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Université Sultan Moulay Slimane

Faculté Polydisciplinaire
Département de Physique
- Béni Mellal -

Licence Fondamentale : SCIENCES DE LA MATIERE PHYSIQUE

Parcours : PHYSIQUE THEORIQUE

Projet de Fin d’Etudes

Laser à base de semi-conducteurs

Prince et applications

Réalisé par : Youssef KASSEM

Encadré par : Pr Khalid RAHMANI
Soutenu le : 05 / 07 / 2022
Devant le jury composé de :
▪ Pr Bouzid Manat, Professeur à la FP-Béni Mellal Président
▪ Pr Souad TAJ, Professeur à la FP-Béni Mellal Examinatrice
▪ Pr Khalid RAHMANI, Professeur à la FP-Béni Mellal Encadrant

Année Universitaire : 2021/2022

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Remerciements
Certains disent que le plus important dans un projet de fin d’études est les
remerciements. Nous ne sommes pas loin d’être de cet avis, car si vous avez ce
projet de fin d’études entre les mains, c’est en grande partie grâce à tous ceux qui
nous ont aidés plus ou moins directement au cours de sa réalisation.

Nous souhaitons adresser nos remerciements les plus sincères à Pr Khalid

RAHMANI d’avoir encadré notre projet de fin d’études et d’avoir toujours été
disponible. Il nous permit de préparer ce projet dans les meilleures conditions
possibles. Merci.

Nos gratitudes s’adressent également, au Pr Bouzid MANAUT et au Pr Souad

TAJ d’avoir accepté d’examiner ce travail. Nous leur remercions aussi pour leurs
conseils et leurs remarques fructueuses.

Bien entendu, nous sommes reconnaissants à ma famille, nos parents et nos

professeurs, qui ont été présents tout au long de notre scolarité et de notre étude.
Ils nous ont toujours soutenus dans les moments où nous en avions besoin et qui
nous permis de faire nos études dans les meilleures conditions. Jamais nous
n’aurions pu faire ce travail sans leur soutien. Merci à vous.

Nous nous permettons de remercier tous ce qui, de près ou de loin et d’une

manière ou d’une autre, nous ont été d’utilité non négligeable et d’un quelconque
soutien tout au long de la réalisation de ce projet et qui sont bien trop nombreux
pour tous les citer.
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Table de matière

Introduction générale............................................................................................. 1
Chapitre I : Généralités sur la physique des semiconducteurs .............................. 3
I.1 Théorie des bandes ................................................................................................. 3
I.1.1 Introduction ................................................................................................................ 3
I.1.2 bande d’énergie........................................................................................................... 3
I.1.3 Bande de conduction, de valence, et de gap direct et indirecte .................................. 5
I.2 Distinction entre métaux ........................................................................................ 6
I.2.1 Relation avec le niveau de Fermi ............................................................................... 6
I.2.2 Agitation thermique et distribution de fermi Dirac .................................................... 7
I.3 Densité d’états ........................................................................................................ 8
I.4 Semiconducteur ...................................................................................................... 9
I.4.1 Semi-conducteurs intrinsèques ................................................................................. 10
I.4.2 Semi-conducteurs extrinsèques ................................................................................ 11
I.5 Jonction PN .......................................................................................................... 13
I.5.1 Formation de la jonction PN ..................................................................................... 13
I.5.2 Equilibre thermodynamique dans la jonction PN ..................................................... 14
CHAPITRE II : Interaction lumière-semiconducteur ......................................... 16
II.1 Qu`est-ce que la lumière ? .................................................................................. 16
II.1.1 Le spectre électromagnétique .................................................................................. 16
II.1.2 Le visible ................................................................................................................. 17
II.1.3 Les autres rayonnements ......................................................................................... 17
II.2 Principe de la lumière ......................................................................................... 18
II.2.1 Lumière = onde électromagnétique ......................................................................... 18
II.2.2 Lumière = photons .................................................................................................. 19
II.3 Absorption dans le semiconducteur .................................................................... 21
II.3.1 Absorption d’un photon par un atome..................................................................... 21
II.3.2 Absorption dans les S-C : quasi-continuum d’états ................................................ 22
II.3.3 Taux d’absorption ................................................................................................... 25
II.3.4 Coefficient d’absorption .......................................................................................... 26
II.4 Emission stimulée dans les S-C .......................................................................... 27
II.5 Emission spontanée dans les S-C ....................................................................... 28
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II.6 Taux de radiation total dans les S-C ................................................................... 29

Chapitre III : Laser à base de semiconducteur et ses applications ...................... 30
III.1 principe de fonctionnement du laser ................................................................. 30
III.2 Principe de fonctionnement un laser à semiconducteur .................................... 31
III.2.1 Gain Optique (amplification optique) dans un semiconducteur ............................ 31
III.2.2 Inversion de population dans une jonction PN ...................................................... 31
III.2.3 Condition de seuil d’un laser à semiconducteur .................................................... 33
III.3 Différents types de laser à semiconducteur ....................................................... 34
III.3.1 Laser à homo-jonction ........................................................................................... 34
III.3.2 Laser à hétérojonctions .......................................................................................... 35
III.3.3 Laser à puits quantiques ......................................................................................... 36
III.4 Diversification des lasers à semiconducteur ..................................................... 38
III.4.1 Diodes lasers à émission par la tranche ................................................................. 38
III.4.2 Diodes à émission par la surface ............................................................................ 39
III.5 Applications ....................................................................................................... 41
III.5.1 Applications aux Télécommunications, balayage et spectrométrie ....................... 41
III.5.2 Utilisations médicales ............................................................................................ 42
III.5.3 Refroidissement laser ............................................................................................. 42
III.5.4 Longueurs d’onde courantes .................................................................................. 44
Conclusion générale ............................................................................................ 45
Bibliographie ....................................................................................................... 46
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Introduction générale

Le laser est un appareil qui produit un rayonnement lumineux spatialement et

temporellement cohérent reposant sur le processus d’émission stimulée, la lumière du laser est
aussi appelée lumière cohérente, descendant du maser, le laser est d’abord appelé « maser
optique ». Différentes sortes de lasers existent, Ils comprennent tous trois éléments nécessaires
qui sont : le milieu émetteur, l’excitation et l’amplification.
Un faisceau laser se reconnaît du premier coup d’œil, car il est différent de la lumière
ordinaire : c’est un faisceau de lumière cohérente, qui se distingue de la lumière émise par les
lampes classiques (lampes à incandescence, tubes fluorescents, diodes électroluminescentes).
Celles-ci émettent leur lumière dans des directions multiples, ce qui est bien adapté pour éclairer
une pièce ou une région de l’espace. Au contraire, le faisceau émis par un laser est un fin
pinceau se manifestant, lorsqu’il est arrêté par un obstacle tel qu’un mur, par une tache brillante
et presque ponctuelle. Lorsqu’il se propage, même sur de grandes distances, le faisceau laser
reste bien parallèle et localisé : cette propriété est la cohérence spatiale. Une autre
caractéristique du faisceau laser, qui apparaît dans le domaine visible, est sa couleur bien
souvent pure. Dans certains cas, il est quasi monochromatique, dans d’autres il n’est composé
que de certaines longueurs d’onde particulières ; cette propriété est la cohérence temporelle.
Le premier laser a vu le jour en mai 1960, dans un petit laboratoire industriel à Malibu en
Californie. Il s’agissait d’un laser à rubis, fonctionnant en impulsions dans le rouge. Son
inventeur, Theodore Maiman, créait ainsi le premier « maser optique », concrétisant la
proposition faite deux ans plus tôt par Arthur Schawlow et Charles Townes de réaliser un
oscillateur optique, sur le modèle des masers inventés en 1954 dans le domaine des micro-
ondes. Mais passer au domaine optique était loin d’être évident, et de nombreux chercheurs s’y
essayaient dans leur laboratoire. Le succès de Maiman fut suivi rapidement de beaucoup
d’autres. Le premier laser hélium-néon fut mis au point quelques mois plus tard par Ali Javan
aux Bell Labs. Dans les années suivantes, une grande variété de lasers vit le jour, fonctionnant
avec des milieux et des longueurs d’onde de plus en plus diversifiés. De nos jours, cette «
curiosité de laboratoire » est devenue un objet courant de la vie quotidienne [6].

On classe les lasers selon quatre familles, en fonction de la nature du milieu excité. On
annonce comme suit :
Les Lasers à solides ou ioniques : Dans les lasers à solides, on utilise en général des cristaux
dopés comme milieu amplificateur. Les ions utilisés comme dopants sont les éléments actifs
produisant l’effet laser. [7]

Les lasers à gaz : Le milieu amplificateur est ici constitué d’un gaz ou d’un mélange de gaz, en
général contenu dans un tube en verre ou en quartz. .[7]
Les lasers à colorants : Dans les lasers à colorants, le milieu amplificateur est souvent liquide,
Il est composé d’une solution que l’on enferme dans une cuve de verre et qui contient des
molécules organiques de colorants. [7]

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Les lasers à semi-conducteurs ou « diodes lasers » : Ces dispositifs bien particuliers utilisent
comme milieu amplificateur des matériaux semi-conducteurs (InP, GaAs…), en général sous
forme de jonctions ou d’hétérostructures. [7]
Ce projet concerne les lasers à semiconducteurs qui sont un type des lasers que on a
présenté ci-dessus, qui utilise comme milieu amplificateur un semiconducteur. Où on va essayer
de voir le principe physique de fonctionnement les lasers à semiconducteurs, et on va donner
les applications de ces dispositifs, qui ont aujourd’hui une importance énorme dans notre
civilisation. Ils représentent aujourd’hui 70% du marché total des lasers, soit environ 3 milliards
de $ en l’an 1999. Et donc, ce manuscrit s’articule autour de trois chapitres fondamentaux.
Premier chapitre rappel d’abord un modèle plus réaliste, qui introduit par F. Bloch en 1928. Il
faut ainsi « la théorie des bandes ». Depuis les années 30, la théorie des bandes s’est
progressivement perfectionnée. Les contradictions de physique classique ont été éliminées et
les propriétés des métaux, des semi-conducteurs et des isolants de mieux en mieux comprises.
Ensuite il donne les caractéristiques des semiconducteurs, enfin il étudie la jonction PN à
l’équilibre thermodynamique qui est très intéressante (utilise dans un milieu à gain optique pour
le laser).
Deuxième chapitre étudie l’interaction lumière-matière. Nous donnons d’abord la définition de
la lumière, et les différentes formes qui la prend. Ensuite nous décrivons la lumière de point de
vue classique par les équations de maxwell dans le vide et dans la deuxième partie de point de
vue quantique qui s’appelle la seconde quantification. Nous passons après ça aux processus
optiques dans les semiconducteurs : absorption, émission spontanée, et émission stimulée.
Enfin, nous faisons donner une formule théorique de coefficient d’absorption, qui doit être
négative, pour réaliser l’amplificateur optique. Cette dernière condition est nécessaire pour
fonctionner le laser.
Troisième chapitre étudie principe de fonctionnement un laser semiconducteur, et donne les
applications de ces dispositifs, où nous avons traité d’abord dans ce manuscrit principe générale
des lasers, passant au principe de fonctionnement un laser semiconducteur qui est le but de ce
projet. Ensuite, Nous avons analysé les conditions d’obtention d’une émission stimulée, c’est-
à-dire le gain optique. D’autre part, nous avons donné différents types de lasers à
semiconducteur à savoir laser à homo-jonction, à hétérojonction, et à puits quantique. Et nous
avons fait une diversification des lasers à semiconducteur : les lasers à émission par tranche, les
lasers à émission par la surface. Ensuite, nous avons donné des applications des lasers à
semiconducteurs. Finalement, nous avons fini ce travail par un conclusion.

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Chapitre I : Généralités sur la physique des semiconducteurs

I.1 Théorie des bandes

I.1.1 Introduction
Le physicien qui cherche à décrire les états possibles d’un électron dans un cristal doit
résoudre l’équation de Schrödinger en présence du potentiel cristallin c’est-à-dire Le potentiel
constitué par la totalité des noyaux atomiques rangés de manière périodique et formant le cristal.
Le problème est naturellement très complexe : à ce potentiel « fixe » des noyaux
atomiques du cristal s’ajoute le potentiel provenant des autres électrons présents dans le cristal.
Pour connaître ce potentiel d’interaction coulombienne, il faudrait cependant déjà connaître les
états électroniques, ce qui est précisément ce que l’on cherche ! La résolution du problème
nécessite donc la considération de l’équation de Schrödinger et de celle de Poisson de manière
couplée, et la difficulté est considérable. Heureusement, quelques idées simples amènent
néanmoins à l’essentiel des notions qualitatives nécessaires pour comprendre ce qui se passe.
Les états électroniques dans un cristal consistent à considérer celui-ci comme une grosse
molécule. Nous appellerons cette approche la méthode du chimiste. Le problème de la molécule
d’hydrogène est un cas d’école classique : la résolution de l’équation de Schrödinger pour le
double puits quantique que représentent les deux noyaux montre que la levée de dégénérescence
entre les deux niveaux d’énergie sur les atomes d’hydrogène considérés séparément mène à
deux niveaux couplés, l’un dit liant, de plus basse énergie, et l’autre, dit anti-liant, de plus haute
énergie. [1]
Si on augmente le nombre N d’atomes couplés dans une molécule (pour atteindre la
molécule gigantesque que constitue notre cristal), on comprend intuitivement que le couplage
entre tous les niveaux individuels sur chaque atome va former un ensemble de N états (une «
bande d’énergie »). [1]

I.1.2 bande d’énergie

La bande d’énergie électronique dans un cristal résulte donc de l’hybridation des niveaux
individuels des atomes qui composent le cristal. L’ensemble des bandes d’énergie du solide ne
recouvre pas forcément tout le spectre des énergies possibles, et il peut rester entre ces bandes
d’énergie permise des bandes d’énergie interdite. Cela signifie simplement qu’un électron ne
peut pas avoir n’importe quelle énergie dans un cristal, il occupe nécessairement un état à
l’intérieur d’une bande permise. Ce résultat n’est qu’un élargissement à l’état solide du résultat
bien connu de la mécanique quantique appliquée à l’atome, qui dit qu’un électron dans un atome
ne peut pas avoir n’importe quelle énergie : il occupe nécessairement un niveau d’énergie
précis, donné par l’équation de Schrödinger :

𝐻𝑘 𝜓𝑘 (𝑟) = 𝐸𝑘 𝜓𝑘 (𝑟)

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La méthode du mathématicien utilise le théorème de Bloch, qui stipule que, dans un

potentiel périodique, toutes les solutions de l’équation de Schrödinger sont des fonctions dites
de Bloch, c’est-à-dire qu’il existe un vecteur k permettant d’écrire :

Ψ𝑘 (𝑟) = 𝑢𝑘 (𝑟). 𝒆𝒊𝒌𝒓

Où 𝑢𝑘 (𝑟) est une fonction périodique avec les mêmes périodes que le potentiel. Les fonctions
d’ondes des électrons dans un cristal parfait (périodique, infini, sans défaut ...) sont donc
simplement le produit entre une onde plane et une fonction périodique.
Au fond, ce sont des ondes planes (témoignant de la délocalisation et de la liberté des
électrons) qui se construisent sur le paysage cristallin. Ce qui est intéressant avec cette écriture,
c’est que l’on a maintenant indexé toute fonction d’onde par un vecteur d’onde k. On peut donc
considérer le problème k par k et chercher à résoudre, pour un k donné, l’équation de
Schrödinger.
On va ainsi trouver, pour ce k donné, une équation qui porte sur les fonctions périodiques
𝑢𝑘 (𝑟) C’est là que le problème a été simplifié d’une manière monumentale. Alors que
l’équation de Schrödinger cherche des solutions dans tout l’espace des fonctions a priori, le
théorème de Bloch permet de réduire le problème en tirant profit de la périodicité du potentiel
: pour chaque vecteur k, on cherche maintenant des solutions dans l’espace des fonctions
périodiques. Or cet espace est d’une dimension dénombrable (puisqu’on peut décomposer une
fonction périodique en série de Fourier à l’aide d’un ensemble dénombrable de coefficients) ;
l’ensemble des solutions (et des énergies possibles) est donc également dénombrable, pour
chaque k [1].
Par continuité entre les différents k, on construit ainsi un ensemble dénombrable de
bandes d’énergie que l’on représente sous la forme d’une relation de dispersion E(k) appelé
aussi diagramme ou structure de bande.

