CHAPITRE 2 : PHYSIQUE ELECTRONIQUE DES

SEMICONDUCTEURS

L’objectif de ce chapitre est de donner à l’apprenant des modèles simples de

semiconducteurs intrinsèques et extrinsèques de type n ou de type p. La connaissance de ces
modèles lui permettra, par la suite, d’étudier le comportement des dispositifs à
semiconducteurs tels que diode, transistor bipolaire, transistors à effet de champ, etc.

I. SEMICONDUCTEURS PURS
I.1. Structure des semiconducteurs

Un semi-conducteur est un matériau qui n’est ni tout à fait un conducteur d’électricité, ni

tout à fait un isolant. Il peut être soit l’un, soit l’autre selon diverses conditions.

Le caractère conducteur ou isolant prend sa source dans la structure même des atomes :
chaque élément du tableau périodique possède un certain nombre d’électrons qui sont agencés
autour d’un noyau. C’est cet agencement sous la forme de couches d’électrons, différent selon
les éléments, qui est responsable de la conductivité électrique.

Les électrons d’un atome peuvent avoir plusieurs rôles au sein d’une structure d’atomes :
 électrons de cœur : ceux-ci sont proche du noyau et n’interagissent pas vraiment avec
les autres atomes ;
 électrons de valence : ceux-ci sont sur les couches externes de l’atome et permettent
de créer des liaisons interatomiques et de former les molécules ;
 électrons de conduction : ceux-ci sont responsables de la circulation du courant
électrique.

Les matériaux semiconducteurs les plus importants (Si et Ge) ont une structure cristalline
identique ou presque à celle du diamant (figure ci-contre) : les électrons de valence dans l’état
fondamental des atomes libres ont la configuration ns² np² (n=2, 3, 4 pour C, Si, Ge).

Dans le cristal chaque atome engage ses quatre

électrons périphériques dans quatre liaisons de valence
avec quatre atomes voisins placés aux sommets d’un
tétraèdre.
==> Ces éléments sont tétravalents (4 électrons
périphériques)

Un matériau semiconducteur est considéré pur si le

taux d’impuretés est de 1/1000000 (c’est-à-dire un atome
d’impuretés pour un million d’atomes de semiconducteur).

14
 On parle de structure cristalline du semiconducteur (pur)b ou cristaux de semiconducteur
à cause du fait que ces derniers s’organisent entre eux de façon très régulière suite aux
traitements subis.

A TRES BASSE TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU ZERO ABSOLU (0 KELVIN)

LE SEMICONDUCTEUR (Si ou Ge par exemple) PUR EST UN ISOLANT PARFAIT.

Car l’organisation cristalline fait chaque atome est entouré de 8 électrons périphériques.
Dès que la température augmente, à cause de l'agitation des atomes entre eux, des électrons
périphériques peuvent se retrouver arrachés à la liaison cristalline des atomes. Ces électrons
se retrouvent à une distance des noyaux qui leur permet de se déplacer dans la plaquette de
semiconducteur.

Les électrons ainsi libérés ont chacun rompu une liaison cristalline du semiconducteur (ici le
silicium). Ils ont donc laissé derrière eux un emplacement vide (ou liaison insatisfaite) que
l’on appelle "trou". Ces électrons vont se déplacer librement dans la plaquette jusqu'au
moment où ils rencontrent un "trou" et se fixer à nouveau dans le réseau.

Ce déplacement aléatoire d'électrons (dans n'importe quel sens) correspond à un courant

électrique aléatoire qui représente ce que nous appelons du souffle électronique. Toutefois, ce
courant est très très faible et nous parlons de conduction intrinsèque.

Cette conduction intrinsèque est pratiquement non mesurable pour un technicien de

maintenance. Ces courants, souvent indésirables, sont de l'ordre du nanoampère et appelés
courants de fuites. Même non mesurable, ils existent néanmoins et deviennent trop important
si la température n'est pas contrôlée.

UN SEMI-CONDUCTEUR EST DONC TRES SENSIBLE A LA TEMPERATURE ET

NECESSITERA DES MOYENS EXTERNES DE STABILISATION. SANS QUOI UN
EMBALLEMENT THERMIQUE ENTRAÎNE TRES VITE LA DESTRUCTION DU
SEMI-CONDUCTEUR.

