Microélectronique.
MICROELECTRONIQUE & C.A.O.
Transistor MOS
Prof. A. TOUHAMI 1
Microélectronique. Transistor MOS
Transistor M.O.S.
Source Grille Drain Isolant
eox
y
N+ N+
L
x
Semiconducteur (P)
Substrat
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Microélectronique Transistor MOS
Polarisation d’un transistor M.O.S.
Vgs Vds
N+ N+
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Microélectronique Transistor MOS
Types de transistor M.O.S.
Drain Drain Drain Drain
Grille Grille Grille Grille
Substrat Substrat Substrat Substrat
Source Source Source Source
(a) (b) (c) (d)
• (a) : Transistor MOS à canal N à enrichissement (normaly off)
• (b) : Transistor MOS à canal P à enrichissement (normaly off)
• (c) : Transistor MOS à canal N à appauvrissement (normaly on)
• (d) : Transistor MOS à canal P à appauvrissement (normaly on)
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Microélectronique Transistor MOS
Transistor enrichie appauvrie
nMOS Vth > 0 Vth < 0
pMOS Vth < 0 Vth > 0
Ids
(c) (a)
-Vth
Vth Vgs
(b) (d)
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Microélectronique Transistor MOS
Fonctionnement d’un transistor M.O.S.
Régime linéaire ( Vds < Vgs – Vth )
Vgs > Vth Vds < Vdsat
N+ N+
W
2
I ds K [2.Vds .(Vgs Vth ) Vds ] avec K o .Cox
2 L
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Microélectronique Transistor MOS
Tension de pincement
Vgs > Vth Vds = Vdsat
N+ N+
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Microélectronique Transistor MOS
Régime de saturation ( Vds > Vgs – Vth )
Vgs > Vth Vds > Vdsat
N+ N+
I ds K . Vgs Vth 2
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Microélectronique Transistor MOS
Caractéristique de sortie d’un M.O.S.
Ids
|Vds| = |Vgs – Vth|
Vgs = cte
Vds
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Conductance
I d
g 2.K .(Vgs Vth Vds )
Vds V cte
gs
Vds Vgs g 2.K .(Vgs Vth )
Transconductance
I d
gm 2.K .(Vgs Vth )
Vgs
Vd s cte
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Microélectronique Transistor MOS
Modèle dynamique du transistor M.O.S.
source grille drain
Cgs Cgd
Crec Crec
Cox
Xj
Rs Ids Rd
Csb Cdb
Cs
Rsb Rdb
substrat
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Microélectronique Transistor MOS
• Cgs, Cgd et Cgb sont des capacités intrinsèques au transistor MOS
• Crec représente la capacité due au recouvrement de la source (drain) par la
grille.
• Csb et Cdb sont les capacités de déplétion associées aux jonctions np de la
source et du drain.
• Rs et Rd sont les résistances séries source et drain.
• Xj est la profondeur de la jonction.
• As et Ad représentent respectivement la surface de la diode de source et du
drain
• V0 est la hauteur de barrière de la jonction np à la polarisation nulle.
Crec . X j .Cox 0 .7 0 .9
q. si .N B q. si .N B
Csb AS Cdb Ad
2.(V0 Vsb ) 2.(V0 Vdb )
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Microélectronique Transistor MOS
Mobilité
Vgs Vds
EL
N+ ET N+
f ( ET , EL )
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o
eff
1000
Vbs = 0 1 .Eeff
550 o 650 pour les électrons
800
-2
µeff (cm2/VS)
600 -4 200 o 300 pour les trous
400 0.03 0.09 cm/V
200
104 105 106
Eeff (V/cm)
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Microélectronique Transistor MOS
o
E
(1 .ET ). 1 L
EC
v
EC sat
.E L
vsat 1 pour les électrons
E 2 2
1 L
EC
.EL
vsat pour les trous
E
1 L
EC
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Transistor à canal court
Vds > 0 Vds > 0
Potentiel de surface
Vds
Vds = 0 Vds = 0
2 µm 10 µm y (µm)
N+ N+ N+
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Vgs
LR
N+ Wd Qd N+
DQ Ld
P
Qd q.N B .Wd
LR Ld
Qdc q.N B .Wd . f .Qd
2.LR
1 L Xj 2.Wd
f . 1 d 1 . 1 1
2 LR LR Xj
Vth VFB 2.VF f . . 2.VF
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Local oxide field (LOCOS)
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Local oxide field (LOCOS)
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Microélectronique Transistor MOS
Transistor à canal étroit
Source Source
Qd
½.DQ
WR
DQ q.N B .Wd2
DVth 2. .
Cox WR
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Impact de la réduction des dimensions sur Vth
1.0 1.0
Vth (V)
Vth (V)
0.5 0.5
2 4 6 8 10 LR(µm) 2 4 6 8 10 WR(µm)
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