Université Abdelmalek Essaadi
Faculté polydiscilinaire Larache Année universitaire 2022-2023
Exercice 1 :
Considérons un échantillon d'arséniure de gallium à 𝑇 = 300 𝐾 avec des concentrations de
dopage 𝑁𝑎 = 0 et 𝑁𝑑 = 1016 𝑐𝑚−3 . Supposons une ionisation complète des impuretés et que
les mobilités des électrons et des trous sont respectivement, 𝜇𝑛 = 85 × 102 𝑐𝑚2 /𝑉. 𝑠 et 𝜇𝑝 =
2 × 102 𝑐𝑚2 /𝑉. 𝑠 et que la concentration intrinsèque des porteurs de charge est 𝑛𝑖 =
1,8 × 106 𝑐𝑚−3.
Calculez la densité du courant de dérive si le champ électrique appliqué est E = 10 V/cm.
Exercice 2 :
Une densité de courant de dérive 𝐽 = 120 𝐴/𝑐𝑚2 est obtenue dans un dispositif semi-
conducteur particulier de silicium de type P, soumis à un champ électrique appliqué E = 20
V/cm.
Déterminer la concentration des impuretés requise pour atteindre cette spécification.
Supposons que les mobilités électriques des électrons et des trous sont respectivement, 𝜇𝑛 =
1350 𝑐𝑚2 /𝑉. 𝑠 et 𝜇𝑝 = 480 𝑐𝑚2 /𝑉. 𝑠
Exercice 3 :
Considérons un échantillon de silicium de type n de longueur 0.1 m dans lequel le dopage
varie de façon exponentielle de 5 × 1017 𝑐𝑚−3 à 5 × 1015 𝑐𝑚−3
1- Rappeler la relation d’Einstein.
2- Donner l’expression du courant des porteurs majoritaires
3- En déduire l’expression du champ électrique à l'équilibre.
4- En considère que la densité́ des dopages suit la relation suivante :
−𝑥
𝑁𝐷 (𝑥) = 𝑁𝐷 (𝑥)𝑒 𝜆
5- Calculer la valeur de λ et puis celle du champ électrique à l'équilibre
Exercice 4:
On considère un semiconducteur de Silicium de densité́ intrinsèque 𝑛𝑖 = 1,5 × 1010 𝑐𝑚−3, à
la température T = 300K.
1- Comment change Ei si on dope du silicium pur avec 1,5 × 1012 atomes de phosphore ?
2- En équilibre les courants de diffusion et de drift sont tous deux présents. En appliquant une
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tension EXTERNE (V+ au cote P et V- du cote N), lequel de ces courants est-ce qu’on
favorise ?
3- On dope maintenant le silicium avec 5 × 1016 𝑐𝑚−3 atomes de phosphore. En
supposant que tous les dopants « participent à la conduction », de combien aurait changé le
niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque. Quel type de semi- conducteur
est-ce ? (P ou N).
4- On dope maintenant un autre morceau de silicium avec 1 × 1018 𝑐𝑚−3 atomes de bore. En
supposant que tous les dopants « participent à la conduction », de combien aurait changé mon
niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque. Quel type de semiconducteur est-
ce ? (P ou N)
5- On connecte maintenant les deux blocs de silicium et on se retrouve avec un diagramme
d’énergie qui ressemble à celui de la figure ci-dessous.
6- Trouvez les valeurs de X1, X2 et X3 de cette figure. Notez que le dessin n’est
probablement pas à l’échelle.
7- Calculez le voltage du champ qui se forme entre ces 2 régions.
On donne :
Exercice 5 :
Par application d'une contrainte mécanique sur silicium la
bande des trous de légers est soulevée par rapport à la
bande trous lourds jusqu'à. Supposons que :
- La bande de conduction est inchangée.
- Le haut de la bande des trous de légers est soulevé́ de 0,05 eV au-dessus du haut de la bande
des trous lourds.
- La distance entre le haut de la bande des trous lourds et le bas de la bande de conduction
reste 1,12 eV.
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- Pas de cas de dégénéré́ .
∗ ∗
- La masse effective des trous reste 𝑚ℎℎ = 0,49 𝑚𝑜 et 𝑚𝑙ℎ = 0,16 𝑚𝑜
1) Quel est le nombre relatif de trous dans la bande des trous de légers par rapport à celle dans
la bande de trou lourd ?
2) Quel est la masse effective des trous résultante ?
3) Quelle est la concentration des porteurs intrinsèque résultante ?
Exercice 6 :
Une barre de silicium de type P de section transversale 𝐴 = 1 𝑐𝑚2 et de longueur 𝐿 =
1,2 × 10−3 𝑐𝑚 . Pour une tension appliquée de 5 V, il faut un courant de 2 mA.
Calculer dans ces conditions ;
1. La résistance,
2. La résistivité du silicium,
3. La concentration des impuretés.
