ECOLE NORMALE SUPÉRIEURE DE L’ENSEIGNEMENT

TECHNIQUE

DÉPARTEMENT GÉNIE ELECTRIQUE

FILIÈRE

1è𝐞 année cycle d’ingénieur Energie Electrique et Industrie Numérique

Compte Rendu
Mini-projet
(Control Continu à Distance)
Etude et Simulation d’un Hacheur Série

Réalisé par : Encadré par :

Badr RERHRHAYE Professeur Mustapha RAHBAOUI

Table des matières

C. Etudes du convertisseur continu/continu :.........................................................................................................................6

1) On trace en fonction du temps les formes d’ondes suivantes (Voir Figure 34) :...................................................6

2) Le type du hacheur :..............................................................................................................................................6

3) Le nombre de quadrants :......................................................................................................................................6

4) On explique les raisons pour lesquelles notre hacheur ne permet aucune réversibilité en courant ni en tension :
6

5) La situation dans laquelle on peut négliger la résistance R du moteur :................................................................7

6) On détermine l’expression de la valeur moyenne Vmoy de la tension V en fonction de Vc et du rapport cyclique

α. En déduire le rôle de α :..........................................................................................................................................8

7) On désire varier la vitesse du moteur à courant continu de l’arrêt à sa vitesse nominale. On détermine la plage
de variation de α :.......................................................................................................................................................9

8) On donne l'expression du courant i en fonction du temps pour : ◦ 0 < t < αT, ◦ αT < t < T :...................................9

9) En déduire l'expression de l'ondulation du courant Δi :........................................................................................9

10) On détermine la valeur de α pour laquelle Δi est maximale :......................................................................10

11) On Trace l’évolution de Δi en fonction de α quand ce dernier varie de 0 à 1 :..............................................11

12) On détermine la fréquence de hachage minimale permettant de maintenir l’ondulation du courant

inférieure à 5 % du courant nominal du moteur :.....................................................................................................11

13) On détermine l’expression de la valeur moyenne minimale Imoy du courant i en dessous de laquelle la
conduction discontinue se produit :.........................................................................................................................12

14) On représente la forme d’onde de la tension V en fonction du temps en conduction discontinue et on

détermine de quoi dépend sa valeur moyenne :......................................................................................................12

15) On trace la caractéristique Vcmoy = f(Imoy) en montrant comment varie la tension moyenne en fonction
du courant moyen à la sortie du hacheur, en conduction continue et en conduction discontinue. On explique la
raison pour laquelle il est préférable d’éviter le fonctionnement en régime de conduction discontinue :..............13

16) On détermine les contraintes sur les composants K et D. on calcule les valeurs numériques
correspondantes :.....................................................................................................................................................14

17) On propose une référence de diode et de transistor pouvant être utilisés pour réaliser ce convertisseur en
justifiant notre choix.................................................................................................................................................18

18) On détermine l’expression des pertes dans la diode et le transistor. On négligera l’impact du phénomène
de recouvrement direct et inverse..........................................................................................................................21

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19) En se basant sur les caractéristiques réelles de la diode et du transistor choisis, calculer les valeurs des
pertes dans ces composants. En déduire le rendement du hacheur :......................................................................26

20) On dimensionne le radiateur permettant de maintenir la température des jonctions de la diode et du

transistor à 100°c :....................................................................................................................................................36

D. Simulation du fonctionnement du Hacheur :...................................................................................................................38

1) La simulation du montage Hacheur sur LTspice :.................................................................................................38

2) On affiche les formes d’ondes obtenues par simulation et on les compare à celles tracées dans la partie C :....39

3) On compare toutes les valeurs obtenues théoriquement dans la partie précédente à celles obtenues par
simulation :...............................................................................................................................................................43

4) On vérifie par simulation que l’hypothèse qui a consisté à négliger la résistance R était judicieuse :.................44

5) On vérifie si le fait de négliger le phénomène de recouvrement inverse dans la diode D était judicieux :..........45

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Table des figures :
Figure 1:Ensemble convertisseur machine....................................................................................................................................5
Figure 2:Hacheur série alimentant la machine à courant continu..................................................................................................5
Figure 3:courant i(t) dans le cas général dans une MCC...............................................................................................................7
Figure 4:Exemple concret d’une machine à courant continu........................................................................................................7
Figure 5:l’évolution de Δi en fonction de α quand ce dernier varie de 0 à 1...............................................................................11
Figure 6:la forme d’onde de la tension V en fonction du temps en conduction discontinue.......................................................12
Figure 7:la caractéristique Vcmoy = f(Imoy)..............................................................................................................................13
Figure 8:Caractéristiques principales de la diode STTH810.....................................................................................................18
Figure 9:Caractéristiques principales du MOSFET SCT30N120...............................................................................................19
Figure 10:Caractéristiques principales de l’IGBT FGH40T100SMD........................................................................................20
Figure 11:La caractéristique IF = f(VF) de la diode STTH810.......................................................................................................21
Figure 12:Le schéma équivalent de la diode STTH810................................................................................................................21
Figure 13:La caractéristique ID = f(VDS) du MOSFET SCT30N120..................................................................................................23
Figure 14:Le schéma équivalent du MOSFET SCT30N120...........................................................................................................23
Figure 15:La caractéristique IC = f(VCE) de l’IGBT FGH40T100SMD..............................................................................................25
Figure 16:Le schéma équivalent de l’IGBT FGH40T100SMD.......................................................................................................25
Figure 17:La caractéristique IF = f(VF) de la diode STTH810 au tour du P.F................................................................................26
Figure 18:La caractéristique ID = f(VDS) du MOSFET SCT30N120 au tour du P.F...........................................................................29
Figure 19:La caractéristique IC = f(VCE) de l’IGBT FGH40T100SMD au tour du P.F.....................................................................32
Figure 20:L’ensemble boitier, interface thermique et radiateur................................................................................................36
Figure 21: Radiateur Roch 4771..................................................................................................................................................37
Figure 22:Schéma du circuit simulé............................................................................................................................................38
Figure 23:Forme d’onde de la tension V à la sortie du convertisseur.........................................................................................39
Figure 24:Forme d’onde de la tension VL aux bornes de l’inductance L.....................................................................................39
Figure 25:Forme d’onde du courant i traversant l’inductance L.................................................................................................40
Figure 26:Forme d’onde de la tension VK aux bornes du transistor K........................................................................................40
Figure 27:Forme d’onde du courant i1 dans le transistor K........................................................................................................41
Figure 28:Forme d’onde de la tension Vd aux bornes de la diode D...........................................................................................41
Figure 29:Forme d’onde du courant iD traversant la diode D.....................................................................................................42
Figure 30: Les durées de conduction du transistor K et de la diode D........................................................................................42
Figure 31: l’allure obtenue par simulation du courants i(t) avec T = 20 ms................................................................................44
Figure 32: l’allure obtenue par simulation des courants iD et iK et des tensions VD et VK durant l’intervalle trr..........................45
Figure 33: l’allure des courants iD durant l’intervalle trr.............................................................................................................46
Figure 34: Les formes d’ondes de la question 1 partie C............................................................................................................48

