1.

FILIÈRES TECHNOLOGIQUES

1.1 Première génération : filière silicium en plaquettes

1.1.1 Matière première de silicium
1.1.2 Silicium monocristallin (mono c-Si)
1.1.3 Silicium multicristallin (mc-Si)
1.1.4 Silicium en ruban (ribbon) autosupporté
1.2 Deuxième génération : filière silicium en couches minces
1.2.1 Silicium nanocristallin et amorphe
1.2.2 Mariage de l'amorphe et du cristallin
1.3 Autres filières en couches minces
1.3.1 Cellules à base de tellurure de cadmium CdTe
1.3.2 Matériaux à base de séléniure de cuivre indium gallium
1.4 Autres filières en émergence
1.4.1 Cellules à colorants
1.4.2 Cellules organiques
1.4.3 Cellules à très haut rendement
[Link] Cellules multispectrales
[Link] Cellules à conversion photonique

La forte demande en énergie et le tarissement des sources d'énergie

conventionnelles, associés au réchauffement climatique annoncé, ont été depuis
longtemps des facteurs très motivants pour le développement des cellules
photovoltaïques les plus performantes et pour trouver des procédés innovants
permettant de réduire drastiquement les coûts de fabrication.

La figure 1 illustre bien la stratégie globale des recherches et développement sur le

photovoltaïque. Elle fait apparaître les différentes options et les perspectives à
moyen et long terme en donnant le rendement de conversion en fonction du coût par
m2 .

Ainsi, la première génération (notée I) de cellules solaires utilisant des plaquettes

en silicium montées en module est actuellement mature, et les progrès concernent
essentiellement la réduction du nombre d'étapes de leur fabrication
(via l'automatisation par exemple) et la réduction du coût de la matière première
(silicium charge). En dépit du coût élevé, plus de 95 % des modules installés sur les
champs et les toits utilisent des cellules solaires en silicium cristallin.
 Figure 1 - Stratégies de réduction
des coûts de l'électricité photovoltaïque (doc. J.F. Guillemoles, IRDEP)

Figure 2 - Progression des

rendements record en laboratoire de l'ensemble des filières photovoltaïques (doc. National
Renewable Energy Laboratory, USA)

Une deuxième génération (notée II) de capteurs est basée sur les couches
minces de matériaux semi-conducteurs simples (silicium amorphe et cristallin) ou
composé (cuivre-indium-gallium-sélénium CIGS, tellure de cadmium CdTe,
polymères...). Des progrès importants ont été observés ces dernières années tant
sur le rendement de conversion que sur la fiabilité, accompagnés par le
développement d'équipements appropriés à cette filière. Compte tenu du peu de
matière utilisé et des technologies associées, le coût rendement/puissance généré
est fortement orienté vers la baisse (< 1 e/W) par rapport à la filière dominante mais
une recherche innovante associée à un développement industriel sera encore
nécessaires.

En augmentant drastiquement le rendement, la troisième génération de cellules

photovoltaïque (notée III), associée éventuellement à la deuxième, prétend encore
réduire le coût par un facteur 2 à 3. Pour atteindre ces très hauts rendements de
conversion (THR), le composant photovoltaïque doit réduire fortement les pertes
optiques et électriques, et contourner la limite Shockley-Queisser des composants à
simple bande interdite (limite simple jonction) qui limite le rendement à 31 %.
De nouveaux matériaux, notamment nanostructurés, sont potentiellement
intéressants et doivent encore être développés et étudiés.

Pour compléter cette vue globale, nous avons représenté sur la figure 2 les
évolutions des rendements de conversion des meilleures cellules de laboratoire pour
les différentes filières d'élaboration de dispositifs photovoltaïques. La plus ancienne
est la filière du silicium cristallin (x-Si), avec des premières cellules réalisées par
Bel Lab. (USA) en 1954, en même temps que la réalisation des premières diodes et
transistors. Elle reste toujours la voie la plus avancée sur le plan technologique et
industriel. Pour les cellules à base de plaquettes en silicium cristallin, les rendements
en laboratoire sont de 24,7 %, atteignant ainsi presque les limites théoriques du
silicium. Pour les rendements sur de grandes surfaces, l'avenir passe par une
réduction drastique des coûts et une constante augmentation des rendements
industriels au-delà des 16 à 18 % actuels.