I.2. Bande d’énergie

L'étude des propriétés d'un solide montre que ses électrons ne peuvent prendre que des
valeurs d'énergie comprises dans certains intervalles. On est amené à parler de bandes
d'énergie, ou de structure de bandes. Selon la répartition des électrons dans ces bandes, il
est possible d'expliquer (schématiquement) les différences de comportements entre un isolant,
un semiconducteur et un conducteur.

15
 Selon la mécanique quantique, dans un atome isolé, les électrons ne peuvent avoir pour
énergie que certaines valeurs discrètes et bien définies. L'énergie d'un électron parfaitement
libre en revanche est composée uniquement d'énergie cinétique, elle peut prendre n'importe
quelle valeur positive.

Dans un solide, la situation est intermédiaire. L'énergie d'un électron peut avoir des
valeurs comprises dans certains intervalles. On parle alors de bandes d'énergies permises (ou
bandes permises ou encore BP). Elles sont séparées par des bandes interdites (ou B.I.). Les
électrons du solide se répartissent dans les niveaux d'énergie permis. Cette répartition dépend
de la température. Elle obéit à la statistique de Fermi Dirac.

Dans la limite où la température absolue tend vers 0, deux bandes d'énergie permises
jouent un rôle particulier dans la détermination des propriétés du solide : la dernière bande
complètement remplie qui est appelée bande de valence ou BV et la bande d'énergie permise
juste au-dessus que l’on nomme bande de conduction ou BC. Cette dernière peut être vide
ou partiellement remplie. L'énergie qui sépare la bande de valence de la bande de conduction
est appelée le gap. Cette énergie est aussi la largeur de la BI qui sépare la BV et la BC.

Les électrons de la bande de valence contribuent à la cohésion locale du cristal (entre

atomes voisins). Ces électrons sont dans des états localisés. Ils ne peuvent pas participer aux
phénomènes de conduction. À l'inverse, les états de la bande de conduction sont délocalisés.
Ce sont ces électrons qui participent à la conduction électronique. Les propriétés électroniques
du solide dépendent donc essentiellement de la répartition des électrons dans ces deux bandes,
ainsi que de la valeur du gap.

Lorsque la température tend vers 0, on distingue donc trois cas selon le remplissage des
bandes et la valeur du gap.

 Cas 1 : la bande de conduction est partiellement remplie. Le solide contient donc des
électrons susceptibles de participer aux phénomènes de conduction, il est conducteur.

 Cas 2 : la bande de conduction est vide et le gap est grand (de l'ordre de 10 eV par
exemple). Le solide ne contient alors aucun électron capable de participer à la
conduction. Le solide est isolant.

 Cas 3 : la bande de conduction est vide mais le gap est plus faible (de l'ordre de 1 à 2
eV). Le solide est donc isolant à température nulle, mais une élévation de température
permet de faire passer des électrons de la bande de valence à la bande de conduction.
La conductivité augmente avec la température : c'est ce qui caractérise un
semiconducteur.

Exemple :

Solide C Si Ge
Gap (eV) 5,3 1,12 0,72

16
 I.3. Conductivité électronique

Un électron situé dans la BV, à température absolue nulle, ne peut se déplacer librement.
Comme le courant électrique est dû, en général, au déplacement des charges électriques, une
bande pleine n’est pas conductrice (c’est le cas de la BV). Par contre un électron situé dans
une bande presque vide (c’est le cas de la BC) peut se mouvoir facilement ==> c’est donc un
électron libre.
Sous l’action d’un champ électrique externe E , la densité de courant, d’après le modèle
classique des conducteurs, est : J n = n.e.n .E =  n .E

Ici le modèle classique a été remplacé par le modèle quantique des bandes d’énergie. Dans
l’atome isolé les électrons occupent des niveaux d’énergie discrets, alors que dans un cristal,
par suite des interactions entre les atomes, ces niveaux discrets s’élargissent et les électrons
occupent des bandes d’énergies permises séparées par des BI (Bandes Interdites). Et la
répartition des électrons dans ces bandes obéit aux lois de la thermodynamique statistique.
Ainsi à 0K, seuls les niveaux de plus basse énergie sont occupés.

