Table des matières

INTRODUCTION GENERALE.....................................................................................3
Chapitre1 : Semi-conducteur
I.1.Introduction..............................................................................................................6
I.2.Définition................................................................................................................. 7
I.3.Dopage..................................................................................................................... 7
I.3.1.Définition................................................................................................................................. 7
I.3.2.Semi-conducteur no dopé : Intrinsèque (pure) :.......................................................................7
I.3.3.Semi-conducteur dopé : extrinsèque........................................................................................8
a.Semi-conducteur dopé N :......................................................................................................... 8
b.Semi-conducteur dopé P:...........................................................................................................9
I.4. Les bandes d’énergie...............................................................................................9
I.5.L’énergie de Gap...................................................................................................... 9
•a .Gap directe (bande interdit direct) :..................................................................................... 10
•b .Gap indirecte (bande interdit indirect) :..............................................................................10
I.7.Techniques de dopage des semi-conducteurs :.......................................................10
I.8.Jonction PN............................................................................................................ 11
I.7.1.Définition............................................................................................................................... 11
I.7.2.jonction PN polarisée en direct :.......................................................................................11
I.7.2.jonction PN polarisée en inverse :................................................................................... 12
I.8.L’effet photovoltaïque............................................................................................13
I.8.1. Fonctionnement d'une cellule photovoltaïque...................................................................... 14
I.8.2.Cellule solaire idéale..............................................................................................................14
I.8.3. Cellule solaire réelle..............................................................................................................14
I.8.4. Différentes caractéristiques d’une cellule solaire................................................................. 15
a). Courant de court circuit.........................................................................................................15
b).Tension de circuit ouvert VCO.................................................................................................15
c). Réponse spectrale, SR (λ) :................................................................................................... 15
I.9. Les différents types de cellules solaires :..............................................................15
I.9.1. Les cellules solaires au silicium............................................................................................15
a. Les cellules monocristallines..................................................................................................15
b. Les cellules poly-cristallines.................................................................................................. 16
c. Les cellules amorphes.............................................................................................................16
I.9.2. Les cellules solaires à couche mince.....................................................................................16
I.9.3. Les cellules solaires organiques............................................................................................16
I.9.4.Cellule solaire a pérovskites :................................................................................................ 16
1
I.9. Avantages et inconvénients de l'énergie photovoltaïque.......................................17
I.7.1. Avantages.............................................................................................................................. 17
I. 7. 2. Inconvénients...................................................................................................................... 17
I.10.Conclusion............................................................................................................. 1
Chapitre2:Généralités sur l’énergie photovoltaïque
II.1.introduction...........................................................................................................20
II.2.Le soleil................................................................................................................ 20
II.3.Les différentes couches de l’atmosphère..............................................................21
II.4.La constante solaire.............................................................................................. 21
II.5. Mouvements de la terre........................................................................................21
II.6.Le spectre solaire.................................................................................................. 22
II.7.Masse d’air............................................................................................................23
II.8.Les rayonnement solaires......................................................................................24
II.9.Conclusion............................................................................................................ 25

2
INTRODUCTION GENERALE

3
4
 La population croissante et sa consommation d'énergie engendrent une demande élevée d'énergie, ce
qui entraîne une crise énergétique. Afin de satisfaire les besoins en énergie, il est nécessaire d'accroître la
production d'énergie en utilisant des ressources traditionnelles telles que les énergies fossiles, par exemple : le
gaz naturel.

La production de gaz à effet de serre (charbon, pétrole et gaz naturel) entraîne

Ce projet de fin d’étude est organisé de la façon suivante :
Après une introduction générale, le premier chapitre présente les cellules photovoltaïques avec leurs
caractéristiques, générations, et fonctionnement. Dans le deuxième chapitre nous avons présenté des
généralités sur le soleil et l’énergie
Solaire photovoltaïque. Et dans le dernier chapitre nous présenterons les propriétés fondamentales du
matériau Pérovskite, nous décrirons les propriétés électriques de ce composée, le logiciel.

Chapitre 1 :
Semi-conducteur

5
I.1.Introduction

Les semi-conducteurs ont acquis une importance considérable dans notre société. Ils sont à la base de
tous les composants électroniques et optoélectroniques qui entrent dans les dispositifs informatiques, de
télécommunications, de télévision, dans l'automobile et les appareils électroménagers, etc. On dit d'ailleurs que
nous sommes à l'âge du silicium, le plus utilisé des semi-conducteurs.
L'importance des semi-conducteurs est due à la découverte de l'effet transistor dans ces corps, qui a
révolutionné l'industrie des composants électroniques, et à leurs propriétés optiques permettant de fabriquer des
émetteurs de lumière et des lasers. Les principales qualités de ces composants sont leur fiabilité (leur durée de
vie est pratiquement infinie) et leur faible consommation, qui permettent l'intégration de nombreux composants
dans de petits volumes. La technologie des semi-conducteurs permet aussi une fabrication très reproductible et
en très grande série. Les semi-conducteurs les plus utilisés dans l'industrie sont le silicium, pour les composants
électroniques, et l'arséniure de gallium, pour les composants optiques.

