que
signifie le terme de haute fréquence).

Justification du schéma petits signaux. Le courant drain-source IDS d’un

transistor est une fonction de deux variables : VGS et VDS . Soit (IDS0 , VDS0 , VGS0 )
le point de polarisation. Considérons alors les petits signaux (ids , vds , vgs ) associés à
ce point de polarisation. Les amplitudes de ces petits signaux étant faibles devant
les valeurs des ”grands signaux”, nous pouvons effectuer un développement limité
au premier ordre du courant IDS :

IDS = IDS0 + ids (1.15)

∂IDS ∂IDS
= IDS0 + vds + vgs (1.16)
∂VDS VGS0
∂VGS VDS0

D’où :
∂IDS ∂IDS
ids = vds + vgs (1.17)
∂VDS VGS0
∂VGS VDS0
| {z } | {z }
1/RDS gm

16
Le premier terme est homogène à l’inverse d’une résistance. Si on est dans la zone
ohmique, il s’agit de l’inverse de la pente de la caractéristique. Cette résistance
dépend du point de polarisation car la pente dépend de la tension Grille-source.
Si on est dans la zone de saturation du courant (zone de pincement), la pente de
la caractéristique est quasiment nulle et donc la résistance RDS très grande 8 . Le
second terme est un peu plus difficile à modéliser. Lorsque l’on est dans la zone de
pincement, on connait la carctéristique (IDS , VGS ). Connaissant le point de polarisa-
tion, on en déduit que la dérivée partielle de ce terme correspond à la linéarisation
de cette caractéristique autour du point de polarisation (comme dans une diode).
On note gm la conductance 9 associée à cette linéarisation. Ce second terme traduit
le fait que la joncion Drain-source se comporte comme une source de courant idéale,
la valeur du courant étant proportionnelle à la tension vgs et à la conductance gm .
Finallement, la jonction drain-source est, pour les petits signaux, une source de cou-
rant : elle correspond à une source de courant idéale commandée en tension avec
éventuellement en parallèle une résistance. La résistance correspond au caractère
non idéal de la source de courant réalisée.
La jonction Grille-Source se comporte comme un condensateur (dont la capacité est
de très faible valeur). Aux basses fréquences, le courant variable igs est alors nul (il
se comporte comme un signal constant arrivant sur une plaque d’un condensateur).
Aux basses fréquences (dans la bande passante du transistor) l’impédance associée
à cette capacité est très grande devant les impédances des autres éléments. On peut
donc la considérer comme infinie et la remplacer par un circuit ouvert.

Le schéma équivalent vu par les petits signaux (valable dans la zone de pince-
ment) est représenté sur la figure 1.13.

G D

VGS gmVGS rDS

S
Fig. 1.13 – Schéma équivalent petits signaux d’un transistor MOS en basse fréquence

Il faut bien avoir à l’esprit les origines de ce schéma petits signaux. La figure 1.14
résume les équations du schéma petit signal.

8
cette résistance est très grande mais finie : l’effet Early introduit en effet une légère pente de la
carctéristique courant-tension dans la zone de saturation. Mais souvent on la néglige, considérant
ainsi une résistance dynamique associée infnie.
9
ie l’inverse d’une résistance

17
 G D

gm VGS rDS

S
Zone saturée Inverse de
IDS la pente
IDS

Pente

VGS
VDS

Fig. 1.14 – Lien entre les caractéristiques et le schéma petits signaux.

Droite de charge, droite d’attaque. Comme dans le cas statique, on peut

définir une droite d’attaque et une droite de charge associée aux petits signaux.
Deux solutions existent pour trouver ces droites. La première consiste à écrire les
lois des mailles en entrée du transistor et en sortie en foncion des grandeurs du
circuit (on considère les courants et tensions du point de polarisation et les petits
signaux), comme lors de l’étude de la polarisation.
La seconde méthode consiste à redessiner le schéma équivalent vu par les petits si-
gnaux uniquement : on remplace le transistor par le modèle ”petits signaux” trouvé
précédemment et on redessine les composants vus par ces signaux variables de faible
amplitude. C’est cette deuxième solution que l’on adopte en électronique (cf TD).
Attention : on peut montrer mathématiquement (à l’aide de la première méthode)
que les sources de tension non commandées (resp. les sources de courant non com-
mandées) vues par les petits signaux sont équivalentes à un court-circuit (resp. à un
circuit ouvert). En effet, appliquer des petits signaux à un système consiste à faire
varier les points de fonctionnement autour de leur valeur moyenne. Par exemple,
dans le cas d’une source de tension, la valeur de la tension est égale à la valeur
moyenne (valeur de la polarisation). Il ne peut pas y avoir de variations de tension
autour de cette valeur délivrée par la source (rappelons qu’une source de tension est
un dispositif qui délivre une tension constante quelle que soit la charge connectée à
ses bornes). Les variations de tension sont donc nulles : les petits signaux associées
sont nuls.

