‫الجـمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية‬

République Algérienne démocratique et populaire

‫وزارة التعليم الــعــالي و البحــث العــلمــي‬

Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique

‫جــامعة سعد دحلب البليدة‬

Université SAAD DAHLAB de BLIDA

‫كلية التكنولوجيا‬
Faculté de Technologie

‫قسم اإللكترونيـك‬
Département d’Électronique

Mémoire de Master
Mention Électronique
Spécialité Micro électronique

présenté par

Belhamidi Mohamed El Amine

&

Benaddad Hakima

Système de Récupération d’énergie

pour les applications à faible
consommation de puissance

Proposé par : Dr. Abdelhalim SLIMANE & Dr. Nacer Said

Année Universitaire 2017-2018

 Remerciements

En préambule à ce mémoire nous remerciant ALLAH qui nous aide et nous

donne la patience et le courage durant ces langues années d’étude.

Nous souhaitant adresser nos remerciements les plus sincères aux personnes
qui nous ont apporté leur aide et qui ont contribué à l’élaboration de ce
mémoire ainsi qu’à la réussite de cette formidable année universitaire.

Nous tenons d’abord à remercier très chaleureusement Dr. Abdelhalim SLIMANE

et Mr.Nacer Said qui nous ont permis de bénéficier de leur encadrement.
Les conseils qu’il nous a prodigué, la patience, la confiance qu’il nous a
témoignés ont été déterminants dans la réalisation de notre travail.

Nous tenons à remercier aussi Mr.Sidahmed Tedjini pour son aide précieuse
qu’il nous a soutenu tout au long de ce travail.
Nos remerciements s’étendent également à tous nos enseignants durant les
années des études.

Merci à tous et à toutes.

 :‫ملخص‬

‫يتم تقديم بنية فعالة إلدارة الطاقة الشمسية صغيرة النطاق لعقدة إنترنت األشياء ذاتية التشغيل في هذه المذكر‬.

‫ عمليات‬.‫العمارة المقترحة تتجنب المنظم الخطي و تتميز بمحول طاقة مكثف مبدّل رقاقة كامل لتحقيق كفاءة أعلى‬
‫ بغض النظر عن الظروف‬، ‫الهندسة المعمارية المقترحة تحصد الطاقة مرة واحدة فقط قبل الوصول إلى دائرة الشحن‬
‫ تم تصميم نظام إدارة الطاقة بالكامل باستخدام‬.‫ مقارنة مع العمارة التقليدية‬٪ 21 ‫ تم تحسين كفاءة النظام بنسبة‬.‫المحيطة‬
‫ تقنية‬CMOS ‫ ميكرومتر‬8120 ‫تبلغ‬

‫ الطاقة الشمسية‬:‫كلمات المفاتيح‬

‫دائرة الشحن‬

Résumé : Une architecture de gestion efficace de l'énergie solaire à micro-échelle pour

le nœud Internet des objets autoalimentée est présentée dans ce mémoire.
L'architecture proposée évite le régulateur linéaire et présent un convertisseur de
puissance à capacité commutée sur puce complet afin d'atteindre un rendement plus
élevé. l'architecture proposée ne traite l'énergie récupéré qu'une seule fois avant
d'atteindre le circuit de charge, quelles que soient les conditions ambiantes.
L'efficacité du système a été améliorée de 12% par rapport à l'architecture
traditionnelle. L'ensemble du système de gestion d'énergie a été conçu en utilisant la
technologie CMOS 0,18 μm.

.
Mots clés : Internet des objets
capacité commutée
Abstract :

An efficient micro-scale solar power management architecture for self-powered

Internet of Things node is presented in this memory of graduation. The proposed
architecture avoids the linear regulator and presents a complete on-chip switched
capacitor based power converter in order to achieve higher end-to-end efficiency.
Unlike traditional architectures, where the harvested energy processes twice, the
proposed architecture processes the harvested energy only once before it reaches to
the load circuit, irrespective of the ambient conditions. The system efficiency has been
improved by 12% over the traditional architecture. The entire power management
system has been designed using 0.18-μm CMOS technology node.

Keywords : Internet of Things

switched capacitor
Listes des acronymes et abréviations
OCSF : Objets Communicants sans fils

IOT : Internet of things

RF: Radiofrequency

ADS: Advanced Dising System

FCLK: clock Frequency

CU : Control unit

PV : Photovoltaïque

DC : Direct curent

MOSFET: Metal-oxide semi-conductor field effect

NMOS: Negative channel metal-oxide semi-conductor

PMOS: Positive Channel métal-oxyde semi-conducator

HF: Hyperfréquence

Fosc : fréquence oscillation

Dsp : dancite surfacique de puissance

Cb : super condensateur

Cl : condensateur de charge

Vref :tension de référence

Tosc : temps oscillation

Tplh, Tphl : temps de retard bas-haut , haut bas

Table des matières
Introduction générale……………………………………………………..………………………….……...……….1

Chapitre I : Etat de l’art

1. 1. Introduction …………………………………………………………………………………….…............3

1.2. Internet des objets et Capteur autonome ……………………………………….……….…....5

1.3 Récupération d’énergie pour applications IOT…………..…………………….…….….…….7

1.3.1 Architecture d’un récupérateur d’énergie ………………………………………………………9

1.4. Source d’énergies disponibles dans l’environnement………………………………..….10

1. 4.1 L’énergie des vibrations mécaniques…………………………………….………………….…..10

a. Récupération d’énergie à partir des vibrations mécaniques ………………………....10

1.4.2 L’énergie des Ondes électromagnétiques ……………….…………………………..………..12

a Récupération d’énergie a partir d’onde électromagnétique ………………..……...…12

1.4.3 L énergie thermique…………………………………………………………………………………….….14

a Récupération d’énergie à partir des transducteurs thermique ………………..……..14

1.4.4 La source d’énergie solaire ………………………………………………………………………..…17

a Récupération d’énergie à partir des rayonnement solaire ………....……………....17

1.5. Bilan des sources disponibles …………………………………………………..………………….19

1.6 Conclusion……………………………………………………………………………………………..…….21

Chapitre 1 Système de récupération d’énergie

2.1 Introduction ………………………………………………............................22

2.2 Architecture de system………………………………………………............23

 2.2.1 Cellule solaire……………………………………………………............ 24

a Fonctionnement d’une cellule photovoltaïque …………………..….......26

2.2.2 L'oscillateur en anneau……………………………………………….…. 27

a Inverseur CMOS…...………………………………………………...……30

b Caractéristique de commutation………………………………................31

c Générateur de horloge…………………………………………................32

2.2.3 Capacité commutée….……………………………………… …….……..34

a Fonctionnement de capacité commutée…………………………............35

2.2.4 Unité de control……………………………………………….………….37

a Comparateur de tension………………………………………….……….37

b Les portes logiques NOR……………..………………..……………….. 37

c Principe de fonctionnent………………………………………………….38

2.3 Conclusion……………………………………………………………......39

Chapitre 3 Résultats de simulation

3.1 Introduction………………………………………………………..……..40
3.2 Système de conception avancé ADS…………………………………..…40
3.3 Etude de circuit de système…………………...…………………….……43

3.3. 1 Inverseur CMOS…………………………………………….…………43

3.3.2 Comparateur idéal……………………………………………..…….…..44

3.3.3 Oscillateur en anneau………………………………………...................46

a Oscillateur avec horloge de control…………………………………..……...48

3.4 Effet de commutation real sur le circuit a capacité commutée…………54

3.5 Effet de l’oscillation réel sur le système……………………………..…57

3.6 Conclusion……………….……………………………..…………………59

..
Liste des figures
Figure 1.1. Internet des objets regroupe tous les objets physiques communicants………6

Figure 1.2. Schéma d’un capteur autonome en énergie……………………………..……….….……7

Figure 1.3. Echelle besoin en puissance pour des appareils électroniques et

récupération d’énergie associée aux niveaux de puissance …………………………………........8

Figure 1.4. Schéma bloc d’un récupérateur d’énergie pour l’alimentation D’un capteur
autonome………………..…………………………………………………..…………………………………………….9

Figure 1.5 . Structure d’un dispositif de récupération et de conversion d’énergie

vibratoire…………………………………………………………………………………………………………….….…11

Figure 1.6. Structure d’une recensa class……………………………..……………………………….…13

Figure 1.7. (a) Schéma du Thermocouple , (b) Schéma du Thermocouple en série ……14

Figure 1.8. (a)prototype avec un radiateur [, (b) Montre avec un radiateur……………….15

Figure 1.9. Générateur thermoélectrique développé par la société PERPE………………..16

Figure 1.10. Schéma fonctionnel de récupération d'énergie thermoélectrique……..….16

Figure 1.11. Applications des panneaux photovoltaïques ; (a) Le bateau suisse

Tûranor; (b)Centrale solaire photovoltaïque dans les Alpes des Hautes Provences
………………………………………………………………………………….…...….17
Figure 1.12. a) Structure typique d’une cellule photovoltaïque, b) panneau
photovoltaïque…………………………………………………………..……………………………………………..18

Figure 2.1. Architecture de gestion d'énergie proposée et les signaux de commande

associés pour maintenir la régulation à la charge. VPH représente la tension aux bornes
de la cellule PV et Fclk représente la fréquence du convertisseur de commutation….23

Figure 2.2 schema equivalent d’une cellule photovoltaique…………………………..27

Figure 2.3. Variation du courant de sortie en fonction de la tension aux bornes de la

cellule photovoltaïque pour trois conditions d’éclairage différentes……………..…...27
Figure 2.4. Exclure la variation de puissance en fonction de la tension aux bornes de la
cellule photovoltaïque pour trois conditions d'éclairage différentes………………..…27