Dans les isolants, les bandes d’énergie les plus faibles sont entièrement pleines. La
hauteur de la BI (ou gap) est grande (environ 5 eV). Il n’y a pas de niveaux d’énergie
accessibles et pas de conduction. Les électrons externes sont tous dans la bande de
valence et aucun ne se trouve dans la bande de conduction : ces matériaux ne peuvent
donc pas conduire l’électricité.
Exemple de résistivité ρdiamant = 1.1012Ωm ; ρmica varie entre 1010 et 1015 Ωm

Dans les conducteurs, la dernière bande occupée est partiellement pleine. Il existe
beaucoup de niveaux disponibles et la conduction est grande. Certains électrons sont à
la fois dans la bande de valence et dans la bande de conduction. Cela signifie qu’un
métal peut conduire le courant sans autre forme de traitement physico-chimique. Pour
les métaux bons conducteurs on a : ρAg = 1,6.10-8 Ωm ; ρCu = 1,7.10-8 Ωm ; ρAl =
2,8.10-8 Ωm

Pour les semiconducteurs, le taux de remplissage de la dernière bande occupée est soit
très faible soit très important. Le gap est faible (environ 1 eV). Il suffit d’un petit
quelque chose pour que les électrons de valence puissent passer dans la bande de
conduction et ainsi rendre le semi-conducteur… conducteur. On parvient à faire ça en
donnant de l’énergie aux électrons, en les excitant. La conduction est faible et varie
beaucoup avec la température.
Exemple : à 300 K ρSi = 2400 Ωm et ρGe = 0,5 Ωm.

Un semi-conducteur est donc un isolant mais qui peut devenir un conducteur très
facilement en excitant les électrons de valence : on fait ça en chauffant le matériau, ou en
l’éclairant, ou en le soumettant à une tension électrique bien définie.
Par exemple, si on éclaire une plaque photovoltaïque, la plaque devient conductrice et on
crée un courant électrique : c’est l’effet photoélectrique.

17
 Dans un semiconducteur la BI est assez étroite pour que sous l’effet de l’agitation
thermique, des électrons puissent passer de la BV dans la BC.

Au zéro absolu (T = 0K), le semiconducteur est un isolant parfait (BC vide et BV

totalement remplie).
Aux températures plus élevées (T > 0K) un certain nombre d’électrons peuvent passer
dans la BC et devenir libres. Ces électrons vont séjourner un certain temps dans la BC avant
de perdre une partie de leur énergie et de retomber dans la BV. Pendant ce temps d’autres
électrons apparaissent dans la BC. Ainsi à température ambiante, il existera une densité finie
d’électrons dans la BC (porteurs libres). Le semiconducteur sera ainsi moyennement
conducteur.

- Paires électron-trou

Chaque électron qui quitte la BV pour la BC laisse derrière lui une liaison insatisfaite que
l’on appelle trou. Il y a eu à la fois création d’un électron libre dans la BC et d’un trou libre
dans la BV. On dit qu’il y a génération d’une paire électron – trou.
Le processus inverse (un électron libre de la BC qui retombe dans la BV ; on dit aussi
qu’un trou a capturé un électron libre) est appelé recombinaison.

A l’équilibre le nombre de générations est égal au nombre de recombinaisons. On a dans

ce cas une densité d’électrons n égale à celle des trous p ==> n = p = ni c’est la neutralité
électrique (ni est la densité intrinsèque des porteurs de charges)

La charge du trou est +e.

Lorsqu’un trou capture un électron d’une liaison voisine, le trou change de position. Tout
se passe comme si le trou se déplace dans la BV. Ce phénomène est très important.
En l’absence de champ externe, ce mouvement est aléatoire et ne donne pas naissance à
un courant.
En appliquant un champ ε , chaque électron de la BV est soumis à la force Fe = - e ε et
se déplace dans le sens contraire à celui du champ et le trou est donc soumis à la
force Ft = + e ε et se déplace dans le sens du champ.
La densité de courant de trous est
p étant la densité de trous

18
 Dans ce type de matériau pur, on ne peut avoir que des générations ou des recombinaisons
des paires. On a donc n = p = ni qui est la densité intrinsèque de porteurs libres ; dans ce cas
la conductivité est intrinsèque.
La densité totale de courant est
Les densités de trous et d’électrons sont obtenues à partir des formules suivantes :

n = Nc.exp[β(EF – EC)] et p = Nv.exp[β(EV – EF)] avec β =1/(kT) et EF le niveau de Fermi

la densité intrinsèque ni est telle que :
n=p=ni → n.p=(ni) = NCNV.exp[-β(EC – EV)] = NCNV.exp[-βEg] avec Eg l’énergie du gap