Petits-signaux et caractéristiques. Les petits signaux sont des signaux de

faible amplitude appliquées autour des valeurs de polarisation. Cela revient à effec-
tuer de petites variations du point de polarisation autour de sa valeur moyenne. Si

18
l’amplitude de ces variations reste suffisamment faible, les variations seront linéaires.
En regardant les caractéristiques des transistors, nous pouvons comprendre que si
l’amplitude de ces variations augmente trop, nous risquons de perdre toute notion de
linéarité. Le point de fonctionnement, en se déplaçant sur une caractéristique, ne sui-
vra plus une droite. Nous ne sommes alors plus en régime linéaire. Mathématiquement,
cela revient à considérer que le développement limité au premier ordre n’est plus
suffisant. Expérimentalement, si on augmente l’amplitude des signaux variables, les
signaux de sortie vont se déformer au fur et à mesure que les amplitudes augmentent.

Les limites en hautes fréquences.

Nous venons d’étudier le comportement du transistor ”dans la bande passante”,

c’est à dire dans la bande de fréquence pour laquelle le gain du transistor est maximal
et constant. Si nous augmentons progressivement la fréquence des petits signaux, le
schéma équivalent donné précédemment deviendra de plus en plus inexact. D’autres
phénomènes sont à prendre en compte : les capacités parasites internes au transistor.
Deux capacités perturbent fortement le fonctionnement du transistor MOS :

– la capacité Grille-Source : cette capacité est dûe à la nature de la jonction

Grille-Source. Cette jonction contrôle la taille du canal au moyen d’une capa-
cité MOS, c’est à dire au moyen de la superposition de trois couches : métal-
oxyde-semiconducteur. En raison de la présence de l’oxyde, cette jonction se
comporte comme une capacité pure (rappelons qu’une capacité est un isolant
placé entre deux conducteurs), dont nous avons négligé le rôle dans la bande
passante (sur le schéma précédent ”basse fréquence”).
– la capacité Grille-Drain : son origine est dûe aux contacts.
Le nouveau schéma petits signaux est alors celui resprésenté sur la figure 1.15.

G CGD D

gmVGS
VGS CGS rDS

S
Fig. 1.15 – Schéma petits signaux valable en haute fréquence.

Remarque : il existe aussi une capacité ”Drain-Source”. Cette dernière est souvent
négligeable devant les deux autres et est peu prise en compte.

19
1.2.5 Utilisation en résistance commandée et en interrup-
teur.
Fonctionnement en résistance.
Nous avons vu qu’un transistor MOS se comporte comme une résistance com-
mandée pour de faibles valeurs de la tension VDS . Cette valeur de la résistance peut
être choisie à l’aide de la tension VGS . Ainsi, on peut réaliser une résistance com-
mandée par la tension VGS .
De telles résistances sont utilisées soit dans des montages d’électronique intégrée soit
dans des applications d’électronique analogique (contrôle automatique de gain, par
exemple).