Figure 2.5. Oscillateur en anneau à cinq étages…………………………………….…28

Figure 2.6. Structure de l’oscillateur en anneau différentiel……………………..……29

Figure 2.7. Le schéma et le symbole logique d’un inverseur CMOS…………………30

Figure 2.8. Caractéristiques de commutation de l'onduleur CMOS à l'aide du modèle

numérique………………………………………………………………………………31

Figure 2.9. Circuit de générateur d’horloge sans chevauchement……………….…...33

Figure 2.10. Forme d’onde simulée de clkb sous une tension de commande de 405v et
une tension d’alimentaion de v1.5 v…………………………………………….……...33

Figure2.11. Capacité commutée…………………………………………………….....34

Figure 2.12. Signaux de commande des interrupteurs…………………………………….………..34

Figure 2.13. Schéma électrique de l'architecture de gestion de l'alimentation

proposée………………………………………………………………………………..36

Figure 2.14. Schéma équivalent d’une porte logique NOR………………………………….…….38

Figure 3.1. Page d’ouverture de l’ADS……………………………………………………………...……….41

Figure 3.2 Créations d’un nouveau projet sur ADS…………………………………………….…..….41

Figure 3.3 page d’accueil de l’ADS…………………………………………………………………….……….42

Figure 3.4 l’extraction d’un composent sur l’ADS……………………………………………………...42

Figure 3.5. symbole d’un inversseur CMOS…………………………………………………………..……43

Figure 3.6. Caractéristiques d’un inverseur CMOS………………………………………………………………1143

Figure 3.7. Schéma d’un comparateur idéal………………………………………………………………………..…44

Figure 3.8. Caractéristique d’un comparateur de tension………………………………………………………45

Figure 3.9. schéma d’un oscillateur en anneau………………………………………………………………………46

Figure 3.10. Tension d’oscillation…………………………………………………………………..…….…….47

Figure 3.11. les deux tension de sortie Phi et Phib………………………………………………………….……..48

Figure 3.12. Schéma d’un oscillateur avec horloge de control…………………………………….………….49

Figure 3.13. Les deux tension Phi et Phib en opposition de phase……………………….………………..50

Figure 3.14. Circuit de récupération d’énergie…………………………………………………………….…………51

Figure 3.15. simulation temporel montent la charge des capacité C1,C2 et C3………………..…….52

Figure 3.16. Zoom de simulation temporel montent la charge des capacité C1,C2 et
C3……………………………………………………………………………………………………………………………………....52

Figure 3.17. (a)accord du temps de charge la capacité C2 avec le niveau haut de la

tension Phi. (b) accord du temps de charge la capacité C1 et C3 avec le niveau haut de
la tension Phi………………………………………………………………………………………………………….….53

Figure 3.18. Les tensions prélevé aux niveaux des capacités Cb et Cl……………………………………54

Figure 3.19. Montage avec un circuit à capacités commutées utilisant des

commutateurs réels…………………………………………………………………………………………………..54

Figure 3.20. Illustration des déférentes tensions aux niveaux des capacités…………………….…..55

Figure3.21. Illustration des déférentes tensions aux niveaux des capacités en variant la
largeur des transistors…………………………………………………………………………………………...56

Figure 3.22.charge de la capacité Cl en fonction du temps…………………………………………………….57

Figure 3.23. La simulation des différentes tensions en fonction du temps aux niveaux de
l’oscillateur réel………………………………………………………………………………………………………….……….58

Figure 3.24. La charge de la capacité Cl en fonction du temps dans le cas d’un oscillateur
réel…………………………………………………………………………………………………………………………………..…….59
Liste des tableaux
Tableau 1.1 Densité de puissance lumineuse en fonction des conditions externes et
densité de puissance électrique correspondante avec une cellule photovoltaïque ayant
un rendement de 15%...................................................................................................19

Tableau 1.2 Densité de puissance débitée par quelques sources d’énergies……….....…20

Tableau 2.2 les entrées et la sortie d ‘une porte NOR………………………………………………..37

 Introduction générale

De nos jours, les systèmes communicants sans fil font partie intégrante de notre vie
quotidienne en raison de leurs larges gammes d’applications dans différents domaines
(domaine médical, la surveillance, le domaine militaire, etc…).

Malgré les énormes progrès que l’électronique a connus, ces systèmes présentent
toujours des verrous technologiques. En effet, ces progrès se sont focalisés sur les
problèmes d’intégration et la miniaturisation en mettant à l’écart la voie de
l’autonomie énergétique. Une des priorités cruciales que les constructeurs devront
développer est de mettre en œuvre des techniques de plus en plus évoluées afin de
limiter l’utilisation des batteries ou des piles. Ces sources d’énergie ont souvent une
durée de vie limitée ou de recharge élevée. Elles risquent également d’être dans des
emplacements difficilement accessibles voire totalement inaccessibles. Ce qui peut
représenter un coût de remplacement conséquent. Pour satisfaire ce besoin,
différentes sources d’énergies ambiantes (solaire, vibratoire, radiofréquence,
thermique, etc.…) ont été exploitées pour contribuer à l’alimentation des objets
communicants voir même d’alimenter certains dispositifs à faible consommation sans
recours à une batterie ou à une pile. Plusieurs travaux de recherche ont eu comme
objectif le développement de systèmes capables de convertir en énergie électrique
l’énergie disponible dans le milieu immédiat du capteur.

Dans ce travail , nous nous intéressons à une seule source d’énergie ; l’énergie
provenant de rayonnement solaire. L’objectif du mémoire consiste à concevoir un
dispositif de récupération et de conversion d’énergie photovoltaïque.

Le manuscrit comporte trois chapitres. Dans le premier chapitre nous décrirons les
enjeux des dispositifs sans fil et les différentes sources d’énergie exploitées

1
actuellement pour les alimenter. Nous présenterons la récupération d’énergie à partir
du rayonnement solaire et les différentes techniques de transduction.

Le deuxième chapitre sera consacré à l’étude de l’architecture de gestion de

puissance proposé. Fondamentalement il se compose d’un convertisseur DC-DC entre
le récupérateur et la charge de sortie. Le convertisseur (DC-DC) est utilisé pour
présenter une impédance optimale au récupérateur pour transférer la puissance
maximale ainsi que convertir la tension d’entrée a un niveau tel qu’il rencontre
l’exigence de charge.

Nous présenterons ensuite les différentes étapes de conception du système avant de

le caractériser afin de vérifier le bon fonctionnement du dispositif. Des études
paramétriques ont été effectuées moyennant des simulations sur ADS.

Dans le troisième chapitre nous présenterons le logiciel de simulation ADS et

comment l’utiliser pour réaliser et simuler notre système. Au final nous présente les
résultats de simulation.

2
 Chapitre 1 Etat de l’art

1.1 introduction
La dernière décennie a été marquée par une augmentation sans précédent des
objets Communicants sans fils qui ont envahi notre quotidien.

En effet, les progrès technologiques incessants ont permis, à l’aide de la

microélectronique, une meilleure intégration dans l’environnement. Cela se traduit par
la possibilité d’introduire Plusieurs fonctionnalités dans un volume de plus en plus
réduit et d’échanger avec un autre objet certaines informations (pression,
température, humidité, …). En effet, la plupart des secteurs ont été touché par cette
vague technologique innovante des objets communicants. Parmi ces secteurs :

 Le secteur médical

- Capteur de pression sanguine et de rythme cardiaque.

-Lentilles connectées sensibles au taux de Glycémie pour

Du diabète

-Capteur SImOS pour suivre l’évolution les différents

Paramètres biomécaniques d’une prothèse de genou

- Implants auditifs.

 Le secteur lié à la sécurité


 - - Détecteur de fumée et de monoxyde de carbone.
- tecteur d’inondation utilisé dans les zones à risque.
- - Détecteur de mouvements.
-

3
  Le secteur lié à l’environnement

- Capteur de pollution de l'air.

- Capteur de prévention des incendies de forêts.

- Capteur pour prévenir de tempêtes de sable.

 Le secteur militaire

- Détecteur de déplacement d'objets.

- Réseau de capteurs déployés dans les endroits à risque.

- Capteur d’identification de certaines variétés d'explosifs.

 Le secteur du transport

- Suivie de flotte.

- Diagnostique à distance des pannes.

Malgré les énormes progrès que les objets communicants ont connus, l’autonomie
énergétique n’a pas suivi cette tendance d’évolution et reste l’un des verrous majeurs.
En effet, la majorité des objets communicants sont encore alimentés par pile ou
batterie dont l’autonomie est limitée. Cela représente une contrainte en termes de
maintenance pour les capteurs implémentés dans des endroits difficiles d’accès
(implants médicaux, surveillance d’un barrage où le capteur est noyé dans du béton,
…) ou le cas d’un réseau de capteurs composé d’une centaine voir des milliers de
cellules.

En effet, au-delà des coûts de recyclage des piles et des batteries, l’intervention
humaine sur site devient indispensable et contraignante. Une solution pertinente
permet de donner un appui à la batterie, voir même d’alimenter des dispositifs sans

4
fils à faible consommation, par récupération de sources d’énergies disponibles dans
l’environnement. Parmi les sources d’énergies les plus exploitées on peut citer les
énergies : solaire, thermique ; radiofréquence, vibratoire, …

1.2 Internet des objets et Capteur autonome

Selon l'Union internationale des télécommunications, l’internet des objets (en
anglais IOT : Internet Of Things) est une « infrastructure mondiale pour la société de
l'information, qui permet de disposer de services évolués en interconnectant des
objets (physiques ou virtuels) grâce aux technologies de l'information et de la
communication interopérables existantes ou en évolution ». En réalité, la définition de
ce qu'est l'Internet des objets n'est pas figée [1]. Elle recoupe des dimensions d'ordres
conceptuel et technique figure 1.1. D'un point de vue conceptuel, l'Internet des objets
caractérise des objets physiques connectés ayant leur propre identité numérique et
capables de communiquer les uns avec les autres. Ce réseau crée en quelque sorte une
passerelle entre le monde physique et le monde virtuel. D'un point de vue technique,
l'IOT consiste en l'identification numérique directe et normalisée (adresse IP,
protocoles smtp, http...) d'un objet physique grâce à un système de communication
sans fil qui peut être une puce RFID, Bluetooth ou Wi-Fi [2].