Les couches minces à base de silicium amorphe (a/nc-Si) et de cuivre-indium-

gallium-sélénium (CIGS) ont commencé à être étudiées dans les années 1970,
avec une industrialisation trop rapide et décevante pour la première, et une
progression du rendement de conversion plus prometteuse pour la seconde. Pour
ces filières, les rendements industriels stagnent autour des 10-12 %. L'objectif
majeur reste l'augmentation des rendements de conversion pour le silicium
(amorphe, polymorphe, micro- et polycristallin) ainsi que pour les matériaux
composés à base de chalcogénures CdTe, CIGS, CZTS (Copper Zinc Tin Sulphide).
Les filières à base de matériaux organiques (DSC, OPV) sont encore au stade du
laboratoire mais progressent assez rapidement. En effet, pour les cellules à base de
petites molécules, le rendement de conversion est de 8-9 % en début de vie. Une
encapsulation efficace de ces cellules est une clé essentielle pour un succès
commercial.
Les cellules du futur, à base de matériaux nanostructurés, restent au niveau du
concept, et une recherche fondamentale de base est encore nécessaire.

1.1 Première génération : filière silicium en plaquettes

Près de 90 % des cellules sont à base de silicium cristallin (figure 3).

Le silicium est l'un des éléments les plus abondants sur terre, parfaitement stable et
non toxique. À l'avenir d'autres matériaux contribueront à l'enrichissement de la
gamme des produits PV disponibles et stimuleront ce marché très prometteur.
Aujourd'hui, ils sont au stade préindustriel, au niveau de la recherche ou même de la
validation des concepts.

1.1.1 Matière première de silicium

À la base de toute l'industrie électronique moderne, le silicium est obtenu par
réduction de la silice dans un four électrique à arc à plus de 200 oC. On obtient ainsi
un matériau dit « métallurgique », dont la pureté est d'environ 98 %. Ce produit est
purifié par chlorination à 300 oC, ce qui donne du silicium sous forme gazeuse
(trichlorosilane ou silane). Après pyrolyse et réduction par de l'hydrogène à 1 100 oC,
le matériau obtenu est sous la forme d'une poudre de haute pureté ; les traces
d'impuretés résiduelles sont inférieures au ppm masse. Il sert alors de produit de
départ pour la croissance de lingots, qui sont utilisés dans les industries de la
microélectronique et photovoltaïque et dans lesquels sont découpées
les plaquettes. Cette matière première coûte de plus en plus cher en raison de la
forte augmentation de la demande. De ce fait, de grands groupes chimiques se
préoccupent de développer un matériau de qualité solaire avec des techniques de
purification simplifiées.

Figure 3 - Prépondérance des

matériaux à base de silicium cristallin dans la production de cellules en 2010 (doc. AIE)
 Figure 4 - Structure de la cellule de
laboratoire la plus performante (doc. Photovoltaics Special Research Center UNSW)

1.1.2 Silicium monocristallin (mono c-Si)

Il est possible d'obtenir des monocristaux par la méthode Czochralski (Cz), qui
consiste à tirer un cristal parfaitement cristallin de 30 cm de diamètre, long de plus
de 1 m, à partir d'un germe plongé dans un bac de silicium fondu. Cependant, en
partant de 1 kg de minerai de silice, on n'obtient pas plus de 100 g de silicium
monocristallin pour une dépense énergétique considérable, de l'ordre du MWh. Le
reste est perdu dans les différentes phases de purification. De plus, la moitié du
cristal part en poussière au cours de la découpe en tranches de 300 μm d'épaisseur.
Le silicium le plus produit est de type p, c'est-à-dire dopé avec du bore, par apport
de poudre contenant le bore. La concentration est comprise entre 1016 et 1017 atomes
cm–3, de façon à présenter une résistivité de l'ordre de 0,1 à 1 Ω · cm. Ce choix
résulte d'un compromis entre une résistivité la plus faible possible et un dopage
modéré afin d'éviter la dégradation de la longueur de diffusion des porteurs
photogénérés.

Par la suite, on crée une barrière de potentiel nécessaire à la collecte des charges,
c'est-à-dire la structure émettrice des cellules photovoltaïques. Cette étape est
détaillée dans le dossier précédent [BE 8 578v2], figure 6.

