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Convertisseurs Statiques
Philippe LADOUX

L’Electronique de puissance est un thème de recherche majeur du laboratoire depuis une trentaine
d’années. Au sein du LEEI, notre équipe a toujours mené de front les études théoriques amenant des
avancées à portée générale et les collaborations industrielles permettant de transférer ces résultats vers
l’industrie.
Le fondement des travaux de l’équipe "Convertisseurs Statiques" du LEEI repose sur le concept de cellule
élémentaire de commutation. L'énoncé des règles de fonctionnement des interrupteurs au sein de cette cellule
a permis une contribution majeure sur l’étude générale des mécanismes de commutation d'une part, et à une
méthode systématique de classification des interrupteurs et de synthèse des convertisseurs d'autre part. Ainsi,
le concept de l'interrupteur thyristor dual, conduisant à un fonctionnement particulièrement sain des
onduleurs de tension, est à la base des travaux théoriques et appliqués menés dans les années quatre vingt sur
les convertisseurs à résonance, puis dans les années quatre vingt dix sur la commutation douce "tout
silicium" et l’intégration fonctionnelle monolithique.
Le concept des convertisseurs multicellulaires, basé sur des cellules de commutation imbriquées, a suscité
un intérêt important tout au long des années quatre vingt dix. Après un premier brevet en 1991, cinq brevets
de perfectionnements entre 1994 et 1996 et plusieurs thèses consacrées au sujet, la licence exclusive cédée à
ALSTOM en 1999 atteste d’un transfert industriel réussi.
Au début des années 2000, les réflexions sur les topologies de convertisseurs ont permis l’émergence de
deux nouvelles familles de convertisseurs que sont les convertisseurs multicellulaires superposés et les
convertisseurs direct alternatif/alternatif utilisant des cellules non réversibles en tension. Parallèlement à cela
et en complément aux règles de la commutation "naturelle" dans les cellules énoncées il y a une vingtaine
d’années, nous avons introduit en 2000 le concept de la commutation "automatique" et complété ainsi la
présentation générale des mécanismes de commutation.
Sur la période 2002/2004, nous nous sommes clairement positionnés dans la perspective du
développement du vecteur énergétique « électricité » dans la société du 21ème siècle. Au-delà des réflexions
méthodologiques, nous avons aussi travaillé sur la recherche de topologies de convertisseurs permettant
d’exploiter les nouveaux générateurs électrochimiques, sur l’analyse de la sûreté de fonctionnement et de la
fiabilité des convertisseurs, ainsi que sur le développement d’un interrupteur statique très haute tension basé
sur l’utilisation de diamant de synthèse et grâce auquel les convertisseurs pour la gestion des réseaux de
transport d’énergie électrique pourront connaître un nouvel essor. Ces travaux, faisant appels à des
compétences souvent pluridisciplinaires, ont donné lieu à la mise en place de nombreuses collaborations avec
des équipes de recherche d’autres laboratoires.
Au cours de ces trois années, dans un souci de clarté et de cohérence, les activités de recherche de notre
équipe ont été regroupées dans une seule opération de recherche intitulée « Nouvelles Technologies pour la
Conversion de Puissance ». Cette opération de recherche comprend cinq thématiques :
Structures de Convertisseurs pour la Qualité des Réseaux (thématique 1)
Cette thématique s’appuie fortement sur les méthodes de synthèse des convertisseurs développées dans
l’équipe depuis plus de vingt ans. Elle concerne la recherche et l’étude de topologies de convertisseurs de
forte puissance (du kW au MW) basées sur l'association rationnelle de composants performants utilisés sous
basse tension plutôt que sur l'utilisation en nombre réduit de composants haute tension moins performants.
Sur la période 2002/2004, nous avons principalement travaillé sur les convertisseurs multicellulaires
superposés ainsi que sur les gradateurs MLI, l’objectif étant de démontrer l’avantage de ces structures (pertes
réduites, volume des éléments réactifs minimisé, …) dans des applications où la qualité de l’énergie
électrique est primordiale. Afin de compléter ces travaux et en nous appuyant sur des collaborations
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industrielles, nous avons mis en place un banc d’essai de cellules de commutation 2x3 MW avec comme
objectif la caractérisation de nouveaux composants semi-conducteurs et la modélisation électrothermique 3D
des cellules de commutation de forte puissance. Afin de tester de nouvelles stratégies de modulation, une
maquette d’onduleur SMC triphasé, d’une puissance de 50 kVA a été réalisée en collaboration avec ABB et
l’Université de Berlin. Du point de vue applicatif, les études initiées en 1999 sur les nouvelles alimentations
de four à arc, ont été poursuivies. L’objectif étant ici de proposer une nouvelle structure d’alimentation pour
les fours alternatifs triphasés garantissant un prélèvement « propre » de l’énergie au réseau et permettant une
augmentation de la productivité du four.

Sûreté de Fonctionnement et Fiabilité des Convertisseurs Statiques (thématique 2)

Cette activité initiée dans l’équipe en 1998 avec le recrutement de Frédéric Richardeau (Chargé de
Recherche CNRS) a atteint aujourd’hui sa maturité et les objectifs poursuivis sont clairement définis :
- Caractériser la fiabilité fonctionnelle des composants semi-conducteurs au sein d’une cellule de
commutation par la connaissance des mécanismes de dégradation, des modes de défaillance et des
facteurs aggravants.
- La conception de structures de conversion tolérantes aux défaillances internes et sécurisées.
En ce qui concerne le premier objectif visé, nous collaborons étroitement avec le LEM de Montpellier et
le LAAS de Toulouse afin d’obtenir des modèles permettant d’optimiser le dimensionnement et prédire la
durée de vie d’un équipement électronique de puissance.
Les travaux sur la conception de convertisseurs tolérants aux défaillances internes sont tout à fait
complémentaires des études sur la fiabilité fonctionnelle. Ils requièrent une connaissance pointue des modes
de défaillance des interrupteurs et de la propagation de cette défaillance au sein de la cellule et du circuit
environnant. Le principe étant de confiner le défaut et d’isoler la cellule défaillante tout en reconfigurant le
convertisseur pour lui permettre d’assurer la continuité de sa mission avec des performances et une sécurité
préservées.
Les résultats des recherches conduites dans le cadre de cette thématique sont primordiaux car ils
garantiront l’essor et la pérennité de l’électronique de puissance et du vecteur énergétique « électricité » dans
des applications sensibles où la fiabilité et la disponibilité des équipements est indispensable (ex : navire tout
électrique, avion plus électrique, automobile…).

Convertisseurs à Commutation Automatique (thématique 3)

Comme cela a été indiqué dans l’introduction, la commutation automatique a été introduite au cours de
l’année 2000. Le concept consiste à imaginer au sein des cellules des mécanismes de commutation basés sur
le fonctionnement des protections rapprochés des interrupteurs (disjonction par surintensité ou amorçage par
surtension). La période 2002/2004 a été consacré à la validation de ce concept avec la réalisation de
nombreuses maquettes d’essais. Aujourd'hui, la structure la plus prometteuse en terme d’application est un
redresseur de tension auto commuté et naturellement réversible en courant, sorte de pont de diodes
réversible, basée sur l’utilisation du thyristor dual disjoncteur. Cette structure a fait l’objet d'un brevet CNRS
et un premier transfert industriel a été initié. Parallèlement et en relation avec le groupe CIP du LAAS-
CNRS, l'absence de commande et de capteur nous a naturellement conduit à envisager l'intégration
monolithique sur silicium du thyristor dual disjoncteur et d'une cellule complète à deux interrupteurs.

Exploitation des Propriétés du Diamant en Electronique de Puissance (thématique 4)

Cette activité a débuté au sein de notre équipe au cours de l’année 2000. Elle est aujourd’hui mature et
elle est animée par Henri Schneider, maître de conférences, qui a su mettre en place de nombreuses
collaborations avec les spécialistes des matériaux, de la physique et de la technologie des semi-conducteurs.
Au cours de la période 2002/2004, les travaux de recherche ont été orienté selon deux axes : le management
thermique et la réalisation de composants actifs haute tension. Côté management thermique, les travaux ont
démontré la possibilité de réaliser à moindre coût des drains thermiques performants pour des composants de
puissance. Côté composant actif, toutes les technologies sont à développer et cela va du dopage du matériau
jusqu’à la prise de contact électrique. Pour obtenir un interrupteur de puissance, capable de commuter sous
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une dizaine de kV, deux voies sont possibles : la réalisation de composants unipolaires dopés P ou la
réalisation d’un composant photo-commandé. Comme nous l’avons évoqué plus haut, ces travaux de
recherche se placent donc dans une perspective à long terme. Afin de caractériser en commutation des
échantillons de diamant synthétique, nous sommes maintenant équipé au laboratoire d’un banc d’éclairement
sous UV ainsi que d’un canon à électron.

Structures de Convertisseurs Très Basse Tension Fort Courant pour le Stockage

Electrochimique de l’Energie Electrique (thématique 5)
Initiée en 1999, cette thématique est aujourd’hui portée par Christophe Turpin, Chargé de Recherche
CNRS arrivé dans l’équipe à l’automne 2002. Cette activité est complémentaire et quasi indissociable des
travaux conduits dans l’équipe « Système ». Elle concerne l’interfaçage des dispositifs électrochimiques de
stockage avec un réseau d’énergie électrique grâce à de nouvelles topologies de convertisseurs statiques
basse tension et fort courant à rendement élevé. Ces travaux de recherche sont conduits selon deux axes : la
modélisation des générateurs électrochimiques pour l’électronique de puissance et la recherche de topologies
élévatrices en tension. Au cours de la période 2002/2004, les réflexions conduites en collaboration avec nos
collègues du laboratoire de Génie Chimique de l’INPT et de l’équipe « Système » du LEEI nous ont permis
de démontrer la possibilité de connecter directement un convertisseur à une pile à combustible grâce à l’effet
de filtrage interne dû à la capacité double couche. Parallèlement à cela, nous avons proposé et étudié deux
topologies élévatrices en tension : l’onduleur survolteur et le hacheur « double boost ».

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Le bilan d’activité détaillé est présenté dans les pages qui suivent. Il démontre clairement que les cinq
thématiques sur lesquelles nous nous sommes engagés sont loin d’être épuisées. Elles seront donc
reconduites sur la période couverte par le prochain quadriennal.
En ce qui concerne la thématique 1, proche de l’applicatif, nos partenariats industriels sont nombreux et
les préoccupations en matière de qualité de l’énergie électrique sont croissantes Nous poursuivrons donc nos
réflexions sur les topologies d’onduleurs multiniveaux ou de gradateurs MLI. L’objectif visé étant des
applications directe de ces structures en moyenne tension voire haute tension.
En ce qui concerne la thématique 2, il est évident que les recherches sur la fiabilité fonctionnelle des
semi-conducteurs ne devraient donner des résultats exploitables qu’à moyen terme. D’un autre côté, les
travaux sur les topologies de convertisseurs tolérants aux défauts internes devraient déboucher sur des
premières applications industrielles à court terme.
De par leur bilan d’activité très positif et grâce aux nombreuses collaborations mises en place avec
d’autres laboratoires ainsi qu’avec quelques partenaires industriels, les thématiques 3, 4 et 5 que nous avons
faites émerger en 2002 sont aujourd’hui pérennisées. Si des résultats sont attendus à moyen terme, il faut
noter que les travaux conduits sur l’exploitation du diamant en électronique de puissance ne devraient
toutefois déboucher qu’à très long terme.
Les perspectives de recherche de notre équipe seront présentées dans le document concernant le projet de
la future UMR, mais nous pouvons déjà citer notre implication dans le projet inter laboratoires 3D-PHI où
nous apportons nos compétences en méthodologie de synthèse de convertisseurs. L’objectif de ce projet
ambitieux étant la conception tridimensionnelle des Systèmes intégrés de Conversion d’Energie. A
l’automne 2004, Emmanuel Sarraute, maître de conférence à l’IUFM de Toulouse a rejoint notre équipe. Son
activité de recherche est centrée sur cette nouvelle thématique.
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Structures de convertisseurs pour la qualité des

réseaux
Thierry MEYNARD, Philippe LADOUX

Chercheurs CNRS Doctorants ayant soutenu

Thierry MEYNARD (DR) Cyrille BAS
Frédéric RICHARDEAU (CR) Laurent DELMAS
Elie LEFEUVRE
Enseignants-chercheurs Aimé MARTIN
Afef BENABDELGHANI (ATER)
Henri FOCH (PR) Doctorants
Guillaume GATEAU (MC) Silvério ALVAREZ
Philippe LADOUX (PR) Hervé FERAL
Anne Marie LIENHARDT
Technique Gianluca POSTIGLIONE
Jean Marc BLAQUIERE (AI)
Didier GINIBRIERE (T)

Résumé : L’objectif de cette thématique est la recherche et l’étude des topologies de convertisseurs
permettant de garantir la qualité de l’énergie électrique dans des applications de forte puissance (de la
dizaine de kW au MW). Si le choix de la topologie doit, en forte puissance encore plus qu’ailleurs, être fait
en adéquation avec les contraintes particulières liées à la charge, à la source d’énergie disponible, ou au
processus, il en est de même pour la commande rapprochée qui doit intégrer la connaissance intime des
contraintes structurelles ou technologiques.
Au cours de la période 2002/2004, nous avons travaillé à la valorisation des « nouvelles topologies » que
sont les convertisseurs multicellulaires superposés (SMC : Stacked Multicell Converters) et les
gradateurs MLI. L’objectif étant de démontrer l’avantage de ces structures dans des applications de forte
puissance où il faut garantir la qualité de l’énergie électrique (qualité des formes d’ondes, minimiser les
chutes de tension, limiter le taux de déséquilibre…). L’onduleur SMC est particulièrement bien adapté aux
applications de forte puissance, il permet de travailler avec un bus continu Haute Tension tout en utilisant
des semi-conducteurs Basse Tension. De plus, par rapport à d’autres structures multi niveaux plus
conventionnelles (Neutral Point Clamped, Flying Capacitors), il garantit une bonne qualité de la forme
d’onde de sortie tout en minimisant le volume et le poids des éléments de filtrage et des condensateurs
flottants. Le gradateur MLI a l’avantage d’être un convertisseur AC/AC direct. Ainsi, vis-à-vis de solutions à
base d’onduleurs de tension, il peut présenter dans le cas d’applications spécifiques un net avantage du point
de vue dimensionnement. C’est notamment le cas pour la compensation de puissance réactive en monophasé
ou la compensation de déséquilibre sur les réseaux triphasés.
Dans les applications de très forte puissance (gamme du MW), les performances d’un convertisseur étant
fortement dépendantes des caractéristiques des interrupteurs et limitations thermiques, nous nous sommes
intéressés à la caractérisation de nouveaux IGCT (3,3 kV, 4 kA) et à la modélisation thermique 3D de
l'assemblage Press-Pack. Nous avons pour cela développé un banc d’essais de cellules de commutation
2x3 MW basé sur une méthode d’opposition.
Du point de vue applicatif, nous avons poursuivi nos travaux sur les nouvelles alimentations de four à
arc de forte puissance (100 MW) en ayant toujours comme objectif de proposer un ensemble
convertisseur/commande permettant d’optimiser le transfert énergétique entre le réseau et le four. Si dans un
premier temps nous nous sommes intéressés aux fours à courant continu, nous travaillons actuellement sur
les alimentations de fours à arc alternatifs triphasés où une topologie à base de gradateurs MLI pourrait
s’avérer particulièrement pertinente.
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durée de 45 mn). Les résultats des simulations

