N° d’ordre :

N° de série :

République Algérienne Démocratique et Populaire

Minstère de l’Enseignement Supérieur et de la

Recherche Scientifique

CENTRE UNIVERSITAIRE D’EL-OUED

INSTITUT DES SCIENCES ET TECHNOLOGIE

Mémoire de fin d’étude

Présenté pour l’obtention du diplôme de

LICENCE ACADEMIQUE
Domaine : Sciences Technologiques
Filière : Electronique
Spécialité : Télécommunications

Presenté par : *MAIOUA Tahar

*LATRÉCHE Touati
Thème

Étude de l'amplificateur à transistor

bipolaire

Soutenu le 26 Septembre 2010

Devant le jury composé de :

M. RHOUMA Ferhat Pr. Président
M. MEDJOURI Abdelkader M.A. Examinateur
M. MEHELLOU Saïd M.A. Rapporteur

2009-2010
 Table de matière

Remerciements ............................................................................................................. I
Table de matière .......................................................................................................... II
Listes des figures ........................................................................................................ V
Listes des tableaux ................................................................................................... VII
Introduction générale ................................................................................................. 1

Chapitre1:Le transistor bipolaire

1.1. Introduction ......................................................................................................... 2

1.2. Définition ............................................................................................................. 2
1.3. Les trois régions de transistor ............................................................................. 3
1.4. Type de polarisation des jonctions d’un transistor .......................................... 3
1.4.1. Les deux jonctions sont polarisées en directe ......................................... 3
1.4.2. Les deux jonctions sont polarisées en inverse ....................................... 3
1.4.3. Polarisation directe – inverse (effet transistor) ..................................... 4
1.4.3.1. Fonctionnement de base du transistor bipolaire ....................... 5
1.5. Différents types de branchement d’un transistor ............................................. 6
1.5.1. Montage émetteur commun ..................................................................... 7
1.5.1.1. Introduction ................................................................................. 7
1.5.1.2. Paramètres h ................................................................................. 7
1.5.1.3. Circuits équivalents hybrides .................................................... 9
1.6. Caractéristiques d’un transistor NPN ............................................................ 10
1.6.1. Introduction ............................................................................................ 10
1.6.2. Courbes caractéristiques du collecteur (réseau d’entrée) .................. 10
1.6.3.Droite de charge ...................................................................................... 12
1.7. Conclusion ......................................................................................................... 12

Chapitre 02: Circuits de Polarisation du Transistor Bipolaire

2.1. Introduction ........................................................................................................ 13

2.2. Régime de fonctionnement ............................................................................... 13
2.2.1. La polarisation du transistor ................................................................. 13
2.2.2. Opération linéaire .................................................................................. 14
2.2.3. Distorsion de la forme d’onde .............................................................. 14
2.3. Différant types de polarisation du transistor ................................................. 15
2.3.1. Polarisation par la base .......................................................................... 15
2.3.1.1. Effet du gain 𝛃CC sur le point Q ................................................. 16
2.3.1.2. Autre facteurs influençant la stabilité de la polarisation ....... 16
2.3.2. Polarisation par diviseur en tension ..................................................... 17
2.3.2.1. Résistance d’entre à la base ...................................................... 18
2.3.2.2. Analyse d’un circuit de polarisation par diviseur de tension 18
2.3.2.3. Stabilité de la polarisation par diviseur de tension ................. 20

II
 Table de matière

2.3.3. Polarisation par résistance de base et collecteur (par rétroaction au

collecteur) ............................................................................................................... 21
2.3.3.1. Analyse d’un circuit polarisation avec rétroaction au
collecteur ................................................................................................................... 21
2.3.3.2. Stabilité par rapport à la température .................................... 22
2.3.4. Polarisation par L’émetteur ................................................................. 22
2.3.4.1. Stabilité de la polarisation par l’émetteur .............................. 24
2.4. Conclusion ......................................................................................................... 24

Chapitre 03: Différant type d’amplificateur à transistor bipolaire

3.1. Introduction ....................................................................................................... 25

3.2. Défirent Amplificateur bipolaire ...................................................................... 25
3.2.1. Amplificateur à faible signaux ............................................................... 25
3.2.1.1. Introduction ............................................................................... 25
3.2.1.2. Amplificateur classe A ............................................................... 25
3.2.2. Amplificateur des puissances ............................................................... 26
3.2.2.1. Amplificateur classe A ............................................................... 26
3.2.2.1.1. Introduction .............................................................. 26
3.2.2.1.2. Point Q centré pour un signal de sortie maximal .. 26
3.2.2.1.3.Le rendement .............................................................. 27
3.2.2.2. Amplificateurs PUSH-PULL classe B et classe AB ............... 28
3.2.2.2.1. Fonctionnement en classe B .................................... 28
3.2.2.2.2. Point Q en classe B (région de blocage) ................ 28
3.2.2.2.3. Fonctionnement en classe B d’un amplificateur
push-pull ................................................................................................................... 29
3.2.2.2.4. Distorsion de croisement ........................................ 30
3.2.2.2.5. Fonctionnement en classe AB ................................ 30
3.2.2.2.6. Fonctionnement courant alternatif c.a ................... 31
3.2.2.2.7.Puissance de sortie maximale .................................. 32
3.2.2.2.8. Puissance d’entrée c.c. ............................................ 33
3.2.2.2.9. Rendement ............................................................... 33
3.2.2.3. Amplificateur classe C ............................................................. 34
3.2.2.3.1. Fonctionnement de base en classe C ....................... 34
3.2.2.3.2. Puissance dissipée ..................................................... 35
3.2.2.3.3. Fonctionnement en résonance ................................. 36
3.2.2.3.4. Puissance de sortie maximale ................................... 37
3.3. Conclusion ......................................................................................................... 37

Chapitre 4: Réalisation d’un amplificateur à transistor

4.1. Introduction ....................................................................................................... 38

4.2. Circuit de l’amplificateur .................................................................................. 38

III
 Table de matière

4.3. Calcul des différents paramètres .................................................................... 39

4.4. Résultats ............................................................................................................ 40
4.5 Conclusion ........................................................................................................... 41
*Résume ..................................................................................................................... 42
*Conclusion générale ................................................................................................ 43
*Références Bibliographiques .................................................................................. 44

IV
 listes des tableaux

Listes des tableaux

Tableau 1.1: Caractéristiques des différents montages du transistor....................6

Tableau 1.2 : paramètres h..........................................................................................8

Tableau 4.1 : Résultats de calcul...............................................................................40

VII
 listes des figures

Listes des figures

Figure 1.1: Structure et symbole du transistor..................................................................2

Figure 1.2 : Polarisation directe - directe...........................................................................3

Figure 1.3 : Polarisation inverse - inverse..........................................................................3

Figure 1.4 : Polarisation directe - inverse..........................................................................4

Figure 1.5: Effet transistor[1] .............................................................................................4

Figure 1.6 : Différents montages du transistor..................................................................6

Figure 1.7 : Circuits équivalents déterminant les paramètres h, pour une

configuration à émetteur commun. ....................................................................................8

Figure 1.8: Circuit équivalent à paramètres h pour un transistor à émetteur

commun.................................................................................................................................9

Figure 1.9 : Courbe caractéristique de sortie. ................................................................11

Figure 1.10 : Famille de courbes de IC en fonction de VCE pour différentes valeurs de

IB. .........................................................................................................................................11
Figure 1.11 : Droite de charge........................................................................................... 11

Figure 2.1 : Exemple d’opération linéaire et non linéaire pour un amplificateur......11

Figure 2.2 : Variation du courant du collecteur et de la tension VCE……........…..…..11

Figure 2.3: Transistor actionné en saturation et en blocage…………...….........…..…11

Figure 2.4: Polarisation par la base………………………………………........…….….11

Figure 2.5: Polarisation par diviseur de tension……………………………….........…11

Figure 2.6: Diviseur de tension simplifié………………………………………..........…11

Figue 2.7: Schéma permettant le calcul de la résistance d’entrée en courant

continue...............................................................................................................................18

Figure 2.8: Transistor NPN avec polarisation par diviseur de tension………............11

V
 listes des figures

Figure 2.9 : Application du théorème de Thévenin au circuit de polarisation par

diviseur de tension……………………………………………………….....................…12

Figure 2.10 : polarisation par rétroaction au collecteur.............................................11

Figure 2.11: Circuit de polarisation par l’émetteur……………………...…............…11

Figure 3.1: Amplificateur à émetteur commun de faibles signaux et sa caractéristique

de sortie………………………………………………………………………...............…16

Figure 1.2: Amplificateur classe A pour de grands signaux (la sortie maximale en
classe A se produit lorsque le point Q est au centre de la droite de charge).............…11

Figure 3.3: Ecrêtage du signal de sortie par blocage et par saturation…...........….…11

Figure 3.4: Fonctionnement d’un amplificateur en classe B (sans inversion)…........18

Figure 3.5: Amplificateur classe B à émetteur commun………………………............11

Figure 3.6 : Fonctionnement d’un amplificateur push-pull en classe B……….......…11

Figure 3.7: Illustration de la distorsion de croisement………………………..............12

Figure 3.8: Polarisation de l’amplificateur push-pull pour un fonctionnement en

classe AB, afin d’éliminer la distorsion de croisement…………………...................…12

Figure 3.9: Circuit de polarisation de l’amplificateur Push-pull………….............….11

Figure 3.10: Fonctionnement idéal (c.a.) d’un amplificateur push-pull pour un signal
maximale………………………………………………………………………….............11

Figure 3.11: Fonctionnement de base d’un amplificateur en classe C ……….............11

Figure 3.12: Fonctionnement de base en classe C………………………….……..........11

Figure 3.13: Forme d’onde en classe C……………………………….…………...........11

Figure 3.14 : Amplificateur classe C à résonance………………………………...........16

Figure 4.1 : Modulateur à transistor………………………………………...…........….……….18

Figure 4.2 : Circuit de polarisation…………………………………………………….…..........11

Figure 4.3 : Circuit de simulation……………………………………………….……….........…11

Figure 4.4 : Visualisation des tensions d’entrée et de sortie……………………………........…11

VI
 Introduction générale

Introduction générale

Les composants électroniques tels que les diodes, les transistors sont fabriqués à partir
d’un matériau semi-conducteur. La jonction PN est un concept important, elle est formée
de deux types différents de semi-conducteurs joints ensembles [1].