Il existe une seconde méthode pour produire du silicium de qualité électronique : on

chauffe jusqu'à la fusion une zone que l'on déplace le long d'un lingot. Du fait de la
ségrégation des impuretés métalliques dans les zones fondues, on récupère un
lingot de silicium purifié (mais plus cher), que l'on nomme FZ (zone flottante).
Avec les matériaux Cz et FZ, dits de la micro-électronique, il est possible d'obtenir un
rendement de conversion record en laboratoire : 24,7 % (Université de New South
Walles, Australie), soit supérieur de huit points à ceux de l'industrie.

L'architecture de la cellule la plus performante au monde est représentée sur la

figure 4.

1.1.3 Silicium multicristallin (mc-Si)

La figure 3 montre que la majorité des modules photovoltaïques sont à base
de silicium polycristallin (poly c-Si), plus souvent appelé en France silicium
multicristallin (mc-Si). L'intérêt du silicium multicristallin est au niveau de coûts de
production plus faibles, du fait de l'utilisation de procédés de coulage des lingots en
blocs, beaucoup plus rapides et moins coûteux en énergie que dans le cas de la
synthèse de monocristaux Cz ou FZ (24 à 48 h contre quelques semaines pour ces
derniers).

Une variante de la technologie de croissance par coulage de mc-Si, le procédé

Polix de EDF-PW, est représentée figures 5 et 6. Des blocs de plus de 450 kg sont
ainsi obtenus par refroidissement contrôlé du silicium en fusion dans un moule de
nature appropriée (souvent en quartz).
 Figure 5 - Principe de croissance par
solidification directionnelle du type Polix développé par EDF-PW
 Figure
6 - Principales étapes de fabrication du matériau, de la cellule et du module de EDF-PW
 Figure 7 - Procédés de production
du silicium en ruban

Afin de diminuer le bilan énergétique de la croissance de lingots de silicium, des

matériaux mc-Si produits par coulée continue en creuset électromagnétique
(EMG) ont été développés au Japon et en France.

Cependant, le matériau Si multicristallin est d'une part contraint et disloqué, et d'autre

part contaminé par des impuretés résiduelles de la matière première de silicium.
Cette dernière est en partie constituée par des rebuts de l'industrie de la
microélectronique, c'est-à-dire du silicium monocristallin Cz ou FZ. La présence de
joints de grains, associés à d'éventuelles contaminations par des impuretés
métalliques, du carbone et de l'oxygène, introduit des défauts importants qui
pénalisent le rendement (< 20 %).

Par ailleurs, des recherches importantes sont menées sur les procédés de
purification du silicium à partir du silicium métallurgique, obtenu par
carboréduction de la silice et dont la pureté de 99 % est incompatible avec l'obtention
de propriétés électroniques suffisantes. Il faut pour cela réduire la concentration des
impuretés métalliques en particulier à quelques parties pour million (ppm), par
distillation et condensation par l'intermédiaire de chlorosilane dans le cas de
l'électronique et de la filière monocristalline (exemple du procédé Siemens). Dans le
cas de la filière mc-Si, on part d'un silicium moins pur que pour le mono c-Si, déchets
de silicium électronique et silicium métallurgique, que l'on fond dans un creuset en
quartz recouvert d'une couche de nitrure de silicium (pour faciliter le démoulage).
Ensuite, grâce à un gradient de température contrôlé entre le haut et le bas du
creuset, le silicium liquide se solidifie donnant naissance à un lingot avec des grains
de silicium de plusieurs centimètres.

Les rendements de conversion industriels des cellules à base de mc-Si, qui

étaient de l'ordre de 8 à 10 % avant 1980, sont actuellement de 16 à 18 % pour de
grandes plaquettes de 12,5 × 12,5 ou 15,6 × 15,6 cm2. Ces progrès s'expliquent par
l'amélioration constante de la qualité des matériaux et par l'accroissement des
connaissances de neutralisation des défauts et des impuretés résiduelles.

Actuellement, on sait parfaitement passiver les effets néfastes de la plupart

des défauts cristallographiques. Par exemple, le dépôt par plasma d'une couche
de 70 nm de nitrure de silicium très riche en hydrogène (SiN:H) neutralise les défauts
de surface de silicium et de volume par l'hydrogène et en même temps assure une
diminution des pertes par réflexion (effet antireflet). Les atomes d'hydrogène se fixent
sur les liaisons pendantes (ou brisées) du silicium et jouent le rôle de ponts assurant
en quelque sorte la continuité électronique.