Fonctionnement en interrupteur.
Considérons un transistor NMOS. Lorsque la tension de commande oscille entre
deux états (on considère un échelon de tension au niveau de la grille), il est possible
de réaliser un interrupteur entre le drain et la source :
– lorsque, par exemple VGS < VT , le canal n’existe pas : l’interrupteur est ouvert.
– lorsque VGS > VT , le canal existe. Le courant drain-source est positif : l’inter-
rupteur sera fermé.
Dans le cas d’un interrupteur fermé, on est en mesure de déterminer la résistance
RON de cet interrupteur. Cette résistance à l’état passant dépend de la tension
VS . Si cette tension varie, la résistance de l’interrupteur n’aura plus les mêmes ca-
ractéristiques, ce qui peut perturber les montages. La figure 1.16 présente les va-
riations de la résistance en fonction de la tension Va = VS . Afin de minimiser ces
variations, on place en parallèle entre le drain et la source un transistor PMOS dont
la commande VGS2 est complémentaire de la tension VGS1 . Ce transistor aura des va-
riations de résistance inverse de celles du transistor NMOS (mais la résistance d’un
PMOS est supérieure à celle d’un NMOS , d’où l’assymétrie de la résistance totale).
La résistance globale de l’interrupteur ainsi formé sera la résistance équivalente aux
deux résistances en parallèle. Finalement, les variations sont atténuées. La résistance
est en outre minimisée et diminue ainsi la consommation des circuits type commu-
tateur.

Un tel dispositif porte le nom de montage CMOS (Complementary MOS). Il est

à la base de la plupart des dispositifs pour l’électronique numérique. Dans la filière
CMOS, on a toujours l’association de deux MOS complémentaires.

1.3 Etude du JFET

L’étude du transistor JFET se réfèrera à l’étude du MOSFET. Les comporte-
ments de tels transistors sont tout à fait analogues à ceux des MOSFET. Les JFET
sont essentiellement utilisés en tant qu’amplificateurs (en électronique analogique)

20
 RON

PMOS NMOS

NMOS//PMOS

VS

Fig. 1.16 – Résistance à l’état passant d’un transistor NMOS, PMOS et de l’asso-
ciation des deux transistors.

et dans des circuits nécessitant des composants faibles bruit 10 . Ils sont peu présents
dans les circuits intégrés, contrairement au MOS, en raison d’une plus grande diffi-
culté technologique d’intégration et d’une consommation en courant plus élevée.

1.3.1 Description du composant.

Un transistor JFET est un transistor à effet de champ (MOS) dont le canal
est contrôlé par une jonction PN. La dimension du canal est ainsi modulée par
la largeur de la zone de charge d’espace de la jonction PN, zone qui s’étend plus
ou moins dans la partie drain-source selon la polarisation. On retrouve les mêmes
broches que celles d’un MOSFET : La Grille, la Source et le Drain. Il n’existe que
deux types de transistors JFET, qui se distinguent selon le type du canal (N ou P).
Les schémas associés à ces deux types sont représentés sur la figure 1.17.
Pour un JFET canal N, il faut toujours veiller à avoir une tension Grille-Source
négative : une tension positive polariserait la jonction en direct, créant ainsi un
courant direct important qui pourrait endommager la jonction. Nous étudierons
dans la suite un transistor JFET canal N.

D G D
G

S S

(i) canal N (ii) canal P

Fig. 1.17 – Symboles des transistors JFET

Caractéristiques statiques
On retrouve les allures des MOSFET (cf figure 1.18). Selon le type du canal,
les signes des tensions et des courants changent. En outre, on retrouve les deux
10
On peut en effet montrer que les JFET génèrent moins de bruit que les MOSFET.

21
 IDS IDS

VGS

VT<0 VGS VDS

Fig. 1.18 – Caractéristiques statiques d’un JFET canal N.

grandes zones : une zone linéaire (résistance commandée ou interrupteur) pour des
tensions drain-source faibles et une zone de pincement ou de saturation (utilisation
en amplificateur).
Pour JFET canal N, il faut bien veiller à avoir une tension VGS < 0 : si la jonction
PN est polarisée en direct, des courants trop importants circuleront : un claquage
de la jonction peut détruire le composant.
La figure 1.19 donne les caractéristiques d’un transistor JFET canal N (2N4416). Le
courant maximal est de l’ordre de 10 mA.

Schémas petits signaux

La figure 1.20 présente les schémas petits signaux d’un JFET dans la bande pas-
sante et en haute fréquence. Ces schémas sont identiques à ceux d’un MOSFET.
La documentation de la figure 1.19 fournit des valeurs de capacités (en haute fréquence).
Elles sont typiquement de l’ordre de grandeur de 4 pF .

