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56 ELECTRICITE sit: Bon = (put - mt) Be Seer’) 2 oR} von =-On - BRL cy 6 Seer Dela conition de coninuité du potentiel Ven ¢ = Ri, on pur} - R) , me Ri- RY __pR?_ wR, o, 3 eR? 2e Ge 3eoR2 4 3 2 Ri divient: cz = ORE , euR2 , ped - RD Be 6ee 2 a 3 ay dob: Va = - OE - BRL, eRe + p2 Ge Ser 28 e+ rRa, E=0, ‘vient : PUR} - RD + PRE - RD =O @i- Rd) p= -B4= BD py, @i- RD RE- Ri Dans ces condition v=0 4.0 On admet quil y @ conservation de la charge en passant de Ja distribution de charges volumiques & fa distribution de charges surfaciques : Ja charge surfacique de la sphtre Sz = la charge volumique de Si et Sa. espace compris entre les sphires 45 RYO $e ei Rd pi — fiview: oy = 202 = BD 3k De méme, on trouve a > 3k be 31 RE= p1(Ra ~ RR + Ri Ra + RD = 3pi(Ra - RR; (carRi = Ra) dot 1 = pi Rr - Ri) deméne: = pr Re- Rd) soit e=(2-R) , @2 = (Ra - Rs) + Dans le cas ob r> Ra, on peut écrire immédiatement Bo = SRL OR: g {8- Le méme raisonnement s‘applique dans le cas obR20) sur un disque crewx de rayon intrieur Ri et extirieur Red'axe Ok comme indique a figure. 2 41+ Bx raisomnant sur des pares aélénens de surfaces charges a8: et dS, symétrigues- par rapport au cere 0 du disque cereus, donner le sens du champ Aectrostaique E(P) engendré ‘par cette distribution de charges au point. 2+ Donner Uexpression de la compasses) du champ eemenire iQ) er pares ‘gut contribue aur champ total E(P) au point P. Exprimer abs(P) en fonction ded Or 3- Montrer qued Qy = sna daa (cfg 2) 4- En déduire®(®). On désignera par a et o2,, les angles linéires sous lesquelsdeP, on voit respctvement Ru et Ra 5+ Casio plan inden, uniformément charg. ELECTROSTATIQUE II - On considere une-distribuition volimigie de charge 0 (r)., tniformémentréparie a Viniérieur dune sphore (fictive) de centre Oetde rayon. ee a ‘A.1~ Par application du théoréme de Gauss caleuler en fonction de Q (r) et der, le champ électrosiatlque E(P) en tout point P stud surlasphiore (0,17) oe 3 2+ Caleuler le potentiet V (P) en ce point. Soke B- Ce type de distribution de charges estcelul ne sphere reuse dé rayon R (RS), renfermant la chaige volunique ofa, O(R). os SRE see 1+ Doviner Nexpression du tras ‘vail lémentaire ET, nécessaire pour apporter un élément de charge supplémentaire 8Q=pey é ta distribution de charges O(n) 2+ Montrer que le travail toial T, pour créer ta distribution Q(R) tava quividentie avec Ea ‘On doniie VeXpression da “Ge en cobrdonndes spheriques sit sr7sinOd0 dour (cf.fig.3). ‘3+ Assinllons cette sphere uniformément chargée dun électron de charge Q(R) = +1,610°%C et de masse au. repos ‘ma = 0,9 10g et admettons que‘Vénergie électrestarigue'de ‘cet Blectron soit. Identique d:son énergie au réposmaC*. C est la célérité dela lumiére (C*= 310° mis). “Caleuler'le rayon R ‘que Lon atribuera a Telectron, ‘On donne? | Built MP 1, Casablanca 1994-85 (( 1-Pardéfnition, tangle solide élémenaire d Qp (cf. i. 1) est | raport ene Iie 63 dcoupée sur une she de ene P etl (/ caméde son rayon : d.Qp - y ‘Cest aussi Tangle solide sous lequel on voit élément de surface as, Vinergie életrosatique W(R) Avec ah = Si. iG (66 §3 page?) ide celle-ci, est donné: par fa expression: vient: dQp = sSeosa swe 2 22 fs. Tee 2reR 2 & on 4B; (P) cos o P x fig.1 fig.2 Application : Onaaussi: r=xtga, soit: dr=—X—da et x=ycosa 1- Par raison de symétrie, les seules composantes utiles sont cos’ AE: Peosaet dErPcosa. Les composantes yy viege: dp = NIE ASS ao ap, perpendiculaices T'axe Ox s'annulent. Tl en est de méme pour yeas? a toute autre pare déléments de la distribution cbargée. Le champ og: 4 Qp = sing da dB lectrostatique total E (P) est dirigé suivant Yaxe x (cf. fig. 2). 