On peut également débarrasser partiellement les plaquettes de silicium de

leurs impuretés métalliques résiduelles lors d'un traitement thermique à haute
température. En effet, par un effet de migration assuré par la température, le temps
et des catalyseurs, les impuretés se déplacent vers des sites situés en dehors des
zones actives, où elles sont piégées. Ce phénomène est plus connu sous sa
dénomination anglaise : getter.
Ainsi, sur le plan scientifique, des problématiques fondamentales très intéressantes
sont mises en œuvre dans la compréhension des interactions entre les impuretés
métalliques et autres (O, C) et les défauts cristallographiques et dans le
développement de procédés particuliers (diffusion de dopants, neutralisation
électrique des centres actifs électriquement...) sur ces matériaux multigrains et les
conséquences sur les performances des cellules.

Toutefois, le sciage de ces grands blocs reste une opération onéreuse, car elle
conduit à une perte non négligeable de matière. L'élaboration du silicium évolue vers
des plaquettes de plus en plus minces (< 200 μm). La limitation mécanique des
plaques due à leur manipulation se situe à environ 100 à 120 μm. L'alternative
consiste à générer des géométries différentes ne nécessitant aucune opération de
découpe.

1.1.4 Silicium en ruban (ribbon) autosupporté

Les techniques de production de silicium en rubans autosupportés ont été très
séduisantes sur le plan technologique. Plusieurs procédés ont été développés. Ces
rubans ont connu de nombreux développements au niveau de la recherche et, pour
certains d'entre eux, jusqu'à la conception de chaînes de production préindustrielles.
La plus connue est basée sur l'effet de la capillarité entre deux lèvres de carbone. Ce
procédé, illustré sur la figure 7a, a été initié aux USA par Mobil-Tyco dans les années
1975, puis transféré en Allemagne par RWE Schott Solar. D'autres méthodes
utilisent des techniques de croissance de ruban sur un film ou une maille de carbone.
C'est le cas de la société SOLARFORCE en France qui utilise comme support de
croissance un ruban de graphite (figure 7b, procédé RST), et qui permet de déposer
des rubans de silicium de part et d'autre du graphite. Le principal avantage de la
méthode RST est l'obtention de silicium ruban très mince (< 100 μm), permettant
ainsi un gain matière très important.

Cependant, la vitesse de croissance linéaire est lente, généralement de quelques

cm/min à quelques dizaines de cm/min. La vitesse optimale est imposée par les
critères de solidification qui imposeront la taille des grains, la pureté du matériau par
la ségrégation des impuretés, la déformation et les contraintes dans les plaquettes.

1.2 Deuxième génération : filière silicium en couches minces

1.2.1 Silicium nanocristallin et amorphe

Depuis les années 1970 (figure 2), des recherches intensives ont été entreprises
pour utiliser du silicium non cristallisé, c'est-à-dire à l'état amorphe (a-Si), dont les
liaisons pendantes sont saturées par hydrogénation. Ce matériau présente trois
avantages majeurs :

 un fort coefficient d'absorption, qui autorise de très faibles épaisseurs de

l'ordre du micromètre et qui diminue ainsi le risque de pénurie de silicium ;

 une faible consommation énergétique durant le cycle de production avec un

temps de retour énergétique inférieur à un an ;

 une aptitude à être déposé en grandes surfaces unitaires, de l'ordre du mètre

carré, d'un seul tenant.

Les cellules à base de silicium amorphe sont basées sur l'empilement de base
constitué par une couche de type p, une couche non dopée dite intrinsèque et notée
i, et une couche de type n (figure 8). La présence de la couche intrinsèque vise à
pallier des caractéristiques photovoltaïques médiocres des couches dopées, en
permettant de générer les paires électron-trou dans la zone i où elles sont soumises
à un champ électrique élevé (dû aux zones n et p), ce qui permet de les séparer.
Ces structures pin sont déposées directement sur le support à basse température
(200 oC ou moins) à partir de la méthode de dépôt chimique en phase vapeur
assistée par plasma (appelée PE-CVD pour plasma enhanced-CVD), par
décomposition du gaz silane (SiH4). Il s'agit de technologies largement similaires à
celles utilisées dans le domaine des écrans plats. Les cellules solaires au silicium
amorphe, à l'origine cantonnées dans des marchés de niches (exemple : calculettes)
ont élargi leur champ d'application dans le domaine des modules souples que l'on
peut déployer sur les grandes toitures, fabriqués par les technologies en rouleau (roll
to roll ) sur des supports plastiques ou métalliques, et dans celui des supports verre
de grande surface pouvant aller jusqu'à près de 5,7 m2 d'un seul tenant. Les
rendements relativement faibles de cette filière sont compensés par des coûts de
fabrication plus faibles et l'utilisation des technologies grandes surfaces avec
beaucoup moins d'étapes que dans le cas des technologies silicium classique. Par
contre, les deux points faibles de cette filière sont le rendement de conversion et la
dégradation sous lumière (instabilité dite de Straebler-Wronski).

