Département d’Electronique

L2 ELN

UED : Physique des semi-conducteurs

ANNÉE 2019-2020
Physique des semi-conducteurs
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Physique des semi-conducteurs
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Physique des
Semi-conducteurs
Physique des semi-conducteurs
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SOMMAIRE

1. Rappels sur les semi-conducteurs

1.1 Définitions
1.2 Structure de bandes
1.3 Informations sur le Silicium
1.4 Pourquoi les matériaux III-V pour les diodes laser ?
Physique des semi-conducteurs
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1. Introduction

1. Rappels sur les semi-conducteurs

1.1 Définitions

Semi-conducteur : matériau dont les propriétés de conduction peuvent être contrôlées

par l’introduction de dopants. Bien que cette propriété concerne toutes les structures de
semi-conducteurs (amorphe, poly cristalline, et cristalline, voir figure 2.1), les matériaux
monocristallins fournissent les propriétés les plus reproductibles et les meilleures
performances. Ils sont principalement utilisés dans l’industrie de la microélectronique.

10 µm

Silicium polycristallin

Figure 2.1 : Structures cristalline, amorphe et polycristalline

Dopants : ce sont des atomes qui possèdent un électron en plus (donneurs) ou un

électron en moins (accepteurs) que les atomes du substrat dans lequel ils sont injectés.

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Figure 2.2 : Représentation des atomes de silicium liés les uns aux autres

Un atome de silicium a quatre électrons sur sa couche externe (électrons de valence). Il

peut donc s’attacher par des liaisons covalentes à quatre atomes voisins (figure 2.2). Le même
type d’arrangement peut être obtenu en combinant les atomes de la colonne III avec ceux de
la colonne V = matériaux III-V tels que GaAs et InP (ou encore en combinant les atomes de la
colonne II avec ceux de la colonne VI = matériaux II-VI).

Au delà de 0 K, l’énergie thermique peut briser quelques unes des liaisons Si-Si et
ainsi permettre la création d’une paire électron-trou (figure 2.3). Les concentrations
d’électrons et de trous sont exactement les mêmes dans un semi-conducteur intrinsèque.
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e- libre
Si Si Si Si

Trou
mobile
Si Si Si Si

Si Si Si Si

Figure 2.3 : Création d’une paire électron-trou

Si on dope le silicium par des atomes de la colonne V tels que As (figure 2.4.a), ils
prennent la place des atomes de Si de la maille cristalline et fournissent chacun un électron
supplémentaire (dopage de type N).
Si on dope le silicium par des atomes de la colonne III tels que B (figure 2.4.b), ils
prennent la place des atomes de Si de la maille cristalline et présentent chacun un trou
supplémentaire (dopage de type P).
e- libre

Si Si Si Si Si Si

Trou Trou
mobile mobile
Si As+ Si Si B- Si

Si Si Si Si Si Si

a)- b)-

Figure 2.4 : a)- Dopage des SC de groupe IV par un élément de la colonne V

b)- Dopage des SC de groupe IV par un élément de la colonne III

En technologie moderne de circuits intégrés, on utilise la méthode d’implantation

ionique pour doper les substrats. La conductivité du SC peut donc être contrôlée par le
dopage. On trouve différents types de plaquettes avec différents niveaux de dopage. Par
convention, ces différents niveaux de dopage sont notés P+, N++, N-… selon les concentrations
données ci-dessous.

N-- ou P-- : ND ou NA < 1014 cm-3

N- ou P- : 1014 cm-3 < ND ou NA <1016 cm-3
N ou P : 1016 cm-3 < ND ou NA <1018 cm-3
N+ ou P+ : 1018 cm-3 < ND ou NA <1020 cm-3
N++ ou P++ : ND ou NA >1020 cm-3

Comme la densité du silicium monocristallin est de 5x1022 cm-3, les niveaux de dopage
les plus importants N++ ou P++ donnent des concentrations de porteurs de moins de 1%.
La résistivité des wafers est inversement proportionnelle à la concentration des
porteurs (figure 2.5). Elle suit la relation suivante :
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1
 (2.1)
q n n  q p p
n et p sont les densités de porteurs. µn et µp sont les mobilités respectives des électrons
et des trous. La mobilité des porteurs dépend de la température, du dopage et du champ
électrique. A température ambiante, µn  1500 cm².V-1.s-1 et µp 500 cm².V-1.s-1.