Les fonctions 𝐸𝑛 (𝑘) sont continuées. Leurs courbes représentatives ont l’allure présentée sur la
figure suivante.

[2]

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-On retrouve, par ces arguments certes un peu plus abstraits, le concept de bandes d’énergie
permise et interdite [2].
-Notons que l’on retrouve dans la partie périodique des fonctions de Bloch une réminiscence
des orbitales atomiques de départ. En effet, la méthode du chimiste nous a enseigné que ces
états électroniques sont obtenus par hybridation des orbitales atomiques. Leur trace est donc
conservée dans la partie périodique de la fonction de Bloch, en particulier avec ses propriétés
de symétrie [2].

I.1.3 Bande de conduction, de valence, et de gap direct et indirecte

Bande de conduction : Bande d’énergie le plus haut, et ses électrons libres de cette bande
qui contribuent à la conduction.

Bande de valence : Bande d’énergie le plus bas, ou la bande permise des états liés. Quant
en enlevant quelques électrons de la bande de valence, il libère des états vides pour le transport
dans cette bande. Ces absences d’électrons dans la bande de valence sont appelées des trous et
sont finalement assimilées à des particules de charge positive qui transportent le courant.

Bande interdite : La bande d'énergie comprise entre ces deux bandes est appelée bande
interdite ou plus simplement "gap".
C'est la valeur de l'énergie de cette bande (interdite) qui va fixer les propriétés électriques des
matériaux.

Bande de gap directe et indirecte :

Figure : Structure de bande schématique d'un semi-conducteur direct et indirect [3].

Notion de gap directe et indirecte sont liées à la représentation de la dispersion
énergétique d’un semiconducteur (voir le schéma ci-dessus). On parle de semiconducteur à gap
direct lorsque le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de conduction se
situent à valeur voisine de K sur le diagramme 𝐸(𝐾). Inversement, on parle de semiconducteur
à gap indirecte lorsque le maximum de bande de valence et le minimum de la bande de
conduction se situent à des valeurs distinctes du nombre d’onde K sur le diagramme E(K).
Dans le cadre des applications en émetteur de la lumière (interaction lumière matière) on
privilégie les matériaux à gap direct, en effet les extrema de bandes étant situé des valeurs de
5
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K semblables, la probabilité de recombinaison radiative des porteurs (rendement quantique

interne) est supérieure grâce à la conservation de la quantité de mouvement (même nombre de
k).

I.2 Distinction entre métaux

Fig.2. Métal, isolant, semi-conducteur [1].

De l’existence des bandes d’énergie électroniques va découler immédiatement des
propriétés de transport essentielles des solides.
A T= 0 K, on distingue donc trois cas :

Premier cas : la bande de conduction est partiellement remplie. Le solide contient donc des
électrons susceptibles de participer aux phénomènes de conduction, il est conducteur.

Deuxième cas : la bande de conduction est vide et le gap est grand (de l’ordre de 10 eV par
exemple). Le solide ne contient alors aucun électron capable de participer à la conduction. Le
solide est isolant.

Troisième cas : la bande de conduction est vide mais le gap est plus faible (de l’ordre de 1 à
2 eV). Le solide est donc isolant à température nulle, mais une élévation de température permet
de faire passer des électrons de la bande de valence à la bande de conduction. La conductivité
augmente avec la température : c’est la caractéristique d’un semi-conducteur.

I.2.1 Relation avec le niveau de Fermi

L’occupation des différents états d’énergie par les électrons suit la distribution de Fermi-
Dirac. Il existe une énergie caractéristique, le niveau de Fermi, qui fixe, lorsque le matériau est
à une température de T = 0K, le niveau d’énergie jusqu’où on trouve les électrons, c’est-à-dire
le niveau d’énergie du plus haut niveau occupé. Le niveau de Fermi représente le potentiel
chimique du système. Son positionnement dans le diagramme des bandes d’énergie est relié à
la façon dont les bandes sont occupées :

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➢ Dans les conducteurs, le niveau de Fermi est dans une bande permise qui est dans ce cas
la bande de conduction. Les électrons peuvent alors se déplacer dans le système électronique et
donc circuler d’atomes en atomes [2].
➢ Dans les isolants et les semi-conducteurs, le niveau de Fermi est situé dans la bande
interdite qui sépare les bandes de valence et de conduction [2].

I.2.2 Agitation thermique et distribution de fermi Dirac

Vecteur d’onde de Fermi pour une seule dimension :
𝐿 2𝑘𝑓
𝑛𝑏𝑟𝑒 𝑑 ′ é𝑡𝑎𝑡𝑠 𝑜𝑐𝑐𝑢𝑝é𝑠 = 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑐𝑒 =2
𝑎 2𝜋
𝐿
𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑐𝑒 𝜋
𝑘𝑓 = × ⟹ Valence paire : 𝑘𝑓 est au gap
2 𝑎

On constate donc que le vecteur d’onde de Fermi se trouve à la limite de la zone de

Brillouin pour une valence paire. Dans ce cas, l’énergie de Fermi se trouve donc dans le gap.
ℏ 2 𝑘𝑓 2
En effet, par définition 𝐸𝐹 est donnée par : 𝐸𝐹 = 2𝑚𝑒

1
La distribution de Fermi Dirac est : 𝑓(𝐸) = 𝐸−𝐸𝑓
𝑒 𝐾𝐵 𝑇 +1

[4]
La distribution de Fermi f(E) indique que les électrons des couches supérieures peuvent
effectivement avoir une énergie suffisante que pour franchir le gap et atteindre la bande permise
supérieure. Si l’énergie thermique n’est pas négligeable devant le gap on pourra avoir
conduction. Or, l’énergie thermique à température ambiante (300 K) vaut 2.6 10−2 𝑒𝑉
Si le gap est de l’ordre de 1 eV, la conduction sera faible mais non négligeable. C’est, par
définition, le cas des cristaux semi-conducteurs. Ci-dessous nous considérons, après les
éléments des deux premières colonnes du tableau de Mendeleïev Na et Mg, des éléments des
colonnes suivantes. L’Aluminium a une valence 3 ; il y a donc une bande et demie remplie et
il y a donc conduction (possibilité d’avoir une distribution asymétrique des k). Le Silicium a
une valence 4 correspondant à 2 bandes remplies. Le gap séparant la bande occupée supérieure
et la bande permise suivante est de 1.13 eV. Il s’agit donc d’un semi-conducteur. Le Carbone a
aussi une valence 4 mais sont gap est de 5.5 eV et considérer comme isolant (le diamant) [4].

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Exemples : Al → 3e- conducteur ; Si → 4e- : 𝐸𝑔 = 1.13 eV semi-conducteur ; C → 4e- : 𝐸𝑔 =

5.5 eV isolant.

I.3 Densité d’états

La densité d’états par unité de volume et d’énergie est un autre concept important pour la
caractérisation des propriétés optiques des S-C. Nous la calculons ici pour le cas simple d’un
cristal de maille cubique. Le calcul de la densité d’états est basé sur le compte aisé du nombre
d’états dans l’espace réciproque. Comme on veut connaître le nombre d’électrons par unité
d’énergie on calcule d’abord le nombre d’électrons dans l’espace réciproque k et l’on applique
ensuite la relation de dispersion parabolique [4].

ℏ2 𝐾 2
𝐸 = 𝐸𝐶 +
2𝑚𝑒

1 2𝑚𝑒 4𝜋 𝐾2
𝑑𝑘 = 2 √ℏ2(𝐸−𝐸 )
𝑑𝐸 ; 𝑑𝑁𝑒 = 8𝜋3⁄𝐿3 𝑑𝑘
𝑐

3⁄
𝑑𝑛𝑒 1 2𝑚𝑒 2
𝜌𝑒 = = 2( 2 ) √𝐸 − 𝐸𝑐
𝑑𝐸 2𝜋 ℏ
3⁄
𝑑𝑛𝑡 1 2𝑚𝑡 2
On applique le même calcul aux trous : 𝜌𝑡 = = 2𝜋2 ( ℏ2 ) √𝐸 − 𝐸𝑣
𝑑𝐸

En guise de résumé, nous pouvons donc dire qu’un semi-conducteur se comporte comme
un nuage de porteurs de charges libres (négative et positives) de masses fixées par la courbure
des courbes de dispersion des bandes de conduction et de valence [4].
Le nombre d’électrons et de trous dans ces bandes est fixé par la distribution de Fermi
(inversée pour les trous) ; le niveau de Fermi se situant au milieu du gap [4].
Au zéro absolu, il n’y a donc pas de porteurs libres dans un S-C. La densité d’états par
unité de volume et d’énergie est parabolique (comme pour l’électron libre). Les produits 𝜌𝑒 𝑓𝑒
et 𝜌𝑡 𝑓𝑡 sont les densités d’électrons et trous par unité de volume et d’énergie respectivement.

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La densité de porteurs libres par unité de volume est dès lors donnée par l’intégrale sur E
de la densité d’états ρ et de la distribution de Fermi 𝑓(𝐸).

I.4 Semiconducteur
Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ont une résistivité qui varie en fonction de
la température : ρ diminue si T augmente, On peut avoir deux catégories :
Semi-conducteurs élémentaires : [3]
-Simples : Si, Ge, (colonne IV).
-Complexes : Se (colonne VI).
Semi-conducteurs composés : [3]

-Binaires : GaAs (meilleur émetteur de lumière que le Si), GaN, SiGe . . .

-Alliages ternaires : Alx Ga1−x As (dispositifs optoélectroniques comme les diodes lasers,
transistors particuliers).

-Alliages quaternaires : Ga In As P (diodes lasers).

Ces matériaux ont une bande de valence complète et une bande de conduction vide, et ce
qui les différencie, c’est la largeur de la bande interdite 𝐸𝑔 . Dans les isolants comme le diamant,
la bande interdite est voisine de 5eV. Dans ces conditions, la conductivité est nulle à
température ambiante [4].
Lorsque la bande interdite est de l’ordre de 1eV, on observe une certaine conductivité
électrique à température ambiante. Cette énergie, quoique beaucoup plus grande que l’énergie
thermique moyenne ( 𝑘𝐵 𝑇 ≈ 0,0258 𝑒𝑉 à température ambiante 𝑘𝐵 𝑇 < 𝐸𝑔 ), est suffisamment
basse pour permettre statistiquement à certains électrons de passer dans la bande de conduction.
➢ Les propriétés caractéristiques des semi-conducteurs sont habituellement dues à :
l’agitation thermique ;
aux impuretés ;
aux différents défauts du réseau.
Le tableau suivant présente quelques éléments semi-conducteurs avec leurs valeurs d’énergie
de la bande interdite.

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[2]

I.4.1 Semi-conducteurs intrinsèques

L'atome de silicium ayant quatre électrons de valence, il établit quatre liaisons covalentes
avec quatre atomes voisins. Il est appelé semi-conducteur intrinsèque.

A T = 0 K, seuls les niveaux d'énergie inférieure à une certaine valeur 𝐸𝐹 , appelée niveau de
Fermi intrinsèque, occupés pour un semi-conducteur intrinsèque.

Si le niveau de Fermi 𝐸𝐹 , est situé dans la bande interdite, tous les niveaux de la bande de
valence sont occupés par des électrons, tandis que tous ceux de la bande de conduction sont
vides. Le semi-conducteur est alors isolant.

[2]

Pour 𝑻>𝟎K, certains niveaux au-dessus du niveau de Fermi peuvent être occupés. L’énergie
nécessaire pour que les électrons y accèdent est fournie par l'agitation thermique. L'ordre de
grandeur de l'énergie d'agitation thermique, liée à la température T, en K, est 𝑘𝐵 𝑇.

Avec 𝑘𝐵 , la constante de Boltzmann, qui vaut : 𝑘𝐵 = 8,6. 10−5 𝑒𝑉𝐾 −1 ou 𝑘𝐵 =

1,38062. 10−23 𝐽𝐾 −1

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[2]
Lorsqu'un électron passe de la bande de valence à la bande de conduction, il laisse un trou dans
la bande de valence. On dit qu’il y a génération thermique d’une paire électron-trou.
Pour un semi-conducteur intrinsèque (pur) : n = p = ni, avec ni est la concentration intrinsèque
de semiconducteur.

𝑛𝑖2 = 𝑛. 𝑝 : constitue la loi d’action de masse.

𝑛𝑖 ; dépend de la température et l’énergie de la bande interdite (gap) 𝐸𝑔 :

3⁄ 𝐸𝑔
𝑛𝑖 = 𝐴𝑇 2 exp (− ) , 𝐴 = 𝑐𝑡𝑒
2𝑘𝐵 𝑇

I.4.2 Semi-conducteurs extrinsèques

L’introduction en quantité très faible de certaines impuretés (atomes trivalents (3𝑒 − ) ou
pentavalents (5𝑒 − )) dans un semi-conducteur intrinsèque, peut augmenter dans des proportions
considérables le nombre de porteur de charges. Cette opération est appelée le dopage des
semiconducteurs [2].

I.4.2.1 Dopage de type N

Pour un semi-conducteur au silicium (Si) dopé par un atome pentavalent, exemple
l’arsenic (As), un atome d’arsenic, remplace un atome de silicium dans le réseau. L'atome As
ayant cinq électrons de valence, il forme quatre liaisons covalentes avec des atomes de silicium
voisins, il reste un électron libre qui peut participer à la conduction électrique, on parle de
dopage de type N (N pour négatif) [2].
L'atome d’arsenic étant donneur d'électron et les électrons de valence des atomes donneurs
seront placés sur un niveau d’énergie 𝐸𝐷 au-dessous de la bande de conduction.