22
 2N4416 / 2N4416A / PN4416

 
   


ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC unless otherwise specified)

SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS

-0.1 nA VGS = -20V, VDS = 0

IGSS Gate Reverse Current
-0.1 µA TA = 150oC

2N4416/PN4416 -30
BVGSS Gate-Source Breakdown Voltage IG = -1µA, VDS = 0
2N4416A -35
V
2N4416/PN4416 -6
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage VDS = 15V, ID = 1nA
2N4416A -2.5 -6

VGS(f) Gate-Source Forward Voltage 1 V IG = 1mA, VDS = 0

IDSS Drain Current at Zero Gate Voltage 5 15 mA

gfs Common-Source Forward Transconductance 4500 7500 µS f = 1kHz

gos Common-Source Output Conductance 50 µs VDS = 15V,

VGS = 0
Crss Common-Source Reverse Transfer Capacitance (Note 1) 0.8 pF

Ciss Common-Source Input Capacitance (Note 1) 4 f = 1MHz

pF
Coss Common-Source Input Capacitance (Note 1) 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) (TA = 25oC unless otherwise specified)

100MHz 400MHz
SYMBOL PARAMETER UNITS TEST CONDITIONS
MIN MAX MIN MAX

giss Common-Source Input Conductance 100 1000

biss Common-Source Input Susceptance 2500 10,000

Common-Source Output
goss 75 100 µS VDS = 15V, VGS = 0 (Note 1)
Conductance

boss Common-Source Output Susceptance 1000 4000

Common-Source Forward
gfs 4000
Transconductance

Gps Common-Source Power Gain 18 10 VDS = 15V, ID = 5mA (Note 1)

dB
NF Noise Figure (Note 1) 2 4 VDS = 15V, ID = 5mA, RG = 1kΩ

NOTE 1: For design reference only, not 100% tested.

Fig. 1.19 – Caractéristiques du transsistor 2N4416 (JFET canal N).

G D G CGD D

gmVGS rDS gmVGS

CGS rDS

S S
(i) (ii)

Fig. 1.20 – Schémas petits signaux utiles pour les JFET : (i) basses fréquences (ii)
en hautes fréquences

23
Chapitre 2

Les transistors bipolaires

2.1 Introduction
Les transistors bipolaires ont été les premiers transistors crées. Leur importance
a diminuée avec l’apparition des transistors à effet de champ, en raison de leur plus
grande difficulté d’intégration et de leur caractéristiques moins adaptées à la com-
mutation.
Ils sont adaptés à l’électronique analogique (amplification essentiellement), en basse
et en haute fréquence. Ils ont caractérisés par des gains en courant important.
Les transistors bipolaires reposent sur l’exploitation des deux types de porteurs
(électrons et trous). De telles structures sont constituées d’un empilement de trois
couches de semiconducteurs de types différents : NPN ou PNP. Ils sont constitués
de trois bornes : la base, l’émetteur et le collecteur.

Les symboles des deux types de transistors sont représentés sur la figure 2.1.

C C
B B

E E

(i) (ii)

Fig. 2.1 – Symboles des transistors bipolaires : (i) transistor NPN ; (ii) transistor
PNP

La figure 2.2 représente un modèle simple des transistors bipolaires. Il faut ce-
pendant garder à l’esprit que ce modèle unidimensionnel est loin de la réalité. La
structure réelle des transistors bipolaire est planaire et donc ces transistors fonc-
tionnent en trois dimensions. Ce modèle linéaire simpliste permet cependant de
comprendre aisément le principe.

24
 E C E C
N P N P N P

B B

(i) (ii)

Fig. 2.2 – Modèle unidimensionnel d’un transistor bipolaire : (i) transistor NPN ;
(ii) transistor PNP

2.2 Caractéristiques statiques

2.2.1 Introduction
Considérons un transistor NPN 1 . La figure 2.2 montre qu’un tel transistor
fait apparaitre deux jonctions : une jonction Base-Emetteur et une jonction Base-
Collecteur. Si on assimile ces jonctions à deux diodes 2 , chaque jonction ayant deux
états possibles 3 selon le signe de la tension de la jonction, on en déduit qu’il peut
y avoir quatre grands comportements.
Le tableau suivant résume ces différents comportements :

