Microsystèmes

par Daniel ESTÈVE

Directeur de recherche au Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS)
et Jean SIMONNE
Directeur de recherche au Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS)

1. Les microsystèmes par l’exemple ....................................................... E 2 305 - 3

2. Technologies de base des microsystèmes ........................................ — 3
2.1 Micro-usinage de volume ........................................................................... — 4
2.2 Micro-usinage de surface............................................................................ — 5
2.3 Interconnexions, assemblages et conditionnements ............................... — 7
3. Fonctions de base des microsystèmes .............................................. — 9
3.1 Fonctions capteurs ...................................................................................... — 9
3.2 Fonctions actionneurs ................................................................................. — 13
4. Applications des microsystèmes......................................................... — 16
4.1 Filières d’accès aux technologies à microsystèmes ................................. — 16
4.2 Perspectives de développement à moyen terme...................................... — 16
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 2 305

L e concept de Microsystème est né, à la fin des années 1980, aux États-Unis,
des actions conduites à l’université de Berkeley pour intégrer, sur une même
puce de silicium, capteurs, traitement du signal et actionneurs. L’intégration de
certains capteurs avec leur traitement de signal était déjà bien explorée depuis
quelques années (capteurs thermiques, capteurs de vision, capteurs magnétiques
de Hall...) ; la nouveauté tenait à l’intégration des actionneurs électrostatiques
sous forme de moteurs rotatifs ou linéaires. Ce concept a très rapidement suscité
un vif intérêt dans le monde. Appelé MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)
aux États-Unis, il s’est appelé Micromachines au Japon et MST (Microsystèmes
Technologies) en Europe. On utilise en France le terme de Microsystème.
Les raisons de cet intérêt et de la mobilisation qui s’en est suivie sont au
moins au nombre de deux :
— du point de vue du chercheur, ce concept pose des questions nouvelles en
termes de matériaux, de compatibilité technologique et de méthodologies de
conception des systèmes ;
— du point de vue de l’ingénieur, il y a, dans le concept, des perspectives
d’intégration et de fabrication collective de nouveaux produits qui, par leur faible
coût, devraient rapidement pénétrer des marchés tenus par des produits
assemblés de manière plus classique et même ouvrir de nouveaux marchés, ne
serait-ce que par le côté attractif de la réduction des dimensions.
En dix années, la situation a beaucoup évolué. De nombreux exemples de
réalisations ont été explorés. Des premières générations de produits ont été
commercialisées. On peut considérer aujourd’hui que la faisabilité est acquise
et que l’on s’engage dans une deuxième grande étape de recherche-dévelop-
pement de produits nouveaux en vue de leur industrialisation.
Ce recul de dix ans nous permet aussi de mieux délimiter le champ des
microsystèmes :

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— les microsystèmes se situent dans le prolongement de la microélectronique

à laquelle ils empruntent le matériau (le silicium) et les technologies de base
(photolithographie, oxydation, implantation, diffusion, dépôts de couches iso-
lantes et métalliques). Ils y introduisent de nouvelles opérations de micro-
usinage (micro-usinage de volume, micro-usinage de surface, dépôts de cou-
ches actives sensorielles) ;
— les microsystèmes s’interfacent avec de nombreuses méthodes et techno-
logies développées dans d’autres disciplines : micromécanique, micro-optique,
chimie et biochimie, électromagnétique..., dans une démarche d’intégration
globale, hétérogène ;
— les technologies microsystèmes associent l’approche monolithique tout
silicium, qui en est le fondement stratégique, avec les assemblages hybrides qui
apportent des solutions immédiates et efficaces à l’intégration système. Cela
permet d’associer plus aisément des technologies diverses en ne résolvant que
les problèmes d’interconnexions électriques, fluidiques et optiques.
Une représentation synthétique est celle de la figure A.
Cette représentation donne un fil conducteur aux développements qui vont
suivre.
Un premier objectif sera de présenter les technologies de base des micro-
systèmes en montrant en quoi elles s’inspirent d’avancées de la microélectro-
nique et sur quels points elles apportent de la nouveauté.
Un deuxième objectif sera de présenter les fonctions de base actuellement
disponibles en termes de capteurs (micromécaniques, chimiques et biochi-
miques, optiques, magnétiques...), et en termes d’actionneurs (électrostatiques,
piézoélectriques et électromagnétiques...). Les fonctions de base sont déjà très
nombreuses et toujours en développement rapide. Notre choix a été de limiter
cette présentation aux fonctions disponibles ou presque au niveau du marché.
Un dernier objectif est de considérer les applications en cours et potentielles
des microsystèmes telles que les études de marché les évaluent à ce jour pour
conclure sur quelques axes de travail à privilégier pour les chercheurs et les
ingénieurs.
Mais avant d’entrer dans ces développements, nous analyserons deux exem-
ples historiques qui permettent de bien situer le concept, ses avantages et ses
perspectives.

Microcalorimétrie

Micromécanique Micro-optique

Micromagnétisme Microsystème Chimie

Biochimie Microfluidique

Microélectronique

Figure A – Multidisciplinarité dans la conception et la réalisation des microsystèmes

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1. Les microsystèmes
par l’exemple

Les microsystèmes sont des dispositifs compacts miniatu-

risés, multifonctionnels, fabriqués collectivement, qui interagis-
sent avec le monde non électrique par des capteurs et des
actionneurs ; ils sont en mesure d’échanger de l’information et
de la communication avec le monde extérieur ou avec d’autres
microsystèmes.

Cette définition, parfaitement correcte, est trop générale pour

bien illustrer la réalité. Deux exemples devraient être plus expli-
cites.

■ En 1992, la société Analog Devices annonçait la mise sur le mar-

ché d’un accéléromètre totalement intégré sur 10 mm2 de silicium
pour la détection de choc automobile. La figure 1 donne une vue du
circuit intégré correspondant. Il est exemplaire d’un microsystème
puisque l’on y voit associés capteur, actionneur et traitement du
signal. Le capteur est un accéléromètre capacitif et l’actionneur
utilise la même structure qui est actionnée électrostatiquement pour
vérifier le bon fonctionnement d’ensemble du microsystème qui se
présente donc comme un accéléromètre autotestable. Cet exemple
illustre bien l’enrichissement fonctionnel du dispositif global qui
devient plus autonome, plus « intelligent ». Il illustre aussi ce que
l’on appelle la compatibilité technologique entre la technologie VLSI SENSOR : capteur
qui permet de réaliser des circuits analogiques et numériques de
SENSOR LOAD RESISTOR : résistance de charge du capteur
traitement du signal et la technologie capteur qui s’ajoute, en fin de
procédé, sous la forme d’un micro-usinage de surface. CARRIER CAPACITOR : actionneur capacitif
OUTPUT AMP : amplificateur de sortie
■ Le deuxième exemple est celui du « jet d’encre » développé par DEMODULATOR : démodulateur
la société Hewlet-Packard. Cette innovation récente a bouleversé le BUFFER : étage tampon
marché des imprimantes en proposant un produit d’excellente OSCILLATOR : oscillateur
qualité à un prix très compétitif face aux autres techniques
CARRIER GENERATOR : générateur
d’impression. Elle se présente sous la forme d’une matrice de points
d’éjection d’encre dont la commande permet de former des lettres REFERENCE : témoin
et des mots. L’actuateur est thermopneumatique : l’élévation de SELF-TEST : autotest
température d’une résistance chauffante forme une bulle qui souffle PREAMP : préamplificateur
l’encre au travers d’un trou micro-usiné. BIAS : polarisation

Ce deuxième exemple, mieux que le premier, illustre la multi- Élément ADXL-50 d’Analog Devices, premier accéléromètre industriel
disciplinarité qui s’impose au concepteur entre la commande élec- micro-usiné en surface, avec conditionnement du signal intégré sur la
tronique et un principe thermofluidique. Il illustre aussi la diversité puce.
des microsystèmes potentiels et leur impact possible sur le marché
où ils sont capables de bouleverser des positions considérées Figure 1 – Vue du microaccéléromètre de la société
comme très solides : l’innovation par les microsystèmes peut être Analog Devices [1]
très payante car elle apporte une amélioration ou un enrichisse-
ment technique en même temps qu’une réduction des coûts qui
rend très compétitif le produit final.