6
F igu r e I.1 : Sch ém a t h éor iqu e r ep r ésen t a n t les ba n d es d ’én er gie d a n s u n m ét a l, u n sem i -con d u ct eu r
et u n isola n t .

I.2.Définition
Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le conducteur et l’isolant. Un semi-conducteur à l’état
pur (intrinsèque) n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant. Les éléments uniques les plus utilisés pour les
semi-conducteurs sont le silicium, le germanium et le carbone. Des éléments composés tels l’arseniure de
gallium sont aussi couramment utilisés pour les semi-conducteurs. Les semi-conducteurs à élément unique se
caractérisent par des atomes à quatre électrons de valence.

I.3.Dopage
I.3.1. Définition
Le dopage consiste à implanter des atomes correctement sélectionnés (nommés « impuretés ») à
l'intérieur d'un semi-conducteur intrinsèque afin d'en contrôler les propriétés électriques.
La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l'intérieur du matériau semi-conducteur. Si elle
augmente la densité d'électrons, il s'agit d'un dopage de type N. Si elle augmente celle des trous, il s'agit d'un
dopage de type P. Les matériaux ainsi dopés sont appelés semi-conducteurs extrinsèques.

I.3.2. Semi-conducteur no dopé : Intrinsèque (pure) :

Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur dont le comportement électrique ne

7
dépend que de sa structure, et non de l'adjonction d'impuretés comme dans le cas du dopage. Les matériaux
ayant une largeur de la bande interdite 𝟎 < 𝑬𝒈 < 𝟓 𝐞𝐕, sont appelés les semi-conducteurs intrinsèques.

I.3.3. Semi-conducteur dopé : extrinsèque

Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque auquel on introduit des impuretés, on

dit également qu’il est dopé ce qui lui confère des propriétés électriques adaptées aux applications
électroniques. Le dopage provoque l’apparition de nouveaux niveaux accepteurs et donneurs d’électrons dans
le gap (dont nous approfondirons la notion dans un article à venir), situé entre la bande de conduction et la
bande de valence. Il existe deux types de dopage.

a. Semi-conducteur dopé N :

Le dopage d'un semi-conducteur négativement (Type N), on fait appel à des atomes qui ont cinq électrons
dans leur bande de valence comme l’arsenic (At) et le phosphore (p). Chaque atome va lier avec les atomes du
matériau intrinsèque (Quatre électrons dans la bande de valence) et il restera un électron supplémentaire [1].

F igu r e I.2 : d op a ge d e t y p e N
b. Semi-conducteur dopé P :

Afin de doper un semi-conducteur positivement (Type P), on fait appel à des atomes qui ont trois électrons
dans leur bande de valence comme le gallium « A » et le bore « B ». Chaque atome va se lier avec les atomes
du matériau intrinsèque et on aura un électron manquant, (Trou) qui se considère comme une charge positive et
donc un excédent de charges positives dans le cristal [2].
Figure I.3 : dopage de type N

8
I.4. Les bandes d’énergie
Dans les différents types de matériaux, nous distinguons deux bandes d’énergies essentielles : Bande de
valence et bande de conduction. Entre ces deux bandes se trouve une bande interdite plus connue sous le nom
de « band-gap » qui est une zone interdite aux électrons. Lorsque la température est supérieure à 0 °K, un
électron de la bande de valence peut recevoir une énergie thermique nécessaire pour passer vers la bande de
conduction, ce qui fait apparaître un trou dans la bande de valence et un électron dans la bande de conduction.
Dans ce cas, la conduction électrique est possible.

I.5.L’énergie de Gap
L’intervalle d'énergie ente le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de conduction.
La nature de gap dans les semi-conducteurs existe en deux types fondamentaux comme suivant :

• a. Gap directe (bande interdit direct) :

Si le vecteur d'onde k correspond au même maximum de la bande de valence et au même minimum de la
bande de conduction, on peut considérer que le semi-conducteur est à gap direct.

• B. Gap indirecte (bande interdit indirect) :

Si le vecteur d'onde k ne correspond pas au même maximum de la bande de valence et au même minimum de
la bande de conduction, on parle de semi-conducteur à gap indirect.

Figure I.4 : Schéma de bande d'énergie d'un gap direct et Indirect d'un semi-conducteur.

Matériel Type de bande Énergie de bande Longueur d'onde de

interdit interdite la bande interdite
Séléniure de plomb Direct 0,27 eV 4,57 μm
(PbSe)
Tellurure de plomb Direct 0,32 eV 3,86 μm
(PbTe)
Arséniure d'indium Direct 0,36 eV 3,43 μm
(InAs)
Sulfure de plomb Direct 0,37 eV 3,34 μm
9
 (PbS)
Germanium (Ge) Indirect 0,67 eV 1,84 μm
Antimoniure de Direct 0,726 eV 1,70 μm
gallium (GaSb)
Silicium (Si) Indirect 1,12 eV 1,1 μm
Phosphure d'indium Direct 1,35 eV 915 nm
Arséniure de gallium Direct 1,441 eV 857 nm
(GaAs)
Tellurite de Direct 1,5 eV 823 nm
cadmium (CdTe)
Séléniure de Direct 1,74 eV 710 nm
cadmium (CdSe)
Arséniure Indirect 2,12 eV 583 nm
d'aluminium (AlAs)
Phosphure de Indirect 2,24 eV 551 nm
gallium (GaP)
Sulfure de cadmium Direct 2,42 eV 510 nm
(CdS)
Nitrure de gallium Direct 3,4 eV 363 nm
(GaN)
Sulfure de zinc Direct 3,54 eV 349 nm
cubique (ZnS)
Sulfure de zinc Direct 3,91 eV 316 nm
hexagonal (ZnS)
Nitrure d'aluminium Direct 6,015 eV 205 nm
(AlN)