5
 Figure 1.1. Internet des objets regroupe tous les objets physiques communicants.

Les capteurs autonomes sont des petits appareils électroniques sans fil capables de
communiquer soit entre eux soit vers une entité maîtresse. Ils forment un réseau de
capteurs sans fil capables de donner et transmettre des informations utiles sur une
région ou pour un domaine d’intérêt. Grâce à leurs capacités de calcul, ces capteurs
communicants sans fil permettent d’envisager de nombreuses applications encore
irréalisables il y a quelques années. Aujourd’hui, ces capteurs petits et peu coûteux
peuvent être, par exemple, disposés sur le long des routes ou dans des bâtiments
pouvant donc détecter une variété de phénomènes physiques. De nombreux domaines
d’application sont alors envisagés tels que le contrôle de l’environnement, le bâtiment,
l’agriculture, la surveillance de machines industrielles ou du trafic urbain, la santé, ou
le sport figure 1.2. Ces capteurs composent notamment la couche physique de
l’internet des objets [3].

6
 Figure 1.2. Schéma d’un capteur autonome en énergie

1.3 Récupération d’énergie pour applications IOT

Bien que l’avancement remarquable dans les systèmes nœuds de capteurs sans-fils
pour les applications IOT, et leur déploiement progressif pour couvrir les besoins de
l’échange des données et le contrôle des actionneurs dans la vie quotidienne de l’être
humain, le souci majeur constituant un parmi les sujets de recherche pendant les
dernières années est l’alimentation des nœuds de capteurs éparpillés dans des
endroits lointains des sources d’énergie électrique 50 Hz.

L’utilisation de la batterie a été bien évidemment une solution inadéquate en vue

de sa durée de vie limitée ayant besoin d’être rechargée dès son déchargement [4].

Les travaux menés par les chercheurs dans le domaine des applications IOT ont
conduit à convertir l’énergie ambiante issue de l’environnement de l’application elle-
même à titre d’exemple, l’énergie solaire, l’énergie thermique, l’énergie mécanique,
l’énergie radiofréquence, etc. En outre les chercheurs ont conçu les systèmes de
conversion correspondants chacun au type d’énergie à convertir et la quantité de
puissance fournie pour alimenter le nœud de capteur.

7
 Figure 1.3. Echelle besoin en puissance pour des appareils électroniques et récupération
d’énergie associée aux niveaux de puissance [5].

Afin de donner quelques ordres de grandeurs, la Figure 1.3 donne une estimation des
puissances nécessaires pour le fonctionnement de plusieurs capteurs et appareils
électroniques. Les différents types de récupération d’énergie sont également
énumérés et répertoriés sur cette figure en fonction de leur capacité à fournir ces
niveaux d’énergie.

La gamme de capteurs pour laquelle nous allons nous concentrer dans ce mémoire
est celle des systèmes de consommation à partir du milliwatt à dizain watt maximum
[5].

Ainsi, du fait de l’encombrement des systèmes, plusieurs énergies ne seront pas

considérées ici comme par exemple l’énergie éolienne, géothermique ou encore
l’hydroélectricité.

8
 1.3.1 Architecture d’un récupérateur d’énergie

Un système de récupération d’énergie pour l’alimentation d’un capteur est composé

de cinq blocs distincts comme présenté la Figure1.4.

Figure 1.4. Schéma bloc d’un récupérateur d’énergie pour l’alimentation D’un capteur
autonome.

La première partie du système complet est le transducteur d’énergie. Celui-ci fournit

comme signal de sortie une grandeur physique utilisable en réponse à une autre
grandeur physique spécifique comme signal d'entrée. Les principes de cette
transduction sont basés sur l’existence de divers effets physiques ou chimiques [6].

Ensuite, la seconde partie permet la conversion de l’énergie. L’énergie reçue en

sortie du transducteur est convertie en puissance électrique continue. Cette partie
peut être constituée de redresseurs, de convertisseurs ou de pompes de charges.

La troisième partie est une cellule de stockage de l’énergie convertie. Il peut s’agir
de condensateurs électriques, de super-capacités ou encore de batteries
rechargeables [7].

Enfin, la quatrième partie de ce système est celui de la gestion de la consommation.

Il est composé de micro-processeurs et convertisseurs intégrant des algorithmes qui
permettent d’acheminer l’énergie reçue soit vers la cellule de stockage, soit vers le
capteur en fonction des besoins.

9
1.4 Source d’énergie disponibles dans l’environnement
Comme expliqué précédemment, seules les sources d’énergie ayant des systèmes de
récupération de petite dimension sont considérées. Les sources étudiées dans ce
chapitre sont regroupées en plusieurs catégories : l’énergie des vibrations mécaniques,
magnétique, thermique, et l’énergie des radiations (ondes lumineuses et Radio-
fréquences).

1.4.1 L’énergie des vibrations mécaniques

Les vibrations mécaniques sont considérées comme étant l’une des sources d’énergie
les plus Prometteuses en raison de leurs disponibilités dans notre environnement (les
milieux Industriels, les avions, les autoroutes, …).Par exemple la fréquence des
vibrations mécaniques de certaines structures aérospatiales peut Varier entre 300 HZ
et 1 KHz pour des accélérations supérieures à 1G. Cependant, pour des vibrations
récupérées à domicile la fréquence est inférieure à 150 HZ pour des accélérations
Autour de 0.1G. En effet, la puissance fournie par cette source d’énergie dépend
essentiellement de la fréquence et de l’amplitude. Elle permet d’alimenter certains
dispositifs n’ayant pas recours à des batteries ou des piles [8] .

a Récupération d’énergie a partir des vibrations mécanique

L’énergie récupérée à partir des vibrations mécaniques demeure l’une des sources
d’énergie les plus prometteuses vue sa disponibilité dans notre environnement. Cette
puissance sera convertie en puissance électrique utile afin d’alimenter certains
systèmes électroniques. Le processus de conversion est assuré par un dispositif de
récupération et de conversion d’énergie vibratoire Figure1.5 composé de trois blocs de
base dont chacun réalise une tâche bien spécifique

10
 Energie ambiante mécanique

Conversion mécanique-mécanique

Energie bmécanique dans le génerateur

Conversion mécanique-électrique

Enrgie électrique non exploitable

Gestion d’énergie et Stockage

Dispositifb a alimenter

Figure 1.5. Structure d’un dispositif de récupération et de conversion d’énergie vibratoire.

La première étape de conversion mécanique-mécanique est assurée par un

résonateur mécanique permettant de convertir les vibrations mécaniques récupérées
du milieu extérieur (ambiantes ou contrôlées) en un mouvement relatif entre la source
des vibrations et la masse.

Ces vibrations sont transmises à un dispositif électromécanique capable de les

convertir en énergie électrique, mais cette énergie n’est pas directement exploitable,
c’est pour cela qu’un Circuit d’extraction est primordial pour convertir l’énergie
électrique alternative en énergie électrique utile. Enfin, un dispositif de stockage de
l’énergie récupérée est utilisé pour garantir un fonctionnement durable du dispositif à
alimenter même en cas d’absence de la source des vibrations.

Chaque récupérateur d’énergie vibratoire comporte forcément une structure

mécanique souvent sous forme d’un système masse-ressort. En effet, deux types sont
possibles pour ce type de générateur, résonant et non résonnant. Concernant le
premier type il est utilisé pour les applications dont l’amplitude de variation est faible
par rapport au déplacement possible de la masse et le rendement chute dès qu’on
s’éloigne de la fréquence de résonnance puisque la bande passante est étroite [9].

11
 Le second type de générateur non-résonnant est destiné à des applications
présentant une grande amplitude de variation par rapport à la variation limite du
système mécanique et où les vibrations sont réparties sur une large bande vers les
basses fréquences [10].

1.4.2 L’énergie des ondes électomagnétiques

Les systèmes de récupération et de conversion d’énergie électromagnétique appelés

rectennas [11], ont connu un essor considérable grâce à la disponibilité des signaux RF
ambiants dans les milieux urbains. Cependant, la densité surfacique de puissance DSP
captée par certaines rectennas reste limitée à cause des pertes dans l’espace libre.

Pour ce faire elles doivent être proches des sources d’émissions (ambiantes ou
contrôlées) ce qui n’est pas toujours le cas, ou encore augmenter les surfaces des
antennes de captation. Une autre alternative consiste à utiliser des antennes
multifréquence afin de capter les puissances associées aux fréquences de
fonctionnement avec la même antenne la densité surfacique de puissance DSP en
espace libre à pour expression :

(w/m²) ( 1.1)

Où (377 Ω) est l’impédance d’onde en espace libre et E (V/m) représente la valeur

efficace du champ électrique.

a . Récupération d’énergie a partir d’onde électromagnétique

La récupération et la conversion de l’énergie électromagnétique en énergie

électrique utile est assurée par un dispositif appelé rectenna (pour Rectifiant Antenne)
[12-17].