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[2]

A T = 300 K, toutes les impuretés sont pratiquement ionisées 𝑁𝐷 = 𝑁𝐷+ , où 𝑁𝐷 nombre

d’atomes donneurs et 𝑁𝐷+ nombre d’atomes ionisés.

Le nombre de charge libre est : 𝑛 = 𝑛𝑖 + 𝑁𝐷 et 𝑛𝑖 = 𝑝

Dans un semi-conducteur type N, les électrons sont majoritaires et les trous sont minoritaires
(n >> p).
𝑛2
Comme 𝑛𝑖2 = 𝑛𝑝 = (𝑛𝑖 + 𝑁𝐷 )𝑝 (on néglige 𝑛𝑖 𝑑𝑒𝑣𝑎𝑛𝑡 𝑁𝐷 ) ⇒ 𝑝 = 𝑁𝑖 ⟶ 0 𝑐𝑎𝑟 𝑁𝐷 ≫ 𝑛𝑖2 .
𝐷

Il faut noter que non seulement le nombre des électrons a augmenté, mais le nombre de trou a
diminué. En effet, le grand nombre des électrons libérés par les donneurs augmente le taux de
recombinaison des électrons avec les trous.

I.4.2.2 Dopage de type P

Un atome dopant possédant trois électrons de valence (trivalente), comme l’indium, In,
conduit à un déficit d'électron de valence dans le réseau, appelé trou. Ce trou peut être comblé
par un électron de valence d'un atome de silicium voisin, déplaçant ainsi le trou. L'atome
d’indium étant accepteur d'électron, on parle de dopage de type P (P pour positif). Les éléments
dopants génèrent des niveaux d'énergies 𝐸𝐴 dans la bande interdite. Ces niveaux sont au-dessus
des bandes de valence. Les trous sont les porteurs majoritaires.

Le nombre de charge libre est 𝑝 = 𝑛𝑖 + 𝑁𝐴 et 𝑛𝑖 = 𝑛, avec 𝑁𝐴 nombres d’atomes accepteurs.

Dans un semi-conducteur type P, les trous sont majoritaires et les 𝑒 − sont minoritaires (p >> n).

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𝑛2
Comme 𝑛𝑖2 = 𝑝𝑛 = (𝑛𝑖 + 𝑁𝐴 )𝑛 (on néglige 𝑛𝑖 𝑑𝑒𝑣𝑎𝑛𝑡 𝑁𝐴 ) ⇒ 𝑛 = 𝑁𝑖 ⟶ 0 𝑐𝑎𝑟 𝑁𝐴 ≫ 𝑛𝑖2 .
𝐴

I.5 Jonction PN
On appelle jonction PN une région d’un échantillon monocristallin comprise entre une
région P et une région N.
Pratiquement le passage de la zone N à la zone P n’est pas brutal mais nous supposons
pour simplifier les calculs que la jonction est abrupte.

[2]

I.5.1 Formation de la jonction PN

En l’absence de champ électrique extérieur :

Les trous majoritaires de la région P vont diffuser vers la région N où ils sont peu nombreux et
créent un courant de diffusion de P → N.
Les électrons majoritaires de la région N vont diffuser vers la région P où ils sont peu nombreux
et créent un courant de diffusion de N → P.
Le départ des porteurs majoritaires laisse des charges ionisées fixes qui vont crées un champ
électrique interne local ⃗⃗⃗
𝐸𝑖 de N → P. A un instant t, il apparaît une barrière de potentiel U
s'opposant la diffusion, les porteurs minoritaires qui se trouvent au voisinage de la jonction vont
donc pouvoir immigrer facilement car le champ interne favorise leurs mouvements.

[2]

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On a alors formation d'une zone diserte d au niveau de la jonction et création d'un courant
inverse de trous minoritaires de N → P et des électrons de P → N : c'est un courant de
minoritaires, ce courant est généralement appelé courant de saturation et est noté 𝐼𝑠 . [2]

On montre que la barrière de potentielle U de largeur d de la zone diserte est donnée par :

Avant qu'il y soit contact entre P et N, les diagrammes de bandes sont :

[2]
Après contact, le diagramme sera modifié à ce que les niveaux de Fermi seront alignés

[2]

I.5.2 Equilibre thermodynamique dans la jonction PN

Nous nous trouvons en présence d’une concentration inhomogène en électrons et en trous
: nous sommes a priori en présence de beaucoup d’électrons dans la zone n et de beaucoup de
trous dans la zone p. Cette inhomogénéité a pour conséquence l’établissement d’un courant de
diffusion, selon la loi de Fick :

𝑗𝑛 (𝑥) = −𝐷∇𝑛(𝑥) (Densité de courant de particules) [1].

Le signe (–) a une signification simple : le courant de particules est orienté vers les zones les
moins concentrées. En d’autres termes, le courant de particules tend à rétablir l’uniformité de
concentration. Le coefficient de diffusion 𝑫 s’exprime en 𝑚2 𝑠 −1 .ces valeurs varient sur
plusieurs ordres de grandeurs suivant le milieu support du phénomène et la particule qui diffuse.

𝑗(𝑥) = 𝑒𝐷∇𝑛(𝑥) (Densité de courant électrique) [1].

Les grandeurs ici sont scalaires dans la mesure où le problème est à une dimension. À
l’équilibre thermodynamique, le courant total d’électrons est pourtant nécessairement nul. Il
existe donc un courant en sens inverse qui compense cette diffusion d’électrons vers la zone p.
Un électron qui quitte la zone n pour diffuser dans la zone p laissant derrière lui une charge fixe
positive (le noyau de l’atome donneur), il en résulte une force coulombienne de rappel. Cette

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force correspond précisément au champ électrique induit dans la structure que nous avons déjà
évoquée, et ce champ électrique est tel que le courant d’électrons lié à ce champ interne
compense exactement le courant de diffusion à l’équilibre. En d’autres termes, les électrons
diffusent jusqu’à ce que le champ de charge d’espace créé par les atomes donneurs soit devenu
tellement important qu’il empêche les électrons de diffuser plus encore par l’établissement
d’une barrière de potentiel. L’équilibre entre courant de diffusion et courant d’entraînement
s’écrit :

𝑛(𝑥)𝑒𝜇𝐸(𝑥) = 𝑒𝐷∇𝑛(𝑥) [1]

On a évidemment de manière symétrique le même type d’équation pour la concentration

de trous en bande de valence. Les trous et les électrons ne coexistent pas à l’interface (sinon ils
se recombineraient entre eux tout simplement) ; il existe donc une zone désertée de charges
libres, de charge positive dans la zone n (charge des atomes donneurs restant) et négative dans
la zone p (charge des atomes accepteurs). Le champ de charge d’espace résulte précisément de
ces charges positives et négatives qui se font face de part et d’autre de la jonction.

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CHAPITRE II : Interaction lumière-semiconducteur

II.1 Qu`est-ce que la lumière ?

La lumière est une forme d’énergie, tout comme l’électricité ou la chaleur. Elle est
composée de minuscules particules que l’on appelle photons et se déplace sous forme d’onde.
La lumière est en fait générée par les vibrations des électrons dans les atomes. Il s’agit donc
d’un mélange d’ondes électriques et magnétiques : on dit que la lumière est une onde
électromagnétique.
Il existe plusieurs formes de lumière. Celle que nous connaissons est la lumière visible.
Il existe cependant plusieurs autres formes d’ondes lumineuses : les infrarouges, les ultraviolets,
les rayons X, etc. Ce qui différencie ces types de lumière est la longueur d’onde ou encore la
quantité d’énergie qu’elles transportent. Plus la longueur d’onde de la lumière est grande, moins
le photon possède d’énergie. Dans la lumière visible, le rouge a la plus grande longueur d’onde,
mais possède le moins d’énergie. En contrepartie, la lumière bleue a la plus courte longueur
d’onde et possède le plus d’énergie [3].

II.1.1 Le spectre électromagnétique

Les différentes formes de lumière sont classées dans ce qu’on appelle le spectre
électromagnétique. La lumière visible n’occupe qu’une toute petite portion de ce spectre. À des
longueurs d’ondes un peu plus grandes, on retrouve les infrarouges qui nous procurent la
sensation de chaleur. Ensuite se sont les micro-ondes utilisées dans les fours et les radars. Enfin,
les ondes radio, qui transportent les signaux de la radio et de la télévision, possèdent les plus
grandes longueurs d’ondes : elles peuvent atteindre jusqu’à quelques kilomètres.
Au-delà de la lumière visible, vers les régions de plus courtes longueurs d’ondes, on
retrouve les rayons ultraviolets, qui nous font bronzer et les rayons X. Ce type de lumière a la
propriété de traverser les tissus mous du corps humain et d’être absorbée par les os et les dents.
Les rayons X sont utilisés, entre autres, pour produire les radiographies. Enfin les photons dont
la longueur d’onde est la plus courte et qui sont les plus énergétiques sont les rayons gamma.

[3]

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II.1.2 Le visible
Seuls la lumière visible et l’infrarouge sont sensibles. U.V., Gammas et rayons X ont
cependant des effets biologiques, quelque fois très graves.
Le visible est la partie du rayonnement électromagnétique que nous voyons, autrement
dit celle à laquelle nos yeux se sont adaptés au cours de l’évolution. C’est une toute petite
fenêtre, dans les rayonnements électromagnétiques, dont les longueurs d’onde vont de 0,4 à 0,8
µm. Nos yeux sont cependant capables de discerner dans ce faible intervalle toutes les couleurs
que nous connaissons, et de voir toutes les merveilles que la nature nous offre. Quelles beautés
nous seraient accessibles si notre spectre était plus large ?
Pour répondre à cette question, il faut d’abord s’interroger sur notre environnement
immédiat. Nous vivons à la surface de la Terre, et sommes baignés par son atmosphère. La
source de lumière est le Soleil, qui émet tous les rayonnements, mais dans des proportions
diverses. En fonction de sa température superficielle de 6.000°, son maximum d’énergie se situe
dans le visible, dans la partie jaune-verte. C’est donc tout naturellement que nos yeux, comme
ceux des animaux, se sont adaptés à cette partie où l’énergie est à profusion. Mais il y a une
autre explication : l’atmosphère absorbe certains rayonnements. Fort heureusement pour nous,
car ils ont des effets biologiques destructeurs, les rayons ultra-violets et gamma ne passent pas
la barrière. En fait, seuls le visible, le proche infrarouge, et certaines ondes radio traversent
l’atmosphère [3].

Figure : spectre visible seul (le reste ne peut être vu) [3].

II.1.3 Les autres rayonnements

Si tous les rayonnements cités au début sont semblables, pourquoi leurs effets sont-ils si
différents ?
Parce qu’ils ne transportent pas la même énergie.
Ils se classent de la manière suivante :

[3]
Plus les ondes sont serrées (haute fréquence = courte longueur d’onde) plus elles transportent
d’énergie.

II.1.3.1 Domaine visible

Pour le domaine des ondes visibles, l’intervalle de longueurs d’onde est souvent donné
avec des valeurs arrondies [400 nm ; 800 nm] plus faciles à retenir.

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II.1.3.2 Rayonnement infrarouge :

D’une façon générale, tous les corps chauffés émettent de l’énergie sous forme
d’infrarouge, même s’ils ne sont pas lumineux.

II.1.3.3 Rayonnement ultraviolet

Les sources d’ultraviolets, sont, avant tout, naturelles : le Soleil et les étoiles produisent
des ultraviolets.
Les ultraviolets (UV) sont des ondes électromagnétiques dont les longueurs d’onde sont
comprises entre 10 et environ 400 nm. [3]

II.1.3.4 Rayonnement du corps noir

Le rayonnement thermique émis par un corps chauffé correspond à l’émission d’ondes
électromagnétiques. Lorsqu’un corps reçoit un rayonnement, il en absorbe une partie et diffuse
le reste.
Le cas idéal d’un corps qui absorbe tous les rayonnements (quelle que soit la longueur
d’onde) et qui ne diffuse rien est appelé « corps noir ».
Remarque : Un corps noir peut être très lumineux (cas du Soleil) car il absorbe les
rayonnements qu’il reçoit de l’extérieur mais il émet des radiations du fait de son activité propre
[3].

II.2 Principe de la lumière

Avant de considérer les interactions lumière-matière proprement dites, nous faisons ci-
dessous un bref rappel des formalismes utilisés pour décrire la lumière. D’un point de vue
classique (c-à-d, non quantique), puis décrire d’un point de vue quantique.
La lumière est constituée d’ondes électromagnétiques et est donc décrite par les équations
de Maxwell combinées aux relations constitutives caractérisant le milieu dans lequel elle se
propage (elles sont données ici pour le vide) [4].

II.2.1 Lumière = onde électromagnétique

𝜕𝐻 𝜕𝐸
Equation de Maxwell : 𝑟𝑜𝑡(𝐸) = −𝜇0 𝑟𝑜𝑡(𝐻) = 𝜀0 𝜕𝑡
𝜕𝑡

𝑑𝑖𝑣(𝐸) = 0 𝑑𝑖𝑣(𝐻) = 0

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La combinaison des deux équations de Maxwell fourni l’équation d’onde dont la solution
la plus simple est une onde périodique progressive (onde de propagation) caractérisée par un
vecteur d’onde lié à la fréquence par la vitesse de la lumière c.
Comme l’équation d’onde est une équation linéaire, toutes ses solutions peuvent être
décomposées en somme de telles ondes périodiques (ou modes électromagnétiques). Les ondes
sont décrites ici en notation complexe symbolique (il faut ajouter le complexe conjugué pour
décrire un signal physique réel) [4].
𝜕2 𝐸 1 𝜕2𝐸
• 𝑟𝑜𝑡(𝑟𝑜𝑡 𝐸) = −𝜀0 𝜇0 𝜕𝑡 2 ⟶ 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑑𝑖𝑣𝐸) − ∆𝐸 = − 𝐶 2 𝜕𝑡 2
𝜕2𝐸 1 𝜕2𝐸
• Pour une seule dimension 1D : − 𝐶 2 𝜕𝑡 2 = 0
𝜕𝑥 2
• Solution : 𝐸 = 𝐴𝑒 𝑖(𝑘𝑥−𝜔𝑡) Où : 𝑘 = 𝜔⁄𝑐

L’énergie transportée par l’onde E est donnée par le vecteur de Poynting 𝑆 = 𝐸 × 𝐻 et

est donc simplement proportionnelle au carré de l’amplitude du champ. Comme l’amplitude A
peut avoir n’importe quelle valeur, l’énergie de l’onde électromagnétique (E-M) de fréquence
donnée ω, est une quantité qui peut varier de manière continue.