I.8.Jonction PN
I.7.1. Définition
Une jonction PN, est une interface entre deux types de semi-conducteurs, le type P (positif) et le type N
(négatif). Les électrons du semi-conducteur de type N migrent vers le semi-conducteur de type P. Cela crée une
zone de déplétion à la jonction, où les électrons et les trous (absence d'électrons) se neutralisent, créant ainsi une
région sans porteurs de charge.
I.7.2. Jonction PN polarisée en direct :
Pour ce cas, le courant va du « + » vers le « – » en passant par la partie « P » tout d’abord
avant de passer par la partie « N ».
Dans ce cas-là, il existe une grandeur positive, notée Vj, qui correspond à la différence de
potentiel créée par la source extérieure au niveau de la jonction.
10
 Figure I.5 : polarisation en sens direct.

Dans ce diagramme énergétique, la répartition des électrons du côté « N » n’est pas modifiée, et
comme l’énergie est croissante et que qVj est négatif (car q = – 1.6*10^-19), donc le niveau
d’énergie diminue.
Lorsque l’on applique le potentiel Vj sur la partie positive de la jonction, le niveau de FERMI du
côté « P » diminue de la quantité qVj. Tout en précisant que le niveau de FERMI est une constante
caractérisant la répartition des électrons dans le système.
La hauteur de la barrière de potentiel (qVb) sans polarisation est maintenant plus faible et a pour
équation :

QVb = hauteur de la barrière sans polarisation

QV’b : hauteur de la barrière en polarisation directe
En appliquant une polarisation directe dans un diagramme énergétique, on diminue la hauteur de la
barrière de potentiel quand la jonction était non polarisée. C’est à dire que :

Ainsi on remarque que qVb est l’énergie minimale que doit posséder un trou pour aller de la zone
« P » à la zone « N ».

I.7.2. Jonction PN polarisée en inverse :

En polarisation inverse, c’est la partie « P » de la jonction qui a un potentiel négatif, comparé à la partie «
N ». Cela va engendrer une différence de
potentiel au niveau de la jonction qui sera négative,
représenté ci-dessous par le graphique de la densité
volumique des charges.

11
 Figure I.6 : polarisation en sens inverse.

Pour une polarisation inverse la hauteur de la barrière de potentiel augmente et a pour nouvelle
équation :

En polarisation inverse, la largeur de la zone de déplétion augmente et le

champ électrique aussi, représenté ci-dessus par le graphique du champ électrique.
Ainsi on remarque que -qVb est l’énergie minimale que doit posséder un électron pour passer de la
zone « N » à la zone « P » [3].

I.8.L’effet photovoltaïque
L’effet photovoltaïque a été découvert par Alexandre Edmond Becquerel en 1839. Il est obtenu par
absorption des photons dans un matériau semi-conducteur qui génère alors une tension électrique. L’énergie
solaire photovoltaïque provient de la conversion directe du rayonnement solaire en électricité. Elle utilise pour
ce faire des modules photovoltaïques composés de cellules solaires qui réalisent cette transformation d’énergie
en produisant du courant continu, qui peut être utilisé pour alimenter un appareil ou recharger une batterie. La
conversion photovoltaïque a été réalisée pour la première fois dans le laboratoire Bell en 1954 sur une simple
jonction au Silicium. Par suite, plusieurs semi-conducteurs ont été utilisés pour cet objectif. Trois processus
élémentaires interviennent dans l’effet photovoltaïque : L’absorption de la lumière dans le matériau. Le
transfert d’énergie des photons aux charges électriques [4].

Figure I.7 :
Structure d’une
cellule solaire.

12
I.8.1. Fonctionnement d'une cellule photovoltaïque

Le principe de son fonctionnement photovoltaïque est le suivant :

1. Les "grains de lumière"- les photons - heurtent la surface du matériau photovoltaïque disposé en cellules ou
en couche mince.
2. Ils transfèrent leur énergie aux porteurs de charge présents dans la matière, qui se mettent alors en
mouvement dans une direction particulière.
3. Le courant électrique continu qui se crée est alors recueilli par des fils métalliques très fins connectés les uns
aux autres et acheminé à la cellule suivante.