Ce dispositif contient une antenne de captation suivie d’un circuit de rectification à

caractéristique non linéaire.

La structure d’une rectenna classique est représentée dans la Figure 1.6.

12
 Figure 1.6. Structure d’une rectenna class.

L’antenne permet tout d’abord de capter les ondes électromagnétiques rayonnées et

de les convertir en ondes électromagnétiques guidées, qui seront transmises au circuit
de conversion RF-DC. Ensuite, ce circuit conçu le plus souvent avec des diodes
Schottky, convertit l’énergie RF captée en énergie électrique utile, qui sera transmise à
son tour à une charge résistive, celle-ci représentant l’impédance d’entrée du dispositif
à alimenter.

Un filtre HF et un filtre DC sont placés de part et d’autre de la diode. En effet, le filtre

HF assure deux tâches, il réalise l’adaptation entre l’antenne et le circuit de conversion
à la fréquence de travail pour un maximum de transfert de puissance et il permet la
rejection des harmoniques d’ordre supérieur qui peuvent être générés par la diode
Schottky. Le filtre DC bloque les composantes RF et ne laisse passer que la composante
continue.

La rectenna peut être caractérisée et évaluée à l’aide de deux grandeurs, le

rendement de conversion RF-DC et la tension de sortie DC.

À partir de l’application visée, ces grandeurs sont fixées comme objectifs lors de la
conception et l’optimisation du circuit. On peut trouver des applications qui
s’intéressent seulement à la tension de sortie de la rectenna et d’autres applications
au rendement, on peut trouver également des rectennas qui s’intéressent aux deux
grandeurs à la fois.

13
 1.4.3 L’énergie thermique

Le transfert d'énergie thermique est une transmission de cette énergie d'une région
à une autre, sous l'influence d'une différence de température. La chaleur, qui est elle-
même une forme de transfert d’énergie thermique, provient de différentes formes
d’énergie, comme par exemple, le soleil, l’électricité (mouvement des électrons le long
d’un conducteur), ou encore le corps humain.

L’énergie thermique qui est récoltée peut être utilisée comme chaleur pour
préchauffer l’eau à usage domestique ou industriel, alternativement ; il peut être
converti en énergie mécanique ou électrique.

a Récupération d’énergie à partir des transducteur thermique

Les transducteurs thermiques se servent d’un gradient de température pour

produire de l’énergie électrique, par effet Seebeck. Ce phénomène, mis en évidence en
1822 par Thomas Seebeck, évoque l’apparition d’une différence de potentiel à la
jonction de deux matériaux soumis à un gradient de température. A l’inverse, l’effet
Peltier montre que la circulation d’encourant dans un couple de matériaux distincts
induit une différence de température entre les deux extrémités des conducteurs. Ces
transducteurs sont basés sur l’utilisation de thermocouples ; ce sont la plupart du
temps deux barreaux de semi-conducteur de type N et P qui sont reliés par un
matériau conducteur Figure (1-7).

Un des semi-conducteurs les plus utilisés est le tellurure de Bismuth (Bi2Te3) qui est
l'un des matériaux possédant le rendement le plus élevé à des températures
inférieures à 450K. Les alliages silicium germanium (Sieg) sont souvent utilisés à haute
température jusqu'à 1300 K [18] .

Figure 1.7. (a) Schéma du Thermocouple [19], (b) Schéma du Thermocouple en série [18]

14
 Un flux de chaleur induit un déplacement des trous et des électrons dans les
thermocouples et l’apparition d’un courant électrique. Plus le gradient de température
est important, plus l’énergie récupérée est importante comme le montre l’équation
suivant ;

T (1.2)
Avec P la puissance de sortie, S la surface, ΔT le gradient de température et h la
densité de puissance par 0C et par m² du convertisseur.
Afin que ces systèmes soient les plus efficaces possible, il est généralement
indispensable d’avoir de forts gradients de températures ainsi qu’un flux thermique
important. Pour canaliser le flux thermique entre les deux armatures du
thermocouple, un radiateur doit être placé sur une des 2 faces du module. La Figure
1.8 illustre des prototypes avec des radiateurs. La taille de ces radiateurs est non
négligeable par rapport à la taille du récupérateur d’énergie thermique.

Figure 1.8. (a)prototype avec un radiateur [20], (b) Montre avec un radiateur [21].

Malgré les contraintes de coût et de volume importantes, les nouvelles technologies

de miniaturisation ont permis le développement des générateurs thermoélectriques.
Par exemple la société PERPETUA, spécialisée dans le développement de solutions de
sources d’énergie pour l’alimentation des capteurs sans fil, a développé un générateur
conçu à partir d’un film Thermoélectrique flexible figure 1.9 Ce produit assure un
rendement de conversion élevé avec une tension de sortie réglable (1.8 V, 2.5 V, 3 V,
3.3 V) capable d’alimenter un capteur sans fil, et qui répond aux critères de taille et de
prix [22].

15
 Figure 1.9 . Générateur thermoélectrique développé par la société PERPETUA.

 Circuit de conversion

De point de vue topologie, la tension fournie par le générateur TEG et

correspondante à la quantité de chaleur à convertir, doit être mise en forme par le
biais d’un étage d’adaptation d’impédance et d’un convertisseur DC-DC [23].
Ensuite, la tension stable obtenue doit être stockée dans une batterie appropriée
(figure 1-10), et/ou régularisée en termes de puissance pour être enfin utilisée en
alimentation des circuits faibles puissance comme des nœuds de capteurs sans-fil
[24].

Figure 1.10. Schéma fonctionnel de récupération d'énergie thermoélectrique.

16
 1.4.4 La source d’énergie solaire

Le rayonnement solaire est une réserve d’énergie inépuisable et bien répartie

partout dans le monde la quantité d’énergie qui illumine la terre est trois mille fois
supérieure aux besoins énergétiques quotidiens de la planète [25]. En effet, l’énergie
reçue est d’environ 100 W/m². Cependant, pour un temps nuageux elle est autour de
10 W/m² [26]. À l’aide des cellules photovoltaïques, l’énergie solaire peut être captée
et convertie en énergie électrique utile. Cependant, l’apport énergétique dépend
essentiellement des conditions météorologiques (ciel nuageux, ...), du milieu (intérieur
ou extérieur) ainsi que le type d’éclairement (éclairage solaire direct ou lumière
artificielle). En effet, selon les matériaux utilisés dans la fabrication des panneaux
photovoltaïques, le rendement de conversion peut varier entre 5 et 20 % [26].

(a) (b)

Figure 1.11. Applications des panneaux photovoltaïques; (a) Le bateau suisse Tûranor; (b)
centrale solaire photovoltaïque dans les Alpes des Hautes Provences [27]

a Récupération d’énergie à partir des rayonnements solaires

Une des sources d’énergie les plus exploitées actuellement est la lumière. Qu’elle
provienne du soleil ou d’un dispositif d’éclairage artificiel, la lumière est convertie en
électricité à l’aide des cellules photovoltaïques Figure 1.12.

Une cellule typique est constituée d’une jonction p-n, avec des contacts métalliques
des deux côtés. Les photons incidents créent des paires électron-trou, qui sont
séparées grâce au champ électrique présent dans la jonction. Une force électromotrice

17
est ainsi créée est un circuit peut être alimenté. Les cellules solaires les plus répandues
sont en silicium, qui présente un bon compromis entre le cout et la performance.

Figure 1.12. a) Structure typique d’une cellule photovoltaïque, b) panneau photovoltaïque

La puissance lumineuse en plein soleil est d’environ 1000 W/ cm2, ce qui revient à
100mW/cm2. Un module solaire avec un rendement typique de 15 % est capable de
fournir 15 mW /cm2 dans ces conditions. Sous un éclairage artificiel cette puissance
devient de l’ordre de 10-100 μW/cm2 tableau (1.1). Ce sont des ordres de grandeur
compatibles avec la puissance consommée par plusieurs types des dispositifs
autonomes. Les cellules photovoltaïques sont donc les sources d’énergie de choix dans
les milieux lumineux [28].

18
 Condition Puissance lumineuse Puissance électrique
(mW/cm3) (mW/cm)

Plein soleil 100 15

Soleil voilé 50 7.5

Ciel nuageux 5-20 0.75-3

A l’intérieur, à proximité 0.06-0.3

d’une fenêtre
0.4-2

Eclairage artificiel 0.1-1.5 0.015-0.225

A l’intérieur, bureau 0.5 0.075

Nuit 0 0

Tableau 1.1. Densité de puissance lumineuse en fonction des conditions externes et densité
de puissance électrique correspondante avec une cellule photovoltaïque ayant un rendement
de 15%.

1.5 Bilan des sources disponibles

La densité de puissance pour multiples sources d’énergie est montrée dans le tableau
ci-dessous. A partir de celui-ci, on peut remarquer bien l’énergie solaire pourrait
fournir une forte et durable puissance convenable aux applications IOT et noeuds de
capteurs en plein air comme celles d’une ville intelligente.

19
 Environnement dont
s’effectue la conversion
Source d’énergie Densité de puissance
d’énergie

Radiofréquence < 1 <1 μW/m2 Dans les zones urbaines

100 mW/m2 En plein soleil.

Lumineuse 100 μW/m2 En un bureau sous

éclairement artificiel.

60 μW/m2 Four, engins de

combustion, chaleur
Thermoélectrique
humaine.

4 μW/m3 Machines avec engins

rotationnels .Mouvements
Vibrationnel 800 μW/m3
humains.

Micro-éolienne 1 mW/m2 En plein air.

Générateurs en Mains 30 W/kg Actions humaines sur des

machines spécifiques

Mouvement de talon 7 W/homme de 70 kg à 1 Insertion par chaussette

humain cm de déviation en une avec un mouvement de la
marche de 1 Hz. marche.