Energie transportée : 𝐸 ∝ |𝐴|2 (A : variable continue).

Comme nous le verrons dans la suite, une variation continue de l’énergie d’une onde E-
M est incompatible avec la réalité expérimentale. L’expérience a en effet montré que la lumière
doit être décrite en termes de quanta d’énergie appelés photons. Ce sont les expériences de
Planck sur le rayonnement des corps noirs (ou rayonnement thermique) ainsi que la description
par Einstein de l’effet photo-électrique qui ont mené à cette conclusion. Ces deux types
d’expériences ont mené à la conclusion que l’énergie de la lumière à une fréquence ω donnée
ne peut varier que par quanta ℎ𝜈 où ℎ est la constante de Planck [4].

II.2.2 Lumière = photons

Planck : ∆𝐸 = ℎ𝜐 = ℏ𝜔
Cette observation a mené à la notion de seconde quantification qui désigne la
quantification du champ électromagnétique. On peut en faire une description simplifiée qui en
donnera une vue intuitive. L’idée est de résoudre l’équation d’onde par la méthode de séparation
des variables, soit 𝐸(𝑥, 𝑡) = 𝑓(𝑥)𝑞(𝑡)Puisque l’équation d’onde est linéaire, on peut choisir
pour f(x) un mode périodique unique d’amplitude unitaire soit f(x) = 𝑒 𝑖𝑘𝑥 [4].
L’amplitude du champ E-M sera donnée par la fonction q(t). Avec cette forme de f(x)
l’équation en q prend la forme de l’équation de l’oscillateur harmonique avec 𝜔2 = 𝑐 2 𝑘 2
comme constante de rappel. L’idée est alors d’établir pour cette équation une analogie formelle
avec la mécanique et en particulier avec la mécanique quantique. On associe q(t) à la
coordonnée d’un point massique (de masse unitaire) soumis à une force proportionnelle à la
coordonnée elle-même. En d’autres termes, on a affaire à un point massique plongé dans un
𝜔2𝑞2
potentiel harmonique (parabolique) 𝑉 = . La trajectoire classique du point dans ce
2
potentiel est une simple sinusoïde dont l’amplitude peut prendre toute les valeurs (variable
continu).
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Cette sinusoïde représente les variations périodiques temporelles de l’onde E-M telle qu’on la
visualise en électromagnétisme classique.
Quantification du champ E-M :

𝑑𝑞 2
𝐸(𝑥, 𝑡) = 𝑒 𝑖𝑘𝑥 . 𝑞(𝑡) ⟹ = −𝜔2 𝑞 ; 𝜔 = 𝑘𝑐
𝑑𝑡 2
𝜕𝑉 1
Analogie à la mécanique : l’oscillateur harmonique 𝐹 = 𝑚. 𝑎 = − 𝜕𝑞 ; 𝑉 = 2 𝜔2 𝑞2

L’énergie totale de l’oscillateur est donnée par l’Hamiltonien du système donné ci-
dessous. Tout comme en mécanique quantique, on applique à l’oscillateur le principe de
transposition en associant à la quantité de mouvement 𝑝 = 𝑑𝑞(𝑡)⁄𝑑𝑡 l’opérateur de dérivée
première par rapport à la position q. Tout comme en mécanique l’application du principe de
transposition à l’Hamiltonien conduit à l’équation de Schrödinger stationnaire.
Comme les fonctions d’ondes et les niveaux d’énergie de l’oscillateur harmonique sont bien
connus on peut directement en tirer des conclusions : l’énergie de l’oscillateur est quantifiée et
est donnée par :

𝐸𝑛 = ℏ𝜔(𝑛 + 1⁄2).

Chacun de ces niveaux d’énergie correspond à une fonction d’onde φ(q) dont le module
carré donne la probabilité de présence du point massique en q. Comme q représente ici
l’amplitude du champ E-M, on constate que dans le cadre de la quantification du champ
l’amplitude d’une onde E-M n’est plus déterminée de manière univoque (la sinusoïde évoquée
ci-dessus) et que l’on ne peut qu’en définir la valeur de manière probabiliste.
La quantification du champ consiste à adopter ce point de vue comme une réalité
physique. On associe l’énergie 𝐸𝑛 = ℏ𝜔(𝑛 + 1⁄2) à l’énergie réelle du champ E-M et l’on
associe à chaque quanta ℏ𝜔 un photon.
Le nombre quantique n donne donc le nombre de photon du champ E-M. On voit que, en
l’absence de photon soit n = 0, l’énergie du champ E-M est non-nulle (en mécanique quantique
l’oscillateur n’est jamais au repos). Cette énergie résiduelle représente ce que l’on appelle les
fluctuations du vide. Comme on le verra par la suite, c’est une quantité qui pose problème dans
certaines situations et il faut parfois la supprimer de manière artificielle (ceci est lié à ce que
l’on appelle les problèmes de renormalisation en électrodynamique quantique) [4].
Quantification :
1 1
• 𝐻 = 2 𝑞̇ 2 + 2 𝜔2 𝑞 2 , 𝑞̇ = 𝑝 ≡ −𝑖ℏ𝜕𝑞
ℏ2 1
• 𝐸𝜙 = − 2
𝜕𝑞𝑞 𝜙 + 2 𝜔2 𝑞2 𝜙
2
• 𝐸𝑛 = ℏ𝜔(𝑛 + 1⁄2), n= nombre de photons à la fréquence 𝜔.
1
• (2 ℏ𝜔 ∶ 𝑓𝑙𝑢𝑐𝑡𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛𝑠 𝑑𝑢 𝑣𝑖𝑑𝑒)

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Bien qu’il y ait maintenant une incertitude sur la

valeur de l’amplitude de champ E-M à un instant
donné, on peut définir l’amplitude du champ E-M
comme on le fait d’habitude en mécanique quantique,
c’est à dire, en prenant la valeur moyenne de la
position pour un état donné (soit, un nombre n de
photons donnés). La moyenne est donnée par
l’intégrale sur q de la probabilité de présence
multipliée par q. Le calcul appliqué avec les fonctions
d’onde de l’oscillateur harmonique montre que
l’amplitude moyenne 𝐴𝑛 est proportionnelle à la
racine carrée de l’énergie 𝐸𝑛 . On retrouve ainsi la
relation classique entre l’amplitude du champ E-M et
son énergie (c-à-d, énergie proportionnelle au carré de
l’amplitude, cf. vecteur de Poynting) [4].

Incertitude sur l’amplitude du champ : ⟨𝜙𝑛 |𝑞|𝜙𝑛∗ ⟩ =

𝐴𝑛 et 𝐸𝑛 ∝ 𝐴2𝑛
Ces notions élémentaires d’électrodynamique quantique nous permettent d’étudier les
mécanismes de rayonnement lumineux (c-à-d, d’émission de lumière par la matière).

II.3 Absorption dans le semiconducteur

Nous abordons maintenant les propriétés optiques de S-C. La première question que l’on
peut se poser est de savoir ce qui se produit lorsque l’on éclaire un matériau S-C. Comme nous
le montrent beaucoup d’exemples dans la nature, les cristaux non conducteurs (non métalliques)
sont souvent transparents ou colorés. La coloration indique qu’une partie du spectre visible y
est absorbée en raison de mécanismes d’interaction lumière-matière spécifiques. L’étude des
spectres d’absorption donne des informations sur ces mécanismes.
On va ici étudier les mécanismes de base de l’absorption dans les S-C. Pour cela on
commence par un bref rappel de la notion d’absorption de lumière par les atomes [4].

II.3.1 Absorption d’un photon par un atome

L’absorption d’un photon par un atome est le processus inverse de la transition radiative.
Soit un groupe de photons de fréquence ω correspondant à la différence d’énergie de deux
niveaux électroniques d’un système d’atomes avec lesquels ils interagissent.

La théorie de la mécanique quantique caractérise l’absorption en termes de probabilité

d’absorption 𝑃𝑎 d’un photon par un des atomes par unité de temps. Celle-ci est proportionnelle
au coefficient d’Einstein B représentant en quelque sorte la force de l’interaction entre le photon
et l’atome (pour les initiés : B est l’élément de matrice du dipôle électrique formé par les états
concernés par la transition).

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La probabilité d’absorption est bien entendu également proportionnelle au nombre de

photons à la fréquence ω ainsi qu’à la probabilité d’occupation de l’état fondamental de
l’atome. Cette probabilité est fournie par la distribution de Fermi à l’équilibre thermique. De
même la probabilité d’absorption sera proportionnelle à la probabilité que l’état d’énergie
supérieure soit libre (soit 1 − 𝑓𝑒 ) où 𝑓𝑒 est la valeur de la distribution de Fermi à l’énergie de
l’état supérieur ; cf. l’état d’énergie supérieur peut être excité avec une certaine probabilité en
raison de l’agitation thermique (ceci sera d’autant plus marqué que l’énergie thermique 𝑘𝐵 𝑇 se
rapproche de l’énergie de la transition) [4].

Probabilité d’absorption 𝑷𝒂 :

𝑃𝑎 = 𝐵. 𝑛(𝜔). 𝑓𝑓 . (1 − 𝑓𝑒 )

2
𝐵 ∝ |⟨𝜙𝑓 |𝑊𝐷𝐸 |𝜙𝑒 ⟩|

𝑛(𝜔) ∝ |𝐸|2 , [𝑛(𝜔) = 〈𝑛〉𝜔 ]

[4]

II.3.2 Absorption dans les S-C : quasi-continuum d’états

Contrairement aux atomes isolés, les états électroniques dans les S-C sont en grand
nombre et se regroupent en bandes où ils forment un quasi-continuum d’états. La bande de
valence étant presque pleine et la bande de conduction étant presque vide les transitions
électroniques entre états d’une même bande seront négligeables. Ce sont surtout les transitions
entre bande de valence (pleine) et bande de conduction (vide) qui auront une importance pour
le phénomène d’absorption.
Comme dans ce cas les transitions ont lieu entre deux continuums d’états il faut
caractériser l’absorption à partir de la notion de taux d’absorption par unité d’énergie (car on
ne peut plus définir des niveaux énergétiques isolés comme dans le cas de l’atome). Nous
considérons donc le nombre de transitions pouvant se produire avec une énergie comprise entre
E et 𝐸 + 𝑑𝐸 et nous définissons le taux d’absorption par unité de temps et d’énergie 𝑟𝑎 .

Par unité de temps, le nombre de transitions (ou d’absorptions de photons) ayant une
énergie comprise entre E et 𝐸 + 𝑑𝐸 vaut par définition 𝑟𝑎 𝑑𝐸 . Celui-ci est donné par la somme
des probabilités 𝑃𝑎 de transitions ayant lieu entre tous les niveaux de la bande de valence 𝐸𝑓 et
les niveaux et de la bande de conduction 𝐸𝑒 séparés d’une énergie comprise entre E et 𝐸 + 𝑑𝐸.
Ici 𝐸𝑒 𝑒𝑡𝐸𝑓 jouent le rôle des états fondamental et excité dans l’exemple de l’atome isolé
considéré ci-dessus. L’expression de 𝑃𝑎 est donc identique à celle de l’atome si ce n’est que
maintenant on ne considère plus un flux de photons à une fréquence unique, mais un ensemble
de photons caractérisé par une densité spectrale ρ(ω) (en raison du continuum d’états,
considérer une fréquence unique n’a plus de sens) [4].

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Taux d’absorption par unité d’énergie :

𝒓𝒂 𝒅𝑬 = ∑ 𝑷𝒂
𝑬<(𝑬𝒆 −𝑬𝒇 )<𝑬+𝒅𝑬

[4]

𝒓𝒂 𝒅𝑬 = ∑ 𝑩. 𝝆(𝝎). 𝒇𝒇 . (𝟏 − 𝒇𝒆 )
𝑬<(𝑬𝒆 −𝑬𝒇 )<𝑬+𝒅𝑬

[4]

Le nombre de transitions d’énergie comprise entre 𝐸 𝑒𝑡 𝑑𝐸 est très grand vu que ces
transitions peuvent partir de n’importe quel niveau dans la bande de valence pour autant que
l’énergie E soit suffisante que pour atteindre la bande de conduction.
Pour simplifier le calcul nous devons donc recourir à des simplifications. Nous
supposerons que le coefficient d’Einstein B est le même pour toutes les transitions de bande à
bande. De même nous considérerons que les distributions de Fermi dans les deux bandes sont
uniformes (ce qui peut être justifié dans un S-C intrinsèque pour lequel le niveau de Fermi est
au milieu du gap. La somme sur toutes les transitions se réduit donc au nombre de transitions
lui-même.

Soit 𝑑𝑁𝑡 le nombre de transitions d’énergie comprises entre E et 𝐸 + 𝑑𝐸

Soit : 𝑩 = 𝒄𝒔𝒕𝒆 𝒆𝒕 𝑭𝒇 = 𝑭𝒗 , 𝑭𝒆 = 𝑭𝒄
𝑵𝒃𝒓𝒆 𝒅𝒆 𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒕𝒊𝒐𝒏 𝒅𝑵𝒕
Alors : 𝒓𝒂 𝒅𝑬 = 𝑩. 𝝆(𝝎). 𝒇𝒗 . (𝟏 − 𝒇𝒄 ) ⏞
∑𝑬<(𝑬𝒆 −𝑬𝒇)<𝑬+𝒅𝑬 𝟏 [4]

Calcul du nombre de transitions 𝑑𝑁𝑡 :

Un raisonnement simple nous permet de simplifier fortement le calcul du nombre de

transition 𝑑𝑁𝑡 . Comme une transition est une interaction entre deux particules, un électron et
un photon, nous savons qu’elle doit répondre à la loi de conservation de la quantité de
mouvement « la loi de conservation de l’énergie étant d’office satisfaite en considérant
implicitement que l’énergie des photons est égale à l’énergie de la transition 𝐸 = ℏ𝜔».

