Electronique I

Introduction aux Transistors

Bipolaires
 Mise en contexte
• On a commence par voir le silicium
• On a parle de dopage N et P
• Fonctionalite limitee. Ca conduit bien ou mal…
• On a connecte N et P ensemble: diode
• Parfois ca conduit (0.7v), parfois ca ne conduit pas
• Interessant pour plusieurs applications
• Probleme: Manque de controle de “l’exterieur”
• Ajoutons un bloc de silicium a la diode

2
 Structure Physique
• On ajoute soit un N ou un P.
• Resultat:
• 2 N et 1 P
• 2 P et 1 N
• Voici les configurations possibles
N P N P N P

P N N P P N
3
Meme chose qu’une diode PN
 Structure Physique
• Il reste donc 2 configurations possibles:
N P N P N P

• Les noms sont appropriees: NPN et PNP

• Les structures reelles ressemblent a ca:

4
 Structure Physique
• NPN: Transistor de type N N P N

• PNP: Transistor de type P P N P

• Il y a 3 parties dans un transistor:

• Collecteur
• Emetteur
• Base
• La base est la region du milieu
Base

N P N P N P

5
On distinguera les 2 autres apres…
 Fonctionnement
• Chaque groupe “PN” forme une diode
• Les transistors sont comme 2 diodes:

• On applique des tensions aux differents blocs

• Le fonctionnement sera comme le fonctionnement
de 2 diodes dos-a-dos
• Il y a aussi interaction entre les 2 diodes

6
 Fonctionnement
• Fonctionnement depend des 2 diodes:
• Chaque diode peut conduire ou etre bloquee
• On peut “polariser” les diodes de 4 facons:
• Bloque – Bloque
• Bloque – Conduit
• Conduit – Bloque
• Conduit – Conduit
• Chaque “facon” correspond a une region
d’operation
Survolons rapidement chacune de ces regions d’operation 7
 Region “cut-off”
• Cas #1: les 2 diodes sont bloquees
• Il faut que VP < VN + 0.7 (pour NPN)
• Traduction: tension faible a la base vs region N

(pour NPN)

• Il n’y a AUCUN courant (sauf en conduction

inverse… mais on ignore ce cas)
• On appelle ca la region CUT-OFF

8
 Region de saturation
• Cas #2: les 2 diodes conduisent
• VP doit etre plus grand que les 2 N de 0.7v
• C’est plus ou moins vrai: on verra plus tard

• On remarque que la base (milieu) fournit beaucoup

de courant
• On appelle ca la region de saturation

9
 Region active (ou inverse)
• Cas #3 et #4: 1 diode conduit et l’autre
est bloquee

• Selon le cas, on va dire que c’est soit en region

active ou soit en region inverse

10
Allons maintenant voir ces 2 regions en details…
 Region Active
• Commencons par assigner les noms aux
parties du transistor.
• On sait que le milieu c’est la base
• On va dire que la gauche c’est l’emetteur
• Donc, la droite, c’est le collecteur
• C’est notre convention… (ca va changer!)
E B C E B C

P N P

11
 Region Active
• Pour la region active:
• La jonction base-collecteur est bloquee
• La jonction base-emetteur conduit
• Dans ce cas, le courant devrait circuler
dans une des diodes
• L’autre diode ne devrait pas avoir de courant
E B C

Conduit Bloquee 12
 Region Active
• Reprenons ca avec plus de details:
• Les trous vont de la base a l’emetteur
• Les electrons vont de l’emetteur a la base

• Quand les charges arrivent, ils diffusent

parce qu’ils sont minoritaires.
• Concentrons-nous sur les electrons a la base…
-
N - - P N
- - - - 13
 Region Active
• La diffusion des electrons fait 2 choses:
• Amene les electrons a la connexion de la base
• Amene les electrons dans la zone charge-espace
+

+- - - ++
N +- P - - ++ N
- +- - - ++

• Le champ de la zone charge-espace les

pousse vers le collecteur
• Autrement dit, les electrons sont “collectes” (d’ou
le nom) au collecteur
14
 Region Active: sommaire
• La jonction BE conduit:
• La base fournit un courant avec ses trous
• L’emetteur fournit un courant avec electrons
(MAIS!)…
• Seulement une partie des electrons vont a
la base
• Les electrons de l’emetteur vont aussi AU
COLLECTEUR (la plupart)

15
 Region Active: resume
+

• Base: E B C

• Envoie des trous (+) N P N

-

• Emetteur:
Electrons a droite= trous a gauche
• Envoie des electrons (-)
• Recoit des trous (+) +