Tableau 1 – Comparaison des propriétés physiques

de l’acier et du silicium
2. Technologies de base Propriété
Silicium Acier
monocristallin inoxydable
des microsystèmes
Limite d’élasticité ....... (105 N/cm2) 7,0 2,1

Le matériau « Roi » des microsystèmes reste le silicium que Dureté Brinnel ................(kg/mm2) 850 660
nous connaissons bien dans ses caractéristiques de semi-conduc-
Module d’Young......... (107 N/cm2) 1,9 2,0
teur appliqué à la microélectronique et que l’on redécouvre avec
d’excellentes propriétés mécaniques et d’innombrables possibilités Masse volumique.............. (g/cm3) 2,3 7,9
de combinaisons pour réaliser des fonctions optiques, chimiques
ou biochimiques. Le tableau 1 compare les propriétés mécaniques Conductivité
de l’acier et du silicium. Ajoutons à cette comparaison chiffrée le thermique .................. (W/cm · oC) 1,57 0,329
caractère cristallin du silicium qui permet d’assurer une totale Dilatation thermique ...... (10–6/ oC) 2,33 17,3
reproductibilité de ses propriétés.

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La technologie des microsystèmes est héritière de toutes les

technologies mises au point pour la réalisation de composants
électroniques, de circuits intégrés numériques ou analogiques et Masque SiO2
de dispositifs de puissance forts courants ou fortes tensions. Ce < 111 >
sont des technologies très complexes, combinant de nombreuses L < 100 >
opérations successives d’oxydation, d’implantation, de diffusion, 54,7°
de dépôts de couches alternées avec des opérations de photolitho- d
graphie qui déterminent les formes planaires des différents motifs.
L’ensemble de ces opérations se trouve détaillé dans la rubrique Si < 100 > Si < 100 > Si < 100 >
Microélectronique de ce traité. Deux idées devront toutefois être
retenues.
Figure 2 – Forme typique de cavité réalisée par gravure
■ La mise en œuvre de ces technologies microélectroniques est si anisotropique dans la direction <100>
pointue qu’il n’est pas recommandé d’en modifier les règles pour
obtenir leur compatibilité avec les technologies microsystèmes. Il
faudra, le plus souvent, se limiter à choisir des substrats différents,
à leur appliquer sans modification le cycle technologique habituel
de la microélectronique, et à compléter par des technologies mélange HNO3 /HF est le plus utilisé. Il procède par un mécanisme
nouvelles ne modifiant aucunement les caractéristiques des opéra- cyclique d’oxydation et d’attaque de la couche formée. C’est un
tions microélectroniques déjà réalisées. Cela suppose de travailler à usinage isotropique au sens où il est peu ou pas sensible à l’orien-
basse température (inférieure à 400 oC) et d’utiliser des agents tation cristalline du silicium. Plus important pour les microsys-
chimiques peu agressifs. tèmes est l’usinage anisotropique.

■ Compte tenu des contraintes que l’on vient d’évoquer, la

conception des microsystèmes se trouve toujours devant le choix
2.1.2 Usinage anisotropique du silicium
d’une option « monolithique » ou d’une option « assemblée » dite
hybride. L’option monolithique est évidemment la plus attractive
lorsque les contraintes de réalisation supplémentaire des opéra- C’est un procédé par voie liquide utilisé ponctuellement depuis
tions propres aux microsystèmes ne dégradent pas trop les rende- de nombreuses années : il avait, par exemple, été proposé dans les
ments de production et n’impliquent pas des augmentations de années 1970/1980 pour les réalisations de « V Grooves » en tech-
coûts prohibitifs par l’accroissement des surfaces introduites par nologie MOS de puissance [2].
l’insertion des composants microsystèmes. L’option hybride
s’impose le plus souvent, au moins dans un premier temps. Elle Les microsystèmes en font un procédé essentiel pour la réalisa-
permet de se libérer des contraintes technologiques et de réutiliser tion des membranes ou de poutres en silicium massif. La figure 2
des savoir-faire déjà éprouvés avec, toutefois, des risques renforcés montre un procédé classique d’attaque anisotropique : sur une sur-
au niveau de la maîtrise des interconnexions et du conditionnement face de silicium <100>, une ouverture est pratiquée dans une cou-
terminal. che protectrice, le plus souvent SiO2 ou Si3N4 . L’attaque s’effectue
par les radicaux (OH) présents dans le mélange qui fragilise les
Si l’on considère que les dépôts de couches nouvelles sont des liaisons Si—Si, dans les directions de moindre densité. La face
procédés spécifiques à chaque application visée, le procédé <111> apparaît la plus lente à attaquer et détermine la forme finale
technologique générique des microsystèmes est celui du micro- de la cavité.
usinage du silicium. Il y a deux types de micro-usinage :
Le tableau 2 donne les caractéristiques comparées des prin-
— le micro-usinage de volume, isotropique ou anisotropique,
cipaux produits utilisés pour la gravure anisotropique.
par voie liquide ou par bombardement ionique, qui réalise des
formes dans la masse du substrat de silicium ; On commence à bien connaître le mécanisme mis en jeu pour
— le micro-usinage de surface, qui réalise des structures sus- définir l’anisotropie d’attaque : le vecteur de dissolution du sili-
pendues dans les couches superficielles déposées sur le silicium cium dépend du nombre de radicaux (OH) absorbés et donc de la
sans affecter profondément le substrat. Le micro-usinage de sur- configuration de surface [3]. Le tableau 3 présente toutes les
face nous donnera l’occasion de revenir sur les matériaux consti- configurations possibles et les énergies de dissolution qui peu-
tuant les couches et sur différents procédés d’usinage. Parmi ces vent bien être associées par comparaison avec les résultats expé-
derniers émerge un procédé d’usinage de couches épaisses de rimentaux.
résines, lancé à la fin des années 1980 par les équipes de
Karlsruhe, et connu sous le nom de LIGA (Lithographie Galvano- La figure 3 montre le diagramme de vitesses relatives d’attaque
formung und Abformung ). Il s’impose progressivement, avec quel- selon les différentes directions cristallines <100>, <140> et <110>
ques aménagements, dans la réalisation des pièces rapportées sur sur les 3 plans de simple coupe ϕ = 0o, ϕ = 14o et ϕ = 45o.
silicium d’épaisseurs comprises entre 10 µm et 1 mm.
Les problèmes sont plus complexes qu’il n’y paraît si l’on veut
À côté des technologies de micro-usinage, une autre spécificité entrer dans les effets de concentration ou de température.
des microsystèmes que nous détaillerons est celle de leur condi-
tionnement et des assemblages de puces. Un dernier point pratique doit être évoqué avec la question de
l’arrêt d’attaque. En effet, si les flancs d’attaque sont d’une extrême
précision puisque définis par les propriétés cristallines, l’arrêt de la
profondeur d’attaque reste un obstacle dans l’industrialisation du
procédé. Plusieurs méthodes sont possibles :
2.1 Micro-usinage de volume
— parfaite maîtrise de la vitesse d’attaque ;
— utilisation des couches très dopées P, en tirant parti de
2.1.1 Usinage isotropique du silicium l’abaissement de la vitesse d’attaque au-delà du dopage de
1019 atomes de bore/cm3 (figure 4, p. 6) ;
L’usinage chimique est bien connu et largement utilisé en micro- — utilisation de jonctions P-N comme indicateur de la limite
électronique dans la préparation des substrats de silicium. Le d’attaque, dont on mesure la présence par voie électrique.