La quantité de mouvement des photons et des électrons est donnée par ℏ𝒌, c’est à dire,
proportionnelle au vecteur d’onde de leur fonction d ’onde associée. Pour être significatif, le
changement de quantité de mouvement d’un électron doit être non-négligeable devant la demi
largeur de la zone de Brillouin soit π/a ≈ 1010 𝑚−1 . Or, la quantité de mouvement d’un photon
dans le visible est donné par 2π/λ ≈ 106 𝑚−1 ce qui est de 4 ordres de grandeur inférieur à la
largeur de la zone de Brillouin [4].
On peut donc considérer dans une première approximation que les transitions
électroniques induites par les photons ont lieu sans changement de la quantité de mouvement.
On dit que les transitions sont dans ce cas « verticales ». Dans le langage de la mécanique
quantique on appelle cette restriction une règle de sélection (sélection parmi toutes les
23
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transitions possibles). Cette règle de sélection limite bien entendu considérablement le nombre
de transitions à prendre en compte, comme le suggère le diagramme ci-dessous ou seule une
des trois transitions d’énergie E représentées par des flèches sera à prendre en compte [4].
Quantité de mouvement :

[4]

Règle de sélection : 𝒌′𝒆− = 𝒌𝒆− + 𝒌𝒑 ≈ 𝒌𝒆−

Le calcul du nombre de transitions peut alors se faire (comme on l’a fait plus haut pour
d’autres grandeurs) en se basant sur le fait que l’organisation des électrons dans l’espace
réciproque est un simple empilement cubique. Puisque les transitions sont verticales, à
l’intervalle d’énergie de transition [𝐸, 𝐸 + 𝑑𝐸] correspond un intervalle de vecteur d’onde 𝑑𝑘
déterminé par la courbure des bandes de valence et de conduction (voir schéma ci-dessus où
l’on voit qu’une énergie de transition E correspond à une valeur unique de k). Calculons donc
tout d’abord le nombre de transitions qui peuvent avoir lieu dans l’intervalle [𝑘, 𝑘 + 𝑑𝑘]. Celui-
ci est simplement donné par le rapport du volume de la pellicule sphérique d’épaisseur 𝑑𝑘 et
le volume de la cellule élémentaire, soit 8𝜋 3 pour un volume unitaire de S-C.

[4]
Nombre de transitions :

𝟒𝝅𝒌𝟐 𝒅𝒌 𝒌𝟐
𝒅𝒏𝒕 = 𝟐. = 𝟐 𝒅𝒌
𝟖𝝅𝟑 𝝅
Comme dit plus haut, la valeur de k donnée correspond une énergie de transition E unique
fixée par la courbure des bandes (voir schéma ci-dessus). On a vu dans le rappel de physique
des S-C que les bandes pouvaient être décrite par des paraboles en introduisant la notion de
masse effective comme indiqué par les expressions de 𝐸𝑒 𝑒𝑡 𝐸𝑓 ci-dessus. Le lien entre

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l’énergie de la transition E et la valeur de k est donc immédiat. Il est donné dans le calcul
ci-dessous où l’on a introduit une nouvelle masse effective m* [4].
Energie de la transition à valeur de k donnée :

ℏ2 𝑘 2 1 1
𝐸 = 𝐸𝑒 − 𝐸𝑓 = 𝐸𝑐 − 𝐸𝑣 + ( + )
2 𝑚𝑐 𝑚𝑣

ℏ2 𝑘 2 1 1 1
⟹ 𝐸 = 𝐸𝑔 + 𝑜ù = +
2𝑚∗ 𝑚 ∗ 𝑚𝑐 𝑚𝑣

La différentiation de cette expression fourni le lien entre 𝒅𝑬 et 𝒅𝒌, ce qui nous permet
de calculer aisément le nombre de transitions possibles dans 𝑑𝐸 et donc également le taux
d’absorption par unité d’énergie et de temps dont l’expression est rappelée ci-dessous.

1 2𝑚∗ 𝑘2
⟹ 𝑑𝑘 = √ 𝑑𝐸 𝑒𝑡 ⟮𝑑𝑁𝑡 = 𝑑𝑘⟯
2 ℏ2 (𝐸 − 𝐸𝑔 ) 𝜋2

II.3.3 Taux d’absorption

𝒅𝑵𝒕
⏞
𝒓𝒂 𝒅𝑬 = 𝑩. 𝝆(𝝎). 𝒇𝒗 . (𝟏 − 𝒇𝒄 ) ∑ 𝟏
𝑬<(𝑬𝒆 −𝑬𝒈)<𝑬+𝒅𝑬

En introduisant la notion de densité de transition par unité d’énergie comme indiqué ci-
dessous, nous pouvons écrire le taux d’absorption par unité d’énergie et de temps. Sa forme
montre le rôle de la force de transition (coefficient d’Einstein représentant l’efficacité de
l’interaction photon-électron), la densité de photons, les probabilités de présence des électrons
dans la bande de valence (états bas de la transition) la probabilité d’avoir des états libres dans
la bande de conduction (états excités de la transition) et finalement le rôle de la forme des
bandes au travers de la densité de transition. Notons pour ce dernier point que la densité de
transition est nulle à des énergies inférieures à celle du gap et qu’elle a une dépendance
parabolique en l’énergie au-delà du gap en raison de la forme parabolique des bandes dans
l’espace réciproque [4].
𝑑𝑁𝑡
Densité de transitions :𝜌𝑡 (𝐸) ≡ 𝑑𝐸

1 (2𝑚∗ )3⁄2
𝜌𝑡 (𝐸) = √𝐸 − 𝐸𝑔
2𝜋 2 ℏ3

Taux d’absorption : 𝑟𝑎 = 𝐵. 𝜌(𝜔). 𝑓𝑣 . (1 − 𝑓𝑐 )𝜌𝑡 (𝐸)

Par définition, l’intégrale sur la fréquence (où l’énergie) du taux d’absorption est le taux
de décroissance du nombre de photons se propageant dans le S-C. Cette interprétation physique
sera mieux comprise si l’on considère un faisceau monochromatique de 𝑛𝜔 photons. Pour un
tel faisceau, la densité de photons par unité d’énergie (ou densité spectrale de photons) devient
une distribution de Dirac. On peut alors définir le taux d’absorption par unité de temps 𝑅𝑎
comme indiqué ci-dessous.

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Le graphique de 𝑅𝑎 montre que les photons ne sont pas absorbés si leur énergie est
inférieure au gap et que leur absorption augmente de manière parabolique au-delà du gap. Cette
forme du profil spectrale de l’absorption est caractéristique des semi-conducteurs.
𝒅𝒏𝒑𝒉
Interprétation physique : = − ∫ 𝒓𝒂 (ℏ𝝎′ )𝒅ℏ𝝎′
𝒅𝒕

𝒅𝒏𝒑𝒉
= −𝑹𝒂 (𝝎) ⦋𝒔−𝟏 ⦌
𝒅𝒕
Où : 𝑹𝒂 (𝝎) = 𝑩. 𝒏𝝎 . 𝒇𝒗 . (𝟏 − 𝒇𝒄 )𝝆𝒕 (𝑬)

Faisceau monochromatique : 𝜌(𝜔′ ) = 𝑛𝜔 𝛿(ℏ𝜔′ − ℏ𝜔)

II.3.4 Coefficient d’absorption

Voyons comment on procède en pratique pour mesurer le spectre d’absorption d’un S-C.
La mesure peut se faire à l’aide d’un faisceau monochromatique unidirectionnel dont on fait
varier la fréquence. Considérons un paquet de photons à un endroit donné dans le faisceau. Ce
paquet se propage à la vitesse de la lumière dans le S-C qui vaut v = c/n où n est l’indice de
réfraction du S-C. De ce fait le taux de disparition temporel des photons se traduit par une
décroissance du nombre de photons le long de l’axe de propagation, soit l’axe z. Le taux de
décroissance spatial sera lié au taux de décroissance temporel par la vitesse de la lumière 𝑉 =
𝑐⁄𝑛 comme indiqué ci-dessous.

On appelle la quantité 𝑅𝑎 ⁄𝑛𝜔 𝑉 le coefficient d’absorption α du S-C.

Rayonnement monochromatique unidirectionnel :

𝑛𝜔 = 𝑛𝑝ℎ
𝑑𝑛𝜔 𝑑𝑛𝜔
= −𝑅𝑎 (𝜔) , =? , 𝑑𝑧 = 𝑉𝑑𝑡
𝑑𝑡 𝑑𝑧

𝑐
𝑂ù: 𝑉 =
𝑛
𝑑𝑛𝜔 1 𝑑𝑛𝜔 1 1
= = − 𝑅𝑎 = − 𝐵𝑛𝜔 𝑓𝑣 (1 − 𝑓𝑐 )𝜌𝑡 (𝐸)
𝑑𝑧 𝑉 𝑑𝑡 𝑉 𝑉
𝑑𝑛𝜔 1
= −𝛼𝑛𝜔 ; 𝑎𝑣𝑒𝑐: 𝛼 = 𝑉 𝐵𝑓𝑣 (1 − 𝑓𝑐 )𝜌𝑡 (𝐸) : Est le coefficient d’absorption [4].
𝑑𝑧

D’après ce que nous avons vu ci-dessus, pour un S-C idéal intrinsèque ce spectre aura un
seuil à l’énergie du gap et sera de forme parabolique.

𝛼 ∝ 𝜌𝑡 (𝐸) ∝ √𝐸 − 𝐸𝑔 →Spectre d’absorption parabolique

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II.4 Emission stimulée dans les S-C

L’émission stimulée peut prendre un certain temps pour s’effectuer. La désexcitation de
électrons se fait avec un temps caractéristique de chaque S-C appelé « temps de vie radiative »
(cf. temps de vie de l’état excité en mécanique quantique). Néanmoins, un électron peut être
désexcité de manière active par passage d’un photon d’énergie égale à l’énergie de la transition.
Dans ce cas l’électron se désexcite en émettant un photon identique au photon incident. Il s’agit
du processus d’émission stimulée. Vu la similitude qui existe entre les traitements
mathématiques de l’émission stimulée et de l’absorption.
Tout comme nous l’avons fait pour l’absorption nous commençons avec un bref rappel
de la notion d’émission stimulée dans les systèmes atomiques. L’atome dans son état excité est
instable et à une durée de vie limitée qui peut cependant être non négligeable. Si un photon
d’énergie égale à celle de la transition rencontre l’atome dans son état excité celui-ci se
désexcitera en émettant un photon jumeau. En mécanique quantique, ce processus est
caractérisé par une probabilité par unité de temps 𝑃𝑆𝑡 . Cette probabilité est proportionnelle au
coefficient d’Einstein (élément de matrice de la transition), à la densité de photons n(ω) et à la
probabilité d’avoir un atome dans l’état excité 𝑓𝑒 , et que son état fondamental soit libre (1 - 𝑓𝑓
).
Probabilité de transition :

𝑃𝑆𝑡 = 𝐵. 𝑛(𝜔). 𝑓𝑒 . (1 − 𝑓𝑓 ) [𝑠 −1 ]

Pour étendre cette théorie aux S-C il suffit de refaire le raisonnement adopté pour le calcul
du taux d’absorption d’un S-C à gap direct. On introduit donc le taux d’émission stimulée par
unité d’énergie 𝑟𝑆𝑡 en disant que 𝑟𝑆𝑡 𝑑𝐸 est le nombre de transitions par unité de temps ayant
lieu dans l’intervalle d’énergie 𝑑𝐸. On fait alors l’hypothèse que B et les distributions de Fermi
sont constants dans les bandes, le calcul se limite alors au compte du nombre de transitions dans
𝑑𝐸 c’est à dire le calcul de la densité de transition tout comme on l’a fait dans le calcul du taux
d’absorption pour un S-C à gap direct,∆𝑘 = 0.
Taux d’émission par unité d’énergie :

𝒓𝑺𝒕 𝒅𝑬 = ∑ 𝑷𝑺𝒕
𝑬<(𝑬𝒆 −𝑬𝒇 )<𝑬+𝒅𝑬

𝒓𝒔𝒕 𝒅𝑬 = ∑ 𝑩. 𝝆(𝝎). 𝒇𝒄 . (𝟏 − 𝒇𝒗 )
𝑬<(𝑬𝒆 −𝑬𝒇 )<𝑬+𝒅𝑬

𝒓𝑺𝒕 = 𝑩. 𝝆(𝝎). 𝒇𝒄 . (𝟏 − 𝒇𝒗 )𝝆𝒕 (𝑬)

Comme on l’a fait pour l’absorption, nous pouvons définir le taux d’émission stimulée pour un
S-C éclairé par un faisceau monochromatique [c-à-d, 𝜌(𝜔′ ) = 𝑛𝜔 𝛿(ℏ𝜔′ − ℏ𝜔)].

Faisceau monochromatique : 𝑹𝑺𝒕 (𝝎) = 𝑩. 𝒏𝝎 . 𝒇𝒄 . (𝟏 − 𝒇𝒗 )𝝆𝒕 (𝑬)

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Une différence essentielle entre l’absorption et l’émission stimulée est que cette dernière
n’est non négligeable que si la population d’électrons dans la bande de conduction 𝑓𝑐 est
significative et la population dans la bande de valence 𝑓𝑣 est faible ce qui n’est pas une situation
rencontrée naturellement, c’est à dire, lorsque le système est proche de l’équilibre thermique.
Lorsque le système est proche de l’équilibre thermique, seule l’absorption semble être à
considérer. Mais l’équilibre thermique est une limite abstraite pour un S-C soumis à un
éclairement puisque chaque photon absorbé crée une paire électron-trou (et donc augmente 𝑓𝑐
et diminue 𝑓𝑣 ) qui ne demande qu’à se recombiner. Le processus d ’émission stimulée est donc
indissociable de l’absorption.
Le taux de variation du nombre total de photons dans un matériau S-C illuminé est donc
donné par 𝑅𝑠𝑡 − 𝑅𝑎 .
𝑑𝑛𝑝ℎ
Variation du nombre de photons : = 𝑅𝑠𝑡 (𝜔) − 𝑅𝑎 (𝜔)
𝑑𝑡

Comme mentionné ci-dessus, près de l’équilibre thermique seule l’absorption joue un rôle.

- A l’équilibre thermique : 𝑓𝑐 ≈ 0 𝑒𝑡 𝑓𝑣 ≈ 1 ⟹ 𝑅𝑆𝑡 ≈ 0

Par contre dans une situation plus générale 𝑅𝑠𝑡 doit être pris en compte et le taux de
variation de photons devient :
𝒅𝒏𝝎
- Hors équilibre : = −𝑩. 𝒏𝝎 . (𝒇𝒗 − 𝒇𝒄 )𝝆𝒕 (𝑬)
𝒅𝒕

On peut dès lors redéfinir le coefficient d’absorption α en le généralisant aux systèmes

hors de l’équilibre.
𝟏
Coefficient d’absorption : 𝜶 = 𝑽 𝑩(𝒇𝒗 − 𝒇𝒄 )𝝆𝒕 (𝑬)

II.5 Emission spontanée dans les S-C

L’émission spontanée de photons dans les S-C joue un rôle important dans les dispositifs
de génération de lumière (diodes électroluminescentes et lasers). C’est la première cause
d’émission de lumière dans les S-C. En effet, pour générer de la lumière par émission stimulée
il faut que celle-ci soit supérieure à l’absorption. Il faut donc réaliser une inversion de
population qui, comme nous le verrons, n’est pas facile à obtenir en pratique car elle correspond
à une situation très éloignée de l’équilibre. Seule l’émission spontanée peut conduire à
l’émission de lumière dans les systèmes peu excités tels que les diodes électroluminescentes.
La description de l’émission spontanée est très aisée. En effet, dans son interprétation
quantique l’émission spontanée ressemble beaucoup à l’émission stimulée : la désexcitation
d’un atome par émission spontanée d’un photon est vue comme une émission stimulée par les
fluctuations quantiques du vide. En d’autres termes, on considère que dans l’espace vide il y a
toujours un certain niveau de vibration du champ électromagnétique et que ces vibrations sont
la cause de déstabilisation de l’état excité de l’atome. Dans le formalisme de la mécanique
quantique les choses s’expriment comme si un photon virtuel stimulait la transition vers le bas.
On retrouve ce photon virtuel dans l’expression de la probabilité de transition par émission

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spontanée de l’atome, 𝑃𝑠𝑝 où le nombre de photons 𝑛𝜔 a été remplacé par l’unité (la
signification de B, 𝑓𝑐 et 𝑓𝑣 sont les mêmes que pour l’émission stimulée).