Trous et électrons constituent les porteurs libres intrinsèques dont le nombre est fonction
de la température. La neutralité électrique du matériau impose que les trous et les électrons
soient en nombres identiques (ni et pi).
Pour le silicium pur à 300 K, on mesure : ni = pi = 1,5.1010.cm–3. Ce nombre est très faible
si on le compare au nombre des atomes.
Toujours pour le silicium pur à 300 K, les mobilités sont :
μn = 12.106.m²V–1s–1 et μp = 5.106.m²V–1s–1.
La conductivité intrinsèque du matériau σ = e(ni.μn + pi.μp) est très faible.

- Niveau de Fermi

Le niveau de Fermi est une caractéristique indispensable pour connaître la répartition des
électrons en fonction de l'énergie et ce quelle que soit la température. En effet, les électrons
qui sont des fermions obéissent à la statistique d'occupation des niveaux d'énergie de Fermi-
Dirac :

où Ef représente le niveau de Fermi des électrons dans le système, T est la température

absolue, kB est la constante de Boltzmann et F(E) traduit la probabilité d'occupation du niveau
par des électrons

 A T = 0 K, les niveaux d'énergie inférieurs à Ef sont tous occupés, et aucun au-dessus.

 A T > 0 K, la répartition des électrons a une symétrie par rapport au niveau de Fermi,
en ce sens que la somme des probabilités d'occupation de deux niveaux d'énergies
symétriques par rapport au niveau de Fermi est unité. Et la probabilité d'occupation du
niveau de Fermi par les électrons est 1/2

Niveau de Fermi intrinsèque Efi

Pour un semiconducteur intrinsèque nous avons n = p = ni or n.p= ni² donc n² = p² = ni²

En remplaçant n et p par leur expression on trouve :

EFi : position du niveau de FERMI dans un semiconducteur intrinsèque.

19
 A T = 0 K, le niveau de FERMI dans un semiconducteur intrinsèque est exactement au
milieu de la bande interdite.

Il est possible d’exprimer n et p en fonction du nombre intrinsèque ni et du niveau de

FERMI Efi :

II. SEMICONDUCTEURS EXTRINSEQUES (OU DOPES)

En pratique on distingue :
- Les semiconducteurs purs ou intrinsèques
- Les semiconducteurs extrinsèques, fabriqués à partir des premiers par addition d’une
faible quantité de corps étrangers convenablement choisis appelés impuretés.

II.1. Dopage des semiconducteurs

Le dopage est l’action d'introduire volontairement dans un matériau semiconducteur ultra

purifié des impuretés (ou dopants) de nature et en quantité contrôlées.
La Diffusion et l'implantation ionique (ion implantation) sont les procédés les plus
importants de dopage en technologie des composants semiconducteurs.
La densité maximum d'impuretés que l'on peut incorporer dans un semiconducteur est
imposée par la solubilité limite de l'impureté (par exemple 1021 cm-3 pour l'arsenic dans le
silicium). Elle fixe la résistivité minimum du matériau dopé.
La densité minimum est fixée par les possibilités de raffinage du matériau (par exemple
1013 cm-3 pour le bore dans le silicium). Elle fixe la résistivité maximum du matériau raffiné.
Il est très important que la concentration des atomes étrangers non éliminés soit nettement
inférieure à celle des atomes introduits (dopants).

Toute imperfection perturbe localement la périodicité du potentiel cristallin : elle introduit

des niveaux d’énergie. L’interaction entre les imperfections d’un même type provoque
l’élargissement de ces niveaux en bandes d’impureté.
En fait, on considère qu’elles introduisent des niveaux discrets, le nombre de places
disponibles sur ces niveaux étant naturellement égal à la concentration de l’imperfection. Si
ces niveaux se trouvent dans une bande d’énergie permise ils passent inaperçus. S’ils se
trouvent dans la bande interdite, ils vont conférer au matériau des propriétés nouvelles

Les atomes introduits viennent se placer en position de substitution dans le réseau.

Suivant la nature du dopant, il existe deux types de dopage : le dopage de type N et le dopage
de type P.

II.2. Semiconducteurs de type N

Dans un semiconducteur de la colonne IV (Si, Ge…), on introduit une impureté de la

colonne V (P, As…), le cinquième électron se retrouve avec une énergie de liaison très faible
(5 à 25 meV). Il est localisé sur l'atome pentavalent uniquement aux très basses températures.