Tableau 1.2 .Densité de puissance débitée par quelques sources d’énergies [29].

Une possibilité pour comparer les sources de façon équivalente revient à regarder
leurs niveaux de densité de puissance. De toute évidence, l’énergie photovoltaïque est

20
celle qui présente de loin la plus grande densité de puissance. Cependant,
l’inconvénient majeur de cette source réside dans sa non-régularité.

1.6 Conclusion
Dans ce chapitre, plusieurs sources et techniques de récupération d’énergie pour
l’autonomie énergétique des capteurs communicants ont été étudiées. Seules les
sources permettant une intégration de systèmes de l’ordre du cm3 ont été retenues.

Les techniques de récupération d’énergie des vibrations mécaniques, magnétique,

thermique, et l’énergie des radiations (ondes lumineuses et Radiofréquences) ont été
étudiées. Ce qui nous a permis de dresser un bilan. Les deux paramètres essentiels
sont aussi mentionnés, qui sont la puissance de sortie qu’il puisse fournir à
l’application qu’il alimente et le rendement maximal total du transducteur et son
circuit de conditionnement, la source d'énergie solaire y apparait comme la plus
élevée. Cependant, l’énergie des ondes RF est omniprésente dans notre
environnement urbain et l’efficacité des systèmes de conversion d’énergie RF est de
plus bien supérieure à celle obtenue avec des récupérateurs d’énergie photovoltaïque.

21
 Chapitre 2 Système de récupération d’énergie

2.1 Introduction
L’énergie solaire est la première source d’énergie renouvelable exploitée sur Terre.
Elle ne produit pas de gaz à effet de serre et de ce fait, contribue à la lutte contre le
changement climatique. De plus, elle est gratuite, non polluante et peut être produite sur
le lieu de consommation.

Ce chapitre est dédié à la conception de notre système de récupération d’énergie dans

le domaine de l’internet des objets par le soleil ou bien le photovoltaïque.

Dans ce chapitre, on va décrire l’approche suivie dans notre travail. Nous allons
donner l’architecture de notre système à concevoir pour détailler l’approche étudiée et
bien montrer les étapes et l’approche utilisée, une description de processus de travail est
aussi introduite dans le chapitre.

22
2.2 Architecture de système
Afin de mieux expliquer notre système et de montrer tous ces détails, une architecture
est formée pour montrer le processus de notre travail :

Figure 2.1. Architecture de gestion d'énergie proposée et les signaux de commande associés
pour maintenir la régulation à la charge. VPH représente la tension aux bornes de la cellule PV
et Fclk représente la fréquence du convertisseur de commutation.

23
 L'architecture de gestion de puissance proposée et les signaux de commande
associés sont représentés sur la figure 2.1 Elle comprend un convertisseur élévateur à
condensateur commuté pour amener la tension de sortie deux fois supérieure à la
tension d'entrée, un oscillateur de contrôle de tension (CS-VCO) génère des fréquences
de commutation pour le convertisseur élévateur, une unité de contrôle (CU) pour
réguler la tension de charge, un étage tampon pour stocker l'excès d’énergie pour
l’utilisation futures, et un étage de la charge . En raison de la forte densité de
puissance et de la nature omniprésente de la lumière (sauf la nuit), une cellule PV a été
choisie comme source d'énergie pour l'alimentation du nœud IOT. L'étage tampon a
deux modes : l'un est le mode stockage et l'autre est le mode convertisseur (DC-DC).

Le mode de stockage sera activé dès qu'il y aura suffisamment d'énergie ambiante
pour alimenter la charge et que le mode convertisseur sera activé une fois que
l'énergie ambiante sera insuffisante pour alimenter la charge. Pendant le mode de
stockage, il faudra stocker l'énergie excédentaire dans le condensateur tampon CB et
pendant le mode convertisseur, il agira comme un circuit de pompe de charge linéaire,
qui va pomper l'énergie stockée dans l ‘étape d'application.

Le CU comprend un générateur de référence associé à un circuit de démarrage, des

comparateurs analogiques et quelques portes logiques pour générer les signaux de
commande requis pour le système. Le générateur de référence génère deux tensions
de référence VR1 et VR2, où VR1 est supérieur à VR2 de quelques dizaines de mV. Leur
différence devrait être supérieure à la tension de décalage de l'amplificateur
opérationnel, afin d'éviter un déclenchement injustifié du comparateur. En dehors de
cela, un circuit de démarrage est nécessaire pour faire passer le système de l'état de
veille à un état actif si la tension d'entrée est inférieure à la tension de seuil MOSFET. Il
générera une tension auxiliaire supérieure à la tension de seuil MOSFET, qui activera
éventuellement les commutateurs du convertisseur DC-DC1 et commencera à
transférer les charges de la récolteuse vers le circuit de charge. Les travaux précédents
rapportent des solutions pour les problèmes de démarrage [30], [31] et par
conséquent, cette implémentation ne focalise pas les problèmes de démarrage mais
suppose que le super condensateur CB est initialement chargé de faire passer le
système de l'état de veille à un état actif.

24
Afin de maintenir la régulation à la charge, VL est comparée aux tensions de référence
internes VR1 et VR2, pour générer des signaux de commande, P1 et P2, et des signaux
de commutation associés, S1, S2, S3 et S4, comme représenté sur la figure2.1
Initialement, VL est inférieur à VR1 et VR2, et les signaux de commande
correspondants sont P1 = 1 et P2 = 1, et les signaux de commutation associés sont
S1 = 1, S2 = 1, S3 = 0 et S4 = 1, qui activera éventuellement le tampon en tant que
mode convertisseur et commencer à fournir des charges de l'étape tampon à l'étape
de l'application pour répondre à la déficience de charge. Une fois la régulation de
charge atteinte pendant le demi-cycle négatif de l'horloge et si l'énergie solaire est
plus que suffisante pour alimenter la charge, les signaux de commande correspondants
seront P1 = 0 et P2 = 0, et les signaux de commutation associés seront S1 = 0, S2 = 1, S3
= 1 et S4 = 0, ce qui finira par activer l'étage tampon comme mode de stockage pour
recharger le super condensateur CB. Au contraire, pendant le demi-cycle positif, si
l'énergie ambiante est insuffisante pour alimenter la charge, par exemple VL <VR2, les
signaux de commande, P1 = 1 et P2 = 1, et les signaux de commutation associés, S1 =
1, S2 = 1, S3 = 0 et S4 = 1, activera l'étage tampon en mode convertisseur, afin de
maintenir la régulation à la charge. Par conséquent, en raison de l'implication de la
commutation complémentaire entre l'étage tampon et l'étage d'application, on
pourrait s'attendre à une ondulation de quelques dizaines de mV avec l'alimentation
régulée. L'amplitude de cette ondulation dépend de la tension de décalage de
l'amplificateur opérationnel et du retard de la boucle de rétroaction. (voir la fuguer
2.13)

2.2.1 Cellules solaires

Le rayonnement solaire est l’ensemble du rayonnement émis par le soleil. En plus des
rayons cosmiques, particules animées d’une vitesse et d’une énergie extrêmement
élevées, le soleil émet des ondes électromagnétiques dont le spectre s’étend des
ondes radio aux rayons gamma, en passant par la lumière visible.

25
 a Fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

Une cellule photovoltaïque est un dispositif qui permet de transformer l’énergie

solaire en énergie électrique. Cette transformation est basée sur trois mécanismes
suivants :

 Absorption des photons (dont d’énergie est supérieure au gap) par le matériau
constituant le dispositif.
 Conversion de l’énergie du photon énergie électrique, ce qui correspond à la
création de paires électron /trou dans la matériau semi-conducteurs :
 Collecte des particules générées dans le dispositif.

Pour émuler la cellule photovoltaïque dans le moteur de simulation, un modèle

équivalent électrique est utilisé comme source d'énergie d'entrée comme indiqué sur
la figure 2.2. Pour trouver les paramètres du modèle de ce circuit équivalent, une
expérience a été réalisée avec deux cellules PV connectées en série (Modèle 1-100, de
Solar World Inc. [32]).

Pour émuler un tel éclairement lumineux, le photo courant ISC varie de 2,70 mA à
3,50 mA, ce qui correspond à 600lx à 1000lx, et les variations correspondantes de
tension aux bornes des cellules PV, de tension de stockage d'énergie et de tension de
charge.

26
 Figure 2.2. schema equivalent d’une cellule photovoltaique.

Figure 2.3. Variation du courant de sortie en fonction de la tension aux bornes de la

cellule photovoltaïque pour trois conditions d’éclairage différentes.

Figure 2.4. variation de puissance en fonction de la tension aux bornes de la cellule

photovoltaïque pour trois conditions d'éclairage différentes.

27
 2.2.2 L’oscillateur en anneau

Le nombre impair d'inverseurs dans le circuit représenté sur la figure 2.5 forme une
boucle fermée avec rétroaction positive et est appelé un oscillateur en anneau. La
fréquence d'oscillation est donnée par [33] :

(2.1)

En supposant que les onduleurs sont identiques et n est le nombre (impair)

d'inverseurs dans l'oscillateur en anneau. Comme l'oscillateur en anneau est auto-
amorçant, il est souvent ajouté à une partie de test d'une plaquette pour indiquer la
vitesse d'un processus particulier. La somme des retards haut-bas et bas-haut est
utilisée pour calculer la période d’oscillation car chaque onduleur commute deux fois
pendant une période d'oscillation unique.

Figure 2.5. Oscillateur en anneau à cinq étages.