E B C

• Collecteur N P N
+
• Recoit des electrons (-)
• On voit que l’emetteur a le plus de courant
• IE=IC+IB (premiere equation importante des BJT)
16
Retournons voir la structure physique des BJT
Retour sur la structure physique
• Le courant de base permet un courant
emetteur-collecteur
• On aimerait exagerer ce phenomene:
• On aimerait qu’un PETIT courant a la base cause
un GROS courant emetteur-collecteur
• Comment faire ca?
• Retournons ajouter de l’information sur les
diodes…

17
Retour sur la structure physique
• Une diode en conduction est compose de
2 courants de diffusion:
• Diffusion d’electrons N vers P
• Diffusion de trous P vers N
• Quand le dopage N et P sont egaux, les 2
courants de diffusion sont egaux
• Si N est plus dope que P, le courant sera
majoritairement des electrons
• Si P est plus dope que N, le courant sera plus des
trous
18
Retour sur la structure physique
• Alors, SI une diode avait:
• Gros dopage N
• Petit dopage P
• Le courant serait compose de beaucoup
d’electrons et peu de trous
• Si l’emetteur etait dope fortement:
• Un petit courant a la base (trous) amenerait un
gros courant de l’emetteur
+

E B C

N+ P N
-
19
Retour sur la structure physique
• Dans une diode, les electrons iraient tous
dans l’anode (le P)
• Ici, la diffusion a la base amene les electrons vers
le collecteur
• Rappel: c’est du a la region charge-espace
• DONC! Petit courant a la base controle un
gros courant Emetteur-Collecteur
+

E B C

N+ P N
-

Il reste encore un autre detail… 20

Retour sur la structure physique
• La jonction base-emetteur est en
conduction:
• La base fournit un petit courant de trous
• L’emetteur fournit un gros courant d’electrons
• Les electrons diffusent a la base
• Une partie se retrouve au collecteur
• Une autre partie sort a la base
• Comment reduire la partie qui par a la
base?
21
Retour sur la structure physique
• On pourrait amincir la base:
• Plus d’electrons se retrouveraient au collecteur.

N+ P N

• Le meme raisonnement s’applique pour

les PNP:
P+ N P

Revoyons ENCORE une fois comment le transistor fonctionne… 22

 Region Active
• Les transistors ont 2 jonctions:
• Jonction BE: en conduction
• Jonction BC: bloque
• Jonction BE en conduction
• P moins dope: envoie peu de trous
• N bien dope: envoie beaucoup d’electrons

23
 Region Active
• Electrons diffusent dans la base
• Base mince: electrons passent dans jonction BC
• Se retrouvent dans la region charge-espace
• Region charge-espace pousse les
electrons vers le collecteur
+
- +
N+ P-- + N
+
- +
- -
- -
24
 Region Active
• Conclusion:
• Petit courant dans la base controle gros courant
entre emetteur-collecteur

Ca complete la region active… passons a la saturation

25
 Region de saturation
• En region active, on avait:
• Jonction BE conduit: VB > VE + 0.7
• Jonction BC bloquee: VB < VC+0.7
E B C

N+ P N

-- + ++

• Pour s’amuser, BAISSONS la tension au

collecteur
26
 Region de saturation
• En baissant VC, on se rapproche du point
de conduction de la diode BC
• Mettons-nous au point ou la jonction BC
COMMENCE a conduire un peu
E B C

N+ P N

-- + -

Que se passe-t-il?
27
 Region de saturation
• La jonction BE conduit comme avant
• Champ inverse BC est moins fort E B C

• Base fournit du courant a E et a C N+ P N

• Effet: -- + --

• Courant a la base beaucoup plus elevee

• Courant a l’emetteur reste a peu pres le meme
• Courant a la base s’oppose au courant au
collecteur

On voulait petit courant B qui controle gros courant EC

En saturation c’est moins efficace parce que IB est plus gros… 28
 Region de saturation
• Que se passe-t-il si VC bassait encore?
E B C

N+ P N

-- + --
• Plus VC baisse, plus le IBC est grand
• Ca tendrait a augmenter VC
• La tension BC se stabiliserait a une valeur donnee
• En pratique, on DIT que cette tension est ~0.5v
• C’est la tension quand la diode COMMENCE a
conduire…