21
10
20
10
19
10
Densité de dopants (cm )
-3

18
10
Type P
17
10
Type N
16
10
15
10
14
10
13
10
12
10 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10 10 10 10 10
Résistivité (.cm)

Figure 2.5 : Densité de dopants en fonction de la résistivité

La résistivité des plaquettes de silicium est en général indiquée sur les boites de
stockage.

2.2. Structure de bandes

Dans le modèle de bandes (figure 2.6), la direction verticale représente l’énergie

potentielle E des e- dans le cristal. Trois bandes sont discernables : la bande de valence, la
bande interdite (gap) et la bande de conduction. La bande de valence concerne les e- liés
(E<EV). La bande interdite représente l’énergie nécessaire EG pour libérer un e- vers la bande
de conduction. La bande de conduction (E>EC) concerne les e- libres.
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e- libre

E
EC

Dopage N ED

Trou mobile
Dopage P EA

EV

Figure 2.6 : Diagramme de bandes d’un SC dopé P ou N

Quand le semi-conducteur est dopé, on introduit les niveaux d’énergie

supplémentaires ED et EA. ED est le niveau d’énergie qu’a l’électron très faiblement lié des
donneurs (ex : As) et qui est donc proche de EC. La différence d’énergie entre EC et ED
représente l’énergie de liaison entre l’électron et l’atome d’Arsenic. EA est l’équivalent de ED
pour les accepteurs et qui est proche de EV puisqu’un électron d’un atome voisin prendra
facilement la place du trou, ce qui aura finalement le même effet que si le trou s’était déplacé.
La différence d’énergie entre EV et EA représente l’énergie de liaison entre le trou et l’atome
de Bore.

Matériaux EG à température ambiante ni à tempétature ambiante

Germanium 0,66 eV 2,5x1013 cm-3
Silicium 1,12 eV 1,45x1010 cm-3
GaAs 1,42 eV 2x106 cm-3

Tableau 2.1 : Bande interdite et concentration de porteurs intrinsèques de trois

semi-conducteurs différents

La concentration des porteurs intrinsèques du silicium peut être déterminée à partir de

la formule empirique suivante.

0,605
n i  3,9x1016 T 3 / 2 exp(  ) cm 3 (avec le premier T en K) (2.2)
kT[eV]

La probabilité qu’un électron occupe un niveau d’énergie E est donnée par la distribution de
Fermi-Dirac :
1
f (E)  (2.3)
 E  EF 
1  exp 
 kT 
où EF est le niveau de Fermi, c’est-à-dire le niveau pour lequel la probabilité de trouver un
électron est exactement 0,5. Dans un semi-conducteur intrinsèque, EF se trouve au milieu de
la bande interdite, puisqu’on a autant de trous que d’électrons. Dans un semi-conducteur dopé
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n, EF sera plus proche de la bande de conduction, puisqu’on aura plus de chances de trouver
des électrons au niveau de la bande de conduction que dans la bande de valence. Inversement,
pour un semi-conducteur dopé p, EF sera plus proche de la bande de valence.

Les niveaux d’énergie permis pour les électrons dans la bande de conduction sont donnés par :
4
3 1
N (E )  3 (m*e ) 2 (E  E C ) 2 pour E > EC (2.4)
h
Les niveaux d’énergie permis pour les trous dans la bande de valence sont donnés par :
4 * 2
3 1
N ( E )  3 (m h ) ( E V  E ) 2 pour E < EV (2.5)
h
m *e : masse effective des électrons ; m*h : masse effective des trous.

Le nombre d’électrons dans la bande de conduction est donné par :


 E  EF 

n  f (E ) N(E ) dE  N C exp  C
EC  kT 
 (2.6)

Le nombre de trous dans la bande de valence est donné par :

 E  EV 

EV
p  (1  f (E)) N(E) dE  N V exp  F  (2.7)
  kT 

3 3
 2m*e kT  2  2m*h kT  2
avec N C  2 ²

 et N V  2 ²
 étant les densités d’état effectives dans la
 h   h 
bande de conduction et dans la bande de valence respectivement. NC = 2,8 x 1019 cm-3 et
NV = 1,04 x 1019 cm-3 dans le silicium à température ambiante.