Nouvelles Alimentations pour fours à arc de comparatives sont présentés dans le tableau ci-
forte puissance. après. L’alimentation à hacheurs avec commande à
Cette étude a débuté en 1999 dans le cadre d’un puissance constante et hystérésis donne le meilleur
partenariat avec EDF R&D (Les Renardières). Elle compromis : le Pst (flicker) est inférieur à 1 et le
a concerné dans un premier temps les gain en énergie transmise au four est de 2,3% pour
alimentations de fours à courant continu. En 2001, un cycle de 45 mn. (En supposant la productivité
nous avons proposé et breveté une structure du four proportionnelle à l’énergie électrique
modulaire, constituée d’un groupe transmise, le gain financier annuel pour le
transformateurs/redresseurs d’indice de pulsation sidérurgiste est de l’ordre de 1 M€).
24 et de 48 blocs hacheurs de 2,1 MW (Varc=800 V
Alimentation Alimentation avec Hacheurs Hacheurs avec contrôle
et Iarc = 120 kA). La souplesse apportée par Classique contrôle à puissance avec à puissance active
réactive constante contrôle à constante avec
l'utilisation de hacheurs à commandes entrelacées (Thyristors) puissance hystérésis (phases de
(Thyristors + diodes active forage et début de
permet de contrôler avec une bande passante de roue libre) constante fusion)
Pst 2.31 1.35 1.77 0.94
suffisante et de manière optimale le courant d'arc et 99%
ceci quelle que soit la valeur de la tension d'arc. Energy 207.19 GJ 207.19 GJ 223.06 GJ 212.01 GJ
Gain 0% 0% 7.6 % 2.3 %
En 2002, au laboratoire EDF R&D des
Renardières, nous avons validé expérimentalement
Tableau 1 : Comparaison de 4 alimentations de
sur charge résistive, le dimensionnement thermique
four à arc à courant continu.
et le bon fonctionnement de deux blocs hacheurs
de 2,1 MW. Chaque bloc est constitué de trois bras Même s’il présente de nombreux avantages du
dévolteurs associés en parallèle et à commandes point de vue de la qualité de l’énergie prélevée au
entrelacées. Un bloc à base d’IGBT a été réalisé au réseau, les fours à arc à courant continu sont peu
LEEI, l’autre bloc réalisé à IGCT en boîtier pressé appréciés des sidérurgistes à cause des coûts
a été assemblé par EDF. d’entretien des électrodes placés en fond de cuve.
Vus des bornes les performances de deux blocs
sont équivalentes, toutefois de à cause de
l’utilisation de boîtiers pressés, la solution à IGCT
présente a priori une meilleure tenue aux cyclages
thermiques, ce qui est un critère important dans ce
type d’application où la charge est fortement
fluctuante.
Parallèlement à ces essais expérimentaux, nous
avons comparé en simulation la nouvelle
alimentation à hacheurs aux alimentations à
thyristors. Ce comparatif s’est effectué selon deux
critères : le niveau de flicker au point de
raccordement sur le réseau HT (220 kV) et
l’énergie électrique transmise à l’arc au cours d’un
cycle de fonctionnement du four. Pour cela, nous
avons implanté sous MATLAB/SIMULINK un
modèle de l’alimentation du four ainsi qu’un
modèle de flicker-mètre. Le modèle de
l’alimentation du four est basé sur un modèle
moyen des convertisseurs valable à la fréquence du Fig. 1 : Four alternatif triphasé de 70 MW
réseau (50 Hz). Il intègre l’impédance interne du
réseau HT, les transformateurs, les câbles et les Ainsi, en ce début de 21ème siècle, on assiste au
différentes boucles de régulation. Dans tous les retour en force du four à courant alternatif triphasé
cas, la tension d’arc introduite sous forme de (qui n’a pas d’électrode de cuve), même si celui-ci
perturbation dans le modèle est identique. Il s’agit nécessite à côté d’importants moyens de filtrage et
d’un fichier de points correspondant à un relevé de compensation (un four AC de 120 MVA,
effectué sur un four industriel de 100 MW nécessite un statocompensateur de 240 MVAR).
(fréquence d’échantillonnage de 2 ms sur une Sur la base de ce constat, il nous a paru pertinent
de poursuivre nos travaux de recherche en étudiant
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une nouvelle alimentation pour four à arc Pour caractériser ces échantillons (Fig. 2), nous
alternatif. L’objectif est identique à celui visé avec avons conçu un banc d’essais basé sur une mise en
les fours à courant continu : réduction du flicker opposition de deux cellules de commutation.
(Pst < 1) et amélioration de la productivité du four. Contrairement aux traditionnels essais mono coup,
Cette étude débutée à l’automne 2003, se déroule la méthode d’opposition permet de faire travailler
actuellement sur fonds propres du Laboratoire car les composants dans des conditions de
EDF R&D n’a pas pu nous accompagner dans ce fonctionnement de régime permanent
nouveau projet. Cette étude comporte trois étapes représentatives de la réalité avec un circuit de
principales : Analyse du fonctionnement d’un four refroidissement donné. Cette méthode a aussi été
à courant alternatif (relevés sur site) ; Etude d’une choisie parce qu’elle évite d’utiliser une source et
alimentation électronique de puissance ; Validation une charge de plusieurs MW. Le banc d’essais a
du nouveau principe d’alimentation au LEEI sur été instrumenté pour réaliser les mesures
une maquette de quelques kW. En ce qui concerne électriques et thermiques nécessaires pour
la première partie de ce travail, nous avons l’obtention de ces caractéristiques. La source
effectué en 2004 une campagne de mesures en d’entrée est réglée pour fixer la tension de
Allemagne sur deux fours à arc de 70 MW chacun. fonctionnement (500V÷1.5kV), la fréquence de
L’analyse de ces résultats fait apparaître un fort découpage est sélectionnée dans la carte
déséquilibre des courants et de larges variations de modulateur (375Hz ÷ 2kHz) et le courant de sortie
puissance réactive. Le mauvais contrôle de est réglable entre 0 et 2kA par l’intermédiaire
l’amplitude des courants est principalement dû au d’une boucle de régulation analogique.
réglage « rustique » de puissance électrique qui est
Les caractéristiques des IGCT et des diodes de
effectué uniquement par la régulation mécanique
roue libre ont été obtenues à partir de mesures sous
de position d’électrode. Un convertisseur à base de
différentes tensions d’entrée (750V, 1kV, 1.2kV et
gradateurs MLI (hacheurs pour formes d’ondes
1.5kV), différents courants de sortie (de 0 à 2kA)
alternatives), muni d’un contrôle à puissance
pour plusieurs fréquences de découpage, (500Hz,
constante pourrait apporter une solution à ces
750Hz, 1kHz). Les formes d’ondes instantanées à
problèmes et répondre ainsi aux objectifs visés.
l’amorçage et au blocage ont été utilisées pour
évaluer les pertes en commutation des semi-
Caractérisation de nouveaux IGCT pour les conducteurs. En mesurant le débit du fluide de
applications fort courant / moyenne tension. réfrigération (eau) et l’écart de température entre
C’est au cours de nos travaux sur les l’entrée et la sortie d’eau des dissipateurs, les
alimentations de fours à arc à courant continu pertes totales dans le composant peuvent être
qu’est apparue la nécessité de disposer d’un facilement calculées. Ensuite, par différence avec
composant « moyenne tension » mieux adapté aux les pertes en commutation, les pertes par
courants forts que les IGBT grâce à une chute de conduction peuvent être déduites. D’autres
tension à l’état passant plus faible et ceci dans le caractéristiques telles que les pertes dans le circuit
but de réduire le nombre de semi-conducteurs mis clamp et la puissance consommée par le driver des
en jeu dans la structure. IGCT ont été aussi évaluées. Le tableau 2 présente
les caractéristiques de l’IGCT 3.3kV pour un
Nous avons alors contacté la division « semi- courant commuté de 1.2kA et sous une tension de
conducteurs » d’ABB – Suisse qui a accepté de 1.5kV. La caractéristique principale de ce
collaborer en fabricant des échantillons de diodes composant est sa faible chute de tension à l’état
rapides et d’IGCT « Basse Tension » (3.3kV). passant, tandis que les pertes en commutation sont
similaires à celles des IGBT « traction » 3.3kV.

Tableau 2 : Comparatif IGCT/IGBT

Fig. 2 : Echantillons expérimentaux, IGCT 3.3kV (Composants ABB)
(5SHY 45L3300) et diode (5SDF 10H2500).
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Compte tenu que ce composant peut dissiper faite. En collaboration avec les sociétés EPSILON
une puissance élevée grâce à son boîtier pressé et Ingénierie et ABB Suisse, nous avons entrepris une
au refroidissement double face, il est alors possible démarche de modélisation et de simulation
d’augmenter la fréquence de commutation tout en thermique d’un IGCT (4.5kV, 4kA) validée par des
gardant une valeur de courant commuté élevée. relevés expérimentaux. L’étude thermique de
l’IGCT est basée sur une approche multi-physique
L’extrapolation du fonctionnement des IGCT
utilisant les possibilités de couplage par
3,3 kV à une fréquence de découpage de 2kHz, et
l’intermédiaire de modèles comportementaux du
pour un rapport cyclique α=0.5 conduit à des
logiciel REBECA-3D développé et commercialisé
pertes totales de 4.4kW pour 1200 A commutés
par la société EPSILON Ingénierie. La simulation
sous une tension de 1500 V. Toutefois, pour
est basée sur un modèle thermique conductif 3D
atteindre ce point de fonctionnement, d’autres
qui est enrichi d'un couplage électrothermique
problèmes techniques concernant le driver de
permettant de déterminer les pertes de l’IGCT en
l’IGCT doivent être résolus par ABB. Ce nouvel
fonction du point de fonctionnement électrique et
IGCT doit permettre d’améliorer les performances
thermique : Tension de bus, courant de charge,
dynamiques des convertisseurs et d’élargir ainsi
fréquence de découpage, rapport cyclique et
leur champ d’application en Forte Puissance et
surtout de la température. Un modèle connexe
Moyenne Tension notamment en matière de qualité
thermo-fluidique permet de représenter les plaques
de l’énergie électrique (filtrage actif, compensation
à eau et de tenir compte du débit d’eau, de la
de creux de tension, compensation de puissance
température d’entrée et de la puissance extraite par
réactive, etc.). Pour évaluer les applications
chacune des faces du composant.
potentielles de ces composants, nous avons
développé dans le logiciel SABER un estimateur Les modèles thermo-fluidique et électro-
de pertes pour cellules de commutation à IGCT. Il thermique sont des modèles analytiques qui sont
s’agit d’un bloc de calcul qui est associé à un introduits dans le modèle central REBECA-3D.
interrupteur idéal et qui, à partir des formes Cette méthodologie de modélisation est adaptée
d’ondes instantanées, adresse directement les aux études en régime permanent et transitoire. Les
caractéristiques de pertes de l’IGCT et de la diode premiers résultats ont permis de montrer que la
associée. Grâce aux nombreux relevés effectués géométrie et les dimensions du boîtier (120mm de
sur le banc de test, les pertes en commutation et en diamètre) introduisent un gradient de température
conduction sont connues pour différents niveaux au niveau du wafer (Fig. 3). La température
de courant et de tension et notre estimateur de maximale est située au niveau des passages des
perte est donc valable sur une large plage de conducteurs de gâchette. Pour un fonctionnement
fonctionnement. Contrairement aux modèles sous 2000V, 2000A 500Hz et un rapport cyclique
standard proposés par les fabricants de semi- de 0.5, la puissance dissipée est de 7kW, la
conducteurs, notre estimateur de pertes tient température moyenne est de 145°C pour un
compte des ondulations de tension et de courant au gradient de température au niveau du wafer de
niveau de la cellule de commutation qui sont en 33°C. Pour ce point de fonctionnement le débit de
général non négligeables dans le domaine de la l’eau dans dissipateur est 4 l/min et la température
forte puissance. d’entrée est de 15°C.
Des mesures de températures à l’intérieur du
Modélisation électro-thermique 3D d’un boîtier et à l'interface boîtier - dissipateur ont été
assemblage press-pack pour wafer IGCT. effectuées afin de valider le modèle thermique de
Ce travail a été réalisé dans le cadre d’un l’IGCT. Pour ce faire, le boîtier de l’IGCT a été
contrat avec la société EPSILON Ingénierie (Thèse usiné et percé (Fig. 4) afin de placer des
CIFRE Hervé Féral) et avec la collaboration et le thermocouples isolés au plus près du wafer. Des
support de la division Semi-conducteurs d’ABB - mesures thermiques et électriques sous 1kV et 2kA
Suisse. ont été effectuées sur le banc de test décrit dans le
paragraphe concernant la caractérisation des IGCT
Les IGCT utilisent des boîtiers métalliques 3,3 kV.
pressés optimisés pour évacuer un flux thermique
de plusieurs kW par les deux faces du composant.
Le « press-pack » est utilisé depuis les débuts de
l’électronique de forte puissance mais l’étude
thermique fine de ce type de boîtier n’a jamais été
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de kHz, de régler le fondamental de tension