La jonction PN est fondamentale au fonctionnement des composants comme la diode

et certain type de transistor. De plus la fonction de la jonction PN est un facteur essentiel
pour que le circuit électronique puisse opérer adéquatement.

Dans ce mémoire on analyse l’un de ces types de transistor, c’est le transistor bipolaire
à jonction. Le transistor bipolaire à jonction est utilisé dans des applications dans des
domaines très vastes, tel que les amplificateurs linéaires et les interrupteurs électroniques
[1].

L’amplification est une fonction très importante dans le domaine de l’électronique pour
ce là, on va étudier cette fonction dans quatre chapitres,

Dans le premier chapitre nous étudierons la structure du transistor et les différents

montages de branchement puis les caractéristiques de fonctionnement.

Dans le deuxième chapitre nous verrons les différents circuits de polarisation du transistor.

Dans le troisième chapitre nous étudierons les différents types d’amplificateurs à transistor
bipolaire à jonction.

Dans le dernier chapitre on va calculer les différents paramètres d’un amplificateur à

transistor bipolaire à jonction qui va être utilisé comme un modulateur d’amplitude.

1
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

Chapitre1:Le transistor bipolaire

1.1. Introduction

L’introduction au sein d’un cristal de semi conducteur pur un atome pentavalent,

quatre électrons sont nécessaires pour sa stabilité, le cinquième électron est donc en excès :
il ne participe pas dans les liaisons covalentes, et on a donc des électrons libres dans ce
type de semi conducteur, le semi conducteur obtenu est dit du type N.

De même, l’introduction au sein d’un cristal de semi conducteur pur un atome

trivalent, quatre électrons sont nécessaires ; alors que le dopeur n’en apporte que trois : une
place d’électron est donc inoccupée et il y a un trou disponible au voisinage de l’atome
dopeur, le semi conducteur obtenu est dit du type P.

La juxtaposition de deux semi conducteurs type N et type P donne naissance à un

composant appelé diode, qui possède les caractéristiques suivantes :

- Les électrons sont majoritaires dans le semi conducteur type N ;

- Les trous sont majoritaires dans le semi conducteur type P ;
- Une petite région de recombinaison des trous de la région type P avec les électrons
de région type N, cette zone est appelée : zone de charge d’espace ;
- Un champ de direction de N vers P qui s’oppose aux porteurs libres ;
- Il y’a passage de courant si on polarise directement la jonction, et en polarisation
inverse il n’existe pas de passage de courant ;
- Quand on utilise deux jonctions PNP ou NPN, cette structure est dite transistor ;
La définition, le principe de fonctionnement, les raisons d’utilisation de ce dispositif
seront décrites par la suite.

1.2. Définition

Un transistor bipolaire à jonction est constitué par un bloc mono cristallin à semi
conducteur comportant deux régions de même type de conductibilité séparées par une très
mince région de type opposé [2]. La constitution d’un transistor bipolaire n’est pas
symétrique. Donc il y à deux type de transistor NPN et PNP (figure.1.1).

Collecteur Collecteur
N P
Collecteur PNP
NPN
P N Base
Base Base
N P
Émetteur Émetteur Émetteur

Figure 1.1: Structure et symbole du transistor.

2
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1.3. Les trois régions du transistor

Les deux régions de même conductibilité sont appelées :

L’une émetteur et l’autre collecteur, elles sont séparées par une zone de faible épaisseur
et de conductibilité opposée appelée base.
La base d’un transistor à jonction est faiblement dopée par rapport au dopage des
deux autres régions, son épaisseur varie de quelques microns à une cinquantaine de
microns, selon le type d’utilisation du transistor [2].

1.4. Type de polarisation des jonctions d’un transistor

Pour le transistor de type NPN, nous avons deux jonction PN, donc on a trois
possibilités de polarisations : directe-directe, inverse-inverse et directe-inverse.

1.4.1. Les deux jonctions sont polarisées en directe

La diode collecteur-base est polarisée en directe, le courant collecteur atteint le

maximum, l’intersection de la caractéristique avec la droite de charge statique s’appelle
point de saturation. Le courant de base vaut IB saturation et la tension VBE saturation est
très faible. Le courant collecteur vaut alors IC (sat).

N P N

Emetteur Base Collecteur

V EE VCC
Figure 1.2 : Polarisation directe - directe.

1.4.2. Les deux jonctions sont polarisées en inverse

N P N

Emetteur Base Collecteur

VEE VCC
Figure 1.3 : Polarisation inverse - inverse.

3
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

Cette polarisation consiste à mettre les deux jonctions du transistor à l’état bloqué, le
courant de base devient nul, le courant collecteur est négligeable et la tension VCE est alors
VCE de blocage = VCC.

1.4.3. Polarisation directe – inverse (effet transistor)

La source de tension VCC polarise en inverse la jonction collecteur – base et la source

VEE polarise en directe la jonction émetteur-base

N P N

Emetteur Base Collecteur

VEE VCC
Figure 1.4 : Polarisation directe - inverse.

Région
Région
d’appauvrissement
d’appauvrissement de la
de la jonction BE
jonction BC

Emetteur (N) Base (P)

Collecteur (N)

VEE VCC

Courant
Jonction BE polarisée en directe Jonction BC polarisée en inverse
d’électrons au
collecteur

Courant d’électrons à l’émetteur Courant d’électrons à la base

Figure 1.5: Effet transistor[1] .

4
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1.4.3.1. Fonctionnement de base du transistor bipolaire

Pour que le transistor puisse fonctionner, les deux jonctions doivent être correctement
polarisées par des tensions continues. Dans cette section on étudie le transistor NPN, le
fonctionnement du transistor PNP est le même que celui du NPN. À l’exception que les
fonctions des électrons et des trous, les polarités des tensions et les directions des courants
sont toutes inversées.

Effet transistor

Pour illustrer son fonctionnement, examinons ce qui se produit à l’intérieur du

transistor lorsque les jonctions sont polarisées directe-inverse. La polarisation directe de la
base à l’émetteur rétrécit la région d’appauvrissement BE alors que la polarisation inverse
de la base au collecteur élargit la région d’appauvrissement BC (figure. 1.5). La région N
fortement dopée de l’émetteur riche en électron (libres) dans la bande de conduction. Ils se
diffusent aisément à travers la jonction BE sous polarisation directe, jusqu’à la région de la
base de type P ou ils deviennent porteurs minoritaires, de la même façon que pour une
diode en polarisation directe.

La région de la base faiblement dopée et très mince, possède un nombre très limité de
trous. Ainsi, seul un faible pourcentage des électrons circulant à travers la jonction BE peut
se combiner avec les trous disponibles. Ces quelques électrons recombinés circulant par le
conducteur hors de la base comme des électrons de valence, constituent un petit courant de
base, tel qu’illustre à la figure 1.5 [1].

La plupart des électrons circulant de l’émetteur vers la mince région de la base ne se

recombinent pas, mais se diffusent vers la région d’appauvrissement BC. Dans cette
région, ils sont tirés à travers la jonction BC en polarisation inverse par l’attraction de la
tension appliquée au collecteur. Les électrons se déplacent maintenant vers la région du
collecteur, traversant son fil conducteur, vers la borne positive de la source de tension qui y
est branchée. Ceci crée le courant électronique du collecteur, donc on a : IE = IC + IB et IC
proportionnelle à IB [1].
Le rapport entre le courant au collecteur IC et le courant à la base IB est appelé le gain
βcc
I
βcc = IC (1.1)
B

Le rapport entre le courant au collecteur IC et le courant à l’émetteur IE se nomme αcc

I
αcc = IC (1.2)
E

Relation entre βcc , αcc

IE IC I I 1 1 α
= + IB = 1+ IB ⇔ α = 1+ β ⇔ βcc = 1− cc
IC IC C C . cc cc . α cc

5
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1.5. Différents types de branchement d’un transistor

Un transistor est généralement représenté par un quadripôle, l’une des ses bornes étant
commune à l’entrée et à la sortie (figure 1.6) [2].

IC IE IC IE
IB IB
VBE VCE VEB VCB VEC
VBC

Emetteur commun Base commune Colleteur commun

Figure 1.6 : Différents montages du transistor

Tableau 1.1: Caractéristiques des différents montages du transistor

Emetteur commun Base commune Collecteur commun

IC IE IC IE
IB IB

VBE VCE VEB VCB VBC VEC

Colleteur commun
Emetteur commun Base commune

Entrée IB, VBE. Entrée IE, VEB . Entrée IB, VBC.

Sortie : IC, VCE. Sortie : IC, VCB. Sortie : IE, VEC.
GV = - β.RC/h11e, élevé. GV = β.RC/(β+1). GV = 1-h11e/ Re (β+1)
Gi = β, élevé. Gi = 1. ≈ 1.
Ze ≈ h11e, impédance Ze ≈ h11e/(β+1), Gi = β.
d’entré moyenne. impédance d’entré faible.
Ze ≈ β .RE, impédance
ZS = 1/h22e. ZS = h22e/β+1, impédance d’entré forte.
de sortie forte.
ZS = R BE / β =(Rg+ h11)
/ β, impédance de sortie
faible.

Selon ces caractéristiques et notre besoin qui est la réalisation d’un amplificateur à
transistor, nous choisissons le montage émetteur commun qui permet une amplification en
courant et en tension.

6
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1.5.1. Montage émetteur commun

1.5.1.1. Introduction
Afin de visualiser le fonctionnement d’un transistor dans un circuit amplificateur, il est
souvent utile de représenter ce dernier par un circuit équivalent. Un circuit équivalent
utilise différents paramètres internes du transistor pour représenter son fonctionnement.
Dans cette section on analyse ces paramètres.