I.8.2. Cellule solaire idéale

Si la caractéristique de la jonction est de la forme : . On peut admettre qu'en

I
¿
I
s
q V

(¿ e n k T ¿− ¿ 1 ¿ )

présence de lumière il y a apparition d'un photo-couran supplémentaire, ph dont le sens est opposé au courant
direct. En branchant un circuit extérieur sur la cellule claire, on recueille ce courant. Le courant sous lumière
vaut :
)
I
¿
I
p
h
−¿ I
s
¿

Et la tension V est donnée par :

V
¿
n k T
q
l
n
I p h− 1
(¿ e Is ¿+ ¿1¿)

I.8.3. Cellule solaire réelle

Le schéma équivaut d’une cellule solaire réelle, modèle à une diode

qui contient un générateur de courant qui est en parallèle avec une diode, une
résistance Rsh et une résistance Rs.
L'équation de la caractéristique I(V)de la cellule photovoltaïque compte tenu des résistancesRs et
Rsh s'écrit donc : (
I
V )
¿
I
p
h
− ¿ I
d
− ¿ I
s
h

I
V ( )
¿
I
p
h
− ¿ I
s
( )
q ( V + R s )
n k T − 1
e
V + R s
− ¿
R s h

13
 Figure I.8: schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque réelle.

I.8.4. Différentes caractéristiques d’une cellule solaire :

A). Courant de court circuit :

Le courant de court circuit est le courant débuté par la cellule sous éclairement en
Court circuitant la sortie. C'est-à-dire que : I=I(V=0) Pour une cellule solaire idéale le courant de court circuit
est égal au courant photovoltaïque Iph.
B). Tension de circuit ouvert VCO :
Pour une cellule solaire idéale la tension de circuit ouvert est donnée :
V
c
o
¿
n k T
q
ln ⁡ ( I
I
s
p
+
h
1 )
≈
V
c
o
¿
n k T
q
ln ⁡( I
I
p
s
h
)

c). Réponse spectrale, SR (λ) :

La réponse spectrale est donnée par :

S
R
( λ)
¿
I p h ( λ )
q F ( λ ) (1−R ( λ))

I.9. Les différents types de cellules solaires :

Sur le plan technologique ; plusieurs types de cellules solaires sont distingués :
I.9.1. Les cellules solaires au silicium
Le silicium est le matériau de base des photopiles. C'est le deuxième élément en terme d’abondance sur
notre planète (après l’oxygène), mais il n’existe pas à l’état pur dans la nature (le sable et le quartz en
contiennent). Il existe trois catégories principales de photopiles au silicium :
a. Les cellules monocristallines
Elles sont considérées comme la première génération de photopile, elles ont un taux de rendement
excellent [15] (12 – 16% et jusqu’à 24 % en laboratoire) mais leur méthode de production est laborieuse et
délicate, et donc, très chère ; il faut une grande quantité d’énergie pour obtenir du cristal pur [5].
b. Les cellules polycristallines
Elles ont un coût de production moins élevé et un rendement qui varie entre 11 – 13 % (autour de 18 %
en laboratoire).
c. Les cellules amorphes
Leur coût de production bien plus bas, mais malheureusement aussi, ont un rendement plus bas qui
varie [15] entre 8 –10 % (autour de 13 % en laboratoire pour une cellule non dégradée).

14
 Figure I.9 : Les différents types de panneaux solaires

I.9.2. Les cellules solaires à couche mince :

On distingue plusieurs technologies parmi lesquelles :

 Cuivre-indium-di sélénium (CIS) ou cuivre-indium-gallium-sélénium (CIGS) : leur rendement

est égal à 11 % (17 .1 % au laboratoire). 99 % d’absorption, dégradation minime, mais fabrication très
délicate.

 Cadmium-tellure (CdTe) : rendement 10.5 % (15.8 % en laboratoire). Haute absorption, mais

n’oublions pas que le cadmium est très toxique [6].

 Gallium Arsenic (GaAs) : leur rendement dépasse les 25 % en laboratoire [18]. Ces cellules,
dont le prix est très élevé, sont très appréciées dans l‟aérospatiale.
I.9.3. Les cellules solaires organiques
Le solaire organique est considéré comme une nouvelle technologie basée sur les colorants et leurs propriétés
physiques et en particulier optiques [6].
I.9.4. Cellule solaire a pérovskites :
le potentiel des PSC à base de pérovskite Ca 3 NI 3 reste inexploité. Cependant, les pérovskites de
structure 3 BX 3 en sont encore aux premiers stades de recherche et sont limitées par DFT ainsi que par
SCAPS-1D pour étudier en profondeur les caractéristiques et les possibilités d'applications dans le
développement d'équipements photoniques. Il est souligné que la symétrie excessive, la structure cristalline et
le système d'octaèdres du modèle A 3 BX 3 peuvent conduire à un changement rapide d'état des bords de la
bande PS, ce qui est fortement lié à des performances photovoltaïques exceptionnelles avec des habitudes
écologiquement conscientes et non toxiques. En conséquence, les pérovskites A 3 BX 3 se révèlent être un
composé intrigant et prometteur pour une PSC exceptionnellement efficace.

15
 Figure : : Structure de pérovskite.

I.9. Avantages et inconvénients de l'énergie photovoltaïque

I.7.1. Avantages

1) Une haute fiabilité ; les modules sont garantis pendant 25 ans par la plupart des constructeurs.

2). Elle ne comporte pas de pièces mobiles, qui la rendent particulièrement appropriée aux régions isolées. C'est
la raison de son utilisation sur les engins spatiaux.

3). Le caractère modulaire des panneaux photovoltaïques permet un montage simple et adaptable à des besoins
énergétiques divers. Les systèmes peuvent être dimensionnés pour des applications de puissances allant du
milliwatt au Mégawatt.