2+ Ainsi, chaque élément dS crge un champ élémenttire qui 4~ L@champtotalestalos: E(P) = | -A~ sin dad contribue au champ total uniquement per sa coraposante suivant la ieee droite OP (appelée composante utile, cf. fig. 3) aE; (P) cos = —C #5108 ares y? Or sSicos est I'angle solide élémentaire dQ» sous lequel, y depuis le point P, on voit Yélément de surface di vient: GEV(P) cos a = 2d Op eo 3+. Liélément de surface dS; exprimé en coordonnées polaires (cB) séerit: 4S) = rdBde Soit (cf. fig. 3) Linégrale porte surle disque creux ob varie de cy 8 02 et 8 variedeO’2n EQ) = al | sin odo ares |, soit: B® = 8 (eos a - cos os) & & — a ouencore : B®) = 2% ars ~$. Dingle cas d'un plan indéfini Ri=0e R295) 8 ELECTRICITE sit: EM= +0 % saad 2e = si x<0 1.1 Par des consdérations de symétie (f. ex N°27 page 49), on monte que le champ électosaique admet une syméiie sphéfique:EQ) = BO & [Le flux du vecteur champ a travers une sphere de rayon x, avec xSr,esttelque: § = 4nx7E(M) Lallete x jou ii le re de la premire coordonnée sphérique. =P4dne 3 Diaprés le théoréme de Gauss, on a: Soit:EQM) = 3 5 3a x En un point P situé sur Ja surface limite de le sphére 36 \ 2+ Par raison de symétrie, Te potentiel électrostatique V (M) est une fonction & symétrie sphérique. La relation B= - gadV serédviticia: EQ) = 2 38 vient: Vom) = 2 2 4c Be * Comme V (M) = 03 Vnfini, la constante C= 0 Soit : VM) = 2 ©, en tout point extérieur a la sphére & x chargée. Lorsque x= 1, le poteniel électrostatique a pour expression v@=z2e 3a B. 1+ Le travail éémentare dT nécessire pour appoter un élément de charge 8 Q (0) de linfnt o le potentielAecrostatique ep? dio fie OP x ee Tnergie deswosatique dW = 5Q.V : fy Sot: dT =p2i 1 sine do do dr T Pa ® 2+ Le travall tol pour ralser la disibution de charge Q(R) est R son: T= 2] ¢e snoao |e Beh de ho s RE i ws dary 20 eR 0 3) a a 3+ Liénergie électrosttique étant considérée égale & Yénergie au repos dun électron,assimilé ici & une sphére de rayon R, R est 4 dona alos prTexpresson suivante: = 22 20m eomoC? (SI), me=0,910" ke , C = 310° ms vient: R= 17110 m ProblémeN°3 s 1-0 cntibe wa cononnesphaue conte Bfpoear négligeable, de centre et de.rayon R uniformément. chargé, comme’ Vindique la figure: ci-dessous On désignera par ‘constante, la densité surfacique des charges. > I= Donner Vexpression du potentiel-dV (P) engendré par un ment de sarace dS de ia couronie a point P situésur le des tel que OP =.2.MP @ +2 -2Recos®). On rappel egresion de den coordonnéessphérigque aS = R sin do do 2+ Montrer alors que le potentiel V (P) de cette distribution est ‘donné par Vexpression > V= SR (p) ~ 9) 2eot ou pi et prdésignent les distances au point P des parties terminales de la distribution chargée, 3+ Endéduire expression du potentiel V (P), dans le cas d'une sphére conductrice uniformément chargée, On érudiera les cas oit lepoint Pest. a alinrieur de lasphire. b- dVextérieur de la sphere. 4 Calculer le champ ¥ (P)correspondant: 44+ dlextérieur de la sphire . bs aviméricur de la sphere S~Dans les dewe cas a~ et b- de la question 4 retrouver expression de E (P) en uiltsant le théordme de Gauss. If- On considére maintenant deux spheres conducricesSy et So de rayons Ry et Ra, uniforménent chargées, et suffsamment

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