Université Cadi Ayyad

Année Universitaire 2022-2023

Faculté des Sciences Semlalia Bases de la Conversion Photovoltaïque
Département de physique LP3ER – S4
Exercice 1
A 300 K, un barreau en silicium est dopé par des atomes de phosphore de concentration 1017 cm-3.
On donne concentration intrinsèque étant de 1,6 1010 cm-3 et la concentration totale d’atomes de
silicium étant de 5.1022 cm-3.
1- Préciser le type du semiconducteur formé.
2- Déterminer la concentration des électrons.
3- Déterminer la concentration des trous.
Exercice 2
Un barreau en silicium est dopé par des atomes d’Arsenic de concentration 1015 cm-3
On donne concentration intrinsèque étant de 1,6 1010 cm-3 .
1- Donner le type du semiconducteur.
2- Déterminer les concentrations n des électrons et p des trous.
Exercice 3
La densité des électrons et celle des trous sont respectivement données par les expressions :
𝑬𝑪−𝑬𝑭 𝑬𝑭 −𝑬𝑽
𝒏 = 𝑵𝑪 𝒆− 𝑲𝑻 et 𝒑 = 𝑵𝑪 𝒆− 𝑲𝑻
1- Trouver la distance énergétique entre le niveau de Fermi et le minimum de la bande de
conduction pour un semi-conducteur à base de silicium de type n dopé avec une concentration
ND=1017cm-3 à T =300K.
2- Trouver la distance énergétique entre le niveau de Fermi et le sommet de la bande de valence
pour un semi-conducteur à base de silicium de type p dopé avec une concentration NA=1015cm-3
à T =300K.
Données : Pour Si, à T=300 K, on a : NC=2.7 1019cm-3, NV =1.2 1019cm-3
Exercice 4
Dans le cuivre pur, à T=300 K, le temps de relaxation des électrons libres vaut 2 10-14s.
1- Calculer la mobilité des électrons libres dans le cuivre et comparer sa valeur avec celle des
électrons dans un monocristal de silicium. Conclusion.
2- Si la concentration en électrons libres est égale à 10.5 1022 cm-3, calculer la conductivité puis la
résistivité.
3- La densité de courant est souvent limitée à la valeur Jmax =5 A.mm-2 dans les fils non bobinés,.
Quelle est alors la valeur Emax du champ électrique à ne pas dépasser ? En déduire la vitesse moyenne
maximale des électrons libres.
Données : me = 9,1 10-31 kg, e =1,6 10-19 C.
Exercice 5
1- Exprimer la concentration intrinsèque ni en fonction de NC, NV, Eg, et T.
2- Déterminer la position du niveau de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque en fonction de
NC, NV, EC, EV et T.
3- Représenter dans le diagramme d’énergie le niveau de Fermi pour un semiconducteur
intrinsèque.
Exercice 6
Un barreau de silicium à 300 K de type N de longueur L et de section S est soumis à la différence de
potentiel U est parcouru par le courant I.
On donne :
𝑛𝑖 = 1.1 1010 𝑐𝑚−3 , 𝐿 = 2 𝑐𝑚 , 𝑆 = 10−3 𝑐𝑚2 , 𝑈 = 5 𝑉 , 𝐼 = 1 𝑚𝐴, 𝜇𝑁 = 0.15 𝑚2 ⁄V. S
, 𝑁𝐶 = 𝑁𝑉 = 2.5 1019 états d′ énergiepar cm3 , Eg= 1.11 eV et k= 1.38 10-23 SI
1- Déterminer sa conductivité 𝜎.
2- En déduire la densité des porteurs majoritaires et minoritaires.
3- Déterminer le niveau de Fermi par rapport à celui de la bande de conduction.
4- Que deviennent à une température T= 400 K les densités des états disponibles dans la bande
de valence et de conduction sachant que leurs valeur à l’ambiante sont 𝑁𝐶 = 𝑁𝑉 =
 2.5 1019 é𝑡𝑎𝑡𝑠 𝑑′ é𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑒𝑝𝑎𝑟 𝑐𝑚3 (on suppose que les masse effectives ne changent pas
avec la température).
5- Si on néglige la variation du gap avec température (en réalité <4%).
Déterminer à 400 K
a- La valeur de la densité des porteurs intrinsèque ni’
b- La densité des porteurs majoritaires et minoritaires.
c- La nouvelle position du niveau de Fermi par rapport à EC.
Exercice 7
Un semiconducteur est caractérisé par ses densités d’états d’énergie disponibles dans la bande de
valence Nv et dans la bande de conduction NC et par son énergie de bande interdite Eg.
On donne Eg = 1.11 eV, NC = NV = 2.7 1019 cm-3 et k= 1.38 10-23 SI
Déterminer et à la température ambiante 300 K :
a- Sa densité de porteur intrinsèque ni.
b- Le type du semiconducteur si le niveau de Fermi est placé à 0.3 eV de la bande de
valence.
c- Les densités des électrons dans la bande de conduction et des trous dans la bande de
valence.
d- Le type et la densité d’atomes d’impuretés.
Exercice 8 Étude d’un semiconducteur en fonction de la température.
Soit un semiconducteur homogène de Germanium. On rappelle que les densités d’électrons et de
trous d’un semiconducteur sont données par les expressions :
𝒏𝑪 = 𝑵𝑪 𝒆−(𝑬𝑪−𝑬𝑭⁄𝒌𝑩 𝑻) et 𝒑𝒗 = 𝑷𝒗 𝒆−(𝑬𝑭−𝑬𝒗 ⁄𝒌𝑩 𝑻) , où T est la température, 𝑬𝑭 le niveau de Fermi,
Ec le bas de la bande de conduction et Ev le haut de la bande de valence. Le Germanium est dopé
avec de l’Indium (atome accepteur). La concentration d’atomes ionisés en fonction de la température
𝑵𝒂
est donnée par : 𝑵−
𝒂 = 𝑬 −𝑬
𝟏+𝐞𝐱𝐩( 𝒂 𝑭)
𝒌𝑩 𝑻