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Tableau 2 – Quelques caractéristiques typiques des principales attaques (gravures) anisotropiques (1)
Performances EDP KOH TMAHW TMAHP
Vitesse de gravure du Si <100>...................... (µm/h) 30 à 65 150 40 à 100 55
Qualité de la gravure très bonne très bonne moyenne moyenne
Sélectivité <111>/<100> 1/20 1/30 à 1/130 1/10 à 1/60 1/10 à 1/60
Vitesse de sous-gravure ................................. (µm/h) 1,4 à 2,9 0,5 à 2 0,2 à 1,9 0,7 à 2,7
Compatibilité CMOS (face avant) oui non oui oui
Sélectivité SiO2/Si 1/104 1/100 à 1/400 1/102 à 1/103 1/102 à 1/103
Sélectivité Si3N4/Si 1/104 1/150 à 1/350 1/150 à 1/350
Gravure de l’aluminium moyenne rapide lente avec Si dopé lente avec Si dopé
Couche d’arrêt de la gravure couche dopée bore couche dopée bore couche dopée bore
Toxicité élevée faible faible faible
Stabilité à long terme médiocre très bonne moyenne moyenne
Coût élevé faible moyen moyen
(1) EDP : éthyldiaminepyrocatéchol ; KOH : potasse ; TMAH : hydroxyde de tétraméthylammonium, – W : avec eau, – P : avec propanol.

Tableau 3 – Possibilités de rupture des liaisons Si—Si

et leurs diverses configurations possibles (1) 6
ϕ = 0°
Possibilités 4
Configuration Énergie
Nombre de rupture
(équivalence en associée (2) 2
de radicaux par absorption
liaison Si) (eV) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
des radicaux OH
6
Vitesse (u.a)

ϕ = 14°
OH
1 OH Si Si
P (3,4) 0,95 4

2
OH OH 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Si Si
P (3,3) 0,65
20
ϕ = 45°
2 OH
OH 10
OH Si Si P (2,4) 0,68
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
OH OH θ (°)
OH Si Si P (3,2)

3 OH Figure 3 – Détermination du diagramme polaire complet

OH de la vitesse de dissolution dans toutes les directions u de 0 à 90°
OH Si Si P (1,4) 0,56 à partir de la connaissance de la vitesse de dissolution pour certaines
OH orientations (points expérimentaux [4] et selon modèles [5] [16])

OH OH
OH Si Si P (3,1)

4 OH
OH 2.2 Micro-usinage de surface
OH OH
OH Si Si OH P (2,2) Le principe est de réaliser des structures suspendues par le biais
d’une couche sacrifiée : l’exemple le plus utilisé est celui qui
consiste à sacrifier des couches de SiO2 pour réaliser des couches
OH OH de silicium polycristallin suspendues comme le montre le procédé
5 OH OH Si Si OH P (2,1) de la figure 5.
OH
Le principe est particulièrement bien illustré dans le cas du
(1) Les cas zéro OH (a) et six OH (b) ne sont pas pris en compte car substrat SIMOX qui comporte une couche de Si cristallin sur une
concernant : couche enterrée de SiO2 [8] [17]. L’enlèvement de la couche de
(a) une liaison dans le volume du substrat ; SiO2 au travers d’une fenêtre pratiquée dans le silicium est un pro-
(b) un doublet d’atomes de silicium détaché de la surface. cédé très performant de réalisation de microcapteurs de pression
(2) Valeurs des énergies de liaison des configurations prédominantes. (figure 6).

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102 Couche sacrifiée Couche sacrifiée

Vitesse d’attaque ( µm/h )

5
Substrat Substrat
2

10
a dépôt de la couche b ouverture de la
5 sacrifiée couche sacrifiée

2 Couche de structure Microstructure libérée

1

5
Substrat Substrat
Concentration en KOH
2
10 %
10–1 24 % c dépôt de la couche d attaque sélective de la
42 % de structure couche sacrifiée
5
57 % La couche sacrifiée est de la silice ; la couche suspendue ou libérée est
Silicium < 100 > du silicium polycristallin.
2
60 °C
–2
10 Figure 5 – Micro-usinage de surface, basé sur les propriétés
1017 2 5 1018 2 5 1019 2 5 1020 d’attaque sélective des matériaux
Concentration en bore (cm–3)

Vitesse relative d’attaque a attaque par KOH [6]

10
5

2
1
5

2
10–1
5
Concentration en TMAH
2 40 % en masse
10–2 30 %
5 20 %
10 %
2
5% Figure 6 – Capteurs de pression réalisés par couches sacrifiées
10–3 et substrat SIMOX (source Leti)
1018 2 5 1019 2 5 1020 2 5 1021
Concentration en bore (cm–3)

b attaque par TMAH (hydroxyde de tétraméthylammonium [7])

L’intérêt du procédé LIGA (Lithographie Galvanoformung Abfor-
La vitesse d’attaque est indépendante du type de dopants (P ou N) et
mung pour Lithographie-électrodé position-moulage) est de tra-
de leur concentration jusqu’à 1019 atomes/cm3 . Pour une concentration vailler sur des couches épaisses pouvant atteindre un millimètre. À
19 atomes/cm3 , la vitesse chute rapidement.
supérieure à 10 l’origine, cette possibilité était liée à l’usage du rayonnement syn-
chrotron (figure 7) [9]. De plus en plus, on développe des résines
qui, exposées aux UV, sont capables de définir des géométries pré-
Figure 4 – Influence de la concentration en dopants bore cises au micromètre près sur des épaisseurs excédant 1 mm. Deux
sur la vitesse d’attaque de KOH et de TMAH [6] [7] axes applicatifs sont associés à ce procédé. L’un consiste à fabri-
quer des micromoules et permettre la fabrication collective de
micro-objets. L’autre réalise la fabrication de micro-objets directe-
ment sur silicium.
Le procédé de la couche sacrifiée est général et peut s’adresser Ce procédé tend à se développer dans des directions très
à d’autres matériaux et d’autres combinaisons de couches. Il est à diverses : électronique, mécanique et optique ; des moteurs élec-
la base de la mise en relation du procédé LIGA et des technologies trostatiques pas à pas, des bobinages, des réseaux optiques ont
« silicium. » déjà été réalisés et proposés commercialement.