Diode Base-Emetteur Diode Base-Collecteur régime du transistor

passante bloquée normal
passante passante saturé 4
bloquée bloquée bloqué
bloquée passante régime inutilisé
Ce tableau fait apparaı̂tre trois grands régimes de fonctionnement, régimes que l’on
retrouvera sur les caractéristiques statiques :

– régime de fonctionnement normal. C’est le régime le plus utilisé. Il permet une

amplification des signaux.
1
les transistors NPN sont plus utilisés que les transistors PNP. Ceci est essentiellement dû au
fait que le courant principal est un courant d’électrons. Ils seront donc ”plus rapides”, c’est à dire
qu’ils possèderont des fréquences de travail plus élevées.
2
attention : il faut bien garder à l’esprit qu’un transistor bipolaire est bien plus que deux
diodes montées tête-bêche : il y a la présence d’un courant allant directement de l’emetteur vers
le collecteur : c’est le courant principal lié à l’effet transistor ! Ce raisonnement permet juste de
voir les différentes possibilités de polarisation. Nous verrons par la suite la manière d’améliorer ce
schéma.
3
diode passante ou bloquée
4
Il ne faut pas confondre l’état saturé d’un transistor bipolaire avec la zone de saturation d’un
transistor MOS.

25
 – régime saturé. En première approximation, on peut assimiler le transistor sa-
turé comme étant équivalent à un court circuit. Les trois bornes sont court-
circuitées 5
– régime bloqué. Les trois bornes sont équivalentes à des circuits ouverts.

2.2.2 Etude des caractéristiques statiques

Nous allons voir dans un premier temps le cas du transistor NPN. Nous détaillerons
plus ce type de transistor, en raison de son importance.
Comme dans le cas du MOS, il existe un réseau de caractéristiques, le nombre de
degrés de liberté étant égal à deux.

Cas du transistor NPN.

Etude du régime de fonctionnement ”normal” Dans ce régime de fonctionne-
ment, on rappelle que la jonction Base-Emetteur est polarisée en direct et la jonction
Base-Collecteur en inverse.
On s’intéresse essentiellement à la caractéristique IC en fonction de VCE , paramétrée
par le courant IB . La figure 2.3 présente l’allure de ce réseau de caractéristiques 6 7 ,
ainsi que les courbes IC = f (IB ) (en fonctionnement normal) et IB = f (VBE ). On dis-
tingue deux zones sur le réseau de caractéristiques : une zone pour laquelle la varia-
tion de courant IC est proportionnelle à la variation de tension VCE (zone équivalente
à la zone ohmique d’un transistor MOS, mais dont la variation de résistance est
moindre) et une zone pour laquelle le courant est constant (en première approxima-
tion, car nous verrons plus loin qu’il existe en réalité une légère pente).

La jonction Base-Emetteur est équivalente à une source de tension, la chute

de potentiel étant due à la tension de seuil de la diode Base-Emetteur polarisée en
direct (de l’ordre de grandeur de 0.6 V). Cette jonction se comporte comme une diode
réelle. On retrouve cette caractéristique 8 de diode sur le graphique IB = f (VBE ). En
première approximation, on peut donc remplacer la caractéristique de cette diode
par un modèle de diode avec seuil.
La jonction Base-collecteur est équivalente à une source de courant commandée par
le courant de base (dans la zone de saturation du courant). Cette jonction est associée
au réseau de caractéristiques IC = f (VCE ), réseau paramétré par le courant IB . On
note β le gain en courant associé 9 . Il faut remarquer que ce gain en courant est
constant : il ne dépend pas des tensions et des courants du transistor. Comme dans
le cas du MOS, on a bien réalisé une source de courant commandée. Ici, la commande
5
Nous verrons qu’il existe en réalité une chute de potentiel entre les différentes broches.
6
ce réseau de caractéristique est l’équivalent des caractéristiques I DS = f (VDS , VGS ) d’un tran-
sistor MOS.
7
ce réseau est aussi valable pour les régimes bloqué et saturé, comme nous le verrons par la
suite.
8
cette caractérisique n’existait pas dans le cas d’un transistor MOS, puisque la jonction grille-
source d’un MOS est une capacité.
9
on voit ici qu’un transistor est bien plus que deux diodes têtes-bêches : on a réalisé une source
de courant, ce qui est impossible à faire à l’aide de deux diodes.