Passons maintenant a la derniere region d’operation 29

 Region active inverse
• Si BE conduit et BC inverse, on est en
region active
• Que se passe-t-il si c’est l’oppose?
• BE en inverse et BC conduit
• Reponse: le transistor sera en region
active “inverse”
• Le fonctionnement ressemblera a la region active,
mais moins efficace
• Pas souvent utilise…
30
 Representation du transistor
• On represente le transistor avec ces
symboles:
C E

NPN B B PNP

E C

• On identifie 3 pattes:
• Collecteur
• Emetteur
• Base

31
 Representation du transistor
• Emetteur: toujours la patte avec la fleche
• Indique la direction du COURANT (trous)
• Pour NPN
• Les electrons entrent a l’emetteur pour aller au
collecteur
• Donc, le courant sort de l’emetteur

E
32
 Representation du transistor
• Pour PNP:
• Les trous entrent dans l’emetteur pour aller au
collecteur
• Donc, le courant entre par l’emetteur

33
 Representation du transistor
• Dans ces diagrammes, on voit le courant
circuler entre emetteur et collecteur:
• L’emetteur a une fleche
• Donc, l’autre patte avec le courant est le collecteur
C E
NPN B B PNP
E C

• La patte qui reste, c’est la base

Devenez confortables avec les diagrammes et les pattes… 34
 Gain du transistor (β)
• L’idee de base derriere un transistor c’est:
• Petit courant a la base pour controler un gros
courant entre collecteur et emetteur
• Comment petit est le courant a la base?
• Comment gros est le courant au collecteur?
• On quantifie le ratio IC/IB avec un “gain”
• IB c’est l’entrée et IC c’est la sortie
• “Gros gain” = tres petit IB et gros IC
• “Petit gain” = IB un peu plus petit que IC
+

E B C

N+ P N
- 35
 Gain du transistor (β)
• β ici represente le gain de COURANT
maximal entre base et collecteur
IC
β=
IB

• Ex: si β=100, en entrant IB, le courant IC

peut etre jusqu’a 100 fois plus gros.

36
Qu’est-ce qui determine le β?
 Gain du transistor (β)
• Le courant d’une diode depend du dopage
P et N
• Dans les transistors, c’est different
• IB depend seulement du dopage de B
• Pas le dopage E parce que les electrons ne vont
pas dans B
• IE depend du dopage dans B et dans E:
• Habituellement, dopage E est beaucoup plus
grand et donc, dopage B devient negligeable…
+

E B C

N+ P N
-

37
Il reste a considerer IC…
 Gain du transistor (β)
• IC depend SEULEMENT du dopage E
• IC c’est les electrons de E qui diffusent dans B
• Conclusion intermediaire interessante:
• SI IB negligeable vs IE
• ET SI aucune recombinaison dans B
• IC = IE

38
 Gain du transistor (β)
• On resume: I C Dopage E
• IB depend dopage B β= ∝
I B Dopage B
• IC depend dopage E
• On sait que le dopage est imprecis
• On va conclure que β est imprecis
• Ex: Meme si la boite dit β=200, IC/IB ne sera pas
toujours 200
• Ca varie d’un transistor a l’autre
• Ca varie meme avec la temperature
Passons maintenant aux mathematiques… 39
 Analyses mathematiques
• Les diodes sont des elements non-
lineaires:
• Difficile de faire l’analyse de facon classique
• Il fallait modeliser (“faire semblant”)
• Transistors plus difficiles a analyser que
les diodes
• On n’etait pas capable d’analyser avec diodes, on
ne sera pas plus capable ici
• Il faudra encore modeliser

Retournons voir les diodes… 40

 Analyses mathematiques
• Premiere chose a savoir (approximation):
• Diode conduit PLEINEMENT a 0,7v
• Diode COMMENCE a conduire a 0.5v
• On va utiliser le modele ON-OFF avec
chute de 0.7v
• Mais on va aussi se rappeler que ca commence a
conduire vers 0.5v

41
 Analyses mathematiques
• Deuxieme chose a savoir:
1) Trous dans base VONT vers l’emetteur
2) Electrons dans emetteur VONT au collecteur

Equivalent 2) Trous vont du collecteur a l’emetteur

IB

N+ P N
IE IC

I E = I B + IC
On avait déjà vu ca … 42
 Analyses mathematiques
• Troisieme chose a savoir
• Il y a un lien entre le courant des 3 pattes
• On sait que IC
β= I C = βI B
IB
• Sachant que IE=IB+IC, on substitue IC:
I E = (β + 1)I B

• Certains aiment utiliser α:

β
α= I C = αI E
β +1
43
 Analyses mathematiques
• Quatrieme chose a savoir: l’analyse n’est
pas lineaire et peut etre iterative
• Rappel: Avec diode,
• On fait l’hypothese de conduction (ou non)
• On analyse
• On verifie
• Ici, on a 2 diodes PAR TRANSISTOR (4
hypothese possibles):
• On fait l’hypothese sur la region d’operation
44
Il ne faut surtout pas oublier de verifier l’hypothese!
 Exemple
• Trouvez les courants IB, IC et IE si le
transistor est en region active
V2

RC

RB

V1
+
-

45
 Exemple
• Le probleme nous dit que le transistor est
en region active (pas besoin d’hypothese):
• Transistor est en region active
• BE: Conduit
• BC: Ne conduit pas
• Si le transistor conduit, VBE=0.7v
• Donc, VB=0.7v
• Le courant dans la base sera:
V 1 − VB V 1− 0.7
IB = IB =
RB RB
46
Ce sont tous des parametres connus…
 Exemple
• Puisque β est donne, on peut trouver IC:

β=
IC  V 1 − 0.7 
I C = βI B I C = β  
IB  RB 

• On connait aussi une relation pour IE:

I E = I B (β + 1)
• On peut donc trouver IE:
V 1 − 0.7
I E = (β + 1)I B = (β + 1)
RB
47
 Remarque
• Chose interessante a remarquer:
• Aucun courant ne depend de RC ou de V2
• Quand on est en region active, on ne
depend pas du circuit au collecteur
• Les courants sont determines par la base et
l’emetteur
• Les courants sont lies par le β

V 1 − 0 .7
IC = β
V 1− 0.7
IB =
V 1− 0.7 I E = (β + 1)
RB RB RB

48
 Exemple (seul)
• Trouvez IC, IE et IB
• Verifiez que c’est la bonne region
d’operation (en regardant VB, VC et VE)
9v

1K

100K

1. Commencez avec l’hypothese 4.7v

2. Determinez IB, IC, IE, VB, VC et VE +
-
3. Verifiez l’hypothese

49
 Exemple (seul)
• Hypothese: region active 9v
• La diode BE conduit: VB est 0.7
1K
• On trouve IB: 100K

4.7 − 0.7 4.7v

0.7v
IB = = 40µA +
-
100 K

• Avec β, on trouve facilement IC et IE

I C = βI B = 8mA I E = (β + 1)I B = 8.04mA

50
 Exemple (seul)
• Allons verifier que c’est en region active:
• VBE=0.7
• VBC < 0.5
• On ne peut pas verifier VBE=0.7 puisqu’on
l’a impose… 9v

• Allons voir VBC: 1K

100K
• Pour ca, il faut trouver VC: 4.7v

VC = VDD − RC I C = 9 − 8 = 1v
+
-

Avec VB=0.7v, VBC ne conduit pas: c’est verifie!

51
 Exemple
• Trouvez IC, IE et IB
• Verifiez que c’est la bonne region
d’operation (en regardant VB, VC et VE)
9v

1K

20K

4.7v
+
-

52
 Exemple
• Hypothese: region active 9v

• Si BE conduit, VB=0.7
1K
• On trouve IB: 20K

4.7 − 0.7 4.7v

IB = = 0.2mA +
20 K -

• On trouve IE et IC avec β:

I E = (β + 1)I B = 40.2mA I C = βI B = 40mA

53
 Exemple
• Allons calculer les tensions pour verifier
l’hypothese
• Trouvons VC:
VC = VDD − RC I C = 9 − 40 = −31
• Si VC etait -31v, la jonction BC conduirait
• On serait en saturation… il y a donc une
contradiction:
• Mon hypothese disait que je suis en region active

On recommence le tout du debut… 54

 Exemple - Explications
• Il faut recommencer dans la saturation:
• Jonction BE conduit pleinement (0.7v)
• Jonction BC COMMENCE a conduire (0.5v)
9v 9v

1K 1K
20K +0.5 - 20K +

+ 0.2
4.7v 4.7v
+ 0.7 - + -
- -

55
 Exemple
• Maintenant, on connait VC.
• On trouve IC:
VC = VDD − RC I C

• On remplace par les chiffres:

0.2 = 9 − I C 1K
• On isole IC:
8.8mA = I C
56
 Exemple
• Faisons un calcul rapide:
IC 8.8mA
= = 11.6
I B 0.76mA
• IC/IB n’est pas egal a β (200)
• Ce nouveau IC/IB, on l’appelle le β effectif
(βEFF)
• Donc, en saturation, le gain baisse…