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Couche de
polymère
Rayons X issus
du synchrotron
Masque pour
les rayons X Base galvanoplastique Métal déposé par électrolyse

1 2 3 4

Plaque de Moule en
Trous moulage plastique
d’injection
Matrice métallique
Couche de Métal déposé Structure métallique copiée
libération par électrolyse

5 6 7 8

1 Un substrat, recouvert d’un polymère, est exposé à un rayonnement UV émis par un synchrotron à travers un masque photolithographique

2 Les zones du polymère exposées sont éliminées par voie chimique

3 Un métal est ensuite déposé dans la cavité

4 Le polymère résiduel est à son tour éliminé

5 Du plastique est injecté par les trous d’injection d’une plaque de moulage

6 La matrice métallique, réutilisable, est détachée du moulage en plastique

7 Un métal est déposé par électrolyse dans le moulage

8 La plaque métallique est libérée après élimination du moulage et du plastique

Le procédé est répétitif

Figure 7 – Procédé LIGA pour la réalisation d’objets sur silicium

2.3 Interconnexions, assemblages Dans ce cas, un support d’interconnexions, souvent multicouche,

permet de relier les composants électroniques entre eux. Les
et conditionnements composants sont en général préconditionnés et disposés à plat sur
la plaque support. Une tendance récente est d’utiliser des puces
L’expérience récente montre que le développement des micro- nues interconnectées à même le support. L’objectif reste la réduc-
systèmes est très lié à la résolution des problèmes d’assemblage
tion des coûts par la réduction des dimensions et du nombre
et de conditionnement. d’opérations. La figure 8 présente de manière synthétique les prin-
Par principe même, les microsystèmes sont l’association de cipales options actuelles dites MCM pour Multi Chip Modules.
fonctions multiples, pluridisciplinaires, au-delà même de celles que
la technologie « silicium » seule peut réaliser. Il faut donc procéder Les microsystèmes ne peuvent pas encore se prévaloir des
à des assemblages de puces silicium et de micro-objets, et réaliser standards d’assemblages mais on peut dire qu’ils s’inspirent des
les interconnexions qui s’imposent, c’est-à-dire électriques, le plus avancées de l’assemblage en microélectronique. Ils conservent le
souvent, mais aussi fluidiques et optiques. Les approches qui se principe d’un support d’interconnexion électrique, complété par
développent sont, une fois de plus, dérivées de solutions de la d’autres niveaux d’interconnexion fluidique, optique ou électrique
microélectronique et se définissent comme l’approche hybride. comme l’illustre la figure 9.

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Trou traversant métallisé

Puce « Flip-Chip » Scellement Scellement
Puce Puce montée par adhésif sans apport
microcâblée en « TAB »

Substrat Substrat multipuce

Connecteurs multipuce « MCM - 2,5 D »
(pointe, bossage Conduites
« MCM » fluidiques
ou broche)

Microélectronique Microsystème

TAB : Tape Automated Bonding

Figure 8 – Présentation des assemblages MCM
Les connecteurs sont souvent de type BGA (Ball Grid Array) ou PGA (Pin Grid Array)
2D en microélectronique 2D et extension
au microsystème MCM-2,5D [10]

hν Puce détectrice
Optique Antenne intégrée
hν
Microsystème Fibre optique

Interconnexion
fluidique
Circuit de lecture Interconnexion
silicium métallique
Signal vidéo
Éclairement IR

Substrat transparent (Cd Te)

Jonction PN
Connexions électriques Radiateur Connexions
et support mécanique Couche photosensible (Cd Hg Te)
Bille d’indium
Figure 9 – Assemblages électrique, fluidique et optique
d’un microsystème

CCD silicium

Il est probable que bon nombre de réalisations des premières

générations se présenteront sous cette forme d’assemblage qui va Détecteur Cd Hg Te / multiplexeur CCD silicium
au-delà de l’assemblage plan sans être, à proprement parler, un
assemblage 3D caractérisé par le fait que l’on associe les puces par Figure 10 – Matrice de détecteurs infrarouges en tellurure
empilement de plusieurs couches. de cadmium et de mercure (Leti)
La technologie « Flip Chip », développée initialement pour les
interconnexions de puces « mémoires » est une candidate impor-
tante pour les assemblages microsystèmes. La figure 10 illustre
cette possibilité avec les matrices d’imageurs IR qui associent un réalisent des microcavités enterrées où peuvent circuler des fluides
substrat de silicium pour le traitement du signal et une matrice de liquides ou gazeux.
détecteur IR de type MCT (Mercury Cadmium Telluride ), par des Ces exemples montrent que, en matière de microsystèmes, il
microponts métalliques intégrés. faut prendre en compte les parties d’assemblage et de condition-
Le projet expérimental BARMINT indique un autre chemin nement dès le début de l’étape de conception. Dans la mesure où
d’assemblage sur la base du procédé breveté par Thomson et capteurs, actionneurs, interconnexions, traitements du signal et
développé par la société 3D+. Les différentes puces sont empilées systèmes de commande sont associés dans un même produit, il
après avoir été, comme dans les assemblages 2D, placées sur un faut concevoir l’architecture interne, les entrées-sorties et la
premier support d’interconnexion. L’originalité du procédé est de relation à l’environnement. Dans certains cas, c’est l’herméticité de
réaliser les interconnexions sur les flancs du cube ainsi formé par l’assemblage qui en fera la performance. Dans d’autres, c’est
les usinages d’un bloc de puces enrobées de résine. On observe l’ouverture à l’extérieur et le contrôle des échanges chimiques
sur la figure 11 que des zones étanches à la pénétration de résine (figure 12).

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En microsystèmes, les bibliothèques de composants sont encore

insuffisantes, les modèles encore imprécis, et les technologies non
Micropompe
LAAS
encore standardisées. Il faut donc procéder à des essais expéri-
Substrat
de silicium mentaux intermédiaires pour rendre opérationnelles toutes les
avec cavité fonctionnalités d’un produit. Toutefois, pour rester dans la perspec-
tive, à terme, d’une conception descendante, nous avons choisi de
Capteurs présenter quelques composants de base avec leur modèle de fonc-
physique et
tionnement, en attendant de présenter quelques applications pour
chimique
illustrer les filières technologiques et la complexité de conception.
Puce (Asic, Nous distinguons ici les microcapteurs des microactionneurs.
Substrat
convertisseur
de verre
photovoltaïque,
…)
Câble d’or
3.1 Fonctions capteurs

,
Puces de test
(température, Les capteurs sont nombreux et divers à pouvoir s’intégrer dans
contrainte)
une conception microsystème de type hybride. Mais nous
NMRC TIMA TUB
Interconnexions resterons, ici, très proches des technologies silicium qui restent la
électriques voie principale d’intégration monolithique, et nous ne présente-
rons que des principes bien établis par des réalisations effectuées
Film Alimentation Substrat
époxy de silicium au laboratoire ou dans l’entreprise.
adhésif

3.1.1 Capteurs mécaniques

Figure 11 – Schéma général du démonstrateur BARMINT

,,,,
Ils sont à base de membranes ou de poutres micro-usinées dont
le déplacement témoigne des forces qui s’y exercent, forces dues
à la pression ou à l’accélération. Cette mesure peut s’effectuer de

,,,,
deux manières :
Maillage en fils — par la voie capacitive : on mesure alors la distance qui sépare

,,
la membrane ou la poutre mobile de l’électrode placée sur la partie
fixe ;

,, ,,
Enveloppe de nylon — par jauges de contraintes, judicieusement placées dans la
Filtre en charbon poutre ou la membrane. Le plus souvent, ces jauges sont réalisées
de bois dans une couche mince de polysilicium par diffusion dans le sili-

,, ,,
cium massif.