Des recherches très actives sont menées pour améliorer les performances de la
filière.
Une des ruptures majeures est intervenue au cours des dernières années en
modifiant les conditions expérimentales (type de gaz précurseur, gaz de dilution,
température, pression...) de croissance de façon à favoriser la cristallisation des
couches. Au début, on obtient des couches composées de nanocristaux de
silicium cristallin nc-Si dans une matrice de silicium amorphe (dit silicium
polymorphe pm-Si ou a/nc-Si), puis la phase cristalline devient de plus en plus
importante jusqu'à devenir majoritaire, (silicium microcristallin ). L'intérêt est
que la qualité des couches bénéficie des meilleures propriétés du silicium cristallin,
tandis que les surfaces et joints de grains bénéficient de la passivation associée à
l'hydrogène et au silicium amorphe. Elles ne présentent pas le phénomène de
dégradation initiale des propriétés du silicium amorphe sous éclairement cité plus
haut. Grâce à ces nouvelles formes de silicium en couche minces, des progrès de
rendements sont observés.

Une des voies d'amélioration des performances consiste à utiliser non plus une seule
jonction pin, mais deux voire trois jonctions empilées l'une sur l'autre, qui
permettent d'améliorer la collecte des photons. Ce principe, dit tandem, est déjà à
l'œuvre dans les modules commerciaux souples avec une triple jonction, ou la bande
interdite des jonctions est modifiée par alliage avec le germanium (a-SiGe).

Par ailleurs, la combinaison du silicium amorphe et microcristallin permet de

produire des modules avec des rendements à plus de 10 %. Dans ces nouvelles
structures, des progrès spectaculaires ont été faits au niveau de l'optique afin de
piéger la lumière au sein de la jonction pour augmenter le photocourant. On utilise
par exemple pour cela des oxydes transparents nanostructurés et de plus en plus les
principes de la photonique. Le parcours « équivalent » de la lumière peut ainsi être
multiplié par 14 !
 Figure 8 - Cellule à base de silicium
amorphe à structure pin, et module (doc. Solems)

Grâce à toutes ces avancées, la filière à base de couches minces silicium amorphe
(2 % du marché) et assimilées a atteint des rendements maximaux stabilisés
approchant 12,5 (a/nc-Si) à 16,5 % (triple jonction en a-Si/a-Si/a-SiGe) au niveau de
petites cellules de démonstration, mais des rendements modules de 5 à 10 %.
 Figure 9 - Hétérostructures à base
de a-Si/c-Si (structure HIT de Sanyo)

1.2.2 Mariage de l'amorphe et du cristallin

L'avenir des couches de silicium amorphe passera probablement, par un mariage
avec le silicium monocristallin. En effet, les hétérostructures à base de a-Si/c-Si
(structure HIT de Sanyo, figure 9) ont des rendements de laboratoire de plus de
21 % et de 17 % en production industrielle. Elles allient les avantages du silicium
cristallin avec des longueurs de diffusion des charges minoritaires très élevées et
ceux du silicium amorphe qui offrent une excellente passivation des défauts de
surface et un excellent émetteur. Cette filière dite à hétérojonction est très
prometteuse compte tenu des rendements cellules et modules très élevés qu'elle
permet. Les recherches et développement dans ce domaine vont dans les directions
de la réduction de l'épaisseur du silicium monocristallin vers les 100 μm, et de la
réalisation de cellules avec tous les contacts ramenés à l'arrière de manière à éviter
l'ombrage et à faciliter l'intégration en module.