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 On se propose dans ce projet de dimensionner le circuit de puissance d’un variateur de vitesse
permettant d’alimenter un moteur à courant continu en vitesse variable, à partir du réseau alternatif
triphasé.

Le variateur de vitesse est formé de trois étages : Un convertisseur Alternatif/Continu, un filtre

LC, et un convertisseur Continu/Continu.

Le schéma de principe du système est représenté dans la figure ci-dessous :

Figure 1:Ensemble convertisseur machine.

Le convertisseur Continu/Continu est un hacheur série, alimenté par la tension continue Vc

fournie par le filtre placé après le pont redresseur étudié dans le devoir 1 (Fig.2). Le hacheur alimente un
moteur à courant continu à excitation indépendante.

L’induit du moteur à courant continu, alimenté par ce convertisseur statique, est équivalent à une
f.c.é.m. constante E en série avec une inductance L et une résistance interne R. Sa tension et courant
nominaux sont respectivement 500V et 23A, et son excitation est nominale. Les hypothèses suivantes
vont être adoptées tout au long de cette partie du sujet :

 La résistance interne R de l’induit est supposée négligeable (non représentée sur le schéma).
 L’inductance L, de valeur 41 mH, est supposée parfaite.
 Le transistor K est assimilé à un interrupteur parfait fonctionnant en commutation.
 La diode D est supposée idéale (tension de seuil et résistance interne nulles).
 La tension Vc est supposée constante.
 Le régime permanent mécanique et électrique de la MCC sont atteints.
 Le hacheur fonctionne en mode de conduction continue.

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 Figure 2:Hacheur série alimentant la machine à courant continu.

C. Etudes du convertisseur continu/continu :

1) On trace en fonction du temps les formes d’ondes suivantes (Voir Figure 34) :
 Les durées de conduction du transistor K et de la diode D,
 La tension V à la sortie du convertisseur,
 La tension VL aux bornes de l’inductance L,
 Le courant i traversant l’inductance L,
 La tension Vk aux bornes du transistor K,
 Le courant i1 dans le transistor K,
 La tension VD aux bornes de la diode D,
 Le courant iD traversant la diode D.

2) Le type du hacheur :

D’après les formes d’ondes tracées (Figure 34), on remarque que la tension de sorite V ne peut
être qu’inferieur ou égale à la tension d’entrée Vc. Donc, C’est un hacheur série, abaisseur ou dévolteur.

3) Le nombre de quadrants :

Le hacheur série fonctionne dans un seul quadrant.

4) On explique les raisons pour lesquelles notre hacheur ne permet aucune réversibilité en
courant ni en tension :

On va justifier que le courant et la tension à la sortie du convertisseur ne peuvent pas changer de

signe :

En analysant le montage on a : V (sortie) = -VD (tension aux bornes de la diode)

Si la tension V devient négative, la diode D sera polarisée en directe et elle va conduire. Donc
on constate dès que V tend à devenir négative, elle va être annulée par la conduction de la diode. Alors,
jamais on ne peut avoir à la sortie de notre hacheur une tension négative

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 Pas de réversibilité en tension.

Ainsi, le courant ne peut pas changer de signe, car la diode et le transistor sont des éléments non
réversibles en courant.

Pas de réversibilité en courant.

5) La situation dans laquelle on peut négliger la résistance R du moteur :

On peut négliger la résistance R du moteur quand elle est faible.

En effet, dans le cas général, le courant i(t) suit la courbe suivante :

Figure 3:courant i(t) dans le cas général dans une MCC.

L
Avec τ constante du temps pour un syst é me d u 1 er ordre tel que τ =
R
Or, la forme d’onde du courant i(t) représentée sur la figure 34 est une droite, donc la valeur de
la période T doit être obligatoirement très inférieur à τ ( T < 10 τ par exemple ¿. Dans ce cas on peut dire
que l’hypothèse de négliger R est vraie.

Ainsi, en plus du fait de simplifier l’étude du montage, la marge d’erreur entre les résultats
théoriques et pratiques sont très négligeable.

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 Figure 4:Exemple concret d’une machine à courant continu.

L 0,041
On remarque dans cet exemple que τ = = =11ms est ≫ à T =200 us
R 3.76

'
avec T un exemple d une fréquence de hachage .

6) On détermine l’expression de la valeur moyenne Vmoy de la tension V en fonction de Vc

et du rapport cyclique α. En déduire le rôle de α :

On a :
T
1
Vmoy = ∫ V ( t ) dt
T 0
αT T
1 1
Vmoy = ∫ V ( t ) dt + ∫ V ( t ) dt
T 0 T αT

αT
1
Vmoy = ∫ V c dt
T 0

1 αT
Vmoy = V c [t] 0
T
αT
Vmoy = V
T c
Donc :
Vmoy =α V c

Application Numérique :

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 T on
V moy=403.5 V avec α = T = 0.75

En agissant sur la valeur du rapport cyclique α, on peut varier la valeur

moyenne de la tension V et donc varier la vitesse de la MCC.