,,
Maillage en fils Deux axes de réalisation sont couramment retenus :
Fil d’or — capteurs obtenus par usinage de volume et assemblage de
Enveloppe métallique
Puce (capteur) deux puces réalisé de manière hermétique, sous vide par exemple,
pour obtenir un capteur de pression absolue, ou encore réalisés
avec un accès des deux côtés de la membrane pour obtenir un
Support du boîtier capteur différentiel ;
en métal
— capteurs réalisés par usinage de surface dont on a donné,
déjà, deux exemples (cf. figure 1 et figure 6).
MGS 1100 La figure 13 détaille un exemple d’accéléromètre de très
grandes performances utilisant trois puces de silicium.
La puce du capteur est soudée au boîtier métallique de type
SENSEPACK. Une couche filtrante imprégnée de charbon de bois au- La figure 14 présente les modèles les plus simples pouvant être
dessus du boîtier métallique est protégée par une enveloppe de nylon utilisés pour les conceptions de systèmes plus complexes.
(le filtre réduit les effets des gaz qui peuvent interférer). Une structure
maillée est maintenue dans la partie supérieure ouverte de l’enveloppe
en nylon. 3.1.2 Capteurs optiques
L’intégration optique et optoélectronique sur puce de silicium est
Figure 12 – Exemple d’assemblage et de conditionnement engagée depuis plusieurs années, principalement supportée par
(SnO2 - Motorola-Sagem) les besoins pour les télécommunications par fibre optique mais
aussi par les applications en capteurs chimiques. On sait en parti-
culier réaliser des fibres optiques intégrées sur silicium et y repor-
ter une source de lumière réalisée en matériau III-V. Cela permet
l’obtention de différentes fonctions intégrées de couplage optique
3. Fonctions de base et ouvre la voie à l’intégration de systèmes plus complexes d’ana-
des microsystèmes lyse optochimique par interféromètre de Mach-Zende et par
spectrométrie. Les applications sont le sujet de nombreux travaux
de recherche.
L’objectif est, en microsystèmes comme en microélectronique, La demande en applications optiques a été marquée ces der-
de pouvoir procéder à une conception descendante, c’est-à-dire de nières années par le développement des matrices pour imageurs
partir des spécifications générales d’un produit et d’avancer par dans le domaine du visible et du proche IR et dans le domaine de
simulations d’assemblages proposées par le concepteur. Les résul- l’IR lointain : 3 à 5 µm et 8 à 14 µm. Dans le domaine du visible, le
tats des simulations donnent une évaluation précise des perfor- fait marquant est l’émergence des rétines intelligentes réalisées en
mances, de l’encombrement et des procédés de fabrication technologie CMOS ou BICMOS classiques. La possibilité de mettre
afférents : c’est la conception microélectronique qui permet de ne dans la même puce les éléments sensibles et un prétraitement ana-
lancer les fabrications qu’avec de très grandes chances de succès. logique et numérique permet de réaliser des traitements en temps

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a élément actif

a matrice de microbolomètres intégrés (320 x 240)

Gamme : ± 1 à 100 g
Stabilité de la polarisation : < ± 10 mg
Stabilité du facteur d’échelle : ± 0,5 % Rayonnement IR
Nitrure de silicium et
Erreur de linéarité : < 0,2 %
oxyde de vanadium
Largeur de bande : 0 à 200 Hz 50 mm
Gamme de température opérationnelle : – 40 à 100 °C
Vibrations : 30 g (écart-type) Métal Y 0,5 mm
2,5 mm
b caractéristiques du produit B
E
Figure 13 – Vue en coupe de l’accéléromètre de Sextant Transistor bipolaire
Métal X monolithique

Bordure b vue schématique d’un pixel

Figure 15 – Imageur thermique

Poutres

Masse réel : extractions de contour, poursuite d’objets, détection de mou-

x vements très performants. Dans le domaine de l’infrarouge loin-
tain, nous avons déjà signalé des réalisations exemplaires
y associant des matrices de points sensibles en MCT et des puces
silicium (cf. figure 10).
z
Mais le plus illustratif de l’approche microsystème est l’appari-
a capteur inertiel tion des premiers imageurs thermiques par intégration de micro-
bolomètres. La figure 15 donne un descriptif de l’imageur.
Bordure L’utilisation des bolomètres « suspendus » réduit les pertes ther-
miques et permet de détecter des énergies extrêmement faibles.
L’assemblage direct sur substrat de silicium permet d’aboutir à un
Poutres ensemble très compact et très peu coûteux qui, au-delà des appli-
cations militaires bien évidentes, ouvre la voie aux applications
Masse
x
civiles pour des questions sécuritaires, notamment dans l’auto-
mobile. Le tableau 4 donne, à titre d’exemple, un résumé des per-
formances actuelles d’un de ces nouveaux dispositifs.
y
z
Tableau 4 – Performances de la matrice bolométrique
b accéléromètre
U3000 Boeing
• Format TV RS-170
• Dimension d’un pixel : 51 µm2
• Bande spectrale : IR 8 à 14 µm
Ω
• Différence de température équivalente au bruit
(ouverture F/1) : < 85 mK
z • Interface de sortie : CMOS
• Robustesse
• Intégré en boîtier sous vide faible coût
y • Stabilisateur de température intégré
c gyroscope • Matrice microbolométrique monolithique dans le plan focal
x • Détecteur microbolométrique infrarouge non refroidi
Figure 14 – Différents modèles de capteurs simples • Format image TV 320 × 240 pixels

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3.1.3 Capteurs magnétiques

On a assisté ces dernières années à de nombreux exemples
d’intégration monolithique sur silicium de capteurs de Hall avec
leur électronique de traitement [19] [20].
Ce sont des dispositifs bien adaptés à la mesure industrielle.
Pour des mesures plus fines, il faut signaler :
— les capteurs magnétiques géants (figure 16) ;
— l’intégration des microbolomètres sur silicium (figure 17).

3.1.4 Capteurs chimiques et biochimiques

Les capteurs chimiques à l’état solide sont le plus souvent basés
sur la modification d’un des paramètres électriques de dispositifs
d’absorption, introduite par des molécules que l’on désire détecter
et mesurer. L’exemple le plus ancien et certainement le plus étudié
est celui de la variation du travail de sortie d’un cristal en fonction
de la nature de l’espèce chimique absorbée.
Dans le domaine des capteurs de gaz, le dispositif le plus Figure 18 – Nez électronique
répandu est le capteur à l’oxyde d’étain (SnO2). Porté à tempéra-
ture élevée, il est légèrement conducteur et voit sa résistance
varier lorsqu’il est exposé à différents gaz : O2 , CO, CO2 , H2O... Il
peut être traité par dopage métallique, pour réaliser une certaine
différenciation des espèces. Bien que cette différenciation soit rela-
tivement faible, il est possible, par fusion multisensorielle, de
détecter des espèces précises et même de faire une certaine Vgrille ou VREF
quantification : c’est le nez électronique illustré par la figure 18.
Électrode de référence
Les composants étaient initialement réalisés par frittage. Ils sont
aujourd’hui réalisés en couches minces et illustrent parfaitement
l’émergence des technologies microsystèmes. La couche mince de
SnO2 est placée sur une membrane fine micro-usinée sur silicium
et chauffée par un thermoélément. La réduction des dimensions
permet de réaliser des mesures en transitoires thermiques qui sont Solution
plus reproductibles et plus fiables que les mesures statiques,
notamment en présence de plusieurs espèces en compétition [18]. Encapsulant
Vdrain-source Membrane
drain source
sensible
aux ions
SiO2
N+

Si type P

Figure 19 – Schéma de principe du capteur ISFET (Ion Sensitive Field

Figure 16 – Exemples de têtes de lecture (Leti) (Crédit photo PHS) Effect Transistor )

On a pensé, avec la découverte des ISFET par J. Bergveld en

1972, avoir trouvé le chemin d’obtention d’un capteur universel,
compact et bon marché. Le principe se fonde sur la variation des
charges incidentes à la surface d’un semi-conducteur par l’absorp-
tion des espèces chimiques. Cette variation est mesurée par le cou-
rant de canal d’un transistor MOS « sans grille » (figure 19). Utilisé
en milieu aqueux, l’ISFET est devenu un dispositif aux performan-
ces comparables à celles des électrodes de verre. Il mesure le pH,
par le potentiel de la couche limite de Helmoltz définie par l’équi-
libre des absorptions des radicaux H+, OH– sur la surface du semi-
conducteur. De nombreux systèmes dérivés ont été réalisés pour
être spécifiques d’autres espèces en phase liquide ou gazeuse.
Nous en avons inventorié quelques-uns dans le tableau 5. Ils
jouent sur la nature différente des membranes interposées entre la
Figure 17 – Microbolomètres sur silicium (Crédit photo PHS) surface du semi-conducteur et l’environnement.