4). Leurs coûts de fonctionnement sont très faibles vu les entretiens réduits, et ils ne nécessitent ni combustible,
ni transport, ni personnel hautement spécialisé.

5). La technologie photovoltaïque présente des qualités sur le plan écologique, car le produit final est non
polluant, silencieux, peu de déchet [7].

I. 7. 2. Inconvénients
1). La fabrication du module photovoltaïque relève de la haute technologie et requiert des investissements d'un
coût élevé.
2). L'occupation de l'espace pour les installations de grandes dimensions.
3). Le rendement réel de conversion d'un module est faible (la limite théorique pour une cellule au silicium
cristallin est de 28 %).

16
4). Les générateurs photovoltaïques ne sont compétitifs par rapport aux générateurs Diesel que pour des faibles
demandes d'énergie en régions isolées.
5). Enfin, lorsque le stockage de l'énergie électrique sous forme chimique (batterie) est nécessaire, le coût du
générateur photovoltaïque est accru. La fiabilité et les performances du système restent cependant équivalentes
pour autant que la batterie et les composants de régulations associés soient judicieusement choisi [7].
I.10.Conclusion
Ce chapitre a abordé quelques concepts fondamentaux liés à la technologie photovoltaïque. Tout d'abord,
nous avons exposé la définition et les différents types de semi-conducteurs. Ensuite, nous avons exploré la
notion de l'effet photovoltaïque et son fonctionnement. Ensuite, nous avons distingué les générations de cellules
photovoltaïques de la première à la deuxième. Dans chaque génération, il est essentiel de déterminer les
composants, les performances, les bénéfices et les inconvénients. Enfin, les propriétés d'une cellule solaire (FF,
Voc...) et les schémas électriques équivalents d'une cellule solaire ont été définis en fonction du nombre de
diodes.

17
 Chapitre2 :
Généralités sur l’énergie photovoltaïque

18
 II.1. Introduction
L'énergie solaire, souvent considérée comme l'une des ressources énergétiques l'énergie solaire constitue un
immense réservoir d'énergie renouvelable sur notre planète. La lumière solaire est captée directement et peut
être transformée en différentes formes d'énergie utilisables, telles que l'électricité et la chaleur. L'énergie solaire
a été utilisée par l'homme depuis des millénaires pour des besoins essentiels tels que le chauffage, l'éclairage et
la cuisson. Mais ce n'est que depuis peu, grâce aux progrès technologiques, que nous avons commencé à tirer
pleinement parti de cette source d'énergie abondante et écologique. Le photovoltaïque est l'une des technologies
essentielles pour tirer parti de l'énergie solaire, car il transforme directement la lumière solaire en électricité
grâce à des cellules solaires.

II.2. Le soleil
Le soleil est une étoile, dont le diamètre est de 1 391 000 km, son énergie provient des réactions
thermonucléaires de fusion de l’hydrogène en hélium. Sa température superficielle moyenne est estimée à 5800
K. Il est situé à 150 millions km de la terre. Cette distance est grande, pourtant la lumière du soleil atteint la
terre en seulement 8 minutes après avoir été émise. Pour rappel, la lumière a une vitesse de 3*10⁸ m/s, c’est-à-
dire qu’elle peut faire 7 fois le tour de la terre en 1 seconde [8].
Composition : boule de gaz dont :
• Hydrogène : 73,46 %
• Hélium : 24,85 %
• Oxygène : 0,77 %
• Carbone : 0,29 %
• Fer : 0,16 %
• Néon : 0,12 % [9]

Figure II .11 : Le soleil

II.3. Les différentes couches de l’atmosphère

19
L´épaisseur de l'atmosphère terrestre est de 1 500 km, les 50 premiers kilomètres contenant 99,9 % de son
volume global.
Les météorologues partagent l'atmosphère en quatre couches qui sont, à partir du sol :
La troposphère ou basse atmosphère : riche en vapeur d'eau et en nuages, son
Épaisseur est d'une dizaine de kilomètres et la température y décroît régulièrement (en moyenne de + 15 °C à -
56 °C)
La stratosphère ou moyenne atmosphère : jusqu'à une cinquantaine de kilomètres d'altitude. Les réactions
photochimiques induites par la présence de l'ozone fournissent à l'air un apport de chaleur de sorte que la
température augmente jusqu'à des températures proches du zéro.
La mésosphère : épaisse d'une trentaine de kilomètres, la température décroît de nouveau jusqu'à - 90 °C.
La thermosphère ou la haute atmosphère : des transformations physiques et chimiques affectent un air raréfié et
soumis à des températures croissantes (jusqu’à + 500 °C à 500 km d’altitude).
La composition de l'atmosphère est à peu près identique pour les trois premières couches : 77 %
d'azote, 20 % d'oxygène, 1 % d'argon, 2 % autres dont 0,03 % de CO2 et des traces d'autres gaz, avec de la
vapeur d'eau dans la troposphère et une mince couche d'ozone dans la stratosphère dont le rôle est si important
dans l'absorption des rayons ultraviolets les plus durs [10].