7) On désire varier la vitesse du moteur à courant continu de l’arrêt à sa vitesse nominale. On

détermine la plage de variation de α :

Vn 500
α peut varier de 0 jusqu’à une valeur maximale qui est α MAX = = =0.93
Vc 538

8) On donne l'expression du courant i en fonction du temps pour : ◦ 0 < t < αT, ◦ αT < t < T :

 De 0 < t < αT :

di
V L=L =V c −E
dt
Donc :

V c −E
i(t)= t+ I min
L

 De αT < t < T :

di
V L=L =−E
dt

−E
i(t)= (t−T ON )+ I max
L
Donc :

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 −E
i(t)= ( t−αT ) + I max
L

9) En déduire l'expression de l'ondulation du courant Δi :

On sait que :

Δi = Imax - Imin
Pour déterminer cette expression, on utilise l’expression de i(t) durant l’intervalle 0 < t < αT
V c −E
i(t)= t+ I min
L

A t = αT on a :

i (αT) = Imax
Donc :
V c −E
i(α T )= α T + I min =I max
L
V c −E
 I max−I min =Δ i= α
LF
En régime permanent on a : V Lmoy =0 et V moy=α V c

Or
V ( t )=V L (t ) + E
T T T
1 1 1
 ∫ V ( t ) dt= ∫ V L ( t ) dt + ∫ E dt
T 0 T 0 T 0

 V moy =E=α V c

V c −α V c
 Δ i= α
LF
Donc :
(1−α )α
Δ i= Vc
LF

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 10)On détermine la valeur de α pour laquelle Δi est maximale :

On a :
(1−α )α
Δ i= Vc
LF

( α −α 2 ) V c
 d Δi d( LF
)
Vc
= =( 1−2 α )
dα dα LF

d Δi 1
=0=¿ 1−2 α=0=¿ α =
dα 2

Vc 1
Δ i max = avec α =
4LF 2

11) On Trace l’évolution de Δi en fonction de α quand ce dernier varie de 0 à 1 :

Figure 5:l’évolution de Δi en fonction de α quand ce dernier varie de 0 à 1

12)On détermine la fréquence de hachage minimale permettant de maintenir l’ondulation du

courant inférieure à 5 % du courant nominal du moteur :

On a le courant nominal IN = 23 A
L’inductance de l’induit L= 41 mH
Tension d’alimentation du hacheur Vc = 538V
Donc Δ i = 5 % ×IN = 1.15 A

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 (1−α )α
 F min= Vc
LΔi

Donc :
0.25 × 0.75× 538
F min=
0.041× 1.15

F min=2.140 kHz

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 13)On détermine l’expression de la valeur moyenne minimale Imoy du courant i en dessous
de laquelle la conduction discontinue se produit :

La conduction discontinue suppose que le courant changera de signe au cours d’une période.
Donc, on calculera cette valeur pour Imin=0 (Conduction critique).

On a :

I max + I min
Δ i=I max−I min et Imoy=
2

Δi Δi
I moy =I min + = (I min =0)
2 2
Or :
(1−α )α
Δ i= Vc
LF
Donc :
α (1−α ) V c
I moy . min=
2 LF
14)On représente la forme d’onde de la tension V en fonction du temps en conduction
discontinue et on détermine de quoi dépend sa valeur moyenne :

Figure 6:la forme d’onde de la tension V en fonction du temps en conduction discontinue

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 D’après les courbes de la figure 5 :

On a :
T
1
Vmoy= ∫ V ( t ) dt
T 0
αT T
1 1
Vmoy = ∫
T 0
V ( t ) dt + ∫ V ( t ) dt
T θ

1 αT 1 T
Vmoy = V c [t] 0 + E [t ]θ
T T
αT T −θ
Vmoy = V + E
T c T

θ
Vmoy=α V c +(1− ) E
T

la valeur moyenne de la tension V au cours de la conduction discontinue dépend de la valeur de

la tension d’entrée Vc et de E(donc de la charge de la MCC).

15)On trace la caractéristique Vcmoy = f(Imoy) en montrant comment varie la tension

moyenne en fonction du courant moyen à la sortie du hacheur, en conduction continue et
en conduction discontinue. On explique la raison pour laquelle il est préférable d’éviter le
fonctionnement en régime de conduction discontinue :

Figure 7:la caractéristique Vcmoy = f(Imoy)

Il est préférable d’éviter le fonctionnement en régime discontinue car la vitesse de sortie du
hacheur sera dépendante de la charge E du moteur à courant continue, donc on aura plus une vraie source
de tension indépendante de la charge E.

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 16)On détermine les contraintes sur les composants K et D. on calcule les valeurs numériques
correspondantes :

Pour le reste de ce mini-projet, on va choisir comme fréquence de hachage F = 3 KHz pour

satisfaire la condition fixée à la question 12.

Donc :
( 1−α ) α ( 1−0.75 ) × 0.75
 Δ i= V c= ×538
LF 0.041× 3000

Δ i=0.82 A

Δi 0.82
 I MAX =I MOY + =23+
2 2

I MAX =23.41 A

 Les contraintes sur le transistor :

 Tension maximale quand il est bloqué :

V KMAX=Vc

Application Numérique :

VKMAX =538 V

 Courant moyen :

On a :
V c −E
i (t )= t+ I min (1)
L

I max + I min
Δ i=I max−I min ( 2 ) et Imoy = (3)
2

α ( 1−α ) V c
I moy = (4)
2 LF

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 (1−α )α
Δ i= V c (5)
LF

Et on a :
T
1
IKmoy= ∫ i ( t ) dt
T 0 K
αT
1 i ( t ) dt= 1 ∫ V c −E t+ I dt
αT
IKmoy= ∫ T 0 L min ¿
T 0
¿
αT
1 V c −E t
2
IKmoy= [ +I t ]
T L 2 min 0

(1−α )V c α 2
IKmoy= +αI min
LF 2

En remplaçant par (4) :

Δi
IKmoy=α + αI min
2
Δi
IKmoy=α ( + I min )
2

En remplaçant par (2) et (3) :

I k moy=α . I

Application Numérique :

I k moy=17.25 A

 Courant efficace :