57
 Exemple (seul)
• Trouvez IC, IE et IB
• Verifiez que c’est la bonne region
d’operation (en regardant VB, VC et VE)

10K 1K

10K
9v
+
-

58
 Exemple (seul)
• Hypothese: region active
• Equation de noeuds a la base:
9 − 0.7 0.7
= + IB
10 K 10 K

• J’isole IB: IB =
7.6
= 760µA
10 K

• Je calcule IC avec β:
I C = βI B = 760µA ⋅ 200 = 152mA
59
 Exemple (seul)
• A la place de perdre mon temps avec IE, je
verifie VC:
VC = VDD − I C RC = 9 − 152 = −143v
• Je vois deja que mon hypothese etait
fausse
• Recommencons avec la saturation

60
 Exemple (seul) - Explications
• En saturation
• Une diode conduit pleinement (0.7v)
• L’autre COMMENCE a conduire (0.5v)
• Certains appellent ca: VCESAT=0.2v

10K 1K
+
0.2
10K -
9v
+
-

61
 Exemple (seul)
• Avec VC, on calcule IC:
VC = VDD − I C RC
• On remplace avec des chiffres et on isole:
8.8
IC = = 8.8mA
1K
• On calcule βEFF:
IC 8.8mA
= = 11.6
I B 0.76mA
62
Le gain a chute de beaucoup
 Pourquoi β est important
• Une des applications des transistors c’est
l’amplification.
• On veut prendre un signal faible et le
rendre fort
• Cas simple:
• On connecte un micro a la base et on lit le courant
au collecteur
• Le courant au collecteur ressemble a celui a la
base mais β fois plus gros

63
 Pourquoi β est important
• Pour ce cas, on veut un gros gain
• Vous allez voir (systemes asservis) qu’on
veut souvent avoir un gain infini:
• En boucle fermee, on peut “echanger” ce gain
contre d’autres bonnes choses
• Dans ces cas, on veut un GAIN IC/IB eleve.
• Dans ces cas, on veut etre en region
active

64
 Quand β n’est pas important
• Dans d’autres cas, on ne s’interesse pas
au lien entre IC et IB.
• On veut simplement faire passer (ou
bloquer) un gros courant
• On pense par exemple a un interrupteur
• Deuxieme exemple: les portes logiques
• Dans ces cas, on veut etre en saturation

65
 Les autres regions?
• Quand est-ce qu’on veut etre en inverse?
• Reponse: Pas souvent
• Le transistor n’est pas fait pour operer dans cette
region.
• Quand est-ce qu’on veut etre en cutoff?
• Quand on opere en interrupteur, on est
soit “ON” (saturation) ou “OFF” (cut-off)
• Meme chose pour les portes logiques.
66
 Exemple (seul)
• Trouvez VB, VC, VE, IB, IC et IE pour le
circuit suivant:

67
 Exemple (seul)
• Hypothese:
• La resistance a la base est faible: petit courant a la
base
• La resistance au collecteur est faible: tension VC
faible
• Ca semble donner une indication que c’est en
region active

BE conduit (chute de 0.7v)

BC bloque

68
 Exemple (seul)
• Le courant qui sort de la base est:
5−0
IB = = 10µA
500 K

• En region active, le gain est maximal:

I B = βI B = 1mA
• La tension a VC est de 1v:
• Jonction BE conduit
• Jonction BC bloque

Hypothese verifiee... (il faut faire le reste des calculs) 69

 Exemple (seul)
• Les reponses sont:
• La tension a VE est de 5.7v (donne)
• La tension a VB est de 5v (“calcule”)
• La tension a VC est de 1v (calcule)
• Le courant IB est de 10µA (calcule)
• Le courant IC est de 1mA (calcule)
• Le courant IE est de 1.01mA (calcule)

70
 Resume
• Pour NPN:
• J’ai besoin d’un courant qui ENTRE dans la base
• Ce courant va donner 0.7v de VBE
• En region active, j’ai IC=βIB
• En saturation, j’ai VCE=VCESAT
• Pour PNP
• J’ai besoin d’un courant qui SORT de la base
• Ce courant va donner 0.7 de VEB
• En region active, j’ai IC=βIB
• En saturation, j’ai VEC=VCESAT
71
 Questions
• Est-ce que ces circuits vont fonctionner?

72