 La période des oscillations est égale à :

Tosc= 2.n .τ . (2.2)

Où N est le nombre d’étages dans l’anneau et τ est le délai de la cellule.

- Il existe principalement deux structures d’oscillateurs en anneau:

 La première consiste à cascader les inverseurs CMOS comme le montre la

Figure 2-5. Dans ce cas, le nombre d’étages N doit être impair.

Le déphasage entre les signaux de sortie de chaque étage est égal à Φ = 2π N.

Plus on a besoin de phases de sortie, plus on ajoute d’inverseurs. En augmentant le

nombre d’étages, on diminue la fréquence maximale de l’oscillateur.

28
  La deuxième structure dite différentielle basée également sur le principe de
mise en cascade de N cellules (N pair ou impair ici) de retard avec une
inversion dans la boucle comme le montre le schéma de la Figure 2.6.

Figure 2.6. Structure de l’oscillateur en anneau différentiel

Ce type d’oscillateur est surtout utilisé dans des applications numériques en tant
qu’horloge de cadencement ou pour des applications qui nécessitent beaucoup de
phases.

Leur restriction d’utilisation est principalement due à des performances en bruit de

phase très inférieures aux exigences des standards de communications sans fil.
Cependant leur surface sur silicium est très faible.

Lorsque des onduleurs identiques sont utilisés, la capacité sur l'entrée / la sortie de
l'onduleur est la somme de la capacité d'entrée d'un onduleur avec la capacité de
sortie de l'onduleur.

(2.3)

Où, encore une fois, Cp = Cox * Wp*Lp et Cn "= Cox *Wn *Ln. (2.4)

Le délai est ensuite calculé en utilisant :

Tphl + Tplh= 0.7*(Rn+Rp) *Ctot . (2.5)

29
 a L'inverseur CMOS

L'inverseur CMOS est un élément de base pour la conception de circuits numériques.

Comme le montre la figure 2.7, l'onduleur effectue l'opération logique de A à A.
Lorsque l'entrée de l'onduleur est connectée à la masse, la sortie est amenée à VDD
par l'intermédiaire de l'appareil PMOS M2 (et Ml s'éteint). Lorsque la borne d'entrée
est connectée à VDD, la sortie est reliée à la masse par l'intermédiaire de l'équipement
NMOS Ml (et M2 s'éteint). L'onduleur CMOS a plusieurs caractéristiques importantes
qui sont abordées dans ce chapitre : par exemple, sa tension de sortie passe du VDD à
la masse contrairement à d'autres familles logiques qui n'atteignent jamais tout à fait
les niveaux d'alimentation. En outre, la dissipation de puissance statique de l'inverseur
CMOS est pratiquement nulle, l'onduleur peut être dimensionné pour fournir des
capacités égales d'approvisionnement et de descente, et le seuil de commutation
logique peut être réglé en changeant la taille du disposi1tif [34].

Figure 2.7. le schéma et le symbole logique d’un inverseur CMOS

30
 b Caractéristiques de commutation

Le comportement de commutation de l'onduleur peut être généralisé en examinant

les capacités parasites et les résistances associées à l'onduleur. Considérons l'onduleur
représenté à la figure (2-8) avec son modèle numérique équivalent. Bien que le
modèle soit montré avec les deux interrupteurs ouverts, dans la pratique l'un des
commutateurs est fermé, gardant la sortie connectée à VDD ou à la masse. La capacité
d'entrée effective de l'onduleur est :

. (2.6)

Avec : Cn=Wn*Ln*Cox et Cp=Wn*Ln*Cox . (2.7)

- La capacité de sortie effective de l'onduleur est simplement :

Cout=Cn+Cp = Coutn+Coutp . (2.8)

-Les délais de propagation intrinsèque de l'onduleur sont :

TpLH = 0.7 *Rp2 * Cout ET TPHL = 0.7 * Rn1* Cout. (2.9)

Figure 2.8. Caractéristiques de commutation de l'onduleur CMOS à l'aide

de modèle numérique.

31
 c Générateur d’horloge

Un réseau d'inverseurs de courant à cinq étages (M = 5) (CS-INV) et deux déphaseurs

sont utilisés pour obtenir les fréquences d'horloge désirées pour le point de puissance
maximum. Les tensions VL et VIN sont utilisées pour l'alimentation électrique et pour
la commande de la fréquence d'oscillation, respectivement. Les (W/L) de PD1 et NB1
sont maintenus à (0,36 / 0,18) μm et (W / L) de PO1 - POM et NO1 - NOM sont
maintenus à (1,80 /0.18) μm et (0,90 / 0,18) μm, respectivement. Les (PM / L) de
PMOS et de NMOS des CSINV (INV1-INVM) sont maintenus à (0,90 / 0,18) μm et (W /
L) de PP1 - PPM et NP1 - NPM sont maintenus à (0,72 / 0,18) μm et (0,36 / 0,18) μm,
respectivement, pour cette mise en œuvre. Un registre maître-esclave statique à
charge d'horloge réduite est utilisé pour réaliser bascule [35]. Pour conduire des
charges lourdes, une série d’inverseurs progressivement dimensionnés sont incorporés
après la bascule et leurs tailles sont données dans la figure (2.9), où W représente la
largeur des transistors de puissance combinés qui sont entraînés par le générateur
d'horloge et représente chaque étage efforts. Une discussion détaillée des inverseurs
de dimensionnement progressifs peut être trouvée dans [36] et [37]. La figure (2-10)
montre la forme d'onde simulée du générateur d'horloge sans chevauchement sous
une tension d'alimentation de 1,5 V et une tension de commande de 405 mV. La
fréquence d'oscillation atteinte avec cette condition d'entrée est de 15 MHz, avec un
coût de consommation d'énergie de 12,3 μW.

32
 Figure 2.9. Circuit de générateur d’horloge sans chevauchement.

figure 2.10. Forme d’onde simulée de clkb sous une tension de commande de 450 mv
et une tension d’alimentation de 1.5v.

33
 2.2.3 capacité commutée

En 1972 David fried a montré que sous certaines conditions ;il y’a équivalence entre
capacité commutée et une résistance figure (2-11) le principe d’une capacité commutée
consiste a charger et decharger la capacité suivant un certain rythme ;ceci ayant pour
effet de présenter un comportement analogique a celui d’une résistance.

Figure 2.11. Equivalence de Fried.

Les signaux de commande des interrupteurs P(t) et I(t) (figure 2.12) ont une
période et une durée respectivement égales à To et τ.

Figure 2.12. Signaux de commande des interrupteurs.

34
 Les interepteurs P(t) et I(t) sont commandés par deux horloges Phi1 et Phi2. Ces deux
interrupteurs sont complémentaires,c’est-à-dire lorsque l’interrupteur P(t) est ouvert
l’interrupteur I(t) est fermé et lorsque l’interrupteur I(t) est ouvert ;l’interrupteur P(t)
est fermé. On peut considérer que les tension Vin et Vout sont constantes pendant
une periode d’horloge car ces tension varient peu. La charge de la capacité pendant la
phase d’activité de l’horloge Phi1 est :Q1=C*Vin et la charge de la capacité pendant la
phase d’activité de l’horloge Phi2 est : Q2=C*Vout. Pendant une periode la charge
coppespond a ∆Q=Q1-Q2 de l’entrée vers la sortie. Ce qui est équivalent a un courant
moyen Imoy=∆Q/∆T. La resistance équivalente entre l’entrée et la sortie est donc :

Req = = (2.10)

a Fonctionement de capacité commutée

La figure 2.13 montre le schéma de circuit complet de l'architecture de gestion de

puissance proposée. Une pompe de charge de topologie arborescente [38] est adoptée
comme convertisseur de commutation pour une meilleure capacité de transfert de
charge, par rapport à une topologie de pompe à charge linéaire. Pour réaliser des
commutateurs de transfert de charge (CTS), on utilise des transistors n-MOS et p-MOS
et des portes de transmission. Le placement des CTS respectifs est fait en fonction de
leurs tensions aux bornes afin de réduire la résistance [39]. Les condensateurs de
pompage sont réalisés par des condensateurs de porte MOS sur puce pour obtenir une
surface de compact.

Pendant le demi-cycle positif de l'horloge phi, le condensateur C2 sera chargé depuis

la récolteuse et le condensateur C1 sera déchargé vers le condensateur C3. Tandis que,
dans le demi-cycle négatif de l'horloge, le condensateur C1 est chargé par la récolteuse
et les condensateurs C2 et C3 ainsi que VPH déchargeront l'un ou l'autre des
condensateurs CL ou CB, en fonction des signaux de commande VM8 et VM9.

Pour générer ces signaux de contrôle, CP1 compare VDIV avec VREF1 et déclenche
VM8 ou VM9 pendant le demi-cycle négatif de Psi, Et leurs chronogrammes
correspondants sont représentés sur la Figure 2.13 Selon le déclenchement du
comparateur, le convertisseur de commutation connecte l'un ou l'autre tampon stade

35
ou étape d'application. Si VDIV est inférieur à VREF1 pendant le demi-cycle négatif de
phi, VM8 déclenchera le transistor M8 et VM9 désactivera les deux transistors M9 et
M11, afin de maintenir la régulation de charge. Une fois que l'énergie d'entrée satisfait
aux exigences d'alimentation, c'est-à-dire, complémentaire entre l'étage d'application
et l'étage tampon, VDIV> VREF1, M8 sera éteint et M9, M11 sera activé pour stocker
l'énergie en excès. Par conséquent, en raison de la commutation VL est régulée et
l'énergie excédentaire restante est stockée dans le condensateur de stockage CB, pour
des utilisations futures. Maintenant, si VDIV est encore plus bas que VREF2, cela
signifie que l'énergie de balayage n'est pas suffisante pour répondre aux exigences de
la charge, un signal de contrôle Psi déclenchera le transistor M12, qui permettra alors
la décharge de CB vers le CL afin d'atténuer tout déséquilibre entre l'énergie d'entrée
disponible et l'énergie de sortie

Figure 2.13. Schéma électrique de l'architecture de gestion de l'alimentation proposée.