On a :
T
1
IKeff =
2
∫ i ( t )2 dt
T 0 K

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 αT 2
1 i ( t )2 dt = 1 ∫ ( V c −E t + I ) dt
αT

IKeff = ∫
2
T 0 L min ¿
T 0
¿
αT 2 2
1 V c −E V c− E
IKeff = ∫ (
2
t) +(I min ) +2 I min t dt
T 0 L L

( )
2 αT
1 V c −E t V c −E
3
2 2 2
IKeff = [ + I min t + I min t ]
T L 3 L 0

( )
2
2 V c −E 3T
2
2 V c −E 2
IKeff = α +αI min + α I min T
L 3 L

( )
2
V c −E2 α
3
2 V c −E 2
IKeff = +αI min + α I min
LF 3 LF

En remplaçant par (2), (3) et (4) :

2
2 2α ∆i ∆i
IKeff =( ∆ i ) + α (Imoy− ) +α ∆ i(Imoy − )
3 2 2
2 2
2 2 α 2 ∆i ∆i
IKeff =( ∆ i ) + α Imoy + −α ∆ iImoy + α ∆ iImoy −α
3 4 2
Donc :

√
I k eff = α (I 2 +
∆ i2
12
)

Application Numérique :

I K eff =19.92 A

 Courant maximal qui traverse le transistor :

I K max=I MAX =23.41 A

 Les contraintes sur la diode :

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  Tension maximale inverse :

V RRM=Vc

Application Numérique :

V RRM=538 V

 Courant moyen :

On a :
I = IDmoy + Ikmoy
Et :
I K moy=α . I

Donc : I D moy=( 1−α ) I

Application Numérique :

I D moy=5.75 A

 Courant efficace :

De même :

√
I D eff = (1−α )(I 2 +
∆ i2
12
)

Application Numérique :

I D eff =11.50 A

 Courant maximal qui traverse la diode :

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 I D max=I MAX =23.41 A

17)On propose une référence de diode et de transistor pouvant être utilisés pour réaliser ce
convertisseur en justifiant notre choix.
 La diode :
D’après les résultats de l’étude théorique ci-dessus, on a :

VRRM = 538 V et Imoy = 5.75A

Pour garder une marge de sécurité qui permettrait le bon fonctionnement du montage et la non
détérioration rapide de la diode, on va majorer la tension VRRM par un coefficient de l’ordre
de 1,2 jusqu’à 2.
Pour nous on va proposer une référence dont la valeur VRRM > 1.5 × 538 = 807 V
Ainsi, la valeur du courant moyen du composant choisit doit être supérieur à 5.75 A
Enfin, le composant choisit doit avoir un temps de recouvrement inverse (trr) inferieur à Ton.
Dans notre montage, la diode sera bloquée durant toute la période Ton, donc pour éviter une reconduction
spontanée de la diode, la condition trr < 0.75×Ton = 208 ns doit être satisfaite.

On a choisi la diode de référence « STTH810 », utilisé dans la partie A, pour la réalisation de

notre convertisseur, ce choit est justifié par les caractéristiques que possède ce composant :

Figure 8:Caractéristiques principales de la diode STTH810

 Le transistor :

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 Pour choisir une référence de transistor pour notre projet, on va se limiter au MOSFET et
à l’IGBT, car ces deux composant sont commandés en tension et n’ont besoin que d’un circuit de
commande de faible puissance. Cependant, le transistor bipolaire, qui est commandé en courant, a
besoin pour sa commande d’un circuit de puissance vu la nécessité d’un courant de base énorme
(au voisinage de 20 A ≈ courant moyen à la sortie du convertisseur).

 Option 1 : MOSFET
D’après les résultats de l’étude théorique ci-dessus, on a :
VDS = 538 V et IDrain = 17.25A
Pour garder une marge de sécurité qui permettrait le bon fonctionnement du montage et la non
détérioration rapide du MOSFET, on va majorer la tension V DS par un coefficient de l’ordre
de 1,2 jusqu’à 2.

Pour nous on va proposer une référence dont la valeur VDR > =1.5 × 538 = 807 V

Ainsi, la valeur du courant moyen du composant choisit doit être supérieur à 17.25 A

On a choisi le MOSFET de référence « SCT30N120 », pour la réalisation de notre convertisseur,

ce choit est justifié par les caractéristiques que possède ce composant :

Figure 9:Caractéristiques principales du MOSFET SCT30N120

 Option 2 : IGBT

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D’après les résultats de l’étude théorique ci-dessus, on a :

VCES = 538 V et IC = 17.25A

Pour garder une marge de sécurité qui permettrait le bon fonctionnement du montage et la non
détérioration rapide de l’IGBT, on va majorer la tension V CES par un coefficient de l’ordre
de 1,2 jusqu’à 2.

Pour nous on va proposer une référence dont la valeur VCES > =1.5 × 538 = 807 V

Ainsi, la valeur du courant moyen du composant choisit doit être supérieur à 17.25 A

On a choisi l’IGBT de référence « FGH40T100SMD », pour la réalisation de notre

convertisseur, ce choit est justifié par les caractéristiques que possède ce composant :

Figure 10:Caractéristiques principales de l’IGBT FGH40T100SMD

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 18)On détermine l’expression des pertes dans la diode et le transistor. On négligera l’impact
du phénomène de recouvrement direct et inverse.