appliquée aux charges sans déformer la forme de
cette tension. L’originalité de la structure et la
conversion directe qu’elle réalise permet de
proposer une alternative économiquement
intéressante par rapport à la classique solution
redresseur - onduleur. Ces principes généraux
peuvent donner lieu à des applications dans de
multiples domaines. Toutefois, chaque domaine a
ses spécificités, et une étude particulière doit être
menée pour chaque type d’application :
• Le domaine de l’éclairage a été le premier
domaine abordé. Un dispositif de régulation et
de variation de l’éclairage public a été
développé et commercialisé par Schneider
Fig. 3 : simulation 3D d’un IGCT et ses Electric sous licence CNRS. Dans cette phase,
dissipateurs à eau le rôle du LEEI devient extrêmement restreint.
Vbus = 2800V, Ich = 1500A, Fdec = 500 Hz,
• Pour aborder le chauffage résistif, un
α = 0.5, Q = 4.5 l/min, Teau=15°C
prototype a été réalisé dans le cadre d’une
collaboration avec le CIRTEM, puis testé par
EdF. Les performances attendues ont été
vérifiées ce qui devrait permettre à EDF de
préconiser ce type d’équipement. Afin de
vérifier le potentiel de cette structure en tant
qu’alimentation, deux prototypes (monophasé
et triphasé) ont été réalisés. Ils sont
actuellement utilisés comme alimentation de
labo au LEEI et en TP par le département de
Fig. 4 : Montage des sondes dans l’IGCT formation de l’ENSEEIHT.
En 2004, le modèle a été validé en régime Actuellement, les études s’orientent plutôt vers
permanent. L’erreur maximale observée par des applications Haute Tension et forte puissance.
rapport aux points de mesure par thermocouples En plus des alimentations de fours à arc alternatifs,
est de 3%. Une difficulté particulière à ce type nous envisageons aussi deux applications
d'assemblage est la modélisation des résistances concernant les réseaux ferroviaires. Une thèse a été
thermiques de contact entre les différentes pièces démarrée en décembre 2004 en collaboration avec
empilées et pressées (fonction de la nature des ABB et la SNCF dans le but d’étudier un
matériaux, de l'état de surface, du fluage et de la compensateur de puissance réactive permettant de
relaxation des matériaux dans le temps …). Cette stabiliser la tension caténaire sur des lignes à fort
difficulté nous amène à développer un assemblage trafic. Une seconde application concernant la
dédié à des compléments de mesure. Quant au compensation du déséquilibre de courant au point
modèle dynamique, il devrait être validé au cours de raccordement des réseaux ferroviaires et des
de l’année 2005, il sera utilisé pour déterminer les réseaux d’énergie est envisagée. Une pré-étude et
fluctuations de température au niveau du wafer et un prototype de petite puissance ont été réalisés,
des interfaces sur des profils de mission de type révélant à la fois le potentiel de cette solution et
traction ou alimentation de fours à arc. quelques problèmes de mise en œuvre qui devront
être résolus.
Convertisseurs AC/AC : gradateurs MLI
Afin de limiter les perturbations basse
Convertisseurs multicellulaires superposés
fréquence générées par les gradateurs à thyristor (SMC)
fonctionnant en train d’onde ou en contrôle de Cette topologie brevetée en 2000 a donné lieu à
phase, nous avons étudié des solutions à base de des études comparatives et des études sur la
gradateurs à découpage qui permettent grâce à un commande.
découpage à plusieurs kHz voire plusieurs dizaines
10

Etudes comparatives nécessaire) sont maintenant en cours d'étude avec

des résultats très prometteurs.
Les études comparatives sont par nature très
appliquées, dépendent de l’état de la technologie
Nouvelles stratégies de modulation
qui peut d’ailleurs être très différente d’un
domaine d’application à l’autre, et se prêtent mal à Les applications auxquelles s'adresse ce type de
une approche théorique. Pour ces raisons, deux structure nécessitent une qualité spectrale
études différentes ont été menées avec deux irréprochable, avec des normes restrictives souvent
industriels traitant d’applications dans des gammes sévères. Une étude a donc été menée pour
de puissance différentes (de 10 à 500kVA pour le optimiser la fonction de modulation au sein même
premier, de 1 à 30MVA pour le second) et avec le du convertisseur. En effet, le nombre de niveau
concours du TU Berlin. Dans les deux cas, cette important associé à l'augmentation de la fréquence
topologie s’est avérée très intéressante par rapport de commutation apparente offre des degrés de
à toutes les structures décrites dans la littérature, et liberté utilisables pour optimiser le contenu
les deux industriels ont décidé de réaliser des spectral des tensions de sortie de bras.
prototypes. L’évaluation, plus avancée dans le cas
de la forte puissance débouche d’ores et déjà sur
une négociation de licence d’exploitation.
Performance

200%
180%
160%
140%
Cost
120%
Losses
100%
Cost x Losses
80%
60%
C

2
l

FC
f

lle
Re

C_

C_
NP
ra

SM

SM
Pa

Fig. 5 : Etude comparative (produit Fig. 6 : Spectre expérimental de la tension

coûts x pertes) phase/neutre - Onduleur multicellulaire
4 niveaux PD PWM avec machine d'états
Observation des tensions flottantes
La topologie SMC impose de garder constante
les tensions aux bornes des différents
condensateurs flottants afin de conserver des
contraintes en tension égales sur tous les
interrupteurs de la structure. Ce maintient est
assuré par une commande active au niveau de la
structure. Il est alors nécessaire de mesurer ou
d'observer ces tensions. La mesure pénalise
énormément la structure de part le nombre de
capteurs nécessaires et la difficulté des mesures
dues au niveau de tension (qq kV), ce qui nous a
conduit à étudier plusieurs solutions pour
l'observation de ces tensions. Le principe de base Fig. 7 : TDH normalisé pour PSC, PD and CSV
consiste donc à utiliser les ordres de commande PWM - Onduleur multicellulaire 4 niveaux
associés à un nombre de mesure restreint de
grandeurs. On peut par exemple mesurer la tension Développement d'un banc de test expérimental
de sortie de chaque bras et être capable de Afin de tester ces nouvelles stratégies de
reconstruire parfaitement les tensions modulation et d'observation, nous avons développé
condensateurs. D'autres solutions n'utilisant que le une carte de commande dédiée (MPAB_LEEI).
courant de sortie du bras (mesure par ailleurs Cette maquette pilote l'onduleur triphasé SMC
 11

développé par un partenaire universitaire allemand machine decoder”, B.Mc GRATH,

(TU Berlin). TA. MEYNARD, G. GATEAU,
G. HOLMES, PESC 2005, Brazil.

Brevets

1. "Dispositif statique de compensation d’énergie

réactive"
P. LADOUX, T. MEYNARD, D. FERRER
Brevet Français en cours de dépôt (Déposant
CNRS, dossier valorisation n° 64345)

2. "Multilevel Converter Comprised of Floating

Capacitor Subassemblies "
Fig. 8 : Bras d’onduleur SMC 7-niveaux J. STEINKE, T. MEYNARD, P. BARBOSA
(réalisation TU Berlin) Demande de Brevet Suisse (Déposant : ABB)

Références 3. "Dispositif de conversion " (AC/AC

différentiel)
[1] “Evaluation of IGCTs & IGBTs Choppers for
T. MEYNARD, E. LEFEUVRE
DC Electrical Arc Furnaces” S. ALVAREZ,
Brevet Canadien CA2455352, 06 Février 03
P. LADOUX, JM. BLAQUIERE, C. BAS, J.
Brevet publié WO03 010875, 06 Février 03
NUNS, B. RIFFAULT, EPE Journal, Vol. 14,
Demande de brevet PCT tous pays N° PCT/FR
no 2, May 2004
02-02532, Juillet 2002
[2] “Characterisation of Low Voltage IGCTs Demande de brevet français N° 01 09944
(3,3KV) by using and Opposition Method (Déposants : Cirtem et CNRS)25 Juillet 01
Test Bench” S. ALVAREZ, P. LADOUX,
E. CARROLL, PCIM'04 International 4. "Dispositif de conversion d’énergie électrique à
Exhibition and Conference for Power découpage" (AC/AC non différentiel)
Electronics Intelligent Motion Power Quality, T. MEYNARD, E. LEFEUVRE
NUREMBERG (Allemagne), May 2004 Brevet Japonais JP2004509594T T 25 Mars 2004
[3] “Mesures thermiques sur un IGCT 4,5kV – Brevet américain US2004037101 26 Février 2004
4kA”, H. FERAL, J.P. FRADIN, Brevet Européen EP1320920 25 Juin 2003
P. LADOUX, F. RICHARDEAU, Brevet publié WO0223708 31 Mars 02
J.M. BLAQUIERE, P. KERN, E. CARROLL, Brevet Australien AU8999801 6 Mars 2002
Conférence Electronique de puissance du Brevet Canadien CA2422004 21 Mars 2003
futur EPF – SAAEI, Toulouse, 15-17 Demande de brevet PCT tous pays N° 01/02805
septembre 2004. 10 Sep 01
[4] “A Comparative Study of AC/DC Converters Demande de brevet français N° 00 11611
for High Power DC Arc Furnace”, (Déposants : Cirtem et CNRS) 12 Sep 00
P. LADOUX, G. POSTIGLIONE, H. FOCH,
J. NUNS, IEEE Transactions on Industrial 5. "Device for Converting Multicell Energy"
Electronics – Vol. 52 N°3 June 2005 T. MEYNARD, H. FOCH, G. GATEAU
Demande de Brevet Français N° 00 06786
[5] “Implementation of peak current control (Déposant : CNRS), 26 Mai 00
algorithm within an FPGA”, M. AIME, Dépôt P.C.T. tous pays FR01/01613 23 Mai 01
G. GATEAU, TA. MEYNARD, ISIE 2004, Brevet AustralienAU6401901 11 Novembre 01
Ajaccio (France), May 2004 Brevet Français FR2809548 30 Novembre 01
[6] “Stacked Multicell Conveter (SMC) : Brevet canadien, CA2409937 06 Décembre 01
Estimation of flying capacitor voltages”, Brevet WO0193412 06 Décembre 01
AM LIENHARDT, G. GATEAU, Brevet Européen, EP1287609 05 Mars 03
TA. MEYNARD, EPE 2005, Dresden Brevet US US2004032757 19 Février 04
(Germany).
[7] “Optimal modulation of flying capacitor and
stacked multicell converter using state
 13

Sûreté de Fonctionnement et Fiabilité des

Convertisseurs Statiques
Frédéric Richardeau

Chercheurs CNRS Doctorants ayant soutenu

Yvon CHERON (DR) Jérôme VALLON
Frédéric RICHARDEAU (CR)
Doctorants
Enseignants-chercheurs Mohamed ELGHAZOUANI (LEM)
François FOREST (PR au LEM) Jérôme MAVIER
Hubert PIQUET (PR)
Technique
Jean-Marc BLAQUIERE (AI)
Didier GINIBRIERE (T)

Résumé :
En apportant des solutions intégrées et flexibles de contrôle de l'énergie électrique, les dispositifs
d'électronique de puissance sont appelés à jouer un rôle majeur dans l'optimisation fonctionnelle et
technologique des systèmes complexes de demain. Cette place de premier plan ne sera réellement pérenne
qu'à travers une profonde maîtrise des capacités de fonctionnement sous fortes contraintes et par une gestion
dédiée des situations de défaillance de cette électronique de puissance.
C'est en réponse à cette double problématique qu'un ensemble de travaux est mené aujourd'hui autour de
deux axes principaux :
1) La caractérisation de la fiabilité fonctionnelle et de la durée de vie des composants semi-
conducteurs dans leur environnement de commutation de puissance, par la connaissance des mécanismes
de dégradation et à la quantification des facteurs d'accélération. Cette démarche repose sur un partenariat
de recherche très étroit avec le LEM (Université Montpellier II) et le LAAS-CNRS, et s'inscrit dans la
perspective d'une mise à jour de modèles paramétriques exploitables aussi bien pour leur caractère
prévisionnel que pour l'aide à l'optimisation des marges de dimensionnement sous contraintes de durée
de vie système et de coût des technologies. A ce titre, un premier banc de puissance capable de
contraindre électriquement et thermiquement des bras d'onduleur au sein d'une méthode d'opposition a
été réalisé. Une première analyse technologique a été menée sur les modes de vieillissement de modules
de puissance contraints à Tcase = 115°, Tj = 150°C pendant 4500h.

2) La conception de structures de conversion tolérantes aux défaillances internes, capables de

maintenir une mission en préservant un haut niveau de sécurité dans le cadre d'applications dites
critiques réclamant un haut niveau de disponibilité. Cette démarche repose sur une segmentation
topologique à la fois modulaire et intégrée de type série et/ou parallèle permettant de bénéficier d'un
confinement quasi-intrinsèque sur défauts et de possibilités de reconfiguration partielle. A ce titre et en
relation avec Airbus France dans le cadre du réseau de recherche PowerNet, un onduleur quatre bras à
tolérance de deux défaillances internes consécutives est à l'étude pour l'alimentation d'un EHA pour
ailerons A380.
14