1.5.1.2. Paramètres h ( Les paramètres hybrides)

Les paramètres hybrides ou paramètres h (h11, h12, h21 et h22) sont d’une grande
importance. Ils sont donnés par le fabriquant car ils sont relativement faciles à mesurer.
Les quatre paramètres h de base et leur description sont donnés au tableau (1.1). La
deuxième lettre de l’indice de chaque paramètre h désigne des configurations des trois
branchements du transistor[1], par exemple h11e ,e: pour le branchement émetteur
commun.
on peut représenter les courants et les tensions de transistor comme suivant (figure 1.7):
V h h12e Ib
[ b ] = [ 11e ].[ ]
Ic h21e h22e Vc

Donc :

Vb = h11e Ib + h12e Vc

Ic = h21e Ib + h22e Vc
. V
Vb = h11e Ib + h12e Vc ⇔ h11e = I b | Vc = 0 (sortie court-circuitée)
b

V
h11e = I b (1.3)
b

h11e est la résistance vue à partir de la borne de l’entrée du transistor avec la sortie court-
circuitée (figue.1.7.a). Il est la relation entre la tension d’entrée (Vb) et le courant à
l’entrée(Ib).
. V
Vb = h11 Ib + h12 Vc ⇔ h12e = V b | Ib = 0 (entrée ouverte)
c

V
h12e = V b ≈ 0 (1.4)
C

h12e est la mesure de la quantité de tension de sotie qui est réacheminée (par rétroaction)
vers l’entée, avec l'entrée ouverte. Le circuit équivalent à émetteur commun est illustré à la
figue1.7.b, h12e est le rapport entre la tension d’entrée (Vb ) et la tension de sortie (VC ).
. I
Ic = h21e Ib + h22e Vc ⇔ h21e = I c | Vc = 0 (sortie court-circuitée)
b

7
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

h21 = βcc est le gain en courant mesuré avec la sortie (collecteur) court-circuitée
(figue.1.7.c), pour le montage à émetteur commun, il s’exprime par :
I
h21e = I c (1.5)
b

. I
Ic = h21e Ib + h22e Vc ⇔ h22e = Vc | Ib = 0 (entrée ouverte)
c

I
h22e = Vc (1.6)
c

Finalement, h22 définit la conductance vue à partir de la borne de la sortie, lorsque l’entrée
est ouverte comme illustre à la figue 1.7.d.

Ib
Ib = 0 VC
Vb ~
~ Vb

Vb V
a) h11 = b) h12 = Vb
Ib c

Ic
Ib
Vc Ib = 0 VC
~
~ Vb =0

I I
c) h21 =I c d) h22 = Vc
b c

Figure 1.7 : Circuits équivalents déterminant les paramètres

h, pour une configuration à émetteur commun.

Tableau 1.2 : paramètres h.

Paramètres h Description condition

h11e Impédance d’entrée (résistance) Sortie court-circuitée

h12e Rapport de rétroaction de tension Entrée ouverte

h21e Gain en courant Sortie court-circuitée

h22e Conductance de sortie Entrée ouverte

8
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1.5.1.3. Circuits équivalents hybrides

La forme générale du circuit équivalent à paramètres h pour un transistor bipolaire à

Vb
jonction illustré à la figure 1.8. La résistance d’entrée, h11e = apparaît en série à
Ib
V
l’entré. Le rapport de rétroaction de tension, h12e = V b , est multiplié par la tension de sortie
c
h12e Vc pour produire une source tension en serie avec l’entrée. Le gain en courant avant,
Ic
h22 = est multiplié par le courant à l’entrée h22 Ib se représente comme une source de
Ib
courant équivalente à la sortie, h22e apparaît en parallèle avec les bornes de la sortie
(figure 1.8) [1].

h11e
Base Collecteur
ic=i2
ib = i1

V1 h12 VC
~ (β=h21)ib h−1
22
RC V2

Emetteur

Figure 1.8: Circuit équivalent à paramètres h pour un transistor

à émetteur commun.

Gain en courant

V2 = - RC i2 . . i Rc //h−1
⇒- RC i2 =- (RC //h−1 2
22 ) βi1 ⇒ i =
22
.β
Rc
V2 = - (RC //h−1
22 ) βi1
1

β −1
=Gi = Rc , (h22 ≫ RC)
−1 +1
h22

Gi = β (gain important) (1.7)

Gain en tension

V2 = - RC i2
. – Rc i2 − Rc .
⇒ = . Gi ⇔
V1 = h11 i1 h11 i1 h11

R
Gv = −β. h c (Gain important) (1.8)
11

V1
Résistance d’entrée Re = = h11 (petite) (1.9)
I1

V2
Résistance de sortie Rs = = h−1
22 (1.10)
I2

9
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1.6. Caractéristiques d’un transistor NPN

1.6.1. Introduction

Les caractéristiques d’un transistor sont des ensembles de courbes représentant

l’ interdépendance qui existe entre les tensions et les courants continus d’un transistor (IB,
IC, VBE, VCE), à partir de ce réseau, on peut déterminer :
- Les régions de fonctionnement d’un transistor qui sont : La région active, la région de
saturation et la région de blocage.
- Le point de polarisation (IB0, IC0, VBE0, VCE0).
Les caractéristiques statiques sont essentiellement au nombre de trois. Pour tout
l'ensemble de cette étude, nous étudierons les caractéristiques statiques du montage
émetteur commun.
Les principaux réseaux sont : réseau d’entrée qui est l’ensemble des courbes VBE(IB),
tracées pour diverses valeurs constantes de VCE, réseau de transfert en courant qu’est
l’ensemble de courbes IC(IB) , tracées pour diverses valeurs constantes de VCE et réseau de
sortie qu’est l’ensemble de courbes IC(VCE), tracées pour diverses valeurs constantes de IB
[3].

1.6.1. Courbes caractéristiques du collecteur

Avec un circuit tel que illustré à la figue 1.9.a, une série de courbes peuvent être
produites pour démontrer comment IC varie avec VCE pour différentes valeurs de IB. Ces
courbes sont les courbes caractéristiques du collecteur. Les tensions VBB et VCC son toutes
les deux ajustables.

Supposons que VBB est réglée pour produire une valeur spécifique de IB et que VCC est
de valeur zéro. Dans cette condition, les jonctions base-émetteur et base-collecteur sont en
polarisation directe puisque la tension de base est de 0.7 V et que les tensions de l’émetteur
et du collecteur sont de zéro. Attiré vers la masse à cause de la basse impédance, le courant
à la base traverse la jonction base-émetteur et par conséquent, IC et de zéro. Lorsque les
deux jonctions sont sous polarisation directe, le transistor passe dans sa région
opérationnelle de saturation.

À mesure que l’on augmente VCC, VCE augmente aussi graduellement à cause de
l’augmentation en courant au collecteur, comme illustré sur la portion de la courbe entre le
point A et B à la figure 1.9.b. IC augmente aussi à mesure que l’on augmente VCC puisque
VCE demeure inferieure à 0.7 V à cause de la jonction base-collecteur sous polarisation
directe.

10
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

IC C
RC B

RB I
VCEC VCC
VBB IB

A
VC
Région active Région deEclaquage
Région de saturation
0.7V VCE (max)

a) Circuit électronique b) Courbe de IC en fonction de VCE pour une

valeur de IB constante.
a)
Figure 1.9 : Courbe caractéristique de sortie.

Idéalement lorsque VCE excède 0.7 V, la jonction base-collecteur passe en polarisation

inverse et le transistor passe dans sa région opérationnelle active ou linéaire. À ce moment,
IC se stabilise à une valeur essentiellement constante pendant que VCE continue
d’augmenter, En réalité, IC augmente très légèrement lorsque VCE augmente suite à
l’élargissement de la région d’appauvrissement base-collecteur. Par conséquent,
augmentation de βcc . Ce phénomène illustré sur la portion de la courbe caractéristiques
ente les points B et C à la figure 1.9.b. au la valeur de IC est alors déterminer par la
relation IC = βcc IB.

Lorsque VCE atteint une valeur suffisamment élevée, la jonction base-collecteur sous
polarisation inverse, passe à l’état de claquage et le courant au collecteur augmente
rapidement, tel qu’illustré sur la portion de courbe à la droite du point C de la figure 1.9.b.
Un transistor ne devrait jamais être utilisé dans la région de claquage.

En utilisant d’autres valeurs pour IB, on peut dessiner des courbes additionnelles de IC
en fonction de VCE (figure1.10). Ces courbes constituent une famille des courbes pour le
collecteur d’un transistor donné. Lorsque IB = 0, le transistor est dans la région de blocage,
même s’il existe un infini courant de fuite au collecteur. La proportion du courant de fuite
pour IB = 0 est exagérée sur le graphique à des fins d’utilisation[1].

IC IB
I5B4

IB3
IB2
IB1= 0
Région de blocage VCE
Figure 1.10 : Famille de courbes de IC en fonction de
VCE pour différentes valeurs de IB

11
Chapitre 1 Le transistor bipolaire

1 .6.2. Droite de charge

Les états opérationnels de blocage et de saturation peuvent être illustrés en fonction des
courbes caractéristiques du collecteur en utilisant la droite de charge. La figure 1.11.
Illustre une droite de charge, dessinée entre les points de blocage et de saturation, sur une
famille de courbes. Le point inferieur de la droite de charge est le point de blocage idéale
ou IC = 0 et VCE=VCC. Le point supérieur est le point de saturation ou IC = IC (sat) et VCE =
VCE (sat). La région active du transistor se situe le long de la droite de charge entre les points
de blocage et de saturation[1].

IC Saturation

IC (sat)

Blocage

IB=0
VCC
VCE (sat)

Figure 1.11 : Droite de charge.

1.7. Conclusion

Le transistor est un ensemble de deux jonctions PN, avec une polarisation directe de la
jonction base-émetteur et une polarisation inverse de la jonction base-collecteur, et un
branchement d’émetteur commun qui assure un gain en courant et en tension, est utilisé
comme un amplificateur. Pour obtenir un transistor dans un système parfait pour la raison
d’amplification, il faut utilisée un circuit de polarisation avec une alimentation continue
pour déterminer le point de fonctionnement au milieu de droite de charge pour éviter la
région de saturation et la région de blocage.

12
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

Chapitre2: Circuits de Polarisation du Transistor Bipolaire

2.1. Introduction

Nous avons vu dans le chapitre précédent, que le transistor peut fonctionner avec un
gain en courant et en tension c.-à-d. qu’il fonctionne comme amplificateur en courant et ou
en tension.
Mais plusieurs polarisations peuvent être utilisées afin d’établir un niveau constant de
courant et de tension au transistor pour placer son point de repos dans la région linéaire.
Ce niveau constant s’appelle le point opérationnel (Q), dans ce chapitre on va voire
plusieurs types des circuits de polarisation. Cette matière constitue la base pour l’étude des
amplificateurs, qui ne peuvent fonctionner sans une polarisation adéquate.