 La diode :

On sait que P = Pdon + Pdoff

 Puissance dissipée en conduction lorsque la diode est passante (Pdon) :

D’après l’analyse la caractéristique IF = f(VF) :

Figure 11:La caractéristique IF = f(VF) de la diode STTH810

On déduit que le schéma équivalent de la diode quand elle est passante sera le suivant :

Figure 12:Le schéma équivalent de la diode STTH810

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On sait que :
p=v D i D=¿ i D ) i D

¿ V T 0 i D + R D i D2

On a :
T
1
Pd (on)= ∫ p ( t ) dt
T 0
T T
1 1
¿ ∫
T 0
V ¿ i D ( t ) dt+ ∫ R D i D ( t ) dt
2

T 0
2

T T
1 1
¿ V T 0∫ i D ( t ) dt + R D∫ i D ( t ) dt
2

T 0 T 0

Donc :

2
Pd ( on )=V T 0 Idmoy + RD I eff

 Puissance dissipée en conduction lorsque la diode est bloquée (Pdoff) :

T
1
Pd (off )= ∫ p ( t ) dt
T 0
αT
1
Pd (off )= ∫ I r V RRM dt
T 0

Pd ( off )=α I r Vc

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  Le transistor :

On sait que P = PKon + PKoff + PkSW

 Option 1 : MOSFET

 Puissance dissipée en conduction lorsque le MOSFET est passant (Pdon) :

D’après l’analyse la caractéristique ID = f(VDS) :

Figure 13:La caractéristique ID = f(VDS) du MOSFET SCT30N120

On déduit que le schéma équivalent du MOSFET quand il est passant sera le suivant :

Figure 14:Le schéma équivalent du MOSFET SCT30N120

2019-2020 Control continu Page 24 sur 50

 On sait que :
p=v DS i D =¿ i D ) i D
2
¿ R D iD

On a :
T
1
Pd (on)= ∫ p ( t ) dt
T 0
T
1
¿ ∫
T 0
2
R D i D ( t ) dt

Donc :

2
Pd ( on )=R D I Deff

 Puissance dissipée en conduction lorsque le MOSFET est bloqué (Pdoff) :

T
1
Pd (off )= ∫ p ( t ) dt
T 0
T
1
Pd (off )= ∫ I V dt
T αT DSS C

Pd ( off )=(1−α )I DSS Vc

 Puissance dissipée en conduction lorsque le MOSFET en commutation (PSW) :

On sait que :
PSW = PSW (On) + PSW (Off)

PSW = Vc × I × F × (tf + tr)

2019-2020 Control continu Page 25 sur 50

  Option 2 : IGBT

 Puissance dissipée en conduction lorsque l’IGBT est passant (Pdon) :

D’après l’analyse la caractéristique IC = f(VCE) :

Figure 15:La caractéristique IC = f(VCE) de l’IGBT FGH40T100SMD

On déduit que le schéma équivalent de l’IGBT quand il est passant sera le suivant :

Figure 16:Le schéma équivalent de l’IGBT FGH40T100SMD

On sait que :
p=v D i D=¿ i D ) i D

¿ V T 0 iC + R D iC2

On a :
T
1
Pd (on)= ∫ p ( t ) dt
T 0
T T
1 1
¿ ∫ V ¿ i C ( t ) dt + ∫ R D i C ( t ) dt
2 2

T 0 T 0
T T
1 1
¿ V T 0∫ i C ( t ) dt + R D ∫ i C ( t ) dt
2

T 0 T 0

Donc :

2019-2020 Control continu Page 26 sur 50

 2
Pd ( on )=V T 0 I C moy + R D I Ceff

 Puissance dissipée en conduction lorsque l’IGBT est bloqué (Pdoff) :

T
1
Pd (off )= ∫ p ( t ) dt
T 0
T
1
Pd (off )= ∫ I CES V C dt
T αT

Pd ( off )=(1−α )I CES Vc

 Puissance dissipée en conduction lorsque l’IGBT en commutation (PSW) :

On sait que :
PSW = PSW (On) + PSW (Off)

PSW = Vc × I × F × (tf + tr)

19)En se basant sur les caractéristiques réelles de la diode et du transistor choisis, calculer les
valeurs des pertes dans ces composants. En déduire le rendement du hacheur :
Pour le reste du sujet, on supposera que la température de la jonction des composants est de 100°C.

 La diode :
En exploitant la caractéristique IF = f(VF), on détermine alors VT0 et RD au tour du point de
fonctionnement (IF = 23 A) pour une température de jonction de 100°C.

2019-2020 Control continu Page 27 sur 50

 Figure 17:La caractéristique IF = f(VF) de la diode STTH810 au tour du P.F

IF +IF
On sait que : Δi=I F −I F et Imoy= 2 1

2 1
2
On prendera : I F =20 A et I F =26
1 2

V F ( I F ,T j ) −V F ( I F , T j )
On a: R D ( T j ) =
2 1

I F −I F
2 1

V F ( I F , T j ) . I F −V F ( I F , T j ) . I F
et V T (T j )=
1 2 2 1

0
I F −I F
2 1

 Pour Tj= 150 °C :

V F ( 26,150 )−V F (20,150)

R D ( 150° C )=
26−20
2.29−2.13
¿
6

Donc :
R D ( 150° C )=0.027 Ω

V F ( 20,150 ) .26−V F ( 26,150 ) . 20

V T (150° C)=
0
26−20
( 2.13× 26 ) −(2.29 ×20)
¿
6
Donc :

2019-2020 Control continu Page 28 sur 50

 V T ( 150 ° C )=1.56 V
0

 Pour Tj= 25 °C :
V F ( 26 ,25 )−V F (20 , 25)
R D ( 25 °C )=
26−20
2.58−2.40
¿
6

Donc :
R D ( 25 °C )=0.03 Ω

V F ( 20 , 25 ) .26−V F ( 26 , 25 ) .20
V T (25 °C)=
0
26−20
(2.40 ×26)−(2.58 × 20)
¿
6
Donc :
V T ( 25 ° C )=1.8V
0

 Pour Tj= 100 °C :

On aV T ( Tj ) =V T 0 ( T J
0 Ref 1
) +α V ( Tj−T J )
T0 Ref 1

et R D ( Tj )=R D ( T J Ref 1
) +α R ( Tj−T J )
D Ref 1

V T 0( T J ) −V T 0 ( T J ) RD( T J ) −R D ( T J )
αV = et α R =
Ref 2 Ref 1 Ref 2 Ref 1
On a aussi T0
T J −T J
Ref 2 Ref 1
D
T J −T J Ref 2 Ref 1

On a: T J =25 °C et T J =150 ° C
Ref 1 Ref 2

V T 0 (150 ° C )−V T 0 ( 25 ° C )
αV =
T0
150−25
1.56−1.8
¿
125
Donc :
−3
α V =−1.92 .10
T0

2019-2020 Control continu Page 29 sur 50

 R D ( 150 ° C )−R D ( 25 °C )
αR = D
150−25
0.03−0.027
¿
125
Donc :
−5
α R =2.4 . 10
D