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Tableau 5 – Caractérisation des membranes ionosensibles Membrane poreuse

Électrodes en or
Sensibilité
Ion Nature de la membrane Ions
détecté sélective interférents
(mV/unité de pH)

H+ Hexabutyltriamido- 55 /
phosphate
K+ Verre aluminosilicate 50 Na+
+
K+ Valinomycine 57 à 59 NH 4
Na+ Verre aluminosilicate 56 à 58 K+ Électrode en plomb
Na+ Calix [4] arèneéthylester 59 / Plaques de silicium micro-usinées et assemblées

Na+ Films Langmuir - Blodgett 52 /

Figure 20 – Vue en coupe de la pile de Hersch intégrée
Ag+ Ag2S 58 à 59 /

Ag+ Verre chalcogénide 59 /

(Ag - As - Se - Te)
+ tetrakis [4] Borate
NH 4 de potassium
54 à 55 /

F– LaF3 58 à 59 Cl–
Br– AgBr 49 à 59 Ag+ Plaquette
de silicium
Sel de tétracétyl-
Cl– ammonium
55 halogénures
Puce de
– Nitrate de tétradodécyl-
NO 3 ammonium
55 / N x 128
électrodes
2–
CrOH 4 PbSO4 29 /
Cu2+ As2Se3 29 /

Cd2+ Verre chalcogénide 25 /

(Ag - As - Cd - S)
Dioctylphénylphosphate
Ca2+ de calcium
24 à 26 /

Ca2+ Films Langmuir - Blodgett 23 /

Malgré des années d’effort, cette filière est encore, pour la plu- Figure 21 – Biochip réalisé par électrodéposition (CEA-Leti)
part des espèces, au stade de recherche-développement à cause
d’effets d’empoisonnement (espèces absorbées non désorbables),
d’instabilités de mesures à long terme et de non-sélectivité. En restant dans ce domaine de la mesure biologique, il faut
Les capteurs électroniques ont, plus récemment, été étendus signaler l’émergence d’une approche multisensorielle qui est en
dans la perspective de leur intégration sur silicium : nous pren- train de révolutionner le domaine de l’analyse et du diagnostic
drons ici l’exemple de la cellule de Hersch pour la mesure de médical. Cette approche se dénomme « Biopuce » pour Biochip en
l’oxygène : d’autres espèces sont mesurables lorsque l’on fait anglais. L’idée consiste à réaliser une matrice de points de mesure
varier la tension appliquée entre deux électrodes placées dans un où chaque point est rendu spécifique par fixation d’une espèce bio-
milieu électrolytique (cellule de Clarke). La figure 20 donne une chimique particulière : un segment d’ADN par exemple. Le point ne
vue en coupe de la cellule : une membrane perméable à l’oxydant sera réactif qu’à l’espèce qui lui correspond (hybridation) de sorte
est emprisonnée entre deux puces de silicium micro-usinées. La que, si l’on expose la matrice de points à un milieu inconnu, on
partie active comporte une cavité remplie de l’électrolyte et de pourra, en une seule exposition, connaître la présence ou non de
deux électrodes de la cellule réalisées en Au pour la cathode et en toutes espèces correspondant aux points sensibles. On peut faire
Pb pour l’anode. Toute trace de O2 diffusant jusqu’à l’électrode d’or ainsi, très vite, un séquencement génétique et établir un diagnostic
déclenche le passage d’un courant proportionnel à la concentration à partir des points ayant réagi ou n’ayant pas réagi. Le principe
de O2 en surface de l’électrode. s’applique aussi bien à l’analyse biologique qu’à l’analyse chimi-
que. Il tire parti de deux concepts :
Les capteurs chimiques peuvent aussi être utilisés pour mesurer
des espèces biologiques dans la mesure où ces espèces peuvent, 1) la spécification des points sur une matrice ;
dans les réactions propres et sélectives favorisées par la présence 2) la détection point par point de la réactivité au milieu inconnu.
d’enzymes, modifier l’équilibre de l’espèce sensible. En l’occur- Le point 1 est nécessairement long et délicat mais, s’il est réalisé
rence, la présence de l’enzyme glucooxydase dans la membrane collectivement sur un grand nombre de matrices, le coût ramené à
conduit à une mesure possible du glucose, par la réaction : une expérience peut être très faible. Les initiateurs de cette appro-
O2 + glucose → glucooxydase + gluconolactone + H2O che ont, aux États-Unis, choisi de fixer l’espèce détectrice par voie
d’excitation optique (photolithographique), ce qui permet de réali-
D’autres espèces peuvent être mesurées par le même principe ser des matrices très denses (plus de 10 000 points). [Link] en
(tableau 6). France utilise des fixations par voie d’électrodéposition (figure 21).

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Tableau 6 – Exemples de mesures microchimiques à partir de cellules électrochimiques (1)

Substrat Enzyme Électrode Immobilisation
Adénosine Adénosine désaminase pNH3 Enzyme soluble
5’-AMP AMP désaminase pNH3 Enzyme soluble
Chloroforme (Pseudomonas putida ) hydrolase Cl– GA + BSA
Créatininase pNH3 BSA
Créatininase pNH3 GA + BSA
Créatinine
Créatine désaminase pNH3 Collagène activé ou intestin de porc
Glutamate déhydrogénase + créatinine désaminase pNH3 Adsorption sur PVC humide
Enzyme soluble
FAD Alcaline phosphatase + adénosine désaminase pNH3 BSA + GA
Fluorure Uréase pNH3 GA + polypropylène
GOD Électrode de verre Gel de polyacrylamide
GOD + HRP I– Matrice de PVC
Glucose GOD + catalase Pt Gel de polyacrylamide
Glucose déshydrogénase Pt Gel de polyacrylamide
GOD Pt/graphite/polymère Enzyme soluble
Membrane redox
Lactate déhydrogénase (PVC + ferrocène) Gel de gélatine
Lactate
Lactate oxydase + HRP F– Gélatine + GA
Maltose Glucoamylase + GOD + HRP F– Gélatine + GA
Oxalate oxidase pCO2 Enzyme soluble
Oxalate
Oxalate décarboxylase pCO2 Enzyme soluble ou glutamine + BSA
Oxaloacétate Enzyme artificielle pCO2 Enzyme soluble
Carbodiimide
Pénicilline Pénicillinase Sb/Sb2O3 Gel de polyacrylamide
BSA + GA
Pesticides Butyrylcholine estérase Électrode de verre GA + HSA
Salicylate Salicylate hydroxylase pCO2 Enzyme soluble

Acide urique Uricase pCO2 Enzyme soluble

BSA + GA
(1) AMP : adenosine monophosphate (monophosphate d’adénosine)
BSA : bovin serum albumin (albumine sérique bovine)
FAD : flavine-adénine dinucléotide
GA : glutaraldéhyde
GOD : glucose oxydase
HRP : horseradish peroxidase (peroxydase de raifort)
HSA : human serum albumin (albumine sérique humaine).