36
 2.2.4 Unité de contrôle

a Comparateur de tension

La fonction comparaison consiste à comparer une tension d’entrée VE, variable au

cours du temps, à une tension constante Vref pour le comparateur à un seuil, ou à
deux tensions constantes Vref1 et Vref2 pour le comparateur à deux seuils. Les
tensions constantes Vref, Vref1, et Vref2 sont appelées tensions de seuil. Lorsque la
tension VE franchit une tension de seuil, la tension de sortie VS du comparateur
bascule d’une valeur VSAT1 à une valeur VSAT2 (ou inversement).

Il existe deux versions du comparateur de tension à simple seuil :

 Le comparateur non-inverseur.
 Le comparateur inverseur.

b Les portes logiques NOR

La porte NOR donne l’exact inverse de leur sortie d’une porte OU. Là encore, il en
existe une version avec deux entrées. Le tableau et symboles qui suivent sont ceux
d’une porte NOR à deux entrées.

Entrée 1 Entrée 2 Sortie

0 0 1

0 1 0

1 0 0

1 1 0

Tableau 2.1. Les entrées et la sortie d ‘une porte NOR.

37
 Figure 2.14. Schéma équivalent d’une porte logique NOR.

Par ailleurs, il possible de recréer les portes ET, OU et NON en utilisant des montages
composé uniquement des portes NOR .comme quoi, la porte NAND n’est pas la seul à
avoir ce privilège .en peut donc concevoir un circuit en n’utilisant que des portes NOR.
Pour donner un exemple, sachez que les ordinateurs charges du pilotage et des
navigations des missions Apollo étaient intégralement conçu avec des portes NOR.

c principe de fonctionnement

Le circuit de référence à bande interdite classique limitant son fonctionnement en

dessous de 1,25V, un circuit de référence de courant CMOS sous-seuil [40] a été choisi
pour générer des tensions de référence, VREF1 = 810 mV et VREF2 = 800 mV, pour
cette implémentation. Le fonctionnement détaillé des circuits du générateur de
référence et du comparateur peut être trouvé dans des travaux antérieurs [41].

Pendant le demi-cycle négatif de l'horloge, si la tension d'échantillonnage, VDIV, est

supérieure à la tension de référence, VREF1, le signal de commande VM9 activera les
transistors M9 et M10, et le signal de commande VM8 désactivera le transistor M8.
D'autre part, si la tension VDIV est inférieure à la tension de référence VREF1, le signal
de commande VM8 activera le transistor M8 et éteindra respectivement les transistors
M9 et M10 pour maintenir la régulation. Cependant, si le circuit de référence tension
limite le fonctionnement en dessous de 1,25 V, le circuit de référence de courant
CMOS sous-seuil [40] a été choisi pour générer des tensions de référence, VREF1 = 810
mV et VREF2 = 800 mV, pour cela la mise en œuvre.

38
 Cependant, si la tension VDIV est encore inférieure à la deuxième tension de
référence VREF2, alors le signal de commande allume les transistors M11 et M9 par le
signal de commande PSI, Pour transférer les charges de CB vers CL. Par conséquent, un
déclenchement approprié des signaux de commande est effectué pour fournir une
meilleure régulation de la charge.

2.3 Conclusion
L’objectif de ce chapitre était l’explication de l’architecture de gestion d'énergie
proposée et les signaux de commande associés pour maintenir la régulation de la
charge. Nous avons commencé de presenter l’architecture de système,tout en
detaillant le principe général de l’architecture que nous avons retenu. Nous avons,
ensuite, expliqué le principe de fonctionnement de chaque étage.

39
 Chapitre 3 Résultats de simulation

3.1 Introduction
La consommation des systèmes et objets communicants sans fil est de plus en plus
conséquente par rapport à la quantité échangée et à la portée souhaitée, ce qui réduit
d’autant la durée de vie de la batterie. Pour rendre ces système et objets
communicants plus autonomes en énergie et augmenter la durée de la batterie, les
systèmes de récupération d’énergie solaire sont une alternative très intéressante

Dans ce chapitre on s’intéresse aux différents circuits de récupération d’énergie qui

sont basés sur les transistors MOS et les capacités.

3.2 Système de conception avancé (ADS)

Advanced Design System est le premier logiciel d'automatisation de conception
électronique au monde pour les applications RF, micro-ondes, numériques haute
vitesse et électroniques de puissance. Dans une interface puissante et facile à utiliser,
ADS est le pionnier des technologies les plus innovantes et commercialement
performantes, telles que les X-paramètres * et les simulateurs EM 3D, utilisées par des
entreprises leaders dans les domaines de la communication sans fil & réseau,
aérospatial & défense, automobile et industries énergétiques. Pour le WiMAX ™, le
LTE, les liaisons de données multi-gigabits par seconde, le radar, le satellite et les
alimentations à découpage, ADS fournit une conception et une vérification complètes
basées sur des normes avec des biblIOThèques sans fil et d'autres applications
spécifiques. Co-simulation dans une plateforme intégrée.

40
 Figure 3.1. page d’ouverture de l’ADS.

Figure 3.2. créations d’un nouveau projet sur ADS.

41
 Figure 3.3. page d’accueil de l’ADS.

Figure 3.4. l’extraction d’un composent sur l’ADS

42
3.3 Etude de circuit de système
3.3.1 L’inverseur CMOS

Figure 3.5. symbole d’un inversseur CMOS

2.0

1.5
Vin <invalid>
Vout, V

1.0

0.5

0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

nothing
Vin

Figure 3.6. Caractéristiques d’un inverseur CMOS.

43
 Cet inverseur est composé des transistors P et NMOS sous une tension d’entrée
égale à 1.8 v. En remarque que la simulation de l’inverseur montre que la tension de
sortie correspond à la tension estimée au départ ce qui implique que cet inverseur
réalise la fonction exigé dans notre montage.

3.3.2 Comparateur idéal

Figure 3.7. Schéma d’un comparateur idéal.

44
 2.0

1.5
out, V
in, V

1.0

0.5

0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Vin

Figure 3.8. Caractéristique d’un comparateur de tension.

La figure 3.8 montre la caractéristique d’un modèle de comparateur donné dans la

figue 3.7, VIN représente la tension comparée à la tension de référence de
0.81v.quand vin est inferieur à la tension de référence la tension de sortie de
comparateur est égale à VDD.la sortie devient égale a 0v quand la tension de référence
est supérieur a 0.81

45
 3.3.3 Oscillateur en anneau

L’oscillateur en anneau conçu en technologie CMOS 0.18µm.

Figure 3.9. schéma d’un oscillateur en anneau.

Cet oscillateur est composé de 5 étages d’inverseurs où chaque étage est chargé par
une capacité pour maitriser le période du cycle généré. D’après la figure ci-dessous, on
observe un signal périodique qui est déclenché après une période de temps transitoire
de 10 ns. L’amplitude du signal généré est de 1.5 V conformément à la tension
d’alimentation appliquée à cet oscillateur en anneau. La fréquence du signal généré
est de 30 MHz mais elle peut être modulée en fonction du besoin et le fonctionnement
exigé par l’architecture du système entier.

46
 m2
time= 480.5nsec
m1
time= 506.4nsec TRAN.vout=1.499 V
1.6TRAN.vout=1.499 V m2m1
1.4

1.2

1.0
TRAN.vout, V

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-0.2
0 100 200 300 400 500 600

time, nsec

Figure 3.10. Tension d’oscillation.

Pour illustrer les différents signaux de notre oscillateur, nous avons choisi les deux
sorties déphasées d’un déphasage de π. Nous constatons que la technologie CMOS
exploitée dans notre conception répond largement aux exigences de notre cahier de
charge ou la fréquence du signal doit varier entre 1MHz et 15 MHz et adapté selon le
temps de charge-décharge de notre réseau de capacités commutés.

47
 1.6

1.4

1.2

1.0
vout, V
out2, V

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-0.2
0 100 200 300 400 500 600

time, nsec

Figure 3.11. les deux tension de sortie Phi et Phib

a Oscillateur avec horloge de control

Cet oscillateur en anneau ne peut être fonctionnel tout le temps afin d’éviter toute
consommation inutile de l’énergie récupérée. A cet effet, nous pouvons rajouter un
circuit de commande et de déclenchement de notre oscillateur sous forme de
transistors N et PMOS. Ces transistors peuvent être en état de conduction sous
certaines conditions à savoir la tension minimale ou le seuil utilisé par la technologie
CMOS 0.18µm qui est de 450mV. Toute tension supérieure à cette dernière pourrait
déclencher notre oscillateur. Pour notre cas, la tension généré par notre récupérateur
d’énergie solaire est d’environ de 0.6 V qui la tension chargée dans la capacité
d’entrée Cin. Le transistor PMOS est également déclenché par une tension de
commande |Vgsp| > 0.45 V. La technique utilisé à cet effet est similaire à celle de
miroir du courant où la tension de drain du transistor NMOS est reportée au niveau de
la grille du transistor PMOS afin d’avoir la tension exigée pour la conduction de ce
dernier.