Probabilité d’émission 𝑃𝑠𝑝 :

𝑃𝑆𝑝 = 𝑩. 𝒇𝒆 . (𝟏 − 𝒇𝒇 ) ⦋𝟏⦌

→Photon virtuel (fluctuations du vide)

[4]
Le passage à la description de l’émission spontanée pour les S-C à gap direct est alors le
même que pour l’absorption et l’émission stimulée. Pour le taux d’apparition de photons
spontanés à une fréquence ω donnée l’on retrouve la même expression que pour 𝑅𝑠𝑡 à la seule
différence que maintenant la densité de photons 𝑛𝜔 n’apparaît pas [4].

Taux d’émission spontanée de Semi-conducteur : 𝑅𝑆𝑝 (𝜔) = 𝐵. 𝑓𝑐 . (1 − 𝑓𝑣 )𝜌𝑡 (𝜔)

II.6 Taux de radiation total dans les S-C

Maintenant que nous avons passé en revue tous les mécanismes d’émission de photons
dans les S-C, nous pouvons exprimer le taux de radiation total de photons à la fréquence ω,
𝑅𝑡𝑜𝑡 (𝜔) comme étant la somme de toutes les contributions : l’émission stimulée, l’absorption
et l’émission spontanée.

Nous appelons 𝑅𝑠𝑡 − 𝑅𝑎 la contribution cohérente car elle représente des mécanismes qui
ne modifient pas la cohérence d’un faisceau lumineux : les photons sont soit perdus (absorption)
soit multipliés en conservant leur phase (les photons stimulés sont les photons jumeaux des
photons incidents, y compris en ce qui concerne leur phase). Par opposition 𝑅𝑠𝑝 est la
contribution incohérente puisque les photons générés spontanément n’ont aucun lien avec les
photons environnants. Où, Les photons spontanés constituent donc une source de bruit [4].
𝑑𝑛𝑝ℎ
𝑅𝑡𝑜𝑡 (𝜔) = = 𝑅𝑠𝑡 (𝜔) − 𝑅𝑎 (𝜔)
⏟ + 𝑅𝑠𝑝 (𝜔)
⏟
𝑑𝑡
𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑖𝑏𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑐𝑜ℎé𝑟𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑖𝑏𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑐𝑜ℎé𝑟𝑒𝑛𝑡𝑒

Taux de radiation cohérente : 𝑅𝑐𝑜ℎ = 𝑅𝑠𝑡 − 𝑅𝑎

La variation temporelle du nombre de photons est donnée par 𝑅𝑡𝑜𝑡 (𝜔). Comme indiqué
ci-dessous, nous exprimons cette quantité en mettant la contribution cohérente en évidence et
en introduisant le coefficient d’absorption α et le facteur 𝑚 = 𝑓𝑐 (1 − 𝑓𝑣 )⁄(𝑓𝑐 − 𝑓𝑣 )
𝑅𝑠𝑝
𝑅𝑡𝑜𝑡 = 𝑅𝑐𝑜ℎ (1 + 𝑅 ) Où 𝑅𝑐𝑜ℎ = 𝐵𝑛𝜔 (𝑓𝑐 − 𝑓𝑣 )𝑃𝑡 (𝜔) = −𝛼𝑛𝜔 𝑉
𝑐𝑜ℎ

𝑹𝒔𝒑 𝒇 (𝟏−𝒇𝒗 ) 𝒎
Et : = 𝒏 𝒄(𝒇 =𝒏
𝑹𝒄𝒐𝒉 𝝎 𝒄 −𝒇𝒗 ) 𝝎

Alors : 𝑅𝑡𝑜𝑡 = −𝛼𝑉(𝑛𝜔 + 𝑚)

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Chapitre III : Laser à base de semiconducteur et ses applications

III.1 principe de fonctionnement du laser

Avant d’étudier le laser à S-C proprement dit, voyons tout d’abord le principe de
fonctionnement du laser. Un laser est une cavité optique dans lequel se trouve un milieu à gain
optique. La cavité peut être, par exemple, formée d’un semi-miroir et d’un miroir parallèle se
faisant face de manière à ce que les photons puissent faire des allers-retours en traversant le
milieu à gain, où le gain optique peut être réalisé par émission stimulée sur base d’une inversion
de population.
Le principe de fonctionnement du laser est le suivant : imaginons un premier photon
spontané émis dans le milieu à gain. Si ce photon est émis dans l’axe de la cavité
(perpendiculairement au miroirs) il sera réfléchi par un des miroirs et reviendra dans le milieu
à gain où il sera multiplié, disons N fois. Le groupe de N photons résultants sera à nouveau
amplifié lors de son passage suivant dans le milieu à gain après réflexion sur un des miroirs. Il
en résultera 𝑁 2 photons dans la cavité. En se répétant ce processus conduit à une croissance
exponentielle du nombre de photons. Bien entendu la croissance est limitée par le phénomène
de saturation de gain vu plus haut. Si l’intensité optique devient trop forte, un équilibre s’établi
entre émission stimulée et absorption (annulation de l’inversion de population). Aussi, dans ce
raisonnement nous n’avons pas tenu compte du fait que des photons quittaient la cavité à chaque
aller-retour au travers du semi-miroir. Ce sont ces photons qui constituent le faisceau laser.
Puisque, tous les photons sont identiques au premier photon spontané (cf. Propriétés de
l’émission stimulée) ils sont bien entendu tous en phase et le rayonnement laser est parfaitement
cohérent (du moins en principe). Naturellement, ce raisonnement est idéalisé. En pratique il n’y
a pas qu’un seul photon spontané émis. Cependant, même si l’émission de photons spontanés
ont lieu de manière continue, ce sont toujours les premiers photons apparaissant dans la cavité
qui seront amplifiés préférentiellement (ces premiers photons prendront toute l’énergie
contenue dans l’inversion de population en raison du principe de croissance exponentielle des
photons). Le faisceau sera donc bien cohérent et l’émission spontanée ne constitue jamais
qu’une source de bruit comme pour l’amplificateur optique (l’émission spontanée est source de
bruit puisqu’elle génère des photons qui n’ont pas de relation de phase avec les autres). Un
faisceau laser n’est donc jamais parfaitement cohérent [4].
Principe de base du laser :
Gain = émission stimulée
{
Cavité = miroirs parallèles
Principe : création d’une onde cohérente par
multiplication des photons dans la cavité à partir d’un
photon spontané.
[4]

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III.2 Principe de fonctionnement un laser à semiconducteur

III.2.1 Gain Optique (amplification optique) dans un semiconducteur
Dans l’illustration qui précède nous avons introduit la notion d’amplificateur optique qui
est à la base du fonctionnement du laser (à cette occasion nous rappelons que le mot laser est
l’acronyme de : light amplification by stimulated emission of radiation). L’amplification
optique n’est rien d’autre qu’une absorption négative, c’est à dire un gain de photons plutôt
qu’une perte [4].
Pour réaliser l’amplification optique il faut donc un système pour lequel le coefficient
d’absorption α soit négatif. Un simple coup d’œil sur la formule donnant α dans les S-C permet
de dire que l’amplification optique est possible dans les S-C. En effet, il suffit pour cela que
l’on inverse l’équilibre naturel des électrons dans les bandes de conduction et de valence et que
𝑓𝑐 > 𝑓𝑣 de sorte que 𝛼 < 0. Une telle inversion (appelée inversion de population) peut être
facilement réalisée dans les S-C grâce à l’injection de porteurs minoritaires ayant lieu dans une
jonction p-n polarisée en sens passant. En effet si la polarisation de la jonction est élevée, le
courant de porteurs minoritaires sera élevé et on peut espérer que le coté p suffisamment
d’électrons soient injectés et suffisamment de trous retirés que pour réaliser la condition 𝑓𝑐 >
𝑓𝑣 (même raisonnement pour le côté n) [4].
Près de la région de charge d’espace :

𝑓𝑐 > 𝑓𝑣

Et donc : 𝜶 < 𝟎, Amplification

𝑑𝑛𝜔
= −𝛼𝑛𝜔
𝑑𝑧

𝑑𝐼
⟹ = |𝛼|𝑧
𝑑𝑧
Nous donnons ci-dessous une représentation schématique de l’amplification optique qui
correspond à une croissance exponentielle de l’intensité lumineuse dans le S-C avec inversion
de population (notez que l’intensité lumineuse 𝐼 est proportionnelle au nombre de photons 𝑛𝜔 ).

[4]

III.2.2 Inversion de population dans une jonction PN

Lorsque la jonction est polarisée en sens passant, les porteurs minoritaires sont injectés
avec une certaine énergie cinétique. Cette énergie est dissipée par collisions électrons-électrons
ou électrons-phonons (interaction avec le réseau cristallin) jusqu’à thermalisation (c-à-d, la

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vitesse des électrons atteint celle qu’elle serait à équilibre thermique : distribution des vitesses
de moyenne nulle et d’écart-type fixé par la température). Cette thermalisation s’effectue en
des temps extrêmement courts de l’ordre du dixième de picoseconde. Ces temps sont beaucoup
plus courts que les temps de vie radiative habituellement rencontrés dans les S-C (temps de vie
radiative : temps moyen mis par les paires électron-trou pour se recombiner par émission
spontanée de photon). Ceci signifie que les électrons du côté p et les trous du côté n sont
accumulés et l’on peut donc imaginer réaliser de cette manière l’inversion de population [4].
Thermalisation→ Collisions :
𝑒− − 𝑒−
{𝑝ℎ𝑜𝑛𝑜𝑛𝑠 − 𝑒 −

Temps caractéristique :

𝝉𝒕𝒉 ≈ 𝟏𝟎−𝟏𝟑 𝒔𝒆𝒄

Durée de vie radiative :

𝝉𝒓 ≈ 𝟏𝟎−𝟗 𝒔𝒆𝒄
En fait, pour avoir une inversion de population il faut réaliser la situation représentée par
le schéma de bande ci-dessous. Une telle situation peut se rencontrer dans la zone de charge
d’espace, là où les flux d’électrons et de trous se croisent. Dans ce cas les électrons et trou
thermalisés se retrouvent et peuvent se recombiner en masse pour donner lieu à une émission
stimulée importante et donc un gain positif.

Nous avons vu plus haut que pour avoir un gain positif il faut satisfaire la condition 𝑓𝑐 >
𝑓𝑣 . En écrivant la distribution de Fermi avec les quasi-niveaux de Fermi 𝐸𝐹𝑐 , 𝐸𝐹𝑣 cette condition
se traduit par l’inégalité 𝐸𝐹𝑐 − 𝐸𝐹𝑣 > ℏ𝜔 (ℏ𝜔 étant l’énergie de la transition soit 𝐸𝑒 − 𝐸𝑓 ). En
se rappelant que la différence des niveaux de Fermi 𝐸𝐹𝑐 − 𝐸𝐹𝑣 est à peu près donnée par le
potentiel électrique appliqué soit eV, la condition pour avoir inversion de population est eV >
ℏ𝜔

Gain (α < 0) Si 𝑓𝑐 > 𝑓𝑣 ;

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1
𝑓𝑐 = (𝐸𝑒−𝐸𝐹𝑐)⁄𝐾𝐵 𝑇
𝑒 +1
Avec :{ 1
𝑓𝑣 = (𝐸𝑓 −𝐸𝐹𝑣 ⁄𝐾𝐵 𝑇
𝑒 +1

Et donc : 𝐸𝑒 − 𝐸𝐹𝑐 < 𝐸𝑓 − 𝐸𝐹𝑣

Alors : 𝐸𝑒 − 𝐸𝑓 = ℏ𝜔 < 𝐸𝐹𝑐 − 𝐸𝐹𝑣

Sachant que les électrons thermalisés se trouvent au creux de la bande de conduction et que les
trous thermalisés sont au sommet de la bande de valence, on peut dire que ℏ𝜔 est à peu près
égal à l’énergie du gap 𝐸𝑔 , la condition d’inversion de population devient donc 𝑒𝑉 > 𝐸𝑔 = ℏ𝜔 :

Cette inégalité est appelée condition de Bernard et Duraffourg. Elle indique notamment que si
l’on veut réaliser un laser à semiconducteur orange (énergie des photons supérieure à 2 eV), il
faudra nécessairement appliquer une tension supérieure à 2 V sur la jonction p-n.

La figure ci-contre indique la zone où la condition

d’inversion de population est effectivement
rencontrée. On constate bien que pour avoir une
telle situation la DDP appliquée doit être
supérieure au gap (d’où l’inversion des courbures
des bande de la jonction) [4].