Le point 2 utilise le plus souvent un marqueur fluorescent et une Ainsi, si l’on regarde comment varie le couple électrique Cm dans
mesure globale par caméra optique. Mais le domaine de la lecture les machines électromagnétiques comparativement [12] à celui des
est ouvert et devrait bénéficier des avancées de la nanoélectro- systèmes électrostatiques Ce lorsque les dimensions géométriques
nique et de la lecture par microsonde à force atomique. diminuent de façon homothétique selon un facteur d’échelle α :
— dans le domaine électromagnétique, on obtient dans le
meilleur des cas :
3.2 Fonctions actionneurs Cm′ = α 3,5C
m

— dans le domaine électrostatique, pour le pire cas :

Les microactionneurs intégrés sont un concept récent de la fin
des années 1980, bien préparé il est vrai par un effort continu en C e′ = α 2Ce
miniaturisation des objets mécaniques et optiques. La mobilisation
s’est faite autour des actionneurs électrostatiques, à la suite de la Dans l’exemple de la micropompe de la figure 22, on peut dire
réalisation du premier micromoteur rotatif décrit dans le traité qu’aux petites dimensions, de l’ordre du micromètre, les forces
Génie électrique des Techniques de l’Ingénieur. En effet, il a été électrostatiques deviennent extrêmement intéressantes à condition
démontré [11] que, pour de petites dimensions, l’énergie électro- de ne nécessiter que de très faibles déplacements. C’est une voie
statique devient plus intéressante que l’énergie électromagnétique. qui s’est beaucoup développée en actionneurs linéaires.

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Entrée Isolant Sortie

Électrode
du fluide du fluide
Cale

Si

Microvalve Chambre de mesure

a image MEB de la partie supérieure (miroir et ressorts)

Puce multicapteur

Figure 22 – Vue en coupe d’une micropompe électrostatique

3.2.1 Actionneurs électrostatiques

Les actionneurs électrostatiques sont couramment appliqués
pour la mise en mouvement de membranes et pour faire pivoter
des poutres. On bénéficie ainsi de forces de rappel mécaniques qui
viennent contrebalancer les forces électrostatiques qui font que les
électrodes s’attirent et se rapprochent, quelle que soit la polarité b image MEB de la partie inférieure
des tensions appliquées aux électrodes. Pour illustrer le fonc-
tionnement, nous prendrons le cas de la pompe électrostatique
(figure 22) et du miroir orientable (figure 23) qui sont des applica-
tions récentes des actionneurs électrostatiques.

3.2.2 Autres actionneurs intégrables sur silicium

■ La petitesse des dimensions autorise d’utiliser l’énergie ther-
mique comme actionneur avec des temps de réponses inférieurs à
la seconde. Deux voies ont été explorées :
— les actionneurs thermopneumatiques : on place la membrane
comme face d’une cavité dans laquelle on réalise un échangeur
thermique qui chauffe le gaz. Ce principe peut être appliqué à la
réalisation d’une micropompe (figure 24) ; la loi de fonctionne-
ment dynamique s’écrit [13] :
Ptp = P0 exp(– L0 /RT )
c micromiroir assemblé par technique CMS
avec Ptp élévation de pression à la température T,
P0 pression initiale,
L0 chaleur latente de vaporisation, Figure 23 – Système de déflexion électromagnétique
d’une microcaméra 3D (LAAS)
R constante molaire des gaz,
T température.
Elle traduit les pertes qui fixent la vitesse de retour à l’équilibre.
C’est un principe simple et fonctionnel mais relativement coûteux Ils étaient constitués de longs bâtonnets pour des déplacements fai-
en énergie ; bles. La tendance actuelle est d’utiliser un empilement de disques
— les actionneurs thermiques bimétalliques : on utilise là les piézoélectriques qui semble la solution efficace pour obtenir des
contraintes thermomécaniques en chauffant deux lames ou deux déplacements plus importants et exercer des forces importantes
plaques ayant des coefficients de dilatation thermique différents avec un encombrement réduit.
(figure 25). L’équation de fonctionnement est [14] :
■ D’autres types d’actionneurs entrant dans la panoplie des micro-
Pbm = (γa – γ b)∆T systèmes sont les micromoteurs, puisque, nous l’avons souligné
avec γa – γ b différence des coefficients d’expansion thermi- dans notre introduction, ce sont eux qui ont à Berkeley vraiment
que du matériau bimétallique et de la membrane, lancé l’ère des MEMS aux États-Unis. Si le procédé LIGA, mis au
point par la suite, est un outil précieux pour réaliser des micro-
∆T différence de température. objets par dépôts électrochimiques, on a vu qu’il nécessitait un
C’est un actionneur très compact mais délicat à mettre en œuvre. appareillage lourd pour mettre en œuvre des gravures profondes à
partir de photolithographie faisant appel à des résines du type
■ Les actionneurs piézoélectriques sont des actionneurs puissants PMMA poly(méthacrylate de méthyle), irradiées à l’aide d’un syn-
qui ont été utilisés dès l’origine des microsystèmes pour réaliser des chrotron. Ce handicap a suscité l’émergence de nouveaux procédés,
actionneurs de membranes ou de fonctions de contrôle de position. parmi lesquels, le « LIGA du pauvre » qui utilise une source UV pour

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Tube d’entrée Tube de sortie

Colle
Contacts électriques

Alumine
Résistance
chauffante Ta2N

Si Cavité

Figure 26 – Microstructures (LAAS) réalisées avec résine SU-8

Capteur de Microvalve Capteur Capteur de
pression chimique température (CIPEC)

Figure 24 – Vue en coupe d’une micropompe thermopneumatique

Couche
magnétique (Ni-Fe)
Entrée
du fluide Sortie Isolant (SiO)
Couche métallique du fluide

Si
Résistance diffusée Spire (Cu)

Microvalve Chambre de mesure Vue en perspective

dc Wc
Puce multicapteur

tl
tc
tm
Figure 25 – Vue en coupe de la configuration bimétallique
d’une micropompe Couche magnétique Isolant Spire

Vue en coupe

a bobine sandwich planaire

reproduire l’image d’un masque sur des résines à partir des outils
de photolithographie conventionnels de la microélectronique. Les
progrès faits dans les résines ont permis d’atteindre, avec des rési-
nes positives, des épaisseurs de l’ordre de 100 µm en une seule Spire
insolation UV, et même 200 µm en alternant les phases d’insolation
et de révélation. En résine négative (SU-8), on a atteint jusqu’à
1 200 µm (figure 26).
Les moteurs électromagnétiques restent candidats potentiels à
l’intégration sur silicium. Les recherches s’orientent aujourd’hui
sur la maîtrise des matériaux magnétiques en couches minces et
sur la réalisation de bobinages :
— pour les matériaux, la tendance est à l’utilisation des dépôts
électrolytiques de Fe/Ni ;
— pour les bobinages, deux voies sont possibles :
• entourer les couches de Fe/Ni par des conducteurs,
• ou inversement entourer le conducteur de matériaux magné-
tiques. Noyau en bandelette
Les technologies sont pour l’instant relativement coûteuses et b bobine intégrée de type « toile »
envisagées pour des usages à grande diffusion comme les micro-
convertisseurs de petite puissance (< 1 W).
La figure 27 donne deux exemples de réalisations actuelles. Figure 27 – Microbobinages sur silicium