dans ce rapport de synthèse sur la période 2002 –

1) Contexte et objectifs 2004, en relation avec les laboratoires partenaires.
L'étude de la fiabilité des composants de
puissance ainsi que la recherche de structures de 2) Etude de la fiabilité de modules de
conversion hautement disponibles et sécurisées puissance sous contraintes fonctionnelles
constituent aujourd'hui un volet incontournable de modérées
la conception des systèmes de conversion
d'énergie. Trois tendances fortes à nos yeux La diversité des technologies et des contraintes
permettent de justifier ce constat : a) la forte rencontrées dans un convertisseur électronique de
pénétration de l'électronique de puissance au cœur puissance soulève en premier lieu le problème du
de systèmes hautement critiques, en particulier choix d'une méthode d'investigation. Face à cette
dans le domaine des transports pour des raisons complexité, une première démarche, relativement
évidentes de rendement énergétique, de flexibilité classique, consiste à caractériser les corrélations
et de compacité, en remplacement d'organes contraintes – effets au niveau des matériaux et des
mécaniques, hydrauliques ou pneumatiques, plus constituants, pris individuellement, par application
rustiques mais néanmoins plus robustes que les de contraintes extrêmes prolongées. Cette approche
technologies électriques ; b) l'application de ciblée présente l'intérêt d'une caractérisation locale
contraintes multiphysiques combinées sur des d'une partie d'un composant sur la connaissance
composants électroniques de technologies préalable d'une zone sensible, i.e. d'un point faible.
standards pour des raisons économiques Elle présente néanmoins l'inconvénient de faire
(automobile hybride, avionique en ambiant appel à des stimulus mono contrainte d'amplitude
dépressurisé) ; c) la nécessité d'optimiser le triplet nettement supérieure à la charge opérationnelle, ce
"haute fiabilité – grande durée de vie – sûreté du qui implique une démarche supplémentaire de
modes de défaillance du système de conversion" en connaissance du facteur d'amplification du
adéquation étroite avec les exigences du système mécanisme ainsi étudié par rapport à la contrainte
environnant, souvent complexe et hétérogène, et appliquée. La seconde voie part du constat qu'au
avec le minimum de retour d'expérience. sein de ce système complexe existe une entité
élémentaire et générique de conversion, sous la
Face à ces enjeux, il semble possible à nos yeux forme d'une cellule de commutation, réalisée
de distinguer deux domaines complémentaires de aujourd'hui au moyen d'un module de puissance et
recherche dans lesquels se positionnent nos travaux de constituants rapprochés (filtre, électronique de
aujourd'hui : a) la mise à jour de méthodes et commande), au sein desquels apparaît l'essentiel
l'élaboration d'outils permettant de caractériser et des contraintes fonctionnels (commande,
de prédire la fiabilité des composants de puissance conduction, découpage) et physiques (interaction
sous contraintes fonctionnelles d'une part, la puissance – commande, isolement diélectrique,
conception et la mise en œuvre de nouveaux écoulement des flux de chaleur) de la conversion
composants durcis aux contraintes et dotés de d'énergie. Assez logiquement c'est donc à l'échelle
fonctions intégrées d'autodiagnostic pré-défaillance de ce macro module élémentaire de puissance et
/ pré-viellissement d'autre part ; b) la conception de par l'amplification des contraintes fonctionnelles et
structures de conversion partitionnées autour de physiques préexistantes que nous avons porté notre
cellules élémentaires redondantes ayant la capacité effort d'investigation en priorité.
de confiner une défaillance interne en toute
sécurité et d'offrir par reconfiguration partielle de En partenariat très étroit avec le LEM de
la topologie et de la commande une poursuite de l'université Montpellier II, une première thèse
mission. portée par J. Vallon a permis d'initier cette
démarche sur la période 2000 – 2003. Une
La réunion de ces deux domaines que structure générique de test de ces modules,
constituent la fiabilité fonctionnelle des représentée en figure 1a, a été étudiée et réalisée
composants de puissance et la tolérance aux sur la base d'une méthode d'opposition entre deux
pannes des structures de conversion d'énergie doit modules identiques connectés en opposition sur le
contribuer à l'émergence de résultats tout à fait même bus d'alimentation et à travers un self de
concrets et innovants, ainsi qu'à la construction quelques dizaines de µH seulement. La faible
d'une véritable démarche générique de sûreté de puissance électrique mise en jeu sur le bus (égale
fonctionnement en électronique de puissance. C'est aux pertes globales) et l'absence de charge
effectivement, sur le fond, la mission que nous dissipative et volumineuse permet de disposer d'un
nous sommes fixée à travers les travaux présentés vecteur de test compact tout à fait adapté à des
 15

investigations sur un nombre élevé de modules commande rapprochée des interrupteurs concernés
(plusieurs dizaines) et sur des temps longs du module. Cette surveillance étant interfacée,
(plusieurs milliers d'heures). Toute forme de adaptée et archivée sur un disque dure (traitement
modulation du courant et de la tension peut être par LabView) [1][2][3]. D'autre part, le protocole a
reproduite sur ce type de banc et plus généralement été l'occasion de mettre en place en collaboration
tout profil de mission. avec le groupe CIP du LAAS-CNRS, une
méthodologie de caractérisation semi-automatique
Vdc
des composants semi-conducteurs et du suivi de
ces caractéristiques à intervalles réguliers.
La figure 1b représente le dispositif complet
iL
ayant permis de conduire une première campagne
de 4500h à Tj = 150°C, Tcase = 115°C sur 4
modules de puissance (soit 8 IGBT et 8 diodes)
600V-50A / 20kHz en modulation sinus. Les
figures 2a et 2b donnent les principaux résultats
Leg 1 PWM Leg 2 PWM
obtenus sur le suivi dans le temps des 8
+
synchro
condensateurs électrochimiques de découplage, au
-
niveau de leur masse (évaporation de l'électrolyte
+
+ Iref
C(p) Vref liquide) et de la résistance série (qualité et quantité
d'électrolyte). On constate une évolution de faible
a) Structure de tests fonctionnels pour modules de puissance à IGBT. amplitude et assez homogène sur la première
tranche de 1500h (rodage), suivi d'un fort
vieillissement à forte dispersion sur la seconde
tranche. Une relative bonne corrélation est faite
entre masse et résistance série.
Evolution du poids des condensateurs

84000

82000

80000 poids en mg (état neuf)

poids en mg

78000
poids en mg (après 1500h
76000 de fonctionnement )
poids en mg (après 3000h
74000 de fonctionnement)
b) Plate-forme de vieillissement sous contraintes fonctionnelles pour 72000

modules de puissance à IGBT. 70000

1 2 3 4 5 6 7 8
condensateur
Fig. 1 : a) Structure générique de mise en
a) Mise en évidence du vieillissement accéléré de condensateurs
opposition de cellule de commutation de électrochimiques à Tint ≈ 85°C en régime continu, histogramme de la
puissance pour l'étude de la fiabilité sous masse mesurée en fonction du temps d'utilisation.
contraintes fonctionnelles, b) Plate-forme résistance série pour chaque condensateur à 20KHz
complète avec instrumentation et organe
90
superviseur. 80
70 R_S_neuf_85°c
mΩ
Ω
résistance série (mW)

Pour permettre le diagnostic et le suivi des 60

50
R_S_1500h_85°c
R_S_neuf_40°c
dérives de fonctionnement des composants de 40 R_S_1500h_40°c
30 R_S_3000h_40°c
puissance jusqu'à défaillance (semi-conducteurs de 20 R_S_3000h_85°c

puissance et condensateurs électrolytiques 10

0
principalement) un protocole d'analyse de fiabilité 1 2 3 4 5 6 7 8
condensateurs
a été établi. Il consiste d'une part à faire vieillir
l'ensemble des composants par application d'un
b) Mise en évidence du vieillissement accéléré de
régime faiblement contraint, principalement par la
condensateurs électrochimiques à Tint ≈ 85°C en
température, en procédant à une surveillance des
régime continu, histogramme de la résistance
principales grandeurs (tension et courant images
série mesurée à deux températures en fonction
des pertes, températures des drains thermiques,
du temps d'utilisation.
températures des enveloppes des condensateurs,
alimentations auxiliaires), toute défaillance
Fig. 2 : Suivi du vieillissement des condensateurs
précoce ou anomalie de fonctionnement étant
électrochimiques sur le bus onduleur.
confinée par une action locale et rapide sur la
16

Au niveau des modules, la figure 3a montre la circuit fermé ; b) un premier transfert thermique air
présence de zones disloquées sur le gel diélectrique – eau local du flux d'air chaud ; c) un second
d'un module ayant subi le stress en température transfert thermique eau-air global du circuit d'eau
pendant 4500h. L'origine de ce phénomène n'est pas mutualisé à l'ensemble des unités de test
formelle et doit être approfondie, la dilatation identiques. Ce procédé permet de cumuler
naturelle du gel à haute température conjuguée à un l'avantage du transfert convectif (haute température
phénomène de dégazage pourrait expliquer cette et réglage électronique "fin") et du transfert
dégradation. La figure 3b montre, sur ce même fluidique (efficacité d'échange, mutualisation et
module, l'endommagement du pied d'un des fils de compacité). Ce travail devrait nous permettre de
bondings du module sous la forme d'un phénomène confirmer et d'approfondir les phénomènes de
d'extrusion de l'aluminium et d'une microfissure. Là dégradation constatés à haute température, avant
encore, la dilatation du fil de bonding lui-même et d'envisager une phase de modélisation.
du film de protection qui lui est appliqué
(délamination du film anti-corrosif) pourrait Soutenu par le Gircep et le GdR ME²MS de
expliquer cette dégradation. 2001 à 2004 [4], ce travail se poursuivra dans les
trois prochaines années dans le cadre d'un contrat
de recherche PREDIT (projet EPO-AUTO plus :
électronique de puissance pour organes
automobiles hybrides) sous la forme d'une équipe
projet multi-laboratoire.

3) Caractérisations à haute température des

a) Dislocation par dilatation b) Endommagement par micro- semi-conducteurs de puissance
thermo-mécanique du gel fissures d'un pied de bonding Tcase
diélectrique d'un module à = 115°C / Tj = 150°C / 4500h L'étude des conditions de fonctionnement à
Tcase = 115°C / 4500h haute température des semi-conducteurs devient
aujourd'hui une nécessité, pour au moins trois
Fig. 3 : Analyse technologique d'un module de raisons : elle permet de réduire le coût et la masse
puissance IGBT ayant subi un fonctionnement du dissipateur de chaleur, elle permet d'autoriser
continu à Tcase = 115°C / 4500h. une surcharge de fonctionnement parfois
appréciable sans surdimensionner le dissipateur,
elle permet de répondre à de nouveaux besoins
spécifiquement "haute température" (convertisseur
refroidi sur circuit d'eau d'un moteur thermique).
Ainsi, en complément des études de fiabilité, un
ensemble de caractérisations statiques (conduction
et tenue au blocage) et dynamiques (commutation
mono-coup) a été mené sur différentes structures
d'IGBT (NPT à grille planar et PT à grille Trench).
La figure 5a donne un exemple d'une évolution
Fig. 4 : Evolution du système de refroidissement importante induite par la haute température sur la
du banc de vieillissement à haute température caractéristique de fuite d'un IGBT (la composante
par un système mixte convection forcée local – de diffusion, de conduction et la tension
Echangeur à eau global. d'avalanche). La figure 5b montre que la courbe de
pertes qui en résulte présente "une pente" pouvant
La poursuite de cette opération sur un nombre être supérieure à la pente de la courbe de
plus important de composants et sur des
refroidissement de la puce, préfigurant un risque
fonctionnements à haute température (150°C < Tj
d'emballement thermique et la défaillance du
< 190°C) nous a conduit à concevoir une version
plus évoluée du banc de vieillissement (thèse en composant. Cette limitation thermique correspond
cours de M.Elghazouani au LEM). Ce nouveau aujourd'hui au premier obstacle à la montée en
banc est représenté en figure 4, bien que le cœur du température des puces de puissance.
système de conversion soit inchangé, le
refroidissement est cette fois assuré par un procédé
mixte : a) une convection forcée locale à haute
température au niveau des socles des modules,
régulée par voie électronique, et à flux canalisé en
 17

8
x 10
-3 Transistor (M) tension d'avalanche [140°C 190°C ]
kW à la centaine de kW. Nous pensons que le
7 caractère modulaire et interchangeable de ces
6 futures briques génériques devrait constituer un
5 atout important pour la réalisation de topologies
IC en Ampère

4 segmentées à tolérance de pannes d'une part, et

3 pour la simplification des opérations de
2 190°C maintenance d'autre part. La modularité de ces
180°C
1
160°C 140°C
briques doit aussi permettre de répondre à une
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 évolution future des standards de réseau de bord,
Vce en Volt
tant sur les niveaux de tension mis en jeu que sur la
a) Caractérisation du courant de fuite à haute température d'une puce
IGBT
structure des réseaux eux-mêmes (réseau maillé
20
HVDC bi-tension ±270V par exemple) ; citons
18
16 Courbe d'échauffement également les performances fréquentielles élevées
14
pour la réjection d'harmoniques (briques
Pertes [W]

12
10
8
entrelacées en parallèle).
6
4
2
Dans cette veine, la figure 6a représente une
0
100 120 140 160 180 200 220 240 260
structure d'onduleur à quatre bras utilisable selon
c) Fusion Tj[°C]
Courbe de refroidissement
deux modes de reconfiguration en diphasé (60° et
Al/Si de la φ = (Tj-Tcase)/Rthjc 120°) en association avec une machine synchrone à
métallisation
d'une puce aimants. Comparativement avec une structure
b) Emballement thermique d'une puce IGBT
ayant subie un par son courant de fuite. classique à trois bras, celle-ci permet la tolérance
emballement de deux défauts consécutifs et le passage successif
thermique par
courant de en diphasé puis monophasé. Cette reconfiguration
fuite. n'est permise que si le défaut est parfaitement isolé
au niveau du bras défaillant au moyen d'un
Fig. 5 : Analyse du phénomène d'emballement dispositif électronique de déconnexion, côté
thermique par courant de fuite à haute alternatif et/ou côté continu ; ce dispositif ayant
température d'une puce IGBT. fait l'objet d'une étude préparatoire uniquement.
L'association de deux onduleurs à trois ou quatre
4) Convertisseurs à tolérance de pannes bras a aussi été étudiée pour réaliser une
pour applications critiques alimentation "double" possédant de nombreux
L'introduction de nouvelles technologies "plus degrés de liberté pour la reconfiguration. La
électriques" dans le domaine de l'aéronautique parallélisation des bras d'onduleur a également été
civile devient une nécessité et un facteur de initiée sous la forme d'une liaison inductive
compétitivité majeur pour les futures générations magnétiquement non couplée pour bénéficier de la
d'avions : les actionneurs à puissance hydraulique redondance structurelle. La présence d'inductances
(commandes de vol, freins, train d'atterrissage, permettrait aussi d'intégrer un filtre de dv/dt à
pompes) doivent être remplacés par des dispositifs faible coût, utile pour maîtriser la CEM. De cette
hybrides ou totalement électriques dont la étude ressort également le périmètre structurel
logeabilité, la masse et surtout la maintenabilité d'une brique de conversion sous la forme de deux
constituent des atouts indéniables. Le bras d'onduleur électriquement isolés et intégrés au
conditionnement d'air et la pressurisation des sein du même module de puissance.
habitacles sont aussi concernés par cette mutation Pour évaluer l'apport de ces structures et
mais cette fois dans un souci de rendement apporter des éléments de dimensionnement, un
énergétique. travail de modélisation et de simulation a été
Dans ce cadre, en collaboration avec Airbus entrepris sous SABER™ au niveau de la chaîne
France à travers le réseau de recherche PowerNet hydromécanique (pompe, vérin, clapets, circuit
et en co-direction entre les groupes Convertisseurs hydraulique), des structures d'onduleur, redresseurs
et Système du LEEI, un travail de thèse mené par en amont et enfin de l'alimentation. Des briques de
J.Mavier a démarré en septembre 2003. Ce travail simulation paramétrables ont ainsi été réalisées. La
consiste à proposer un ensemble de briques de partie hydromécanique a fait l'objet d'une
conversion statiques, génériques et configurables, modélisation physique très complète puis
permettant de répondre aux fonctionnalités comparée avec succès avec les modèles
précitées sur une large plage de puissance, i.e. du comportementaux fournis par les équipementiers
18

d'Airbus. L'assemblage de ces différents modèles a Bench Dedicated to PWM Inverters",

permis d'analyser le fonctionnement sur profil European Power Electronics 2003
d'urgence (manœuvre d'évitement) et l'impact de Conference, Toulouse, 3-5 septembre 2003.
défauts en termes de transitoire de couple et de [10] J. VALLON, F. RICHARDEAU, H. FERAL,
courant. Les principaux modes de reconfiguration Y. CHERON, F. FOREST,
ont aussi été analysés selon cette démarche. La JJ. HUSELSTEIN, Ch. JOUBERT,,
figure 6b donne à ce titre le comportement simulé "Reliability bench tests for PWM VSI based
de la chaîne EHA lors d'une reconfiguration on 600V-50A IGBT modules", PCIM
diphasé induit par la perte d'un bras d'onduleur. Conference, Nuremberg, 20 – 22, mai 2003.
[11] F. RICHARDEAU, G. BARAKAT, J.Jacques
HUSELSTEIN, "Bilan à mi-parcours du
thème Sûreté de fonctionnement – GdR
ME²MS". LGEP-Supelec, session plénière du
8 décembre 2003.

a) Onduleur 4 bras sur machine synchrone à aimants à neutre

contrôlé.