2.2. Régime de fonctionnement

2.2.1. La polarisation du transistor

La polarisation établit le point opérationnel, pour une opération linéaire adéquate d’un
amplificateur. Si un amplificateur n’est pas polarisé avec des tensions pour le point de
repos exacte à l’entré et à la sortie, il peut passer en saturation ou en blocage lorsqu’un
signal d’entrée est appliqué. La figure 2.1, illustre les effets d’une polarisation, correcte et
incorrecte pour un amplificateur. Le signal de sortie oscille de façon semblable, au dessus
et au dessous du niveau de polarisation (Q) de sortie. Une mauvaise polarisation peut
causer une distorsion du signal de sortie, comme à la figure 2.1.
a) Opération linéaire : signal de sortie plus grand et de même forme que le signal d’entrée.
b, c) Opération non linéaire : signal de sortie écrêté par rapport au signal d’entrée[1].

Symbole d’amplificateur

Ven vsor
a)

b)

c)

Figure 2.1 : Exemple d’opération linéaire et non linéaire

pour un amplificateur.

13
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

2.2.2. Opération linéaire

La région de la droite située entre les points de saturation et de blocage est désignée
comme étant la région linéaire opérationnelle du transistor. Idéalement, la tension de sortie
demeure comme reproduction linéaire de l’entrée, aussi longtemps que le transistor opère à
l’intérieure de cette région.
La figure 2.2, ci-dessous est un exemple de l’utilisation du transistor dans sa région
linéaire.

Supposons qu’une tension sinusoïdale VEN est superposée à la tension VBB. Une
variation sinusoïdale du courant de base s’en suivra, au dessus et au dessous du point (Q).
À son tour, cette situation fait varier le courant au collecteur et provoque une variation de
la tension VCE au dessus et au dessous de sa valeur au point (Q), le point 'A' de la droite de
charge correspond à la crête positive de la tension sinusoïdale d’entrée, le point 'B'
correspond à la crête négative, tandis que le point (Q) correspond à la valeur de tension
zéro de l’onde sinusoïdale, VCEQ, ICQ, et IBQ, sont les coordonnées du point (Q), sans
l’application d’un signal d’entrée sinusoïdale.

IC
Ic Ib
A
IC R
ICQ Q
R C IBQ
+ B
B
VEN
- Vcc
0 VCE
VBB
Vce

VCEQ
Figure 2.2 : Variation du courant du collecteur et de la tension VCE.

2.2.3. Distorsion de la forme d’onde

Sous certaines conditions relatives au signal d’entrée, nous avons vu que

l’emplacement du point (Q) sur la droite de charge peut engendrer l’écrêtage de l’une au
l’autre des alternances de la forme d’onde de sortie Vce tel qu’illustré à la figure 2.3. Dans
chaque cas, le signal d’entrée est trop large pour l’emplacement du point (Q), poussant le
transistor au blocage ou à la saturation durant l’une des alternances du cycle d’entrée.
Lorsque les deux crêtes sont coupées, le transistor est à la fois actionné en saturation et en
blocage pour un signal d’entrée trop élevé. Si l’écrêtage est limité à l’alternance positive, le
transistor est poussé au blocage, et non à la saturation. Si l’écrêtage est limité à l’alternance
négative, le transistor est poussé à la saturation, et non au blocage. Une façon simple
d’éviter la distorsion à la sotie est de limiter la crête maximale de Vce à 0.95Vcc et la crête
minimale à 0.05VCC avec un point (Q) en plein centre de la droite de charge[1].

14
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

IC (mA) IC (mA)
IBQ
saturation
IBQ
Q
ICQ
Q
ICQ
VCE 0 VCE
Blocage VCC VCC
saturation
Vce Blocage Vce
VCEQ
VCEQ
b) transistor activé en blocage a) transistor activé en saturation

Figure 2.3: Transistor actionné en saturation et en blocage

2.3. Différents types de polarisation du transistor

2.3.1. Polarisation par la base

Une source de courant continu distincte VBB (figue2.2), peut être utilisée pour polariser
la jonction base-émetteur, afin d'illustrer le fonctionnement du transistor, cette source
pouvait varier indépendamment de VCC, une méthode plus pratique est l’utilisation de VCC
comme source unique de polarisation, (figure2.4.a) afin de simplifier les schémas [1]:
+VCC

IC RC
RC
RB +
-VCC RB
IB +
VBE -
a) b)

Figure 2.4 : Polarisation par la base

Le symbole de la batterie peut être remplacé par un cercle indicateur de tension(figure 2.4.
b).
L’analyse du circuit de la figure 2.4, fonctionnant dans sa région linéaire est la suivante : la
chute de tension aux bornes de RB est VCC -VBE, par conséquent,
VCC −VBE
IB = (2.1)
RB

En appliquant la loi de Kirchhoff autour de la boucle formée par le collecteur à la figure

2.4.a, nous obtenons l’équation suivante :

VCC - ICRC - VCE = 0

15
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

En isolant VCE,

VCE = VCC - ICRC (2.2)

En utilisant l’équation (2.1) et en substituant IB dans la formule IC = βCCIB

VCC −VBE
IC = βCC (2.3)
RB

2.3.1.1. Effet du gain 𝛃CC sur le point Q

L’équation (2.3) illustre la dépendance de Ic et du gain βCC. Le désavantage est qu’une

variation de βCC cause des variations à la fois de IC et de VCE, déplaçant ainsi le point Q du
transistor. Le circuit de la polarisation de la base est donc extrêmement dépendant du gain
beta.
Nous savons que βCC varie en fonction de la température et du courant du collecteur.
Nous savons aussi que le gain beta varie d’un composant d’un même type à un autre, à
cause des variations lors du procédé de fabrication. Par conséquent, un circuit utilisant la
polarisation de la base peut soudainement produire une distorsion à la sortie lorsque, suite
à une défaillance, le transistor est remplacé par une composante possédant une valeur
différente en βCC. Le même symptôme se produit si une variation en température fait varier
suffisamment la valeur de βCC.

2.3.1.2. Autres facteurs influençant la stabilité de la polarisation

En plus des variations en βCC, le point de polarisation peut être affecté par des
changements en VBE et en ICBO. La tension VBE diminue lorsque la température augmente.
Nous pouvons donc vérifier, avec l’équation pour le courant IB, qu’une diminution en VBE
fera augmenter IB,
VCC −VBE
IB =
RB

L’effet d’une variation en VBE est négligeable si VCC >> VBE.

Le courant inverse de fuite, ICB0, fait diminuer le courant net à la base et fait donc
augmenter la tension à la base puisqu’il crée une chute de tension aux bornes de RB. Étant
donné sa polarité, chute de tension s’ajoute à la tension de polarisation par la base. Dans
les transistors récents, ICB0 est habituellement inférieure à 100 nA. Son effet sur la
polarisation est donc négligeable si VBB >> ICB0 RB.

16
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

2.3.2. Polarisation par diviseur de tension

À la figure 2.5, un diviseur de tension formé des résistances R1 et R2 fournit une tension
de polarisation, à la base du transistor. Au point A, deux chemins permettent le passage du
courant vers la masse: l’un à travers R2 et l’autre à travers la jonction base-émetteur du
transistor.

Vcc
I2+IB

R1 RC IC

IB
A

I2 R2 RE IE

Figure 2.5: Polarisation par diviseur de tension.

Si le courant à la base est très petit, comparé à celui traversant R 2, le circuit de

polarisation peut être imaginé tel un diviseur de tension composé de R1 et R2 (figure2.6.a).
Si IB n’est pas assez petit par rapport à I2 pour être négligé, la résistance d’entrée courant
continue REN (base), apparaissant entre la base du transistor et la masse, doit alors être prise
en considération,
REN (base) est en parallèle avec R2, comme l’illustre la figure 2.6.b[1].

+VCC +VCC

R1 R1
A En regardant de la base du transistor
A
R2 R2 REN (base)

a) b)

Figure 2.6: Diviseur de tension simplifié.

17
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

2.3.2.1. Résistance d’entrée à la base

Pour développer une formule afin de calculer la résistance d’entrée pour courant
continue à la base du transistor, nous pouvons utiliser le diagramme à la figure 2.7, VEN est
appliquée entre la base et la masse, alors que IEN est le courant à la base.
Selon la loi d’Ohm,

VEN
REN (base) = IEN

La loi des tensions de Kirchhoff est appliquée autour de la boucle base-émetteur,

VEN = VBE + IERE

En assumant que VBE << IERE, l’équation se réduit à VEN ≅ IERE

Vcc

RC
IEN
βCC
VEN VBE
IE RE

Figue 2.7: Schéma permettant le calcul de la

résistance d’entrée en courant continue

Maintenant, puisque IE ≅ IC = βCC IB,

VEN = βCCIBRE

Le courant à l’entrée est le courant à la base : IEN = IB

VEN βCC IB RE
En substituant, REN (base) = ≅
IEN IB

Les termes IB s’annulent pour donner

REN (base) ≅ βCCRE (2.4)

2.3.2.2. Analyse d’un circuit de polarisation par diviseur de tension

Un transistor NPN polarisé par un diviseur de tension est illustré à la figure 2.8.a.
Commençons l’analyse en déterminant la tension à la base à l’aide de la formule du
diviseur de tension de la façon suivante :
REN (base) ≅ βCCRE

La résistance totale entre la base et la masse est : R2 || βCCRE

18
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

+VCC +VC
C

R1 R1
RC
VB
β cc
R2
ΒCCRE
R2 RE

a) b)

Figure 2.8: Transistor NPN avec

polarisation par diviseur de tension

La figure 2.8.b, illustre un diviseur de tension formé de R1 et de la résistance entre la base

et la masse (βCCRE) en parallèle avec R2. En appliquant la formule du diviseur de tension,
nous obtenons :

(R2 ‫ ןן‬βCC RE )
VB = 𝑉
(R1+(R2 ‫ ןן‬βCC RE )) 𝐶𝐶

Si βCCRE >> R2, la formule peut être simplifiée à :

R2
VB ≅ VCC (2.5)
R1+R2

Connaissant la valeur de la tension à la base, on peut trouver la tension à l’émetteur,

égale à VB moins la valeur de la chute de tension entre la base et l’émetteur (VBE).

VE = VB – VBE (2.6)

Le courant à l’émetteur peut être calculé à partir de la loi d’Ohm.

