TP N0 4 : Transistor Bipolaire, Caractéristiques et Polarisation
But de l’expérience
1. Manipuler le transistor bipolaire et déterminer ses courbes caractéristiques.
2. Exploiter ces caractéristiques en vue de mettre en lumière plusieurs états de
fonctionnement et applications du transistor.
1. Etude théorique
1.1. Introduction
Le transistor (de l’anglais transfert resistor) a été élaboré pour la première fois en
1948 dans les laboratoires Bells Aux Etats Unis. Le transistor bipolaire à jonction
est un tripôle qui résulte de la mise en série de deux jonctions PN ou interviennent
les deux types de porteurs (électrons et trous) d’où l’appellation transistor
bipolaire. On en distingue deux types : le transistor NPN et le transistor PNP. Par
suite de la dissymétrie dans la géométrie et le dopage, l’émetteur et le collecteur
ne sont pas interchangeables.
Les transistors sont conçus en différentes formes et tailles comme le montre la
figure 2.
1.2. Principe de fonctionnement:
Nous présentons le fonctionnement d’un transistor NPN. Pour le transistor PNP,
il suffit de considérer le déplacement des trous au lieu des électrons.
La jonction BE est polarisée en direct. Les électrons injectés diffusent dans la
base, où ils sont des porteurs minoritaires. Comme la base est courte et peu
dopée. Un pourcentage important des électrons injectés (95%) parvient au
collecteur sans avoir subi de recombinaison. La jonction CB est polarisée en
inverse .Il y règne donc un champ électrique qui entraine les électrons vers le
collecteur (courant de saturation inverse).
L’effet << transistor >> consiste en une modulation du courant inverse de la diode
base collecteur par le courant direct de la diode base-émetteur.
Le courant collecteur est pratiquement égal au courant émetteur. Du fait, le
𝐼
paramètre 𝛼 = 𝐼𝐶 est toujours voisin de l’unité.
𝐸
Comme la valeur de 𝜶 n’est pas très caractéristique du transistor considéré, on
𝑰
utilise plutôt le coefficient 𝜷 = 𝑰 𝑪 , ce qui revient à dire qu’on considère que le
𝑩
courant collecteur est commandé non pas par le courant émetteur mais par le
courant base.
Selon les types de transistors, 𝜷 peut être compris environ entre 20 et 1000 (plus
classiquement entre 50 et 300). Dans un même type de transistor, 𝜷 varie d’un
composant à l’autre. Cette dispersion est due à la difficulté de contrôler
précisément les diverses étapes de fabrication.
Pour un composant donné, la valeur de 𝜷 dépend un peu du courant collecteur,
elle décroit vers les faibles courants ainsi que vers les forts courants.
De même 𝜷 varie fortement avec la température (Figure 4).
1.3. Réseaux des caractéristiques du transistor bipolaire:
Pour caractériser complètement le fonctionnement d’un transistor, il faut
déterminer 6 grandeurs: 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐶𝐵 , 𝑉𝐵𝐸 . Néanmoins les relations :
𝐼𝐸 + 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 0 et 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐵 = 0
font en fait que quatre de ces grandeurs soient indépendantes. Les
caractéristiques électriques du transistor bipolaire étant unidirectionnelles, on
peut les réunir sur un seul plan.
Réseau de sortie
C’est le réseau 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )
maitrisé par 𝐼𝐵 .
Réseau de transfert en
courant
C’est le réseau 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 )
avec 𝑉𝐶𝐸 comme paramètre.
La fonction 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 )
caractérise << l’effet transistor
>> en régime linéaire. C’est
une droite de pente 𝛽.
Réseau d’entrée
C’est le réseau 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ) avec 𝑉𝐶𝐸 comme paramètre. Dès que 𝑉𝐶𝐸 est
supérieure à 0.65V, les courbes sont pratiquement confondues car l’influence de
la tension de sortie sur le courant d’entrée est négligeable. La fonction 𝑉𝐵𝐸 =
𝑓(𝐼𝐵 )est celle de la jonction PN entre la base et l’émetteur.
Effet Early
Lorsque 𝑉𝐶𝐸 augmente, la région de déplétion de la jonction CB s’agrandit au
détriment de la base. Il y a donc moins de recombinaisons et 𝐼𝐶 augmente
légèrement avec 𝑉𝐶𝐸 .
Les réseaux de caractéristique (𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 ) à 𝐼𝐵 constant sont des réseaux de droites
convergentes vers une tension négative dite tension de Early. L’ordre de
grandeur de la tension Early est d’une centaine de volts et varie d’un transistor à
l’autre.