1.3 Autres filières en couches minces

Les recherches intensives entreprises depuis de nombreuses années sur d'autres
matériaux que ceux à base de silicium aboutissent peu à peu au stade de
l'industrialisation.
1.3.1 Cellules à base de tellurure de cadmium CdTe
Les cellules à base de CdTe sont également basées sur la formation de jonction p-n
mais cette fois-ci par la mise en contact de deux matériaux différents, on parle alors
d'hétérojonction. La couche n est un semi-conducteur de grande bande interdite (le
CdS avec l'énergie du gap Eg 2,4 eV), qui laisse passer la lumière. On parle alors de
couche fenêtre. Les photons sont ensuite absorbés dans la couche de CdTe de type
p, appelée absorbeur. La valeur 1,45 eV de la bande d'énergie interdite du CdTe est
idéalement adaptée au spectre solaire. En outre, son très grand coefficient
d'absorption (figure 5 de [BE 8 578v2]) fait que la quasi-totalité du spectre est
absorbée sur une profondeur de 2 μm, autorisant ainsi l'utilisation de matériaux
relativement impurs, dont la longueur de diffusion des porteurs minoritaires ne
dépasse pas quelques μm. Le dispositif est complété de part et d'autre par des
couches servant de contact :

 en face avant, une couche transparente et conductrice constituée d'oxyde

d'étain dopé au fluor (appartenant à la classe très importante des oxydes
transparents conducteur, OCT) ;

 en face arrière, une couche métallique ou de carbone pour le contact sur la

couche de CdTe.

Figure 10 - Vue en coupe

d'une cellule à base de Cu(In,Ga)Se

La structure des cellules CdTe est très simple, avec des méthodes de fabrication à
haut débit (par exemple par transport en phase vapeur à courte distance, First Solar)
avec des vitesses de croissance de plusieurs micromètres par minute. Cela explique
que cette filière ait créé une véritable rupture de coût, en passant pour la première
fois sous la barre des 1 dollar par Wc en 2009 !
Nota :
Wc pour watt crête.
Sur le plan de la recherche, des travaux très importants sont menés pour
comprendre les mécanismes de dopage des couches et les propriétés des
interfaces. Notons que l'utilisation de cadmium toxique dans la filière, impose des
conditions très rigoureuses de production et une utilisation bien encadrée, avec en
particulier le recyclage, afin de garantir la sûreté environnementale et sanitaire de la
filière.

1.3.2 Matériaux à base de séléniure de cuivre indium gallium

Avec un coefficient d'absorption 100 à 1 000 fois plus fort que celui du silicium
cristallin (dans la gamme de 1,1 à 2,6 eV), le diséléniure de cuivre et
d'indium CIS est un matériau très prometteur. Ce composé de type I-III-VI, de
structure chalcopyrite, a un rendement théorique de l'hétérojonction (n)CdS-
(p)CuInSe2 qui se situe autour de 25 %.

La fabrication des couches de CIS est plus complexe que celles du CdTe du fait de
leur caractère ternaire, voire quaternaire (avec le gallium, CIGS), ce qui a nécessité
une mise au point plus longue. La contrepartie positive de cette complexité est une
grande flexibilité concernant l'optimisation des propriétés. On peut ainsi fixer de
façon très modulable, non seulement le gap mais également les autres propriétés
(affinité électronique, travail de sortie), en substituant partiellement l'indium avec du
gallium, de l'aluminium ou le sélénium par du soufre. La figure 10 montre un schéma
de la cellule Cu(In,Ga)Se. L'absorbeur est le CIGS et les couches fenêtres et d'OCT
sont constituées de sulfure de cadmium, zinc ou indium (en substitution potentielle
du cadmium) et d'oxyde de zinc, dopé aluminium, tandis que le contact arrière est
constitué par une couche de molybdène.

Au coté des méthodes d'élaboration sous vide par évaporation, classique dans le
domaine des semiconducteurs, qui conduisent aux rendements les plus élevés (dont
le record à plus de 20 %), et à des modules de 11 à 13 % (la société Avancis a
même annoncé 15 % récemment) se développe des méthodes d'élaboration non
traditionnelles plus proches des technologies de revêtement (tels que les techniques
d'impression et d'électrolyse) pour les grandes surfaces.

Le futur de la filière CIGS s'oriente vers le développement de matériaux absorbeurs

utilisant uniquement des éléments abondants, en particulier sans indium, encore
moins de cadmium. Les plus étudiés sont les composés Cu2SnZnS2 (CZTS), qui
remplacent l'indium par une association étain. La figure 2 montre l'évolution des
rendements de cellules CZTS, avec des résultats récents très encourageants à
9,6 %. Il faudra sans doute des années pour faire progresser cette filière, mais la
route est ouverte.