V
IE = RE (2.7)
E

Une fois que nous connaissons IE, nous pouvons trouver les autres valeurs du circuit,

IC ≅ IE (2.8)

VC = VCC – ICRC (2.9)

À partir des valeurs connues des tensions VC et VE, nous pouvons déterminer VCE,

VCE = VC – VE

Nous pouvons aussi exprimer VCE en fonction de IC, en utilisant la loi des tensions de
Kirchhoff.

VCC – ICRC – IERE – VCE = 0

19
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

Comme IC ≅ IE,

VCE ≅ VCC – ICRC – ICRE

VCE ≅ VCC – IC (RC+RE) (2.10)

2.3.2.3. Stabilité de la polarisation par diviseur de tension

Une autre façon d’analyser un circuit de polarisation d’un transistor par diviseur de
tension est d’appliquer le théorème de Thévenin. Nous utiliserons cette méthode pour
évaluer la stabilité du circuit. Trouvons d’abord un circuit base-émetteur équivalent pour la
figure 2.8, en utilisant le théorème de Thévenin. Vu à partir de la base, le circuit de
polarisation peut être redessiné (figure2.9.a). Appliquons le théorème de Thévenin pour la
partie du circuit située à gauche du point A. En remplaçant VCC par un court-circuit à la
masse et déconnectant le transistor du circuit, nous obtenons :
R1R2
RTH = R1+R2

La tension au point A par rapport à la masse est :

R2
VTH = VCC
R1+R2

Le circuit équivalent de Thévenin du circuit de polarisation, connecté à la base du

transistor, est illustré dans la figure 2.9.b. En appliquant la loi des tensions de Kirchhoff
autour de la boucle équivalente base-émetteur, nous obtenons :

VTH = IBRTH + VBE +IERE

+Vcc +Vcc

RC RC

+VCC R1 A RT
β cc +VTH
IB VBE
R2 RE IE RE β cc

a) b)

Figure 2.9 : Application du théorème de Thévenin au

circuit de polarisation par diviseur de tension

IE RTH
En substituant par IB, VTH = IE( R E + )+VBE
βCC βCC

VTH −VBE RTH . VTH −VBE

Ou en isolant IE, IE = R , si RE >> ⇒ IE ≅
RE +( TH ) βCC RE
βCC

20
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

Cette dernière équation illustre que IE est essentiellement indépendant de βcc pour la
condition indiquée. Dans la réalité, on peut établir cette condition en choisissant une valeur
de RE au moins dix fois plus élevée que la résistance formée par la combinaison parallèle
des résistances du diviseur de tension Rth, divisée par le gain βcc minimal.

La polarisation par diviseur de tension est largement utilisée parce qu’elle fournit une
bonne stabilité à partir d’une tension d’alimentation.

2.3.3. Polarisation par résistance de base et collecteur (par rétroaction au collecteur)

À la figure 2.10, la résistance de la base RB est branchée au collecteur plutôt qu’à VCC,
tout comme si nous étions dans une configuration de polarisation de la base. La tension au
collecteur fournit la polarisation pour la jonction base-émetteur. La rétroaction négative
crée un effet de compensation qui tend à maintenir le point (Q) stable. Si IC essaie
d’augmenter, la chute de tension aux bornes de RC augmente, causant une diminution de la
tension VC. Lorsque VC diminue, la tension aux bornes de RC diminue, ce qui fait
également diminuer IB, la diminution du courant IB produit une diminution en IC qui, à son
tour, diminue la tension aux bornes de RC pour ainsi compenser la diminution en VC [1].

+VCC
IC+IB
RC
RB
●Vc
IB IC

VBE

Figure 2.10 : polarisation par

rétroaction au collecteur.

2.3.3.1. Analyse du circuit de polarisation avec rétroaction au collecteur

D’après la loi d’Ohm, le courant à la base peut être calculé selon la façon suivante :
VC −VBE
IB = (2.11)
RB

Supposons que IC >> IB. La tension au collecteur est

VC ≡ VCC – ICRC

Aussi,
I
IB = β C
CC

21
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

En substituant les termes IB et VC à l’équation (2.11),

IC VCC −IC RC −VBE
=
βCC RB

On peut réarranger les termes pour que

I C RB
+ ICRC = VCC -VBE
βCC

On résout ensuite IC de façon suivante :

R
IC (R C + β B ) = VCC - VBE
CC

VCC −VBE
IC = R (2.12)
RC + B
βCC

Comme l’émetteur est commun à la masse, VCE = VC,

VCE = VCC - ICRC (2.13)

2.3.3.2. Stabilité par rapport à la température

L’équation (2.12) montre que le courant au collecteur est, dans une certaine mesure,
dépendant de βCC et de VBE. Bien entendu, cette dépendance peut être minimisée si RC>>
RB
et que VCC>>VBE. Une caractéristique importante de la polarisation avec rétroaction au
βCC
collecteur est l’élimination presque complète de la dépendance par rapport au gain βCC et à
VBE même si la condition précédente ne sont pas respectées[1].

2.3.4. Polarisation par L’émetteur

Un circuit de polarisation par l’émetteur utilise à la fois une tension d’alimentation

positive et une tension d’alimentation négative (figure 2.11). Dans ce circuit, la tension
VEE fournit la polarisation directe sur la jonction base-émetteur. En appliquant la loi des
tensions de Kirchhoff autour de la boucle base-émetteur de la figure 2.11.a, redessinée à la
figure 2.11.b, nous obtenons l’équation suivante :

VEE – IBRB –VBE –IERE = 0

En isolant VEE,

VEE = IBRB + IERE + VBE

Puisque IC = IE et IC = βCCIB
I
IB ≡ β E
CC

22
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

+VCC +VCC

RC IC RC
.
RB
RB
IB V BE
IE RE
VB RE
VE VC
VEE

-VEE
a) b)
Figure 2.11: Circuit de polarisation par l’émetteur

En substituant pour IB,

I
(β E ) RB + IERE + VBE = VEE
CC

On regroupe ensuite les termes IE,

R
IE (β B + RE) + VBE = VEE
CC

Puis on transpose VBE et on isole IE,

VEE −VBE
IE = R (2.14)
RE + B
βCC

Comme IC ≅ IE,
VEE −VBE
IC ≡ R (2.15)
RE + B
βCC

Les tensions par rapport à la masse sont indiquées par indice à une seule lettre. La tension à
l’émetteur par rapport à la masse est :

VE = -VEE + IERE (2.16)

La tension à la base par rapport à la masse est,

VB = VE +VBE (2.17)

La tension au collecteur par rapport à la masse est,

VC = VCC – ICRC (2.18)

En soustrayant VE de VC et en utilisant l’approximation :

IC ≡ IE

VCE = VCC - ICRC - (-VEE + IERE) ≡VCC + VEE – IC (RC + RE)

23
Chapitre 2 Circuit de polarisation du transistor bipolaire

2.3.4.1. Stabilité de la polarisation par l’émetteur

La formule de IE illustre que le circuit de polarisation par l’émetteur est dépendant de

VBE et de βCC, qui peuvent tous deux varier en fonction de la température et du courant.
VEE −VBE
IE = RB
RE +
βCC

Si RE>>RB/ βCC, le terme RB/βCC peut être éliminé pour modifier l’équation comme suit,
VEE −VBE
IE ≅ RE
Cette condition indique qu'IE est essentiellement indépendant du gain βCC.

Nous pouvons aussi faire une autre approximation; si VEE >>VBE, le terme VBE peut être
éliminé.
VEE
IE ≅ RE
Cette condition indique qu'IE est essentiellement indépendant du gain VBE.
Si IE est indépendant de βCC et de VBE, le point Q n’est donc pas affecté par des variations
de ces paramètres.
Donc, la polarisation par l’émetteur peut fournir un point Q stable lorsqu’elle est
configurée correctement[1].

2.4. Conclusion

La polarisation du transistor à pour but de placer le point de repos dans la région

linéaire. Mais on doit utiliser un circuit de polarisation qui assure la stabilité du système et
le fonctionnement adéquat de l’amplificateur, la température par exemple est un facteur
contre la stabilité du système de l’amplification. Dans les circuits que nous avons étudié
dans ce chapitre et qui sont la polarisation par la base, la polarisation par diviseur de
tension, par rétroaction au collecteur et polarisation par l’émetteur on remarque que : la
polarisation par la base et par rétroaction au collecteur sont caractérisés par : la dépendance
de IC très fortement avec βCC, IC peut être affecté par de variation de VBE c'est-à-dire la
polarisation est instable. La polarisation par l’émetteur est presque stable mais le
désavantage de cette polarisation est qu’elle utilise deux sources de tension. La polarisation
par diviseur de tension est la meilleure polarisation pour obtenir un système qui fourni le
point de repos stable.

24
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

Chapitre 3: Différents types d’amplificateur à transistor

bipolaire
3.1. Introduction

Dans ce chapitre, nous étudierons quatre classes d’amplificateurs : classe A, classe B,

classe AB et classe C, pour deux catégories, amplificateurs de faibles signaux et
amplificateurs de puissance.
Ces classifications d’amplificateurs sont déterminées par le pourcentage du cycle du signal
de sortie par rapport l’entrée pour lequel l’amplificateur opère dans sa région linéaire, et
chaque classe possède une configuration de circuit unique puisque chaque mode de
fonctionnement est différent.

3.2. Différents amplificateurs bipolaires

3 .2.1. Amplificateur de faibles signaux

Nous avons étudié au chapitre précédent comment polariser un transistor.

Maintenant on va appliquer cette polarisation afin de bien comprendre les circuits à
transistors bipolaires utilisés comme amplificateur de faibles signaux. La locution de
faibles signaux fait référence à des signaux qui n'utilisent qu'un pourcentage relativement
faible sur l'échelle opérationnelle d'un amplificateur, en d'autres termes, des signaux
n'utilisant qu'une faible portion de la droite de charge.