20
 A la température ambiante, cet électron est libéré dans le réseau et l'atome d'impureté qui
était neutre devient une charge positive fixe.

Cette impureté a engendré un électron libre dans le cristal de semiconducteur (ou S.C.), on
l'appelle un atome donneur et sa densité sera notée ND.
Aux très basses températures, (< 200 K), l'énergie thermique n'est plus suffisante pour
ioniser l'ensemble des impuretés introduites : on est dans la gamme des températures
d'ionisation partielle (partial ionization range). Si tous les atomes donneurs sont à un niveau
d’énergie ED avec une densité ND, la densité des donneurs ionisés est donnée par la relation :

Le facteur 2 devant l'exponentielle tient compte du fait que l'on peut placer 2 électrons de
spins opposés sur chaque niveau.

Densité des porteurs libres.

A l'équilibre thermodynamique, la densité des porteurs libres d'un semiconducteur dopé

par ND atomes donneurs (supposés tous ionisés) est déterminée par deux lois fondamentales :

 la loi d'action de masse : n p = ni2

 la neutralité électrique de l'échantillon (la somme algébriques des charges est nulle) :
-q n + q p + q ND = 0 (q = e charge élémentaire)

21
En associant ces 2 relations et sachant que n est toujours positif on trouve :

(cm-3)

Le terme ND est indépendant de la température, alors que ni2 évolue très rapidement, on
obtient 2 cas limites :

a) ND2 >> ni2 L'expression de n se simplifie et :

nn = ND Porteurs majoritaires (cm-3)

pn = ni2/ND Porteurs minoritaires (cm-3)
Ce mode de fonctionnement est appelé "régime d’épuisement des donneurs".

b) ND2 << ni2

n = p = ni (cm-3)
Ce régime est appelé "régime intrinsèque".

Influence de la température.

 Pour les basses températures (régime de gel), les impuretés ne sont pas toutes ionisées
mais la densité de porteurs négatifs augmente très rapidement (lorsque la température
augmente).

22
 Dans une large gamme de températures (régime d’épuisement), la densité de porteurs
négatifs est égale à celle des impuretés. C’est le domaine de fonctionnement normal des
dispositifs.

 Pour les températures supérieures, l’agitation thermique engendre plu des paires électron
trou qu’il y a d’impuretés.==> C’est le régime intrinsèque

En régime d’épuisement (nn = ND) on a :

(eV)

Plus un semiconducteur est de type N, plus son niveau de Fermi se rapproche du

minimum de le BC
 Quand ND > NC, le niveau de Fermi pénètre à l’intérieur de la BC. On dit alors que le
semiconducteur est dégénéré de type N
 Quand T augmente, le niveau de Fermi s’éloigne du minimum de la BC

Dans l'expression de la conductivité, n.µn >> p.µp donc :

-1
( .cm-1)
Plus ND est grand, plus la conductivité est grande donc plus la résistivité est faible.
 lorsque T augmente, la résistivité du semiconducteur augmente.

II.3. Semiconducteurs de type P

On introduit une impureté de la colonne III (Bore : B) dans un semiconducteur de la

colonne IV (Si, Ge…). Cette impureté est un atome trivalent. Il existe une liaison insatisfaite,
localisée sur l'atome introduit, uniquement aux très basses températures.

A la température ambiante, l'énergie thermique est suffisante pour transférer un électron

d'un atome du S.C. voisin et le fixer sur l'atome de Bore. L'atome d'impureté qui était neutre
devient une charge négative fixe.

23
 Cette impureté a engendré un trou dans le cristal de S.C. en capturant un électron d'une
liaison de valence, on l'appelle un atome accepteur et sa densité sera notée NA.
Aux très basses températures (< 200 K), l'énergie thermique n'est pas suffisante pour
ioniser l'ensemble des impuretés introduites : on est dans la gamme des températures
d'ionisation partielle (partial ionization range). Pour une densité d’accepteur NA tous à un
niveau EA, la densité des accepteurs ionisés est donnée par la relation :

Un facteur 2 devant l'exponentielle tient compte du fait que l'on peut placer 2 électrons de
spins opposés sur chaque niveau et un autre facteur 2 tient compte de la dégénérescence de la
bande de valence pour Ge, Si et GaAs.

Densité des porteurs libres.