III.2.3 Condition de seuil d’un laser à semiconducteur

Nous avons vu qu’en augmentant la tension appliquée sur la jonction p-n, on peuple de
plus en plus la zone de charge d’espace d’électrons et de trous, en même temps que le courant
augmente suivant l’équation 𝑛 = 𝑗𝜏⁄𝑞𝑑 . À un certain point, on atteint enfin l’inversion de
population puis le gain nécessaire à l’oscillation laser : c’est le courant de seuil. Mais oublions
un moment le gain pour revenir à la cavité laser. Elle est simplement formée de deux faces
clivées du semiconducteur, qui jouent le rôle de miroirs. Le clivage suit théoriquement un plan
cristallin, ce qui assure une planéité « miroir ». Dans un premier temps, le coefficient de
réflexion de Fresnel à l’interface semiconducteur-air suffit à donner un coefficient de réflexion
de 30% environ. Nous verrons que dans les réalisations actuelles, des miroirs multicouches
peuvent être déposés sur ces faces clivées pour améliorer les performances du dispositif. Ceci
n’est néanmoins pas indispensable à l’obtention de l’effet laser dans un semiconducteur. On
touche ici à un point central du dispositif : sa simplicité. Contrairement aux lasers classiques,
encombrants, dans lesquels plusieurs éléments optiques doivent être alignés précisément, le
laser à semiconducteur est un simple parallélépipède de matériau. L’alignement entre les deux
miroirs est assuré par le parallélisme naturel entre deux plans cristallins de clivage [1].
On atteint le courant de seuil pour l’effet laser quand l’intensité optique ayant parcouru
un aller-retour dans la cavité est revenue au même niveau :
𝐼0 × 𝑒 𝑔𝐿 × 𝑒 −𝛼𝐿 × 𝑅1 × 𝑒 𝑔𝐿 × 𝑒 −𝛼𝐿 × 𝑅2 = 𝐼0 [1]
Dans cette équation, 𝑔 est le gain (en 𝑐𝑚−1) dû à l’inversion de population entre bande
de conduction et bande de valence, et α le coefficient d’absorption du mode optique (due à

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l’absorption par des porteurs libres ou par d’autres bandes ..., à la diffusion sur des impuretés)
entre les deux miroirs 𝑅1 et 𝑅2 Ceci mène sans peine à l’équation de seuil :
1 1
𝑔 = 𝛼 + 2𝐿 ln (𝑅 ) [1]
1 𝑅2

Dans cette équation incontournable, les pertes optiques peuvent être égales à quelques
𝑐𝑚−1 ou quelques dizaines de 𝑐𝑚−1. Les pertes miroirs valent 40𝑐𝑚−1 pour une longueur de
cavité de 300 µm et un coefficient de réflexion de Fresnel de 0,3. Il faut donc un gain de
plusieurs dizaines de 𝑐𝑚−1 pour atteindre le seuil laser. Ce type de gain est considérable si on
le compare à un laser à gaz par exemple : c’est ici la densité d’état de la matière condensée qui
mène à ce type de gain très élevé, et qui permet finalement de réaliser des dispositifs d’une
compacité remarquable (300 µm de long sur quelques µm carré de section). La simplicité,
ajoutée à la petite taille et à la capacité de fabrication collective par l’industrie des
semiconducteurs, expliquent le prix de revient extrêmement faible de ces dispositifs (1 $ pour
les lasers les plus simples dans les lecteurs de disques compacts) [1].

III.3 Différents types des lasers à semiconducteur

La diode laser, encore appelée laser à semi-conducteur, laser à injection, laser à jonction,
laser à hétérojonction, laser à puits quantique ou même laser à diode (probablement traduction
trop directe de l’anglais : laser diode) est une diode à semi-conducteur, plus précisément une
diode électroluminescente, conçue et utilisée de façon à exploiter l’effet laser.
La première révolution à partir du laser à homo-jonction fut celle du laser à double
hétérostructure. La seconde, celle du puits quantique, seront abordée dans la section suivante.
Pour faire du laser à semi-conducteur un dispositif efficace, qui marche en continu à
température ambiante, il a fallu diminuer le courant de seuil à des valeurs inférieures au niveau
où la dégradation thermique commence. Diminuer le courant de seuil implique augmenter le
gain pour un même courant. Le seul paramètre sur lequel on puisse jouer est la largeur typique
de la zone active d, où s’accumulent, sous champ, électrons et trous avant recombinaison. Dans
une jonction p-n typique, d vaut de l’ordre de 1 µm.

III.3.1 Laser à homo-jonction

Comme nous l’avons vu plus haut, pour obtenir du gain optique dans une homo-jonction,
il faut polariser la jonction avec une DDP supérieure au gap du S-C. L’inversion de population
n’est alors réalisée que dans la zone de charge d’espace, là où à la fois les quasi-niveaux de
Fermi 𝐸𝐹𝑐 et 𝐸𝐹𝑣 sont respectivement supérieur et inférieur au bas de la bande de conduction et
au sommet de la bande de valence (entre les lignes pointillées du schéma ci-dessous). Cette
zone est étroite et sa largeur dépend fortement de la DDP appliquée. En fait elle n’existe que si
la DDP appliquée est suffisamment élevée [4].
En pratique l’obtention de cette zone d’inversion de population requiert une telle DDP
que le courant associé est très grand ce qui a pour effet de chauffer fortement la jonction.
L’échauffement est si fort que pour conserver les propriétés de la jonction intacte, il faut
refroidir le système à l’azote liquide (77 K). Une telle solution n’est évidemment pas acceptable
pour les applications du laser à S-C [4].

34
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[4]
Problèmes :
➢ Zone active limitée (de taille variable)
➢ Courant élevé (échauffement) → Refroidi à l’N liquide (77K).

III.3.2 Laser à hétérojonctions

Le laser à S-C est devenu accessible pour les applications grâce à l’invention de la double
hétérojonction., la structure en double hétérojonction crée une double barrière de potentiel pour
les porteurs minoritaires injectés. Le confinement de porteurs qui en résulte conduit à une
grande facilité d’inversion de population. La DDP appliquée ne doit pas être très importante
(elle doit juste excéder le petit gap de la structure) et la diode laser peut fonctionner à
température ambiante. De plus la largeur de la zone d’inversion de population est maintenant
fixée lors de la fabrication du dispositif et ne dépend donc plus de la DDP, le contrôle du
fonctionnement de la diode laser en est donc fortement simplifié [4].

[4]
On ne peut pas assembler n’importe quels semiconducteurs ensemble, il est nécessaire
qu’ils aient même paramètre de maille cristalline (comme par exemple GaAs et AlGaAs) pour
que leur association puisse former globalement un monocristal du point de vue structurel, c’est-
à-dire sans trop de dislocations. Si l’on essaye de rassembler deux semiconducteurs
quelconques sans qu’il y ait de compatibilité entre leurs paramètres cristallins, l’ensemble va
présenter énormément de dislocations qui sont autant de chemins non-radiatifs pour les
électrons ou les trous. Pour obtenir un bon laser, il est capital d’avoir un bon rendement
quantique interne, c’est-à-dire de maintenir autant que possible la validité du schéma de
structure de bande (des électrons dans la bande de valence, des trous dans la bande de
conduction), sur lequel repose l’inversion de population et qui nécessite l’intégrité de la
structure cristalline. Le type de structure est réalisé par des techniques de croissance cristallines
très sophistiquées d’épitaxie par jets moléculaires ou d’épitaxie en phase vapeur, qui sont
parfaitement maîtrisées au niveau industriel. Bien que l’intégrité du cristal soit conservée sur

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l’ensemble des trois couches, le monocristal ne présente néanmoins pas la même structure de
bande dans le matériau central que dans ses deux voisins ; la différence de bande interdite entre
les deux résulte en un puits de potentiel dans lequel se rassemblent électrons et trous. La largeur
𝒅 intervenant dans l’équation 𝑛 = 𝑗𝜏⁄𝑞𝑑 est maintenant celle de cette couche, qui peut être
arbitrairement petite. En prenant une largeur de typiquement 100 nm, on voit que, dans ce
véritable entonnoir à électrons, pour un même courant le nombre de porteurs et donc le gain est
augmenté d’un ordre de grandeur, ce qui est considérable [5].
Un autre avantage tout aussi important a permis à la double hétérostructure de faire de la
diode laser un dispositif performant : il s’agit du guidage des photons. Il se trouve en effet que
la couche centrale, de plus faible bande interdite, est également de plus fort indice optique. La
couche centrale constitue donc un guide plan très efficace pour la lumière. Cela permet de
confiner l’onde laser dans la dimension verticale, c’est-à-dire d’éviter que la lumière ne
s’échappe et quitte la trajectoire optimale dans l’axe des deux miroirs de la cavité. Comme ces
deux miroirs sont plans, Il n’y a en effet pas de stabilité optique a priori et la structure guidance
resoude ce problème dans une dimension, celle perpendiculaire aux couches.

Figure schématique d’une diode laser après les étapes technologiques [5]

Dans la dimension latérale (dans le plan des couches), plusieurs solutions sont également
possibles pour guider la lumière. La figure ce dessus montre un exemple d’une structure laser
moderne réalisée actuellement. Outre la multiplicité des couches sur laquelle nous reviendrons,
cette figure montre surtout la manière dont on a réalisé un guide d’onde « ruban ». La gravure
d’un ruban de semiconducteur (« planariés » ensuite par une couche polymère avant le dépôt
de l’électrode métallique sur le dessus) apporte ce guide d’onde latéral qui complète le guide
d’onde planaire dans le plan des couches semiconductrices [5].

III.3.3 Laser à puits quantiques

Concernant les deux avantages du laser à double hétérostructure (un entonnoir pour les
électrons ; un guide pour les photons), on peut se demander quelle est l’épaisseur d optimale
pour l’épaisseur de la région active, de plus faible bande interdite. Considérant à nouveau
l’équation 𝑛 = 𝑗𝜏⁄𝑞𝑑 , il semble que pour augmenter la densité de porteurs pour un courant
donné il n’y ait pas de limite inférieure : plus petite est la région active, plus bas sera le seuil
du laser. En revanche, il est clair que la capacité d’une couche mince à guider les photons
diminue quand l’épaisseur de la couche guidance devient trop faible devant la longueur d’onde
optique. Alors qu’une couche de 10 nm est un parfait entonnoir à électrons, une onde
électromagnétique de longueur d’onde 1 µm dans le vide est très mal guidée par une telle couche
; le mode électromagnétique guidé s’élargit pour s’évaporer totalement dans les couches

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voisines. Cette dissymétrie vient du fait que la longueur d’onde des photons est beaucoup plus
grande que la longueur d’onde de De Broglie des électrons [5].

Deux exemples de structures laser à confinement séparé (SCH comme Separate Confinement
Hétérostructure) [5]

La longueur d’onde représente fondamentalement la distance typique en dessous de

laquelle le champ électromagnétique refuse de varier de manière trop importante, suivant les
équations de Maxwell, il est impossible de comprimer une onde sur une distance plus faible que
la longueur d’onde. D’où l’idée d’une structure à confinement séparé, dans laquelle une couche
centrale a pour but de confiner les électrons et d’autres couches, plus larges, sont optimisées de
manière séparée pour optimiser le guide d’onde optique. Le type de structure à confinement
séparé, toujours utilisé dans les diodes lasers actuelles, est représenté sur la figure ci-dessus [5].
Le champ interne n’a pas été représenté sur ces schémas, où n’apparaît que la structure
de bande plate des matériaux indépendamment de leur dopage. On voit que l’on a affaire à des
structures plus complexes et on entre là dans ce que l’on a appelé l’ingénierie de structure de
bande. Deux couches de bande interdite et d’indice intermédiaire servent de guide d’onde, leur
épaisseur est optimisée pour obtenir un bon guide d’onde, en tenant éventuellement compte de
la densité de puissance optique pas trop grande que l’on souhaite pour limiter les effets
thermiques dus à la réabsorption. La couche centrale, de gap minimal, peut être maintenant
aussi petite que l’on veut pour accroître la densité d’électrons. Dans des structures telles que
celle de la figure ci-dessus à gauche, présentant des discontinuités de bande interdite en dehors
de la couche active centrale, des électrons et des trous peuvent éventuellement rester piégés
dans des petits puits de potentiel triangulaires formés sous champ par ces discontinuités. De
cette remarque résulte la structure à indice graduel (en anglais GRINSCH laser comme GRaded
INdex Separate Confinement Hétérostructure laser), montrée sur la figure ci-dessus à droite [5].

Pour réaliser ce type de potentiel graduel, c’est la concentration de l’alliage Alx Ga1−x AS
qui varie continûment lors de la croissance. En épitaxie par jets moléculaires par exemple, ceci
peut être obtenu en imposant une rampe de température à l’une des sources d’un des éléments
de l’alliage dans le bâti d’épitaxie, la variation de température modifiant la proportion d’atomes
émis pendant le dépôt et donc incorporés dans la couche épitaxiée. Au-delà de ce type de
prouesse, d’une manière générale, les progrès des structures lasers ont très largement reposé sur
l’amélioration de la qualité de la croissance des matériaux (pureté, contrôle des dopages, qualité
des interfaces...) [5].

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III.4 Diversification des lasers à semiconducteur

III.4.1 Diodes lasers à émission par la tranche
III.4.1.1 Diode laser Fabry-Pérot
L’effet laser dans les semiconducteurs, comme dans tous les lasers, est rendu possible par
l’existence d’un milieu à gain et d’un résonateur optique. Dans le cas de la diode laser Fabry-
Pérot, la cavité résonante est formée par les facettes clivées du bord de la structure. Le milieu à
gain incorpore des puits quantiques qui diminuent drastiquement les courants de seuils de
fonctionnement et augmentent l’efficacité des systèmes. A 850 nm, des diodes lasers Fabry-
Pérot sont vendues commercialement (Sacher, JDSU, etc…) et atteignent des puissances de
l’ordre de 150 mW pour des courants d’alimentation de l’ordre de 200 mA. En outre, les
faisceaux sont limités par diffraction (monomode transverse). De plus, compte tenu de la
largeur du spectre de gain (10 à 20 nm), du nombre important de modes longitudinaux dans
cette gamme spectrale, et en l’absence d’un quelconque contrôle spectral, ces diodes laser ne
sont pas monomodes longitudinales et leur spectre s’étale sur typiquement un nanomètre.
La puissance émise et la qualité de faisceau des diodes laser Fabry-Pérot. Si toutes les
techniques consistent à introduire une forte sélectivité spectrale dans la cavité laser, on peut
distinguer deux modes de réalisation pratique de la réduction de la largeur spectrale de ces
diodes soit par des techniques de structuration du semiconducteur, soit par l’utilisation
d’éléments externes à la diode laser [5].

III.4.1.2 diodes DBR et DFB

Les diodes DBR ("Distributed Bragg Reflector") et DFB ("Distributed FeedBack") sont
des diodes lasers de type diodes Fabry Pérot dans lesquelles un réseau de diffraction a été gravé
par modulation de l’indice de réfraction. Ce réseau de diffraction, appelé aussi miroir de Bragg,
peut remplacer un des miroirs de la cavité des diodes Fabry Pérot, on parle alors de diodes DBR
; il peut également être réparti le long de la zone active de la diode laser, on parle dans ce cas
de diodes DFB. Dans les deux cas, la longueur totale du miroir de Bragg et le pas du réseau
sont calculés pour obtenir une réflectivité élevée à la longueur d’onde d’émission 𝜆0 . Le miroir
de Bragg est alors un filtre spectral d’un ou deux nanomètres de large centré sur la longueur
d’onde laser d’émission désirée 𝜆0 qui favorise la sélection d’un seul mode longitudinal et le
fonctionnement monofréquence du laser [5].

Schéma de principe d'une diode DFB et d'une diode DBR [5].

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III.4.1.3 Lasers en cavité étendue

Les propriétés spectrales des lasers à semiconducteurs sont profondément changées
lorsque ceux-ci sont couplés à une cavité externe [Fleming, 1981]. Selon les valeurs relatives
de la réflectivité du semiconducteur et de la cavité externe, et les longueurs respectives du
milieu actif et de la cavité externe, le comportement monofréquence du laser, ses sauts de modes
et sa largeur de raie sont profondément modifiés et contrôlés par la cavité externe [Lang, 1980].
D’une part, les éléments utilisés dans la cavité permettent d’obtenir une émission
accordable, et, d’autre part, l’allongement de la cavité laser par rapport à celle de la diode laser
seule augmente le temps de vie du photon dans la cavité et diminue ainsi la largeur de raie du
laser.
Une solution plus récente consiste à utiliser un réseau de Bragg en volume dont la
réflectivité peut être très fine spectralement (~0,2 nm) et centrée sur une unique longueur
d’onde. Cette technologie est de plus en plus utilisée pour fixer la longueur d’onde d’émission
des diodes de puissance sur toute leur gamme de fonctionnement (courant d’alimentation et
température de jonction). Ces composants pourraient permettre de réaliser des lasers
monofréquence, sans l’avoir toutefois démontré aujourd’hui [5].