26
 IC

IB

IB VCE

VT

VCE
Fig. 2.3 – Caractéristiques d’un transistor bipolaire NPN

de cette source se fait à l’aide du courant de base. Or, ce courant est donné par la
caractéristique courant-tension de la jonction Base-Emetteur. Nous verrons plus loin
que cette source de courant pourra donc être commandée en tension (via la tension
VBE ).
La figure 2.4 représente le schéma équivalent du transistor en fonctionnement
normal.

C
Ic=β IB
B
IB
E
Fig. 2.4 – Schéma équivalent d’un transistor NPN en régime de fonctionnement
normal

Remarque : il existe d’autres réseaux de caractéristiques concernant un tel transis-

tor. Nous nous sommes limités aux trois principaux.
Relations entre les courants et les tensions.
Le régime de fonctionnment normal est donc caractérisé par les deux équations sui-
vantes (dans la zone de fonctionnement en source de courant) :

27
 


 IC = βIB 
IB = IS eVBE /UT − 1 (2.1)


 ≈ IS eVBE /UT
Remarque : on peut également faire l’approximation : VBE = 0.6V (ou une autre
tension de seuil selon les caractristiques du transistor).
En outre, on a les relations suivantes entre les courants :


 IE = I C + I B
= βIB + IB (2.2)


= (β + 1) IB
Le gain en courant β étant très grand (typiquement compris entre 100 et 300), on
simplifie généralement l’équation 2.2 : IE ≈ βIB ≈ IC
En outre, on peut également écrire :


 IE = I C + I B




 = IC + β1 IC
β+1 (2.3)
 = IC



 β

 | {z }
1/α

En première approximation, β  1 et donc α ≈ 1. L’équation 2.3 s’écrit : IE ≈ IC .

On considère souvent que le courant de collecteur est identique au courant d’emet-
teur.

Etude du régime saturé. Dans ce régime de fonctionnement, les deux jonctions

sont polarisées en direct. Les deux diodes sont passantes : aux tensions de seuil près,
le transistor est court-circuité. La figure 2.5 représente deux modèles équivalents
d’un transistor NPN en régime saturé.

C
C

B B

E E
(i) (ii)
Fig. 2.5 – Transistor en régime saturé : (i) modèle sans seuils ; (ii) modèle avec
seuils.

On retrouve ce régime de fonctionnement sur les caractéristiques : le premier

modèle correspond à l’axe vertical (VCE = 0V ), le second aux courbes ayant une

28
allure de résistance (cf figure 2.6).

IC

IB

VCE

Fig. 2.6 – Caractéristique courant tension du transistor en régime saturé : trait gras
continu : modèle simple (diodes sans seuils) ; trait gras pointillé : modèle avec seuils.

Régime bloqué Ce régime correspond aux diodes polarisées en inverse. On peut

donc considérer en première approximation que les trois bornes du transistor sont
équivalentes à des circuits ouverts. Aucun courant ne circule dans le transistor (aux
courants inverses des diodes près, ces courants étant négligeables). Ce régime cor-
respond à l’axe horizontal IC = 0 dans la caractéristique IC = f (VCE , IB ).

Schéma global
Les fonctionnements des trois grands régimes vus précedemment peuvent se re-
trouver sur le schéma équivalent du transistor de la figure 2.7 (i) . Ce schéma 10
porte le nom de schéma d’Ebers-Moll. Nous allons montrer comment on retrouve les
trois grands régimes dans le cas d’un transistor NPN.

Les équations globales s’écrivent :

(
Ic = αIES + ICS
IE = αi ICS + IES

On peut montrer que αi  1 et α ≈ 1.

– lorsqu’on est en régime de fonctionnement normal, on polarise la jonction

base-émetteur en direct et la jonction base collecteur en inverse. Le courant
circulant dans la diode Base-Emetteur est donc élevé et donc IE ≈ IES . La
diode Collecteur-Base est parcourue par un courant inverse qui sera petit de-
vant le courant de la source en parallèle : Ic ≈ αIES = αIE . On a alors le
schéma équivalent de la figure 2.7 (ii).
10
ainsi que les équations associées

29
 C IC
C
ICS α IES
Ic=α IE
IB B
B
IB
αi ICS IES IE
E
E IE

(i) (ii)
Fig. 2.7 – (i) Schéma d’Ebers-Moll (ii) Schéma d’Ebers-Moll simplifié (en régime
de fonctionnement normal).