Figure II12 : les Couches de l'atmosphère

II.4. La constante solaire

Correspond au flux solaire reçu sur une surface de 1 m2 située à 1 UA de distance du soleil et exposée
perpendiculairement à ses rayons, sans atmosphère pour les absorber partiellement. Elle s'exprime en W/m2 et
varie au cours de l'année, en fonction de la position de la terre sur son orbite. Au périhélie, elle est la plus forte
et tourne autour de 1.412 W/m2, tandis qu'elle est la plus faible au moment de l'aphélie, atteignant environ
1.320 W/m2, pour une moyenne d'environ 1.361 W/m² [11].

20
 Figure : la constante solaire

II.5. Mouvements de la terre

La trajectoire de la terre autour du soleil est une ellipse dont le soleil est l'un des foyers. Le plan de cette ellipse
est appelé l'écliptique. L'excentricité de cette ellipse est faible ce qui fait que la distance Terre/ Soleil ne varie
que de ± 1,7 % par rapport à la distance moyenne qui est de 149 675 10 6 km. La terre tourne également sur
elle-même autour d'un axe appelé l'axe des pôles et passant par le centre de la terre appelé l'équateur. L'axe des
pôles n'est pas perpendiculaire à l'écliptique en fait l'équateur et l'écliptique font entre eux un angle appelé
inclinaison de l'ordre de 23°27' [14].

Figure II.13 : Révolution de la Terre du soleil.

21
 II.6. Le spectre solaire
Le spectre solaire se compose déjà de tous les types de rayonnement d'énergies et de couleurs différentes,
qui se distinguent par leur gamme de longueurs d'onde. Les photons, les grains de lumière qui composent ce
rayonnement électromagnétique, sont considérés comme des porteurs d'énergie associés à leur longueur d'onde
par la relation suivante : E=h*v= h .C
λ
Avec :
 h : est la constante de Planck.
 v : la fréquence.
 C : la vitesse de la lumière.
 λ : la longueur d’onde. [12]
Ce spectre se répartie selon trois types :
 Ultraviolet (UV) de longueurs d’onde comprises entre 280 nm et 380 nm.
 Visible de longueurs d’onde comprises entre 380 nm et 700 nm.
 Infrarouge de longueurs d’onde comprises entre 700 nm et 2500 nm.

Figure II.14 : Spectre solaire.

II.7. Masse d’air

Pour tenir compte de la longueur effective parcourue à travers l’atmosphère terrestre traversée par le
rayonnement solaire direct, on introduit la notion de masse d’air (AMx). Elle correspond à la perte de l’énergie
solaire par l’absorption atmosphérique. La masse d’air est exprimée comme un multiple du parcours traversé
en un point au niveau de la mer, le soleil étant directement à l’aplomb [2]

22
 En chaque point, la valeur de la masse d’air est donnée par l’équation :
A
M
¿

1
sin ⁡( ɵ )

Figure II.15 : Masse d’aire.

II.8. Les rayonnements solaires :

Le rayonnement solaire désigne l’ensemble des ondes électromagnétiques émisse par le soleil. Il se
compose donc d’ultraviolets, de la lumière visible et infrarouge.
➢ Rayonnement direct : est le rayonnement solaire atteignant directement la surface terrestre de puis le
soleil [13].
➢ Rayonnement diffus : le rayonnement solaire est diffusé par les molécules de l’aire et les particules en
suspension [13].
➢ Le rayonnement réfléchi par le sol dépend lui aussi de l'inclinaison du rayonnement.
➢ Rayonnement global : c’est la somme du rayonnement direct avec diffus.

23
 FigureII.16 : Les Rayonnement solaires.

II.9. Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons exposé les principes fondamentaux de l'énergie solaire photovoltaïque. La
structure et les différentes catégories de rayonnement solaire ainsi que la constante solaire. En raison de
l'augmentation de la demande mondiale en énergie et de la diminution des ressources naturelles.
Afin de faire face aux défis environnementaux, il est essentiel de développer et d'utiliser la technologie
photovoltaïque, qui permet de générer de l'électricité de manière respectueuse de l'environnement, en utilisant
une source d'énergie presque infinie : les fossiles. Le Soleil.