Angle [Rd]

Vitesse [Rd/s]
Fig. 11 Redresseur réversible "automatique"
à thyristor-duaux disjoncteurs

Couple [N.m]

Courant moteur [A]

Puissance [W]

Perte d'un bras

b) Simulation Saber™ d'un profil de mission sur manœuvre

d'évitement et passage en modulation diphasée 60° sur défaut de bras
à t = 2s.

Figures 6: Onduleur 4 bras à tolérance de pannes

pour EHA d'aileron A380.

Références
[8] J. VALLON, F. RICHARDEAU,
Y. CHERON, F. FOREST, J-Jacques
HUSELSTEIN, Ch. JOUBERT, "Module de
conversion dédié à l'étude de la fiabilité de
cellules onduleurs à IGBT", Congrès
Electronique de Puissance du Futur,
Montpellier, novembre 2002, pp. 185 – 190.
[9] J. VALLON, F. RICHARDEAU, H. FERAL,
Y. CHERON, F. FOREST,
JJ. HUSELSTEIN, Ch. JOUBERT,
"Converter Topology for Reliability Test-
 19

Convertisseurs à Commutation Automatique

Frédéric RICHARDEAU, Henri FOCH

Chercheur CNRS Doctorant ayant soutenu

Frédéric RICHARDEAU (CR) Nicolas ROUX
Enseignant-chercheur Stagiaires
Henri FOCH (PR) Yann HERIOT
Rémi PERIN
Bernard PONTALIER
SUSEENDRAN

Résumé :
Introduit au cours de l'année 2000, ce concept original consiste à imaginer de nouveaux mécanismes de
commutation basés sur le fonctionnement même des protections rapprochées des interrupteurs d'une cellule
de commutation. En complément de la commutation commandée et de la commutation spontanée, la
commutation automatique se traduit par une auto-commutation de l'interrupteur sur un seuil de courant pour
l'ouverture (effet disjoncteur) et/ou sur un seuil de tension pour la fermeture (effet parasurtenseur).
Cette auto-commutation pouvant résulter de l'exploitation même d'une non linéarité physique de
l'interrupteur de puissance telle qu'une désaturation (ou saturation d'un canal semi-conducteur) ou encore un
latch-up ; ou plus généralement de l'intégration de protections dédiées au cœur de l'interrupteur lui-même.
L'intérêt majeur de cette nouvelle commutation est qu'elle peut être associée à la commutation spontanée
selon une double causalité (commutation maître ou commutation esclave). Le DEA puis la thèse de N. Roux
sur la période 2001-2004, complété par le DEA de B. Pontalier, ont permis d'explorer très largement les
propriétés de tels interrupteurs et de proposer une synthèse des cellules de commutation à deux quadrants
intégrant la commutation automatique. De nombreuses maquettes de test de faible puissance électrique ont
été réalisées mais la structure à commutation automatique la plus prometteuse aujourd'hui à nos yeux est le
redresseur de tension élaboré à partir d'une cellule à thyristor-dual disjoncteur procurant une réversible
naturelle en courant sans capteur ni commande externe.
Breveté en 2002 et 2003 par le CNRS, ce concept connaît aujourd'hui une phase de prototypage industriel
en partenariat avec la société CIRTEM pour des applications de contrôle moteur réclamant une réversibilité
en puissance sur le réseau d'alimentation, obtenue de façon économique et hautement intégrable.
Parallèlement, et en collaboration avec le groupe CIP du LAAS-CNRS, une étude plus amont est en cours
visant à concevoir et à développer de véritables interrupteurs monolithiques sur silicium à commutation
automatique. Deux pistes sont en cours d'étude : l'une sur une base de thyristor bidirectionnel en courant,
auto-amorçable et auto-blocable, l'autre sur une base d'IGBT bidirectionnel en courant.
Faits marquants :
- Méthodologie de synthèse étendue des cellules de commutation deux quadrants intégrant la
commutation automatique.
- Prototype de pré-industrialisation d'un redresseur réversible triphasé faible coût à thyristor-dual
disjoncteur pour variateur de vitesse (partenariat CIRTEM – LEEI – CNRS).
20

commutation spontanée de la diode et des

I) Introduction au Concept associations structurelles (transistor, thyristor)
Dans le domaine de la conversion et du découlent aujourd'hui la classification des
contrôle de l'énergie électrique, les convertisseurs interrupteurs et la synthèse des cellules autour des
électroniques de puissance tiennent une place de deux modes commandé – spontané et spontané –
premier plan par leur capacité à traiter cette spontané (bi-causalité). La figure 2 résume le
énergie avec un excellent rendement. Au cœur de principe de la commutation de la cellule
cette électronique de puissance, la cellule élémentaire et le graphe de causalité qui en
élémentaire de commutation constitue découle.
indéniablement l'élément structurel de base de la vk1
conversion statique de l'énergie. Pour permettre le ik1
réglage de la puissance à pertes minimales entre
deux sources électriques, cette cellule élémentaire ik2
est constituée d'au moins deux interrupteurs E vk2 I
électroniques à états statiques complémentaires
assurant cycliquement la connexion et la Maître/Esclave
déconnexion électrique des sources conformément
au schéma de la figure 1. Néanmoins, la Fig. 1 : Cellule élémentaire et principe de
commutation des interrupteurs de cette cellule se causalité.
traduit par des variations de courant et de tension
extrêmement rapides et l'obligation de disposer, Ctions Spontanées
ik Ctions Commandées
au moins à l'échelle du temps de cette
commutation, de sources électriques quasi- vk
parfaite de nature opposée, i.e. l'une de nature
tension instantanée et l'autre de nature courant
Ctions Spontanées
instantané. L'application des lois de Kirchhoff à
Ctions Commandées
cette cellule élémentaire montre clairement que
les deux interrupteurs sont liés par leurs tensions Com. Com.
(vk1+vk2-E = 0) d'une part, et par leur courant (ik1- Commandée Spontanée
Maître Esclave
ik2-I=0) d'autre part. Ces relations de dépendance
Com. Com.
électrique traduisent en réalité une relation de Spontanée Spontanée
cause à effet structurelle dans le principe général Maître Esclave
de commutation des deux interrupteurs, ou
relation de causalité. De ce principe on déduit, sur Fig. 2 : Les deux modes de commutation usuels
chaque séquence de commutation, qu'un et un seul de la cellule élémentaire.
des deux interrupteurs joue un rôle maître sous la ik
forme d'une commutation commandée se Imax Ctions Automatiques
traduisant physiquement par une résistivité
variable de l'interrupteur à travers une électrode
-Vmax
de commande externe. Corrélativement, l'autre Vmax
interrupteur ne peut jouer qu'un rôle esclave sous vk
la forme d'une commutation spontanée se
-Imax
traduisant physiquement par une résistivité Ctions Automatiques
variable de l'interrupteur de façon exclusivement
intrinsèque cette fois. Aujourd'hui, la quasi- Com.
Com. Spontanée
totalité des convertisseurs électroniques de Maître/Esclave
Auto. Com.
puissance utilisent des composants semi-
Maître/Esclave Auto.
conducteurs à base de silicium dopé dont la E Maître/Esclave
jonction PN (diode) constitue l'élément central. Com. Com.
Commandée Auto.
Cet interrupteur se caractérise intrinsèquement par Maître Esclave
une commutation spontanée à la fermeture et à
l'ouverture à l'origine du plan ik(vk), qu'il est donc
tout à fait légitime d'associer avec un interrupteur Fig. 3 : Les trois modes de commutation
à commutation commandée à l'ouverture et à la supplémentaires induits par la commutation
fermeture tel un transistor. Des propriétés de automatique.
 21

Toutefois, force est de constater que la double ainsi le principe de la commutation automatique et
commutation spontanée offerte par la diode n'est, les graphes de causalité relatifs aux modes de
sur le fond, qu'un cas particulier de commutation commutation qui lui sont propres. On peut noter
spontanée, bienvenue certes, et qu'il est tout à fait que deux de ces trois modes n'utilisent pas de
légitime d'imaginer, sous une forme hybride ou commutation spontanée à base de jonction PN
monolithique, la définition d'interrupteurs dotés de (diode), ce qui ouvre la voie, du moins sur le
commutations non plus obtenues à l'origine du principe, à imaginer plus largement la
plan ik(vk) mais obtenues cette fois par commutation avec des matériaux actifs non semi-
dépassement d'un seuil courant pour l'ouverture conducteurs (diamant photo-conducteur,
et/ou par dépassement d'un seuil tension pour la matériaux supra-conducteur entre autres).
fermeture. Remarquons simplement que
Ainsi, compte tenu de l'approche très amont de
l'ouverture par dépassement de courant
cette recherche et des retombées potentielles
s'apparente à une fonction d'auto-protection de
larges au niveau de la conception de composants
l'interrupteur par limitation – disjonction qu'il est
nouveaux, de structures et fonctions de conversion
possible d'obtenir assez naturellement par la
innovantes, un dépôt de brevet a été réalisé par le
caractéristique propre de désaturation d'un
CNRS en 2002 (Europe) et en 2003 (extension
transistor associée à une commande locale (voire
internationale).
intégrée) d'auto-blocage. La fermeture par
dépassement de tension est quant à elle obtenue
2) Synthèse et premiers prototypes
naturellement, mais sous certaines conditions, par
l'effet latch-up du thyristor. On voit donc que cette Dans la continuité de cette première
nouvelle classe de commutations spontanées peut exploration des potentialités de la commutation
s'appuyer sur les non linéarités intrinsèques automatique un travail de thèse a démarré en
présentées par certains composants actuels, et que septembre 2001 avec N. Roux. A cette époque
ces caractéristiques particulières peuvent aussi notre questionnement portait sur trois volets : - la
résulter de l'élaboration de nouveaux composants mise à jour d'une démarche de synthèse
conçus pour cette finalité par le couplage de systématique des cellules à commutation
caractéristiques non linéaires et de détecteurs automatique ; - l'identification et le test des
locaux voire intégrés au composant. Pour éviter mécanismes principaux ; - l'évaluation du
tout risque de confusion avec la commutation caractère auto protégeant de la commutation
spontanée de la diode et souligner le caractère automatique par l'usage de protections intégrées.
d'auto-commutation de ces interrupteurs, ils seront Trois ans après, force est de reconnaître que seuls
par la suite désignés par interrupteurs à les deux premiers volets ont été traités tant le
commutation automatique. Evidemment, travail s'est révélé d'une grande richesse et d'une
transposé à l'échelle de la cellule élémentaire à grande ampleur, tant sur les aspects théoriques
deux interrupteurs, cette commutation que pratiques. Sur le plan de la synthèse, la
automatique n'échappe pas au principe de démarche s'est focalisée sur les cellules
causalité qui a été énoncé en préambule. En réversibles à deux quadrants dotés d'interrupteurs
remarquant que cette nouvelle commutation peut trois segments (redresseurs et onduleurs) afin de
jouer indifféremment un rôle maître (auto- rester en prise directe avec des applications à haut
ouverture par dépassement du courant dans une potentiel de valorisation impliquant le réseau, une
charge, auto-fermeture par dépassement de machine ou un étage alternatif d'isolement. Sur le
tension de l'alimentation de la cellule) et un rôle fond la démarche a été très proche de celle
esclave (auto-ouverture sur court-circuit pratiquée en commutation naturelle (pour les deux
transitoire de la cellule, auto-fermeture par réversibilités et les deux déphasages :
ouverture transitoire de la cellule) on perçoit bien identification des quadrants de travail, du cycle de
la diversité des types d'interrupteurs ainsi créés et commutation et de la nature des interrupteurs) en
la très grande richesse des combinaisons de intégrant cette fois la faculté d'un interrupteur à
commutation qui en découlent. La commutation pouvoir commuter dans un quadrant dissipatif en
automatique permet ainsi de faire apparaître trois commutation automatique, et la faculté d'un
modes de commutation supplémentaires dans la interrupteur à changer de quadrant non seulement
synthèse générale des cellules de commutation : par une commutation spontanée mais aussi par
automatique – spontané (bi-causalité), une commutation commandée ou une
automatique – automatique (bi-causalité) et commutation automatique en conformité avec le
commandé - automatique. La figure 3 résume principe de causalité énoncé en préambule. De
22

cette démarche il ressort 18 cellules impliquant la saturation magnétique "franche" du noyau du

commutation automatique (9 cellule par transformateur d'une part, et la saturation du canal
réversibilité). En écartant les cellules présentant de conduction des Mosfet d'autre part. L'énergie
une instabilité de commutation et les cellules issue des fuites du transformateur est également
mettant en jeu un auto-amorçage (pour des récupérée puis renvoyée par un hacheur buck-
questions de mise en œuvre), quatre cellules boost auxiliaire. Ce montage a été utilisé jusqu'à
semblent raisonnablement pouvoir être mises en 43A au primaire avec une fréquence quasi-
avant aujourd'hui et sont schématisées en figure 4 constante de 13kHz jusqu'à 250W puis croissante
[1][3]. jusqu'à 15kHz à 450W.
off off

on on I1

D1
E1
a) b) Laux

D3
Commande
Hacheur

on off + -
Cde on C
+ D2

off I2

Cde on
c) d) a) b)