– en régime de fonctionnement saturé : les deux diodes sont passantes et court-

circuitent les deux sources de courant. Aux chutes de tension près (dans les
diodes), les jonctions du transistor sont équivalentes à des fils.
– en régime bloqué, les deux diodes sont parcourues par des courants inverses
faibles. Il en résulte que IE ≈ 0 et donc on a aussi Ic ≈ 0. Le transistor se
comporte bien au premier ordre comme un circuit ouvert.
Remarque : ce schéma permet de retrouver facilement les différents régimes d’un
transistor en fonction des signes des tensions. Il est en particulier très intéressant
pour le régime normal. Mais il serait par contre dangereux de le remplacer dans un
schéma électrique complet par cette représentation équivalente.

Cas du transistor PNP.

Le passage d’un transistor NPN à PNP se fait en inversant les signes des courants
et des tensions (ce qui est signalé par la flèche sur l’émetteur).

Imperfection des transistors bipolaires

Nous allons évoquer dans ce paragraphe deux imperfections des transistors bi-
polaires : la dépendance en température et l’effet Early.

Sensibilité en température Les transistors bipolaires sont plus sensibles en

température que les transistors MOS. Deux effets sont à remarquer.

30
 – le gain en courant (β), varie beaucoup avec la température. Il en découle que
les caractéristiques d’un montage (gain de l’amplificateur, point de polarisation
etc...) pourront varier en fonction de la température. Il faudra donc tenter de
trouver des montages qui dependent faiblement des paramètres fluctuant avec
la température 11 .
– le second effet de la température est la variation de la tension de seuil de la
diode base-emetteur. En régime normal, cette diode est polarisée en direct.
La tension Vbe est alors à peu près constante, égale à la tension de seuil de la
diode considérée (aux alentours de 0.6 V). Or, cette tension de seuil varie avec
la température. on peut retenir l’ordre de grandeur de cette variation 12 :

∂Vbe
≈ − 2 mV /K (2.4)
∂T

L’effet Early Le réseau de caractéristiques IC = f (VCE , IB ) de la figure 2.3 fait

apparaitre des droites parallèles à l’axe des abscisses (dans la zone correspondant
à l’utilisation en source de courant idéale). Il existe en réalité une légère pente (et
donc une grande résistance associée) : c’est l’effet Early 13 . La figure 2.8 montre
une représentation de ce même réseau de caractéristiques, en tenant compte de
l’effet Early. Ces droites se coupent en un point situé sur la partie négative de l’axe
des abscisse. La tension associée est la tension d’Early, notée VA . Cet effet Early
peut donc être modélisé par une résistance mise en parallèle entre le collecteur et
l’emetteur : la source de courant ainsi créee possède une résistance parallèle de fuite.
L’ensemble constitue alors une source de courant non parfaite.

IC

IB

VCE
VA
Fig. 2.8 – Effet Early dans un transistor bipolaire.

11
nous verrons que certains montages amplificateurs présenteront un gain dépendant peu du gain
en courant β, rendant ainsi le montage peu dépendant des fluctuations de température
12
Cette variation peut être gênante pour la stabilité des montages. Mais elle peut aussi s’avérer
utile : on exploite couramment cette propriété pour en faire des capteurs de température.
13
L’effet Early traduit en fait les modulations de la zone neutre de la base, modulations dûes
à la polarisation des deux jonctions. Ces polarisations modulent en effet la largeur de la zone de
charge d’espace et donc la largeur de la base.

31
2.3 Etude de la polarisation
2.3.1 Principe et méthodes
La polarisation d’un transistor bipolaire est analogue à la polarisation d’un tran-
sistor MOS. On dispose également de deux méthodes : une méthode analytique et
une méthode graphique.

Méthode analytique .
Il s’agit de résoudre le système suivant :


 IB = f (VBE ) (droite d0 attaque) 14

 VBE ≈ 0.6 V (fonctionnement normal) 15
(2.5)


 IC = βIB

IC = g(VCE ) (droite de charge statique)
Remarque : il est très courant de tenir compte de l’importance du gain en courant
(on considèrera généralement que β + 1 ≈ β).

