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Caractéristiques et redressement des diodes

Ce TP vise à étudier expérimentalement les caractéristiques d'un amplificateur à transistor. Il comporte l'étude d'un montage émetteur commun et collecteur commun, en régime statique et dynamique, avec et sans charge de sortie. Les paramètres du montage seront déterminés à partir de mesures effectuées à l'oscilloscope et en traçant les courbes caractéristiques.

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Caractéristiques et redressement des diodes

Ce TP vise à étudier expérimentalement les caractéristiques d'un amplificateur à transistor. Il comporte l'étude d'un montage émetteur commun et collecteur commun, en régime statique et dynamique, avec et sans charge de sortie. Les paramètres du montage seront déterminés à partir de mesures effectuées à l'oscilloscope et en traçant les courbes caractéristiques.

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TP 1 Caractéristique de diode et redressement

Objectif du tp :
 Reconnaitre les effets des limites de tension, de courant, puissance et
fréquence des diodes
 Apprendre a sélectionné une diode d’après ses caractéristiques de base
 Développer un raisonnement qualitatif du fonctionnement des circuits à
diode
 Analyse certains circuits classiques utilisant les diodes
I. Caractéristique des diodes :
Montage réalisé :

La courbe de V=f(I)
VD 0 0 0.01 0 .02 0.05 0.06 0.07 0.09 0.11 0.12 0.15 0.22
9
ID 0.63 0.67 0.7 0.73 0.77 0.78 0.78 0.79 0.795 0 .79 0.808 0.826
2 9

D’après la courbe on trouve que le seuil de conduction de la LED est de l’ordre


de 0.7 V
II. Redressement à diodes

Redresseur mono alternance


 Montage réalisé est le suivant
 Visualisation de tension U aux bornes de la résistance et la
tension V à la sortie du transformateur

D’après la courbe

V(jaune)=11,98*1=11,98v
U(bleu)=7,81*1=7,81v
Umoy=vmax/pi=11,98/pi=3,81v
Ueff=vmax/2recine(2)=4,23v
Veff=vmax/racine(2)=8,471v
Ueff=veff/2=4,23v
Umoy=racine(2)*veff/pi=3,81v
 Conclusion :
En entrée nous avons une tension alternative sinusoïdal V et en sortie
nous ne récupérons que la demi-alternance positive U, c’est le principe de
fonctionnement de redresseur mono alternance.

Pour récupérer la demi alternance négative il faut faire le montage double


alternance
Redresseur double alternance
Montage réalisé : Pont de Greatz
Visualisation de tension U aux bornes de la résistance et la tension V
à la sortie du transformateur

V=12v
U=7,9v
Vd=v-u=4,1v

 Conclusion

Les redresseurs double alternance : ils commutent de manière à


transformer les tensions négatives en tensions positives.
III. Filtrage
Le filtrage a pour but de réduire autant que possible la
composante alternative de la tension délivrée par le
redressement
Montage réalisé :
Visualisation de tension U aux bornes de la résistance et la tension V à la
sortie du transformateur avec C= 47µf et R=330Ὼ

Remarque : La déformation de la tension d’entrée V du aux chute de tension


crée par la résistance d’entrée
Etude de variation de l’ondulation de U en fonction du produit RC :

v=12v
u=3,88v
u(v) 7 3,38 2,31 1,19 0,6
c(uf) 10 47 100 220 470

La courbe de ∆U=f(RC) :

On remarque :
Si la constante de temps RC est grande devant T, le condensateur se décharge
très lentement et à la limite U reste pratiquement égale à Vm. On recueillie
alors à la sortie une tension filtrée presque continue d’ondulation u
TP 2 ETUDE D’UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR
Objectif du tp :

Le but de ce tp est l’étude et la caractérisation expérimentale d’un


montage amplificateur à base d’un transistor [Link] mesures
seront effectuées dans les régimes statique et dynamique, avec et
sans charge, pour déterminer expérimentalement les paramètres
du montage.

Matériel :
 Transistor NPN
 Trois condensateurs
 Quatre résistances
 Une charge RL
 Une source de tension continue
 Oscilloscope analogique à deux voies

Montage :

Etude théorique :
Régime statique :
On considère le montage ci-dessous de régime statique :

Rth=R1//R2=1.3Kꭥ
Eth=8.3V
O na : Eth=Rth+VBE + ℜ. Ic
Eth=Ib ( Rth+ ßIb ) +VBE
Eth−VBE
Ib=
Rth+ ßIb

Donc Ib=0.1mA
Et o na Ic= ßIb=10 mA
VCE=VCC−Ic ( Rc+ ℜ )=11.2V
VEM =ReIc+ VCE+ RcIc=30V

Régime dynamique :
 Figure1 :

Les schémas équivalents :


 Sans CE :

( VBE
h 11=
Ib ) vce=0=
0.6
0.595
=3.76 K ꭥ

Ic 15.95
IB= = =0.1595 mA
ßI 100
vcc
Ic= =15.95mA
RC + ℜ
vs ( RCen parallele a RL ) IC
Av= = =−0.15 1
ve
(
h 11
ß
+ ℜ Ic)
Is Vs Ze
Ai= = .
Ie Rs ve
( Rc en par RL) Ic (R 1 en par R 2)
Ai= .
RL 1+¿ ¿ ¿

Ce montage est un emetteur commun.


 Avec CE :
¿ ( RC en parallele a RL ) IC
Av= =−2.89
h11
. Ic
ß
RC en parallele a RL (h 11en par R 1 en par R 2)
Ai= . =23.33
Rl h 11
ß
 Figure 2 :
Les schémas équivalents :
 Sans CE :

vs ( R E en par RL) β
Av= = =0.743
ve h 11+( ℜen par RL) β
ℜ en par RL h 11+ REβ 1
Ai= . . =0.079
RL h 11+ REβ h11+(RL en par ℜ) β
1+
R 1 en par R 2
 Avec CE :

REβ
Av= =0.95
h11+ REβ
ℜ en par RL h 11en par R 1 en par R 2
Ai= . =23.33
RL h 11
β
Ce montage est un collecteur commun

I. Mesures :
Montage sur le collecteur commun
Avec CE
 Avec CE :
− ( RC en parallele RL ) Ic
Av=

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