Fig. 5 : Push-pull parallèle 12V/42V 500W

Fig. 4 : Principales cellules à commutation 15kHz à commutation mixte par saturation
automatique issues de la synthèse : magnétique et par saturation du canal de
conduction des Mosfet.
a) onduleur à thyristor-dual disjoncteur,
a) Schéma de la structure avec hacheur de
b) redresseur réversible à thyristor-dual récupération,
disjoncteur,
b) forme d'onde du courant dans un
c) redresseur réversible à thyristor-dual enroulement primaire 20A/div.
disjoncteur commandé par thyristor,
La cellule b) a fait l'objet d'une investigation
d) … beaucoup plus poussée puisqu'elle permet de
réaliser très simplement et de façon très intégrable
La cellule a) permet de réaliser un véritable une fonction relativement générique de redresseur
onduleur auto oscillant sur le courant de charge réseau réversible en courant. C'est en effet sur
avec une propriété d'auto-protection complète cette cellule que l'impact du concept de
puisque les deux disjoncteurs - diode en série commutation automatique sur le plan fonctionnel
protègent à la fois la source de tension et la est le plus spectaculaire. L'étude a été menée en
charge. L'usage d'un transformateur permet par croisant à la fois simulation et expérimentation sur
son courant magnétisant de produire la disjonction des maquettes basse tension et faible puissance à
au dépens d'un fonctionnement à fréquence Mosfet dont la diode de corps est ici très
variable et de pertes magnétiques pouvant être avantageuse pour assurer la conduction inverse
élevées. La stabilité du point milieu capacitif pose dans d'excellentes conditions. Le courant de
également une difficulté en raison de la disjonction des transistors étant quant à lui
dissymétrie des deux courants de disjonction. maîtrisé par le réglage de la tension des grilles.
Raison pour laquelle, dans le cadre du stage de Deux particularités de premier plan doivent être
DEA de B. Pontalier en 2003, une autre variante soulignées : la nécessité d'écrêter la surtension
de ce montage a été étudiée sous la forme d'un résultant de la disjonction sur les demi
push-pull parallèle, représenté en figure 5). Cette secondaires du transformateur, réalisée ici par de
structure est dédiée à la conversion 12V/42V simples transils compte tenue de la faible
réversible à 500W, pour l'automobile. Elle puissance mise en jeu et de la faible fréquence ; la
possède en réalité une commutation mixte par la nécessité d'instaurer sur chaque interrupteur une
 23

fenêtre d'inhibition à l'amorçage de quelques de puissance l'écrêtage de la tension aux bornes

centaines de micro-secondes consécutivement à des interrupteurs par de simples diodes transils
leur blocage au changement de signe de la tension n'est évidemment pas viable, une solution par
au secondaire. La figure 6) donne ainsi les formes récupération d'énergie devenait indispensable. La
d'ondes types de ce redresseur réversible. On structure en pont triphasé donnée en figure 6) sous
notera l'effet très visible des seuils de disjonction la forme de deux variantes permet d'exposer les
fixe en mode réversible. Il faut noter que le seuil solutions retenues [2]. Dans la variante a), on
réel de disjonction est fortement dépend du di/dt remarque que chaque diode de redressement
lors de la croissance du courant en raison du constitue un chemin potentiel de continuité du
couplage dynamique entre le potentiel de drain et courant de ligne au moment de la disjonction du
le potentiel de grille. Cette cellule a également fait transistor qui lui est opposé. En association avec
l'objet d'études sur les associations en série, anti- un condensateur de clamp unique placé en sortie
série, onduleur auto-oscillant – redresseur réversible de pont, on réalise ainsi une fonction d'écrêtage
dont les résultats sont présentés dans [1]. globale tout les sixièmes de période réseau. En
raison de la réversibilité en courant des
interrupteurs, l'énergie récupérée dans le
Vbus condensateur peut être renvoyée sur le réseau, au
T1 T2 prix d'oscillations, sans être intégralement dissipée
D1 D2 sur le bus continu. Toutefois, cette stratégie
possède deux inconvénients : la mise en
conduction anticipée d'un thyristor-dual
disjoncteur pendant une séquence de 60°
Vrés
a)
précédent sa conduction "normale", occasionnant
une instabilité de la commutation d'une part, et la
circulation d'un courant oscillatoire au sein du
pont pouvant produire des disjonctions inopinées.
Pour contourner ces deux difficultés, des fenêtres
d'inhibition de remise en conduction doivent être
prévues au niveau de la commande rapprochée. Le
prix à payer se situe dans ce cas sur l'impossibilité
d'une marche dégradée en monophasée et sur la
b) Mode redresseur, c) Mode redresseur nécessité d'un réglage dédié de ces fenêtres en
réversible
fonction de l'impédance du réseau. Dans la
variante b), une batterie de découplage R-C entre
Fig. 6 : Cellule redresseur à thyristor-dual le réseau et le pont permet de confiner le
disjoncteur raccordée à un réseau 50Hz à transitoire de disjonction à l'extérieur du pont ce
travers un transformateur abaisseur. 10A/div. qui permet de s'affranchir des deux inconvénients
a)schéma de principe, b) et c) les deux modes de précités au prix, cette fois, de pertes non
fonctionnement. négligeables dans la batterie.
3) Prototypage industriel
L'évaluation "applicative" plus poussée du
redresseur réversible en variante triphasée est
rapidement apparue nécessaire sur un réseau
d'alimentation standard triphasé 400V et à un
niveau de puissance de quelques dizaines de kW.
Dans la même logique, il s'agissait également
d'évaluer la faisabilité du mode thyristor-dual-
disjoncteur auto-alimenté au moyen de modules
standards à IGBT 1200V/75A dotés de diodes
intégrées. Assez naturellement, dans cette
perspective, un partenariat étroit s'est établi depuis
2002 avec la société Cirtem pour développer un
premier prototype semi-industriel permettant de
jauger l'impact réel de cette structure. A ce niveau
24

ne présenter en figure 7 qu'une simulation de ce

principe en cours de test.

4) Intégration fonctionnelle sur silicium

a)
D'une façon générale, la commutation
automatique requiert des interrupteurs mettant en
jeu la combinaison d'une non linéarité en courant
et/ou en tension couplée à un détecteur local
conférant l'auto-commutation de cet interrupteur.
b)
La synthèse de ces interrupteurs peut être obtenue
en hybridant les composants usuels (IGBT,
Vbus [200V/div]
Mosfet) avec des composants discrets et
éventuellement des capteurs; mais dans la mesure
où le dispositif de puissance qui en est au cœur n'a
pas été conçu pour la fonctionnalité globale, le
IA [10A/div]
concepteur est rapidement confrontés à des
VA[200V/div]

VA [100V/div]
iA[10A/div]
50Hz
compromis délicats (faible courant de disjonction
c) d) – stabilité / focalisation – chute de tension à l'état
passant) se traduisant par des difficultés de mise
Fig. 6 : Pont redresseur triphasé réversible sous en œuvre et des performances dégradées. Bien que
400V. a) variante à fenêtre d'inhibition longue et l'hybridation soit légitime en forte puissance, en
écrêtage par condensateur côté bus, b) variante particulier pour des interrupteurs multichips, une
à inhibition courte et découplage par batterie alternative plus amont consiste à repenser
réseau, c) résultats en mode redresseur, d) complètement la conception fonctionnelle sous
résultats en mode réversible sur un variateur de forme monolithique du dispositif semi-conducteur
vitesse. de puissance pour qu'il présente de lui-même la
caractéristique de commutation automatique
recherchée aux meilleures performances au sein
d'une cellule de commutation élémentaire. C'est
sur cette approche qu'un thème de recherche a été
initié en 2004 en collaboration très étroite avec le
groupe CIP du LAA-CNRS et en appui sur des
travaux antérieurs initié par H. Foch sur la
Fig. 7 : Simulation d'un pont à thyristor-dual fonctionnalité thyristor-dual monolithique. Plus
disjoncteur sélectif et adaptatif. précisément, il s'agit de concevoir et de réaliser
Des compléments d'investigations ont porté sur deux dispositifs thyristor-duaux disjoncteurs
la connaissance en régime de réseau perturbé (600V-25A) sur silicium permettant de réaliser
(creux) et de réseau défaillant (perte d'une phase) une cellule de redressement réversible à haut
ainsi que sur la qualification CEM en mode niveau d'intégration. L'absence de commande
différentiel et mode commun. Dans le cadre des externe et la possibilité d'envisager une auto-
stages de fin d'étude de Y.Herriot et R.Perrin au alimentation de l'élément actif (temps de
Cirtem la phase de transfert industriel du conduction fixe non modulé) sont aussi deux
redresseur réversible a pu progresser très arguments forts pour justifier cette approche.
nettement sur deux plans : une étude technico- Deux pistes sont aujourd'hui à l'étude :
commercial relativement exhaustive montrant son l'optimisation d'une structure de thyristor auto-
impact dans le domaine du levage et des machines amorçable à conduction inverse et auto-blocable
outils (économie d'énergie par récupération, (figure 8a), et une structure d'IGBT à conduction
suppression de la résistance de freinage) d'une inverse couplée à un dispositif parallèle d'auto-
part, la mise à jour d'un principe de disjonction blocage et d'auto-amorçage (figure 8b). Ces deux
sélective (la disjonction n'est active qu'en mode pistes seront évaluées et comparées
réversible) et adaptative (le seuil de disjonction (fonctionnalités et surface silicium totale) par des
est relatif et non plus absolu) afin d'améliorer la simulations physiques 2D elles –mêmes couplées
qualité des formes d'ondes sans dégrader la à des éléments de circuit de commutation.
fonctionnalité première. Nous nous limiterons à Toutefois, il est clair que la première piste
 25

présente l'avantage de l'auto-alimentation

naturelle au détriment d'une densité de courant
limitée par le Mos canal préformé jouant le rôle
de limiteur (20 à 40A/cm²). La seconde solution
permet de repousser la limite en densité de
courant (IGBT Trench-PT : 150A/cm²) au prix
d'une complexité accrue sur le plan fonctionnelle
et l'absence d'une auto-alimentation naturelle.

Auto Auto
Alim Cde

K
a) Thyristor-dual b) Thyristor-dual disjoncteur
disjoncteur conçu autour conçu autour d'un cœur d'IGBT à
d'un cœur de thyristor auto- conduction inverse monolithique.
amorçable

Fig. 8 : Les deux structures générales de

dispositifs monolithiques à l'étude aujourd'hui
pour la réalisation de composants thyristor-
dual-disjoncteur.

Références
[1] "Convertisseurs à Commutations
Automatiques", N. ROUX,
F. RICHARDEAU, H. FOCH, M. BREIL,
JP. LAUR et JL. SANCHEZ, Congrès
Electronique de Puissance du Futur,
Montpellier, novembre 2002, pp. 209 – 214.
[2] "Self-Switching Converters : Application to
the Design of a Naturally Reversible
Rectifier", N. ROUX, F. RICHARDEAU, H.
FOCH, Th. CARITOUX D. FERRER,
European Power Electronics 2003
Conference, Toulouse, 3-5 septembre 2003
[3] "Self-Switching and Protected Converters :
New Cells Synthesis", N. ROUX, F.
RICHARDEAU, H. FOCH, IEEE PESC
Conference 2003, 16 – 19 juin 2003,
Acapulco, pp. 1494 – 1499.
 27

Exploitation des propriétés du diamant en

électronique de puissance
Henri SCHNEIDER

Chercheurs CNRS Doctorants

Jean-Louis SANCHEZ (DR LAAS) Christophe BEUILLET (CIFRE Alstom)
Thierry LEBEY (DR LGET)
Marie-Claude CASTEX (DR LPL)
Post-Doctorant
Elie LEFEUVRE
Enseignants-chercheurs
LIMHP : LABORATOIRE D'INGENIERIE DES MATERIAUX ET DES
Henri SCHNEIDER (MdC LEEI)) HAUTES PRESSIONS (UPR 1311)
Jocelyn ACHARD (MdC LIMHP) LPL : LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES LASERS (UMR 7538)
LGET : LABORATOIRE DE GENIE ELECTRIQUE DE TOULOUSE (UMR
5003)
LAAS : LABORATOIRE D'ANALYSE ET D'ARCHITECTURE DES
SYSTEMES (UPR 8001)

Résumé :
Le diamant présente des propriétés physiques exceptionnelles qui font de ce matériau un candidat idéal
pour la réalisation de dispositifs d’électronique de très forte puissance.
Les techniques de synthèse par voie chimique permettent de disposer de diamant de différentes qualités.
Tout récemment différents laboratoires ont réussi la synthèse de monocristallins de très haute pureté.
Il reste aujourd’hui à développer les technologies de mise en œuvre des différents dispositifs ce à quoi
nous nous attachons.
Initié en 2000 cette thématique est aujourd’hui mature et repose sur de nombreuses collaborations avec
les spécialistes du matériau, de la physique et des technologies des semiconducteurs de l’optoélectronique.
Nous détaillons dans ce qui suit les deux axes sur lesquels nous menons nos recherches à savoir le
management thermique et la réalisation de composants actifs haute tension forte puissance.
Le diamant, par sa conductivité thermique exceptionnelle parait être parfaitement adapté au management
des composants de puissance silicium ou SiC. Le coût du dépôt ou de report doit rester négligeable, c’est
pour cette raison que nous étudions une utilisation parcimonieuse par des reports localisés de petits éléments
de diamant ou par un dépôt en fine couche. Nous avons aujourd’hui en partie validé la faisabilité de ces
techniques.
La réalisation de composants actifs est beaucoup plus complexe car il faut développer toutes les
technologies de mise en œuvre des composants actifs, du dopage du matériau jusqu’à la prise de contact. Ces
travaux sont menés en collaboration avec l’équipe CIP du LAAS (accueil de H. Schneider).
Le dopage N du diamant est particulièrement difficile à obtenir et il est aujourd’hui impossible de réaliser
des composants bipolaires. Nous concentrons nos efforts sur les composants unipolaires de type P ou sur des
composants « optoswitch » à commande par UV ou canon à électrons. Les bancs de caractérisations et
d’essais ont été installés au LEEI.
28