1.4. Modes de fonctionnement:
Considérons la fonction 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) de la figure 5.
Au point 𝑀0 le transistor est bloqué. Entre son collecteur et son émetteur le
transistor est équivalent à un interrupteur ouvert. Au point 𝑀1 le transistor est
saturé. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est équivalent à un
interrupteur fermé. Par la variation spontanée du courant 𝐼𝐵 de 0 à 𝐼𝐵4 ou
inversement on peut passer de 𝑀0 à 𝑀1 ou inversement. Dans ce type de
fonctionnement tout ou rien, le transistor fonctionne en commutation.
D’autre part, en faisant varier 𝐼𝐵 tout en conservant le transistor en régime linéaire
on peut utiliser le transistor en amplificateur du courant.
Le transistor a donc deux modes de fonctionnement :
• Linéaire (amplification) :
Tant que l’intensité du courant 𝐼𝐶 reste inférieure à la valeur du courant de
saturation 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 le courant 𝐼𝐶 reste proportionnel au courant 𝐼𝐵 . On exploite
alors les propriétés d’amplification du transistor 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , 𝑉𝐶𝐸 > 1𝑉 et 𝑉𝐵𝐸 =
0.7𝑉 (jonction EB passante).
• Non linéaire (commutation) :
En fonctionnement non linéaire on considère deux
états :
Saturé : A partir d’un certain courant 𝐼𝐵 , appelé
courant de saturation 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 , le courant 𝐼𝐶 atteint sa
valeur maximale et n’évolue plus 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 < 𝛽𝐼𝐵
(Critère de saturation) et 𝑉𝐶𝐸 < 0.1𝑉
(Conséquences de la saturation).
Bloqué : Lorsque le courant 𝐼𝐵 devient nul le
courant 𝐼𝐶 l’est aussi 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0, 𝑉𝐵𝐸 < 0.7𝑉.
1.5. Polarisation du transistor:
Le transistor est un composant unidirectionnel, pour amplifier des signaux
sinusoïdaux il faut donc ajouter une composante continue appelée polarisation à
chaque grandeur qui sollicite le transistor : 𝑋 = 𝑋0 + 𝑥 où x est le signal à amplifier
et 𝑋0 la composante continue.
En régime linéaire le principe de superposition est applicable, on distinguera donc
l’étude de la polarisation et de l’amplification des signaux.
Il existe plusieurs circuits de polarisation : polarisation par la base ou polarisation
par pont diviseur de tension.
Equation de la droite d’attaque :
L’équation de la droite d’attaque se calcule
avec la maille d’entrée :
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
Equation de la droite de charge:
L’équation de la droite de charge se calcule
avec la maille de sortie :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
Le point de fonctionnement (en régime statique) du transistor est ainsi obtenu par
intersection de la droite d’attaque avec la caractéristique 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ) du
transistor. On utilise ensuite la caractéristique de transfert 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 ) pour trouver
𝐼𝐶 . Enfin la caractéristique de sortie
𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) permet, par intersection avec la droite de charge, d’obtenir le point de
fonctionnement en sortie 𝑉𝐶𝐸 .
2. Expérience
Limitations du transistor utilisé
Le transistor à étudier est un transistor 2N2222A au silicium dont les caractéristiques
limites figurent ci-dessous (pour une température ambiante de 25ºC).
L’ensemble des caractéristiques du constructeur de ce transistor est donné en annexe.
2.1. Caractéristique de sortie 𝑰𝑪 = 𝒇(𝑽𝑪𝑬 ):
Considérons le montage de la figure 9.
Nous donnons : 𝑉𝐶𝐶 = +15𝑉 , 𝑅𝐵 = 51𝐾Ω, T=2N2222A, 100Ω ≤ P ≤ 1KΩ.
a. Prédéterminer la valeur du courant de base
𝐼𝐵 .
b. Réaliser le montage de la figure 9.
c. Mesurer la valeur de 𝐼𝐵 . Est-ce conforme aux
calculs ?
d. Relever point par point la courbe 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )
à 𝐼𝐵 constant (vérifier que 𝐼𝐵 ne varie pas à
l’aide d’un ampèremètre).
e. Relever deux courbes supplémentaires sur
le même graphe avec une résistance
𝑅𝐵 = 100𝐾Ω 𝑒𝑡 200𝐾Ω.
f. Sur les caractéristiques relevées, déterminer les différentes zones de
fonctionnement du transistor (linéaire ou saturé).
g. Dans quel mode de fonctionnement le transistor constitue une bonne source
de courant ?