3.2.1.1. Amplificateur classe A

La figure 3.1, illustre un transistor polarisé par diviseur de tension, avec une source de
tension (courant alternatif), couplée à la base par le condensateur C1 et dont la charge est
couplée au collecteur par le condensateur C2. Les condensateurs de couplage bloquent les
courants continus et empêchent la résistance de la source RS et la résistance R charge de
changer les tensions continues de polarisation à la base et ou collecteur.
La tension de la source sinusoïdale fait osciller la tension à la base au dessus et au dessous
de son niveau de polarisation, par conséquent, la variation en courant à la base produit une
variation plus grande en courant au collecteur à cause du gain en courant du transistor (de
même pour la tension)
Un petit signal, c.-a-d utilisation d’une faible portion de la droite de charge. Le signal
amplifié ne passe pas à la saturation ou blocage pour ce la on choisi le point Q ou centre
de la droite de charge, l’amplificateur classe A de petits signaux amplifie le signal d’entrée
sans distorsion[1].

25
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

VCC IC (mA) IBQ

RC M1
R1 C2
C1 M
R charge M2
VCE
RS R2
RE

VCE
~ VEN

Figure 3.1: Amplificateur à émetteur commun de faibles signaux et

sa caractéristique de sortie.

3.2.2. Amplificateur de puissance

Les amplificateurs de puissance sont des amplificateurs à grands signaux. Lorsqu'un

signal est appliqué à leur entrée, ils utilisent généralement une portion beaucoup plus
importante sur la droite de charge comparativement aux amplificateurs à faibles signaux.

3.2.2.1. Amplificateur classe A

Lorsque un amplificateur à émetteur commun est polarisé de façon à ce qu’il fonctionne

dans la région linéaire pour le cycle complet 360° de l’entrée, il est appelé un amplificateur
classe A. Dans ce mode de fonctionnement particulier, l’amplificateur ne passe pas en
blocage ou en saturation : la forme d’onde de la tension de sortie est donc une réplique
amplifiée de celle de l’entée. Un amplificateur classe A peut être avec ou sans inversion.

3.2.2.1.1. Point Q centré pour un signal de sortie maximal

Lorsque le point Q est au centre de la droite de charge. (à mi-chemin entre la saturation

et le blocage), on peut obtenir un signal maximal de classe A, tel qu’illustré sur la droite de
charge à la figure 3.2.a. Idéalement, le courant au collecteur peut varier de sa valeur de
point, ICQ, jusqu'à sa valeur supérieure de saturation IC(sat) et jusqu'à sa valeur inférieure de
blocage de zéro( figure3.2.b).
À La figure 3.2.b, le courant au collecteur varie de ICQ jusqu'à zéro; sa valeur de crête
est donc égale à ICQ. Également, la tension entre le collecteur et l’émetteur oscille entre
VCEQ et zéro ; sa valeur de crête est donc égale à VCEQ. C’est le signal maximal pouvant
être obtenu par un amplificateur classe A. Lorsque le signal d’entrée est trop grand,
l’amplificateur est actionné en blocage et en saturation, causant un écrêtage du signal
(figure 3.3).

26
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

IC IC

IC(sat)

ICQ Q IC
Q

VCE 0 VCE
VCEQ

a) b) 0 VCEQ
VCE(blocage)
Figure 3.2: Amplificateur classe A pour de grands signaux (la sortie
maximale en classe A se produit lorsque le point Q est au centre de la
droite de charge).
On voit dans la figure 3.2, que le fonctionnement en classe A assure la circulation du
courant de collecteur pendent un cycle complet du signal alternatif d’entrée 360°,
l’amplificateur en classe A restitue la sinusoïde.
Pour éviter l’écrêtage par blocage ou par saturation en classe A, il faut choisir le point
de fonctionnement au centre de la droite de charge et ne dépassant pas certaine valeur de
puissance.
L’amplificateur classe A pour les grands signaux est limité par une certain puissance, si
dépassée cette puissance, il y a écrêtage du signal de sortie (figure 3.3).

Transistor actionné
en saturation IC

ICQ Q

0 VCE
Transistor actionné Transistor actionné
en blocage en blocage
Transistor actionné
en saturation
VCEQ VCE(blocage)
0
Figure 3.3: Ecrêtage du signal de sortie par blocage et par saturation.

3.2.2.1.2. Le rendement

Le rendement d’un amplificateur est le rapport entre la puissance de sortie courant

alternatif, sur la puissance d’entrée courant continue. La puissance d’entrée courant
continue est le produit de la tension d’alimentation courant continue par le courant
provenant du bloc d’alimentation :

PCC = VCCICC
27
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor
Le courant d’alimentation moyen ICC est égal à ICQ et la tension d’alimentation VCC est
deux fois plus élevée que VCEQ lorsque le point Q est centré. Le rendement maximal est
donc[1] :
Psor 0.5VCEQ ICQ 0.5
ŋ𝑚𝑎𝑥 = = = = 0.25
𝑃𝑐𝑐 2VCEQ ICQ 2

ŋ𝑚𝑎𝑥 = 0.25 (3.1)

3.2.2.2. Amplificateurs PUSH-PULL classe B et classe AB

Lorsqu’un amplificateur est polarisé au point de blocage, de façon à opérer dans la

région linéaire pour 180° du cycle d’entrée et qu’il est en blocage pour l’autre 180°, c’est
un amplificateur classe B. Les amplificateurs classe AB sont polarisés de façon à opérer
dans la région linéaire pour un peu plus de 180° du cycle d’entrée. Le premier avantage
d’un amplificateur classe B ou classe AB par rapport à un amplificateur classe A est que
son rendement est plus élevé : on peut obtenir plus de puissance de sortie pour une quantité
donnée de puissance à l’entrée. Un des désavantages de l’amplificateur de classe B ou AB
est la difficulté pour mettre en œuvre son circuit de façon à obtenir une reproduction
linéaire de la forme d’onde de l’entrée. Comme nous le verrons dans cette section, Le
terme push-pull fait référence à un type commun de circuits d’amplificateur classe B ou
classe AB pour lesquels la forme d’onde de l’entrée est reproduite de façon approximative
à la sortie[1].

t0 t1 t1 0 t1
t0

Figure 3.4: Fonctionnement d’un amplificateur en classe B

(sans inversion).

3.2.2.2.1. Fonctionnement en classe B

Un amplificateur en classe B est un dispositif symétrique qui possède deux voies

amplificatrices distinctes, chaque voie amplifiant une alternance du signal appliqué à
l’entrée. La forme du signal de sortie est reconstituée dans la charge d’amplificateur.

3.2.2.2.2. Point Q en classe B (région de blocage)

L’amplificateur Classe B est polarisé au point de blocage de façon à ce que ICQ = 0 et

que VCEQ = VCE(blocage). Lorsque le signal actionne le transistor en état de conduction
l’amplificateur sort de l’état de blocage et fonctionne dans sa région linéaire. Cette
opération est illustrée à la(figure 3.5) avec un circuit à émetteur commun. Nous pouvons
aisément distinguer que la sortie n’est pas une réplique du signal de l’entrée. Afin d’obtenir

28
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

une bonne reproduction de la forme d’onde de l’entrée, une configuration à deux transistor,
connue sous le nom d’amplificateur push-pull, est nécessaire

vcc

Le transistor conduit

0.7 Vsor
v
VEN ~ RE

Le transistor ne conduit
pas

Figure 3.5: Amplificateur classe B à émetteur commun.

3.2.2.2.3. Fonctionnement en classe B d’un amplificateur push-pull

La figure 3.6, illustre un type d’amplificateur classe B push-pull qui illustre deux
émetteur-suiveurs. Il s’agit d’un amplificateur complémentaire puisque l’un des émetteur-
suiveurs utilise un transistor NPN et l’autre un transistor PNP assorti ; les transistors
conduisant donc pour les alternances contraires du cycle d’entrée. Une paire
complémentaire assortie de transistor possède des caractéristiques identiques, sauf que l’un
est de type NPN et que l’autre est de type PNP. Notez qu’il n’existe aucune tension de
polarisation courant continue à la base (VB = 0). Seule La tension du signal actionne les
transistors en état de conduction. Q1 conduit durant la moitié positive du cycle d’entrée et
Q2 conduit durant la moitié négative[1].

+VCC +VCC

Vsor
Q1 ne pas conduit
Q1 conduit

VEN
~ Q 2ne pas conduit ~ Q 2 conduit

Vsor
VEN

-VCC -VCC
a) Durant l’alternance positive b) Durant l’alternance négative
Figure 3.6 : Fonctionnement d’un amplificateur push-pull en
classe B.
29
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

3.2.2.2.4. Distorsion de croisement

Lorsque la tension de polarisation CC à la base est nulle, les deux transistors ne

conduisent pas. Pour cette raison, il existe un intervalle de temps entre les alternances
positives et négatives de l’entrée pendant lequel aucun des transistors ne conduit
(figure3.7). La distorsion qui en résulte dans la forme d’onde de sortie et bien connue : on
l’appelle la distorsion de croisement.

V en
VBE
-VBE

Q1 conduit
Q2 ne conduit pas
q

Q1 et Q2 ne conduisent pas
(distorsion de croisement)
Q1 ne conduit pas
Q2 conduit
Figure 3.7: Illustration de la qdistorsion de croisement

3.2.2.2.5. Fonctionnement en classe AB

Pour éliminer la distorsion de croisement, les deux transistors de l’arrangement push-

pull doivent être polarisés légèrement au-dessus du blocage lorsqu’il n’y a pas de signal.
Cette variation de l’amplificateur classe B push-pull représentation la classe AB. La
polarisation classe AB peut être réalisée à partir d’un arrangement muni de diviseur de
tension (figure 3.8.a). Cependant, il est difficile de maintenir un point de polarisation stable
à partir de ce circuit, à cause des variations de VBE en fonction de la température.

+Vcc +Vcc

R1 C1 R1
C1 Q1
Q1

R2 D1
C3 D2 C3
Q2
Q2 R Charge
C2 C2
R Charge ~ R2
~~ R3

a) Polarisation par diviseur de tension b) Polarisation avec diodes pour la stabilisation

thermique

Figure 3.8: Polarisation de l’amplificateur push-pull pour un

fonctionnement en classe AB, afin d’éliminer la distorsion de
croisement.
30
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

L’alimentation à double polarité n’est plus requise lorsque R charge est couplée par
condensateur. Un arrangement plus adéquat est illustré à la figure 3.8.b. Lorsque le
caractéristique des diodes D1 et D2 sont assorties de prés aux caractéristiques de
transconductance des transistors, une polarisation stable peut être maintenue en dépit de
base-émetteur des deux transistors assortis additionnels, au lieu de D1 et D2. Bien que
cette comparaison soit techniquement incorrecte, on fait souvent référence aux
amplificateurs classe AB comme étant de classe B dans l’usage commun.
Le circuit équivalent courant continu de l’amplificateur push-pull est illustré à la figure
3.9.
Les résistances R1 et R2 sont de valeurs égales ; la tension au point A entre les deux diodes
est donc égale à VCC/2. En assumant que les caractéristiques transconductances des diodes
et des transistors sont identiques, la chute de tension aux bornes de D1 est égale à la tension
VBE de Q1. Tandis que la chute de tension aux bornes de D2 est égale à la tension VBE de
Q2. Par conséquent, la tension aux émetteurs est aussi égale à VCC/2, de même que VCEQ1 =
VCEQ2 = VCC/2, tel qu’indiqué. Comme les deux transistors sont polarisés prés du blocage,
ICQ ≅ 0[1].