A l'équilibre thermodynamique, en utilisant la loi de masse et la neutralité électrique et

tenant compte du fait que p est toujours positif on a :

(cm-3)

Le terme NA est indépendant de la température, alors que ni2 évolue très rapidement, on
obtient 2 cas limites :

1°) NA2 >> ni2

pp = NA Porteurs majoritaires (cm-3)

np = ni2/NA Porteurs minoritaires (cm-3)
Ce mode de fonctionnement est appelé "régime d’épuisement des accepteurs".

24
Les porteurs positifs sont beaucoup plus nombreux que les porteurs négatifs===> le
semiconducteur est de type P (repéré par l’indice p).

2°) NA2 << ni2 on retrouve :

n = p = ni (cm-3)

Ce régime est appelé "régime intrinsèque".

en régime d'épuisement

Comme pp = NA on a :

(eV)

Plus un semiconducteur est de type P, plus son niveau de Fermi se rapproche du

maximum de le BV.
 Quand NA > NV, le niveau de Fermi pénètre à l’intérieur de la BV. On dit alors que le
semiconducteur est dégénéré de type P
 Quand T augmente, le niveau de Fermi s’éloigne du maximum de la BV.

Dans l'expression de la conductivité, nµn << pµp donc :

-1
( .cm-1)

II.4. Semiconducteurs compensés

En pratique, souvent les semiconducteurs contiennent simultanément des atomes donneurs

(densité ND) et des atomes accepteurs (densité NA). Il est facile de montrer que :
- Si ND > NA, le semiconducteur est de type "N",
- Si ND < NA, le semiconducteur est de type "P"
- Dans le cas particulier où ND = NA (condition obtenue par compensation des impuretés
résiduelles) n = p = ni

La densité des porteurs est celle du semiconducteur intrinsèque. La résistivité est alors très
importante, le matériau est presque isolant : on parle alors d'un semiconducteur compensé ou
semi-isolant.

II.5. Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

On tient compte de :
 La conduction dans un champ électrique vue plus haut.

25
  La conduction par diffusion

On parle de diffusion lorsque la concentration n’est pas uniforme (opération de

dopage, présence d’une jonction pour les diodes et transistors, thyristor, influence de
l’éclairement…). Les porteurs de charges se déplacent afin de se répartir uniformément
dans le matériau. Ce déplacement de charges est dû au gradient de concentration, alors la
densité de courant est :

( en A/cm2)
Dn et Dp sont les coefficients de diffusion ou diffusivités
des électrons et des trous.

On montre que, pour un S.C. non dégénéré, la constante (ou coefficient) de diffusion D est
e.D
liée à la mobilité des porteurs μ par la relation d’Einstein :  =
k.T
Si dans un échantillon il existe à la fois un champ électrique et un gradient (variation
spatiale) de la densité des porteurs [ n(x) et p(x)] : les charges se déplacent sous l'effet :
 du champ électrique ----> courant de conduction : Jcn et Jcp
 du gradient de densité -----> courant de diffusion : Jdifn et Jdifp

Le courant total en régime stationnaire est la somme du courant de conduction et du

courant de diffusion : J = J n + J p avec

et
Ce sont les équations de dérive diffusion.

Exercice d’application

Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3. On donne ni=1010cm-3 à

300K.
1. Calculez à 27°C, la densité d’électrons du Si ainsi dopé.
2. En déduire la densité de trous. Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
3. Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du
diagramme de bandes du silicium ainsi dopé ?

Solution
Le phosphore est un donneur car c’est un élément du groupe V du tableau de Mendeleïev
donc ND=1018cm-3.

1. Calcul de la densité d’électrons du Si

En utilisant la loi d’action de masse et la neutralité électrique
(page 22) et après résolution du système d’équations obtenu on trouve :
Après calcul on obtient n=1,00000000000000012544. 1018cm-3.
Autrement dit n=ND (densité d’électrons = densité de donneurs).

26
2. Densité de trous

En partant de la neutralité électrique on a p=ni²/ND ainsi p= 125 cm-3

3. A FAIRE

27
 EXERCICES
EXERCICE N° 1

On s’intéresse au silicium dans cet exercice. On considère le semiconducteur intrinsèque qui a

une densité ni = 1010 cm-3 à T = 300K.
1) Donner l’expression de sa conductivité en fonction de ni et des mobilités µn et µp des
électrons et des trous respectivement.
2) Comparer sa résistivité ρSi à celle du cuivre (ρCu = 1,7 µΩ.cm) en calculant ρSi/ρCu.
3) Calculer la résistance d’un barreau de silicium intrinsèque de section 1mm² et de longueur
1cm.
4) Déterminer la position du niveau de Fermi de ce semiconducteur et le placer sur un
diagramme de bandes d’énergie. On donne : NC = NV = 1019 cm-3.