Dans tout l’exercice, on négligera les variations de Nc et Pv avec la température devant les variations
exponentielles de telle sorte que vous considérerez : Nc = cste et Pv = cste. On distingue trois
domaines de température tels que :
𝑬𝒂 − 𝑬𝑭
(𝒂) 𝑻 < 𝑻𝒎𝒊𝒏 ∶ 𝒑𝒗 = 𝑵−
𝒂 = 𝑵𝒂 𝐞𝐱𝐩(− )
𝒌𝑩 𝑻
(𝒃) 𝑻𝒎𝒊𝒏 < 𝑻 < 𝑻𝒎𝒂𝒙 ∶ 𝒑𝒗 = 𝑵− 𝒂 = 𝑵𝒂
(𝒄) 𝑻 > 𝑻𝒎𝒂𝒙 ∶ 𝒑𝒗 = 𝒏𝑪
A.N. : Na = 1016 cm−3, NC = 1019 cm−3, Pv= 6.1018 cm−3 , Egap = 0, 66 eV, Ea − Ev = 0, 011 eV,
kB = 8,617.10−5 eV.K−1

1- Expliquer qualitativement ces trois domaines de température ainsi que les expressions de 𝒑𝒗
associées. Indiquer pour chaque domaine si le semiconducteur est intrinsèque, ionisé ou
saturé.
2- Déterminer les expressions 𝑬𝑭 et la densité de trous pv dans chacun des trois domaines de
température.
3- En utilisant la continuité du 𝑬𝑭 avec la température, déterminer les expressions des
températures Tmin et Tmax qui délimitent les différents domaines de température.
4- Calculer les valeurs numériques de Tmin et Tmax.
5- Tracer l’allure de ln( 𝐩𝐯 ) en fonction de 1/T.