Méthode graphique :
On peut également entièrement résoudre ce système de manière graphique, en faisant
apparaitre sur les caractéristiques du transistor les droites de charge et d’attaque.
La figure 2.9 montre un exemple de résolution graphique. Une méthode hybride peut
bien sûr être adoptée.

2.4 Etude en régime dynamique.

Cette étude est tout à fait analogue à celle du MOS. Nous nous limiterons au
régime de fonctionnement normal. Nous allons déterminer le schéma équivalent petits
signaux dit ”dans la bande passante” (basse fréquence) : il s’agit du schéma le plus
simple, utilisé pour des signaux basses fréquences. Nous verrons ensuite comment
améliorer ce schéma pour le rendre plus réaliste et tenir compte entre autre des effets
de la fréquence.

2.4.1 Etude dans la bande passante.

La figure 2.10 donne le schéma petits signaux. Nous allons justifer les deux
éléments présents : la résistance et la source de courant. Ce schéma porte le nom de
schéma de Giacoletto ou de cellule en ”π”.
La jonction Base-Emetteur est polarisée en direct. La caractéristique courant tension
est donc celle d’une diode, c’est à dire une exponentielle. Pour de faibles amplitudes
de signaux variables, on peut donc linéariser cette caractéristique. La jonction se
15
imposée par le circuit externe au transistor
15
approximation souvent justifiée

32
 IC
IB
IC0

Droite de charge
IB0
IB VCE
VCE0
VBE0

VBE
Droite d'attaque

Fig. 2.9 – Méthode graphique de détermination de la polarisation.

comporte donc comme une résistance : c’est la résistance dynamique de la diode.

Cette résistance est couramment notée rbe ou rπ . On a :

∂Vbe
rbe = (2.6)
∂Ib
1
= (2.7)
∂Ib /∂Vbe
UT
≈ (2.8)
Ib0
βUT
≈ (2.9)
Ib0
(2.10)

B ib C

vbe rbe β ib = gm vbe

Fig. 2.10 – Schéma de Giacoletto valable pour les petits signaux, dans la bande
passante.

33
 Le transistor en régime normal se comporte comme une source de courant. Les
petits signaux sont aussi amplifiés de la même manière que les grands signaux. D’où :
ic = βib . On peut définir comme dans le cas du transistor MOS une transconduc-
tance, permettant ainsi de relier la source de courant à une commande en tension :
ic = gm vbe . On a alors l’égalité βib = gm vbe , d’où : β = gm vibeb . Or, le rapport de la
tension vbe par le courant ib correspond à la définition de la résistance dynamique
précédemment calculé :
β = gm rbe (2.11)
Remarque : on peut tenir compte de l’effet Early pour ce schéma petits signaux.
Il suffit lors de rajouter une résistance rce en parallèle sur la source de courant,
comme l’indique la figure 2.11. En outre, on peut également tenir compte d’une
résistance supplémentaire : la résistance d’accès à la base, résistance qui correspond
à la réalisation du contact au niveau de la base 16 . Cette résistance est généralement
notée rbb0 .
B ib C
rbb'
rbe β ib rc e

Fig. 2.11 – Schéma de Giacoletto en tenant compte de l’effe Early et de la résistance

d’accès à la base.

2.4.2 Effets en haute fréquence

Lorsqu’on monte en fréquence, les impédances liées aux capacités parasites di-
minuent. Il faut alors les prendre en compte. Trois condensateurs jouent un rôle
important : le condensateur ”base-collecteur” (notée Cbc ), le condensateur ”base-
emetteur” (notée Cbe ) et la condensateur ”collecteur-emetteur” (notée Cce ). Les
deux premièrs condensateurs sont plus influentes. Le schéma équivalent est alors
celui de la figure 2.12.

16
cette résistance d’accès au niveau de la base est en effet plus importante que les autres
résistances d’accès. Pour avoir un grand gain, la base doit être mince (beaucoup moins longue
les autres régions). Il en résulte que la surface de contact 42la0 Td
r´ 859842 0 Td (plus)Tj 2090334 0 Tdp(v)Tj 759123 0 Td (itune)T
 Cbc
B C

Cbe rbe gmvbe Cc e

Fig. 2.12 – Schéma de Giacoletto valable en haute fréquence.

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