48
 Figure 3.12. Schéma d’un oscillateur avec horloge de control.

Effectivement, notre montage a bien fonctionné dés l’application de la tension

exigée où nous pouvons observer que les deux signaux déphasé PHI et PHIb sont
générés. Cependant, les deux signaux ne sont pas totalement en opposition de phase
vu l’existence de certaines capacité parasites qui sont engendrées par les transistors N
et PMOS rajoutés pour le déclenchement de l’oscillateur. Bien évidemment, pour
réguler ces deux signaux, il existe dans la littérature d’autres techniques qui
permettent d’effectuer cette opération. Mais dans le cadre de ce mémoire, nous nous
sommes intéressés à la faisabilité de cette architecture. D’ailleurs, la fréquence
obtenue a baissé à cause des capacités parasites rajoutées. Mais elle est d’une valeur
proche de 15 MHz.

49
 m1 m2
time= 545.2nsec time=474.2nsec
phi=1.500 V phi=1.500 V
1.6 m2 m1
1.4

1.2

1.0
phib, V
phi, V

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-0.2
0 100 200 300 400 500 600

time, nsec

Figure 3.13. Les deux tension Phi et Phib en opposition de phase.

Pour le montage ci-après, nous avons essayé de rassembler tous les étages de notre
système à savoir : le circuit récupérateur, le circuit à base de capacité commuté,
l’oscillateur, la charge et le circuit d’unité de contrôle. Pour bien procéder à la
simulation de ce montage, nous avons exploité un oscillateur idéal générant des
signaux carrés en opposition de phase et des commutateurs idéaux au niveau du
circuit à capacités commutés. Le but est de simuler le comportement de notre circuit à
capacité commuté sans aucune altération apportée par l’oscillateur et/ou les
commutateurs.

50
 Figure 3.14. Circuit de récupération d’énergie.

La figure 3.15 Présente les prélevés au niveau des différentes capacités du circuit à capacités
commutés. Il est clair que la commutation au niveau des capacités s’illustre par le signal carré
reporté sur les courbes de charge des capacités concernées. On constate également qu’après
un certain temps transitoire les capacités se chargent autour d’une tension moyenne.

La figure 3.16 est un agrandissement de la figure 3.15 où on observe que la tension moyenne
résultante au niveau de la capacité Cp3 atteint une valeur de 1.5 V. Bien évidemment, d’autres
circuits peuvent être rajoutés pour stabiliser la tension autour d’une tension continue mais
ceci ne fait pas l’objet de ce travail.

51
 1.2

1.0

0.8

Cap1, V
0.6

0.4

0.2

0.0

1.5

1.0
Cap2, V

0.5

0.0

2.5

2.0
Cap3, V

1.5

1.0

0.5

0.0
0 5 10 15 20 25 30 35 40

time, usec

Figure 3.15. Simulation temporel montrent la charge des capacité C1,C2 et C3.

1.2

1.0

0.8
Cap1, V

0.6

0.4

0.2

0.0
1.5

1.0
Cap2, V

0.5

0.0
2.5

2.0
Cap3, V

1.5

1.0

0.5

0.0
0 10
time, usec

Figure 3.16. Zoom de simulation temporel montrent la charge des capacité C1,C2 et C3.

Pour plus de détails, et depuis la figure 3.16, nous pouvons dire que durant la demi-période
du signal PHI (lorsque le signal généré du PHI est à l’état haut ), la capacité Cin et la capacité
Cap2 se chargent en même temps du récupérateur ( Vph) sachant que la capacité Cap1 n’est
pas encore chargé mais sa quantité de charge initiale est déchargée au niveau de la capacité
Cap3. Par contre durant la demi période du signal PHIb (lorsque le signal généré du PHIb est à
l’état haut), la capacité Cin et la capacité Cap1 se chargent en même temps du récupérateur
(Vph) sachant que les deux capacités Cap2 et Cap3 chargées auparavant et connecté en série à
Vph vont se décharger soit au niveau de la capacité Cb soit dans la capacité CL en fonction de
la tension de commande provenant de l’unité de contrôle.

52
Cependant, en dépassant la phase transitoire, les capacités sont complètement chargées et le
cycle transitoire ne peut se reproduire que si une charge consomme l’énergie stocké

1.5
1.6

1.4
1.0

Phi, V
1.2

1.0 0.5
Phi, V

0.8

0.0
0.6
1.2
0.4
1.0

0.2
0.8

Cap1, V
0.0 0.6

1.4
0.4

1.2 0.2

0.0
1.0
2.5

0.8
Cap2, V

2.0

0.6

Cap3, V
1.5

0.4 1.0

0.2 0.5

0.0 0.0
0 5 10 0 5 10

time, usec time, usec

(a) (b)

Figure 3.17. (a)Accord du temps de charge la capacité C2 avec le niveau haut de la tension

Phi. (b) Accord du temps de charge la capacité C1 et C3 avec le niveau haut de la tension Phi

Les deux figures ci-dessus illustrent également les tensions prélevées au niveau de Cb et CL
où la tension atteint sa valeur moyenne maximale avec quelques cycles de PHI. Cependant, la
tension observée autour de la capacité de charge CL prend bcp de temps pour qu’elle atteigne
une valeur maximale qui reste loin de la tension observée au niveau du Cb vu qu’elle alimente
l’unité de controlé.

53
 2.5

250
2.0

200
1.5
Cb, V

150
1.0

Cl, mV
0.5 100

0.0 50

-0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 5 10 15 20 25 30 35 40
time, usec time, usec

Figure 3.18. Les tensions prélevé aux niveaux des capacités Cb et Cl.

3.4 Effet des commutateurs réels sur le circuit à capacités

commutés

Figure 3.19. Montage avec un circuit à capacités commutées utilisant des commutateurs
réels.

54
 La figure ci-dessous illustre le même montage avec un circuit à capacités commutées
utilisant des commutateurs réels. Ces commutateurs sont à base de transistors NMOS
et PMOS ayant une largeur faible de 0.36 um . Afin de voir l’effet de ces transistors sur
notre montage et le circuit de capacités commutés, nous avons procédé à la simulation
dans les même conditions précédentes, c à d, un Oscillateur idéal .

600
Cap1, mV

400
200
0
1.0
Cap2, V

0.5

0.0
1.0
Cap3, V

0.5

0.0
1.0
Cb, V

0.5

0.0
1.0
Cl, mV

0.5

0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
time, usec

Figure 3.20. Illustration des déférentes tensions aux niveaux des capacités

A l’observation de la figure précédente, des différentes tensions au niveau des capacités ont
énormément baissé par rapport à celles prélevées lors de l’utilisation des commutateurs
idéaux. Ceci revient principalement des éléments intrinsèques des transistors et notamment la
résistance rds des transistors. Afin de résoudre ce problème, nous avons procédé à la
simulation paramétrique en variant la largeur des transistors commutateurs pour W=36µm et
W=144µm. Après la simulation avec les nouvelles largeurs, nous avons observé une

55
amélioration des tensions prélevées aux différentes capacités comme le montre la figure ci-
dessus :

1.5
H
Cap1, V (H)

1.0

0.5

0.0
1.5
H
Cap2, V (H)

1.0

0.5

0.0
2.5
H
Cap3, V (H)

2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2.5
H
2.0
Cb, V (H)

1.5
1.0
0.5
0.0
30
H
Cl, mV (H)

20

10

0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
time, usec

Figure3.21. Illustration des déférentes tensions aux niveaux des capacités en variant la
largeur des transistors

56
 250

200

Cl, mV 150

100

50

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40

time, usec

Figure 3.22. charge de la capacité Cl en fonction du temps.

3.5 Effet de l’oscillateur réel sur le système

Lorsqu’on remplace l’oscillateur idéal par le réel qui a été conçu précédemment, la
simulation des différentes tensions en fonction du temps montre que notre système est
toujours fonctionnel. Les tensions prélevées au niveau des capacités atteignent des tensions
maximales attendues. Cependant, l’effet des éléments parasites sur le signal généré par
l’oscillateur apparait au niveau de la capacité CL qui ne se charge pas à une tension importante
comme dans le cas d’un oscillateur.

57
 2.0
1.5
Phi, V

1.0
0.5
0.0
-0.5
2.0
Phib, V

1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
1.4
Cap1, V

1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.5
Cap2, V

1.0
0.5
0.0
2.0
Cap3, V

1.5
1.0
0.5
0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0
time, usec

Figure 3.23. La simulation des différentes tensions en fonction du temps aux niveaux de
l’oscillateur réel.

58
 120

100

80
Cl, mV

60

40

20

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
time, usec

Figure 3.24. La charge de la capacité Cl en fonction du temps dans le cas d’un oscillateur réel.

3.6 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons étudié le circuit DC-DC pour la récupération de l’énergie
photovoltaïque avec la technologie CMOS 0.18 µm. Ainsi, une comparaison de système a
base de composants idéaux et réels. Nous avons choisi les transistors et les capacités les plus
appropriés pour la conception de système autour 15MHZ.

59
 Conclusion générale

Le travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la conception des circuits de

récupération d’énergie pour les systèmes mobiles. Notre choix s’est orienté à une
source photovoltaïque pour ses avantages écologiques. La circuiterie adoptée dans le
cadre de ce mémoire recombine une panoplie de circuits analogiques. Les résultats de
ce travail ont été déjà discutés et validés par des simulations dans le cas idéal et réel
de certains circuits. Malgré le facteur temps, nous avons essayé d’implémenter les
différents circuits et les simuler. Par ailleurs, en plus de l’exploitation de la technologie
CMOS durant ce stage pour accomplir ce travail, les étapes de conception de notre
circuit nous a également permis d’apprendre les techniques de simulation sur un
logiciel dédié à la conception de circuits intégrés.

60
 Bibliographie

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RÉSEAUX DE PROCHAINE GÉNÉRATION ».SECTEUR DE LA NORMALISATION DES
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