Alors : V T ( 100 ° C )=V T 0 ( 25° C )+ α V ( 100−25 )

0 T0

−3
¿ 1.8−(1.92 10 ×75)

Donc :
V T ( 100 ° C )=1.67 V
0

R D ( 100° C )=R D ( 25 ° C )+ α R (100−25 ) D

−5
¿ 0.027+(2.4 . 10 ×75)

Donc : R D ( 100° C )=29.0 mΩ

Dans les conditions réelles de diode :

On a: I F =5.75 A et I F =11.50 A
AV RMS

Donc la puissance dissipée en conduction lorsque la diode est passante :

2
Pd ( on )=V T 0 I F + R D I F
AV RMS

¿ ( 1.67 ×5.75 )+(0.029 ×11.5¿¿ ¿¿ 2)¿ ¿

Donc :
Pd ( on )=13.44 W

Pd ( off )=αI r Vc avec I r=20 uA

−6
Pd ( off )=0.75× 20.10 × 538
Donc :
Pd ( off )=8.07 mW
 Le transistor :

 Option 1 : MOSFET

2019-2020 Control continu Page 30 sur 50

 En exploitant La caractéristique ID = f(VDS), on détermine alors RD au tour du point de
fonctionnement (IF = 23 A) pour une température de jonction de 100°C et VGS = 20V.

Figure 18:La caractéristique ID = f(VDS) du MOSFET SCT30N120 au tour du P.F

IF +IF
On sait que : Δi=I F −I F et Imoy= 2 1

2 1
2
On prendera : I F =20 A et I F =26
1 2

V F ( I F ,T j ) −V F ( I F , T j )
On a: R D ( T j ) =
2 1

I F −I F
2 1

 Pour Tj= 150 °C :

V F ( 26,150 )−V F (20,150)
R D ( 150° C )=
26−20
2.2−1.8
¿
6
Donc :
R D ( 150° C )=0.067 Ω

 Pour Tj= 25 °C :

V F ( 26 ,25 )−V F (20 , 25)

R D ( 25 °C )=
26−20
2.5−2
¿
6
Donc :

2019-2020 Control continu Page 31 sur 50

 R D ( 25 °C )=0.063 Ω

 Pour Tj= 100 °C :

On a: R D ( Tj )=R D ( T J Ref 1
) +α R ( Tj−T J )
D Ref 1

R D (T J )−R D ( T J )
On a aussi : αR =
Ref 2 Ref 1

D
T J −T J
Ref 2 Ref 1

On a: T J =25 °C et T J =150 ° C
Ref 1 Ref 2

R D ( 150 ° C )−R D ( 25 °C )
αR =
D
150−25
0.067−0.063
¿
125
Donc :

α R =3.2. 10−5
D

Alors :
R D ( 100° C )=R D ( 25 ° C )+ α R (100−25 ) D

−5
¿ 0.063+(3.2 .10 × 75)

Donc : R D ( 100° C )=65.0 mΩ

Dans les conditions réelles du MOSFET :

On a:
I D =17.25 A et I D =19.92 A
AV RMS

Donc la puissance dissipée en conduction lorsque la diode est passante :

2
Pd ( on )=R D I D RMS

2
¿ 0.065 ×19.92

Donc :
Pd ( on )=25.79 W

Pd ( off )=(1−α )I DSS Vc avec I DSS=50 uA

2019-2020 Control continu Page 32 sur 50

 −6
Pd ( off )=0.25× 50.10 × 538
Donc :

Pd ( off )=6.73 mW

PSW = Vc × I × F × (tf + tr)

PSW = 538 × 23 × 3000 × (28 + 20).10-9

PSW = 1.80 W

 Option 2 : IGBT
En exploitant la caractéristique IC = f(VCE) de l’IGBT FGH40T100SMD, on détermine alors
VT0 et RD au tour du point de fonctionnement (IF = 23 A) pour une température de jonction de 100°C et
VGE = 20 V.

Figure 19:La caractéristique IC = f(VCE) de l’IGBT FGH40T100SMD au tour du P.F

2019-2020 Control continu Page 33 sur 50

 IF +IF
On sait que : Δi=I F −I F et Imoy= 2 1

2 1
2
On prendera : I F =20 A et I F =26
1 2

V F ( I F ,T j ) −V F ( I F , T j )
On a: R D ( T j ) =
2 1

I F −I F
2 1

V F ( I F , T j ) . I F −V F ( I F , T j ) . I F
et V T (T j )=
1 2 2 1

0
I F −I F
2 1

 Pour Tj= 175 °C :

V F ( 26,175 )−V F (20,175)
R D ( 175° C )=
26−20
1.89−1.67
¿
6
Donc :
R D ( 175° C )=0.037 Ω

V F ( 20,175 ) .26−V F ( 26 , 175 ) .20

V T (175° C)=
0
26−20
( 1.67 ×26 ) −(1.89 ×20)
¿
6
Donc :
V T ( 175 ° C )=0.93V
0

 Pour Tj= 25 °C :

V F ( 26 ,25 )−V F (20 , 25)

R D ( 25 °C )=
26−20
1.52−1.4
¿
6
Donc :
R D ( 25 °C )=0.02 Ω

2019-2020 Control continu Page 34 sur 50

 V F ( 20 , 25 ) .26−V F ( 26 , 25 ) .20
V T (25 °C)=
0
26−20
(1.4 × 26)−(1.52× 20)
¿
6
Donc :
V T ( 25 ° C )=1V
0

 Pour Tj= 100 °C :

On aV T ( Tj ) =V T 0 ( T J
0 Ref 1
) +α V ( Tj−T J )
T0 Ref 1

et R D ( Tj )=R D ( T J Ref 1
) +α R ( Tj−T J )
D Ref 1

V T 0( T J ) −V T 0 ( T J ) RD( T J ) −R D ( T J )
On a aussi :α V = et α R =
Ref 2 Ref 1 Ref 2 Ref 1