Types de cavité externe pour la stabilisation du régime monofréquence [5].

III.4.2 Diodes à émission par la surface

Dans les diodes à émission par la surface, l’émission laser se fait suivant l’axe de croissance de
la structure, c'est-à-dire l’axe perpendiculaire au plan des couches épitaxiées. On parle
également de laser à cavité verticale (VCSEL étant l’acronyme anglais pour "Vertical Cavity
Surface Emitting Laser). Ces lasers comportent une zone de gain de très faible épaisseur
entourée de miroirs de Bragg hautement réfléchissants qui compensent le gain faible de ces
structures pour assurer l’effet laser [5].
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Schéma de principe d'un VCSEL et photo d'un empilement réalisé par l'Institut für
Festkörperphysik, Technische Universität Berlin [5].
Cette technologie, démontrée en 1979 au Tokyo Institute de Technologie par l’équipe de
K. Iga, a su bénéficier de toutes les avancées technologiques de croissance des semiconducteurs
pour en faire aujourd’hui un des composants les plus utilisés. L’ajout de puits quantiques dans
la cavité, la réalisation de miroir de Bragg hautement réfléchissant et présentant de faibles
pertes, ainsi que les faibles volumes de cavité ont permis d’obtenir des courants de seuil très
faibles (de l’ordre du mA) et des efficacités élevées pour des composants fonctionnant à
température ambiante.
La faible dimension de la cavité (de l’ordre de quelques longueurs d’onde) conduit à un
grand écart en fréquence entre les différents modes longitudinaux du laser, si bien qu’un seul
mode se trouve dans la bande de gain du semiconducteur. Ainsi, par construction, l’émetteur
est monomode longitudinal. La géométrie de croissance du VCSEL impose un faisceau laser
émis perpendiculairement à la surface, symétrique, circulaire et peu divergent.
Ces très bonnes caractéristiques spectrales et transverses se dégradent rapidement à plus
forte puissance laser. D’une part, le résonateur d’un VCSEL est une cavité plan-plan qui est
intrinsèquement instable. Elle est stabilisée par lentille thermique qui varie fortement avec les
conditions de fonctionnement, et par la zone de gain. L’émission laser devient rapidement
multimode transverse à forts courants de pompe. D’autre part, l’accordable en longueur d’onde
est réduite à quelques nanomètres à cause du désaccord entre la longueur d’onde du mode
longitudinal du VCSEL et le maximum de gain, qui évoluent différemment avec la température.
La puissance des VCSEL monomodes transversaux et longitudinaux ne dépasse pas en pratique
quelques milliwatts [5].
De plus, cette configuration d’émission par la surface est bien adaptée à la production de
masse avec une grande densité de ces composants sur les plaques de croissance clivées pour
donner des composants unitaires ou des barrettes d’émetteurs [5].

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III.5 Applications
III.5.1 Applications aux Télécommunications, balayage et
spectrométrie
Les diodes laser sont largement utilisées dans les télécommunications en tant que sources
lumineuses facilement modulables et facilement couplées pour la communication par fibre
optique. Ils sont utilisés dans divers instruments de mesure, tels que les télémètres. Une autre
utilisation courante est dans les lecteurs de codes à barres. Les lasers visibles, généralement
rouges mais plus tard aussi verts, sont courants comme pointeurs laser. Les diodes de faible et
de haute puissance sont largement utilisées dans l’industrie de l’impression à la fois comme
sources lumineuses pour la numérisation (entrée) d’images et pour la fabrication de plaques
d’impression (sortie) à très haute vitesse et haute résolution. Les diodes laser infrarouges et
rouges sont courantes dans les lecteurs de CD, les CD-ROM et la technologie DVD. Les lasers
violets sont utilisés dans la technologie HD DVD et Blu-ray. Les lasers à diodes ont également
trouvé de nombreuses applications en spectrométrie d’absorption laser (LAS) pour l’évaluation
ou la surveillance à grande vitesse et à faible coût de la concentration de diverses espèces en
phase gazeuse. Les diodes laser haute puissance sont utilisées dans des applications industrielles
telles que le traitement thermique, le revêtement, le soudage de couture et pour le pompage
d’autres lasers, tels que les lasers à semi-conducteurs pompés par diode[11]
La plupart des applications pourraient être desservies par des lasers à semi-conducteurs
plus grands ou des oscillateurs paramétriques optiques, mais le faible coût des lasers à diodes
produits en série les rend essentiels pour les applications du marché de masse. Les lasers à
diodes peuvent être utilisés dans de nombreux domaines ; étant donné que la lumière possède
de nombreuses propriétés différentes (puissance, longueur d’onde, qualité spectrale et de
faisceau, polarisation, etc.), il est utile de classer les applications en fonction de ces propriétés
de base [11].
De nombreuses applications des lasers à diodes utilisent principalement la propriété
« énergie dirigée » d’un faisceau optique. Dans cette catégorie, on peut inclure les imprimantes
laser, les lecteurs de codes-barres, la numérisation d’images, les illuminateurs, les désignateurs,
l’enregistrement de données optiques, l’allumage par combustion, la chirurgie laser, le tri
industriel, l’usinage industriel et les armes à énergie dirigée. Certaines de ces applications sont
bien établies tandis que d’autres émergent.
Comme la lumière du faisceau laser est intrinsèquement cohérente, certaines applications
utilisent la cohérence des diodes laser. Il s’agit notamment de la mesure de distance
interférométrique, de l’holographie, des communications cohérentes et du contrôle cohérent des
réactions chimiques.
Les diodes laser sont utilisées pour leurs propriétés « spectrales étroites » dans les
domaines de la télémétrie, des télécommunications, des contre-mesures infrarouges, de la
détection spectroscopique, de la génération d’ondes radiofréquences ou térahertz, de la
préparation de l’état de l’horloge atomique, de la cryptographie quantique, du doublement et de
la conversion de fréquence, de la purification de l’eau (dans les UV) et de la thérapie
photodynamique (où une longueur d’onde particulière de la lumière provoquerait une substance

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telle que la porphyrine devenir chimiquement actif en tant qu’agent anticancéreux uniquement
là où le tissu est éclairé par la lumière).
Les diodes laser sont utilisées pour leur capacité à générer des impulsions de lumière
ultra-courtes par la technique connue sous le nom de « verrouillage de mode ». Les domaines
d’utilisation comprennent la distribution d’horloge pour les circuits intégrés haute performance,
les sources de puissance de crête élevée pour la détection par spectroscopie de dégradation
induite par laser, la génération arbitraire de formes d’onde pour les ondes radiofréquences,
l’échantillonnage photonique pour la conversion analogique-numérique et les systèmes
optiques à accès multiple par division de code pour une communication sécurisée.
Les lasers en cavité externe sont très couramment utilisés dans les montages optiques de
physique atomique et de spectroscopie, et sont indispensables aujourd'hui pour la détection des
atomes dans les horloges atomiques [11].

III.5.2 Utilisations médicales

Médecine laser: la médecine et en particulier la dentisterie ont trouvé de nombreuses
nouvelles utilisations pour les lasers à diodes.
La diminution de la taille et du coût des unités et leur convivialité croissante les rendent
très attrayantes pour les cliniciens pour les procédures mineures des tissus mous. Les longueurs
d’onde des diodes vont de 810 à 1 100 nm, sont mal absorbées par les tissus mous et ne sont
pas utilisées pour la coupe ou l’ablation [10].
Les tissus mous ne sont pas coupés par le faisceau du laser, mais sont plutôt coupés par
contact avec une pointe en verre carbonisé chaud. L’irradiation du laser est fortement absorbée
à l’extrémité distale de la pointe et la chauffe jusqu’à 500 °C à 900 °C. Parce que la pointe est
si chaude, elle peut être utilisée pour couper les tissus mous et peut causer l’hémostase par
cautérisation et carbonisation [10].

III.5.3 Refroidissement laser

Envoyons un faisceau laser de fréquence 𝜗 sur un atome au repos présentant une raie
d’absorption de fréquence 𝜗0 [13].

Chaque photon transporte une quantité de mouvement

ℎ
𝑃𝑝ℎ = = ℏ𝑘
𝜆
Si 𝝑 = 𝝑𝟎 , la probabilité d’absorption est maximale : l’atome reçoit alors une quantité de
mouvement 𝚫𝑷 ⃗ (impulsion de recul) [13].
⃗⃗ = ℏ𝒌

⃗𝑽 ⃗ ⁄𝒎
⃗ = ℏ𝒌

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Le photon absorbé est ensuite réémis (émission spontanée) dans une direction aléatoire et
le processus recommence [13].

Au maximum le processus se répète tous les 2τ (durée de vie de l’état excitée) d’où une
force maximale

⃗⃗
∆𝑷 ⃗⃗⃗⃗⃗
ℏ𝒌
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑭𝒎𝒂𝒙 = =
𝟐𝝉 𝟐𝝉
Pour la transition à 𝜆 = 0,85 𝜇𝑚 du césium 133 (𝜏 = 3. 10−8 𝑠) on trouve un freinage 𝑎 =
𝐹𝑚𝑎𝑥 ⁄𝑚 = 6000 𝑚⁄𝑠 2 [13].
Objectif : Freiner des atomes quelle que soit leur vitesse.

On envoi deux lasers de fréquence 𝝑 < 𝝑𝟎 de sorte qu’un atome immobile ne ressent
aucune force et reste donc immobile.
Si l’atome se rapproche d’un laser il absorbe préférentiellement un photon du laser vers
lequel il se rapproche de sorte qu’il est toujours freiné.

[13]
Diminuer l’énergie cinétique d’un gaz c’est le refroidir :
𝟏 𝟑 𝑹
< 𝒎𝑽𝟐 > = 𝑲𝑩 𝑻 𝒂𝒗𝒆𝒄 𝑲𝑩 = [13]
𝟐 𝟐 𝑵𝒂

Il existe une limite Doppler

ℏ
𝑲𝑩 𝑻𝒎𝒊𝒏 = 𝟐𝝉 ⟹ 𝑻𝒎𝒊𝒏 ~𝟏𝟎𝟎𝝁𝑲 [13]

La limite Doppler a été dépassée et le record actuel est de 450𝑝𝐾 (MIT 2003) !
Intérêt du refroidissement laser : Gain de précision des horloges atomiques

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Définition de la seconde : La seconde est la durée de 9 192 631 770 périodes de la

radiation correspondant à la transition entre les niveaux hyperfins de l’état fondamental de
l’atome de césium 133 au repos.
La précision des horloges atomiques est inversement proportionnelle à la vitesse des
atomes de Césium que l’on sonde [13].

III.5.4 Longueurs d’onde courantes

III.5.4.1 Lumière visible

• 405 nm : laser bleu-violet InGaN, dans les lecteurs Blu-ray Disc et HD DVD
• 445–465 nm : diode multimode laser bleue InGaN récemment introduite (2010) [9].
pour une utilisation dans les projecteurs de données haute luminosité sans mercure.
• 510–525 nm : Diodes vertes InGaN récemment (2010) développées par Nichia et
OSRAM pour les projecteurs laser [8].
• 635 nm: AlGaInP meilleurs pointeurs laser rouges, même puissance subjectivement
deux fois plus brillante que 650 nm [9].
• 670 nm : AlGaInP lecteurs de codes-barres, premiers pointeurs laser à diode
(maintenant obsolètes, remplacés par des DPSS 650 nm et 671 nm plus lumineux)
[8].
III.5.4.2 Lumière Infrarouge

• 760 nm: AlGaInP Détection de gaz : O2

• 785 nm : GaAlAs lecteurs de CD-ROM [9].
• 848 nm : souris laser
• 980 nm : InGaAs Pompe pour amplificateurs optiques, pour lasers Yb:YAG DPSS
[12].
• 1 512 nm : InGaAsP Détection de gaz : NH3
• 1 654 nm : InGaAsP Détection de gaz : CH4
• 1 877 nm : GaInAsSb Détection de gaz : H2 O [8].

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Conclusion générale

Pendant ce travail, nous avons fait une étude sur les lasers aux semiconducteurs,
dans laquelle nous avons vu le principe de fonctionnement du laser à semiconducteur, à
travers une étude générale sur les semiconducteurs. Qui sont le milieu à gain de ce type
du laser. Puis, nous avons traité les conditions d’inversion les populations dans la jonction
PN pour obtenir l’amplificateur optique dans les semiconducteurs, qui a été également
mettre dans une cavité résonante, pour réussir à atteindre un oscillateur optique, nous
l’appelons le laser.
Nous avons vu ainsi que le laser à semiconducteur est un simple parallélépipède de
matériau semiconducteur, L’alignement entre les deux miroirs est assuré par le
parallélisme naturel entre deux plans cristallins de clivage.
Nous avons présenté les différents types de lasers à semiconducteur, et leurs
applications dans plusieurs domaines : médecine, télécommunication, spectrométrie,
balayage, industrie…
Cette invention majeure du siècle dernier a bouleversé nos modes de vie : à la
maison, le laser nous permet de visionner des DVD, d’écouter des CD ; au supermarché,
le laser lit les codes-barres imprimés sur les emballages ; dans l’industrie, il peut couper,
souder, percer ; en médecine, il répare ou il brûle des zones malades sans endommager
les zones saines…

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Bibliographie

[1] V. Berger : Principes physiques des lasers à semiconducteurs ([Link]).

[2] Razouk-M30-S5-Cours_Physique-des-Matériaux- (2019/[Link]) faculté poly-
disciplinaire Béni Mellal.
[3] [Link] chapitre 1 : Interaction lumiè[Link]
[4] Marc Haelterman, titre : phys233, date : 18/09/2002, heure : 15 : 58 : 52, Service
d'Optique et d'Acoustique Faculté des Sciences Appliquées Université Libre de Bruxelles.
[5] Benjamin Cocquelin, version 1-24 Avr.2009, titre :42012174, Thèse de doctorat,
Université de Paris Sud XI Faculté des sciences d’Orsay.
[6] Article disponible sur le site [Link] ou
[Link]
[7] Article disponible sur le site [Link] ou
[Link]
[8] [Link]
[9] [Link]
[10] [Link] - cite
[11] [Link]
[12] [Link]
[13] J. Roussel, date : 25/04/2017, heure : 18 : 02 : 11, titre : INTRODUCTION AU LASER

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