EXERCICE N° 2

Semi-conducteur intrinsèque
On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d'états
énergétiques dans la bande de conduction et dans la bande de valence sont notées
respectivement NC et NV.

1- Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction et la

densité de trous p dans la bande de valence.
2- En déduire l'expression de la densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi
intrinsèque EFi.
Le semi-conducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap) E g=1,1eV
et pour lequel NC=2,7.1019cm-3 et NV=1,1.1019cm-3.
3- Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et 227°C.
On rappel qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence énergétique, le haut de la
bande de valence (EV = 0 eV).

Semi-conducteur extrinsèque
Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.
4- Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.
Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
5- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du
diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

EXERCICE N° 3

On appelle n et p les densités d’électrons et de trous libres dans un semiconducteur dopé.

1- Donner la relation entre n, p et ni à l’équilibre à la température T.
2- Ecrire la relation entre n, p, NA et ND traduisant la neutralité électrique de l’échantillon.
3- En déduire les expressions de n et p pour un semiconducteur dopé N. justifier les
approximations.
4- En déduire les expressions de n et p pour un semiconducteur dopé P. justifier les
approximations.

28
EXERCICE N° 4

Déterminer à température ambiante, la valeur de la d.d.p. aux extrémités d’un barreau d’un
semiconducteur de 0,1mm de longueur sachant que pour un dopage de type N avec une
densité en atomes donneurs ND = 10-22 SI, on obtient une densité de courant de 100 A.cm-2.
On donne à 300K μn = 1500 cm2V-1s-1 ; μp = 600 cm2V-1s-1 et ni = 1,5.1016 SI

EXERCICE N° 5

On dope le silicium avec du bore jusqu’à obtenir une résistivité ρB = 1,4 Ω.cm. Les nouvelles
mobilités sont µn = 950 cm²/V.s et µp = 450 cm²/V.s.
1- Calculer la concentration de bore introduite et les concentrations n et p d’électrons et de
trous libres.
2- Déterminer la position du niveau de Fermi par rapport au haut de la bande de valence et le
placer sur un diagramme de bandes d’énergie. On donne : NV = 1019 cm-3.
3- On surdope ce semiconducteur avec du phosphore jusqu’à obtenir un matériau de type n
avec une résistivité ρP = 0,12 Ω.cm. Les nouvelles mobilités sont µn = 600 cm²/V.s et µp =
300 cm²/V.s. quelle est la concentration de phosphore qu’il a fallu ajouter pour obtenir
cette résistivité ?

EXERCICE N° 6

On considère un semiconducteur de type N, dont la densité d’atomes donneurs est :

ND(x)=N0.exp (-x/x0). On supposera que tous les atomes donneurs sont ionisés.
1- Représenter le diagramme des bandes d’énergie à l’équilibre thermodynamique.
2- Déterminer le champ électrostatique E(x) dans le semiconducteur.

EXERCICE N° 7

Soit un cristal de silicium à T=300 K. Le niveau de fermi est situé à 0,25 eV au-dessous de la
bande de conduction. Calculer la concentration à l'équilibre en électrons et en trous.
Données : Eg(Si) =1,12 eV, Nc =2,8.1019 cm−3, Nv =1,04.1019 cm−3.

EXERCICE N° 8

1) La résistivité du germanium intrinsèque est 0,44 .m à 300 K. Les mobilités des électrons et
des trous dans le germanium sont respectivement de 0,4 m2/V.s et 0,19 m2/V.s. Calculer la
densité des électrons et des trous.
2) Le germanium est dopé avec des impuretés d'antimoine de telle sorte qu'il y ait un atome
d'impureté pour 106 atomes de germanium. La densité des atomes de germanium est de
4,4.1028 m−3. Le matériau dopé sera-t-il de type n ou de type p? Calculer la densité des
électrons et des trous. Quelle est la résistance du matériau dopé? (on supposera que tous les
atomes d'antimoine sont ionisés à 300K).

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