+𝑉𝑐𝑐
+
R1 -
Q1
𝑉𝐶𝐶
2
D1
+ -
A
D2 + -
𝑉𝐶𝐶 Q2
𝑉𝐶𝐶
2
R2 2

- -

Figure 3.9: Circuit de polarisation de l’amplificateur Push-pull.

3.2.2.2.6. Fonctionnement courant alternatif

Sous des conditions maximales, les transistors Q1 et Q2 d’un amplificateur classe AB

sont alternativement de l’état proche du blocage à l’état proche de la saturation.
Durant l’alternance positive du signal d’entrée, l’émetteur de Q1 est actionné depuis sa
valeur du point Q, égale à VCC/2, jusqu’à prés de la valeur de VCC, produisant une tension
de crête positive, valeur approximativement égale à VCEQ. Simultanément, le courant de Q1
oscille depuis sa valeur du point Q de près de zéro jusqu’à une valeur près de la saturation
(figure3-10a).
Durant l’alternance négative du signal d’entrée, l’émetteur de Q2 est actionné depuis sa
valeur de point Q, égale à VCC/2, jusqu’à près de zéro, produisant une tension de crête

31
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor
négative approximativement égale à VCEQ. Également, le courant de Q2 oscille depuis
environ zéro jusqu’à valeur proche de la saturation (figure3-10b).
En terme de fonctionnement sur la droite de charge (c.a), la tension Vce des deux
transistors oscille de VCC/2 à environ zéro et le courant oscille de zéro à Ic(sat)
(figure3.10.c). Comme la tension crête aux bornes de chaque transistor est égale à VCEQ, le
courant (c.a.) de saturation au collecteur est[1] :
VCEQ
Ic(sat) = R (3.2)
charge

Puisque Ie ≅ IC et que le courant de la sortie est le courant à l’émetteur, le courant de crête

VCEQ
à la sortie est également égale à :R
charge

R1
VCEQ
Q
R1 D1
VCE 1
Q Q ve D2 R
D1
1 Q ch
ven n ICharg Ic(sat)
D2 Rc R1 2
Qh Ic(sat) e

R1 2 ICharge

a) Q1 conduit avec un signal b) Q2 conduit avec un signal max

IC à la sortie
max à la sortie

Ic(s
at)
Ic
c) Caractéristique de sortie de VCEQ=VCC/2
chaque transistor VCE

Vce

Figure 3.10: Fonctionnement idéal (c.a.) d’un amplificateur push-pull

pour un signal maximale.

3.2.2.2.7. Puissance de sortie maximale

Nous avons vu que la courant crête maximale de sortie est approximativement égale
Ic(sat) et que la tension crête maximale à la sortie est approximativement égale à VCEQ. La
puissance de sortie moyenne maximale est donc :

Psor = Vsor(eff) Isor(eff)

Puisque

Vsor(eff) =0.707Vsor(crête) = 0.707VCEQ

32
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

Et que

Isor(eff) = 0.707Isor(crête) = 0.707Isor(eff)

Alors
Psor = 0.5VCEQ IC (sat)

En substituant VCC/2 pour VCEQ,

Psor = 0.25VCC IC (sat) (3.3)

3.2.2.2.8. Puissance d’entrée courant continue

La puissance d’entrée courant continue vient de l’alimentation VCC, soit

PCC = VCCICC

Comme chaque transistor requiert de courant pour un demi-cycle, le courant est un signal à
simple alternance d’une valeur moyenne de
Ic(sat)
ICC = π

Donc,
Vcc Ic(sat)
VCC = π

3.2.2.2.9. Rendement

Le principal avantage des amplificateurs push-pull classe B et classe AB sur ceux classe
A est que leur rendement est beaucoup plus élevé. Cet avantage l’emporte habituellement
sur la difficulté de polariser l’amplificateur push-pull classe AB afin d’éliminer la
distorsion de croisement. On sait que le rendement est défini comme étant le rapport entre
la puissance de sortie c.a. sur la puissance d’entrée courant continue.
Psor
Rendement = PCC

Le rendement maximale d’un amplificateur classe B (Le rendement d'amplificateur

classe AB est légèrement inférieur) est désigné par le terme ŋmax et se calcule de la façon
suivante, à partir de l’équation (3.3) :

Psor =0.25VCCIc(sat)

Psor 0.25Vcc Ic(sat)

ŋmax = = = 0.25
Pcc Vcc Ic(sat) /π

ŋmax = 0.79 (3.4)

33
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

Ou, en pourcentage,

ŋmax = 79%

Rappelez-vous que le rendement maximal d’un amplificateur classe A est de 0.25 (25%).

3.2.2.3. Amplificateur classe C

Les amplificateurs classe C sont polarisés de façon à ce que la conduction se produit

sur beaucoup moins de 180° du cycle d’entrée. Ils possèdent un meilleur rendement que
ceux des classes : A, push- pull classe B et classe AB. On peut donc obtenir plus de
puissance à la sortie est sévèrement déformée, ils sont normalement limités aux
applications d’amplificateur à résonance de fréquence radio.

3.2.2.3.1. Fonctionnement de base en classe C

Le concept de base de fonctionnement en classe C est illustré à la figure 3.11. Un

amplificateur classe C à émetteur commun muni d’une charge résistive est illustré à la
figue 3.12. Il est polarisé au dessus du blocage avec l’alimentation négative -VBB

ven v sor
AV

Figure 3.11: Fonctionnement de base d’un

amplificateur en classe C

+VCC Le transistor
conduit lorsque VEN
VBB+VBE
RC excède VBB VBE
C
VEN

RB
VSOR

VE ~ Ic
VBB
N
Ic
IC(sat) b) Forme d’onde pour
a) Circuit de base
la tension d’entrée et le
d’un amplificateur
Ic courant de sortie
classe C
VCE
c) Caractéristique de sortie
Vce VCC
Figure 3.12: Fonctionnement de base en classe C.

34
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

La source de tension (c.a.) doit posséder une valeur crête largement supérieure à
VBB + VBE pour que la tension à la base puisse excéder la barrière de potentiel de la
jonction base-émetteur pendent un court moment prés de la crête positive de chaque cycle
(figure 3.12.b). durant ce court moment, le transistor est mis en marche lorsque la droite de
charge (c.a.) est entièrement utilisée, la valeur idéale du courant maximal au collecteur est
approximativement égale à IC (sat) et la valeur idéale de la tension minimale au collecteur
est approximativement égale à VCE(sat) (figure3.12.c).

IC(sat)
IC

ven
ton
VC
Vce C

VCE(sat)
Ic 0
T
a) Impulsions du courant IC b) Forme d’onde idéale en classe C

Figure 3.13: Forme d’onde en classe C.

3.2.2.3.2. Puissance dissipée

La puissance dissipée par un transistor dans un amplificateur classe C est faible

puisqu’il n’est en marche que pendant un faible pourcentage du cycle d’entrée. La figure
3.13.a, illustre les pulsations de courant au collecteur. Le temps entre les pulsations est la
période (T) de la tension courant alternatif à l’entrée. Afin d’éviter des calculs
mathématique complexes, nous allons utiliser les approximations idéales des pulsations en
courant et en tension au collecteur durant le temps ou le transistor est en marche (figure
3.13.b). D’après cette simplification et en supposant que le signal de sortie oscille sur toute
la largeur de la droite de charge courant alternatif, l’amplitude maximale du courant est
égale à IC (sat) et l’amplitude maximale de la tension est égale à VCE(sat), durant le temps ou
le transistor est en marche. La puissance dissipée durant l’état de marche du transistor, est
donc [1]:

PD (on)= VCE (sat) IC(sat)

Le transistor est en marche pour un laps de temps, t ON, et au repos pour le reste du cycle
d’entrée, par conséquent, en assumant que la droite de charge est entièrement utilisée, la
puissance moyenne dissipée pendant le cycle complet est:
t t
PD (moy)= ( ON ) PD(on) =( ON )VCE(sat)IC(sat)
T T

35
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

3.2.2.3.3. Fonctionnement en résonance

Comme la tension au collecteur (de sortie) n’est pas une réplique de celle de l’entrée,
l’amplificateur classe C muni d’une charge résistive n’est d’aucune utilité pour des
applications linéaires. Par conséquent, il est nécessaire d’utiliser un amplificateur classe C
avec un circuit résonant parallèle (figure 3.14.a). La fréquence de résonance du circuit est
déterminer par la formule fr=1/(2π√LC). La brève pulsation de courant au collecteur pour
chaque cycle de l’entrée amorce et maintient en marche l’oscillation du circuit résonant
pour produire une tension sinusoïdale à la sortie figure (3.14.b) [1].

+VCC

C2 L Ic
C1 VSOR
ven
RB
VEN VBB

a) Circuit de base b) Forme d’onde à la sortie

Figure 3.14 : Amplificateur classe C à résonance.