1.4 Autres filières en émergence

La figure 2 montre également l'évolution du rendement d'autres filières en couches
minces en émergence. Il s'agit en fait de filières basées sur l'utilisation de matériaux
actifs organiques au sein du dispositif en remplacement des matériaux inorganiques
des filières précédentes. L'intérêt des matériaux organiques est leur abondance
permettant d'envisager une nouvelle réduction des coûts. Nous allons citer
les cellules à colorants DSC (Dye Solar Cells) et les cellules organiques
OPV (Organic Photovoltaic).

1.4.1 Cellules à colorants

Pour les cellules à colorants, il s'agit d'une matrice poreuse inorganique,
fonctionnalisée par le greffage de colorants photoactifs à l'échelle de la monocouche
moléculaire et imprégnée par un électrolyte liquide contenant un couple
oxydoréducteur permettant de communiquer « électriquement » avec la molécule de
colorant. C'est le photovoltaïque moléculaire, plus proche de la photosynthèse que
de la jonction p-n classique ! Le système de référence est constitué d'une couche
d'oxyde de titane (TiO2) frittée dont les particules sont de taille nanométrique, une
molécule de colorant à base de ruthénium et un électrolyte non aqueux (acétonitrile)
contenant le couple redox iode-iodure. Grâce à la multiplication de la surface
développée dans la matrice poreuse (jusqu'à un facteur 1 000 !), il est possible de
multiplier les phénomènes d'absorption et de convertir efficacement le rayonnement
incident. Ces systèmes permettent d'atteindre aujourd'hui près de 11 % de
rendement.

Les recherches portent principalement sur le remplacement du colorant par un

colorant tout organique, celui de l'électrolyte liquide par une phase solide. Il est
fortement question du remplacement de la couche de TiO2 par une couche
nanoporeuse de ZnO obtenue directement par électrolyse à basse température, en
vue d'utilisation de substrats plastiques. Cette filière suscite un intérêt croissant, avec
des perspectives d'application dans les prochaines années, d'abord au niveau de
niches.

1.4.2 Cellules organiques

Une des filières émergentes est celle des cellules tout organique. Dans ce cas, on se
sert de la propriété semi-conductrice de certains polymères, permettant ainsi de
créer des jonctions analogues aux jonctions p-n, et donc d'en faire des cellules
solaires. Le saut a été franchi avec l'idée de mélanger intimement deux matériaux
organiques permettant ainsi aux excitons (paires électron-trou créées lors de
l'excitation lumineuse) d'être plus facilement séparés aux nombreuses interfaces. Le
concept de cellules organique à jonction interpénétrée était né (Bulk Heterojunction).
Dans ces conditions les phases n et p, appelées donneur et accepteur dans le cas
des polymères, forment deux réseaux séparés percolants, ou tout exciton généré
peut être dissocié à leur interface en n'ayant à parcourir que quelques nanomètres !
Le système de base montré sur la figure 11 est celui ou le donneur est constitué par
des molécules de fullerène fonctionnalisées et l'accepteur est un polymère dérivé du
polythiophène. Les rendements progressent, et sont aujourd'hui de près de 7 %. Les
dispositifs souffrent d'un manque de stabilité dans le temps (sensibilité à l'oxygène, à
l'eau, aux UV trop énergétiques), mais les recherches très importantes menées dans
ce domaine progressent et permettent d'envisager comme pour les OLED une
montée progressive des applications.

L'utilisation de petites molécules et non plus de polymères est fortement poursuivie

actuellement à cause d'une meilleure absorption du spectre solaire et d'une facilité
de mise en œuvre permettant la réalisation de cellules tandem, et donc d'approcher
des 15 % de rendement permettant d'envisager une industrialisation rentable.
 Figure 11 - Cellule souple à base de
matériaux organiques (doc. Université de Linz, Autriche)
 Figure 12 - Cellules
multispectrales (doc. Sharp)