24
 Références :
[1] TEBANI HOUDA « Elaboration et étude des propriétés structurales et Optiques de nanoparticules de PbS
incorporées dans la zéolithe Y » Mémoire de Magister en physique, sous la direction de prof - A. ROUSTILA
Univ Mentouri Constantine, 2015,88 Pages
[2] Nasreddine Benahmed ET Nadia Benabdallah « Chapitre I LES SEMI- CONDUCTEURS ET LA
JONCTION » -Ecole Supérieure en Sciences Appliquées-Tlemcen, Algérie -OCTOBER 2016 -14 P
[3] https://semiconducteuretjonctionpn.home.blog/jonction-p-n-polarisee.
[4] Chapin D.M, Fuller C.S.and Pearson G. L, « A new silicon pn junction photocell for converting
solar radiation into », Electrical power J. Appl ; phys, vol, 25, pp.676-677, 677, (1954).
[5] A. Labouret, M. Villoz, Energie solaire photovoltaïque, 3 ème édition, DUNOD, Paris, 2006.
[6] K. Bouzidi, Etude comparatives des méthodes d‟extraction des paramètres des cellules solaires,
Mémoire de magister, département de physique, faculté des sciences, université de Sétif (Algérie),
2007.
[7] H. Matieu, Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques, 1 ère édition,
DUNOD, Paris, 2001.
[8] [23] Loucas Tsakalakos, „‟Nanotechnology for photovoltaics„‟, (Livre), Taylor and Francis
Group, LLC, (2010).
[9] https://www.ouest-france.fr/sciences/le-soleil-explique-aux-enfants-au-coeur-de- cette-
gigantesque-boule-de-gaz-6822369.
[10] https://www.rp-photonics.com/band_gap.html.
[11] https://www.futura-sciences.com/sciences/definitions/astronomie-constante-solaire-14401.
[12] Hassina Derbal-Habak « Cellules solaires photovoltaïques plastique nanostructures ».
UNIVERSITE D’ANGERS 2009 N° 929.
[13] Salaheddine Bensal " Effets de la température sur les paramètres
Caractéristiques des cellules solaires " mémoire magister université ferhat abbas
Sétif, 2011.
[14] Hadj Belkcemi Mohamed, « Modélisation et étude Expérimentions d’un
Capteur solaire non vitré et perforé », mémoire de Master, université Abou berk
Belkaid de Tlemcen, 2011.

25
CHARITRE 3 : Les cellules photovoltaïques à base de
Pérovskite

26
III.1. Introduction

Dans ce chapitre nous allons faire une simulation numérique de la cellule solaire à pérovskite à
base Ca3NI3 à l’aide d ‘un programme de simulation SCAPS-1D version 3.3.11, qui permet de
trouver les paramètres les plus importants pour un meilleur fonctionnement de la cellule pérovskite.

La simulation permet d’optimiser certains physiques et géométriques comme, l’épaisseur, la

concentration d’accepteurs, la densité de défauts, les défauts à l’interface … L’objectif de cette
étude est de simuler et optimiser une cellule solaire ç pérovskite Ca3NI3 pour obtenir un meilleur
rendement de cette dernière.

III.2. SCAPS
III.1. Utilisation du logiciel

SCAPS-1D ‘ Solar cell capacitance simulator one Dimension’ est un programme de simulation de
cellule solaire unidimensionnel développé au département d’électronique et de systèmes
d’information (ELIS) de l’université de Gand, Belgique.

figu
re :

Fenêtre d’exécution « Action Panel » du logiciel SCAPS.

La description des blocs numérotés de 1 à 6 est :

1. Lancer SCAPS.
2. Définir le problème, ainsi que la géométrie, les matériaux et toutes les propriétés de la cellule
solaire étudiée.
3. Indiquer les circonstances dans lesquelles la simulation est effectuée (spécifier le point de
fonctionnement).
27
4. Indiquer la mesure à simuler.
5. Commencer le(s) calcul(s).
6. Afficher les courbes de simulation [18]. M. Burgelman, “SCAPS manual,” 2020.

1.1. Lancer logiciel

On clique sur l’icône ci-dessus sur le bureau, ou bien double-clique sur le fichier
SCAPS3310.EXE dans le gestionnaire de fichiers (ou dans n’importe quelle autre version de
SCAPS). SCAPS s’ouvre avec le panneau d’action.

2.2. Définir Set Problem

On clique sur le bouton (Set Problem) dans le panneau d’action pour ouvrir la fenêtre de définition
du problème (Solar cell difinition panel). On peut créer notre nouveau modèle, le sauvegarde par le
boutton (Save), ou on peut cliquer sur le bouton (Load) afin d’ouvrir un modèle qui est déjà
sauvegardé. Par la suite, il est possible de modifier toutes les propriétés de la cellule en cliquant sur
‘Set Problem’ dans le panneau d’action.

Figure : Interface de définition des appareils

1. New : afin crée un nouveau dispositif photovoltaïque.

2. Add layer : une fenêtre s’ouvre qui contient des cases à remplir avec des paramètres qui
caractérise la couche à étudier, à savoir : le nom de la couche, l’épaisseur, l’énergie de la bande
interdite, l’affinité électronique, la permittivité électrique, la mobilité, le type de dopage, ... Pour
finir on clique sur « Add ».
3. Save : afin de sauvegarder la cellule à étudier.
4. Load : afin de sélectionner une cellule déjà sauvegarder.
5. Ok : approuver la cellule construite et revenir au panneau d’action pour finir le travail.
6. Cancel : décliner le panneau de définition et revenir au panneau d’action.
1.3. Indiquer la mesure (la caractéristique) à simuler
Et nous intéressons par la mesure de caractéristiques IV de la cellule.
28
1.4. Lancer calcule

1.5. Afficher les courbes simulées

Après les calculs, SCAPS passe au panneau de bande d’énergie, présenté dans la figure (3.7). Dans
ce panneau, on peut voir les diagrammes de bandes, les densités des porteurs libres, la densité du
courant ; au dernier point de polarisation. Si on veut afficher les résultats pour des tensions
intermédiaires, on utilise le bouton pause dans le panneau d’action. On peut faire apparaitre les
résultats par les commandes SAVE DATA, SAVE GRAPHS, SHOW DATA, PLOT (pour imprimer)
et les valeurs s’affichent par la suite à l’écran. Il est possible de faire du Copier & Coller vers, Excel
par exemple, ou sauvegarder les valeurs dans un fichier de données. Vous pouvez basculer vers un
de vos panneaux personnalisés (si vous avez toutefois simulé au moins une seule opération de
mesure).