T0
T J −T J
Ref 2 Ref 1
D
T J −T J Ref 2 Ref 1

On a T J =25 °C et T J =175 ° C
Ref 1 Ref 2

V T 0 (175 ° C )−V T 0 ( 25 ° C )
αV =
T0
175−25
0.93−1
¿
150
Donc :
−4
α V =−4.67 .10
T0

R D ( 175 ° C )−R D ( 25 °C )
αR =D
175−25
0.037−0.02
¿
150

Donc : α R =1.13 . 10−4

D

Alors :
V T ( 100 ° C )=V T 0 ( 25° C )+ α V ( 100−25 )
0 T0

−4
¿ 1−(4.67 . 10 ×75)

Donc :
2019-2020 Control continu Page 35 sur 50
 V T ( 100 ° C )=0.96 V
0

R D ( 100° C )=R D ( 25 ° C )+ α R (100−25 )

D

−4
¿ 0.02+(1.13 .10 ×75)

Donc : R D ( 100° C )=28.0 mΩ

Dans les conditions réelles de l’IGBT :
On a:
I C =17.25 A et I C =19.92 A
AV RMS

Donc la puissance dissipée en conduction lorsque l’IGBT est passant :

2
Pd ( on )=V T 0 I C + R D I C
AV RMS

¿ ( 0.96 ×17.25 )+(0.028 × 19.92¿ ¿ ¿ ¿2) ¿ ¿

Donc :
Pd ( on )=27.67 W
Pd ( off )=(1−α )I CES Vc avec I CES=1000 uA
−6
Pd ( off )=0.25× 1000.10 × 538
Donc :
Pd ( off )=0.13W

PSW = Vc × I × F × (tf + tr)

PSW = 538 × 23 × 3000 × (20 + 49).10-9

PSW = 2.56 W

 Rendement du convertisseur :

 Option 1 : Diode + MOSFET :

P
Ƞ=
P+ ( Pdon ( diode )+ Pdoff ( diode ) ) + ( Pdon ( MOSFET )+ Pdoff ( MOSFET ) + PdSW ( MOSFET ) )

Application Numérique :

2019-2020 Control continu Page 36 sur 50

 403.5 × 23
Ƞ=
403.5 ×23+ 13.44+0.008+ 25.79+ 0.00673+1.8

Ƞ=99.55 %

 Option 2 : Diode + IGBT :

P
Ƞ=
P+ ( Pdon ( diode )+ Pdoff ( diode ) ) +(Pdon ( IGBT ) + Pdoff ( IGBT ) + PdSW ( IGBT ))

Application Numérique :

403.5× 23
Ƞ=
403.5 ×23+ 13.44+0.008+ 27.67+0.13+2.56

Ƞ=99.51 %

On remarque que le rendement du convertisseur en choisissant un MOSFET est

légèrement meilleur qu’en choisissant un IGBT.

20)On dimensionne le radiateur permettant de maintenir la température des jonctions de la

diode et du transistor à 100°c :

Figure 20:L’ensemble boitier, interface thermique et radiateur

 Diode :

En ce qui concerne l’interface thermique, on a utilisé une patte thermique dont la résistance est
généralement de l’ordre de RthCS = 0.2 °C/W et RthJC = 2.5 °C/W pour le type TO-220AC.
2019-2020 Control continu Page 37 sur 50
 On sait que :
Tj−Ta=( R th + R th + Rth ) xP avec P=Pd ( on ) + Pd ( off ) ≅ Pd ( on )
jc cs sa

Donc :
Tj−Ta
Rth = −Rth −Rth
sa
P jc cs

Application Numérique :
100−25
Rth = −2.5−0.2
sa
13.45

Donc : Rth =2.87 ° C /W

samax

Donc :
On doit chercher un radiateur qui a une résistance thermique d’une valeur
Rth < Rth
sa sa max

 TRANSISTOR :

 MOSFET :

On a : RthJC = 0.65 °C/W

Donc :
100−25
Rth = −0.65−0.2
sa
27.60
Donc :
Rth =1.87 ° C /W
samax

Donc :
On doit chercher un radiateur qui a une résistance thermique d’une valeur
Rth < Rth
sa sa max

 IGBT :

On a : RthJC = 0.45 °C/W

Donc :
100−25
Rth = −0.45−0.2
sa
30.36
Donc :
Rth =1.82 ° C /W
samax

Donc :

On doit chercher un radiateur qui a une résistance thermique d’une valeur Rth < Rth sa sa max

2019-2020 Control continu Page 38 sur 50

 On propose le radiateur Roch 4771, pour les trois composants, représenté sur la figure 8 qui a
Rthsa = 1.1 °C/W :

Figure 21: Radiateur Roch 4771

D. Simulation du fonctionnement du Hacheur :

1) La simulation du montage Hacheur sur LTspice :

1 1
T= =
F 3 000

T =333 us

E+ RI 318+(3.76 ×23)
Ton=αT =0.75 ×333 avec α = = =0.75
Vc 538

Ton=250 us

(Voir fichier de simulation LTspice en pièce jointe)

2019-2020 Control continu Page 39 sur 50

 Figure 22:Schéma du circuit simulé

Pour des raisons d’incompatibilité entre le Model Pspice du MOSFET choisi dans la partie C et le
logiciel LTspice, on va utiliser dans la partie D un MOSFET figurant sur la bibliothèque de ce logiciel. Il
s’agit du MOSFET ‘’STW11NM80’’ qui possède des caractéristiques très proche de notre MOSFET.

2) On affiche les formes d’ondes obtenues par simulation et on les compare à celles tracées dans
la partie C :

2019-2020 Control continu Page 40 sur 50

 Figure 23:Forme d’onde de la tension V à la sortie du convertisseur

Figure 24:Forme d’onde de la tension VL aux bornes de l’inductance L

2019-2020 Control continu Page 41 sur 50

 Figure 25:Forme d’onde du courant i traversant l’inductance L

Figure 26:Forme d’onde de la tension VK aux bornes du transistor K

2019-2020 Control continu Page 42 sur 50

 Figure 27:Forme d’onde du courant i1 dans le transistor K

Figure 28:Forme d’onde de la tension Vd aux bornes de la diode D

2019-2020 Control continu Page 43 sur 50

 Figure 29:Forme d’onde du courant iD traversant la diode D

Figure 30: Les durées de conduction du transistor K et de la diode D

2019-2020 Control continu Page 44 sur 50

 On remarque que toutes les formes d’onde obtenues par la simulation sont identiques à celles tracées
sur la figure 34. Néanmoins, les formes d’ondes obtenues par simulation montrent clairement le comportement
du courant et de tension aux bornes de la diode et du MOSFET pendant la commutation (phénomène de
recouvrement directe et inverse), les valeurs des chutes de tension et les courants de fuite.