La pulsation du courant charge le condensateur à une valeur d’environ +VCC. Après la

pulsation, le condensateur se décharge rapidement et charge l’inducteur. Une fois le
condensateur complètement déchargé, le champ magnétique de l’inducteur disparaît, pour
compléter une alternance de l’oscillation. Par la suite, le condensateur se décharge à
nouveau et fait augmenter le champ magnétique de l’inducteur. L’inducteur recharge
rapidement le condensateur à une crête positive de valeur légèrement inferieure à la
précédente, due à la perte d’énergie dans la résistance de l’enroulement et complète le
cycle. La tension crête à crête à la sortie est donc environ égale à 2VCC.
L’amplitude de chacun des cycles successifs de l’oscillation s’affaiblit à chaque
nouveau cycle à cause de la dissipation de l’énergie dans la résistance du circuit résonnant,
pour provoquer la disparation de l’oscillation. Cependant, la réapparition régulière de la
pulsation de courant au collecteur réalimente le circuit résonnant pour maintenir les
oscillations à une amplitude constante.
Lorsque le circuit résonnant est accordé à la fréquence du signal d’entrée (fondamentale),
la réalimentation se produit à tous les deux cycles. Dans ce cas, l’amplificateur classe C
fonctionne tel un multiplicateur de fréquence (*2). En accordant le circuit résonnant à des
harmoniques plus élevées, on peut accomplir davantage le facteur de multiplication de la
fréquence.

36
chapitre 3 Différents types d’amplificateur à transistor

3.2.2.3.4. Puissance de sortie maximale

Comme la tension développée aux bornes du circuit résonnant possède une valeur crête
à crête approximativement égale à 2VCC, la puissance de sortie maximale peut être calculée
comme suite :

V2eff (0.707VCC )2
Psor = =
Rc RC

0.5V2CC
Psor = RC
R C est la résistance parallèle équivalente du circuit résonnant du collecteur et représente la
combinaison parallèle de la résistance de la bobine et de celle de charge. Elle est
habituellement de faible valeur. La puissance totale pouvant être fournie à l’amplificateur
est[1] :

PT = Psor+PD (moy)

Par conséquent, le rendement est

𝑃𝑠𝑜𝑟
ŋ𝑚𝑎𝑥 = 𝑃 (3.5)
𝑠𝑜𝑟 +𝑃𝐷(𝑚𝑜𝑦)

Lorsque Psor >> PD (moy), le rendement en classe C s’approche tout prés de 1(100%).

3.3. Conclusion

Les signaux qu’on peut obtenir à la fin de l’amplification sont partagés en deux
groupes, petits et grands signaux (de puissance) selon l’utilisation. Par exemple pour
alimenter une antenne d’émission on utilise les amplificateurs de puissance dont le
rendement d’amplification doit être très important, on utilise dans ce cas les amplificateurs
classe C qui assurent ce rendement, et pour amplifier les petits signaux d’un capteur de
température par exemple, on utilise un amplificateur classe A de petits signaux.

37
 Chapitre 4 Simulation de l’ amplificateur à transistor

Chapitre 4: Simulation de l’amplificateur à transistor

4.1. Introduction

Ce chapitre est le résultat des études faites aux chapitres précédents, à la fin de ce
mémoire on a pu réaliser (par simulation) un amplificateur à transistor bipolaire à jonction,
qui va être utilisé comme modulateur d’amplitude. On a choisi la polarisation par diviseur
de tension comme circuit de polarisation, le premier pas dans ce chapitre est le calcul des
différents paramètres de l’amplificateur puis la vérification de cet amplificateur par
simulation.

4.2. Circuit de l’amplificateur

+VCC

R1 RC
C2
C1
●
T

R2 RE
V1
CE
(HF) V2
(BF)
●

Figure 4.1 : Modulateur à transistor.

On observe dans la figure 4.1 un modulateur en amplitude, la base de ce circuit est un

amplificateur à transistor avec une polarisation par diviseur de tension. On a aussi deux
source de tension V1 (HF) brancher à la base du transistor, V2 (BF) brancher à l’émetteur du
transistor, les condensateurs C1, C2 sont des condensateurs de couplage bloquant la
composante continue et empêchent le changement des tensions de polarisation à la base et
au collecteur du transistor. On utilise un autre condensateur CE pour découpler la résistance
R E.

Le circuit amplifie la porteuse (V1) par un gain A, le signal modulateur fait partie du
réseau de la polarisation; il produit donc des variations basse fréquence du courant
émetteur, ce qui amène des variations de A. C’est pourquoi la porteuse amplifiée ressemble
à l’onde modulée; les crêtes de sortie varient de façon sinusoïdale avec le signal
modulateur autrement dit les enveloppes, supérieure et inferieure, ont la forme du signal
modulateur [4].

38
Chapitre 4 Simulation de l’ amplificateur à transistor

4.3. Calcul des différents paramètres

Le circuit de polarisation est le suivant :

15 V

IC = 3 m A

R1 RC

βcc = 100

R2 +RE

Figure 4.2 : Circuit de polarisation.

Le transistor est du type : 2N3904.

On fixe Vcc = 15 V, Ic = 3mA, β = 100 .

Vcc
On fixe VE = max .
3

On prend VE = 0.5 v.
VE 0.5
On calcule : R E = = 3∗10−3 = 0.166 103Ω
Ic

Vcc −VE 15−0.5

On fixe VCE = = = 7.25 v.
2 2

Vcc −VCE −VE 15−7.25−0.5

On calcule : R c = = = 2.61 103Ω.
IC 3∗10−3

On fixe I2 ≈ (10 à 20 fois) IB ⇔ I2 ≈ 10. IB ≈ 0.3 mA .

.

On prend généralement VBE = 0.7 V.

VE +VBE
On calcule : R 2 = .
I2

0.5+0.7
R 2 = 0.3∗10−3 = 40.103 Ω.

Vcc 15
On calcule : R1 = − R 2 =.0.3∗10−3 − 40. 103 = 460.10 3Ω.
I2

39
Chapitre 4 Simulation de l’ amplificateur à transistor

On choisi les capacités comme suit :

C1 et C2 doivent avoir des impédances négligeables à la fréquence 𝑓1 , c.-à-d. :

1
𝑍𝐶1,2 = 𝐶2𝜋𝑓 ≈ 0.
1

1 1
On fixe C1, C2 = 10 𝜇𝑓 ⇔ 𝐶2𝜋𝑓 = 10−5 𝜋5 105 = 0.0318 Ω ≈ 0
. 1

CE doit avoir une impédance négligeable devant 𝑅𝐸 à la fréquence 𝑓1 c.-à-d. :

1
𝑍𝐶𝐸 = ≪ 𝑅𝐸.
𝐶𝐸 2𝜋𝑓1

1
CE = 100 𝜇𝑓 ⇔ 𝑍𝐶𝐸 = 10−4 𝜋5 105 = 0.318 Ω ≪ 𝑅𝐸 = 100 Ω.
.

4.4. Résultats

Tableau 4.1 : Résultats de calcul.

Valeurs calculées Valeurs normalisées

R1 = 40 10 3Ω R1 = 47 KΩ

R 2 = 460 10 3Ω R 2 = 470 KΩ

R C = 2.61 10 3Ω R C = 2.2 KΩ

R E = 0.166 10 3Ω R E = 100 Ω

C1= 10 𝜇𝑓 C1= 10 𝜇𝑓

C2= 10 𝜇𝑓 C2= 10 𝜇𝑓

CE= 100 𝜇𝑓 CE= 100 𝜇𝑓

40
Chapitre 4 Simulation de l’ amplificateur à transistor

Figure 4.3 : Circuit de

simulation.

Figure 4.4 : Visualisation des tensions d’entrée et de sortie.

VSOR 1.4 .
On calcule le gain en tension (à vide) : GV = = - 10.10−3 ⇔ GV =- 140
VEN

4.5 Conclusion

La réalisation d’un amplificateur à transistor est le fruit de ce travail. On utilise pour

réaliser un amplificateur un transistor avec le branchement à émetteur commun qui
fournit un gain important en courant et en tension, et aussi on utilise la polarisation par
diviseur de tension qui offre une bonne stabilité du point de repos. Dans cette étude on a
utilisé la classe A pour les faibles signaux, à la fin on a calculé les paramètres de
l’amplificateur. Cet amplificateur va être utilisé comme modulateur.

41
 Conclusion générale

Conclusion générale

La transmission de signaux nécessite une amplification de ces derniers avant de les

transmettre, ce qui annonce l’importance de l’amplification des signaux électriques.

Dans ce mémoire, notre but été de réaliser un amplificateur à base de transistor

bipolaire à jonction, l’utiliser par la suite comme modulateur.

Le transistor fonctionne comme amplificateur électronique avec un branchement

émetteur commun qui fournit un gain important en courant et en tension. Une autre chose
très importante pour que le transistor fonctionne adéquatement, c’est la polarisation. On
dispose de plusieurs types, polarisation par la base, avec rétroaction au collecteur, par
l’émetteur, par diviseur de tension, c’est cette dernière qui est la plus utilisée à cause de la
stabilité de ce circuit (point de repos).

La puissance du signal de sortie détermine le type d’amplificateur, deux catégories

peuvent se présenter, la première catégorie est celle des amplificateurs de faibles signaux et
l’autre pour les amplificateurs de puissance.

Donc pour réaliser un amplificateur à transistor bipolaire, il faut savoir choisir selon
l’utilisation envisagée, le type de branchement du transistor et son circuit de polarisation et
la raison d’utilisation de l’amplificateur, selon la raison on détermine la catégorie de
l’amplificateur.

43
 Références bibliographique

Références Bibliographiques

[1] THOMAS L. FLOYED : « Électronique, composant et système d’application »,

raynaldgoulet inc, 5eme édition, 2005.

[2] HAMMOUD. L : « Cours d’électronique », Office des Publications Universitaires,

12- 2005

[3] BENAYAD. A, GUENDOUZ. D : « Électronique générale ‘cours et exercices

résolus’», Office des Publication Universitaire, 2eme édition, 5-2007.

[4] ALBERT PAUL MALVINO : « Principe d’électronique », Mcgraw-Hill, 1978.

44
 Résume générale

Résumé

Le transistor bipolaire peut fonctionner comme un amplificateur, mais avec des

conditions sur son régime de fonctionnement, ce qui a été le but de ce travail.

Au début, il faut choisir le type de branchement du transistor (émetteur commun, à

cause de son gain important en tension et en courant).
Le pas suivant dans l’étude d’un amplificateur est la polarisation du transistor c.à.d.
fixer la position du point de fonctionnement (polarisation par diviseur de tension car il
fournit un circuit stable).

Après tout ça, il faut choisir le type de l’amplificateur, pour les faibles signaux ou bien
les signaux de puissance.

Dans ce travail on a pu arriver à un amplificateur à transistor bipolaire avec un gain en

tension de presque 140. Cet amplificateur va être utilisé par la suite comme modulateur
d’amplitude.

42