La croissance du diamant a été réalisée au

Cadre des travaux LIMHP. Différentes améliorations ont été apportées
La dérégularisation des marchés de l'électricité et dans les étapes de croissances, de découpe et de
la demande croissante du contrôle du transfert de polissage. Le saut technologique majeur obtenu dans
puissance sur le réseau (FACTS) nécessitent le le cadre du contrat DGA est la réalisation de diamant
développement de convertisseurs toujours plus monocristallin de qualité électronique.
performants capables de traiter des puissances
Les briques technologiques de bases on été
élevées sous des tensions supérieures à 10 kV. Les réalisées au LAAS à l'aide des services techniques de
propriétés physiques du silicium ne permettent pas de la salle blanche. Nous disposons ainsi des techniques
réaliser des composants haute tension 20 à 25 kV
de photolithographie, de dépôt de métal sur diamant
pour ce type d'application.
nécessaires aux étapes de caractérisation. Nous avons
L'utilisation des semiconducteurs grand gap également abordé des études sur le dopage par
présentant des caractéristiques physiques supérieures implantation qui devront être poursuivies pour
permettrait de repousser les limites actuelles. Nous rechercher une parfaite maîtrise des contacts.
nous sommes donc attachés à l'étude des composants
La caractérisation des propriétés
réalisés sur ces types de matériaux. Parmi les SiC,
thermoélectroniques du diamant est un point essentiel
GaN, ZnO… nous avons retenu le diamant qui
de nos études. Cela nous permet d'optimiser les
présente des propriétés physico-chimiques
paramètres de croissance dans le cadre de la
exceptionnelles. Après la découverte de la synthèse collaboration avec le LIMHP. Cependant les
du diamant et les travaux théoriques des années 90, la propriétés exceptionnelles et hors normes du diamant
possibilité de réaliser du diamant de manière
rendent les mesures électriques très délicates. Une
reproductible par synthèse CVD (Chemical Vapor
attention particulière est apportée à la mise en place
Deposition) ouvre aujourd'hui à ce matériau un grand
de bancs de caractérisation spécifiques. Les
champ d'applications industrielles. Nous avons étudié expertises du LGET pour les aspects diélectriques et
ses potentialités d'application au domaine particulier du LAAS et LPL pour les propriétés
de l'électronique de puissance. Les recherches que
optoélectroniques sont essentielles à la réussite de ces
nous avons initiées sur la période 2002-2004 peuvent
études.
être présentées selon deux axes:
C'est la possibilité de mener de front l'ensemble
• Management thermique de ces études qui offre à notre équipe un atout majeur
Les propriétés diélectriques et thermiques du diamant pour l'avenir de ces recherches.
en font un candidat idéal pour répondre aux
problèmes du management thermique et de Le diamant CVD
l'isolement des composants de puissance. Nous avons
travaillé à la recherche de solutions technologiques Les techniques de croissance par dépôt chimique
propres aux hétérostructures Si_diamant, en phase vapeur (CVD) permettent de disposer
SiC_diamant, … aujourd’hui de diamant de qualité maîtrisée et
• Composants actifs reproductible. Le diamant pour l’électronique est
Nous cherchons par ces études à réaliser des essentiellement réalisé par un plasma RF qui permet
composants actifs qui exploitent au mieux les d’obtenir une grande pureté.
propriétés électroniques du diamant. Ce sont là des Le diamant peut être déposé sur n’importe quel
études à plus long terme. substrat supportant la température du dépôt (800 à
Collaborations 900 °C). Le diamant ainsi obtenu est polycristallin et
peut faire quelques millimètres d’épais sur une
Ces travaux, nettement plus en amont que les surface de plusieurs dizaines de cm².
préoccupations initiales du LEEI, n'auraient pu être
menés sans la mise en place de collaborations avec
des partenaires universitaires spécialistes de
l'élaboration du matériau (LIMHP*), de
l'optoélectronique (LPL*), de la caractérisation des
propriétés électriques des matériaux (LGET*), ou de
la mise en œuvre des composants (LAAS*). La
société ALSTOM a manifesté très tôt son intérêt pour
ces études qui ont été menées en partie dans le cadre
du laboratoire commun PEARL.
 29

Management thermique
Les propriétés thermique, mécanique et
diélectrique du diamant CVD offrent à ce matériau
les meilleurs atouts pour résoudre les problèmes
spécifiques à l'environnement proche des composants
de puissance. Le diamant dit "thermique" est
aujourd'hui bien maîtrisé et de nombreux fabricants
proposent de larges gammes de produits de toutes
formes et de toutes dimensions. Le coût du diamant
reste cependant élevé. Même si une production
Fig. 1 : Wafer de diamant polycristallin massive peut nous faire espérer une baisse des prix,
l’énergie électrique nécessaire à l’élaboration du
C’est en 2002 que les premiers diamants diamant par CVD maintiendra un prix de revient
monocristallins de qualité électronique ont été élevé de ce matériau. A titre indicatif le diamant
obtenus. Réalisés par homoépitaxie ils présentent une thermique bas de gamme (conductivité thermique
surface maximale de1 cm² mais les propriétés th=10 W.cm-1.K-1 , semi isolant) se trouve à
électroniques sont exceptionnelles. 0,5 €/mm3, le diamant thermique de haute qualité
(conductivité thermique th=20 W.cm-1.K-1,
isolant) se trouve lui à 10 €/mm 3. Dans ces
conditions, les substrats ou les dissipateurs
thermiques massifs ne peuvent être intéressants que
pour des applications très spécifiques où la recherche
des performances prime encore sur la recherche des
5 mm
prix (exemple du spatial développé ci-dessous).
Fig. 2 : Diamant monocristallin (LIMHP 2004) L'autre solution que nous étudions est d’utiliser le
diamant avec parcimonie en limitant son utilisation
Propriétés du diamant CVD aux zones à fortes contraintes. Nous espérons ainsi
homogénéiser les contraintes thermomécaniques et
Un rapide aperçu des propriétés augmenter la fiabilité de l'ensemble tout en limitant le
thermoélectroniques illustre les potentialités des surcoût.
différents types de diamant décrits ci-dessus.
Pour cela nous développons deux techniques pour
améliorer le refroidissement des composants silicium.
Monocristallin Polycristallin La première technique consiste à déposer par CVD
Champ de rupture 4-10 0,4-1 directement sur le composant (IGBT) une fine couche
Ec(MV/cm) de diamant qui vient en lieu et place de la couche de
Mobilité µn (cm².V-1.s-1) 4500 1-60 passivation. La seconde technique consiste à reporter
localement des petites pièces de diamant pour créer
Mobilité µp (cm².V-1.s-1) 3800 1-60 un puit thermique dans des zones à fortes contraintes.
Durée de vie τ (s) qq µs qq ns Les problèmes sont aujourd'hui essentiellement
Conductivité thermique 20 10-20 technologiques. Dans les deux cas il faudra maîtriser
σth (W.cm-1.K-1)
les problèmes d'adhérences et d'interfaces de ces
structures hétérogènes.
Ainsi le diamant polycristallin qui peut être
disponible sous différentes formes et tailles sera Substrats
réservé au management thermique. Nous l’utiliserons
également pour tester et valider différentes Même si l'augmentation des volumes et
technologies de réalisation de composants (dopage l'amélioration des techniques de dépôt laissent
contacts). envisager une baisse des coûts, ceux ci seront
toujours liés à l'énergie nécessaire aux réacteurs de
Le diamant monocristallin disponible depuis peu croissance. Ainsi un substrat diamant pour un module
sera réservé à la réalisation de composants actifs. IGBT standard présenterait un volume de 3000 mm3
soit 3000 à 30000 € ce qui est absolument
impensable pour ce type d'application.
30

Seules certaines applications spécifiques peuvent

justifier ces coûts. C'est le cas de systèmes caloducs
pour le spatial. Nous avons comparé des caloducs à
fluide caloporteur étudiés au LEG avec une solution
diamant.

Fig. 4 : Vue partielle d’une structure d’IGBT

recouverte de diamant polycristallin
(a)
Ces premiers essais permettent de montrer la
faisabilité de dépôts de diamant sur ce type de
structure. Il reste à démontrer la fiabilité
thermomécanique de ce process. Les essais sont en
cours.
Cette technique doit pouvoir s'intégrer facilement
et à moindre coût dans les fabrications industrielles.
Elle peut également s’appliquer aux composants SiC.

Refroidissement localisé
(b) De nombreuses applications basse tension faible
courant sont aujourd'hui intégrées en technologie
Fig. 3 : Réalisation de caloduc a) solution par fluide smartpower. Cette technologie permet de disposer
caloporteur (LEG), b) solution diamant des circuits de puissance et de commande sur une
Ainsi l'équivalent d'un caloduc sera obtenu par un même puce. Les composants de puissance de faible
barreau de diamant d'une épaisseur de 1 mm. Ce dimension (typiquement inférieure au mm²) occupent
barreau présentera un volume total de 1200 mm3 soit moins de 30 % de la surface et sont le siège de fortes
un coût d'environ 12 000 €. Cette solution présente dissipations. De plus, ces composants latéraux
cependant l'avantage d'être du refroidissement réalisés en technologies planar dissipent au sein de
statique donc indépendant de la position. zones extrêmement proches de la surface. La figure 5
illustre ces propos.
Hormis des applications spécifiques, les substrats
en diamant volumineux, trop chers, ne pourront pas 1 mm
émerger dans notre domaine. Zone de
Logique,
dissipation
Passivation analogique
Transistors n n q
commande
de puissance
Les techniques de dépôt CVD permettent de …
MOS
400 µm

déposer directement du diamant sur un wafer de Substrat P

silicium en fin de process. Il est ainsi possible de
1 cm
recouvrir des composants verticaux de type MOS ou
IGBT. Fig. 5 : Synoptique d'un composant smartpower
Les premiers essais présentés ici ont été réalisés avec localisation des zones de dissipation
par le LIMHP. Une fine couche de diamant La survie du composant est directement liée à la
polycristallin est déposée sur des IGBT’s réalisés au capacité à évacuer l'énergie dissipée dans ces zones.
LAAS. La conductivité thermique du diamant doit Le report de diamant en surface des seuls composants
permettre d’extraire la chaleur générée au sein de de puissance permettrait de créer un puit thermique et
l’IGBT au plus près par cette face. d'optimiser l'évacuation des pertes tout en limitant le
 31

volume de diamant donc le coût. L'inertie thermique performance. La réalisation de dispositifs forte
du diamant et son coefficient d'expension thermique puissance à base de diamant est un sujet peu exploré
sont également des atouts pour absorber les qui présente cependant des perspectives intéressantes
impulsions énergétiques et minimiser les contraintes dans notre domaine du traitement des hautes
thermomécaniques. énergies, fortes puissances. Nous avons fait de ce
sujet le cœur de nos recherches.
L'exemple ci dessous illustre le gain apporté par
le report d'un morceau de diamant sur un composant Les composants de puissance que nous cherchons
de puissance qui fonctionne en impulsionnel. à réaliser se caractérisent par une haute tenue en
tension et un fort courant. Ces caractéristiques ne
peuvent être obtenues sur des composants latéraux à
porteurs majoritaires type FET largement étudiés par
ailleurs. Pour notre part, nos efforts ont
essentiellement porté sur la réalisation de composants
verticaux.
La tenue en tension est assurée par une structure
verticale où le volume de diamant intrinsèque est
utilisé pour son grand champ de rupture diélectrique.
Le dopage N, mal maîtrisé à ce jour, ne permet
pas de réaliser des composants bipolaires en diamant.
La seule solution envisageable à notre sens est
d'injecter des porteurs dans le volume par un faisceau
incident énergétique (photons, canon à électrons,
rayons X). Le principe d’un tel interrupteur est
présenté figure 8.
Si nous appliquons ce principe à un interrupteur
de puissance pour l'électronique à découpage nous
Fig. 6 : Simulation thermique REBECCA 3D d'un pouvons modéliser le comportement et en déduire les
composant de puissance soumis à une impulsion paramètres physiques importants.
énergétique a) sans report de diamant, b) avec
report d'un morceau de diamant
Le principe de report de diamant a été validé à
l’aide des moyens techniques du LAAS (Machine de
Flip Chip MA150). La figure ci-dessous présente un Vc
exemple.
Ibeam HT
10 à 30 keV
Va

Diamant

Imes

Fig. 8 : Principe de réalisation d’un interrupteur

commandé par faisceau d’électrons
Fig. 7 : Report de deux morceaux de diamant sur Si nous définissons le gain de l'interrupteur
du silicium métallisé Al. comme le rapport de la puissance maximale
commutée Pc sur la puissance nécessaire à la
Composants actifs commande Pcommande nous obtenons :
Les propriétés diélectriques, électroniques, - Pour un canon à électron :
thermiques font du diamant un candidat intéressant Pc ηµτ .Eon.Ec
Gp = =
pour la réalisation de composants actifs haute Pcommande 15
32

-Pour une commande optique à une longueur Les études que nous avons menées et le savoir faire
d'onde λ : technologique que nous avons acquis nous ont permis
1 de développer des manipulations de caractérisation
Gp =η opt . .µτ .Eon.Ec optique avec l'aide du LPL (Laboratoire de Physique
Eλ des Lasers - Paris XIII).Un synoptique est présenté ci
η : rendement de la source de faisceau incident dessous.
λ : longueur d'onde typiquement inférieure à 225 nm pour
Nous continuons par ailleurs à rechercher des
nos applications
EC : champ critique solutions pour exploiter le diamant dans le cadre des
Eon : champ à l'état passant (faible 1000V/cm) composants actifs. Les outils de simulation, les
µ et τ : respectivement mobilité et les durée de vie des centrales technologiques et les moyens de
porteurs. caractérisation disponibles au sein des laboratoires
toulousains permettent d'envisager ces études dans
La solution optique est plus facile à mettre en les meilleures conditions.
œuvre mais le mauvais rendement des sources
optiques aux longueurs d'ondes qui nous intéressent
ne permet pas d'avoir un gain. Ces techniques nous
aiderons cependant à caractériser les propriétés
électroniques du diamant et permettront d'optimiser
les paramètres de croissance d'un diamant pour
l'électronique.