III.3. Présentation de la cellule étudiée

29
2-Structure et propriétés des cellules Ca3NI3

Le composé semi-conducteur Ca3NI3de type p est un matériau de plus en plus utilisé en tant
qu’absorbeur dans les dispositifs solaires, atteignant récemment un rendement supérieur à 31%. La
maille unitaire de Ca3NI3 contient. La structure du dispositif dans notre simulation est un substrat
de Sb2Se3/ZnSe/FTO. Le FTO est appliqué comme une électrode frontale collectant les électrons.
ZnSe est de type n, utilisé comme couche de transport d'électrons.

FTO

ZnSe

Ca3NI3

2-Paramètres du dispositif étudié

Les propriétés de chaque couche de la cellule simulée sont présentées dans les tableaux.

Table1 : Contact paramètres.

Contact Thermal emission electron Thermal emission holes Electron work function (eV)
(cm/s) (cm/s)
Front 107 105 Flat bands
Back 105 107 Flat bands

Table2 : SCAPS simulation paramètres

Paramètres n-FTO n-ZnSe p-Ca3NI3

Thickniss (nm) 500 50* 2000*
Bandegap (eV) 3.6 2.7 1.077
Electron affinity (eV) 4.5 4.09 4
Dielectrice permittivity 9 10 7
(relative)
CB effective density of 2.2*1018 2.2*1018 1019
states (cm-3)
VB effictive density of 1.8*1019 1.8*1019 2*1019
states (cm-3)
Electron thermal 107 107 107
velocity (cm/s)
Electron mobility 100 100 50
(cm²/s)

30
Hole mobility (cm²/Vs) 25 25 50
Shallow uniform donor 2*1019 1017 0
density (cm-3)
Shallow uniform 0 0 1015*
acceptor density (cm-3)
Hole thermal velocity 107 107 107
(cm²/s)

*Variable paramètres

III.4. Résultat de la simulation (Caractéristique I-V)

1-Effet de l’épaisseur de Ca3NI3

Nous avons étudié l’effet de l’épaisseur de Ca3NI3, en fixant les paramètres (T=300K, Nt=1E14)
et variant l’épaisseur d (100 à 1000 nm).
Que tous les paramètres sauf (FF), tels que Voc,Jsc et n sont augmentés avec l’augmentation de
l’épaisseur de Ca3NI3. La figure suivante monte la variation des paramètres de la cellule solaire à
bas de Ca3NI3 en fonction de l’épaisseur.

Dans la deuxième courbe, on remarque que le paramètre Jsc est diminué avec l’augmentation de
la tension tel qu’on variant le comments (0.1 à 1).

31
2-

Effet de la densité des accepteurs de Ca3NI3

Nous avons étudié l’effet de la température de Ca3NI3, en fixant le paramètre (d=800nm) et

variant la NA (1E10 à 1E18). On observe que tous les paramètres (FF, Vco et eta) sont augmentés
avec l’augmentation de la NA de l’absorbeur, tel que Jsc est diminué par rapport à NA de Ca3NI3.
La figure montre la variation des paramètres de la cellule solaire à base de Ca3NI3 en fonction de la
NA de l’absorbeur.

32
 La courbe montre la variation du courant Jsc en fonction de la tension. Tel que Jsc est augmenté
par rapport à l’augmentation de la tension avec une variation de comments (1E10 à 1E18).

33
3-Effet de défauts e Ca3NI3

Nous avons étudié l ‘effet de défaut de Ca3NI3, fixant les paramètres (T=300K, d=800nm et
NA=1E15). On remarque que tous les paramètres (FF, Vco, Jsc et n) sont constants avec
l’augmentation de défaut. La figure montre la variation des paramètres de la cellule solaire à base
de Ca3NI3 en fonction de défaut.

34
4- Effet de la température de Ca3NI3

Nous avons étudié l’effet de la température de Ca3NI3, en fixant les paramètres (d=800nm,
NA=1E15, Nt=1E15) et en variant la température T (300 à 400 K). On remarque que tous les
paramètres (FF, Vco, Jsc et eta) sont diminués avec l’augmentation de la température de
l’absorbeur. La figure montre la variation des paramètres de la cellule solaire à base de Ca3NI3 en
fonction de la température.

35
III.5. CONCULUSION GENERALE
Dans ce projet de fin d’études nous avons utilisé la simulation numérique par en employant la
dernière version du logiciel SCAPS3310, ce dernier est basé sur trois équations physique :
l’équation de poisson et les lois de continuité d’électron et trou. Nous présentons ici une étude de
simulation de l’effet de certains paramètres notamment de l’épaisseur (d), la densité des accepteurs
(Na), et celle défaut Nt et finalement la température T pour améliorer les performances d’une
cellule solaire à base de Pérovskite. Les résultats obtenus ont montré que les paramètres optimaux
qui correspondent au meilleur rendement sont les suivant : T=300 K, dPVK= 800 nm, Na= 10 14cm-3
et Nt=1014 cm-3.

36