2.3 Informations sur le Silicium

Elément le plus abondant sur Terre après l’oxygène (25,7 %), le silicium est aussi l’un
des plus utiles (sable, verre, poterie, semi-conducteur). On rappelle en figure 2.7 les différents
plans et direction des réseaux cubiques avec les indices de Miller.

Figure 2.7 : Plans cristallins et directions principales d’un réseau cubique

Les directions sont notées [hkl] (ou <hkl> pour l’ensemble des directions équivalentes), les
plans cristallins (hkl) (ou {hkl} pour l’ensemble des plans équivalents) par convention.
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La structure cristalline du silicium est de type diamant. C’est l’association de deux
réseaux cubiques à faces centrées décalés de ¼ de pas de réseau (voir figure 2.8).
Configuration électronique : 1s22s22p63s23p2.
Point de fusion : 1414°C.
Le silicium est résistant à tout type d’acide. Il est attaqué par OH- et les atomes de
fluor.
Les propriétés du silicium massique sont, d’une manière générale, isotropes du fait de
la symétrie cubique du cristal. La diffusion des dopants est, par exemple, indépendante de la
direction du cristal. En revanche, les propriétés surfaciques dépendent de la direction. Les
plans {111} laissent apparaître le plus d’atomes de silicium par cm². Ainsi, les plans {111}
s’oxydent plus rapidement que les plans {100} car le taux d’oxydation est proportionnel au
nombre d’atomes de silicium disponibles pour la réaction. Les propriétés électriques des
systèmes à base de Si dépendent aussi de l’orientation du cristal.

(100)

Figure 2.8 : A gauche, maille cubique du silicium (structure diamant). Chaque atome de Si est
relié à quatre atomes formant un tétraèdre.
A droite sont représentées 4x3 mailles cubiques de Si <100>

2.4 Pourquoi les matériaux III-V pour les LED, les diodes laser et les photodiodes ?

On appelle matériaux III-V les matériaux composés d’éléments des colonnes III et V
du tableau de Mendeleïev.

II III IV V VI
Be B C N O
Mg Al Si P S
Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
Hg Ti Pb Bi Po

Tableau 1.2 : Extrait du tableau de Mendeleiev

Les deux structures de base pour la micro optoélectronique sont l’AsGa (Arséniure de
Gallium) et l’InP (Phosphure d’Indium). Les semi-conducteurs de la colonne IV tels que Si et
Ge ont un gap indirect : c'est-à-dire que le minimum de la bande de conduction ne correspond
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pas au maximum de la bande de valence dans le diagramme d’énergie en fonction du nombre
d’onde (voir figure 2.9).
Pour qu’une transition de la bande de valence vers la bande de conduction (ou
l’inverse) ait lieu, il faut que l’énergie totale soit conservée (relation scalaire), mais il faut
aussi que l’impulsion (ћk) soit conservée (relation vectorielle). Lorsqu’un semi-conducteur
est à gap direct, la transition d’un électron de la bande de valence vers la bande de conduction
se fait à quantité de mouvement ћk constante puisque l’impulsion d’un photon est négligeable
par rapport à celle de l’électron. La conservation de l’impulsion est donc automatiquement
assurée. Un électron de la bande de conduction peut facilement se recombiner avec un trou en
1,240
émettant un photon de longueur d’onde  [nm ]  . C’est une transition radiative
E G [eV]
(diode et diode laser). Pour un semi-conducteur à gap indirect, il faut, pour conserver
l’impulsion, faire intervenir l’impulsion des phonons du réseau cristallin. Ceci rend la
recombinaison radiative beaucoup moins probable (processus à 3 corps électron – trou -
phonon).
Les matériaux III-V tels que GaAs et InP ont un gap direct et c’est pourquoi ils sont
très utilisés en optoélectronique.

BV BV

Ec Ec
EG h EG
EV EV

BC BC

k k
Gap direct Gap indirect

Figure 2.9 : Illustration d’un gap direct et d’un gap indirect