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4. Applications Deux autres voies ont été ouvertes :

— l’une est d’utiliser les unités de production des circuits inté-
des microsystèmes grés et d’y associer, dans une deuxième étape, des procédés
complémentaires de micro-usinage, notamment pour réaliser les
puces, avant conditionnement. On bénéficie aussi des performan-
Cette rapide évocation des technologies et des composants suffit ces des unités de fabrication de circuits intégrés et des pratiques
à donner une idée des applications nombreuses des microsystè- bien connues de la procédure CMP (Chip MultiProjet ), qui permet
mes. Cette approche complète celle de la microélectronique en y de partager le coût de la plaque entre plusieurs utilisateurs. Des
ajoutant un objectif de système complet comportant les capteurs et initiatives dans ce sens ont été prises par le laboratoire TIMA à
les actionneurs. Elle oblige à une plus grande spécialisation des Grenoble ;
réalisations, à un traitement cas par cas des produits. Elle s’impose
chaque fois qu’un produit à fort volume de vente est identifié : — l’autre est de distinguer le capteur et l’actionneur du traite-
nous verrons quelques exemples de produits de ce type, déjà ment du signal en travaillant sur des microsystèmes par assem-
commercialisés. Mais beaucoup d’espoirs sont placés dans des blage de puces. L’idée est de standardiser un procédé de base
produits de petites séries à forte valeur ajoutée pour des applica- capable de réaliser une variété de dispositifs. À ce jour, deux
tions médicales, aéronautiques, spatiales et militaires. Il est donc exemples peuvent être mis en avant :
probable que les microsystèmes, comme la microélectronique, • en France, le procédé SIMOX se prête bien à une standardisa-
représenteront une technologie qui se répandra dans tous les sec- tion du procédé de micro-usinage de surface avec l’avantage de
teurs d’application. Le tableau 7 permet de comparer les modes de disposer d’une couche suspendue en silicium cristallin : différents
fonctionnement et les performances des différents types d’action- types de capteurs mécaniques peuvent être réalisés sur cette
neurs. base,
Au stade actuel, si la faisabilité technique des microsystèmes est • aux États-Unis, on assiste au développement de la procédure
bien établie, bien des problèmes restent à résoudre et, notamment, MUMPS (Multi-User MEMS Process ). Elle associe des couches
le problème industriel. Qui conçoit le produit ? Qui le fabrique ? alternées de silicium polycristallin, des couches superficielles de
Dans les exemples connus nécessitant de forts volumes de produc- SiO2 et des couches métalliques. Autour de ce procédé de base se
tion, des chaînes complètes de fabrication ont été mises en place construisent des outils de conception et de simulation dont l’effi-
dans des entreprises. C’est le cas des fournitures automobiles ou cacité a déjà été prouvée par plusieurs dizaines de réalisations dif-
des fournitures informatiques. Pour les séries plus petites, les solu- férentes. La figure 28 illustre ce procédé.
tions restent ouvertes et les pouvoirs publics, en Europe et dans le
monde, tentent de trouver les procédures facilitant l’accès des À côté de ces approches structurées sur le long terme, il reste
PME/PMI aux technologies à microsystèmes. possible, et c’est le cas le plus fréquent, de faire des études spéci-
fiques sur des produits spécifiques. La plupart des produits exis-
tant sur le marché ont procédé de cette manière. Le tableau A en
[Doc. E 2 305] donne quelques exemples d’actualité sur le marché
4.1 Filières d’accès aux technologies mondial [15].
à microsystèmes

La difficulté pratique du développement des microsystèmes est 4.2 Perspectives de développement

liée à l’importance des investissements qu’il convient de réaliser à moyen terme
pour des productions encore réduites. Cet inconvénient peut,
en partie, être surmonté par l’utilisation d’investissements déjà
réalisés pour la microélectronique et adaptés aux besoins de la Nous nous référons ici principalement aux études réalisées par
recherche et de la production des microsystèmes. l’organisation européenne NEXUS.

Tableau 7 – Tableau comparatif des différents actionneurs

Force ou pression
Mode d’actuation Disponibilité Fréquence Commentaires
développée (1)

Électrostatique Oui P α 2εε0[V 2/e 2] qq kHz Compact, simple et très efficace

en faibles déplacements

Magnétique Oui F α µ0Bi qq kHz Intégration en cours ;

couches magnétiques et bobinages

P α (γ 1 – γ 2 ) Compact, simple, efficace,

Bilame thermique Oui qq Hz très énergétique

Thermopneumatique Oui P α k ∆T qq Hz Très énergétique

Piézoélectrique Oui PαV qq kHz En cours de compactage

(1) V : tension
e : distance interplaque
V/e : champ électrique interplaque
B : induction magnétique
i : courant de bobine.

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_____________________________________________________________________________________________________________________ MICROSYSTÈMES

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Figure 30 – Matrice de miroirs (Texas Instr.)

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Les microsystèmes devraient se positionner sur un marché en
croissance moyenne de 17 %, étant entendu que, le plus souvent,

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Nitrure 1er oxyde 2e oxyde Métal il s’agit de produits totalement nouveaux dont le marché se crée
avec le produit. Quelques exemples de réussites potentielles réper-
Polysilicium 0 Polysilicium 1 Polysilicium 2 toriées pour les six prochaines années (1998-2004) sont :
Couche photorésistante — les microsystèmes pour l’analyse médicale ;
Étapes du processus technologique (vues en coupe) utilisant trois — les systèmes d’administration de médicaments ;
couches de polysilicium et des couches d’oxyde sacrifiées
(représentation schématique d’un micromoteur) — les écrans de projection et les écrans plats.

Figure 28 – Procédé MUMPS Nous avons déjà donné un exemple des potentialités du dia-
gnostic médical par matrices biochip sur la figure 21. Nous présen-
tons, sur les figures 29 et 30, un exemple de chacune des deux
Module de commande, autres catégories.
alimentation, contrôle
Réservoir contenant
la solution de réhydratation ■ Administration de médicaments
Anode Cathode
Ag/AgCl C’est un secteur important d’application car il constitue une voie
Ag
privilégiée sur une base donnée de produits actifs : en gérer
Na+ , Cl –
NaCl l’administration et en obtenir ainsi la plus grande efficacité (chro-
1 1 nologie de l’administration, précision de dosage, combinaison des
produits actifs...). La figure 29 donne un exemple d’étude en cours
utilisant un microactionneur à poudre pour réaliser une vanne
monocoup et pour vider le contenu d’un réservoir sur un système
Peau d’injection, en l’occurrence par voie transdermique.

2 ■ Projection d’images par matrice de miroirs

Des matrices de miroirs commandables ont été réalisées qui per-

Isolant électrique
mettent de projeter une image d’excellente qualité et de bon
Électrode Ag-Ag/AgCl contraste. La simplicité du système et son coût devraient ouvrir à
Matériau poreux contenant le principe actif déshydraté la technique de très importants marchés.
Système de réhydratation
Les perspectives de développement du marché, établies par
Figure 29 – Exemple de patch transdermique l’étude NEXUS, sont resumées dans le tableau B en [Doc. E 2 305].

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