Royaume du Maroc
Ministère de l’Education Nationale de la Formation Professionnelle
de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Université Sultan Moulay Slimane
École Supérieure de Technologie – Béni Mellal
DUT : Génie électrique énergies renouvelables
Et efficacité énergétique
(GE-EREE-2)
Elément : Energie éolienne
Compte Rendu des Travaux pratiques
Effectuer par :
YOUSSEF AIT KADDOUR ENCADRE PAR:
Walid Mokhtari Pr. Omar bajjou
MODELISATION DES CELLULE SOLAIRE PAR LE SIMULATEUR
SCAPS-1D
Travaux réalisés :
Tout d’abord on a essayé de faire une étude par simulation d’une structure de la cellule solaire CdS/CdTe en couches
minces.
Objectif :
améliorer le rendement de cette structure en variant Quelques paramètres comme la température (T) et l’épaisseur (d) de
la couche absorbante CdTe.
Partie A :
1. Apres l’installation du logiciel sur pc on a lancé SCAPS-1D :
1. Définissons le problème ainsi que la géométrie les matériaux et toutes les propriétés de la cellule solaire
étudiée en cliquant sur Set problem dans le panneau d’action :
2.
En cliquant sur Add Layer pour définir les matériaux et leurs propriétés :
Parametres p-CdTe n-CdS
Thickness 1 0,05
Band gap 1,5 2,4
Electron affinity 3,9 4
Dielectric premittivity 9,4 10
CB effective density states 8x1017 2,2x1018
VB effctive density states 1,8x1019 1,8x1019
Electron thermal veocity 107 1x107
Hole thermal velocity 107 1x107
Electron mobility 3.2x102 1x102
Hole mobility 40 2,5x101
Shallow uniform donor density 0 1,1x1018
Shallow uniform acceptor density 2x1014 0
en cliquant sur *left contact* et *right contact*pour modifier la valeur de (metal work function) :
pour left contact metal work function =4,7 eV
por right contact metal work function =4,26eV
Définissons le point de fonctionnement
La température T=300k
le voltage V=0V
la fréquence f =106 Hz
Apres l’activation de la fonction light on a sélectionné dans la partie panneau d’action *action panel*,
on peut choisir un ou plusieurs mesures à simuler :
L’intensité de courant i en fonction de la tension I-V
QE(λ)
Lancement du calcule en cliquant sur le bouton calculate et on affiche par la suite les courbes simulées
v(V) jtot(mA/cm2)
0.000000 -2,63E+09
0.020000 -2,63E+09
0.040000 -2,63E+09
0.060000 -2,63E+09
0.080000 -2,63E+09
0.100000 -2,63E+09
0.120000 -2,63E+09
0.140000 -2,63E+09
0.160000 -2,63E+09
0.180000 -2,63E+09
0.200000 -2,63E+09
0.220000 -2,63E+09
0.240000 -2,63E+09
0.260000 -2,62E+09
0.280000 -2,62E+09
0.300000 -2,62E+09
0.320000 -2,61E+09
0.340000 -2,60E+09
0.360000 -2,58E+09
0.380000 -2,52E+09
0.400000 -2,42E+09
0.420000 -2,19E+09
0.440000 -1,73E+09
0.460000 -7,97E+08
0.480000 1,08E+09
0.500000 4,76E+09
0.520000 1,17E+10
0.540000 2,43E+10
0.560000 4,59E+10
0.580000 8,06E+10
0.600000 1,32E+11
0.620000 2,05E+11
0.640000 3,03E+11
Partie B :
Effet de température :
En cliquant sur le bouton batch set-up dans le panneau d’action et en entrant les valeurs de températures
suivantes :
T=300k ; T=350k ; T=400k ; T=450k ; T=500k
Effet d’épaisseur :
QE en fonction de l’épaisseur de la couche CdTe :
D1=1μm ; D2=1,5μm ; D3=2μm ; D4=2,5μm ; D5=3μm