VBIAS
Atténuateur Rp
3 kΩ
Cp=2.2 nF

Ro=50Ω
Source
lumineus Oscilloscop
Echantillon e
e
pulsée
Mesure d’énergie

Fig. 9 : Principe du banc de mesure de photoconduction sous excitation LASER mis en place au LPL
 33

electronics applications", PESC'2002, 24-27

Brevets : Juin, Cairns, Australia
[4] "Convertisseur matriciel pour la transformation [13] M.C. CASTEX, E. LEFEUVRE, J. ACHARD,
d'énergie électrique", E. DUTARDE, A. TARDIEU, C. BEUILLE, H. SCHNEIDER,
C. BEUILLET, F. BREIT, H. SCHNEIDER "Bulk CVD diamond devices for UV and XUV
Brevet Français FR0200551 17 janvier 2002 detection", 8th International Conference - New
Brevet Europeen EP1331724 30 juillet 2003 Diamond Science Technology 2002 - ICNDST-
8, Monday 22-26 July 2002
[5] "Convertisseur matriciel pour la transformation
[14] H. SCHNEIDER, T. LEBEY, J. ACHARD,
d'énergie électrique", E. DUTARDE,
A. GICQUEL, "Study of dielectric strength of
C. BEUILLET, F. BREIT, H. SCHNEIDER
polycrystalline CVD diamond films for thermal
Brevet Français FR0200552 17 janvier 2002 management in power electronic", ISH2003
Brevet Europeen EP1329954 23 juillet 2003
International Symposium of High Voltage Delft
25, 29 Août 2003
Publications :
[6] H. SCHNEIDER, "Exploitation des propriétés
du diamant en Electronique de Puissance",
Habilitation à diriger les recherches, 28
novembre 2003
[7] E. LEFEUVRE, J. ACHARD, M.C. CASTEX,
H. SCHNEIDER, A. TARDIEU, C. BEUILLE,
"Bulk photoconductivity of cvd diamond films
for uv and xuv detection", Diamond & Related
Materials, vol 12/3-7 pp 642 - 646
[8] M.-C. CASTEX, E. LEFEUVRE, J. ACHARD,
A. TARDIEU, C. BEUILLE, H. SCHNEIDER,
"Bulk CVD diamond devices for UV and XUV
detection", Diamond and Related Materials,
Volume 12, Issues 10-11, Pages 1804-1808
[9] J. ACHARD, F. SILVA, H. SCHNEIDER,
R.S. SUSSMANN, A. TALLAIRE,
A. GICQUEL and M. C. CASTEX, "The use of
CVD diamond for high-power switching using
electron beam exitation", Diamond and Related
Materials, Volume 13, Issues 4-8, Pages 876-
880
[10] J. ACHARD, F. SILVA, H. SCHNEIDER,
R. SUSSMANN, A. TALLAIRE, A. GICQUEL,
M.C. CASTEX, "The use of CVD diamond for
high-power switching using electron beam
exitation", DRM'2003 7-12 septembre 2003
Salzburg
[11] E. LEFEUVRE, J. ACHARD, M.C. CASTEX,
H. SCHNEIDER, A. TARDIEU, C. BEUILLE,
"Bulk photoconductivity of cvd diamond films
for uv and xuv detection", DRM'2002 9-13
septembre 2002 Grenade (Espagne)
[12] C. BEUILLE, E. DUTARDE, H. SCHNEIDER,
MC. CASTEX, E. LEFEUVRE, J. ACHARD,
F. SILVA, "Characterizations of metal -
diamond - silicon associations for active power
 35

Structures de convertisseurs très basses tensions

forts courants pour le stockage électrochimique de
l’énergie électrique
Christophe TURPIN

Chercheurs CNRS Doctorant

Christophe TURPIN (CR) Guillaume FONTES
Thierry MEYNARD (DR)
Post Doctorant
Enseignant-chercheur Julian VAN DER MERWE
Henri FOCH (PR)
Ingénieur CNAM
Didier FLUMIAN

Résumé :
Cette nouvelle thématique a été initiée et portée par Christophe Turpin depuis 1999 pour prendre pleinement son
envol lors de son recrutement en tant que Chargé de Recherche CNRS depuis novembre 2002. Elle est à rattacher
fortement aux travaux menés dans l’équipe « Système » sur les Nouvelles Technologies de l’Energie Electrique.
Elle s’inscrit clairement dans la problématique énergétique à laquelle nous devons faire face et vise à faciliter la
mise en œuvre électrique des générateurs électrochimiques (pile à combustible, supercondensateur, accumulateur
Li-ions…) qui sont appelés à jouer un rôle de plus en plus important.
Les générateurs électrochimiques possèdent un caractère intrinsèque très basse tension (de l’ordre du volt) et
potentiellement fort courant (plusieurs centaines d’ampères). Ce qui contraint à un empilement série de cellules
élémentaires pour offrir des niveaux de tension exploitables avec de hauts rendements par l’électronique de
puissance. Mais cette nécessité d’empilement peut constituer un des freins à leur développement par les nombreux
problèmes posés : thermiques, mécaniques, équilibrage des cellules, sûreté de fonctionnement… En outre, dans une
politique nécessaire d’économie d’énergie, l’interface entre le générateur électrique et l’utilisateur doit être la plus
efficace possible. Ces considérations poussent au développement de convertisseurs statiques originaux basses voire
très basses tensions forts courants et à forts rendements considérés dans le cadre d’une approche systémique de la
chaîne énergétique complète : générateur – convertisseur – consommateur.
Néanmoins ces recherches peuvent avoir des retombées dans d’autres domaines où l’on retrouve ce caractère
très basse tension et plus ou moins fort courant : les générateurs photovoltaïques et les alimentations pour
calculateurs.
Largement axés autour des piles à combustible, ces travaux ont été déclinés sous deux approches :
- Modélisation des générateurs électrochimiques pour l’Electronique de Puissance
- Etudes de topologies élévatrices en tension

Faits marquants :
- Mise en œuvre d’un banc de tests pour piles à combustible PEM.
- Modèle circuit dynamique d’une pile à combustible PEM.
- Mise en évidence du rôle essentiel des condensateurs de double couche dans les interactions entre les piles
à combustible et les convertisseurs statiques.
- Etude théorique de l’onduleur survolteur (monophasé et triphasé).
36

phénomènes de double couche, qui avait déjà été

1) Modélisation des générateurs précédemment pressenti, a été clairement
électrochimiques pour l’Electronique de démontré, aussi bien lors de la connexion avec
Puissance une charge active générant des harmoniques de
Les premiers travaux au LEEI sur la courant caractéristiques (Fig. 5a) que lors de la
modélisation des piles à combustible (PAC) PEM connexion directe entre une PAC et un hacheur
(basse température) ont débuté par le Diplôme de dévolteur. Les condensateurs de double couche
Recherche Universitaire (DRU) de Julian van der jouent un rôle de filtre interne pour les
Merwe (janvier 2001- juin 2002). Ils ont débouché harmoniques hautes fréquences de courant.
sur la formulation d’un premier modèle
dynamique par circuits électriques à électrodes
non dissociées d’une cellule électrochimique
PEM. Un banc de tests, certes modeste, a été
entièrement développé au cours de cette étude
(Fig. 1). Des premières validations expérimentales
ont pu ainsi être réalisées sur un stack
Electrochem de 20 cellules d’une puissance de
200W (VN=13V ; IN=15A) en exploitant des
courbes tension-courant (Fig. 2) et des
diagrammes d’impédance (Fig. 3).

Fig. 2 : Les 20 courbes V(I) [Tmoy=70°C ;

P=2bars] pour les 20 cellules d’un stack
Electrochem de 200W. La tension de la 20ème
cellule s’inverse pour certains courants. Les
performances des cellules sont assez homogènes
à l’exception de la dernière cellule.

Fig. 1 : Premier banc de tests de piles à

combustible PEM développé au LEEI.
Alimentation en hydrogène et oxygène purs.
Hydratation par bulleur des deux gaz.
Refroidissement par ventilateurs. Centrale
d’acquisition et charge programmable.
Ces travaux ont largement bénéficié de la
collaboration initiée depuis 1999 avec les
collègues électrochimistes du Laboratoire de
Génie Chimique de Toulouse. De plus, les Fig. 3 : Diagrammes d’impédance
réflexions ont été fortement croisées avec celles expérimentaux pour la cellule 4 (le plus large
menées dans l’équipe « Système » sur l’approche demi-cercle a été obtenu pour I=0.5A [30°C]
énergétique (Bond Graphs) adoptée pour la puis respectivement pour des courants de 1A
modélisation des générateurs électrochimiques. [40°C], 3A [50°C], 5A [60°C] et de 7A [60°C]) –
P=2bars pour tous les essais)
Ces études ont été reprises au cours de la thèse
de Guillaume Fontes qui a débuté en septembre Tous ces travaux nous ont conduits à proposer
2002. Cette thèse vise l’étude des interactions un modèle dynamique à électrodes non dissociées
piles à combustible/ convertisseurs statiques en de type circuit (Fig. 4) valable à partir de quelques
vue d’établir le cahier des charges pour hertz en négligeant la dynamique des phénomènes
l’électronicien de puissance (notamment en terme de diffusion (Fig. 5b).
de filtrage d’entrée). Le rôle fondamental des
 37

Rmem 2) Etudes de topologies élévatrices en

iPAC iact
tension
Ces travaux ont débuté par le post-doctorat
E TH η act ηdiff + CNRS de Christophe Turpin (novembre 2001 –
octobre 2002), collaboration entre le LEEI et la
Cdc société Schneider Electric. Ces travaux
idc
confidentiels ont porté sur la conception de
VPAC l’électronique de puissance pour une installation
de 100kW à piles à combustible.
Fig. 4 : Modèle dynamique d’une cellule PEM à
électrodes non dissociées pour l’électronicien de Les structures attaquées en courant (inductance
puissance (dynamique des phénomènes de en tête) sont naturellement élévatrices en courant
diffusion non considérée) et offrent un niveau de filtrage favorable pour le
générateur électrochimique. Partant de ce constat,
0.75
1Hz
des études ont été lancées sur le convertisseur
0.74
1Hz x
o
100Hz
10kHz boost et ses dérivés : le convertisseur DC/DC
0.73
double boost (Fig. 6), l’onduleur survolteur (Fig.
0.72
7), et plus récemment, le convertisseur DC/DC
100Hz boost isolé que nous ne développerons pas ici.
tension [V]

0.71
10kHz
0.7
Le convertisseur double boost s’avère vraiment
0.69
intéressant (d’une part, en terme de rendement,
0.68
d’autre part, en terme de dimensionnement des
éléments réactifs grâce à l’entrelacement des
0.67
commandes), lorsqu’il permet de changer
0.66
6 7 8 9 10 11 12 13 14 radicalement de calibre en tension pour les
courant [A]
interrupteurs mis en jeu. Par exemple dans le cas
a) Effets de la fréquence autour du point fonctionnement de 10A où l’objectif est de créer un bus continu de 800V
(excitation sinusoïdale 6A crête à crête).
(applications triphasées), il est possible d’utiliser
0.75
avantageusement des IGBTs 600V au lieu
0.74
Experience
Model
Modèle d’IGBTs 1200V.
0.73
tension [V]

0.72

0.71
VC2(t)
0.7

0.69

0.68 VC(t) = VC1(t) + VC2(t)

0.67
6 7 8 9 10 11 12 13 14

courant [A] VC1(t)

b) Comparaison expérience/ modèle à 100Hz prouvant la

validité du modèle proposé sur cette gamme de fréquences.

Fig. 5 : Effets de la fréquence sur les courbes

V(I) (T=63°C ; P=2bars)
Fig. 6 : Hacheur double boost
Signalons en outre des travaux de moindre (commandes des 2 cellules de commutation
envergure (2 mastères recherche) sur la décalées de 180°)
modélisation des supercondensateurs en vue de
l’étude de leurs interactions avec les
convertisseurs statiques. Une collaboration avec le
CIRIMAT de Toulouse a été initiée dans ce cadre.
38

ωt
VC1(t) = VDC + Vmax sinω ωt-2π
VC2(t) = VDC + Vmax sin(ω π/3) ωt-4π
VC3(t) = VDC + Vmax sin(ω π/3)

VCN(t) = VDC
VC1 VC2 VC3

VN

Fig. 7 : Onduleur survolteur triphasé + neutre

(chaque bras d’onduleur est construit autour de a) Tensions de sortie de chaque bras d’onduleur

la structure d’un convertisseur boost ; la

composante continue VDC doit être supérieure à
la tension d’entrée)
L’onduleur survolteur est une topologie de
conversion statique récemment apparue et encore
peu étudiée. Il permet, en un seul étage, de
transformer une tension continue en une tension
alternative amplifiée. Il s’agit en fait d’une
utilisation détournée et originale du convertisseur
« boost » qui est, à l’origine, un convertisseur
DC/DC. A l’issue de la thèse CNAM de Didier
Flumian (mars 2002 - avril 2003), voici les b) Tensions aux bornes de la charge (la composante continue
disparaît grâce au montage différentiel)
avantages de l’onduleur survolteur que nous avons
dégagés : un seul étage de conversion sans
transformateur (bonne compacité), grande
modularité de la structure au niveau de la
puissance et de la commande (pour le
fractionnement de la puissance), contrôle/
commande simple et filtrage actif performant des
grandeurs de sortie. Malheureusement des
inconvénients majeurs sont apparus : puissance
installée en silicium importante (d’autant plus que
le rapport d’élévation est élevé), puissance
réactive installée (inductances) importante et
harmonique de rang 3 au niveau du courant
c) Courants dans les inductances d’entrée de chaque bras
d’entrée dans la version triphasée nécessitant la d’onduleur (illustration de la non-linéarité du système)
mise en œuvre d’un filtre actif. Si cette structure
est vraiment originale, ses inconvénients sont Fig. 8 : Formes d’ondes pour l’onduleur triphasé
assez dissuasifs quant à son utilisation. Nous
n’avons pas trouvé à ce jour son domaine
d’applications.
[2] G. FONTES, C. TURPIN, R. SAISSET,
Références T. MEYNARD, S. ASTIER, « Interactions
between fuel cells and power converters »,
[1] J.v.d. MERWE, Diplôme de Recherche
PESC04.
Universitaire de l’INP Toulouse, « Proton
Exchange Membrane (PEM) Fuel Cell: [3] D. FLUMIAN, Mémoire de thèse CNAM,
Installation, Testing and Modelling », 119 « Création d’un réseau alternatif local à partir
pages, juin 2002. d’une pile à combustible associée à un
onduleur survolteur », 115 pages, avril 2003.