3) On compare toutes les valeurs obtenues théoriquement dans la partie précédente à celles
obtenues par simulation :

Grandeur physique Valeur Théorique Valeur par simulation Erreur

Vmoy (V) 403.50 390.80 3.14 %

IKMOY (A) 17.25 17.03 1.00 %

IKeff (A) 19.92 19.86 0.40 %

IDMOY (A) 5.75 6.00 4.00 %

IDeff (A) 11.50 11.87 3.20 %

IMOY (A) 23 23.08 0.30 %

Imax (A) 23.41 23.47 0.20 %

ImIN (A) 22.59 22.70 0.40 %

∆ i (A) 0.82 0.77 8.00 %

Pu (KW) 7.31 7.016 4.00 %

Pd diode (W) 13.45 14.60 4.00 %

Pd MOSFET (W) 27.60 26.80 3.00 %

Rendement (%) 99.65 98.44 1.21 %

2019-2020 Control continu Page 45 sur 50

 La différence entre les valeurs obtenues théoriquement et celles par simulation, qui ne dépasse
pas 8%, se justifie par l’introduction sur le fichier de simulation des caractéristiques réelles de la diode et
du MOSFET choisis dans la partie C. Donc, le simulateur a pris en considération les pertes engendrées
par commutation (le phénomène de recouvrement directe et inverse), les tensions du seuil V DT0 et VkT0, la
résistance interne de la diode RD …

Un autre facteur très important est l’incertitude des valeurs calculées à la question 19
de la partie C. Ainsi, le MOSFET utilisé dans la simulation n’a pas les mêmes caractéristiques que celui
utilisé dans la partie théorique.

4) On vérifie par simulation que l’hypothèse qui a consisté à négliger la résistance R était
judicieuse :

Pour vérifier par simulation les résultats théoriques obtenues à la question 5 de la partie C, on
exécute une simulation du montage en prenant comme période T = 20 ms supérieur à
L 0,041
τ= = =11ms . On obtient la courbe suivante :
R 3.76

Figure 31: l’allure obtenue par simulation du courants i(t) avec T = 20 ms

On remarque que cette courbe n’est plus une droite, donc on ne peut plus négliger la valeur de R.

Cependant, en prenant des petites valeurs de T, on constate, d’après les résultats obtenus par
simulation, que la puissance utile « 7 016 W », qui présente en réalité la puissance électromécanique
fournie à la charge, est très proche de celle obtenue théoriquement « 7 310 W » en négligeant la valeur de
la résistance interne de l’induit R (une différence de 4%).

2019-2020 Control continu Page 46 sur 50

 En effet, les pertes engendrées par cette résistance R (pertes par effet de Joule) deviennent plus
négligeables si on s’approche du fonctionnement nominal de la MCC (Vn = 500 V dans notre cas).

Donc le choix de négliger la résistance R durant la partie théorique, pour simplifier l’étude du
dimensionnement du convertisseur, donne des résultats qui ne sont pas loin de la réalité obtenue en
pratique.

5) On vérifie si le fait de négliger le phénomène de recouvrement inverse dans la diode D

était judicieux :

On sait que :

P = Pdon + Pdoff + PdSW

Pour cette question, on va essayer d’évaluer les pertes dans la diode durant la commutation en
blocage et leurs influences sur le Transistor, vu que celles en ouverture sont négligeables.

La figure suivante montre clairement l’allure des courants iD et iK et des tensions VD et VK durant
l’intervalle trr.

Figure 32: l’allure obtenue par simulation des courants iD et iK et des tensions VD et VK durant l’intervalle trr

2019-2020 Control continu Page 47 sur 50

 La figure ci-dessous nous schématise le comportement du courant dans la diode durant
la période trr.

Figure 33: l’allure des courants iD durant l’intervalle trr

L’analyse des deux figures (Figure 32 et Figure 33) montre que le phénomène de recouvrement
inverse (commutation pendant le blocage) dans la diode perturbe le bon fonctionnement du transistor, ce
phénomène provoque une surintensité au niveau du transistor, donc des pertes (dissipations)
supplémentaires pour ce composant.

Donc, le fait de négliger le phénomène de recouvrement inverse dans la diode D pendant la

partie théorique n’était pas judicieux.

Essayant maintenant de chiffrer la valeur de ces pertes au niveau de la diode.

On sait que :
T T
1 1
Pd= ∫ p ( t ) dt= ∫ v ( t ) . i(t) dt
T 0 T 0
t5
1
Pd (SW )= ∫ v ( t ) . i(t)dt avec t 5−t 4=trr
T t4

Dans cet intervalle comme montre la figure 32, la tension V≈ VF (chute de tension)

Donc, en prenant en considération la forme de iD sur la figure 33, on peut donner une
approximation à ces pertes par la relation suivante :
1
Pd ( SW ) ≈ ×V F × I RM ×trr
T

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 Pd ( SW ) ≈ F ×V F × I RM ×trr
Application numérique :

Pd ( SW )=¿ 3000 ×1.7 × 11.5×80. 10−9

Pd ( SW )=5 mW

D’après les résultats obtenus par simulation, on remarque que, ce qui est vrai seulement pour
cette simulation, les pertes dissipées par la diode « 14.60 W » en prenant en compte toutes les pertes

(P = Pdon + Pdoff + PdSW) sont très proches de celles obtenues théoriquement (P = Pdon + Pdoff = 13.45 W).

En effet, ces pertes sont proportionnelles à la fréquence de hachage, donc ces pertes augmentent
si on utilise une fréquence importante.

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 Figure 34: Les formes d’ondes de la question 1 partie C

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