1.4.3 Cellules à très haut rendement

Si on considère la conversion photovoltaïque sur les bases de la thermodynamique,
avec le soleil correspondant au point chaud à 6 000 K et la cellule solaire à 50 oC, on
détermine que le rendement théorique est plutôt situé près de 85 %, ce qui est
considérable. Ainsi la conversion photovoltaïque directe est sans aucun doute celle
dont le potentiel de progression est le plus grand parmi toutes les énergies
(rappelons que le rendement classique thermique électrique d'une turbine est de
33 %). Les exemples de cellules décrits précédemment utilisent un seul matériau
absorbeur. Dans ces systèmes, une grande partie de l'énergie solaire est perdue soit
par non-absorption des photons, soit par thermalisation conduisant à un rendement
maximal d'environ 30 %. On peut noter que les recherches ont permis de s'en
approcher, avec 25 % pour le silicium et 20 % pour le CIS. On peut attendre encore
des progrès, mais qui seront de plus en plus difficile au fur et à mesure que l'on
s'approchera de la limite. Il est donc important d'envisager d'autres cellules pour
dépasser la limite. Pour plus de détails sur les approches possibles, il est
recommandé de consulter le dossier [NM 5 200].

[Link] Cellules multispectrales

Il s'agit de la filière à base de multijonctions, utilisant actuellement majoritairement
des alliages dérivés de l'arséniure de gallium GaAs (dits III-V). Comme le montre
la figure 12c :

 une première jonction à grande bande interdite permet de convertir

efficacement les photons UV en minimisant les pertes par thermalisation ;

 une seconde jonction située immédiatement derrière possède un gap plus

petit et convertit alors de façon optimale les photons visibles qui traversent la
première jonction ;

 une troisième jonction à petit gap convertit les photons infrarouges.

Ce dispositif associé à la concentration de la lumière (environ 300) permet d'atteindre

40 % de rendement. Dans l'avenir des rendements allant vers 50 % sont envisagés
(en multipliant les jonctions on peut théoriquement atteindre les 85 % théoriques).
Cette filière est en fait une filière industriellement établie de longue date, mais pour
des applications de niche, dans le domaine spatial en particulier. Pendant longtemps,
on a pensé que pour des questions de coûts prohibitifs (il y a 32 couches épitaxiées
à superposer dans la structure complète), cette filière ne verrait pas de
développement pour les applications terrestres. En fait, ce n'est plus le cas
aujourd'hui, en considérant les applications sous forte concentration solaire
(figure 12a et b). En effet la cellule ne couvre alors qu'une très faible fraction de la
surface, le reste étant constitué par les dispositifs optiques de concentration, pouvant
être en plastique... le coût élevé de l'un étant compensé par le coût très faible de
l'autre. L'application de cette approche, nommée photovoltaïque à concentration
(CPV) trouve sa légitimité dans les zones à fort ensoleillement direct, comme dans le
pourtour méditerranéen. Sharp a montré en 2012 un rendement de conversion de
43,5 % avec la structure de la figure 12, et 50 % de rendement ne semble pas à
exclure.

[Link] Cellules à conversion photonique

Un des concepts de ces cellules est de changer le spectre incident qui pénètre la
cellule de manière à réduire fortement les pertes par absorption et/ou par
thermalisation. Pour cela, il faut imaginer la possibilité de ramener l'ensemble des
photons du spectre solaire à l'énergie du gap. Cela est théoriquement possible en
utilisant des mécanismes de combinaisons de photons mis en œuvre dans des
matériaux contenant par exemple des terres rares qui contiennent de multiples
niveaux d'énergie et des possibilités de couplage entre ceux-ci. Dans ce cas, deux
photons de basse énergie peuvent être additionnés et donner lieu à l'émission d'un
photon de plus haute énergie qui sera absorbé par la jonction. On parle alors d'up
conversion. À l'inverse, un photon de haute énergie peut générer plusieurs photons
de plus basse énergie absorbés de façon optimale dans la jonction. On parle alors
de down conversion. Des premiers résultats sont obtenus par exemple dans le cas
de matrice d'oxyfluorures contenant deux terres rares (erbium et ytterbium), avec une
conversion de 17 % des photons à 1,5 μm en photons à 1 μm ou moins. On peut
donc imaginer à moyen terme de coupler des cellules classiques avec ce type de
couche de conversion optique, à condition également de travailler sous
concentration.

D'autres concepts à l'étude mettent en œuvre la création de bandes d'absorption

supplémentaire dans la bande interdite, que l'on appelle concept à bandes
intermédiaires. Il est question également de collecter les paires électron-trou hors
équilibre, avant que celles-ci n'aient le temps de thermaliser, grâce à des contacts
sélectifs, probablement à base de nanostructures. On parle alors de cellules « à
porteurs chauds ». Ces concepts basés initialement sur des études théoriques
commencent à être explorés dans les laboratoire